JP2000077827A

JP2000077827A - プリント配線板

Info

Publication number: JP2000077827A
Application number: JP25939698A
Authority: JP
Inventors: Takashi Kariya; 隆苅谷; Motoo Asai; 元雄浅井
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1998-08-28
Filing date: 1998-08-28
Publication date: 2000-03-14

Abstract

(57)【要約】【課題】導体回路と層間絶縁樹脂との密着性に優れ、
層間の接続信頼性を確保した、信頼性に優れるプリント
配線板を提供すること。【解決手段】基板の導体回路上に、層間絶縁層が形成
されたプリント配線板において、前記導体回路の表面に
は粗化面が形成され、その粗化面は、窪みの最大深さ
（Ｒ_max）が 0.1〜10μｍであり、表面の 2.5mmの長さ
における凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、0.01≦Ｐ
ｃ＜0.1 μｍが 100個以上 30000個未満、0.1 ≦Ｐｃ＜
１μｍが 100個以上 10000個未満であることを特徴とす
るプリント配線板である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプリント配線板に関
し、特に、導体回路と層間絶縁樹脂との密着性に優れ、
層間の接続信頼性を確保した、信頼性に優れるプリント
配線板についての提案である。

【０００２】

【従来の技術】近年、多層配線基板の高密度化という要
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば特公
平４−55555 号公報に開示されているような方法により
製造される。即ち、コア基板上に、感光性の無電解めっ
き用接着剤からなる層間樹脂絶縁剤を塗布し、これを乾
燥したのち露光，現像することにより、バイアホール用
開口を有する層間樹脂絶縁層を形成し、次いで、この層
間樹脂絶縁層の表面を酸化剤等による処理にて粗化した
のち、その粗化面に感光性の樹脂層を露光，現像処理し
てなるめっきレジストを設け、その後、めっきレジスト
非形成部分に無電解めっきを施してバイアホールを含む
導体回路パターンを形成し、このような工程を複数回繰
り返すことにより、多層化したアディティブ法によるビ
ルドアップ配線基板が得られる。

【０００３】このような方法で製造されるビルドアップ
配線基板において、層間樹脂絶縁層に用いられる無電解
めっき用接着剤としては、例えば、特開昭63-158156 号
公報や特開平２−188992号公報（USP5055321号、USP551
9177号) に記載されているように、平均粒径２〜10μｍ
の粗粒子と平均粒径２μｍ以下の微粒子とからなる溶解
可能な硬化処理済の樹脂粒子を硬化処理によって難溶性
となる耐熱性樹脂マトリックス中に分散させたものがあ
る。

【０００４】この接着剤を用いて基板上に形成される層
間樹脂絶縁層は、表層に存在する耐熱性樹脂粒子が溶解
除去されてその表面が粗化されるので、その粗化面上に
めっきレジストを介して形成される導体回路との密着性
に優れる。

【０００５】しかしながら、フルアディティブ法によっ
て製造した配線基板のように、めっきレジストが永久レ
ジストとして残存するビルドアップ配線基板は、その永
久レジストと導体回路の界面での密着性が悪い。このた
め、このビルドアップ配線基板は、ＩＣチップを搭載す
ると、めっきレジストと導体回路の熱膨張率差に起因し
て、これらの界面を起点とするクラックが層間樹脂絶縁
層に発生するという問題があった。

【０００６】これに対し、従来、層間樹脂絶縁層に発生
するクラックを阻止できる技術として、めっきレジスト
を除去して導体回路の少なくとも側面を含む表面を粗化
処理することにより、その導体回路上に形成される層間
樹脂絶縁層との密着性を改善する方法が提案されてい
る。特に、この方法を有利に適用できる配線板の製造方
法として、セミアディティブ法が挙げられる。というの
は、このセミアディティブ法は、まず、層間樹脂絶縁層
の表面を粗化し、その粗化面の全面に無電解めっきを薄
く施し、次いで、その無電解めっき膜の非導体部分にめ
っきレジストを形成し、そのレジスト非形成部分に電解
めっきを厚く施した後、そのめっきレジストとめっきレ
ジスト下の無電解めっき膜を除去することにより、導体
回路パターンを形成する方法だからである。

【０００７】このように、基板上に形成された導体回路
の露出面を粗化処理することによって、その導体回路上
に形成される層間樹脂絶縁層との密着性が改善されるの
である。

【０００８】しかしながら、このようにして導体回路表
面を粗化処理したビルドアップ配線基板は、粗化処理し
た導体回路上の層間樹脂絶縁層にバイアホール用の開口
を形成する際に、その導体回路表面の粗化面の窪み（ア
ンカー）内に層間絶縁樹脂が残り、加熱時に樹脂が膨張
してバイアホールを押し上げて絶縁してしまい、層間の
接続信頼性の低下を招くという問題があった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したフ
ルアディティブ法あるいはセミアディティブ法によって
製造した配線板が抱える問題を解消するための技術を提
案する。本発明の主たる目的は、導体回路と層間絶縁樹
脂との密着性に優れ、層間の接続信頼性を確保した、信
頼性に優れるプリント配線板を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究した結果、以下に示すような内容を
要旨構成とする発明に想到した。即ち、本発明のプリン
ト配線板は、基板の導体回路上に、層間絶縁層が形成さ
れたプリント配線板において、前記導体回路の表面には
粗化面が形成され、その粗化面は、窪みの最大深さ（Ｒ
_max）が 0.1〜10μｍであり、表面の 2.5mmの長さにお
ける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、0.01≦Ｐｃ＜
0.1 μｍが 100個以上 30000個未満、 0.1≦Ｐｃ＜１μ
ｍが 100個以上 10000個未満であることを特徴とする。
ここで、前記粗化面は、銅−ニッケル−リン合金層によ
って形成されていることが好ましい。

【００１１】

【発明の実施の形態】さて、前述したように、粗化処理
した導体回路上の層間樹脂絶縁層にバイアホール用の開
口を形成する場合、導体回路表面の窪みに存在する層間
絶縁樹脂を溶解除去する必要がある。このため、粗化面
の窪みが深いと、その窪み内に層間絶縁樹脂が残りやす
く、層間絶縁抵抗値が増大する原因となってしまう。一
方、その窪みが単純な形状で浅い場合には、導体回路と
層間絶縁樹脂との密着性が低下して層間絶縁層が剥がれ
やすくなってしまう。

