JPH11298070A - 半導体レーザモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 安定して動作する半導体レーザモジュールを
提供する。 【解決手段】 半導体レーザモジュール１０は、半導体
レーザ１２、半導体レーザを内包する金属製パッケージ
１４、半導体レーザ１２の駆動のために、位相が互いに
１８０゜異なる正相、逆相の２つの駆動信号を出力する
駆動回路１５と駆動回路１５から出力された駆動信号を
半導体レーザ１２に供給するための配線パターンとが主
面上に設けられた基板１６、基板１６が搭載されるとと
もに金属製パッケージ１４と２カ所Ａ、Ｂで溶接された
リードフレーム１８を備えて構成される。上記配線パタ
ーンのうち、正相の駆動信号を前記半導体レーザ１２に
供給するための正相信号用配線部分５０と、逆相の駆動
信号を半導体レーザ１２に供給するための逆相信号用配
線部分５６とが実質的に同一形状となっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ及び
半導体レーザ駆動回路を搭載した、半導体レーザモジュ
ールに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光通信における発光モジュールなどとし
て、半導体レーザモジュールが広く用いられている。半
導体レーザモジュールは、通常、図８に示すようになっ
ている。すなわち、半導体レーザモジュール１００は、
半導体レーザ１０２と、半導体レーザ１０２を内包する
金属製パッケージ１０４と、半導体レーザ１０２を駆動
するための駆動回路１０６と配線パターンとが主面上に
設けられた配線基板１０８と、配線基板１０８が搭載さ
れるとともに、金属製パッケージ１０４と電気的に接続
されたリードフレーム１１０とを備えて構成される。

【０００３】駆動回路１０６は、半導体レーザ１０２の
駆動用の信号として、出力端子Ｏ１から特定の変調電流
（以下正相信号という）を出力し、出力端子Ｏ２からは
正相信号と位相が１８０゜異なる変調電流（以下逆相信
号という）を出力することができるようになっている。

【０００４】駆動回路１０６の出力端子Ｏ１は、図８に
示すように、ボンディングワイヤ１１１、配線基板上１
０８上に設けられた配線パターンのうちの正相信号用配
線部分１１２及びボンディングワイヤ１１４を介してア
ノード側リードピン１１６に接続されており、出力端子
Ｏ１から出力された正相信号は、正相信号用配線部分１
１２、アノード側リードピン１１６及びボンディングワ
イヤ１１１、１１４、１１８を介して半導体レーザ１０
２のアノードに供給される。また、駆動回路１０６の出
力端子Ｏ２は、ボンディングワイヤ１２０、配線基板１
０８上に設けられた配線パターンのうちの逆相信号用配
線部分１２２及びボンディングワイヤ１２４を介してカ
ソード側リードピン１２６に接続されており、出力端子
Ｏ２から出力された逆相信号は、逆相信号用配線部分１
２２、カソード側リードピン１２６及びボンディングワ
イヤ１２０、１２４、１２８を介して半導体レーザ１０
２のカソードに供給される。従って、上記正相信号、逆
相信号により、半導体レーザ１０２の点灯・消灯が制御
される。

【０００５】また、配線パターンのうち、正相信号用配
線部分１１２は、逆相信号用配線部分と比較して大面積
に形成されており、この正相信号用配線部分１１２と配
線基板１０８の裏面との間でコンデンサを形成してい
る。かかるコンデンサは、電源のバイパスコンデンサと
して機能し、駆動回路１０６に発生する高周波ノイズを
除去することが可能となる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記構成の半導体レー
ザは、正相信号用配線部分１１２を逆相信号用配線部分
と比較して大面積に形成しているため、低周波の駆動信
号を用いて制御する場合は効果的に高周波ノイズが除去
され、安定動作が可能となる。しかし、半導体レーザを
高周波の駆動信号を用いて制御する場合は、かかる大面
積の正相信号用配線部分１１２が、駆動回路から半導体
レーザへの信号伝達経路における寄生容量として作用
し、信号伝達特性を劣化させるという問題点があった。

