JPH11298121A

JPH11298121A - プリント配線板

Info

Publication number: JPH11298121A
Application number: JP10259395A
Authority: JP
Inventors: Takashi Kariya; 隆苅谷; Motoo Asai; 元雄浅井
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1998-04-15
Filing date: 1998-08-28
Publication date: 1999-10-29

Abstract

(57)【要約】【課題】実用的なピール強度を維持して、線間、層間
の絶縁信頼性を確保するのに有利な無電解めっき用接着
剤を提供すること。【解決手段】基板上に、表面が粗化された硬化処理済
の無電解めっき用接着剤層を有し、その接着剤層表面の
粗化面上に導体回路が形成されてなるプリント配線板に
おいて、前記接着剤層表面の粗化面は、その窪みの最大
深さ（Ｒ_max）が0.1〜５μｍであり、表面の 2.5mmの
長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、0.01
≦Ｐｃ＜0.1 μｍが10個以上 12500個未満、 0.1≦Ｐｃ
＜１μｍが100個以上2500個未満であることを特徴とす
るプリント配線板である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプリント配線板に関
し、特に、セミアディティブ法においては、実用的なピ
ール強度を維持したまま線間の絶縁信頼性を確保でき、
また、フルアディティブ法においては、実用的なピール
強度を維持したまま高温，多湿条件でも線間の絶縁信頼
性を保証できる、ファインパターンの形成に有利なプリ
ント配線板についての提案である。

【０００２】

【従来の技術】近年、多層配線基板の高密度化という要
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば特公
平４−55555 号公報に開示されているような方法により
製造される。即ち、コア基板上に、感光性の無電解めっ
き用接着剤からなる層間樹脂絶縁剤を塗布し、これを乾
燥したのち露光，現像することにより、バイアホール用
開口を有する層間樹脂絶縁層を形成し、次いで、この層
間樹脂絶縁層の表面を酸化剤等による処理にて粗化した
のち、その粗化面に感光性の樹脂層を露光，現像処理し
てなるめっきレジストを設け、その後、めっきレジスト
非形成部分に無電解めっきを施してバイアホールを含む
導体回路パターンを形成し、このような工程を複数回繰
り返すことにより、多層化したアディティブ法によるビ
ルドアップ配線基板が得られる。

【０００３】このような方法で製造されるビルドアップ
配線基板において、層間樹脂絶縁層に用いられる無電解
めっき用接着剤としては、例えば、特開昭63-158156 号
公報や特開平２−188992号公報（USP5055321号、USP551
9177号) に記載されているように、平均粒径２〜10μｍ
の粗粒子と平均粒径２μｍ以下の微粒子とからなる溶解
可能な硬化処理済の樹脂粒子を硬化処理によって難溶性
となる耐熱性樹脂マトリックス中に分散させたものがあ
る。

【０００４】この接着剤を用いて基板上に形成される層
間樹脂絶縁層は、表層に存在する耐熱性樹脂粒子が溶解
除去されてその表面が粗化されるので、その粗化面上に
めっきレジストを介して形成される導体回路との密着性
に優れる。

【０００５】しかしながら、フルアディティブ法によっ
て製造した配線基板のように、めっきレジストが永久レ
ジストとして残存するビルドアップ配線基板は、その永
久レジストと導体回路の界面での密着性が悪い。このた
め、このビルドアップ配線基板は、ＩＣチップを搭載す
ると、めっきレジストと導体回路の熱膨張率差に起因し
て、これらの界面を起点とするクラックが層間樹脂絶縁
層に発生するという問題があった。

【０００６】これに対し従来、層間樹脂絶縁層に発生す
るクラックを阻止できる技術として、めっきレジストを
除去して導体回路の少なくとも側面を粗化処理すること
により、その導体回路上に形成される層間樹脂絶縁層と
の密着性を改善する方法が提案されている。この方法を
有利に適用できる配線板の製造方法として、セミアディ
ティブ法が挙げられる。

【０００７】このセミアディティブ法は、まず、層間樹
脂絶縁層の表面を粗化し、その粗化面の全面に無電解め
っきを薄く施し、次いで、その無電解めっき膜の非導体
部分にめっきレジストを形成し、そのレジスト非形成部
分に電解めっきを厚く施した後、そのめっきレジストと
めっきレジスト下の無電解めっき膜を除去することによ
り、導体回路パターンを形成する方法である。

【０００８】しかしながら、前述した接着剤を用いて製
造したセミアディティブ法によるビルドアップ配線基板
は、レジスト下にある接着剤層表面の粗化面の窪み（ア
ンカー）内に無電解めっき膜が残り、線間の絶縁信頼性
を低下させてしまうという問題があった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したフ
ルアディティブ法あるいはセミアディティブ法によって
製造した配線板が抱える問題を解消するための技術を提
案する。本発明の主たる目的は、実用的なピール強度を
維持して、線間、層間の絶縁信頼性を確保した信頼性に
優れるプリント配線板を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究した結果、以下に示すような内容を
要旨構成とする発明に想到した。即ち、本発明のプリン
ト配線板は、基板上に、表面が粗化された硬化処理済の
無電解めっき用接着剤層を有し、その接着剤層表面の粗
化面上に導体回路が形成されてなるプリント配線板にお
いて、前記接着剤層表面の粗化面は、その窪みの最大深
さ（Ｒ_max）が 0.1〜５μｍであり、表面の 2.5mmの長
さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、0.01≦
Ｐｃ＜0.1 μｍが10個以上 12500個未満、0.1≦Ｐｃ＜
１μｍが 100個以上2500個未満であることを特徴とす
る。

【００１１】ここで、前記接着剤層は、酸あるいは酸化
剤に難溶性の耐熱性樹脂マトリックス中に酸あるいは酸
化剤に可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂粒子を分散し
てなる無電解めっき用接着剤からなることが好ましい。

【００１２】

【発明の実施の形態】さて、セミアディティブ法の場合
は、前述したように、めっきレジスト下の無電解めっき
膜を溶解除去する必要がある。このため、粗化面の窪み
が深いと、その窪み内に無電解めっき膜が残りやすく、
線間絶縁抵抗値が低下する原因となってしまう。一方、
その窪みが単純な形状で浅い場合には、めっき膜のピー
ル強度が低下して導体が剥がれやすくなってしまう。フ
ルアディティブ法の場合は、前述したように、めっきレ
ジスト下にパラジウム触媒が残存するので、粗化面の窪
みが深いと、高温多湿条件下で線間の絶縁抵抗値が低下
してしまう。一方、その窪みが単純な形状で浅い場合に
は、セミアディティブ法の場合と同様に、めっき膜のピ
ール強度が低下して導体が剥がれやすくなってしまう。