【００１２】この点、本発明のプリント配線板は、粗化
処理した導体回路表面の粗化面を、凹凸の大きさの分布
で調整した点に特徴がある。これにより、その凹凸内で
の層間絶縁樹脂の溶解残渣をなくしたり、一方で、アン
カー効果に必要な凹凸は確保するようにしているので、
導体回路と層間絶縁樹脂との密着性に優れ、層間の接続
信頼性を確保することができる。

【００１３】このような本発明のプリント配線板におい
て、上記導体回路表面の粗化面は、その窪みの最大深さ
（Ｒ_max）が 0.1〜10μｍ、望ましくは 0.5〜７μｍと
する。この窪みの深さは、その凹凸内での層間絶縁樹脂
の溶解残渣をなくせるような範囲である。

【００１４】また本発明では、上記導体回路表面の粗化
面は、表面の 2.5mmの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）
のカウント値が、0.01≦Ｐｃ＜0.1 μｍが 100個以上 3
0000個未満、望ましくは 100個以上1000個以下で、 0.1
≦Ｐｃ＜１μｍが 100個以上10000個未満、望ましくは
100個以上2000個以下である。この理由は、上記Ｐｃの
カウント値が上記範囲の下限未満では、接触する層間絶
縁樹脂との密着力が不足して、層間絶縁層の剥離の原因
となる。一方、上記Ｐｃのカウント値が上記範囲の上限
以上では、層間絶縁樹脂の付きまわりが不足したり、粗
化面に層間絶縁樹脂の溶解残渣が発生し、この残渣樹脂
が加熱などによって膨張してバイアホールを押し上げて
絶縁してしまい、層間の導通不良の原因となるからであ
る。このように微細な凹凸の数を比較的少なくすること
により、フルアディティブ法およびセミアディティブ法
において、粗化処理した導体回路上の層間樹脂絶縁層に
バイアホール用の開口を形成しても、バイアホール用開
口から露出する粗化面に層間絶縁樹脂が残留しにくくな
る。一方で、導体回路と層間絶縁樹脂との密着性は、こ
のような微細凹凸の数を減らしても低下しない。

【００１５】このような層間絶縁層が接触する導体回路
表面の粗化面について、特開平10−4261号公報には、そ
の表面の 2.5mmの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカ
ウント値が、0.01≦Ｐｃ≦0.1 μｍが 30000個以上、
0.1≦Ｐｃ≦１μｍが3000個乃至 10000個、１≦Ｐｃ≦1
0μｍが 500個以下である粗化面が開示されている。し
かしながら、このような粗化面では、微細な凹凸の数が
過剰であり、バイアホール用開口から露出する粗化面に
層間絶縁樹脂が残留し、層間の接続信頼性を確保するこ
とができず、またバイアホールのピール強度の低下を招
く。

【００１６】なお、導体回路表面の最大粗さ（Ｒ_max）
および表面の 2.5mmの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）
のカウント値は、導体回路の表面を原子間顕微鏡（ＡＦ
Ｍ：オリンパス製、ＮＶ3000）を用いて50μｍ走査さ
せ、ＡＣ（共振）モードで測定した結果により各々の数
値を算出した。

【００１７】本発明において、上記導体回路には、銅−
ニッケル−リンの合金めっきによって、その表面に所定
の粗さの粗化面が形成されていることが好ましい。また
本発明では、その他の粗化処理，例えば、金属粒界のエ
ッチングによっても導体回路表面を所定の粗さに粗化す
ることができる。

【００１８】本発明において、上記層間絶縁樹脂として
は、酸あるいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂マトリック
ス中に酸あるいは酸化剤に可溶性の硬化処理された耐熱
性樹脂粒子を分散してなる無電解めっき用接着剤を用い
ることが好ましい。

【００１９】このような層間絶縁樹脂を構成する無電解
めっき用接着剤において、耐熱性樹脂マトリックスとし
ては、熱硬化性樹脂（熱硬化基の一部または全部を感光
化したものも含む）、熱硬化性樹脂（熱硬化基の一部ま
たは全部を感光化したものも含む）と熱可塑性樹脂の複
合体を用いることができる。ここで、上記熱硬化性樹脂
としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド
樹脂などを用いることができる。なお、熱硬化基の一部
を感光化する場合は、熱硬化基の一部をメタクリル酸や
アクリル酸などと反応させてアクリル化させる。なかで
もエポキシ樹脂のアクリレートが最適である。このエポ
キシ樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式
エポキシ樹脂などを用いることができる。硬化剤として
は、25℃で液状のものがよい。具体的には１−ベンジル
−２−メチルイミダゾール（１Ｂ２ＭＺ）、１−シアノ
エチル−２−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）、４−メチル−２−エチルイミダゾール（２Ｅ４Ｍ
Ｚ）などの液状イミダゾール硬化剤を用いることができ
る。上記熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォ
ンやポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリ
フェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリ
エーテルイミドなどを用いることができる。なお、上記
熱可塑性樹脂の配合量は、樹脂マトリックスの全固形分
に対して30重量％未満であることが望ましく、より好ま
しくは10〜25重量％とする。この理由は、30重量％以上
では、熱可塑性樹脂がバイアホール用開口底部に残存
し、導通不良や加熱試験などでバイアホールと内層導体
回路との剥離を起こしやすくなるからである。また、有
機溶剤を用いる場合、その有機溶剤としては、ジエチレ
ングルコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）、トリエチ
レングルコールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）などの下
記の構造式を持つグリコールエーテル系溶剤やＮ−メチ
ルピロリドン（ＮＭＰ）などを用いることが望ましい。ＣＨ₃Ｏ−（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_n−ＣＨ₃（ｎ＝１〜
５）

【００２０】この無電解めっき用接着剤において、耐熱
性樹脂粒子としては、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素
樹脂、グアナミン樹脂など）、エポキシ樹脂、ビスマレ
イミド−トリアジン樹脂などを用いることができる。な
お、エポキシ樹脂は、オリゴマーの種類、硬化剤の種類
などを適宜選択することにより、酸や酸化剤に溶解する
もの、あるいは難溶解性のものを任意に調製することが
できる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシオリゴマ
ーをアミン系硬化剤で硬化させた樹脂はクロム酸水溶液
に非常によく溶けるが、クレゾールノボラック型エポキ
シオリゴマーをイミダゾール硬化剤で硬化させた樹脂は
クロム酸水溶液に溶解しにくい。

【００２１】なお、上記耐熱性樹脂粒子は予め硬化処理
されていることが必要である。硬化されていないと樹脂
マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまい、均一
混合してしまい、酸や酸化剤で耐熱性樹脂粒子のみを選
択的に溶解除去できなくなるからである。