【０００７】そこで本発明は、上記問題点を解決し、高
周波の駆動信号に対しても信号伝達特性を劣化させるこ
となく、安定して動作する半導体レーザモジュールを提
供することを課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体レーザモジュールは、半導体レーザ
と、半導体レーザを内包する金属製パッケージと、半導
体レーザの駆動のために、位相が互いに１８０゜異なる
正相、逆相の２つの駆動信号を出力する駆動回路と駆動
回路から出力された駆動信号を半導体レーザに供給する
ための配線パターンとが主面上に設けられた基板と、基
板が搭載されるとともに金属製パッケージと電気的に接
続されたリードフレームとを備え、上記配線パターンの
うち、上記正相の駆動信号を半導体レーザに供給するた
めの正相信号用配線部分と上記逆相の駆動信号を半導体
レーザに供給するための逆相信号用配線部分とが実質的
に同一形状であることを特徴としている。

【０００９】正相信号用配線部分と逆相信号用配線部分
とを実質的に同一の形状としたことにより、正相信号用
配線部分が有するインピーダンスと逆相信号用配線部分
が有するインピーダンスとが実質的に等しくなる。従っ
て、駆動回路から半導体レーザへの正相信号伝達経路の
インピーダンスと逆相信号伝達経路のインピーダンスと
をほぼ等しくすることができる。

【００１０】本発明の半導体レーザモジュールは、正相
信号用配線部分と逆相信号用配線部分とが、半導体レー
ザの高周波特性を補償する素子を介して接続されている
ことを特徴とすることが好適である。

【００１１】正相信号用配線部分と逆相信号用配線部分
とを、半導体レーザの高周波特性を補償する素子を介し
て接続することで、正相信号・逆相信号間に発生する遅
延時間を小さくすることができる。

【００１２】本発明の半導体レーザモジュールは、上記
素子が抵抗とコンデンサとを直列接続した素子であるこ
とを特徴とすることが好適である。

【００１３】上記素子を抵抗とコンデンサとから構成す
ることで、高周波特性を補償する素子の構成が簡単とな
る。

【００１４】本発明の半導体レーザモジュールは、上記
素子が、抵抗とコンデンサとを一体形成した素子である
ことを特徴とすることが好適である。

【００１５】上記素子を抵抗とコンデンサとを一体形成
することによって構成することで、上記素子を小型化で
きるとともに、コンデンサと抵抗とを接続する配線部分
が不要となる。

【００１６】本発明の半導体レーザモジュールは、金属
製パッケージとリードフレームとが２カ所以上で溶接加
工されていることを特徴とすることが好適である。

【００１７】金属製パッケージとリードフレームとを２
カ所以上で溶接加工することで、半導体レーザモジュー
ルの機械的強度が増すとともに、半導体レーザモジュー
ルが電気的にも安定する。

【００１８】本発明の半導体レーザモジュールは、基板
がガラスセラミックからなる多層基板であることを特徴
とすることが好適である。

【００１９】ガラスセラミックからなる多層基板を用い
ることで、高周波領域における配線基板のインピーダン
スの変動が防止される。

【００２０】本発明の半導体レーザモジュールは、駆動
信号が１ＧＨｚ以上の周波数成分を有することを特徴と
しても良い。

【００２１】駆動信号が１ＧＨｚ以上の周波数成分を有
する場合に、本発明の半導体レーザモジュールを用いる
ことが特に効果的である。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態にかかる
半導体レーザモジュールを図面を用いて説明する。ま
ず、本実施形態にかかる半導体レーザモジュールの構成
について説明する。図１は、本実施形態にかかる半導体
レーザモジュールの構成図である。

