JPH11302652A

JPH11302652A - 液晶組成物、抵抗値調整方法及び置換フェノ―ル

Info

Publication number: JPH11302652A
Application number: JP11027065A
Authority: JP
Inventors: Michael Darius; ミヒャエル・ダリウス; Volker Reiffenrath; フォルカー・ライフェンラート; Kazuaki Tarumi; 和明樽見; Bernhard Rieger; ベルンハルト・リーガー; Michael Heckmeier; ミヒャエル・ヘックマイヤー; Marcus Reuter; マーカス・ロイター; Peer Kirsch; ピーア・キルシュ
Original assignee: Merck Patent GmbH
Current assignee: Merck Patent GmbH
Priority date: 1998-02-04
Filing date: 1999-02-04
Publication date: 1999-11-02
Anticipated expiration: 2019-02-04
Also published as: GB9902542D0; KR19990072364A; GB2334031A; GB2334031B; JP2010059430A; US6139925A; US20020084444A1; JP5266187B2; TWI239997B; KR100637938B1; JP4896282B2; US7166337B2

Abstract

(57)【要約】【課題】予め特定された比抵抗を有する液晶混合物を提
供する。液晶の比抵抗が再現可能に調整される物質を選
択又は提供する。【解決手段】１０ｐｐｍから１０％の濃度の、式I；【化1】 (式中、Ａ^１、Ａ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｒ、Ｒ’、ｍ、ｎ、
ｏ、Ｘ、Ｙ、ｐ_１、ｐ_２、ｑ_１及びｑ_２は、明細書中で
定義の通り)の酸性化合物を含む特定の比抵抗を有する
液晶混合物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一定の抵抗値を有
する液晶混合物、及び液晶混合物の比抵抗を予め特定さ
れた値、典型的には１０^９Ωｃｍから数１０^１２Ωｃｍ
の範囲に調整する方法に関するものである。本発明は、
特に末端でフッ化された化合物又は末端でフッ化された
置換基を持つ化合物を含むか又はそれらからなる液晶混
合物、一般的には低極性の高抵抗液晶混合物に関するも
のである。

【０００２】特に、抵抗値は酸性化合物、特に好ましく
はフェノールを使用して調整される。本発明はまた，新
規な置換フェノールに関するものである。本発明はさら
に、本発明による液晶混合物を含有する液晶表示体に関
するものである。

【０００３】

【従来の技術】高い比抵抗値を有する液晶混合物は、数
タイプの液晶表示体に問題を引き起こす。これらの高抵
抗液晶混合物の大部分の問題は静電荷の発生である。こ
れは例えば、偏光子又は補償フィルムの例では、表示体
の生産中に保護膜の剥離工程で時々簡単に生ずる。しか
しながら、静電荷帯電はこのような表示体の作動中例え
ば、プラスチック部品又は衣服との接触及び摩擦又はそ
のいずれかによっても生ずる。例えば、自動車用ラジオ
表示体では、この種類の静電荷帯電は手が表示体に接触
しても生ずることがある。最も簡単な場合では、この静
電荷はスイッチオフ表示又は表示体の一部の望ましくな
いスイッチオンを生ずることがある。

【０００４】しかしながら、頻繁に表示体に対する不可
逆変化が観測される。例えば、これらは静電荷による配
向膜に対する変化により引き起こされる。この現象は特
にＴＮ及びＳＴＮ表示体において観測される。この種類
の表示体では、液晶混合物の高い比抵抗値により、表示
体がスイッチオフされた後でも、しばしば長期間にわた
って表示された情報が残ってしまう。液晶混合物の比抵
抗値が高いと、蓄積電荷キャリアが分散することは困難
であり、いわゆる「残像」又は「ゴーストイメージ」、
しばしば「ステイッキング(焼付き)効果」又は「画像ス
テイッキング(焼付き)効果」とも称される、)の発生を
引き起こす。アクテイブマトリクスアドレシング方式
（例えば、ＴＮ−ＡＭＤ又はＩＰＳ−ＡＭＤ）の表示で
は、アクテイブマトリクスの非線形スイッチ（例えば、
ＴＦＴ）は特に、損傷又は破損さえ起こす。「画像ステ
イッキング(焼付き)効果」もＡＭＤ方式で生ずる。

【０００５】この問題を解決する多数の提案が従来技術
において行われてきた。例えば、液晶表示体の生産にお
ける静電荷帯電の発生を防止ようとする装置対策のほ
か、液晶混合物を最適化する多数の示唆がなされてき
た。これらの示唆の殆どが望ましい抵抗値を得るため各
種ドーパントの使用を提案している。しかしながら、液
晶混合物におけるドーパントの溶解度がこの場合問題で
ある。さらに、例えば、クリアリングポイントの低下及
び他の物理的特性の変化などの望ましくない効果がしば
しば生ずる。望ましい抵抗値の設定値の再現性はおうお
うにして好適でないか，又は達成可能な抵抗値の範囲は
比較的狭い。

【０００６】液晶混合物の導電率又は比抵抗を調整する
ため使用される化合物のさらに必須な特性はそれらの蒸
気圧である。さもないと組成の変化が生じ、この場合ま
さに望ましくない抵抗変化を生ずるため，液晶混合物の
他の成分の蒸気圧がそうでなければならないようにこの
蒸気圧は高すぎてはならない。表示体製造における真空
充填用装置の極めて広範な用途で特に重要なものであ
る。生ずる変化は生ずる圧力の持続時間及び大きさによ
ると考えられる。

【０００７】液晶混合物におけるある一定の比抵抗値を
設定するため最近使用された化合物の代表的な例はクラ
ウンエーテルであり、ＷＯ９７−０３１６４に記載され
たように使用されている。しかしながら、少量使用した
場合でも、これらは抵抗値のかなりの低下をもたらす。
さらに、各種不純物を含有するクラウンエーテルの相互
作用により、液晶混合物内部及び内部表示面上の両方
で、即ち、本質的には配向膜で、達成された結果は使用
した材料にかなり強く依存し、かつ再現性はしばしば不
十分になる。このように、容易に液晶混合物に溶解しか
つ多くの配向膜に対して汎用性を示す、比抵抗の再現可
能な調整用物質に対する要求が存在した。

【０００８】下記式の化合物；

【化4】及び

【化5】の化合物が知られている。例えば、ケミカルアブストラ
クト（ＣｈｅｍｉｃａｌＡｂｓｔｒａｃｔｓ）ＣＡＳ−
２８９４−８７−３及びＣＡＳ−２２００−７０−６を
参照されたい。

【０００９】ＪＰ−Ａ０８−０６７５７７は液晶混合
物の比抵抗を低下させるのにトリ（ポリオキシアルキレ
ン）アミンを提案している。ＪＰ−Ａ０８−３３７７
７８はＳＴＮ表示体に使用するため過酸化物−破壊化合
物を含有する液晶混合物を記載している。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は予め特
定された比抵抗を有する液晶混合物を提供することであ
る。本発明の別の目的は液晶の比抵抗が再現可能に調整
される物質を選択又は提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】驚くべきことに、この目
的が酸性化合物、特に酸性フェノール、とりわけ一般式
Ｉ；

【化6】式中、Ａ^１及びＡ^２は互いに独立して、かつＡ^１が多数
回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれａ）１,４−シクロヘキシレン又はトランス−１,４シク
ロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多
数の非−隣接ＣＨ_２基がＯ及び／又はＳで交換でき、ｂ）１,４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２
個のＣＨ_２基がＮで交換でき、ｃ）１,４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン、ピペリ
ジン−１,４−ジイル，ナフタレン−２,６−ジイル、デ
カハイドロナフタレン−３,６−ジイル、又は１,２,３,
４−テトラハイドロナフタレン−２,６−ジイルであ
り、この一般式において（ａ）及び（ｂ）はＦ原子によ
る一置換体又は二置換体であることができ；Ｚ^１及びＺ
^２は、互いに独立して、かつＺ^１が多数回生ずる場合に
も互いに独立して、それぞれ-CO-O-、-O-CO-、-CO-CH
₂-、-CH₂-CO-、-CH₂O-、-OCH₂-、-CH₂CH ₂-、-CH=CH-、-
C≡C-であるか又は単結合であり、又はＺ^１及びＺ^２基
の１つは、-(CH₂)₄-、-(CH₂)₃CO-、-(CH₂)₂-O-CO-、-(C
H₂)₂-(CO-O)-、CH=CH-CH₂CH₂-、-CH ₂-CH₂-CH=CH-又はCH
₂-CH=CH-CH₂-であり、ＲはＨ、それぞれ１又は２から１
５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、
それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ_３により一置換
されているか、又はハロゲン、特にF又はClで一置換さ
れるか又は多置換され、さらにこれらのラジカルの１個
又は多数のＣＨ_２基が互いに独立して、-O-、-S-、