【００２２】また、無電解めっき用接着剤は、ガラス布
などの繊維質基体に含浸させてＢステージ状にしたり、
あるいはフィルム状に成形してあってもよい。また、基
板状に成形してあってもよい。さらに、本発明の無電解
めっき用接着剤は、構成樹脂をハロゲン化して難燃化し
てもよく、また、色素、顔料、紫外線吸収剤を添加して
もよい。そしてさらに繊維状のフィラーや無機フィラー
を充填して靱性や熱膨張率を調整してよい。

【００２３】さらに、接着剤層表面の粗化面上に形成し
た導体回路には、表面の少なくとも一部、即ち上面、側
面または全面に粗化層が形成されていることが好まし
い。この理由は、その導体回路を被覆するソルダーレジ
ストや上層の層間樹脂絶縁層との密着性を改善してヒー
トサイクル時に発生するクラックを抑制できるからであ
る。

【００２４】次に、本発明にかかるプリント配線板をセ
ミアディティブおよびフルアディティブ法にて製造する
方法を具体的に説明する。〔セミアディティブ法〕 (1) セミアディティブ法により多層配線板を製造するた
めに、まず、基板の表面に導体回路を形成した配線基板
を作製する。この基板としては、ガラスエポキシ基板や
ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板
などの樹脂絶縁基板、セラミック基板、金属基板などを
用いることができる。この配線基板の導体回路は、銅張
積層板をエッチングして行う方法、あるいは、ガラスエ
ポキシ基板やポリイミド基板、セラミック基板、金属基
板などの基板に無電解めっき用接着剤層を形成し、この
接着剤層表面を粗化して粗化面とし、ここに無電解めっ
きする方法、もしくはいわゆるセミアディティブ法（そ
の粗化面全体に薄付けの無電解めっきを施し、めっきレ
ジストを形成し、めっきレジスト非形成部分に厚付けの
電解めっきを施した後、そのめっきレジストを除去して
さらにエッチング処理し、電解めっき膜と無電解めっき
膜とからなる導体回路を形成する方法）により形成され
る。

【００２５】なお、上記配線基板の導体回路は、少なく
とも側面を含む表面に、銅−ニッケル−リンからなる粗
化層を形成することにより、この導体回路の上に形成さ
れる層間樹脂絶縁層との密着性を改善することができ
る。この粗化層は、無電解めっきにより形成することが
望ましい。その無電解めっき水溶液の液組成は、銅イオ
ン濃度、ニッケルイオン濃度、次亜リン酸イオン濃度
が、それぞれ 2.2×10^-2〜4.1 ×10^-2 mol／ｌ、 2.2×
10^-3〜4.1 ×10^-3 mol／ｌ、0.20〜0.25 mol／ｌである
ことが望ましい。この範囲で析出する皮膜は、結晶構造
が針状構造であり、アンカー効果に優れるからである。
なお、無電解めっき浴には上記化合物に加えて錯化剤や
添加剤を加えてもよい。粗化層を形成する他の方法とし
て、導体回路表面を酸化（黒化）−還元処理したり、エ
ッチング処理して形成する方法などがある。

【００２６】特に本発明において、このようにして形成
された導体回路表面の粗化面は、その窪みの最大深さ
（Ｒ_max）が 0.1〜10μｍであり、表面の 2.5mmの長さ
における凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、0.01≦Ｐ
ｃ＜0.1 μｍが 100個以上 30000個未満、 0.1≦Ｐｃ＜
１μｍが 100個以上 10000個未満となるように調整す
る。

【００２７】この粗化層は、イオン化傾向が銅より大き
くかつチタン以下である金属または貴金属の層で被覆さ
れていてもよい。これらの金属または貴金属の層は、粗
化層を被覆し、層間樹脂絶縁層を粗化する際に起こる局
部電極反応による導体回路の溶解を防止できるからであ
る。その層の厚さは 0.1〜２μｍがよい。このような金
属としては、チタン、アルミニウム、亜鉛、鉄、インジ
ウム、タリウム、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、ビス
マスから選ばれるいずれか少なくとも１種がある。貴金
属としては、金、銀、白金、パラジウムがある。これら
のうち、特にスズがよい。スズは無電解置換めっきによ
り薄い層を形成でき、粗化層に追従できるため有利であ
る。このスズの場合、ホウフッ化スズ−チオ尿素、塩化
スズ−チオ尿素液を使用する。そして、Cu−Snの置換反
応により 0.1〜２μｍ程度のSn層が形成される。貴金属
の場合は、スパッタや蒸着などの方法が採用できる。

【００２８】また、コア基板には、スルーホールが形成
され、このスルーホールを介して表面と裏面の配線層を
電気的に接続することができる。さらに、スルーホール
およびコア基板の導体回路間にビスフェノールＦ型エポ
キシ樹脂などの低粘度の樹脂を充填し、配線基板の平滑
性を確保してもよい。

【００２９】(2) 次に、前記(1) で作製した配線基板の
上に、層間樹脂絶縁剤を塗布する。この層間樹脂絶縁剤
としては、前述した無電解めっき用接着剤を用いる。こ
のとき、層間樹脂絶縁剤の塗布は、ロールコータ、カー
テンコータなどを使用できる。なお、層間樹脂絶縁層を
複数層とし、各層における耐熱性樹脂粒子の粒子径を変
えてもよい。例えば、下層の耐熱性樹脂粒子を平均粒径
1.0μｍとし、上層の耐熱性樹脂粒子を平均粒径 1.0μ
ｍと平均粒径 0.5μｍの混合粒子として、耐熱性樹脂粒
子の粒子径が異なる無電解めっき用接着剤で構成しても
よい。特に、下層の耐熱性樹脂粒子は、平均粒径を 0.1
〜2.0 μｍ、より好ましくは平均粒径を0.1〜1.0 μｍ
とする。

【００３０】ここで、接着剤層を構成する耐熱性樹脂マ
トリックスとしては、熱硬化性樹脂、熱硬化性樹脂（熱
硬化基の一部または全部を感光化したものも含む）、も
しくは熱硬化性樹脂（熱硬化基の一部または全部を感光
化したものも含む）と熱可塑性樹脂の複合体を用いるこ
とができる。接着剤層を構成する熱硬化性樹脂として
は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂な
どを用いることができる。なお、熱硬化基の一部を感光
化する場合は、熱硬化基の一部をメタクリル酸やアクリ
ル酸などと反応させてアクリル化させる。なかでもエポ
キシ樹脂のアクリレートが最適である。このエポキシ樹
脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキ
シ樹脂などを用いることができる。接着剤層を構成する
熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォンやポリ
スルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテル
イミドなどを用いることができる。接着剤層を構成する
耐熱性樹脂粒子としては、アミノ樹脂（メラミン樹脂、
尿素樹脂、グアナミン樹脂など）、エポキシ樹脂、ビス
マレイミド−トリアジン樹脂などを用いることができ
る。