【００２３】半導体レーザモジュール１０は、半導体レ
ーザ１２と、半導体レーザ１２を内包する金属製パッケ
ージ１４と、半導体レーザ１２を駆動するための駆動回
路１５と配線パターンとが主面上に設けられた配線基板
１６と、配線基板１６が搭載されるとともに、金属製パ
ッケージ１４と電気的に接続されたリードフレーム１８
とを備えて構成される。以下、詳細に説明する。

【００２４】金属製パッケージ１４は、円筒形状を有す
る内側パッケージ２０と、内側パッケージ１４を内包す
るように設けられ、肉厚円筒形状を有する補強部材２２
とを備えている。内側パッケージ２０の上面中央部に
は、内側パッケージ２０内に設けられた半導体レーザ１
２によって発せられたレーザ光を集光するための集光レ
ンズ２４が設けられている。また、補強部材２２の上部
には、光ファイバ先端のフェルールを受納するための金
属製スリーブ２６が溶接されている。ここで、半導体レ
ーザ１２から発せられた光を光ファイバに効率よく導く
ため、半導体レーザ１２、集光レンズ２４及び金属製ス
リーブ２６のフェルール受納部は、光軸合わせがなされ
ている。

【００２５】半導体レーザ１２は、内側パッケージ２０
に内包され、サブマウント２６を介して内側パッケージ
２０の下部に固定されている。また、内側パッケージ２
０の下部にはアノード側リードピン２８とカソード側リ
ードピン３０が設けられており、それぞれボンディング
ワイヤ３２、３４を介して半導体レーザ１２のアノー
ド、カソードに接続されている。ここで、アノード側リ
ードピン２８は内側パッケージ２０と電気的に接続され
ている一方で、カソード側リードピン３０は内側パッケ
ージ２０と電気的に絶縁されている。

【００２６】金属製パッケージ１４は、補強部材２２と
リードフレーム１８を図１のＡ、Ｂの２カ所で溶接する
ことにより、リードフレーム１８と電気的かつ機械的に
接続されている。従って、アノード側リードピン２８、
金属製パッケージ１４及びリードフレーム１８は全て等
電位（接地電位）となり、半導体レーザ１２の耐雑音特
性の向上に寄与している。

【００２７】リードフレーム１８の中央部の基板搭載ラ
ンド１８ａ上には、ガラスセラミックからなる多層基板
である配線基板１６が搭載されている。また、配線基板
１６の主面上には、半導体レーザ１２を駆動するため
に、位相が互いに１８０゜異なる正相、逆相の２つの駆
動信号を出力する駆動回路１５と、駆動回路１５から出
力された駆動信号を半導体レーザ１２に供給するための
配線パターンとが設けられている。

【００２８】駆動回路１５は、図２に示すような構成と
なっている。すなわち、駆動回路１５は、入力端子Ｉか
ら入力された入力信号（周期信号）を増幅し、増幅され
た入力信号及び当該増幅された入力信号の反転信号を出
力する増幅器３８と、増幅器３８から出力された信号に
よって駆動する差動アンプとから主に構成される。差動
アンプは、増幅器３８によって増幅された入力信号がゲ
ートに入力されるＦＥＴ４０と、増幅器３８から出力さ
れた反転信号がゲートに入力されるＦＥＴ４２とからな
り、ＦＥＴ４０のソースとＦＥＴ４２のソースとは互い
に接続され、共通ソースとなっている。また、当該共通
ソースには、変調電流制御用ＦＥＴ４４が接続されてお
り、この変調電流制御用ＦＥＴ４４によって、ＦＥＴ４
０及びＦＥＴ４２に振り分ける総電流量が制御される。
上記構成により、ＦＥＴ４０のドレイン側に接続された
出力端子Ｏ１からは特定の変調電流（以下正相信号とい
う）が出力され、ＦＥＴ４２のドレイン側に接続された
出力端子Ｏ２からは正相信号と位相が１８０゜異なる変
調電流（以下逆相信号という）が出力されることにな
る。また、ＦＥＴ４２のドレインと変調電流制御用ＦＥ
Ｔ４４のソース間には、半導体レーザ１２に対し、変調
電流に加えてバイアス電流（直流電流）を与えるための
バイアス電流制御用ＦＥＴ４６が設けられている。バイ
アス電流制御用ＦＥＴ４６により、半導体レーザ１２が
駆動する閾値電流をバイアス電流として与えることで、
上記変調電流によってのみ半導体レーザ１２の点灯・消
灯を制御することが可能となる。より具体的には、半導
体レーザ１２のアノード側は接地電位となっていること
から、カソード側の電位が負となることで半導体レーザ
１２が発光することになる。

