JP2007092001A - 液晶表示素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】非液晶性化合物によりSTN液晶表示素子のコントラストを改善した液晶表示素子を提供する。
【解決手段】4−シアノフェノール、3−フルオロ−4−シアノフェノール又は、3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールを1種以上含有し、比抵抗値が1.0×1010Ωcm以上1.0×1013Ωcm以下であるネマチック液晶組成物を構成部材とすることを特徴とするSTN液晶表示素子。本願発明のSTN液晶表示素子は液晶分子の配向の乱れに起因するコントラストの低下を抑える効果を有することから、種々の液晶表示装置の構成部材として有用である。
【選択図】 なし
【解決手段】4−シアノフェノール、3−フルオロ−4−シアノフェノール又は、3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールを1種以上含有し、比抵抗値が1.0×1010Ωcm以上1.0×1013Ωcm以下であるネマチック液晶組成物を構成部材とすることを特徴とするSTN液晶表示素子。本願発明のSTN液晶表示素子は液晶分子の配向の乱れに起因するコントラストの低下を抑える効果を有することから、種々の液晶表示装置の構成部材として有用である。
【選択図】 なし
Description
本願発明は、液晶分子の配向の乱れに起因するコントラストの低下を抑制したSTN液晶表示素子に関する。
液晶表示装置(LCD)は、電卓のディスプレイとして登場して以来、コンピュータの開発と歩みを同じくして、TN-LCD(捻れネマチック液晶表示装置)から、STN-LCDへと表示容量の拡大に対応してきた。STN-LCDはシェファー(Scheffer)等[SID ’85 Digest, 120貢(1985年)]、あるいは衣川等[SID ’86 Digest, 122貢(1986年)]によって開発され、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータなどの高情報処理用の表示に広く普及し始めている。
近年、液晶表示装置、特にSTN-LCDにおける要求特性として、液晶分子の配向の乱れに起因するコントラストの低下が問題となっている。STN-LCDのコントラストの改善を目的として、液晶性化合物からなる液晶組成物の組成を検討することは従来から行われてきた(特許文献1参照)。しかしながら、STN-LCDに用いられてきた液晶性化合物の組成の検討のみでは十分な効果が得られなくなってきている。
一方、シアノフェノール誘導体を添加することで液晶組成物の比抵抗を制御した液晶組成物は開示されている(特許文献2参照)。しかしながら、当該引用文献においては、酸性物質の代表としてシアノフェノール誘導体を添加することにより比抵抗がある程度制御できることが開示されているのみであり、比較例に記されていることからその効果も不十分であると記載されている。
以上のように、STN液晶表示素子のコントラストの改善は、液晶性化合物からなる液晶組成物の検討のみでは限界があり、構造に制限のない非液晶性化合物を液晶組成物に添加することによりSTN液晶表示素子のコントラストを改善する技術が望まれていた。
本願発明の課題は、比抵抗及び液晶相上限温度を大幅に低下させる材料を使用することなく、適度に大きい比抵抗値を有し且つ液晶表示素子の静電気等による帯電に起因する一時的な電圧の印加に対する液晶分子の異常配向を速やかに緩和できるSTN液晶表示素子を提供することである。
本願発明者は、種々のフェノール誘導体を含有するネマチック液晶組成物を用いたSTN液晶表示素子を検討した結果、特定のシアノフェノール誘導体を添加した液晶組成物が、当該組成物を構成部材とするSTN液晶表示素子のコントラスト改善効果を有することを見出し本件発明を完成するに至った。
すなわち、本願発明は4−シアノフェノール、3−フルオロ−4−シアノフェノール又は、3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールを1種以上含有し、比抵抗値が1.0×1010Ωcm以上1.0×1013Ωcm以下であるネマチック液晶組成物を構成部材とすることを特徴とするSTN液晶表示素子を提供する。