【００３１】(3) 塗布した層間樹脂絶縁剤（無電解めっ
き用接着剤）を乾燥する。この時点では、基板の導体回
路上に設けた層間樹脂絶縁層は、導体回路パターン上の
層間樹脂絶縁層の厚さが薄く、大面積を持つ導体回路上
の層間樹脂絶縁層の厚さが厚くなり、凹凸が発生してい
る状態であることが多い。そのため、この凹凸状態にあ
る層間樹脂絶縁層を、金属板や金属ロールを用いて加熱
しながら押圧し、その層間樹脂絶縁層の表面を平坦化す
ることが望ましい。

【００３２】(4) 次に、層間樹脂絶縁層を硬化する一方
で、その層間樹脂絶縁層にはバイアホール形成用の開口
を設ける。層間樹脂絶縁層の硬化処理は、無電解めっき
用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化性樹脂である場合
は熱硬化して行い、感光性樹脂である場合は紫外線など
で露光して行う。バイアホール形成用の開口は、無電解
めっき用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化性樹脂であ
る場合は、レーザ光や酸素プラズマなどを用いて穿孔
し、感光性樹脂である場合は露光現像処理にて穿孔され
る。なお、露光現像処理は、バイアホール形成のための
円パターンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよ
い）を、円パターン側を感光性の層間樹脂絶縁層の上に
密着させて載置したのち、露光、現像処理する。

【００３３】(5) 次に、バイアホール形成用開口を設け
た層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）の表面を
粗化する。ここで、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫
酸、あるいは蟻酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有
機酸を用いることが望ましい。粗化処理した場合に、バ
イアホールから露出する金属導体層を腐食させにくいか
らである。一方、上記酸化剤としては、クロム酸、過マ
ンガン酸塩（過マンガン酸カリウムなど）の水溶液を用
いることが望ましい。

【００３４】(6) 次に、層間樹脂絶縁層の粗化面に触媒
核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオンや貴金
属コロイドなどを用いることが望ましく、一般的には、
塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用する。な
お、触媒核を固定するために加熱処理を行うことが望ま
しい。このような触媒核としてはパラジウムがよい。

【００３５】(7) 次に、粗化した層間樹脂絶縁層上の全
面に薄付けの無電解めっき膜を形成する。この無電解め
っき膜は、無電解銅めっき膜がよく、その厚みは、１〜
５μｍ、より望ましくは２〜３μｍとする。なお、無電
解銅めっき水溶液としては、常法で採用される液組成の
ものを使用でき、例えば、硫酸銅：29ｇ／ｌ、炭酸ナト
リウム：25ｇ／ｌ、酒石酸塩： 140ｇ／ｌ、水酸化ナト
リウム：40ｇ／ｌ、37％ホルムアルデヒド： 150ｍｌ、
（ｐＨ＝11.5）からなる液組成のものがよい。

【００３６】(8) 次に、前記(7) で設けた無電解めっき
膜上に感光性樹脂フィルム（ドライフィルム）をラミネ
ートし、この感光性樹脂フィルム上に、めっきレジスト
パターンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよ
い）を密着させて載置し、露光、現像処理することによ
り、めっきレジストパターンを配設した非導体部分を形
成する。

【００３７】(9) 次に、無電解めっき膜上の非導体部分
以外に電解めっき膜を形成し、導体回路、ならびにバイ
アホールとなる導体部を設ける。ここで、電解めっきと
しては、電解銅めっきを用いることが望ましく、その厚
みは、10〜20μｍがよい。

【００３８】(10)次に、非導体部分のめっきレジストを
除去した後、さらに、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫
酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化
第二銅などのエッチング液にて無電解めっき膜を溶解除
去し、無電解めっき膜と電解めっき膜の２層からなる独
立した導体回路、ならびにバイアホールを得る。なお、
非導体部分に露出した粗化面上のパラジウム触媒核は、
クロム酸水溶液などで溶解除去する。

【００３９】(11)次に、前記(10)で得た導体回路、なら
びにバイアホールの表面に粗化層を形成する。この粗化
層の形成方法としては、エッチング処理、研磨処理、酸
化還元処理あるいはめっき処理がある。酸化還元処理
は、酸化浴（黒化浴）としてNaOH（20ｇ／ｌ）、NaClO₂
（50ｇ／ｌ）、Na₃PO₄（15.0ｇ／ｌ）の水溶液を用い、
還元浴としてNaOH（ 2.7ｇ／ｌ）、NaBH₄（ 1.0ｇ／
ｌ）の水溶液を用いて行う。また、銅−ニッケル−リン
合金層による粗化層を形成する場合は無電解めっきによ
り析出させる。この合金の無電解めっき液としては、硫
酸銅１〜40ｇ／ｌ、硫酸ニッケル0.1 〜6.0 ｇ／ｌ、ク
エン酸10〜20ｇ／ｌ、次亜リン酸塩10〜100ｇ／ｌ、ホ
ウ酸10〜40ｇ／ｌ、界面活性剤0.01〜10ｇ／ｌの水溶液
からなる液組成のめっき浴を用いることが望ましい。

【００４０】特に本発明において、このようにして形成
された導体回路表面の粗化面は、その窪みの最大深さ
（Ｒ_max）が 0.1〜10μｍであり、表面の 2.5mmの長さ
における凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、0.01≦Ｐ
ｃ＜0.1 μｍが 300個以上 30000個未満、 0.1≦Ｐｃ＜
１μｍが 500個以上 10000個未満となるように調整す
る。

【００４１】(12)次に、この基板上に(2),(3) の工程に
従い、層間樹脂絶縁層を形成する。(13)さらに、必要に
応じて (4)〜(10)の工程を繰り返すことにより多層化
し、多層配線基板を製造する。