【００２９】駆動回路１５の出力端子Ｏ１は、図１に示
すように、ボンディングワイヤ４８、配線基板上１６上
に設けられた配線パターンのうちの正相信号用配線部分
５０及びボンディングワイヤ５２を介してアノード側リ
ードピン２８に接続されており、出力端子Ｏ１から出力
された正相信号は、正相信号用配線部分５０、アノード
側リードピン２８及びボンディングワイヤ３２、４８、
５２を介して半導体レーザ１２のアノードに供給され
る。また、駆動回路１５の出力端子Ｏ２は、ボンディン
グワイヤ５４、配線基板上１６上に設けられた配線パタ
ーンのうちの逆相信号用配線部分５６及びボンディング
ワイヤ５８を介してカソード側リードピン３０に接続さ
れており、出力端子Ｏ２から出力された逆相信号は、逆
相信号用配線部分５６、カソード側リードピン３０及び
ボンディングワイヤ３４、５４、５８を介して半導体レ
ーザ１２のカソードに供給される。

【００３０】ここで配線パターンのうち、正相信号用配
線部分５０と逆相信号用配線部分５６は、どちらも長方
形で大きさが等しくなっており、実質的に同一の形状と
なっている。

【００３１】また、逆相信号用配線部分５６とリードフ
レーム１８との間には、半導体レーザ１２の高周波特性
を補償するための素子として、コンデンサ６０と抵抗６
２とが直列に接続されている。さらに、配線基板１６上
には、駆動回路１５に発生する高周波ノイズを除去する
目的で、幅広配線パターン６４が設けられ、ボンディン
グワイヤ６６を介してリードフレーム１８と接続されて
いる。

【００３２】続いて、本実施形態にかかる半導体レーザ
モジュールの作用について説明する。図３は、ボンディ
ングワイヤ、配線パターン等のインピーダンス分を考慮
した半導体レーザモジュール１０の等価回路である。
尚、図３中の四角形で表された各要素は、ボンディング
ワイヤ、配線パターン等のインピーダンス分を有する部
品を示しており、部分６８は配線基板上のその他の部分
（本明細書で言及しない部分）のインピーダンス分をま
とめて表したものであり、コンデンサ７０は配線基板１
６の寄生容量分を等価的に表したものである。また、本
実施形態にかかる半導体レーザモジュール１０では、ボ
ンディングワイヤとして径が２０〜１５０μｍ程度の細
い金線又はアルミ線等を用いているため、ボンディング
ワイヤの寄生インダクタンスは大きくても１ｎＨ／ｍｍ
程度である。

【００３３】半導体レーザモジュール１０は、正相信号
用配線部分５０と逆相信号用配線部分５６を実質的に同
一の形状としたことにより、正相信号用配線部分５０が
有するインピーダンスと逆相信号用配線部分５６が有す
るインピーダンスとが実質的に等しくなる。従って、駆
動回路１５の出力端子Ｏ１と半導体レーザ１２のアノー
ド間のインピーダンスと駆動回路１５の出力端子Ｏ２と
半導体レーザ１２のカソード間のインピーダンスとをほ
ぼ等しくすることができる。

【００３４】また、半導体レーザモジュール１０は、金
属製パッケージ１４とリードフレーム１８とを２カ所で
溶接することにより、機械的にも電気的に安定する。特
に、接地電位の安定性が極めて良くなる。