本願発明のSTN液晶表示素子は、液晶分子の配向の乱れに起因するコントラストの低下を改善する効果を有することから、種々の表示装置の構成部材として有用である。。
以下に本願発明の一例について説明する。
本願発明において4−シアノフェノール、3−フルオロ−4−シアノフェノール又は、3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールをネマチック液晶組成物に1種以上含有することで、STN液晶表示素子のコントラストを改善することが可能である。
通常、4−シアノフェノール、3−フルオロ−4−シアノフェノール又は、3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールをネマチック液晶組成物に1種以上含有させても比抵抗はほとんど変化しない。
本願発明において4−シアノフェノール、3−フルオロ−4−シアノフェノール又は、3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールをネマチック液晶組成物に1種以上含有することで、STN液晶表示素子のコントラストを改善することが可能である。
通常、4−シアノフェノール、3−フルオロ−4−シアノフェノール又は、3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールをネマチック液晶組成物に1種以上含有させても比抵抗はほとんど変化しない。
一方副次的な効果として、本願発明の液晶表示素子をアニール処理と呼ばれる加熱処理を施すと、静電気等による帯電に起因する一時的な電圧の印加に対する液晶分子の異常配向が起こってもすぐに緩和され、正常な配向状態に戻るものである。アニール処理というのは、液晶表示素子に液晶を注入した後、液晶組成物の転移温度(ネマチック状態から液体状態に変化する温度)よりも高い温度(たとえば5℃から30℃)で液晶表示素子を加温することである。この処理により液晶組成物を液晶表示素子に注入する際に発生する配向乱れやチルト角(配向膜と液晶分子の接する角度)を一定にさせるために行う工程で、広く一般に行われている。
4−シアノフェノール、3−フルオロ−4−シアノフェノール又は3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールの中では、3−フルオロ−4−シアノフェノール又は、3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールがコントラストの改善の点で好ましく、3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールは少ない添加量で効果を発現する特徴を有する。
これら4−シアノフェノール、3−フルオロ−4−シアノフェノール又は、3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールの含有率は、0.001から1質量%の範囲が好ましく、0.001から0.1質量%の範囲がより好ましい。4−シアノフェノールの場合0.01から0.1質量%の範囲が好ましい。3−フルオロ−4−シアノフェノールを含有させる場合には、0.001から0.1質量%の範囲が好ましく、さらに0.01から0.1質量%が好ましく、特に0.02から0.08質量%が好ましい。3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールを含有させる場合には、0.001から0.1質量%が好ましく、さらに0.001から0.01質量%が好ましく、とくに0.002から0.008質量%が好ましい。