【化7】、-CO-、-CO-O-、-O-CO-又は-O-CO-O-により２つのＯ原
子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒは又、
ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであ
り、Ｒ’はＨ又はＲであり、（ここでＣＮ、Ｆ、ＯＨ又
はＣＯＯＲ’は除かれる）ｎは０、１又は２であり、ｍ
は０又は１であり、ｏは１、２又は３であり、ｎ＋ｍ＋
ｏは２、３又は４であり；Ｘ及びＹはそれぞれ互いに独
立して、Ｘ及び／又はＹが多数回存在する場合にも、そ
れぞれ互いに独立して、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、Ｎ
Ｏ_２、又はＣＮであり、ここで、ＸはＦであることが好
ましくかつＹはＣＮであることが好ましく；ｐ_１、
ｐ_２、ｑ_１及びｑ_２はそれぞれ０、１、２、３又は４で
あり、ｏが１、ｑ_２が０の場合、ｐ_２は３又は４であ
り、ｏが１、ｑ_２が１、２又は３の場合、ｐ_２+ｑ_２は
１、２、３又は４、好ましくはｑ_２は１でｐ_２は１又は
２であり、ｏが２又は３の場合、ｐ_１＋ｐ_２＋ｑ_１＋ｑ
_２は１、２、３、４、５、６、７又は８であり、ｑ_１＋
ｑ_２が１又は２の場合、ｐ_１＋ｐ_２は１、２、３又は
４、好ましくは、ｑ_１＋ｑ_２が１で、ｐ_１＋ｐ_２が１又
は２であり、ｑ_１＋ｑ_２が０の場合、ｐ_１＋ｐ_２は３、
４、５、６、７又は８、好ましくは、６、７又は８であ
る、で示される酸性化合物を使用することによって達成
された。

【００１２】好ましくは式Ｉａ；

【化8】式中、Ａ^１及びＡ^２は互いに独立して、かつＡ^１が多数
回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれａ）１,４−シクロヘキシレン又はトランス−１,４シク
ロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多
数の非−隣接ＣＨ_２基がＯ及び／又はＳで交換でき、ｂ）１,４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２
個のＣＨ_２基がＮで交換でき、ｃ）１,４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン、ピペリ
ジン−１,４−ジイル，ナフタレン−２,６−ジイル、デ
カハイドロナフタレン−３,６−ジイル、又は１,２,３,
４−テトラハイドロナフタレン−２,６−ジイルであ
り、この一般式において（ａ）及び（ｂ）はＦ原子によ
る一置換体又は二置換体であることができ；Ｚ^１及びＺ
^２は、互いに独立して、かつＺ^１が多数回生ずる場合に
も互いに独立して、それぞれ-CO-O-、-O-CO-、-CO-CH
₂-、-CH₂-CO-、-CH₂O-、-OCH₂-、-CH₂CH ₂-、-CH=CH-、-
C≡C-であるか又は単結合であり、又はＺ^１及びＺ^２基
の１つは、-(CH₂)₄-、-(CH₂)₃CO-、-(CH₂)₂-O-CO-、-(C
H₂)₂-(CO-O)-、CH=CH-CH₂-CH₂-、-CH₂-CH₂-CH=CH-又は-
CH₂-CH=CH-CH₂-であり、ＲはＨ、それぞれ１又は２から
１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであ
り、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ_３により一
置換されているか、又はハロゲン、特にF又はClで一置
換されるか又は多置換され、さらにこれらのラジカルの
１個又は多数のＣＨ_２基が互いに独立して、-O-、-S-、

【化9】、-CO-、-CO-O-、-O-CO-又は-O-CO-O-により２つのＯ原
子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒは又、
ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであ
り、Ｒ’はＨ又はＲであり、（ここでＣＮ、Ｆ、ＯＨ又
はＣＯＯＲ’は除かれる）ｎは０、１又は２であり、ｍ
は０又は１であり、ｏは１、２又は３であり、ｎ＋ｍ＋
ｏは２、３又は４であり；Ｘ及びＹはそれぞれ互いに独
立して、Ｘ及び／又はＹが多数回存在する場合にも、そ
れぞれ互いに独立して、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、Ｎ
Ｏ_２、又はＣＮであり、ここで、ＸはＦであることが好
ましくかつＹはＣＮであることが好ましく；ｐ_１、
ｐ_２、ｑ_１及びｑ_２はそれぞれ０、１、２、３又は４で
あり、ｏが１、ｑ_２が０の場合、ｐ_２は３又は４であ
り、ｏが１、ｑ_２が１、２又は３の場合、ｐ_２+ｑ_２は
１、２、３又は４、好ましくはｑ_２は１でｐ_２は１又は
２であり、ｏが２又は３の場合、ｐ_１＋ｐ_２＋ｑ_１＋ｑ
_２は１、２、３、４、５、６、７又は８であり、ｑ_１＋
ｑ_２が１又は２の場合、ｐ_１＋ｐ_２は１、２、３又は
４、好ましくは、ｑ_１＋ｑ_２が１で、ｐ_１＋ｐ_２が１又
は２であり、ｑ_１＋ｑ_２が０の場合、ｐ_１＋ｐ_２は３、
４、５、６、７又は８、好ましくは、６、７又は８であ
る、で示される化合物が使用される。

【００１３】また、好ましくは式Ｉｂ；

【化10】式中、Ａ^１及びＡ^２は、互いに独立して、かつＡ^１が多
数回存在する場合にも互いに独立して、ａ）１,４−シクロヘキシレン又はトランス−１,４シク
ロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多
数の非−隣接ＣＨ_２基がＯ及び／又はＳで交換でき、ｂ）１,４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２
個のＣＨ_２基がＮで交換でき、ｃ）１,４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン、ピペリ
ジン−１,４−ジイル、ナフタレン−２,６−ジイル、デ
カハイドロナフタレン−３,６−ジイル、又は１,２,３,
４−テトラハイドロナフタレン−２,６−ジイルもまた
独立であり，この式において（ａ）及び（ｂ）はＦ原子
による一置換体又は二置換体であることができ；Ｚ^１及
びＺ^２は、互いに独立して、かつＺ^１が多数回存在する
場合にも互いに独立なそれぞれ互いに独立で、かつＺ^１
が多数回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれ-CO-
O-、-O-CO-、-CO-CH₂-、-CH₂-CO-、-CH₂O-、-OCH₂-、-C
H₂CH₂-、-CH=CH-、-C≡C-であるか又は単結合であり、
又はＺ^１及びＺ^２基の１つは、-(CH₂)₄-、-(CH₂)₃CO-、
-(CH₂)₂-O-CO-、-(CH₂)₂-(CO-O)-、CH=CH-CH₂CH₂-、-CH
₂-CH₂-CH=CH-又はCH₂-CH=CH-CH₂-であり、ＲはＨ、それ
ぞれ１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又は
アルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又は
ＣＦ_３により一置換されているか、又はハロゲン、特に
Ｆ又はＣｌで一置換又は多置換され、さらにこれらの基
の１個又は多数のＣＨ_２基が互いに独立して、-O-、-S
-、