【００４２】〔フルアディティブ法〕 (1) まず、本発明の無電解めっき用接着剤を使用し、セ
ミアディティ法と同様にして、 (1)〜(6) の工程を実施
する。 (2) 次に、触媒核が付与された層間樹脂絶縁層（無電解
めっき用接着剤層）の粗化面上に、めっきレジストパタ
ーンを配設した非導体部分を形成する。このめっきレジ
ストは、市販の感光性ドライフィルムをラミネートして
露光，現像処理する方法、あるいは液状のめっきレジス
ト組成物をロールコータなどで塗布して乾燥，露光，現
像処理する方法により形成される。上記めっきレジスト
組成物としては、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
やフェノールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラッ
ク型エポキシ樹脂をメタクリル酸やアクリル酸でアクリ
ル化した樹脂とイミダゾール硬化剤からなる感光性樹脂
組成物を使用することが望ましい。その理由は、かかる
感光性樹脂組成物は、解像度や耐塩基性に優れるからで
ある。

【００４３】(3) 次に、非導体部分（めっきレジスト部
分）以外に無電解めっきを施し、導体回路、ならびにバ
イアホールとなる導体部を設ける。無電解めっきは、無
電解銅めっきが好ましい。なお、バイアホール形成用開
口を無電解めっきにて充填して、いわゆるフィルドビア
を形成する場合は、まず、無電解めっき用接着剤層上に
触媒核を付与する前に、バイアホール形成用の開口から
露出する下層の導体層の表面を酸で処理して活性化して
無電解めっき液に浸漬する。そして、無電解めっきでバ
イアホール形成用開口を充填した後、無電解めっき用接
着剤層上に触媒核を付与し、めっきレジストを設けて、
無電解めっきを行うことにより、導体層を設ける。この
ような無電解めっき膜での充填により形成されたバイア
ホールは、その直上にさらに他のバイアホールを形成す
ることができるので、配線板の小径化、高密度化が可能
となる。また、導体層と無電解めっき用接着剤層との密
着力を向上させる手段として、銅、ニッケル、コバルト
およびリンから選ばれるいずれか少なくとも２種以上の
金属イオンを使用した合金めっきを一次めっきとして施
し、その後、銅めっきを二次めっきとして施す方法があ
る。これらの合金は強度が高く、ピール強度を向上させ
ることができるからである。

【００４４】(4) 次に、めっきレジスト部分以外に形成
された導体回路、ならびにバイアホールの上面に粗化層
を形成する。この粗化層の形成方法としては、エッチン
グ処理、研磨処理、酸化還元処理あるいはめっき処理が
ある。なお、銅−ニッケル−リン合金層による粗化層を
形成する場合は無電解めっきにより析出させる。

【００４５】(5) さらに、必要に応じて上層の層間絶縁
層（無電解めっき用接着剤層）と導体層を積層して多層
化し、多層配線基板を製造する。

【００４６】

【実施例】（実施例１）セミアディティブ法 (1) 厚さ 0.6mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビス
マレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に18
μｍの銅箔８がラミネートされてなる銅張積層板を出発
材料とした（図１参照）。まず、この銅張積層板をドリ
ル削孔し、無電解めっきを施し、パターン状にエッチン
グすることにより、基板１の両面に内層導体回路４とス
ルーホール９を形成した。この内層導体回路４とスルー
ホール９の表面を酸化（黒化）−還元処理して粗化し
（図２参照）、導体回路間とスルーホール内に、充填樹
脂10としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を充填した
後（図３参照）、その基板表面を、導体回路表面および
スルーホールのランド表面が露出するまで研磨して平坦
化した（図４参照）。

【００４７】(2) 前記(1) の処理を施した基板を水洗い
し、乾燥した後、その基板を酸性脱脂してソフトエッチ
ングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒
溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化
した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、ク
エン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ
酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ／ｌの水溶液からなるｐ
Ｈ＝９の無電解めっき浴にてめっきを施し、銅導体回路
の露出した表面にCu−Ni−Ｐ合金からなる厚さ 2.5μｍ
の粗化層11（凹凸層）を形成した。このとき、前記導体
回路表面の粗化面は、その窪みの最大深さ（Ｒ_max）が
１〜５μｍであり、表面の 2.5mmの長さにおける凹凸の
高さ（Ｐｃ）のカウント値が、0.01≦Ｐｃ＜0.1 μｍが
350〜650 個、 0.1≦Ｐｃ＜１μｍが 600〜1150個であ
った。なお、導体回路表面の最大粗さ（Ｒ_max）および
表面の 2.5mmの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウ
ント値は、導体回路の表面を原子間顕微鏡（ＡＦＭ：オ
リンパス製、ＮＶ3000）を用いて50μｍ走査させ、ＡＣ
（共振）モードで測定した。さらに，その基板を、0.1m
ol／ｌホウふっ化スズ−1.0mol／ｌチオ尿素の水溶液か
らなる無電解スズ置換めっき浴に50℃で１時間浸漬し、
前記粗化層11の表面に厚さ 0.3μｍのスズ置換めっき層
を設けた（図５参照、但しスズ層については図示しな
い）。

【００４８】(3) ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメ
チルエーテル）に溶解したクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化
物を34重量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重
量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4M
Z-CN）２重量部、感光性モノマーであるカプロラクトン
変成トリス（アクロキシエチル）イソシアヌレート（東
亜合成製、商品名：アロニックスＭ315 ）４重量部、光
開始剤（チバガイギー社製、商品名：イルガキュアー90
7 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、商品名：DETX−
Ｓ）0.2 重量部、さらに、エポキシ樹脂粒子（三洋化成
製、商品名：ポリマーポール) の平均粒径1.0μｍのも
のを15重量部、平均粒径 0.5μｍのものを10重量部を混
合した後、ＮＭＰ（ノルマルメチルピロリドン）30.0重
量部を添加しながら混合し、ホモディスパー攪拌機で粘
度７Pa・ｓに調整し、続いて３本ロールで混練して感光
性の無電解めっき用接着剤溶液（層間樹脂絶縁剤）を得
た。

【００４９】(4) 前記(3) で得た感光性の接着剤溶液
を、前記(2) の処理を終えた基板の両面に、ロールコー
タを用いて塗布し、水平状態で20分間放置してから、60
℃で30分間の乾燥を行い、厚さ60μｍの接着剤層２を形
成した（図６参照）。

【００５０】(5) 前記(4) で基板の両面に形成した接着
剤層２の上に、粘着剤を介してポリエチレンテレフタレ
ートフィルム（透光性フィルム）を貼着した。そして、
厚さ５μｍの遮光インクによってバイアホールと同形の
円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmの
ソーダライムガラス基板を、円パターンが描画された側
を接着剤層２に密着させて載置し、紫外線を照射して露
光した。