【００１３】この点、本発明のプリント配線板は、接着
剤層表面の粗化面を、凹凸の大きさの分布で調整した点
に特徴がある。これにより、その凹凸内での無電解めっ
き膜の溶解残渣をなくしたり、めっきレジスト下のパラ
ジウム触媒量を少なくしたりし、一方で、アンカー効果
に必要な凹凸は確保するようにしているので、実用的な
ピール強度を維持しつつ、線間、層間の絶縁信頼性を確
保することができる。

【００１４】このような本発明のプリント配線板におい
て、上記接着剤層表面の粗化面は、その窪みの最大深さ
（Ｒ_max）が 0.1〜５μｍ、より望ましくは１〜５μｍ
とする。この窪みの深さは、従来の接着剤で形造られる
粗化面の窪みの深さ（10μｍ）の１／２以下であり、め
っきレジスト下の無電解めっき膜を溶解除去してもめっ
き膜が残らず、めっきレジスト下のパラジウム触媒核の
量も少なくできるような範囲である。

【００１５】また本発明では、上記接着剤層表面の粗化
面は、表面の 2.5mmの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）
のカウント値が、0.01≦Ｐｃ＜0.1 μｍが10個以上 125
00個未満、望ましくは10〜2500個で、0.1 ≦Ｐｃ＜１μ
ｍが 100個以上2500個未満、望ましくは 100〜1000個で
ある。この理由は、上記Ｐｃのカウント値が上記範囲の
下限未満では、接触する導体との密着力が不足したり、
断線や隣接する導体間のショートの原因となる。一方、
上記Ｐｃのカウント値が上記範囲の上限以上では、めっ
きによる導体の付きまわりが不足したり、粗化面に導体
のエッチング残りが発生して隣接する導体間のショート
の原因となるからである。このように微細な凹凸の数を
比較的少なくすることにより、フルアディティブ法にお
いては、めっきレジストが粗化面に残留しにくくし、ま
たセミアディティブ法においては、無電解めっき膜やＰ
ｄ触媒が粗化面に残留しにくくなる。また、ピール強度
は、このような微細凹凸の数を減らしても低下しない。

【００１６】このような導体回路が接触する樹脂絶縁層
表面の粗化面について、特開平10−4262号公報には、そ
の表面の 2.5mmの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカ
ウント値が、0.01≦Ｐｃ≦0.1 μｍが 12000個以上、
0.1≦Ｐｃ≦１μｍが2500個以上である粗化面が開示さ
れている。しかしながら、このような粗化面では、微細
な凹凸の数が過剰であり、めっきレジスト、無電解めっ
き膜あるいはＰｄ触媒が粗化面に残存し、また逆にピー
ル強度の改善もできない。

【００１７】なお、接着剤層表面の最大粗さ（Ｒ_max）
および表面の 2.5mmの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）
のカウント値は、接着剤層の表面を原子間顕微鏡（ＡＦ
Ｍ：オリンパス製、ＮＶ3000）を用いて50μｍ走査さ
せ、ＡＣ（共振）モードで測定した結果により各々の数
値を算出した。特に、絶縁体表面は静電気の影響を受け
やすいため、各サンプルは前処理として10分間以上のブ
ロワー式静電除去を行った。

【００１８】本発明において、上記無電解めっき用接着
剤層は、酸あるいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂マトリ
ックス中に酸あるいは酸化剤に可溶性の硬化処理された
耐熱性樹脂粒子を分散してなる無電解めっき用接着剤か
らなることが好ましい。このような接着剤層によれば、
酸や酸化剤の水溶液で処理することにより、表面を容易
に所定の粗さに粗化することができるからである。本発
明では、その他のエッチング処理によっても、接着剤層
表面を所定の粗さに粗化することができる。

【００１９】なお、バイアホール形成用の開口を露光，
現像処理やレーザ加工等で形成する場合、バイアホール
形成用の開口の底部には無電解めっき用接着剤が残渣と
して残る。この点に関し、本発明では、無電解めっき用
接着剤中に酸や酸化剤に溶解する耐熱性樹脂粒子が存在
するので、このような残渣は酸や酸化剤による粗化処理
によって容易に除去でき、残渣除去のための層を接着剤
層の下にわざわざ形成する必要がない。

【００２０】本発明の無電解めっき用接着剤において、
耐熱性樹脂マトリックスとしては、熱硬化性樹脂（熱硬
化基の一部または全部を感光化したものも含む）、熱硬
化性樹脂（熱硬化基の一部または全部を感光化したもの
も含む）と熱可塑性樹脂の複合体を用いることができ
る。ここで、上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを用いること
ができる。なお、熱硬化基の一部を感光化する場合は、
熱硬化基の一部をメタクリル酸やアクリル酸などと反応
させてアクリル化させる。なかでもエポキシ樹脂のアク
リレートが最適である。このエポキシ樹脂としては、ノ
ボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などを用
いることができる。硬化剤としては、25℃で液状のもの
がよい。具体的には１−ベンジル−２−メチルイミダゾ
ール（１Ｂ２ＭＺ）、１−シアノエチル−２−４−メチ
ルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）、４−メチル−２
−エチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ）などの液状イミダ
ゾール硬化剤を用いることができる。上記熱可塑性樹脂
としては、ポリエーテルスルフォンやポリスルフォン、
ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミドなどを
用いることができる。なお、上記熱可塑性樹脂の配合量
は、樹脂マトリックスの全固形分に対して30重量％未満
であることが望ましく、より好ましくは10〜25重量％と
する。この理由は、30重量％以上では、熱可塑性樹脂が
バイアホール用開口底部に残存し、導通不良や加熱試験
などでバイアホールと内層導体回路との剥離を起こしや
すくなるからである。また、有機溶剤を用いる場合、そ
の有機溶剤としては、ジエチレングルコールジメチルエ
ーテル（ＤＭＤＧ）、トリエチレングルコールジメチル
エーテル（ＤＭＴＧ）などの下記の構造式を持つグリコ
ールエーテル系溶剤やＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）
などを用いることが望ましい。ＣＨ₃Ｏ−（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_n−ＣＨ₃（ｎ＝１〜
５）

【００２１】本発明の無電解めっき用接着剤において、
耐熱性樹脂粒子としては、アミノ樹脂（メラミン樹脂、
尿素樹脂、グアナミン樹脂など）、エポキシ樹脂、ビス
マレイミド−トリアジン樹脂などを用いることができ
る。なお、エポキシ樹脂は、オリゴマーの種類、硬化剤
の種類などを適宜選択することにより、酸や酸化剤に溶
解するもの、あるいは難溶解性のものを任意に調製する
ことができる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシオ
リゴマーをアミン系硬化剤で硬化させた樹脂はクロム酸
水溶液に非常によく溶けるが、クレゾールノボラック型
エポキシオリゴマーをイミダゾール硬化剤で硬化させた
樹脂はクロム酸水溶液に溶解しにくい。