【化11】、-CO-、-CO-O-、-O-CO-又は-O-CO-O-により２つのＯ原
子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒは又は
ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであ
り、Ｒ’はＨ又はＲであり、（ここでＣＮ、Ｆ又はＣＯ
ＯＲ’は除く）ｎは０、１又は２であり、ｍは０又は１
であり、ｏは１、２又は３であり、ｎ＋ｍ＋ｏは２、３
又は４であり；Ｘ及びＹはそれぞれ互いに独立して、か
つＸ及び／又はＹが多数回存在する場合にも、これらの
化合物もまた独立して、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ_２
又はＣＮであり、ここで、ＸはＦであることが好ましく
かつＹはＣＮであることが好ましく；ｐ及びｑはそれぞ
れ０、１、２又は３であり、ｐ＋ｑは１、２、３，４、
５、６、７又は８であり、ｑは０又は１であり、かつｑ
＝０の場合、ｐは３、４、５、６、７又は８であり、ｑ
＝１の場合、ｐは１、２、３，４、５、６又は７であ
り、かつＸはＦであることが好ましくかつＹはＣＮであ
ることが好ましい、で示される化合物が使用される。

【００１４】式Ｉａにおいて、

【化12】この式において、Ｘ_ｐ１、Ｘ_ｐ２、Ｙ_ｑ１及びＹ_ｑ２は
式Ｉａで上記に定義された通りである。

【００１５】式Ｉｂでは、

【化13】この式において、ＸはＦ、Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、好まし
くはＦであり、ＹはＣＮ、又はＮＯ_２、好ましくはＣＮ
であり、ｐ及びｑはそれぞれ０、１、２又は３であり、
かつｐ＋ｑは２又は３であり、Ｒ＝ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｏ
Ｈ又はＣＯＯＲ’の場合には、それに代わり１である。

【００１６】式Ｉｂにおいて、

【化14】この式において、Ｘ_ｐ及びＹ_ｑは式Ｉｂで定義された通
りである。Ｘは好ましくはＦであり、Ｙは好ましくはＣ
Ｎである。

【００１７】特に好ましくは付属式Ｉａ−１からＩａ−
６の化合物；

【化15】であり、この式において，Ｒ、Ａ^１、Ａ^２、Ｚ^１、
Ｚ^２、ｎ、ｍ、Ｘ及びＹは式Ｉａで上記に定義された通
りである。Ｙは好ましくはＣＮであり、Ｘは好ましくは
Ｆであり、ｎは好ましくは０であり、かつＲは好ましく
はＣＮ、Ｆ又はＯＨである。

【００１８】特に好ましくは付属式Ｉｂ−１からＩｂ−
５の化合物；

【化16】であり、この式において、Ｒ、Ａ^１、Ｚ^１、ｎ、Ｘ及び
Ｙは式Ｉｂで上記に定義された通りである。Ｙは好まし
くはＣＮであり、Ｘは好ましくはＦである。

【００１９】特に好ましくは付属式Ｉａ−３ａ、Ｉａ−
４ａ、Ｉａ−５ａ及びＩａ−６ａの化合物；

【化17】であり、この式において、Ｒ、Ａ^２及びｍは式Ｉで上記
に定義された通りである。

【００２０】付属式Ｉａ−３ａ、Ｉａ−４ａ、Ｉａ−５
ａ及びＩａ−６ａでは、

【化18】

【００２１】特に好ましくは付属式Ｉｂ−１ａ、Ｉｂ−
２ａ及びＩｂ−２ｂの化合物；

【化19】であり、この式において、Ｒは一般式Ｉで上記に定義さ
れた通りである。

【００２２】付属式Ｉｂ−１ａ、Ｉｂ−２ａ及びＩｂ−
２ｂでは、

【化20】

【００２３】格別に好ましくは付属式ＩＡ−１−１の化
合物：

【化21】であり、この式において、ＲはＣＮ、Ｆ、Ｃｌ又はＯＨ
であり、Ｆであることが好ましい。

【００２４】さらに格別に好ましくは付属式Ｉｂ−１ａ
１、Ｉｂ−２ａ１及びＩｂ−３ａ１の化合物；

【化22】であり、この式において、Ｒは一般式Ｉで上記に定義さ
れた通りである。式Ｉｂ−１ａ１の化合物の場合、Ｒは
１から７の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルで
あることが好ましく、エチル、プロピル、ブチル又はペ
ンチルであることが格別に好ましい。式Ｉｂ−２ａ１の
化合物の場合、Ｒは１から７の炭素原子を有するアルキ
ル又はアルコキシであることが好ましく、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシ又はブトキシであることが極めて好
ましい。

【００２５】上述のフェノール化合物を有する液晶混合
物のほか、本願は、それらがなお未知である限りこれら
の化合物自体にも関するものである。これらの液晶混合
物は液晶表示体、特にＳＴＮ及びＩＰＳ表示体に使用す
るのに特に適当である。

【００２６】ＳＴＮ表示体用液晶混合物及び特にこのよ
うな表示体用に好適な液晶混合物の概念はＥＰ０３
９４４１７に記載されており、かつＡＭＤ、表示体の
概念はＥＰ０３９４４１９に記載されている。

【００２７】本願によるＴＮ表示体用液晶混合物は末端
シアノ置換化合物を誘電的に正の化合物として有するこ
とが好ましい。それらは式II；

【化23】の化合物を有することが極めて好ましく、この式におい
て、Ａ^３が多数回存在する場合には、これらＡ^３は互い
に独立して、ａ）１,４−シクロヘキシレン又はトランス−１,４シク
ロヘキセニレン、式においてさらに、１個又は多数の非
−隣接ＣＨ_２基がＯ及び／又はＳで交換でき、ｂ）１,４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２
個のＣＨ_２基がＮで交換でき、ｃ）１,４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン、ピペリ
ジン−１,４−ジイル、ナフタレン−２,６−ジイル、デ
カハイドロナフタレン−３,６−ジイル、又は１,２,３,
４−テトラハイドロナフタレン−２,６−ジイルであ
り、この一般式において（ａ）及び（ｂ）はＦ原子によ
る一置換体又は二置換であることができ、Ｚ^３は、Ｚ^３
が多数存在する場合には、これらＺ^３は互いに独立し
て、-CO-O-、-O-CO-、-CO-CH₂-、-CH₂-CO-、-CH₂O-、-O
CH₂-、-CH₂CH₂-、-CH=CH-、-C≡C-であるか又は単結合
であり、Ｒ^３はＨ、それぞれ１又は２から１５の炭素原
子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未
置換であるか、ＣＮ又はＣＦ_３により一置換され、又は
ハロゲン、特にＦ又はＣｌで一置換又は多置換され、さ
らにこれらの基の１個又は多数のＣＨ_２基が互いに独立
して、-O-、-S-、

【化24】、-CO-、-CO-O-、-O-CO-又は-O-CO-O-によりにより２つ
のＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき；ｒ
は１又は２であり、Ｘ^３はＨ又はＦであり、かつＹ^３は
Ｈ又はＦである。

【００２８】混合物は式ＩＩ−１、必要であれば、ＩＩ
−２；

【化25】この式において，Ｒ^３は式ＩＩで上記に定義された通り
であり、ｎ−アルキル又は１−Ｅ−アルケニルであるこ
とが好ましい。

【００２９】好ましくは式ＩＩの誘電的に正の化合物を
含む液晶混合物であり、ここでｒ＝１、Ａ^３＝１、４−
シクロヘキシレン、Ｘ^３＝Ｈ、Ｚ^３は単結合であり、Ｙ
^３＝Ｈであり、かつＲ＝１又は２から７の炭素原子をそ
れぞれ有するアルキル又はアルケニルである。特に、液
晶混合物は少なくともそれらの誘電的に正の成分に関す
るこれらの化合物に基づいている。特に、これはＴＮ表
示体用及びＳＴＮ表示体用混合物にも適用される。ｒ＝
１、Ａ^３＝１,４−フェニレン、Ｚ^３＝-ＣＯ-Ｏ-、Ｘ^３
＝Ｈ、Ｙ^３＝Ｆであり、かつＲ＝１又は２から７の炭素
原子をそれぞれ有するアルキル又はアルケニルである場
合の式ＩＩの化合物も好ましい液晶混合物中に存在す
る。しかしながら、式ＩＩ−２の化合物濃度は一般に式
ＩＩ−１の化合物の濃度より著しく低い。好ましい液晶
混合物のしきい値電圧は好ましくはＴＮセルで、好まし
くは１．５Ｖから４．０Ｖ、特に好ましくは１．８Ｖか
ら３．５Ｖ、特別に好ましくは２．０Ｖから３．０Ｖの
範囲である。