【００５１】(6) 露光した基板をＤＭＴＧ（トリエチレ
ングリコールジメチルエーテル）溶液でスプレー現像す
ることにより、接着剤層２に 100μｍφのバイアホール
となる開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀
灯にて3000mJ／cm²で露光し、100℃で１時間、その後
150℃で５時間にて加熱処理することにより、フォトマ
スクフィルムに相当する寸法精度に優れた開口（バイア
ホール形成用開口）６を有する厚さ50μｍの接着剤層２
を形成した。なお、バイアホールとなる開口６には、粗
化層11を部分的に露出させた（図７参照）。

【００５２】(7) 前記(5),(6) でバイアホール形成用開
口６を形成した基板を、クロム酸水溶液に19分間浸漬
し、接着剤層２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶
解除去して、当該接着剤層２の表面を粗化し、その後、
中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗した（図
８参照）。

【００５３】(8) 前記(7) で粗面化処理（粗化深さ５μ
ｍ）を行った基板に対し、パラジウム触媒（アトテック
製）を付与することにより、接着剤層２およびバイアホ
ール用開口６の表面に触媒核を付与した。

【００５４】(9) 以下に示す組成の無電解銅めっき水溶
液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ 1.5μｍの無電
解銅めっき膜12を形成した（図９参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ硫酸銅 20 ｇ／ｌＨＣＨＯ 30 ml／ｌＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で30分

【００５５】(10)前記(9) で形成した無電解銅めっき膜
12上に市販の感光性樹脂フィルム（ドライフィルム）を
熱圧着して貼り付け、さらに、このドライフィルム上
に、クロム層によってめっきレジスト非形成部分がマス
クパターンとして描画された厚さ５mmのソーダライムガ
ラス基板を、クロム層が形成された側をドライフィルム
に密着させて載置し、110 mJ／cm²で露光し、 0.8％炭
酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジス
ト３のパターンを設けた（図10参照）。

【００５６】(11)次に、めっきレジスト非形成部分に、
以下に示す条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電
解銅めっき膜13を形成した（図11参照）。〔電解めっき水溶液〕硫酸 180 ｇ／ｌ硫酸銅 80 ｇ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製商品名：カパラシドＧＬ）１ ml／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度 1.2 Ａ／dm² 時間 30分温度室温

【００５７】(12)めっきレジスト３を５％ＫＯＨ水溶液
をスプレーして剥離除去した後、そのめっきレジスト３
下の無電解めっき膜12を、硫酸と過酸化水素の混合液で
エッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜12と
電解銅めっき膜13からなる厚さ18μｍの内層導体回路５
を形成した。さらに、粗化面11に残っているPdをクロム
酸（ 800ｇ／ｌ）水溶液に１〜２分浸漬して除去した
（図12参照）。

【００５８】(13)導体回路５を形成した基板を、硫酸銅
８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／
ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、
界面活性剤 0.1ｇ／ｌの水溶液からなるｐＨ＝９の無電
解めっき液に浸漬し、該導体回路５の表面に厚さ３μｍ
の銅−ニッケル−リンからなる粗化層11を形成した。こ
のとき、粗化層11をＥＰＭＡ（蛍光Ｘ線分析装置）で分
析したところ、Cu:98mol％、Ni:1.5 mol％、Ｐ:0.5 mol
％の組成比であった。また、前記導体回路表面の粗化面
は、その窪みの最大深さ（Ｒ_max）が１〜５μｍであ
り、表面の 2.5mmの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）の
カウント値が、0.01≦Ｐｃ＜0.1 μｍが 350〜600 個、
0.1≦Ｐｃ＜１μｍが 600〜1150個であった。なお、導
体回路表面の最大粗さ（Ｒ_max）および表面の 2.5mmの
長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値は、導体
回路の表面を原子間顕微鏡（ＡＦＭ：オリンパス製、Ｎ
Ｖ3000）を用いて50μｍ走査させ、ＡＣ（共振）モード
で測定した。そしてさらに、その基板を水洗いし、0.1m
ol／ｌホウふっ化スズ−1.0mol／ｌチオ尿素の水溶液か
らなる無電解スズ置換めっき浴に50℃で１時間浸漬し、
前記粗化層11の表面に厚さ 0.3μｍのスズ置換めっき層
を形成した（図13参照、但し、ズズ置換層は図示しな
い）。

【００５９】(14)次に、前記 (4)の工程に従って、接着
剤層２をさらに設け、その表面にポリエチレンテレフタ
レートフィルム（透光性フィルム）を貼着した後、ステ
ンレス板で配線板を挟み、20 kgf／cm²で加圧し、加熱
炉内で65℃で加熱しながら、20分間加熱プレスした。こ
の加熱プレスにより、接着剤層２の表面を平坦化して層
間樹脂絶縁層とした（図14参照）。

【００６０】(15)そして前記 (5)〜(13)の工程を繰り返
すことにより、さらに導体回路を設け、その導体回路の
表面に銅−ニッケル−リンからなる粗化層11を設けた。
但し、粗化層11の表面にはスズ置換めっき層を形成しな
かった（図15〜19参照）。

【００６１】(16)一方、ＤＭＤＧに溶解させた60重量％
のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）
のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴ
マー（分子量4000）を 46.67重量部、メチルエチルケト
ンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂（油化シェル製、商品名：エピコート1001）15.0重
量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4M
Z-CN）1.6 重量部、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー（日本化薬製、商品名：Ｒ604 ）３重量部、同
じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、商品名：DP
E6A ） 1.5重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商
品名：Ｓ−65）0.71重量部を混合し、さらにこれらの混
合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化
学製）２重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関
東化学製）0.2 重量部を加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・
ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。なお、粘
度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL-B型）で 60rpm
の場合はローターNo.4、６rpm の場合はローターNo.3に
よった。

【００６２】(17)前記(15)で得た基板の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を20μｍの厚さで塗布した。次い
で、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った
後、クロム層によってソルダーレジスト開口部の円パタ
ーン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのソーダ
ライムガラス基板を、クロム層が形成された側をソルダ
ーレジスト層に密着させて載置し、1000mJ／cm²の紫外
線で露光し、DMTG現像処理した。そしてさらに、80℃で
１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３
時間の条件で加熱処理し、はんだパッドの上面、バイア
ホールとそのランド部分を開口した（開口径 200μｍ）
ソルダーレジスト層14のパターン（厚み20μｍ）を形成
した。