これら4−シアノフェノール、3−フルオロ−4−シアノフェノール又は、3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールの含有率は、0.001から1質量%の範囲が好ましく、0.001から0.1質量%の範囲がより好ましい。4−シアノフェノールの場合0.01から0.1質量%の範囲が好ましい。3−フルオロ−4−シアノフェノールを含有させる場合には、0.001から0.1質量%の範囲が好ましく、さらに0.01から0.1質量%が好ましく、特に0.02から0.08質量%が好ましい。3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールを含有させる場合には、0.001から0.1質量%が好ましく、さらに0.001から0.01質量%が好ましく、とくに0.002から0.008質量%が好ましい。
本願発明の液晶表示素子を構成する液晶組成物は比抵抗値が1.0×1010Ωcm以上1.0×1013Ωcm以下であるが、下限値は1.0×1011Ωcm以上が好ましく、上限値は1.0×1012Ωcm以下が好ましく、1.0×1011Ωcm以上1.0×1012Ωcm以下がより好ましい。
本願発明のネマチック液晶組成物は、一般式(II)
本願発明のネマチック液晶組成物は、一般式(II)
(式中、R4は、水素原子、炭素数1から12のアルキル基、少なくとも一つのハロゲンにより置換された炭素数1から12のアルキル基、炭素数2から12のアルケニル基又は少なくとも一つのハロゲンにより置換された炭素数2から12のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する1個又は2個以上のCH2基はそれぞれ独立的にO原子が相互に直接結合しないものとして酸素原子、硫黄原子、−CO−、−COO−、−OCO−又は−OCO−O−により置き換えられてもよく、
B1及びB2はそれぞれ独立的に、トランス−1,4−シクロへキシレン基(この基中に存在する1個のCH2基又は隣接していない2個のCH2基は酸素原子又は硫黄原子に置換されても良い。)、1,4−フェニレン基(この基中に存在する1個又は2個以上のCH基は窒素原子に置換されても良い。)、1,4−シクロヘキセニレン基、1,4−ビシクロ[2.2.2]オクチレン基、ピペリジン−1,4−ジイル基、ナフタレン−2,6−ジイル基、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル基又は1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル基を表し、これらの基中に存在する水素原子はメチル基、−CN又はハロゲンで置換されていても良く、
B1及びB2はそれぞれ独立的に、トランス−1,4−シクロへキシレン基(この基中に存在する1個のCH2基又は隣接していない2個のCH2基は酸素原子又は硫黄原子に置換されても良い。)、1,4−フェニレン基(この基中に存在する1個又は2個以上のCH基は窒素原子に置換されても良い。)、1,4−シクロヘキセニレン基、1,4−ビシクロ[2.2.2]オクチレン基、ピペリジン−1,4−ジイル基、ナフタレン−2,6−ジイル基、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル基又は1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル基を表し、これらの基中に存在する水素原子はメチル基、−CN又はハロゲンで置換されていても良く、
s及びtはそれぞれ独立的に、0、1又は2を表すが、s及びtの和は3以下であり、
Z1及びZ2はそれ独立して、−CH2CH2−、−CH=CH−、−CH(CH3)CH2−、−CH2CH(CH3)−、−CH(CH3)CH(CH3)−、−CF2CF2−、−CF=CF−、−CH2O−、−OCH2−、−OCH(CH3)−、−CH(CH3)O−、−(CH2)4−、−(CH2)3O−、−O(CH2)3−、−C≡C−、−CF2O−、−OCF2−、−COO−、−OCO−、−COS−、−SCO−又は単結合を表し、
L1及びL3はそれぞれ独立的に、−H、−F又は−Clを表し、L2は、−F、−Cl、−CN、−CF3、−OCH2F、−OCHF2、−OCF3又は−CH2CF3を表し、B1、B2、Z1及びZ2が複数存在する場合は、それらは同一でもよく異なっていてもよい。)で表される化合物を1種又は2種以上を含有することが好ましいが、1から20種が好ましく、1から15種がさらに好ましい。