【００２２】上記耐熱性樹脂粒子は予め硬化処理されて
いることが必要である。硬化されていないと樹脂マトリ
ックスを溶解させる溶剤に溶解してしまい、均一混合し
てしまい、酸や酸化剤で耐熱性樹脂粒子のみを選択的に
溶解除去できなくなるからである。

【００２３】なお、本発明の無電解めっき用接着剤は、
ガラス布などの繊維質基体に含浸させてＢステージ状に
したり、あるいはフィルム状に成形してあってもよい。
また、基板状に成形してあってもよい。さらに、本発明
の無電解めっき用接着剤は、構成樹脂をハロゲン化して
難燃化してもよく、また、色素、顔料、紫外線吸収剤を
添加してもよい。そしてさらに繊維状のフィラーや無機
フィラーを充填して靱性や熱膨張率を調整してよい。

【００２４】本発明のプリント配線板において、セミア
ディティブ法では、接着剤層表面の粗化面上に形成され
る導体回路は、薄付けの無電解めっき膜と厚付けの電解
めっき膜とで構成されていることが好ましい。めっき応
力が小さい電解めっき膜を厚付けする上記構成とするこ
とにより、粗化面の窪みが浅くてもめっき膜剥離が生じ
なくなるからである。

【００２５】本発明のプリント配線板では、無電解めっ
き用接着剤が形成される基板の表面には、導体回路が形
成されていてもよい。この場合、該導体回路は、少なく
ともその表面の一部に粗化層を有することが好ましい。
例えば、基板がフルアディティブ法により形成されてい
る場合は、導体回路の上面に、またサブトラクティブ法
により形成されている場合は、導体回路の側面または全
面に、粗化層が形成されていることが望ましい。この理
由は、これらの粗化層により、無電解めっき用接着剤層
との密着性が改善され、ヒートサイクル時における導体
回路と無電解めっき用接着剤との熱膨張率差に起因する
クラックを抑制できるからである。

【００２６】さらに、接着剤層表面の粗化面上に形成し
た導体回路には、表面の少なくとも一部、即ち上面、側
面または全面に粗化層が形成されていることが好まし
い。この理由は、その導体回路を被覆するソルダーレジ
ストや上層の層間樹脂絶縁層との密着性を改善してヒー
トサイクル時に発生するクラックを抑制できるからであ
る。このような粗化層を形成すると、その上層の層間樹
脂絶縁層にバイアホール用開口を設ける際に、その粗化
層上に樹脂残りが発生しやすい。この点、酸あるいは酸
化剤に溶解する耐熱性樹脂粒子として２μｍ未満の微細
粒子を含む無電解めっき用接着剤によれば、このような
粗化層に残存する樹脂中にも微細粒子が存在しているの
で、酸や酸化剤処理によって残存樹脂を容易に除去でき
る。

【００２７】次に、本発明にかかるプリント配線板をセ
ミアディティブおよびフルアディティブ法にて製造する
方法を具体的に説明する。〔セミアディティブ法〕 (1) セミアディティブ法により多層配線板を製造するた
めに、まず、基板の表面に導体回路を形成した配線基板
を作製する。この基板としては、ガラスエポキシ基板や
ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板
などの樹脂絶縁基板、セラミック基板、金属基板などを
用いることができる。この配線基板の導体回路は、銅張
積層板をエッチングして行う方法、あるいは、ガラスエ
ポキシ基板やポリイミド基板、セラミック基板、金属基
板などの基板に無電解めっき用接着剤層を形成し、この
接着剤層表面を粗化して粗化面とし、ここに無電解めっ
きする方法、もしくはいわゆるセミアディティブ法（そ
の粗化面全体に薄付けの無電解めっきを施し、めっきレ
ジストを形成し、めっきレジスト非形成部分に厚付けの
電解めっきを施した後、そのめっきレジストを除去して
さらにエッチング処理し、電解めっき膜と無電解めっき
膜とからなる導体回路を形成する方法）により形成され
る。

【００２８】なお、上記配線基板の導体回路は、少なく
とも側面を含む表面に、銅−ニッケル−リンからなる粗
化層を形成することにより、この導体回路の上に形成さ
れる層間樹脂絶縁層との密着性を改善することができ
る。この粗化層は、無電解めっきにより形成することが
望ましい。その無電解めっき水溶液の液組成は、銅イオ
ン濃度、ニッケルイオン濃度、次亜リン酸イオン濃度
が、それぞれ 2.2×10^-2〜4.1 ×10^-2 mol／ｌ、 2.2×
10^-3〜4.1 ×10^-3 mol／ｌ、0.20〜0.25 mol／ｌである
ことが望ましい。この範囲で析出する皮膜は、結晶構造
が針状構造であり、アンカー効果に優れるからである。
なお、無電解めっき浴には上記化合物に加えて錯化剤や
添加剤を加えてもよい。粗化層を形成する他の方法とし
て、導体回路表面を酸化（黒化）−還元処理したり、エ
ッチング処理して形成する方法などがある。

【００２９】この粗化層は、イオン化傾向が銅より大き
くかつチタン以下である金属または貴金属の層で被覆さ
れていてもよい。これらの金属または貴金属の層は、粗
化層を被覆し、層間樹脂絶縁層を粗化する際に起こる局
部電極反応による導体回路の溶解を防止できるからであ
る。その層の厚さは 0.1〜２μｍがよい。このような金
属としては、チタン、アルミニウム、亜鉛、鉄、インジ
ウム、タリウム、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、ビス
マスから選ばれるいずれか少なくとも１種がある。貴金
属としては、金、銀、白金、パラジウムがある。これら
のうち、特にスズがよい。スズは無電解置換めっきによ
り薄い層を形成でき、粗化層に追従できるため有利であ
る。このスズの場合、ホウフッ化スズ−チオ尿素、塩化
スズ−チオ尿素液を使用する。そして、Cu−Snの置換反
応により 0.1〜２μｍ程度のSn層が形成される。貴金属
の場合は、スパッタや蒸着などの方法が採用できる。

【００３０】また、コア基板には、スルーホールが形成
され、このスルーホールを介して表面と裏面の配線層を
電気的に接続することができる。さらに、スルーホール
およびコア基板の導体回路間にビスフェノールＦ型エポ
キシ樹脂などの低粘度の樹脂を充填し、配線基板の平滑
性を確保してもよい。

【００３１】(2) 次に、前記(1) で作製した配線基板の
上に、層間樹脂絶縁剤を塗布する。この層間樹脂絶縁剤
としては、本発明の無電解めっき用接着剤を用いる。こ
のとき、層間樹脂絶縁剤の塗布は、ロールコータ、カー
テンコータなどを使用できる。なお、層間樹脂絶縁層を
複数層とし、各層における耐熱性樹脂粒子の粒子径を変
えてもよい。例えば、下層の耐熱性樹脂粒子を平均粒径
1.0μｍとし、上層の耐熱性樹脂粒子を平均粒径 1.0μ
ｍと平均粒径 0.5μｍの混合粒子として、耐熱性樹脂粒
子の粒子径が異なる無電解めっき用接着剤で構成しても
よい。特に、下層の耐熱性樹脂粒子は、平均粒径を 0.1
〜2.0 μｍ、より好ましくは平均粒径を0.1〜1.0 μｍ
とする。