【００３０】液晶混合物及びＳＴＮ及びＡＭＤ表示体の
液晶混合物の概念について、上述の２つの特許出願を引
用することにより、これらが本出願に組込まれる。

【００３１】ＴＮ及びＳＴＮ表示体についての、本願に
よる特に好ましい液晶混合物は例えば、ベンゾニトリル
及びシアノ基に対してオルト位にフッ素により一置換又
は二置換されるベンゾニトリルなどの末端シアノ置換化
合物を有する混合物である。

【００３２】本願によるＳＴＮ表示体用液晶混合物も末
端フッ化化合物及び／又は末端フッ素含有置換基を持つ
化合物を含む。本願によるＳＴＮ表示体用液晶混合物
は、特に好ましくはアルケニル側鎖を有する化合物を含
む。これらの化合物は誘電的に正でかつアルケニル側鎖
を有するか又は誘電的中性のいずれかである。後者にお
いて、その化合物は、一つ又は二つのアルケニル側鎖を
有することができる。

【００３３】ＡＭＤ表示体用液晶混合物では、好ましく
は本願において末端フッ化化合物及び末端フッ素含有置
換基を有する化合物又はそのいずれかである。これらの
混合物は約１％、特に約５％、格別には約１％のシアノ
置換化合物を含んでいることが好ましい。特に、式Ｉ及
びその付属式のそれらは別として、これらの混合物は非
シアノ置換化合物を任意に含む。

【００３４】本発明による化合物又は本発明により使用
された化合物は、ＩＰＳ表示体用混合物に使用するのが
特に好ましい。このようなＩＰＳ表示体に対しては、好
ましくは本願においてＡＭＤ表示体用混合物のような末
端フッ化化合物を含有する液晶混合物が挙げられる。し
かしながら、ＩＰＳ表示体用混合物は、付加的に末端シ
アノ置換化合物を含んでいる。これらの末端シアノ置換
化合物濃度は広い限界範囲内で変化する。

【００３５】特に、ＡＭＤ表示体用混合物の場合におけ
るように低い上限値には制限されない。典型的には、１
から５０％のシアノ置換化合物が使用される。好ましく
は５から３５％、特に好ましくは７から２５％のシアノ
置換化合物を含有する混合物である。

【００３６】ＩＰＳ表示体用液晶混合物及びこれらの液
晶表示体用の混合物の概念は、ＧＢ２３１０６６
９、ＥＰ０８０７１５３、ＤＥ１９５２８１０
４、ＤＥ１９５２８１０７、ＥＰ０７６８３５
９、ＤＥ１９６１１０９６及びＤＥ１９６２５
１００に記載されている。ＩＰＳ表示体用液晶混合物
及びそれらの混合物の概念については、これら７件の特
許出願を引用することにより、これらは本明細書に組込
まれる。

【００３７】ＴＮ、ＳＴＮ、ＡＭＤ及びＩＰＳ表示体の
構造は公知のものであるか又は公知のルールに従うもの
である。ここでは、ＴＮ、ＳＴＮ、ＡＭＤ及びＩＰＳと
いう用語は本明細書では広い意味で引用され、かつそれ
らの典型的な変形をも網羅している。

【００３８】ＳＴＮ表示体の構造は、ＥＰ００９８
０７０、ＥＰ０１３１２１６，及びＥＰ０
２６０４５０、中でもＩＰＳの表示装置の構造は、Ｕ
Ｓ５、５７６、８６７及びＥＰ０５８８５６８に記
載されている。ＳＴＮ及びＩＰＳ表示体の構造に関して
は、上述の５件の特許出願を引用することにより、ここ
に組込まれる。

【００３９】スキーム１

【化26】Ｒ、Ａ^１、Ｚ^１、Ａ^２、Ｚ^２、ｎ及びｍは式Ｉで上記に
定義された通りである。

【００４０】本発明による化合物は液晶混合物に１ｐｐ
ｍから典型的には５０,０００ｐｐｍ、好ましくは１０
ｐｐｍから１０,０００ｐｐｍ、特に好ましくは５０ｐ
ｐｍから５,０００ｐｐｍ（重量比による）の濃度で加
えられる。

【００４１】物理的特性は特にそれ以外の記載がない限
り、「液晶の物理的特性」（「ＰｈｙｓｉｃａｌＰｒ
ｏｐｅｒｔｙｏｆＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａ
ｌ」），ＭｅｒｃｋＫＧａＡ、Ｅｄ．Ｗ．Ｂｅｃｋｅ
ｒ、１９９７年１１月に記載されているように決定され
る。

【００４２】液晶混合物それ自体の比抵抗（略称ＳＲ）
は「アクテイブマトリクス表示体用液晶」（「Ｌｉｑｕ
ｉｄＣｒｙｓｔａｌｓｆｏｒａｃｔｉｖｅｍａ
ｔｒｉｘｄｉｓｐｌａｙｓ」），Ｇ．Ｗｅｂｅｒ等，
ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ，１９８９年，第５
編，第５巻，１３８１〜１３８８ページに従い、ステン
レス鋼製測定セル中の１ｍｌを使用して決定される。

【００４３】液晶混合物の比抵抗はガラス製試験セル
(ＳＲＺ)中でもさらに決定される。液晶表示体セルのよ
うなこれらの試験セルは、互いに平行に互いに一定距離
離して結合した２枚のガラス板から構成される。セルは
ＭｅｒｃｋＫＧａＡ社の試験セル製造装置で作製され
ている。それらのセルは配向膜のないインジウム−錫酸
化物（ＩＴＯ）電極付の無アルカリガラスから構成され
る。層厚は２０μｍである。セルには反対側に２つの充
填開口を設けられる。電極は円形で、それぞれが１ｃｍ
^２の面積を有している。電磁輻射除去のため、セルにリ
ング形状の保護電極を設ける。（ＳＲ）などの比抵抗の
ように、試験セルの液晶混合物の比抵抗（ＳＲＺ）は感
度エレクトロメータ（ケースレー（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ)
社製６５１７高抵抗装置）を使用して測定する。（Ｓ
Ｒ）などの比抵抗の測定時には、ケースレー６１７を使
用する。乾燥セルの充填や抵抗値の測定はすべてエアー
ロックで接続されたグローブボックス装置の中で行われ
る。乾燥窒素の流れを継続的にこれらのグローブボック
スから通過させる。セルを収容するボックス内部の相対
大気湿度は、特にセルの充填中及び測定中は１０％以下
でなければならない。抵抗値はアルミニウムハウジング
内で測定されるが、ハウジング内で試験セルを加熱媒体
としての水を有する２つの黄銅ブロックにより２０℃に
保持する。漏出磁場からの遮蔽のため、測定セルの防護
リングをアルミニウムハウジングと共に接地する。

【００４４】防護リングの接地は、測定系統の各々に対
しては別々にかつアルミニウムハウジングの接地と共
に、接地ループを形成しない方法で実施する。放電状態
のセル容量は充填前に別途測定する。それは代表的には
ε_empty=４５ｐＦである。

【００４５】抵抗値を測定するため，電流を２０Ｖの直
流定電圧で測定する。これが終了するまで、試験セルを
次のように扱わなければならない。２０秒間待った後、
交互の極性の４回の２０Ｖパルスを印可する。４回のパ
ルスはすべてパルス幅２０秒でありかつ互いに０Ｖの２
０秒間隔で分離される。４回のパルスの最後には０Ｖの
１８０秒間隔が続きその後、最初のパルスの極性で２０
Ｖを１８０秒間再び印可する。この最終パルスの終点
で、１０回の測定読みが５秒以内に得られる：これらの
読みは平均抵抗値を与える。