【００３５】さらに、半導体レーザモジュール１０は、
配線基板１６としてガラスセラミックからなる多層基板
を用いていることにより、高周波領域における配線基板
１６のインピーダンスの変動が防止される。

【００３６】続いて、本実施形態にかかる半導体レーザ
モジュールの効果について説明する。半導体レーザモジ
ュール１０は、正相信号用配線部分５０と逆相信号用配
線部分５６を実質的に同一の形状としたことにより、駆
動回路１５の出力端子Ｏ１と半導体レーザ１２のアノー
ド間のインピーダンスと駆動回路１５の出力端子Ｏ２と
半導体レーザ１２のカソード間のインピーダンスとをほ
ぼ等しくすることができる。従って、駆動回路１５の出
力端子Ｏ１と半導体レーザ１２のアノード間のインピー
ダンスと駆動回路１５の出力端子Ｏ２と半導体レーザ１
２のカソード間のインピーダンスとの不整合に起因する
信号伝達特性の劣化、誤作動が防止され、安定動作が実
現する。

【００３７】また、半導体レーザモジュール１０は、金
属製パッケージ１４とリードフレーム１８とを２カ所で
溶接することにより、機械的にも電気的に安定する。そ
の結果、半導体レーザモジュールの機械的強度が大きく
なるとともに、接地電位の変動に起因する応答特性の劣
化（例えば、信号の立ち上がり時のオーバシュート、信
号立ち下がり時のアンダシュートなど）が防止され、極
めて良好な応答特性を得ることが可能となる。

【００３８】さらに、半導体レーザモジュール１０は、
配線基板１６としてガラスセラミックからなる多層基板
を用いていることにより、高周波領域における配線基板
１６のインピーダンスの変動が防止される。従って、配
線基板１６のインピーダンスの変動に起因する信号伝達
特性の変動を防止することが可能となり、高周波領域に
おいても安定動作が実現する。

【００３９】また、半導体レーザモジュール１０は上記
構成となっていることより、１ＧＨｚ以上の周波数成分
を有する駆動信号を用いる場合においても良好な信号伝
達特性を維持することができ、安定動作が実現する。

【００４０】続いて、本発明の第２の実施形態にかかる
半導体レーザモジュールについて図面を用いて説明す
る。尚、第１の実施形態にかかる半導体レーザモジュー
ル１０と同一の部分については説明を省略する。まず、
本実施形態にかかる半導体レーザモジュールの構成につ
いて説明する。図４は、本実施形態にかかる半導体レー
ザモジュールの構成図である。本実施形態にかかる半導
体レーザモジュール９０が、第１の実施形態にかかる半
導体レーザモジュール１０と構成上異なる点は、第１の
実施形態にかかる半導体レーザモジュール１０は、半導
体レーザ１２の高周波特性を補償するための素子とし
て、コンデンサ６０と抵抗６２とを、逆相信号用配線部
分５６とリードフレーム１８との間に接続していたが、
本実施形態にかかる半導体レーザモジュール９０は、こ
れらのコンデンサ６０と抵抗６２とを、正相信号用配線
部分５０と逆相信号用配線部分５６との間に接続してい
る点である。また、コンデンサ６０と抵抗６２は一体形
成された一体型素子７２となっている。

【００４１】一体型素子７２は、図５に示すように、一
体型素子７２の基板となるダイキャップ７４のおもて面
７４ａ上に、おもて面７４ａの約半分の面積を有するお
もて面側電極７６、おもて面側電極７６に一端が接続さ
れる印刷抵抗７８、印刷抵抗７８の他端に接続される抵
抗用電極８０が設けられ、ダイキャップ７４の裏面に、
ほぼ裏面全体にわたる裏面側電極（図示せず）が設けら
れた構成となっている。上記構成により、印刷抵抗７８
が抵抗６２として作用し、また、おもて面側電極７６と
裏面側電極とがコンデンサ６０として作用することにな
る。また、配線基板１６上においては、一体型素子７２
の抵抗用電極８０と逆相信号用配線部分５６、一体型素
子７２の裏面側電極と正相信号用配線部分５０とがそれ
ぞれ電気的に接続されている。