【００３２】ここで、下層の接着剤層を構成する耐熱性
樹脂マトリックスとしては、熱硬化性樹脂、熱硬化性樹
脂（熱硬化基の一部または全部を感光化したものも含
む）、もしくは熱硬化性樹脂（熱硬化基の一部または全
部を感光化したものも含む）と熱可塑性樹脂の複合体を
用いることができる。下層の接着剤層を構成する熱硬化
性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
イミド樹脂などを用いることができる。なお、熱硬化基
の一部を感光化する場合は、熱硬化基の一部をメタクリ
ル酸やアクリル酸などと反応させてアクリル化させる。
なかでもエポキシ樹脂のアクリレートが最適である。こ
のエポキシ樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂、
脂環式エポキシ樹脂などを用いることができる。下層の
接着剤層を構成する熱可塑性樹脂としては、ポリエーテ
ルスルフォンやポリスルフォン、ポリフェニレンスルフ
ォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエー
テル、ポリエーテルイミドなどを用いることができる。
下層の接着剤層を構成する耐熱性樹脂粒子としては、ア
ミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂な
ど）、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂
などを用いることができる。

【００３３】(3) 塗布した層間樹脂絶縁剤（無電解めっ
き用接着剤）を乾燥する。この時点では、基板の導体回
路上に設けた層間樹脂絶縁層は、導体回路パターン上の
層間樹脂絶縁層の厚さが薄く、大面積を持つ導体回路上
の層間樹脂絶縁層の厚さが厚くなり、凹凸が発生してい
る状態であることが多い。そのため、この凹凸状態にあ
る層間樹脂絶縁層を、金属板や金属ロールを用いて加熱
しながら押圧し、その層間樹脂絶縁層の表面を平坦化す
ることが望ましい。

【００３４】(4) 次に、層間樹脂絶縁層を硬化する一方
で、その層間樹脂絶縁層にはバイアホール形成用の開口
を設ける。層間樹脂絶縁層の硬化処理は、無電解めっき
用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化性樹脂である場合
は熱硬化して行い、感光性樹脂である場合は紫外線など
で露光して行う。バイアホール形成用の開口は、無電解
めっき用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化性樹脂であ
る場合は、レーザ光や酸素プラズマなどを用いて穿孔
し、感光性樹脂である場合は露光現像処理にて穿孔され
る。なお、露光現像処理は、バイアホール形成のための
円パターンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよ
い）を、円パターン側を感光性の層間樹脂絶縁層の上に
密着させて載置したのち、露光、現像処理する。

【００３５】(5) 次に、バイアホール形成用開口を設け
た層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）の表面を
粗化する。特に本発明では、無電解めっき用接着剤層の
表面に存在する耐熱性樹脂粒子を酸あるいは酸化剤によ
って溶解除去することにより、接着剤層表面を粗化処理
することが好ましい。このとき、前記接着剤層表面の粗
化面は、その窪みの最大深さ（Ｒ_max）が 0.1〜５μｍ
であり、表面の 2.5mmの長さにおける凹凸の高さ（Ｐ
ｃ）のカウント値が、0.01≦Ｐｃ＜0.1 μｍが10個以上
12500個未満、 0.1≦Ｐｃ＜１μｍが 100個以上2500個
未満となるように調整する。ここで、上記酸としては、
リン酸、塩酸、硫酸、あるいは蟻酸や酢酸などの有機酸
があるが、特に有機酸を用いることが望ましい。粗化処
理した場合に、バイアホールから露出する金属導体層を
腐食させにくいからである。一方、上記酸化剤として
は、クロム酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム
など）の水溶液を用いることが望ましい。

【００３６】(6) 次に、層間樹脂絶縁層の粗化面に触媒
核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオンや貴金
属コロイドなどを用いることが望ましく、一般的には、
塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用する。な
お、触媒核を固定するために加熱処理を行うことが望ま
しい。このような触媒核としてはパラジウムがよい。

【００３７】(7) 次に、粗化した層間樹脂絶縁層上の全
面に薄付けの無電解めっき膜を形成する。この無電解め
っき膜は、無電解銅めっき膜がよく、その厚みは、１〜
５μｍ、より望ましくは２〜３μｍとする。なお、無電
解銅めっき水溶液としては、常法で採用される液組成の
ものを使用でき、例えば、硫酸銅：29ｇ／ｌ、炭酸ナト
リウム：25ｇ／ｌ、酒石酸塩： 140ｇ／ｌ、水酸化ナト
リウム：40ｇ／ｌ、37％ホルムアルデヒド： 150ｍｌ、
（ｐＨ＝11.5）からなる液組成のものがよい。

【００３８】(8) 次に、前記(7) で設けた無電解めっき
膜上に感光性樹脂フィルム（ドライフィルム）をラミネ
ートし、この感光性樹脂フィルム上に、めっきレジスト
パターンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよ
い）を密着させて載置し、露光、現像処理することによ
り、めっきレジストパターンを配設した非導体部分を形
成する。

【００３９】(9) 次に、無電解めっき膜上の非導体部分
以外に電解めっき膜を形成し、導体回路、ならびにバイ
アホールとなる導体部を設ける。ここで、電解めっきと
しては、電解銅めっきを用いることが望ましく、その厚
みは、10〜20μｍがよい。

【００４０】(10)次に、非導体部分のめっきレジストを
除去した後、さらに、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫
酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化
第二銅などのエッチング液にて無電解めっき膜を溶解除
去し、無電解めっき膜と電解めっき膜の２層からなる独
立した導体回路、ならびにバイアホールを得る。なお、
非導体部分に露出した粗化面上のパラジウム触媒核は、
クロム酸などで溶解除去する。

【００４１】(11)次に、前記(10)で得た導体回路、なら
びにバイアホールの表面に粗化層を形成する。この粗化
層の形成方法としては、エッチング処理、研磨処理、酸
化還元処理あるいはめっき処理がある。酸化還元処理
は、酸化浴（黒化浴）としてNaOH（20ｇ／ｌ）、NaClO₂
（50ｇ／ｌ）、Na₃PO₄（15.0ｇ／ｌ）の水溶液を用い、
還元浴としてNaOH（2.7 ｇ／ｌ）、NaBH₄（1.0 ｇ／
ｌ）の水溶液を用いて行う。また、銅−ニッケル−リン
合金層による粗化層を形成する場合は無電解めっきによ
り析出させる。この合金の無電解めっき液としては、硫
酸銅１〜40ｇ／ｌ、硫酸ニッケル0.1 〜6.0 ｇ／ｌ、ク
エン酸10〜20ｇ／ｌ、次亜リン酸塩10〜100ｇ／ｌ、ホ
ウ酸10〜40ｇ／ｌ、界面活性剤（アセチレン含有ポリオ
キシエチレン系など）0.01〜10ｇ／ｌの水溶液からなる
液組成のめっき浴を用いることが望ましい。