【００４６】加熱は３個のグローブボックスの別のボッ
クスで行う。加熱後、典型的には１２０℃で１時間、セ
ルを冷却させその後、グローブボックス内に温度維持セ
ル保持器と共に移す。

【００４７】仕上げられた液晶混合物の、その結果得ら
れた比抵抗（ＳＲ）値は該当面積及び仕様によって、１
０^９Ωｃｍから１０^１２Ωｃｍの範囲にある。ＴＮ及び
ＳＴＮ表示体用液晶混合物は１０^１０Ωｃｍから１０
^１３Ωｃｍ、特別には５・１０ ^１０Ωｃｍから２・１０
^１１Ωｃｍの比抵抗値を有することが好ましく、かつＩ
ＰＳ表示体用液晶混合物は５・１０^１１Ωｃｍから８・
１０^１Ωｃｍ、好ましくは１０^１２Ωｃｍから３・１０
^１２Ωｃｍの比抵抗値を有する。

【００４８】１０から１０００ｐｐｍの範囲のドーパン
トの濃度が使用されることが特に好ましくかつ５・１０
^１１Ωｃｍから１・１０^１３Ωｃｍのセル（ＳＲＺ）の
比抵抗が得られる。相対的に小さなドーパント濃度が好
ましい。

【００４９】上記に与えられたかつ本願における以下の
物理的特性は明確に述べられていない限り２０℃の温度
に対して与えられる。

【００５０】「電圧保持率」（ＶＨＲ又はＨＲ）は「液
晶の物理的特性」、ＶＩＩＩ、電圧保持率（「Ｐｈｙｓ
ｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｙｏｆＬｉｑｕｉｄＣ
ｒｙｓｔａｌ」，ＶＩＩＩ，ＶｏｌｔａｇｅＨｏｌｄ
ｉｎｇＲａｔｉｏ）、ＭｅｒｃｋＫＧａＡ、Ｅｄ．
Ｗ．Ｂｅｃｋｅｒ、１９９７年１１月に記載されている
ように測定される。約５μmの層厚及び１ｃｍ^２の電極
面積を有する試験セルが使用された。電圧保持率はアン
トニック−メルカー（Ａｎｔｏｎｉｃ−ＭｃＬｃｈｅ
ｒ）、ドイツによる市場で入手可能な計測を使用して測
定された。測定電圧は１Ｖであった。

【００５１】電気光学特性、特にしきい値及び急峻性値
はＭｅｒｃｋＫＧａＡで作製された試験セルで測定さ
れた。しきい値電圧Ｖ_ｔｈ又はＶ_１０は相対コントラス
トの１０％の変化、即ち、完全飽和状態のアドレスセル
と非アドレスセル間に対して決定された。この急峻性は
Ｖ_９０／Ｖ_１０として決定された。

【００５２】９０℃のツイスト角度を有するセルが使用
された。セルは通常ホワイトモードで作動された。液晶
混合物はカイラルドーパントをドープしていなかった。
セルの層厚は光学的リターデーションが０．５０μmに
なるように選択された。使用された計測器は市場で入手
可能なオーツカ、日本の計器及びＭｅｒｃｋＫＧａＡに
よる適合計測器であった。

【００５３】本願は酸性メソゲン形成性化合物により、
好ましくは適切に置換されたフェノールにより液晶混合
物のある一定の比抵抗を達成又は調整する方法に関す
る。本願は液晶混合物の抵抗値を酸性の、メソゲン形成
性の又は液晶状の化合物を使用して望ましい値に調整す
る方法に関する。特に好ましくは十分高いｐＫａ値を有
する酸性化合物が挙げられる。ｐＫａの最小値は液晶混
合物の抵抗値及び極性（特に、誘電異方性）に依存す
る。例えば１０^１０Ωｃｍから１０^１１Ωｃｍの低抵抗
値を有する液晶混合物の場合、より大きな抵抗値を有す
る液晶混合物の場合よりも、より大きなｐＫａ値を有す
る酸性化合物を使用することが必要である。

【００５４】使用される化合物（好ましくはフェノール
化合物）のｐＫａ値は少なくとも実施例２ｃ（物質例
５）による化合物ＣＣＵ−３−ＣＮ．ＯＨ−ＦのｐＫａ
値と同じ位大きくなければならない（例１０参照）。使
用される化合物のｐＫａ値は、ＣＣＵ−３−ＣＮ．ＯＨ
−ＦのｐＫａ値より大きいことが好ましい。好ましく使
用されるべき化合物は、ＯＨ置換リングに３つ以上のフ
ッ素置換基を、又はビフェニル化合物の場合、各リング
に２つ以上のフッ素置換基を有する。

【００５５】化合物は、特に好ましくはそれらがＯＨ置
換ビフェニル系を含有する限り７、８又は９個のフッ素
置換基を有する。化合物は、特に好ましくは１個のＣＮ
及び少なくとも１個のＦ置換基をＯＨ置換ベンゼン環に
含んでいる。ＣＮ基はＯＨに対してオルト位又はパラ
位、特に好ましくはオルト位にある。

【００５６】蒸気圧が過剰に高くなる可能性のない化合
物をどこでも使用することがさらに必要である。好まし
くは蒸気圧が通常使用される液晶化合物の蒸気圧より高
くない化合物、例えば、

【化27】である。

【００５７】特に好ましくはその蒸気圧が、

【化28】の蒸気圧より高くない化合物である。

【００５８】特に好ましくは酸性フェノール、特に本願
の式Ｉ及びその付属式の化合物である。本発明によれ
ば、偏光子、電極基板及び電極、その表面が隣接する液
晶分子の好ましい配向（デイレクタ）が通常、一方の電
極から他方の電極まで約９０°の（特に、８０°から１
１０°の）値又は１６０°から７２０°の値でねじられ
るように処理が施された電極からなる、液晶表示体部品
の構造はこの種類の表示体部品の通常の設計に対応する
ものである。通常設計用語は本明細書では広く引用され
かつＴＮ及びＳＴＮセル、特にマトリクス表示体部品及
び補足的に磁石を含む表示体部品のすべての派生物及び
変形例をも網羅している。

【００５９】２枚の外側プレートでの表面チルト角は同
一でも又は異なるものであってもよい。同一チルト角が
好ましい。好ましいＴＮ表示体は外側プレート表面での
分子の長軸と外側プレート間が０°から７°、好ましく
は０．０１°から５°、特に０．１°から２°のチルト
角を有する。ＳＴＮ表示体では、チルト角は１°から３
０°、好ましくは１°から１２°、特に３°から８°で
ある。

【００６０】セル中のＴＮ混合物のねじれ角は２２．５
°から１７０°、好ましくは４５°から１３０°、特に
８０°から１１５°の値を有する。表示体では、配向膜
から配向膜のＳＴＮ混合物のねじれ角は１００°から６
００°、好ましくは１７０°から２７０°、特に１８０
°から２５０°の値を有する。本願のＩＰＳ表示体はね
じれのないスタート状態を有しかつ基板に対して平行な
電場成分により基板に対して垂直軸にねじられる。チル
ト角は０°から又は僅か０°以上（例えば、０．０１
°）１５°、特に０．２°から６°の範囲であることが
好ましい。

【００６１】本発明に従って使用される液晶混合物はそ
れ自体通常の方法で作成される。一般に、微量で使用さ
れる所望量の成分を主要成分を構成する成分に昇温させ
て適宜に溶解させる。成分溶液を有機溶剤、例えばアセ
トン、クロロフォルム又はメタノールに混合し、混合
後、溶剤を例えば蒸留により再び除去することも可能で
ある。液晶混合物は当業者にとって公知のかつ文献に記
載されている別の添加物を含有することがもきる。例え
ば、０から１５％の多色性染料を加えることができる。