一般式(II)で表される化合物の含有率は1から80質量%の範囲が好ましく、1から50質量%の範囲がより好ましく、1から20質量%が特に好ましい。
Z1及びZ2はそれ独立して、−CH2CH2−、−CH=CH−、−CH(CH3)CH2−、−CH2CH(CH3)−、−CH(CH3)CH(CH3)−、−CF2CF2−、−CF=CF−、−CH2O−、−OCH2−、−OCH(CH3)−、−CH(CH3)O−、−(CH2)4−、−(CH2)3O−、−O(CH2)3−、−C≡C−、−CF2O−、−OCF2−、−COO−、−OCO−、−COS−、−SCO−又は単結合を表し、
L1及びL3はそれぞれ独立的に、−H、−F又は−Clを表し、L2は、−F、−Cl、−CN、−CF3、−OCH2F、−OCHF2、−OCF3又は−CH2CF3を表し、B1、B2、Z1及びZ2が複数存在する場合は、それらは同一でもよく異なっていてもよい。)で表される化合物を1種又は2種以上を含有することが好ましいが、1から20種が好ましく、1から15種がさらに好ましい。
一般式(II)で表される化合物の含有率は1から80質量%の範囲が好ましく、1から50質量%の範囲がより好ましく、1から20質量%が特に好ましい。
一般式(II)において、R4は、炭素数1から12のアルキル基、アルコキシ基、炭素数2から12のアルケニル基又は炭素数2から12のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、直鎖型アルキル基及び直鎖型アルケニル基がさらに好ましい。B1及びB2はそれぞれ独立的に式群1
Z1及びZ2はそれぞれ独立的に、単結合、−CH2CH2−、−CH(CH3)CH2−、−CH2CH(CH3)−、−CH(CH3)CH(CH3)−、−C≡C−、−COO−又は−OCO−を表すことが好ましく、単結合、−CH2CH2−、−C≡C−、−COO−又は−OCOがさらに好ましく、単結合又は−COO−が特に好ましい。L1及びL3はそれぞれ独立的に、−F、−CN、−CF3又は−OCF3を表すことが好ましく、−F又は−CNが特に好ましい。s及びtは、s+tが1又は2を表すことが好ましい。一般式(II)で表される化合物は、具体的には、一般式(II-1)、一般式(II-2)、一般式(II-3)、一般式(II-4)、一般式(II-5)、一般式(II-6)、一般式(II-7)、又は一般式(II-8)で表される化合物が好ましい。
(式中、L1及びL3はそれぞれ独立的に、−H、−F又は−Clを表し、L2は、−F、−Cl、−CN、−CF3、−OCH2F、−OCHF2、−OCF3又は−CH2CF3を表し、X1及びX2はそれぞれ独立的に、−H又は−Fを表す。)
ネマチック液晶組成物としてはさらに、一般式(III)
ネマチック液晶組成物としてはさらに、一般式(III)
(式中、R5及びR6は、一般式(II)におけるR4と同じ意味を表し、C1、C2及びC3はそれぞれ独立的に、トランス−1,4−シクロへキシレン基(この基中に存在する1個のCH2基又は隣接していない2個のCH2基は酸素原子又は硫黄原子に置換されても良い。)、1,4−フェニレン基(この基中に存在する1個又は2個以上のCH基は窒素原子に置換されても良い。)、1,4−シクロヘキセニレン基、1,4−ビシクロ[2.2.2]オクチレン基、ピペリジン−1,4−ジイル基、ナフタレン−2,6−ジイル基、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル基又は1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル基を表し、これらの基中に存在する水素原子はメチル基、−CN又はハロゲンで置換されていても良く、u、v及びwはそれぞれ独立的に、0又は1を表し、
Z3、Z4及びZ5はそれぞれ独立的に、−CH2CH2−、−CH=CH−、−CH(CH3)CH2−、−CH2CH(CH3)−、−CH(CH3)CH(CH3)−、−CF2CF2−、−CF=CF−、−CH2O−、−OCH2−、−OCH(CH3)−、−CH(CH3)O−、−(CH2)4−、−(CH2)3O−、−O(CH2)3−、−C≡C−、−CF2O−、−OCF2−、−COO−、−OCO−、−COS−、−SCO−、−CH=N−N=CH−又は単結合を表す。)