【００４２】(12)次に、この基板上に(2),(3) の工程に
従い、層間樹脂絶縁層を形成する。 (13)さらに、必要に応じて (4)〜(10)の工程を繰り返す
ことにより多層化し、多層配線基板を製造する。

【００４３】〔フルアディティブ法〕 (1) まず、本発明の無電解めっき用接着剤を使用し、セ
ミアディティ法と同様にして、 (1)〜(6) の工程を実施
する。 (2) 次に、触媒核が付与された層間樹脂絶縁層（無電解
めっき用接着剤層）の粗化面上に、めっきレジストパタ
ーンを配設した非導体部分を形成する。このめっきレジ
ストは、市販の感光性ドライフィルムをラミネートして
露光，現像処理する方法、あるいは液状のめっきレジス
ト組成物をロールコータなどで塗布して乾燥，露光，現
像処理する方法により形成される。上記めっきレジスト
組成物としては、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
やフェノールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラッ
ク型エポキシ樹脂をメタクリル酸やアクリル酸でアクリ
ル化した樹脂とイミダゾール硬化剤からなる感光性樹脂
組成物を使用することが望ましい。その理由は、かかる
感光性樹脂組成物は、解像度や耐塩基性に優れるからで
ある。

【００４４】(3) 次に、非導体部分（めっきレジスト部
分）以外に無電解めっきを施し、導体回路、ならびにバ
イアホールとなる導体部を設ける。無電解めっきは、無
電解銅めっきが好ましい。なお、バイアホール形成用開
口を無電解めっきにて充填して、いわゆるフィルドビア
を形成する場合は、まず、無電解めっき用接着剤層上に
触媒核を付与する前に、バイアホール形成用の開口から
露出する下層の導体層の表面を酸で処理して活性化して
無電解めっき液に浸漬する。そして、無電解めっきでバ
イアホール形成用開口を充填した後、無電解めっき用接
着剤層上に触媒核を付与し、めっきレジストを設けて、
無電解めっきを行うことにより、導体層を設ける。この
ような無電解めっき膜での充填により形成されたバイア
ホールは、その直上にさらに他のバイアホールを形成す
ることができるので、配線板の小径化、高密度化が可能
となる。また、導体層と無電解めっき用接着剤層との密
着力を向上させる手段として、銅、ニッケル、コバルト
およびリンから選ばれるいずれか少なくとも２種以上の
金属イオンを使用した合金めっきを一次めっきとして施
し、その後、銅めっきを二次めっきとして施す方法があ
る。これらの合金は強度が高く、ピール強度を向上させ
ることができるからである。

【００４５】(4) 次に、めっきレジスト部分以外に形成
された導体回路、ならびにバイアホールの上面に粗化層
を形成する。この粗化層の形成方法としては、エッチン
グ処理、研磨処理、酸化還元処理あるいはめっき処理が
ある。なお、銅−ニッケル−リン合金層による粗化層を
形成する場合は無電解めっきにより析出させる。

【００４６】(5) さらに、必要に応じて上層の層間絶縁
層（無電解めっき用接着剤層）と導体層を積層して多層
化し、多層配線基板を製造する。

【００４７】

【実施例】（実施例１）セミアディティブ法 (1) 厚さ 0.6mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビス
マレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に18
μｍの銅箔８がラミネートされてなる銅張積層板を出発
材料とした（図１参照）。まず、この銅張積層板をドリ
ル削孔し、無電解めっきを施し、パターン状にエッチン
グすることにより、基板１の両面に内層導体回路４とス
ルーホール９を形成した。この内層導体回路４とスルー
ホール９の表面を酸化（黒化）−還元処理して粗化し
（図２参照）、導体回路間とスルーホール内に、充填樹
脂10としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を充填した
後（図３参照）、その基板表面を、導体回路表面および
スルーホールのランド表面が露出するまで研磨して平坦
化した（図４参照）。

【００４８】(2) 前記(1) の処理を施した基板を水洗い
し、乾燥した後、その基板を酸性脱脂してソフトエッチ
ングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒
溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化
した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、ク
エン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ
酸31ｇ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィノ
ール 465） 0.1ｇ／ｌの水溶液からなるｐＨ＝９の無電
解めっき浴にてめっきを施し、銅導体回路の露出した表
面にCu−Ni−Ｐ合金からなる厚さ 2.5μｍの粗化層11
（凹凸層）を形成した。さらに，その基板を、0.1mol／
ｌホウふっ化スズ−1.0mol／ｌチオ尿素の水溶液からな
る無電解スズ置換めっき浴に50℃で１時間浸漬し、前記
粗化層11の表面に厚さ 0.3μｍのスズ置換めっき層を設
けた（図５参照、但しスズ層については図示しない）。

【００４９】(3) ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメ
チルエーテル）に溶解したクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化
物を34重量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重
量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4M
Z-CN）２重量部、感光性モノマーであるカプロラクトン
変成トリス（アクロキシエチル）イソシアヌレート（東
亜合成製、商品名：アロニックスＭ315 ）４重量部、光
開始剤（チバガイギー社製、商品名：イルガキュアー90
7 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、商品名：DETX−
Ｓ）0.2 重量部、さらに、エポキシ樹脂粒子（三洋化成
製、商品名：ポリマーポール) の平均粒径1.0μｍのも
のを15重量部、平均粒径 0.5μｍのものを10重量部を混
合した後、ＮＭＰ（ノルマルメチルピロリドン）30.0重
量部を添加しながら混合し、ホモディスパー攪拌機で粘
度７Pa・ｓに調整し、続いて３本ロールで混練して感光
性の無電解めっき用接着剤溶液（層間樹脂絶縁剤）を得
た。

【００５０】(4) 前記(3) で得た感光性の接着剤溶液
を、前記(2) の処理を終えた基板の両面に、ロールコー
タを用いて塗布し、水平状態で20分間放置してから、60
℃で30分間の乾燥を行い、厚さ60μｍの接着剤層２を形
成した（図６参照）。

【００５１】(5) 前記(4) で基板の両面に形成した接着
剤層２の上に、粘着剤を介してポリエチレンテレフタレ
ートフィルム（透光性フィルム）を貼着した。そして、
厚さ５μｍの遮光インクによってバイアホールと同形の
円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmの
ソーダライムガラス基板を、円パターンが描画された側
を接着剤層２に密着させて載置し、紫外線を照射して露
光した。

