JPH11297507A - バリスタとその製造方法 - Google Patents
バリスタとその製造方法Info
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- JPH11297507A JPH11297507A JP10097261A JP9726198A JPH11297507A JP H11297507 A JPH11297507 A JP H11297507A JP 10097261 A JP10097261 A JP 10097261A JP 9726198 A JP9726198 A JP 9726198A JP H11297507 A JPH11297507 A JP H11297507A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 電圧非直線性が良好で、かつ、信頼性に優れ
たバリスタを提供する。 【解決手段】 金属粉末と、樹脂と溶剤とを混合した樹
脂ペースト中にバリスタ素体１１の両端面を浸漬し、バ
リスタ素体１１の両端面に樹脂ペーストを塗布した後、
熱処理することにより樹脂全体を硬化し、樹脂電極１３
を形成する。また、バリスタ素体の表面に設けた電極に
電気的に接続するようにバリスタ素体の内部に複数の内
部電極を設けた。また、電極は、少なくとも二層より構
成され、下層は金属電極、上層は樹脂電極からなる。ま
た、バリスタ素体中にＢｉ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｂ，Ｓｂのう
ち、少なくとも１つを含有する。
たバリスタを提供する。 【解決手段】 金属粉末と、樹脂と溶剤とを混合した樹
脂ペースト中にバリスタ素体１１の両端面を浸漬し、バ
リスタ素体１１の両端面に樹脂ペーストを塗布した後、
熱処理することにより樹脂全体を硬化し、樹脂電極１３
を形成する。また、バリスタ素体の表面に設けた電極に
電気的に接続するようにバリスタ素体の内部に複数の内
部電極を設けた。また、電極は、少なくとも二層より構
成され、下層は金属電極、上層は樹脂電極からなる。ま
た、バリスタ素体中にＢｉ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｂ，Ｓｂのう
ち、少なくとも１つを含有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば電気回路の
過電圧の保護を目的とするバリスタとその製造方法に関
するものである。
過電圧の保護を目的とするバリスタとその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、バリスタは、酸化亜鉛を主成分と
し、副成分として酸化ビスマス等を添加して形成したバ
リスタ素体を焼成後、その表面に貴金属粉末、ガラスフ
リット、有機ビヒクルを混合したものを塗布し、６００
〜８５０℃程度で熱処理し、電極を形成したものであっ
た。
し、副成分として酸化ビスマス等を添加して形成したバ
リスタ素体を焼成後、その表面に貴金属粉末、ガラスフ
リット、有機ビヒクルを混合したものを塗布し、６００
〜８５０℃程度で熱処理し、電極を形成したものであっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この方法によると、焼
成によりバリスタとしての電気特性を得た後に、外部電
極形成のために、さらに焼成温度に近い高温で熱処理を
行うため、酸化ビスマスなどの粒界構成物質の相転移等
の反応が進行し、電圧非直線性が劣化するなどの電気特
性が変動するという問題点を有していた。
成によりバリスタとしての電気特性を得た後に、外部電
極形成のために、さらに焼成温度に近い高温で熱処理を
行うため、酸化ビスマスなどの粒界構成物質の相転移等
の反応が進行し、電圧非直線性が劣化するなどの電気特
性が変動するという問題点を有していた。
【０００４】そこで、本発明は、電圧非直線性が良好な
バリスタを提供することを目的とするものである。
バリスタを提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明のバリスタは、バリスタ素体と、このバリス
タ素体の表面に設けた電極とを備え、この電極は金属成
分と熱硬化性樹脂とを含有したもので形成されたことを
特徴とするものであり、３５０℃以下という低温で電極
を形成できるため、バリスタ素体において粒界構成物質
の相転移等の反応を抑制することができ、上記目的を達
成できる。
に、本発明のバリスタは、バリスタ素体と、このバリス
タ素体の表面に設けた電極とを備え、この電極は金属成