で表される化合物を1種又は2種以上を含有することが好ましいが、1から20種含有することが好ましく、1から15種がさらに好ましい。
一般式(III)で表される化合物の含有率は5から95質量%の範囲であるが、10から90質量%の範囲が好ましく、25から90質量%がより好ましい。
Z3、Z4及びZ5はそれぞれ独立的に、−CH2CH2−、−CH=CH−、−CH(CH3)CH2−、−CH2CH(CH3)−、−CH(CH3)CH(CH3)−、−CF2CF2−、−CF=CF−、−CH2O−、−OCH2−、−OCH(CH3)−、−CH(CH3)O−、−(CH2)4−、−(CH2)3O−、−O(CH2)3−、−C≡C−、−CF2O−、−OCF2−、−COO−、−OCO−、−COS−、−SCO−、−CH=N−N=CH−又は単結合を表す。)
で表される化合物を1種又は2種以上を含有することが好ましいが、1から20種含有することが好ましく、1から15種がさらに好ましい。
一般式(III)で表される化合物の含有率は5から95質量%の範囲であるが、10から90質量%の範囲が好ましく、25から90質量%がより好ましい。
一般式(III)において、R5及びR6はそれぞれ独立的に、炭素数1から12のアルキル基、アルコシキ基、炭素数2から12のアルケニル基又は炭素数2から12のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、中でも直鎖型アルキル基及び直鎖型アルケニル基がさらに好ましい。C1、C2及びC3は式群3
Z3、Z4及びZ5は、それぞれ独立的に単結合、−CH2CH2−、−CH=CH−、−CH(CH3)CH2−、−CH2CH(CH3)−、−CH(CH3)CH(CH3)−、−C≡C−、−COO−、−OCO−又は−CH=N−N=CH−を表すことが好ましく、単結合、−CH2CH2−、−CH=CH−、−C≡C−、−COO−、−OCO−又は−CH=N−N=CH−がより好ましい。u、v及びwはそれぞれ独立的に、0又は1であり、かつu、v及びwの和が1以上であるが、u、v及びwの和が2又は3が好ましい。一般式(III)は、具体的には、一般式(III-1)、一般式(III-2)、一般式(III-3)、一般式(III-4)、一般式(III-5)、一般式(III-6)、一般式(III-7)、又は一般式(III-8)で表される化合物が好ましい。
(式中、R5は、一般式(II)におけるR4と同じ意味を表し、Y1、Y2、Y3及びY4は、それぞれ独立的に、−H、−F又はメチル基を表し、Z7は、−CH2CH2−、−CH=CH−、−COO−、−OCO−、又は単結合を表し、Z8は、−C≡C−、−COO−、−OCO−又は−CH=N−N=CH−を表す。)
一般式(III-1)から一般式(III-8)において、Y1、Y2、Y3及びY4は、−Hが好ましい。Z7は、−CH2CH2−、−CH=CH−又は単結合が好ましい。Z8は、−C≡C−又は−CH=N−N=CH−が好ましい。
一般式(III-1)から一般式(III-8)において、Y1、Y2、Y3及びY4は、−Hが好ましい。Z7は、−CH2CH2−、−CH=CH−又は単結合が好ましい。Z8は、−C≡C−又は−CH=N−N=CH−が好ましい。
液晶組成物のネマチック相上限温度は60℃以上であることが好ましく、80℃以上がより好ましく、90℃以上が特に好ましい。
屈折率異方性(Δn)は0.06から0.30の範囲であることが好ましく、0.07から0.18の範囲がより好ましいが、0.12から0.20の範囲であることがセル厚の設計上特に好ましい。
誘電率異方性(Δε)は、1以上20以下が好ましいが、1以上15以下がより好ましい。
誘電率異方性(Δε)は、1以上20以下が好ましいが、1以上15以下がより好ましい。