【００５２】(6) 露光した基板をＤＭＴＧ（トリエチレ
ングリコールジメチルエーテル）溶液でスプレー現像す
ることにより、接着剤層２に 100μｍφのバイアホール
となる開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀
灯にて3000mJ／cm²で露光し、100℃で１時間、その後
150℃で５時間にて加熱処理することにより、フォトマ
スクフィルムに相当する寸法精度に優れた開口（バイア
ホール形成用開口）６を有する厚さ50μｍの接着剤層２
を形成した。なお、バイアホールとなる開口６には、粗
化層11を部分的に露出させた（図７参照）。

【００５３】(7) 前記(5),(6) でバイアホール形成用開
口６を形成した基板を、クロム酸水溶液に２分間浸漬
し、接着剤層２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶
解除去して、当該接着剤層２の表面を粗化し、その後、
中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗した（図
８参照）。このとき、前記接着剤層表面の粗化面は、そ
の窪みの最大深さ（Ｒ_max）が3.3 μｍであり、表面の
2.5mmの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値
が、0.01≦Ｐｃ＜0.1 μｍが50〜1300個、 0.1≦Ｐｃ＜
１μｍが 200〜500 個となるように調整した。なお、接
着剤層表面の最大粗さ（Ｒ_max）および表面の 2.5mmの
長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値は、接着
剤層の表面を原子間顕微鏡（ＡＦＭ：オリンパス製、Ｎ
Ｖ3000）を用いて50μｍ走査させ、ＡＣ（共振）モード
で測定した。また、絶縁体表面は静電気の影響を受けや
すいため、各サンプルは前処理として10分間以上のブロ
ワー式静電除去を行った。

【００５４】(8) 前記(7) で粗面化処理（粗化深さ５μ
ｍ）を行った基板に対し、パラジウム触媒（アトテック
製）を付与することにより、接着剤層２およびバイアホ
ール用開口６の表面に触媒核を付与した。

【００５５】(9) 以下に示す組成の無電解銅めっき水溶
液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ 1.5μｍの無電
解銅めっき膜12を形成した（図９参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ硫酸銅 20 ｇ／ｌＨＣＨＯ 30 ml／ｌＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分

【００５６】(10)前記(9) で形成した無電解銅めっき膜
12上に市販の感光性樹脂フィルム（ドライフィルム）を
熱圧着して貼り付け、さらに、このドライフィルム上
に、クロム層によってめっきレジスト非形成部分がマス
クパターンとして描画された厚さ５mmのソーダライムガ
ラス基板を、クロム層が形成された側をドライフィルム
に密着させて載置し、110 mJ／cm²で露光し、 0.8％炭
酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジス
ト３のパターンを設けた（図10参照）。

【００５７】(11)次に、めっきレジスト非形成部分に、
以下に示す条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電
解銅めっき膜13を形成した（図11参照）。〔電解めっき水溶液〕硫酸 180 ｇ／ｌ硫酸銅 80 ｇ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製商品名：カパラシドＧＬ）１ ml／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度 1.2 Ａ／dm² 時間 30分温度室温

【００５８】(12)めっきレジスト３を５％ＫＯＨ水溶液
をスプレーして剥離除去した後、そのめっきレジスト３
下の無電解めっき膜12を、硫酸と過酸化水素の混合液で
エッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜12と
電解銅めっき膜13からなる厚さ18μｍの内層導体回路５
を形成した。さらに、粗化面11に残っているPdをクロム
酸（ 800ｇ／ｌ）水溶液に１〜２分浸漬して除去した
（図12参照）。

【００５９】(13)導体回路５を形成した基板を、硫酸銅
８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／
ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、
界面活性剤 0.1ｇ／ｌの水溶液からなるｐＨ＝９の無電
解めっき液に浸漬し、該導体回路５の表面に厚さ３μｍ
の銅−ニッケル−リンからなる粗化層11を形成した。こ
のとき、粗化層11をＥＰＭＡ（蛍光Ｘ線分析装置）で分
析したところ、Cu:98mol％、Ni:1.5 mol％、Ｐ:0.5 mol
％の組成比であった。そしてさらに、その基板を水洗い
し、0.1mol／ｌホウふっ化スズ−1.0mol／ｌチオ尿素の
水溶液からなる無電解スズ置換めっき浴に50℃で１時間
浸漬し、前記粗化層11の表面に厚さ 0.3μｍのスズ置換
めっき層を形成した（図13参照、但し、ズズ置換層は図
示しない）。

【００６０】(14)次に、前記 (4)の工程に従って、接着
剤層２をさらに設け、その表面にポリエチレンテレフタ
レートフィルム（透光性フィルム）を貼着した後、ステ
ンレス板で配線板を挟み、20 kgf／cm²で加圧し、加熱
炉内で65℃で加熱しながら、20分間加熱プレスした。こ
の加熱プレスにより、接着剤層２の表面を平坦化して層
間樹脂絶縁層とした（図14参照）。

【００６１】(15)そして前記 (5)〜(13)の工程を繰り返
すことにより、さらに導体回路を設け、その導体回路の
表面に銅−ニッケル−リンからなる粗化層11を設けた。
但し、粗化層11の表面にはスズ置換めっき層を形成しな
かった（図15〜19参照）。

【００６２】(16)一方、ＤＭＤＧに溶解させた60重量％
のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）
のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴ
マー（分子量4000）を 46.67重量部、メチルエチルケト
ンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂（油化シェル製、商品名：エピコート1001）15.0重
量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4M
Z-CN）1.6 重量部、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー（日本化薬製、商品名：Ｒ604 ）３重量部、同
じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、商品名：DP
E6A ） 1.5重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商
品名：Ｓ−65）0.71重量部を混合し、さらにこれらの混
合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化
学製）２重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関
東化学製）0.2 重量部を加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・
ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。なお、粘
度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL-B型）で 60rpm
の場合はローターNo.4、６rpm の場合はローターNo.3に
よった。

【００６３】(17)前記(15)で得た基板の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を20μｍの厚さで塗布した。次い
で、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った
後、クロム層によってソルダーレジスト開口部の円パタ
ーン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのソーダ
ライムガラス基板を、クロム層が形成された側をソルダ
ーレジスト層に密着させて載置し、1000mJ／cm²の紫外
線で露光し、DMTG現像処理した。そしてさらに、80℃で
１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３
時間の条件で加熱処理し、はんだパッドの上面、バイア
ホールとそのランド部分を開口した（開口径 200μｍ）
ソルダーレジスト層14のパターン（厚み20μｍ）を形成
した。

【００６４】(19)次に、ソルダーレジスト層14を形成し
た基板を、塩化ニッケル30ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウ
ム10ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム10ｇ／ｌの水溶液から
なるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬し
て、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層15を形成し
た。さらに、その基板を、シアン化金カリウム２ｇ／
ｌ、塩化アンモニウム75ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム50
ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム10ｇ／ｌの水溶液からな
る無電解金めっき液に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニ
ッケルめっき層15上に厚さ0.03μｍの金めっき層16を形
成した。