【００４２】続いて、本実施形態にかかる半導体レーザ
の作用及び効果について説明する。図６は、ボンディン
グワイヤ、配線パターン等のインピーダンス分を考慮し
た半導体レーザモジュール９０の等価回路である。半導
体レーザモジュール９０は、半導体レーザ１２の高周波
特性を補償するための素子である、コンデンサ６０と抵
抗６２とを、正相信号用配線部分５０と逆相信号用配線
部分５６との間に接続したことにより、正相信号・逆相
信号間に発生する遅延時間を小さくできる。その結果、
半導体レーザ１２の高周波特性の補償を効果的に行うこ
とができ、高周波領域における安定動作が実現する。

【００４３】また、半導体レーザモジュール９０は、半
導体レーザ１２の高周波特性を補償するために、コンデ
ンサ６０と抵抗６２とを一体形成した一体型素子７２を
用いている。よって、コンデンサ６０および抵抗６２を
小型化できるとともに、コンデンサ６０と抵抗６２とを
接続する配線部分が不要となる。その結果、コンデンサ
６０および抵抗６２の素子自身が有する寄生容量のみな
らず、コンデンサ６０と抵抗６２とを接続する配線部分
に起因する寄生容量を小さくでき、正確な周波数特性の
補償が可能となる。

【００４４】上記第１、第２の実施形態にかかる半導体
レーザモジュール１０、９０において、正相信号用配線
部分５０と逆相信号用配線部分５６とは、互いに大きさ
が等しい長方形の形状を有していたが、実質的に同一形
状であれば、かかる形状でなくても良い。たとえは、Ｌ
字型やコの字型の形状であっても良い。また、正相信号
用配線部分５０と逆相信号用配線部分５６とは、実質的
に同一形状であれば、特定の直線に対して線対称な形
状、特定の点に対して点対称な形状とであっても良い。

【００４５】また、上記第２の実施形態にかかる半導体
レーザモジュール９０に用いる一体型素子は、図７に示
すような一体型素子８２であっても良い。図７（ａ）
は、一体型素子８２を一方の主面（おもて面）側からみ
た斜視図であり、図７（ｂ）は、一体型素子８２を他方
の主面（裏面）側からみた斜視図である。

【００４６】一体型素子８２の基板となるダイキャップ
８４のおもて面８４ａ上には、図７（ａ）に示すよう
に、おもて面７４ａの半分近い面積を有する第１のおも
て面側電極８６、第１のおもて側電極８６とほぼ同面積
を有する第２のおもて面側電極８８、及び、一端が第１
のおもて面側電極８６に接続され、他端が第２のおもて
面側電極８８に接続された印刷抵抗７８が設けられてい
る。また、図７（ｂ）に示すように、ダイキャップ７４
の裏面の、第１のおもて面側電極８６、第２のおもて面
側電極８８に対応する部位に、それぞれ第１の裏面側電
極９４と第２の裏面側電極９６とが設けられている。上
記構成により、印刷抵抗７８が抵抗６２として作用し、
また、第１のおもて面側電極８６と第１の裏面側電極９
４、及び、第２のおもて面側電極８８と第２の裏面側電
極９６とがそれぞれコンデンサ６０として作用すること
になる。また、配線基板１６上においては、一体型素子
８２の第１の裏面側電極９４と正相信号用配線部分５
０、一体型素子８２の第２の裏面側電極９６と逆相信号
用配線部分５６とがそれぞれ電気的に接続されている。

【００４７】一体型素子８２は、印刷抵抗７８からみて
対称な構造となっているため、駆動回路１５の出力端子
Ｏ１と半導体レーザ１２のアノード間のインピーダンス
と駆動回路１５の出力端子Ｏ２と半導体レーザ１２のカ
ソード間のインピーダンスとの不整合をさらに小さくす
ることが可能となる。