本願発明の液晶組成物は、上記の化合物以外に、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、2色性色素などを含有していてもよい。又、TN−LCDのリバースツイストドメイン防止のためやSTN−LCDの螺旋構造を誘起するため、カイラル剤を添加しても良い。カイラル剤は通常市販されているものを使用することができる。例えば、コレステリルノナノエート(CN)、メルク社製S−811、R−811、CB−15、C−15などが挙げられる。温度上昇によって誘起螺旋ピッチが長くなるものと短くなるものが知られているが、これらの一方を1種あるいは2種以上を用いても良く、両者を組み合わせて1種あるいは2種以上用いても良い。例えば、TN−LCD、STN−LCD、TFT−LCDにおいては、基板間の厚みdと誘起螺旋ピッチpの商d/pは、0.001から24の範囲から選ぶことができるが、0.01から12の範囲が好ましく、0.1から2の範囲がより好ましく、0.1から1.5の範囲が更に好ましく、0.1から1の範囲が更により好ましく、0.1から0.8の範囲が特に好ましい。
本願発明のSTN液晶表示素子は目的に応じて、ねじり角を180°から270°の範囲で選択することができ、220°から260°が好ましい。
本願発明のSTN液晶表示素子は目的に応じて、ねじり角を180°から270°の範囲で選択することができ、220°から260°が好ましい。
以下、実施例を挙げて本願発明を更に詳述するが、本願発明はこれらの実施例に限定されるものではない。又、以下の実施例及び比較例の組成物における「%」は『質量%』を意味する。
実施例中、測定した特性は以下の通りである。
TN-I :ネマチック相−等方性液体相転移温度(℃)
Δε :誘電率異方性(25℃)
Δn :複屈折率(25℃)
ρ :比抵抗値(Ω・cm)
帯電時間:液晶組成物をセルに注入し、静電気ガンを用いて点灯状態にした
後、元の電圧無印加状態に戻るまでの時間(秒)
CR :時分割駆動において、非選択波形を印加した場合の透過率と選択波形
を印加した場合の透過率の比化合物記載に下記の略号を使用する。
-n 数字 :-CnH2n+1 (アルキル側鎖は数字、代表するときはRとする。)
-On :-OCnH2n+1
-ndm :-(CnH2n+1-CH=CH-(CH2)m-1)
ndm- :CnH2n+1-CH=CH-(CH2)m-1-
-Od(m)n :-O(CnH2n+1-CH=CH-(CH2)m-2)
d(m)nO- :CnH2n+1-CH=CH-(CH2)m-2O-
連結基
-VO- :-COO- T- :-C≡C- -2- :-CH2CH2-
置換基
-CN :-C≡N -F :-F
環
Ph :1,4-フェニレン基 Ph1:3-フルオロ-1,4-フェニレン基
Ph2:3,5-ジフルオロ-1,4-フェニレン基
Ma :ピリミジン-2,5-ジイル基 Cy :1,4-シクロヘキシレン基
(実施例)
以下に示すネマチック液晶組成物(H1)を調製し、その物性値を測定し、その結果を表1に示す。
TN-I :ネマチック相−等方性液体相転移温度(℃)
Δε :誘電率異方性(25℃)
Δn :複屈折率(25℃)
ρ :比抵抗値(Ω・cm)
帯電時間:液晶組成物をセルに注入し、静電気ガンを用いて点灯状態にした
後、元の電圧無印加状態に戻るまでの時間(秒)
CR :時分割駆動において、非選択波形を印加した場合の透過率と選択波形
を印加した場合の透過率の比化合物記載に下記の略号を使用する。
-n 数字 :-CnH2n+1 (アルキル側鎖は数字、代表するときはRとする。)
-On :-OCnH2n+1
-ndm :-(CnH2n+1-CH=CH-(CH2)m-1)
ndm- :CnH2n+1-CH=CH-(CH2)m-1-
-Od(m)n :-O(CnH2n+1-CH=CH-(CH2)m-2)
d(m)nO- :CnH2n+1-CH=CH-(CH2)m-2O-
連結基
-VO- :-COO- T- :-C≡C- -2- :-CH2CH2-
置換基
-CN :-C≡N -F :-F
環
Ph :1,4-フェニレン基 Ph1:3-フルオロ-1,4-フェニレン基
Ph2:3,5-ジフルオロ-1,4-フェニレン基
Ma :ピリミジン-2,5-ジイル基 Cy :1,4-シクロヘキシレン基
(実施例)
以下に示すネマチック液晶組成物(H1)を調製し、その物性値を測定し、その結果を表1に示す。