【００６３】(19)次に、ソルダーレジスト層14を形成し
た基板を、塩化ニッケル30ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウ
ム10ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム10ｇ／ｌの水溶液から
なるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬し
て、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層15を形成し
た。さらに、その基板を、シアン化金カリウム２ｇ／
ｌ、塩化アンモニウム75ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム50
ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム10ｇ／ｌの水溶液からな
る無電解金めっき液に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニ
ッケルめっき層15上に厚さ0.03μｍの金めっき層16を形
成した。

【００６４】(20)そして、ソルダーレジスト層14の開口
部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフローする
ことによりはんだバンプ（はんだ体）17を形成し、はん
だバンプを有するプリント配線板を製造した（図20参
照）。

【００６５】（実施例２）フルアディティブ法 (1) ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル）に溶解したクレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を34重
量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、イ
ミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-CN）２
重量部、感光性モノマーであるカプロラクトン変成トリ
ス（アクロキシエチル）イソシアヌレート（東亜合成
製、商品名：アロニックスＭ315 ）４重量部、光開始剤
（チバガイギー社製、商品名：イルガキュアー907 ）２
重量部、光増感剤（日本化薬製、商品名：DETX−Ｓ）0.
2 重量部、さらに、エポキシ樹脂粒子( 三洋化成製、商
品名：ポリマーポール) の平均粒径1.0μｍのものを15
重量部、平均粒径 0.5μｍのものを10重量部を混合した
後、ＮＭＰ（ノルマルメチルピロリドン）30.0重量部を
添加しながら混合し、ホモディスパー攪拌機で粘度７Pa
・ｓに調整し、続いて３本ロールで混練して感光性の無
電解めっき用接着剤溶液（層間樹脂絶縁剤）を得た。

【００６６】(2) 実施例１の(1),(2) に従ってコア基板
に、前記(1) で得た無電解めっき用接着剤溶液をロール
コータで両面に塗布し、水平状態で20分間放置してか
ら、60℃で30分間の乾燥を行い、厚さ60μｍの接着剤層
２を形成した。

【００６７】(3) 前記(2) で基板の両面に形成した接着
剤層２の上に、粘着剤を介してポリエチレンテレフタレ
ートフィルム（透光性フィルム）を貼着した。そして、
厚さ５μｍの遮光インクによってバイアホールと同形の
円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmの
ソーダライムガラス基板を、円パターンが描画された側
を接着剤層２に密着させて載置し、紫外線を照射して露
光した。

【００６８】(4) 露光した基板をＤＭＴＧ（トリエチレ
ングリコールジメチルエーテル）溶液でスプレー現像す
ることにより、接着剤層２にバイアホールとなる 100μ
ｍφの開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀
灯にて3000mJ／cm²で露光し、100℃で１時間、その後
150℃で５時間にて加熱処理することにより、フォトマ
スクフィルムに相当する寸法精度に優れた開口（バイア
ホール形成用開口）６を有する厚さ50μｍの接着剤層２
を形成した。なお、バイアホールとなる開口６には、粗
化層11を部分的に露出させた（図７参照）。

【００６９】(5) バイアホール形成用開口６を形成した
基板を、クロム酸に２分間浸漬し、接着剤層２の表面に
存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去して、当該接着剤
層２の表面を粗化し、その後、中和溶液（シプレイ社
製）に浸漬してから水洗した（図８参照）。

【００７０】(6) 一方、ＤＭＤＧに溶解させたクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、商品名：EO
CN−103S）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付
与のオリゴマー（分子量4000）46.7重量部、メチルエチ
ルケトンに溶解させた80重量部のビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂（油化シェル製、商品名：エピコート1001）
15.0重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品
名：2E4MZ-CN）1.6 重量部、感光性モノマーである多価
アクリレート（日本化薬製、Ｒ−604 ）３重量部、同じ
く多価アクリルモノマー（共栄社化学製、商品名：DPE-
6A）1.5 重量部を混合し、さらにこれらの混合物の全重
量に対してアクリル酸エステルの重合体（共栄社化学
製、商品名：ポリフロー75）0.5 重量部を混合して攪拌
し、混合液Ａを調製した。また、光開始剤としてのベン
ゾフェノン（関東化学製）２重量部、光増感剤としての
ミヒラーケトン（関東化学製）0.2 重量部を40℃に加温
した３重量部のＤＭＤＧに溶解させて混合液Ｂを調製し
た。そして、上記混合液Ａと上記混合液Ｂを混合して液
状レジストを得た。

【００７１】(7) 前記(5) の処理を終えた基板上に、上
記液状レジストをロールコーターを用いて塗布し、60℃
で30分間の乾燥を行い、厚さ30μｍのレジスト層を形成
した。次いで、Ｌ／Ｓ（ラインとスペースとの比）＝50
／50の導体回路パターンの描画されたマスクフィルムを
密着させ、超高圧水銀灯により1000mJ／cm²で露光し、
ＤＭＤＧでスプレー現像処理することにより、基板上に
導体回路パターン部の抜けためっき用レジストを形成
し、さらに、超高圧水銀灯にて6000mJ／cm²で露光し、
100℃で１時間、その後、 150℃で３時間の加熱処理を
行い、接着剤層（層間樹脂絶縁層）２の上に永久レジス
ト３を形成した（図21参照）。

【００７２】(8) 永久レジスト３を形成した基板を、 1
00ｇ／ｌの硫酸水溶液に浸漬処理して触媒核を活性化し
た後、下記組成を有する無電解銅−ニッケル合金めっき
浴を用いて一次めっきを行い、レジスト非形成部分に厚
さ約1.7 μｍの銅−ニッケル−リンめっき薄膜を形成し
た。このとき、めっき浴の温度は60℃とし、めっき浸漬
時間は１時間とした。なお、析出速度は、1.7 μｍ／時間とした。