【００６２】下記例により本発明を説明するが、これは
本発明を限定するものではない。次の略号を使用する：Ｔ（Ｓ，Ｎ）スメクチック−ネマチック相転移温度Ｔ（Ｎ，Ｉ）ネマチック−アイソトロピック相転移
温度ｃｌ．ｐ．クリアリングポイントｔ_ｏｎスイッチオンから最大コントラスト
の９０％に達するまでの時間ｔ_ｏｆｆスイッチオフから最大コントラスト
の１０％に達するまでの時間Ｖ_９０／Ｖ_１０急峻性ｔ_ａｖｅ（ｔ_ｏｎ＋ｔ_ｏｆｆ）／２（平
均応答時間） Δ ε 誘電異方性 Δｎ光学異方性ＳＲバルクの比抵抗ＳＲＺ試験セルの比抵抗

【００６３】本明細書中、特に特定されない限り、すべ
ての温度は℃で示され、百分率は重量パーセントであ
り、かつ物性値は２０℃での値である。本願及び以下の
実施例において、液晶成分の構造は略号で表示し、式へ
の変換は以下の表Ａ及びＢによって行われる。すべての
Ｃ_ｎＨ_２ｎ+１及びＣ_ｍＨ_２ｍ＋１基はｎ又はｍ個の炭
素原子をそれぞれ有する直鎖アルキル基である。アルケ
ニル基はトランス−構造を有する。表Ｂのコードは自明
である。表Ａには、親構造の頭字語のみを示す。それぞ
れの場合、親構造の頭字語の次に、ハイフンで分離され
た置換基Ｒ^１、Ｒ ^２、Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３のコードが続
く。

【化29】

【００６４】ＴＮ、ＳＴＮ及びＩＰＳ表示体は表Ａ及び
Ｂの１つ又は多数の化合物から構成された液晶混合物を
含有することが好ましい。

【００６５】表Ａ：（Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３：Ｈ又はＦ）

【表1】

【００６６】

【表2】

【００６７】表Ｂ：

【表3】

【００６８】

【表4】

【００６９】以下の実施例は本発明を、制限を表わすこ
となく説明しようとするものである。本明細書中、百分
率は重量パーセントで示す。ｍ．ｐ．は融点、ｃｌ．
ｐ．＝クリアリングポイントを示し、すべて温度は摂氏
℃で示す。さらに、Ｃ＝結晶状態、Ｎ＝ネマチック相、
Ｓ＝スメクチック相、及びＩ＝アイソトロピック相であ
る。これらの記号間のデータは転移温度である。Δｎは
光学異方性（５８９ｎｍ、２０℃）を示し、Δεは誘電
異方性（１ｋＨｚ、２０℃）を示す。

【００７０】

【実施例】例１（物質実施例）化合物１４．１ｇの２、６−ジフルオロ−４−（４−ｎ−プロピ
ル−トランス−シクロヘキシル）ベンゾニトリル

【化30】を１５０ｍｌのＴＨＦに溶解し、その溶液を２５０ｍｌ
の４ネックフラスコに入れた。１．７５ｇのカリウム第
３−ブトオキシドを３０ｍｌのＴＨＦに溶解し、その溶
液をゆっくりと滴下し温度が３０℃を超えないような速
さで攪拌しながら加えた。赤みをおびた反応混合物を１
２時間攪拌し，その後、約４０ｍｌの濃縮ＨＣｌを使用
して加水分解し，その結果、混合物は黄色に変色した。
加水分解中、温度が３０℃を超えないことを確認した。
混合物を３回５０ｍｌのメチル第３ブチルエーテル（Ｍ
ＴＢ）を用いてそれぞれの場合に抽出した。その後、有
機相を５０ｍｌの水で２回洗浄し、乾燥し、蒸発させ、
残渣をクロマトグラフィによりシリカゲル上でＭＴＢ／
ヘキサン（１：１）中でフリットを介して精製した。そ
の後、分留分を蒸散させ、その固形分2.5ｇを得、それ
をｎ−ヘプタンから再結晶し、１．７ｇの化合物２−シ
アノ−３−フルオロ−５−（４−ｎ−フェニル−トラン
ス−シクロヘキシル）フェノール

【００７１】

【化31】、ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨと略称される、を得た。融点
は１３８．６℃であった。

【００７２】次の化合物を同様に作成した：化合物２から７

【化32】

【００７３】例２（物質実施例２）化合物番号８；

【化33】を例１の化合物１と同様に相当するスタート化合物使用
して、次のスキームにより調製した。

【００７４】スキーム２

【化34】Ｒ、Ａ^１、Ｚ^１、Ａ^２、Ｚ^２、ｍ及びｎは式Ｉ下上記に
定義された通りである。

【００７５】例２ａ（物質実施例３）化合物番号９；

【化35】を作成した。物性は次の通り：相シーケンスＣ７１℃ Ｎ８３．４℃ Ｉ

【００７６】例２ｂ（物質実施例４）化合物番号１０；

【化36】を調製した。Ｃ１１２℃ Ｉ

【００７７】例２ｃ（物質実施例５）化合物番号１１（ＣＣＰ−３−ＣＮ．ＯＨ−Ｆ．Ｆ．Ｆ
と略称）；

【化37】を調製した。Ｃ２２９℃ Ｉ

【００７８】例２ｄ（物質実施例６）化合物；

【化38】を調製した。Ｋ９４℃ Ｉ

【００７９】例２ｅ（物質実施例７）化合物；

【化39】を調製した。Ｃ１４６℃ Ｉ

【００８０】例３（使用実施例１）例１による１０００ｐｐｍ又は１０，０００ｐｐｍ（重
量による）の化合物ＰＬＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを液晶混合
物Ａ−０に加えた。液晶混合物Ａ−０の組成及び物理的
特性を以下の表（表１）に示す。本願のすべての濃度デ
ータのような個々の化合物の濃度データは明確に述べら
れていない限り重量による。

【００８１】表１：混合物Ａ−０組成

【表5】物性 T(N,I)＝96℃ Δn(589nm)＝0.108 Δε(1kHz)＝3.1 V₁₀＝2.8V

【００８２】混合物Ａ−０、Ａ−１０００、Ａ−１０，
０００の比抵抗を測定した。結果を下表（表２）に示
す：表２：ＰＣＮ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを含有する液晶混合物
Ａの比抵抗

【表6】

【００８３】例４（使用実施例２）例１による１０００ｐｐｍ（重量による）の化合物ＰＣ
Ｈ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを実施例３の液晶混合物Ａ−０に加
え，その結果得られた液晶混合物Ａ−１０００を２つの
部分に分割し、その１つをミリポアフィルター（テフロ
ン４０μm）で濾過した（Ａ−１０００Ｆ）。

【００８４】このようにして得られた３種類の化合物Ａ
−０、Ａ−１０００，Ａ−１０，０００及び実施例３の
化合物Ａ−１０，０００の特性を別の試験セルで測定し
た。これらの試験セルはＭｅｒｃｋＫＧａＡ社の試験
セル製造装置で作製されたものである。試験セルは６．
０μmの層厚であった。５つの異なる配向膜を有する試
験セルを使用した。

【００８５】これらの配向膜を下記表（表３）に示す。表３：使用した配向膜の要約

【表7】

【００８６】５つの異なる配向膜を有する試験セルの３
種類の混合物の特性を以下の表（表４）に示す。与えら
た値すべては全応用例におけるように、特に述べられて
いない限り少なくとも２つの個々の測定値の平均値であ
る。表４：異なる配向膜を有するＰＣＮ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを
含有する混合物Ａの物性

【表8】

【００８７】例５（使用実施例３）液晶混合物Ｂ−０を作成し、４つの部分に分割した。実
施例１の化合物ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを３分割分に１
００ｐｐｍ、１０００ｐｐｍ及び１０、０００ｐｐｍの
濃度で加えた。異なる濃度Ｂ−１００、Ｂ−１０００及
びＢ−１０，０００の、その結果得られた３種類の混合
物及びＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを含有しない源混合物Ｂ
−０をそれらの物理的特性に関して、特にそれらの比抵
抗に関して調べた。その結果を下記表（表６）に示す。
液晶混合物Ｂ−０は下記表（表５）に示した組成及び物
性を有する。