分と熱硬化性樹脂とを含有したもので形成されたことを
特徴とするものであり、３５０℃以下という低温で電極
を形成できるため、バリスタ素体において粒界構成物質
の相転移等の反応を抑制することができ、上記目的を達
成できる。
【０００６】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、バリス
タ素体と、このバリスタ素体の表面に設けた電極とを備
え、この電極は金属成分と樹脂成分とを含有する樹脂電
極であるバリスタであり、電圧非直線性及び信頼性に優
れたものである。
タ素体と、このバリスタ素体の表面に設けた電極とを備
え、この電極は金属成分と樹脂成分とを含有する樹脂電
極であるバリスタであり、電圧非直線性及び信頼性に優
れたものである。
【０００７】請求項２に記載の発明は、バリスタ素体の
表面に設けた電極に電気的に接続するように前記バリス
タ素体の内部に複数の内部電極を設けた請求項１に記載
のバリスタであり、電圧非直線性及び信頼性に優れた積
層バリスタである。
表面に設けた電極に電気的に接続するように前記バリス
タ素体の内部に複数の内部電極を設けた請求項１に記載
のバリスタであり、電圧非直線性及び信頼性に優れた積
層バリスタである。
【０００８】請求項３に記載の発明は、電極が少なくと
も二層より構成され、下層は金属電極、上層は樹脂電極
からなる請求項２に記載のバリスタであり、内部電極と
外部電極の接続が極めて良好で、電圧非直線性、信頼
性、実装性に優れた積層バリスタである。
も二層より構成され、下層は金属電極、上層は樹脂電極
からなる請求項２に記載のバリスタであり、内部電極と
外部電極の接続が極めて良好で、電圧非直線性、信頼
性、実装性に優れた積層バリスタである。
【０００９】請求項４に記載の発明は、バリスタ素体中
にＢｉ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｂ，Ｓｂのうち、少なくとも１つ
を含有する請求項３に記載のバリスタであり、これら高
温時に液相を形成する成分が、バリスタ素体と電極の接
着を保つことができるため、ガラス成分を含まない金属
電極を形成することが可能なバリスタであり、ガラス成
分を含まない金属電極を形成することにより、金属電極
と樹脂電極の接着強度が向上する。
にＢｉ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｂ，Ｓｂのうち、少なくとも１つ
を含有する請求項３に記載のバリスタであり、これら高
温時に液相を形成する成分が、バリスタ素体と電極の接
着を保つことができるため、ガラス成分を含まない金属
電極を形成することが可能なバリスタであり、ガラス成
分を含まない金属電極を形成することにより、金属電極
と樹脂電極の接着強度が向上する。
【００１０】請求項５に記載の発明は、バリスタ素体の
主成分をＺｎＯとする請求項１から請求項３のいずれか
一つに記載のバリスタであり、電圧非直線性、信頼性に
優れたバリスタである。
主成分をＺｎＯとする請求項１から請求項３のいずれか
一つに記載のバリスタであり、電圧非直線性、信頼性に
優れたバリスタである。
【００１１】請求項６に記載の発明は、金属電極はガラ
スを非含有であることを特徴とする請求項３あるいは請
求項４に記載のバリスタであり、下層の金属電極と上層
の樹脂電極との電気的接続が良好で、電圧非直線性、信
頼性に優れた積層バリスタである。
スを非含有であることを特徴とする請求項３あるいは請
求項４に記載のバリスタであり、下層の金属電極と上層
の樹脂電極との電気的接続が良好で、電圧非直線性、信
頼性に優れた積層バリスタである。
【００１２】請求項７に記載の発明は、樹脂電極の金属
成分の形状をフレーク状とした請求項１から請求項６の
いずれか一つに記載のバリスタであり、金属成分の表面
積が大きいので電極の導電性に優れたバリスタとなる。
成分の形状をフレーク状とした請求項１から請求項６の
いずれか一つに記載のバリスタであり、金属成分の表面
積が大きいので電極の導電性に優れたバリスタとなる。
【００１３】請求項８に記載の発明は、電極表面にメッ
キ層を形成した請求項１から請求項７のいずれか一つに
記載のバリスタであり、電圧非直線性、信頼性、実装性
に優れたバリスタである。
キ層を形成した請求項１から請求項７のいずれか一つに
記載のバリスタであり、電圧非直線性、信頼性、実装性
に優れたバリスタである。
【００１４】請求項９に記載の発明は、バリスタ素体表
面がこのバリスタ素体より高抵抗の膜で覆われている請
求項８に記載のバリスタであり、電圧非直線性、信頼
性、実装性に優れたバリスタである。
面がこのバリスタ素体より高抵抗の膜で覆われている請