【００７３】(9) 一次めっき処理した基板を、めっき浴
から引き上げて表面に付着しているめっき液を水で洗い
流し、さらに、その基板を酸性溶液で処理することによ
り、銅−ニッケル−リンめっき薄膜表層の酸化皮膜を除
去した。その後、Ｐｄ置換を行うことなく、銅−ニッケ
ル−リンめっき薄膜上に、下記組成の無電解銅めっき浴
を用いて二次めっきを施すことにより、アディティブ法
による導体として必要な外層導体パターンおよびバイア
ホール（BVH ）を形成した（図22参照）。このとき、め
っき浴の温度は50〜70℃とし、めっき浸漬時間は90〜36
0 分とした。金属塩… CuSO₄・5H₂O ： 8.6 ｍＭ錯化剤…ＴＥＡ： 0.15Ｍ還元剤…ＨＣＨＯ： 0.02Ｍその他…安定剤（ビピリジル、フェロシアン化カリウム
等）：少量析出速度は、６μｍ／時間 (10)このようにしてアディティブ法による導体層を形成
した後、＃600 のベルト研磨紙を用いたベルトサンダー
研磨により、基板の片面を、永久レジストの上面と導体
回路上面ならびにバイアホールのランド上面とが揃うま
で研磨した。引き続き、ベルトサンダーによる傷を取り
除くためにバフ研磨を行った（バフ研磨のみでもよ
い）。そして、他方の面についても同様に研磨して、基
板両面が平滑なプリント配線基板を得た。

【００７４】(11)そして、表面を平滑化したプリント配
線基板を、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、
クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホ
ウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ／ｌの水溶液からなる
ｐＨ＝９の無電解めっき液に浸漬し、厚さ３μｍの銅−
ニッケル−リン合金からなる粗化層11を基板表面に露出
している導体表面に形成した（図23参照）。このとき、
粗化層11をＥＰＭＡ（蛍光Ｘ線分析装置）で分析したと
ころ、Cu:98mol％、Ni:1.5 mol％、Ｐ:0.5 mol％の組成
比であった。また、前記導体回路表面の粗化面は、その
窪みの最大深さ（Ｒ_max）が１〜５μｍであり、表面の
2.5mmの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値
が、0.01≦Ｐｃ＜0.1 μｍが350〜650 個、 0.1≦Ｐｃ
＜１μｍが 600〜1150個であった。なお、導体回路表面
の最大粗さ（Ｒ_max）および表面の 2.5mmの長さにおけ
る凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値は、導体回路の表面
を原子間顕微鏡（ＡＦＭ：オリンパス製、ＮＶ3000）を
用いて50μｍ走査させ、ＡＣ（共振）モードで測定し
た。その後、前述の工程を繰り返すことにより、アディ
ティブ法による導体層を更にもう一層形成し、このよう
にして配線層をビルドアップすることにより６層の多層
プリント配線板を得た。

【００７５】(12)さらに、実施例１の(16)〜(20)の工程
に従ってソルダーレジスト層14とはんだバンプ17を形成
し、はんだバンプ17を有するプリント配線板を製造した
（図24参照）。

【００７６】（比較例１）前記実施例１の工程(7) にお
いて、導体回路表面を、 CF₄＋O₂プラズマにより粗化
し、その粗化面を、中心線平均粗さ（Ｒａ）で１〜５μ
ｍとし、かつ、その表面の 2.5mmの長さにおける凹凸の
高さ（Ｐｃ）のカウント値を、0.01≦Ｐｃ≦0.1 μｍが
35000〜40000 個、 0.1≦Ｐｃ≦１μｍが4000〜5000個
としたこと以外は、実施例１と同様にしてはんだバンプ
を有するプリント配線板を製造した。なお、中心線平均
粗さ（Ｒａ）および表面の 2.5mmの長さにおける凹凸の
高さ（Ｐｃ）のカウント値は、実施例１と同様に、接着
剤層の表面を原子間顕微鏡（ＡＦＭ：オリンパス製、Ｎ
Ｖ3000）を用いて50μｍ走査させ、ＡＣ（共振）モード
で測定した。

【００７７】このようにして製造した実施例および比較
例にかかるプリント配線板について以下に示す試験なら
びに評価を行った。．温度 121℃、気圧２atm 、相対湿度 100％の条件に
曝して、層間絶縁層のフクレの有無により、導体回路と
層間絶縁層との密着性を評価した。． 128℃×48時間で加熱して、 100穴のバイアホール
チェーン間の抵抗変化の有無により、樹脂残りの有無を
評価した。

【００７８】これらの試験ならびに評価の結果を表１に
示す。

【表１】

【００７９】．この表に示す結果から明らかなよう
に、本発明のプリント配線板は、導体回路と層間絶縁樹
脂との密着性に優れていた。．実施例の配線板は、比較例よりもバイアホール用開
口底部の表面抵抗値が低い。これは、比較例の配線板で
は、粗化面の窪みが深すぎて、層間絶縁樹脂が溶解除去
できず残存しているためと考えられる。

【００８０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、導
体回路表面に設けた粗化面を、窪みの最大深さ
（Ｒ_max）が 0.1〜10μｍであり、表面の 2.5mmの長さ
における凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、0.01≦Ｐ
ｃ＜0.1 μｍが 100個以上 30000個未満、 0.1≦Ｐｃ＜
１μｍが 100個以上 10000個未満となるように調整して
いるので、導体回路と層間絶縁樹脂との密着性に優れ、
層間の接続信頼性を確保した、信頼性に優れるプリント
配線板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図２】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図３】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図４】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図５】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図６】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図７】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図８】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図９】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図10】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図11】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図12】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図13】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図14】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図15】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図16】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図17】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図18】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図19】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図20】実施例１にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図21】実施例２にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図22】実施例２にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図23】実施例２にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【図24】実施例２にかかる多層プリント配線板の一製造
工程を示す図である。

【符号の説明】

１基板２層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）３永久レジスト（めっきレジスト）４内層導体回路（内層パターン）５内層導体回路（第２層パターン）６バイアホール用開口７バイアホール８銅箔９スルーホール 10 樹脂充填剤 11 粗化層 12 無電解めっき膜 13 電解めっき膜 14 ソルダーレジスト層 15 ニッケルめっき層 16 金めっき層 17 はんだ体（はんだバンプ）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E343 AA07 AA15 AA17 BB17 BB24 BB34 BB55 BB67 CC03 CC04 CC47 CC73 CC78 DD33 EE01 ER18 GG02 5E346 CC04 CC09 CC32 CC33 CC41 EE12 EE33 FF07 FF13 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の導体回路上に、層間絶縁層が形成
されたプリント配線板において、前記導体回路の表面には粗化面が形成され、その粗化面
は、窪みの最大深さ（Ｒ_max）が 0.1〜10μｍであり、
表面の 2.5mmの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウ
ント値が、0.01≦Ｐｃ＜0.1 μｍが 100個以上 30000個
未満、 0.1≦Ｐｃ＜１μｍが 100個以上 10000個未満で
あることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】前記粗化面は、銅−ニッケル−リン合金
層によって形成されていることを特徴とする請求項１に
記載のプリント配線板。