【００８８】表５：混合物Ｂ−０組成

【表9】物性 T(N,I)＝72℃ Δn(589nm)＝0.075 Δε(1kHz)＝10.2 V₀(フレデリック No.)＝1.0V

【００８９】混合物Ｂ−０からＢ−１０，０００迄の比
抵抗値を下記表（表６）に示す。表６：ＰＣＮ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを含有する混合物Ｂの比
抵抗

【表10】

【００９０】例６（使用実施例４）例５におけるように、化合物ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを
使用したが、ここでは液晶混合物Ｃ−０から開始した。
混合物の組成及び物性を下記表（表７）に示す。表７：混合物Ｃ−０組成

【表11】物性 T(N,I)＝67.5℃ Δn(589nm)＝0.085 Δε(1kHz)＝7.5 回転粘度＝74mPa・s V₀(フレデリック No.)＝1.2V

【００９１】混合物の比抵抗値を下記表（表８）に示
す。表８：混合物Ｃの比抵抗

【表12】

【００９２】例７（使用実施例５）例５で使用された液晶混合物Ｂ−０を化合物

【化40】（略称ＢＦ９−ＯＨ）と混合した。この物質の融点（結
晶相からアイソトロピック相への転移）は１２０℃であ
る。１０、１００又は１０００ｐｐｍの物質ＢＦ９−Ｏ
Ｈをスタート混合物Ｂ−０の３つのサンプルに加え、そ
の結果得られたＢＢ−１０、ＢＢ−１００及びＢＢ−１
０００の比抵抗をスタート混合物Ｂ−０の比抵抗と比較
した。２０℃での試験セルの比抵抗値に加えて、１２０
℃で１時間加熱後の２０℃での試験セルの比抵抗値の測
定した。

【００９３】表９：ＢＦ９−ＯＨを含有する混合物Ｂの
比抵抗

【表13】

【００９４】例８（使用実施例６）例５におけるように、ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを使用し
た。これを液晶混合物Ｄ−０において調べ、その組成及
び特性を下記表１０に示す。表１０：混合物Ｄ−０の組成組成

【表14】物性 T(N,I)＝70.0℃ Δn(589nm)＝0.0.076 Δε(1kHz)＝10.1

【００９５】例７におけるように、混合物の比抵抗値を
試験セルで測定した。その結果を下記表１１に示す。表１１：試験セルにＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨを含有する
混合物Ｄの比抵抗

【表15】

【００９６】例９（使用実施例７）例８におけるように、液晶混合物Ｄを使用したが、ここ
ではＢＦ９−ＯＨを、例２におけるように加えた。試験
セルにおける比抵抗の結果を下記表１２に示す。表１２：ＢＦ９−ＯＨを含有する混合物Ｄの比抵抗

【表16】

【００９７】例１０（使用実施例８）例８におけるように、液晶混合物Ｄ−０を使用したが、
例２ｃ（物質実施例５）の化合物番号１１

【化41】ＣＣＰ−３−ＣＮ．ＯＨ．Ｆ．Ｆ．Ｆと略称、をここで
は使用した。試験セルにおける比抵抗値の結果を下記表
１３に示す。

【００９８】表１３：ＣＣＵ−３−ＣＮ．ＯＨ−Ｆを含
有する混合物Ｄの比抵抗

【表17】化合物ＣＣＵ−３−ＣＮ．ＯＨ−Ｇの酸度は使用される
値の範囲で明らかであり、いくつかの応用に十分であ
る。

【００９９】比較例１それぞれの場合で、各種源状態及び前処理の４−シクロ
−４’−ハイドロオキシビフェニルの１０００ｐｐｍ、

【化42】、ＯＣＢと略称、を実施例３の液晶混合物Ａ−０に加え
た。対応する混合物を分割し、それぞれの場合におい
て、一部を実施例４で説明したように濾過しかつある場
合では、繰返し濾過した。下記表（表１４）は抵抗測定
の結果を示す。

【０１００】表１４：ＯＣＢを含有する混合物Ａの抵抗

【表18】

【０１０１】表１４に見られるように、化合物ＯＣＢは
液晶混合物の抵抗を低減するのに適当であるが、しかし
ながら、結果には再現性がない。まず、結果はＯＣＢの
源状態及び前プロセス（例えば、精製方法）に依存し、
次に、混合物が標準作業，例えば濾過、処理を受ける
と、結果は著しく変化する。

【０１０２】比較例２２,６−ビス−第３−ブチル−４−（４−ｎ−プロピル
トランス−シクロヘキシル）フェノール

【化43】、ＴＢＣＰと略称、の種々の量を液晶混合物Ｅ−０に加
えた。混合物Ｅ−０は下記（表１５）に示した組成を有
し、かつそこに記載されている特性を有する。

【０１０３】表１５：混合物Ｅ−０組成

【表19】物性 T(N,5)＝92℃ Δn(589nm)＝0.097 Δε(1kHz)＝5.2 V₁₀＝2.0V

【０１０４】各種濃度を有する混合物に対して、電圧保
持率が例４におけるように測定された。配向膜はここで
はＰＩ−１（日本合成ゴムの１０５１）であった。結果
を下記表（表１６）に示す。表１６：ＴＢＣＰを含有する混合物Ｅの電圧保持率

【表20】表１１の結果に見られるように、化合物ＴＢＣＰは液晶
混合物の比抵抗又は電圧保持率を低減させるのに適当で
はない。これは多分その低いｐｋａ値、即ち、その低い
酸性度による。

【０１０５】比較例３下記表（表１７）に示した比抵抗値を与える化合物４−
シアノ−３−フルオロフェノール

【化44】、ＣＦＰと略称、の種々の量を例３の液晶混合物Ａに溶
解させ、

【０１０６】表１７：ＣＦＰを含有する混合物Ａの比抵
抗

【表21】表１２の結果から見られるように、比較的高いｐｋａ値
を有する化合物ＣＦＰは液晶混合物の比抵抗を低減させ
るのに使用される。その後、電圧保持比をＰＩ−１を含
有する液晶セルで測定した。結果を表１８に示す。

【０１０７】表１８：ＣＦＰを含有する混合物Ａの電圧
保持率

【表22】特に、低ＣＦＰ濃度で少しでもあるとしても精々小さな
効果であるということが解る。さらに、種々の時間を置
いて，窒素ガス中で容器を開放した状態で種々の時間を
置いて、かつ真空セル充填装置で種々の時間を置いてサ
ンプルを調べた。ＣＦＰを含有する混合物の抵抗値は特
に窒素中で容器を開放した状態で増大し、特に真空セル
充填装置で増大しかつ電圧保持率も同様に増大するとい
うことが解った。この挙動は多分化合物ＣＦＰの高蒸気
圧によるものである。これはセルを実用的には不適当に
し、表１２に示すように、ある場合には、液晶混合物の
抵抗について望ましい効果を持たせる。

【０１０８】比較例４比較例３と同様に化合物４−エトキシ−３−シアノ−２
−フルオロフェノール、

【化45】、ＥＣＦＰと略称、を液晶混合物Ａ−０で調べた。非常
に類似した結果が得られた。ＣＦＰと同様に，ＥＣＦＰ
でも比抵抗の著しい低下を生じ，これは明らかに使用し
た濃度に依存している。効果はＣＦＰの場合におけるよ
りもＥＣＦＰの場合の方が幾分大きい。しかしながら、
過剰蒸気圧の問題もＥＣＦＰでは生ずるが、ＣＦＰの場
合より幾分その程度は小さい。従って、ＣＦＰと同様に
ＥＣＦＰは実用的応用には特別には適当ではない。

【０１０９】比較例５例１における化合物ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨと同様の方
法で作成した化合物２−シアノ−４−（４−ｎ−プロピ
ル−トランス−シクロヘキシル）フェノール、

【化46】ＰＣＨ−３Ｎ．ＯＨと略称、の融点は１４５．４℃であ
る。例１におけるように、ＰＣＨ−３Ｎ．ＯＨの比抵抗
を混合物Ａ−０で測定した。結果を下記表１９に示す。