【００６５】(20)そして、ソルダーレジスト層14の開口
部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフローする
ことによりはんだバンプ（はんだ体）17を形成し、はん
だバンプを有するプリント配線板を製造した（図20参
照）。

【００６６】（実施例２）フルアディティブ法 (1) ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル）に溶解したクレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を34重
量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、イ
ミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-CN）２
重量部、感光性モノマーであるカプロラクトン変成トリ
ス（アクロキシエチル）イソシアヌレート（東亜合成
製、商品名：アロニックスＭ315 ）４重量部、光開始剤
（チバガイギー社製、商品名：イルガキュアー907 ）２
重量部、光増感剤（日本化薬製、商品名：DETX−Ｓ）0.
2 重量部、さらに、エポキシ樹脂粒子( 三洋化成製、商
品名：ポリマーポール) の平均粒径1.0μｍのものを15
重量部、平均粒径 0.5μｍのものを10重量部を混合した
後、ＮＭＰ（ノルマルメチルピロリドン）30.0重量部を
添加しながら混合し、ホモディスパー攪拌機で粘度７Pa
・ｓに調整し、続いて３本ロールで混練して感光性の無
電解めっき用接着剤溶液（層間樹脂絶縁剤）を得た。

【００６７】(2) 実施例１の(1),(2) に従ってコア基板
に、前記(1) で得た無電解めっき用接着剤溶液をロール
コータで両面に塗布し、水平状態で20分間放置してか
ら、60℃で30分間の乾燥を行い、厚さ60μｍの接着剤層
２を形成した。

【００６８】(3) 前記(2) で基板の両面に形成した接着
剤層２の上に、粘着剤を介してポリエチレンテレフタレ
ートフィルム（透光性フィルム）を貼着した。そして、
厚さ５μｍの遮光インクによってバイアホールと同形の
円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmの
ソーダライムガラス基板を、円パターンが描画された側
を接着剤層２に密着させて載置し、紫外線を照射して露
光した。

【００６９】(4) 露光した基板をＤＭＴＧ（トリエチレ
ングリコールジメチルエーテル）溶液でスプレー現像す
ることにより、接着剤層２にバイアホールとなる 100μ
ｍφの開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀
灯にて3000mJ／cm²で露光し、100℃で１時間、その後
150℃で５時間にて加熱処理することにより、フォトマ
スクフィルムに相当する寸法精度に優れた開口（バイア
ホール形成用開口）６を有する厚さ50μｍの接着剤層２
を形成した。なお、バイアホールとなる開口６には、粗
化層11を部分的に露出させた（図７参照）。

【００７０】(5) バイアホール形成用開口６を形成した
基板を、クロム酸に２分間浸漬し、接着剤層２の表面に
存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去して、当該接着剤
層２の表面を粗化し、その後、中和溶液（シプレイ社
製）に浸漬してから水洗した（図８参照）。このとき、
前記接着剤層表面の粗化面は、その窪みの最大深さ（Ｒ
_max）が3.0 μｍであり、表面の 2.5mmの長さにおける
凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、0.01≦Ｐｃ＜0.1
μｍが50〜1300個、 0.1≦Ｐｃ＜１μｍが 200〜500 個
以上2500個未満となるように調整した。なお、接着剤層
表面の最大粗さ（Ｒ_max）および表面の 2.5mmの長さに
おける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値は、接着剤層の
表面を原子間顕微鏡（ＡＦＭ：オリンパス製、ＮＶ300
0）を用いて50μｍ走査させ、ＡＣ（共振）モードで測
定した。また、絶縁体表面は静電気の影響を受けやすい
ため、各サンプルは前処理として10分間以上のブロワー
式静電除去を行った。

【００７１】(6) 一方、ＤＭＤＧに溶解させたクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、商品名：EO
CN−103S）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付
与のオリゴマー（分子量4000）46.7重量部、メチルエチ
ルケトンに溶解させた80重量部のビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂（油化シェル製、商品名：エピコート1001）
15.0重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品
名：2E4MZ-CN）1.6 重量部、感光性モノマーである多価
アクリレート（日本化薬製、Ｒ−604 ）３重量部、同じ
く多価アクリルモノマー（共栄社化学製、商品名：DPE-
6A）1.5 重量部を混合し、さらにこれらの混合物の全重
量に対してアクリル酸エステルの重合体（共栄社化学
製、商品名：ポリフロー75）0.5 重量部を混合して攪拌
し、混合液Ａを調製した。また、光開始剤としてのベン
ゾフェノン（関東化学製）２重量部、光増感剤としての
ミヒラーケトン（関東化学製）0.2 重量部を40℃に加温
した３重量部のＤＭＤＧに溶解させて混合液Ｂを調製し
た。そして、上記混合液Ａと上記混合液Ｂを混合して液
状レジストを得た。

【００７２】(7) 前記(5) の処理を終えた基板上に、上
記液状レジストをロールコーターを用いて塗布し、60℃
で30分間の乾燥を行い、厚さ30μｍのレジスト層を形成
した。次いで、Ｌ／Ｓ（ラインとスペースとの比）＝50
／50の導体回路パターンの描画されたマスクフィルムを
密着させ、超高圧水銀灯により1000mJ／cm²で露光し、
ＤＭＤＧでスプレー現像処理することにより、基板上に
導体回路パターン部の抜けためっき用レジストを形成
し、さらに、超高圧水銀灯にて6000mJ／cm²で露光し、
100℃で１時間、その後、 150℃で３時間の加熱処理を
行い、接着剤層（層間樹脂絶縁層）２の上に永久レジス
ト３を形成した（図21参照）。

【００７３】(8) 永久レジスト３を形成した基板を、 1
00ｇ／ｌの硫酸水溶液に浸漬処理して触媒核を活性化し
た後、下記組成を有する無電解銅−ニッケル合金めっき
浴を用いて一次めっきを行い、レジスト非形成部分に厚
さ約1.7 μｍの銅−ニッケル−リンめっき薄膜を形成し
た。このとき、めっき浴の温度は60℃とし、めっき浸漬
時間は１時間とした。なお、析出速度は、1.7 μｍ／時間とした。