このH1に、実施例1-2から1-3として、3−フルオロ−4−シアノフェノール又は、3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールを加えた液晶組成物(LC1及びLC2)を調製し、6.0μmのSTNセルに注入したときの物性値を測定し、その結果を表2に示す。併せて、シアノフェノール誘導体添加による影響を確認するために比抵抗値を測定し表2に示す。
ネマチック液晶組成物LC1及びLC2は、3−フルオロ−4−シアノフェノールまたは3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールを添加していないH1と比較して比抵抗値及び液晶相上限温度に対する悪影響はほとんど無いことが明らかである。
LC1及びLC2を用いたSTN液晶表示素子は、H1を用いたSTN液晶表示素子よりコントラストを大幅に改善していることが分かる。
LC1及びLC2を用いたSTN液晶表示素子は、H1を用いたSTN液晶表示素子よりコントラストを大幅に改善していることが分かる。
1 偏光板
2 基板
3 透明電極もしくはアクティブ素子を伴う透明電極
4 配向膜
5 液晶
2 基板
3 透明電極もしくはアクティブ素子を伴う透明電極
4 配向膜
5 液晶
Claims (6)
- 4−シアノフェノール、3−フルオロ−4−シアノフェノール又は、3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールを1種以上含有し、比抵抗値が1.0×1010Ωcm以上1.0×1013Ωcm以下であるネマチック液晶組成物を構成部材とすることを特徴とするSTN液晶表示素子。
- 一般式(II)
s及びtはそれぞれ独立的に、0、1又は2を表すが、s及びtの和は3以下であり、
Z1及びZ2はそれ独立して、−CH2CH2−、−CH=CH−、−CH(CH3)CH2−、−CH2CH(CH3)−、−CH(CH3)CH(CH3)−、−CF2CF2−、−CF=CF−、−CH2O−、−OCH2−、−OCH(CH3)−、−CH(CH3)O−、−(CH2)4−、−(CH2)3O−、−O(CH2)3−、−C≡C−、−CF2O−、−OCF2−、−COO−、−OCO−、−COS−、−SCO−又は単結合を表し、
L1及びL3はそれぞれ独立的に、−H、−F又は−Clを表し、L2は、−F、−Cl、−CN、−CF3、−OCH2F、−OCHF2、−OCF3又は−CH2CF3を表し、B1、B2、Z1及びZ2が複数存在する場合は、それらは同一でもよく異なっていてもよい。)
で表される化合物を1種以上を含有し、
一般式(III)
u、v及びwはそれぞれ独立的に、0又は1を表し、
Z3、Z4及びZ5はそれぞれ独立的に、−CH2CH2−、−CH=CH−、−CH(CH3)CH2−、−CH2CH(CH3)−、−CH(CH3)CH(CH3)−、−CF2CF2−、−CF=CF−、−CH2O−、−OCH2−、−OCH(CH3)−、−CH(CH3)O−、−(CH2)4−、−(CH2)3O−、−O(CH2)3−、−C≡C−、−CF2O−、−OCF2−、−COO−、−OCO−、−COS−、−SCO−、−CH=N−N=CH−又は単結合を表す。)で表される化合物を、1種以上含有する請求項3記載の液晶表示素子。 - 一般式(II-1)、一般式(II-2)、一般式(II-3)、一般式(II-4)、一般式(II-5)、一般式(II-6)、一般式(II-7)及び一般式(II-8)
- 一般式(III-1)、一般式(III-2)、一般式(III-3)、一般式(III-4)、一般式(III-5)、一般式(III-6)、一般式(III-7)及び一般式(III-8)
- 4−シアノフェノール、3−フルオロ−4−シアノフェノール又は、3,5−ジフルオロ−4−シアノフェノールの含有率が0.001から1質量%の範囲である請求項1から5の何れかに記載の液晶表示素子。
- 誘電率異方性(Δε)が1以上20以下の範囲であり、屈折率異方性(Δn)が0.06以上0.16以下の範囲である請求項1から5の何れかに記載の液晶表示素子。
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