【０１１０】表１９：ＰＣＨ−３Ｎ．ＯＨを含有する混
合物Ａの比抵抗

【表23】例３（表２、混合物Ａ−１０００）と比較して、ＰＣＨ
−３Ｎ．Ｆ．ＯＨの１０００ｐｐｍは混合物Ａ−０の比
抵抗を１．９・１０^１３Ωｃｍから１．０・１０^１２Ω
ｃｍへ低下させるのみであるのに対して、同一濃度の例
１の化合物ＰＣＨ−３Ｎ．ＯＨは１．０・１０^１１Ωｃ
ｍまで低下させることが解る。ＰＣＨ−３Ｎ．Ｆ．ＯＨ
と比較してより低い酸度のため、従ってＰＣＨ−３Ｎ．
ＯＨは混合物Ａ−０などの液晶混合物の比抵抗の調整に
は適当でない。

【０１１１】比較例６例８におけるように、化合物Ｄ−０を使用した。しかし
ながら、今回は

【化47】、ＣＣＰ−３ＯＨ−Ｆ．Ｆ．Ｆと略称、を使用した。試
験化合物での比抵抗値の結果を下記表２０に示す。

【０１１２】表２０：ＣＣＰ−３ＯＨ−Ｆ．Ｆ．Ｆを含
有する混合物Ｄの抵抗

【表24】結果から見られるように、化合物ＣＣＰ−３ＯＨ−Ｆ．
Ｆ．Ｆは抵抗値の調整には適当ではない。これはその不
適当なｐｋａ値によるものであると見られる。

【０１１３】比較例７例８におけるように、化合物Ｄ−０を使用した。しかし
ながら、今回は

【化48】、ＬＵＵ−３−ＯＨと略称、を使用した。結果を下記表
２１に示す。

【０１１４】表２１：ＬＵＵ−３−ＯＨを含有する混合
物Ｄの抵抗

【表25】比較例６のドーパントＣＣＰ−３ＯＨ−Ｆ．Ｆ．Ｆのよ
うに、ＬＵＵ−３−ＯＨも抵抗値の調整には適当ではな
い。

フロントページの続き (71)出願人 591032596 ＦｒａｎｋｆｕｒｔｅｒＳｔｒ． 250, Ｄ−64293 Ｄａｒｍｓｔａｄｔ，ＦｅｄｅｒａｌＲｅｐｕｂｌｉｃｏｆＧｅｒｍａｎｙ (72)発明者ミヒャエル・ダリウスドイツ連邦共和国デー−64293 ダルムシュタットフランクフルターシュトラーセ 250 (72)発明者フォルカー・ライフェンラートドイツ連邦共和国デー−64293 ダルムシュタットフランクフルターシュトラーセ 250 (72)発明者樽見和明ドイツ連邦共和国デー−64293 ダルムシュタットフランクフルターシュトラーセ 250 (72)発明者ベルンハルト・リーガードイツ連邦共和国デー−64293 ダルムシュタットフランクフルターシュトラーセ 250 (72)発明者ミヒャエル・ヘックマイヤードイツ連邦共和国デー−64293 ダルムシュタットフランクフルターシュトラーセ 250 (72)発明者マーカス・ロイタードイツ連邦共和国デー−64293 ダルムシュタットフランクフルターシュトラーセ 250 (72)発明者ピーア・キルシュドイツ連邦共和国デー−64293 ダルムシュタットフランクフルターシュトラーセ 250

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１０ｐｐｍから１０％の濃度の酸性化合
物を含むことを特徴とする、特定の比抵抗を有する液晶
混合物。
【請求項２】酸性化合物が、フェノールであることを
特徴とする、請求項１に記載の液晶混合物。
【請求項３】酸性化合物が、式Ｉのフェノール；【化1】式中、Ａ^１及びＡ^２は互いに独立して、かつＡ^１が多数
回生ずる場合にも互いに独立して、それぞれａ）１,４−シクロヘキシレン又はトランス−１,４シク
ロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多
数の非−隣接ＣＨ_２基がＯ及び／又はＳで交換でき、ｂ）１,４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２
個のＣＨ_２基がＮで交換でき、ｃ）１,４−ビシクロ[２．２．２]オクチレン、ピペリ
ジン−１,４−ジイル，ナフタレン−２,６−ジイル、デ
カハイドロナフタレン−３,６−ジイル、又は１,２,３,
４−テトラハイドロナフタレン−２,６−ジイルであ
り、この一般式において（ａ）及び（ｂ）はＦ原子によ
る一置換体又は二置換体であることができ；Ｚ^１及びＺ
^２は、互いに独立して、かつＺ^１が多数回生ずる場合に
も互いに独立して、それぞれ-CO-O-、-O-CO-、-COCH
₂-、-CH₂-CO-、-CH₂O-、-OCH₂-、-CH₂CH₂-、-CH=CH-、-
C≡C-であるか又は単結合であり、又はＺ^１及びＺ^２基
の１つは、-(CH₂)₄-、-(CH₂)₃CO-、-(CH₂)₂-O-CO-、-(C
H₂)₂-(CO-O)-、CH=CH-CH₂-CH₂-、-CH₂-CH₂-CH=CH-又は-
CH₂-CH=CH-CH₂-であり、ＲはＨ、それぞれ１又は２から
１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであ
り、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ_３により一
置換されているか、又はハロゲン、特にF又はClで一置
換されるか又は多置換され、さらにこれらの基の１個又
は多数のＣＨ_２基が互いに独立して、-O-、-S-、【化2】、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-により２つのＯ原子
が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒは又、Ｃ
Ｎ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであ
り、Ｒ’はＨ又はＲであり、（ここでＣＮ、Ｆ、ＯＨ又
はＣＯＯＲ’は除かれる）ｎは０、１又は２であり、ｍ
は０又は１であり、ｏは１、２又は３であり、ｎ＋ｍ＋
ｏは２、３又は４であり；Ｘ及びＹはそれぞれ互いに独
立して、又Ｘ及び／又はＹが多数回存在する場合には、
それぞれ互いに独立して、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ
_２、又はＣＮであり、ここで、ＸはＦであることが好ま
しくかつＹはＣＮであることが好ましく；ｐ_１、ｐ_２、
ｑ_１及びｑ_２はそれぞれ０、１、２、３又は４であり、
ｏが１、ｑ_２が０の場合、ｐ_２は３又は４であり、ｏが
１、ｑ_２が１、２又は３の場合、ｐ_２+ｑ_２は１、２、
３又は４、好ましくはｑ_２は１でｐ_２は１又は２であ
り、ｏが２又は３の場合、ｐ_１＋ｐ_２＋ｑ_１＋ｑ_２は
１、２、３、４、５、６、７又は８であり、ｑ_１＋ｑ_２
が１又は２の場合、ｐ_１＋ｐ_２は１、２、３又は４、好
ましくは、ｑ_１＋ｑ_２が１で、ｐ_１＋ｐ_２が１又は２で
あり、ｑ_１＋ｑ_２が０の場合、ｐ_１＋ｐ_２は３、４、
５、６、７又は８、好ましくは、６、７又は８である、
ことを特徴とする、請求項１に記載の液晶混合物。
【請求項４】液晶表示体における請求項１に記載の液
晶混合物の使用。
【請求項５】請求項１に記載の液晶混合物を含有する
液晶表示体。
【請求項６】液晶表示体が、ＳＴＮ、ＡＭＤ、ＴＮ又
はＩＰＳ表示体であることを特徴とする、請求項５に記
載の液晶表示体。
【請求項７】酸性化合物が液晶混合物に加えられるこ
とを特徴とする液晶混合物の比抵抗の調整方法。
【請求項８】酸性化合物が、適当な低蒸気圧かつ適当
な高酸度（ｐｋ_ａ）のメソゲン形成性化合物であること
を特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】酸性化合物が、請求項３に記載の式Ｉの
化合物であることを特徴とする、請求項８に記載の方
法。
【請求項１０】下記式の化合物；【化3】を除く、請求項３に記載の式Ｉの化合物。
【請求項１１】フェノール系ＯＨ基が、例えば、ハロ
ゲンなどの置換基の求核性置換により導入されることを
特徴とする、請求項１０に記載の式Ｉの化合物の製造方
法。