【００７４】(9) 一次めっき処理した基板を、めっき浴
から引き上げて表面に付着しているめっき液を水で洗い
流し、さらに、その基板を酸性溶液で処理することによ
り、銅−ニッケル−リンめっき薄膜表層の酸化皮膜を除
去した。その後、Ｐｄ置換を行うことなく、銅−ニッケ
ル−リンめっき薄膜上に、下記組成の無電解銅めっき浴
を用いて二次めっきを施すことにより、アディティブ法
による導体として必要な外層導体パターンおよびバイア
ホール（BVH ）を形成した（図22参照）。このとき、め
っき浴の温度は50〜70℃とし、めっき浸漬時間は90〜36
0 分とした。金属塩… CuSO₄・5H₂O ： 8.6 ｍＭ錯化剤…ＴＥＡ： 0.15Ｍ還元剤…ＨＣＨＯ： 0.02Ｍその他…安定剤（ビピリジル、フェロシアン化カリウム
等）：少量析出速度は、６μｍ／時間 (10)このようにしてアディティブ法による導体層を形成
した後、＃600 のベルト研磨紙を用いたベルトサンダー
研磨により、基板の片面を、永久レジストの上面と導体
回路上面ならびにバイアホールのランド上面とが揃うま
で研磨した。引き続き、ベルトサンダーによる傷を取り
除くためにバフ研磨を行った（バフ研磨のみでもよ
い）。そして、他方の面についても同様に研磨して、基
板両面が平滑なプリント配線基板を得た。

【００７５】(11)そして、表面を平滑化したプリント配
線基板を、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、
クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホ
ウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ／ｌの水溶液からなる
ｐＨ＝９の無電解めっき液に浸漬し、厚さ３μｍの銅−
ニッケル−リン合金からなる粗化層11を基板表面に露出
している導体表面に形成した（図23参照）。その後、前
述の工程を繰り返すことにより、アディティブ法による
導体層を更にもう一層形成し、このようにして配線層を
ビルドアップすることにより６層の多層プリント配線板
を得た。

【００７６】(12)さらに、実施例１の(16)〜(20)の工程
に従ってソルダーレジスト層14とはんだバンプ17を形成
し、はんだバンプ17を有するプリント配線板を製造した
（図24参照）。

【００７７】（比較例１）前記実施例１の工程(7) にお
いて、クロム酸による粗化の代わりに CF₄＋O₂プラズマ
にて接着剤層表面を粗化し、その粗化面を、中心線平均
粗さ（Ｒａ）で3.0μｍ（Ｒmax ＝ 3.3μｍ）とし、か
つ，その表面の 2.5mmの長さにおける凹凸の高さ（Ｐ
ｃ）のカウント値を、0.01≦Ｐｃ≦0.1 μｍが 15000〜
18000 個、0.1≦Ｐｃ≦１μｍが3000〜5000個としたこ
と以外は、実施例１と同様にしてはんだバンプを有する
プリント配線板を製造した。

【００７８】（比較例２）前記実施例２の工程(5) にお
いて、クロム酸による粗化の代わりに CF₄＋O₂プラズマ
にて接着剤層表面を粗化し、その粗化面を、中心線平均
粗さ（Ｒａ）で3.0μｍ（Ｒmax ＝ 3.3μｍ）とし、か
つ、その表面の 2.5mmの長さにおける凹凸の高さ（Ｐ
ｃ）のカウント値を、0.01≦Ｐｃ≦0.1 μｍが 15000〜
18000 個、0.1≦Ｐｃ≦１μｍが3000〜5000個としたこ
と以外は、実施例１と同様にしてはんだバンプを有する
プリント配線板を製造した。

【００７９】なお、中心線平均粗さ（Ｒａ）および表面
の 2.5mmの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント
値は、実施例１と同様に、接着剤層の表面を原子間顕微
鏡（ＡＦＭ：オリンパス製、ＮＶ3000）を用いて50μｍ
走査させ、ＡＣ（共振）モードで測定した。また、絶縁
体表面は静電気の影響を受けやすいため、各サンプルは
前処理として10分間以上のブロワー式静電除去を行っ
た。

【００８０】このようにして製造した実施例および比較
例にかかるプリント配線板について以下に示す試験なら
びに評価を行った。．JIS-C-6481に従い、ピール強度を測定した。．表面抵抗値を測定した。．湿度85％、温度 130℃、電圧3.3 Ｖの条件下で48時
間放置し、表面抵抗値を測定した。

【００８１】これらの試験ならびに評価の結果を表１に
示す。

【表１】

【００８２】．この表に示す結果から明らかなよう
に、本発明のプリント配線板は実用的なピール強度 1.0
kg／cmを達成することができる。．実施例の配線板は、比較例よりも表面抵抗値が高
い。これは、比較例の配線板では、粗化面の微細な凹凸
が多すぎて、無電解めっき膜が溶解除去できず残存し、
またＰｄ触媒が過剰に付着するためと考えられる。．実施例の配線板は、高温多湿条件下に曝しても表面
抵抗値が低下しない。これに対し、比較例の配線板は、
高温多湿条件下に曝すと、表面抵抗値が低下してしま
う。これは、実施例に比べて比較例の配線板は、粗化面
の微細な凹凸が多すぎてＰｄ触媒核が多量に付着してお
り、これが表面抵抗を低下させる原因であると推定して
いる。

【００８３】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、接
着剤層表面の粗化面を、その窪みの最大深さ（Ｒ_max）
が 0.1〜５μｍであり、表面の 2.5mmの長さにおける凹
凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、0.01≦Ｐｃ＜0.1 μ
ｍが50個以上 12500個未満、 0.1≦Ｐｃ＜１μｍが 200
個以上2500個未満となるように調整しているので、実用
的なピール強度を確保でき、表面抵抗値も高いプリント
配線板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図２】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図３】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図４】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図５】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図６】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図７】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図８】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図９】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図10】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図11】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図12】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図13】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図14】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図15】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図16】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図17】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図18】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図19】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図20】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図21】実施例２にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図22】実施例２にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図23】実施例２にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図24】実施例２にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【符号の説明】

１基板２層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）３永久レジスト（めっきレジスト）４内層導体回路（内層パターン）５内層導体回路（第２層パターン）６バイアホール用開口７バイアホール８銅箔９スルーホール 10 樹脂充填剤 11 粗化層 12 無電解めっき膜 13 電解めっき膜 14 ソルダーレジスト層 15 ニッケルめっき層 16 金めっき層 17 はんだ体（はんだバンプ）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、表面が粗化された硬化処理済
の無電解めっき用接着剤層を有し、その接着剤層表面の
粗化面上に導体回路が形成されてなるプリント配線板に
おいて、前記接着剤層表面の粗化面は、その窪みの最大深さ（Ｒ
_max）が 0.1〜５μｍであり、表面の 2.5mmの長さにお
ける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、0.01≦Ｐｃ＜
0.1 μｍが10個以上 12500個未満、 0.1≦Ｐｃ＜１μｍ
が 100個以上2500個未満であることを特徴とするプリン
ト配線板。
【請求項２】前記接着剤層は、酸あるいは酸化剤に難
溶性の耐熱性樹脂マトリックス中に酸あるいは酸化剤に
可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂粒子を分散してなる
無電解めっき用接着剤からなることを特徴とする請求項
１に記載のプリント配線板。