【００４８】

【発明の効果】本発明の半導体レーザモジュールは、正
相信号用配線部分と逆相信号用配線部分とを実質的に同
一の形状としたことにより、駆動回路から半導体レーザ
への正相信号伝達経路のインピーダンスと逆相信号伝達
経路のインピーダンスとをほぼ等しくすることができ
る。その結果、駆動回路から半導体レーザへの正相信号
伝達経路のインピーダンスと逆相信号伝達経路のインピ
ーダンスとの不整合に起因する信号伝達特性の劣化、誤
作動が防止され、安定動作が実現する。

【００４９】また、半導体レーザモジュールは、金属製
パッケージとリードフレームとを２カ所以上で溶接する
ことにより、機械的にも電気的に安定する。その結果、
半導体レーザモジュールの機械的強度が大きくなるとと
もに、接地電位の変動に起因する応答特性の劣化が防止
され、極めて良好な応答特性を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態にかかる半導体レーザ
モジュールの構成図である。

【図２】駆動回路の回路構成図である。

【図３】本発明の第１の実施形態にかかる半導体レーザ
モジュールの等価回路図である。

【図４】本発明の第２の実施形態にかかる半導体レーザ
モジュールの構成図である。

【図５】一体型素子の構成図である。

【図６】本発明の第２の実施形態にかかる半導体レーザ
モジュールの等価回路図である。

【図７】一体型素子の構成図である。

【図８】従来技術にかかる半導体レーザモジュールの構
成図である。

【符号の説明】

１０、９０…半導体レーザモジュール、１２…半導体レ
ーザ、１４…金属製パッケージ、１５…駆動回路、１６
…配線基板、１８…リードフレーム、２０…内側パッケ
ージ、２２…補強部材、２４…集光レンズ、２６…サブ
マウント、２８…アノード側リードピン、３０…カソー
ド側リードピン、５０…正相信号用配線部分、５６…逆
相信号用配線部分、６０…抵抗、６２…コンデンサ、７
２、８２…一体型素子

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザと、 前記半導体レーザを内包する金属製パッケージと、 前記半導体レーザの駆動のために、位相が互いに１８０
   ゜異なる正相、逆相の２つの駆動信号を出力する駆動回
   路と、前記駆動回路から出力された駆動信号を前記半導
   体レーザに供給するための配線パターンと、が主面上に
   設けられた基板と、 前記基板が搭載されるとともに、前記金属製パッケージ
   と電気的に接続されたリードフレームと、を備え、 前記配線パターンのうち、 前記正相の駆動信号を前記半導体レーザに供給するため
   の正相信号用配線部分と、前記逆相の駆動信号を前記半
   導体レーザに供給するための逆相信号用配線部分とが、
   実質的に同一形状であることを特徴とする半導体レーザ
   モジュール。
2. 【請求項２】 前記正相信号用配線部分と前記逆相信号
   用配線部分とは、前記半導体レーザの高周波特性を補償
   する素子を介して接続されていることを特徴とする請求
   項１に記載の半導体レーザモジュール。
3. 【請求項３】 前記素子は、 抵抗とコンデンサとを直列接続した素子であることを特
   徴とする請求項２に記載の半導体レーザモジュール。
4. 【請求項４】 前記素子は、 抵抗とコンデンサとを一体形成した素子であることを特
   徴とする請求項３に記載の半導体レーザモジュール。
5. 【請求項５】 前記金属製パッケージと前記リードフレ
   ームとは、 ２カ所以上で溶接加工されていることを特徴とする請求
   項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュー
   ル。
6. 【請求項６】 前記基板は、 ガラスセラミックからなる多層基板であることを特徴と
   する請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ
   モジュール。
7. 【請求項７】 前記駆動信号は、 １ＧＨｚ以上の周波数成分を有することを特徴とする請
   求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュ
   ール。