求項８に記載のバリスタであり、電圧非直線性、信頼
性、実装性に優れたバリスタである。
【００１５】請求項１０に記載の発明は、内部電極が端
面に引き出されたバリスタ成形体の該端面に金属電極ペ
ーストを塗布する工程と、次に前記バリスタ成形体と前
記金属電極ペーストを同時に焼成する工程と、前記焼成
により形成された金属電極の上に金属成分と樹脂成分と
を含有する電極を形成する工程とを有するバリスタの製
造方法であり、内部電極と外部電極の電気的、機械的接
続を容易に確保でき、電圧非直線性、信頼性に優れた積
層バリスタを提供することができる。
面に引き出されたバリスタ成形体の該端面に金属電極ペ
ーストを塗布する工程と、次に前記バリスタ成形体と前
記金属電極ペーストを同時に焼成する工程と、前記焼成
により形成された金属電極の上に金属成分と樹脂成分と
を含有する電極を形成する工程とを有するバリスタの製
造方法であり、内部電極と外部電極の電気的、機械的接
続を容易に確保でき、電圧非直線性、信頼性に優れた積
層バリスタを提供することができる。
【００１６】請求項１１に記載の発明は、バリスタ素体
の表面に金属成分と樹脂成分とを含有する電極を形成す
る工程と、次にこの電極上にｐＨ３以上のメッキ液を用
いてメッキ層を形成する工程とを有するバリスタの製造
方法であり、樹脂電極の金属成分のエッチングを低減す
ることができる。
の表面に金属成分と樹脂成分とを含有する電極を形成す
る工程と、次にこの電極上にｐＨ３以上のメッキ液を用
いてメッキ層を形成する工程とを有するバリスタの製造
方法であり、樹脂電極の金属成分のエッチングを低減す
ることができる。
【００１７】次に、本発明の実施の形態について図面を
参照しながら説明する。 （実施の形態１）図２は本発明の一実施の形態の積層バ
リスタを示す断面図であり、１はバリスタ素体、２はバ
リスタ素体１の内部に複数設けた内部電極、３はバリス
タ素体１の内部電極２の露出した両端面に設けた樹脂電
極である。
参照しながら説明する。 （実施の形態１）図２は本発明の一実施の形態の積層バ
リスタを示す断面図であり、１はバリスタ素体、２はバ
リスタ素体１の内部に複数設けた内部電極、３はバリス
タ素体１の内部電極２の露出した両端面に設けた樹脂電
極である。
【００１８】まず、主成分のＺｎＯに副成分としてＢｉ
2Ｏ3、Ｃｏ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3等を加えて、酢酸
ブチル、有機バインダ、可塑剤を加えて混合、スラリー
化し、ドクターブレード法等でシート成形を行った。こ
のグリーンシートとＡｇ−Ｐｄ等の内部電極２とを交互
に積層することにより得た積層体を９００℃〜１２００
℃で焼成し、バリスタ素体１を得た。
2Ｏ3、Ｃｏ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3等を加えて、酢酸
ブチル、有機バインダ、可塑剤を加えて混合、スラリー
化し、ドクターブレード法等でシート成形を行った。こ
のグリーンシートとＡｇ−Ｐｄ等の内部電極２とを交互
に積層することにより得た積層体を９００℃〜１２００
℃で焼成し、バリスタ素体１を得た。
【００１９】次に樹脂電極３が均一に形成できるように
バリスタ素体１の面取りを行った後、Ａｇ粉末（７０ｗ
ｔ％）と、エポキシ樹脂とフェノール樹脂を混合したも
の（１０ｗｔ％）と、ブチルカルビトール（２０ｗｔ
％）とを混合した樹脂ペースト中に、バリスタ素体１の
両端面及びこの端面に続く側面の一部を浸漬し、バリス
タ素体１の両端面及びこの端面に続く側面の一部に樹脂
ペーストを塗布した後、樹脂の硬化温度より高く、樹脂
の分解温度より低い温度で、本実施の形態においては１
５０℃〜２５０℃で３０分〜１時間熱処理することによ
り、ブチルカルビトールを除去して、樹脂全体を硬化
し、樹脂電極３を形成した。
バリスタ素体１の面取りを行った後、Ａｇ粉末（７０ｗ
ｔ％）と、エポキシ樹脂とフェノール樹脂を混合したも
の（１０ｗｔ％）と、ブチルカルビトール（２０ｗｔ
％）とを混合した樹脂ペースト中に、バリスタ素体１の
両端面及びこの端面に続く側面の一部を浸漬し、バリス
タ素体１の両端面及びこの端面に続く側面の一部に樹脂
ペーストを塗布した後、樹脂の硬化温度より高く、樹脂
の分解温度より低い温度で、本実施の形態においては１
５０℃〜２５０℃で３０分〜１時間熱処理することによ
り、ブチルカルビトールを除去して、樹脂全体を硬化
し、樹脂電極３を形成した。
【００２０】こうして得られた積層バリスタは、電圧非
直線性が良好で、バリスタ素体１のクラックや樹脂電極
３の剥離がなく信頼性に優れたものとなる。
直線性が良好で、バリスタ素体１のクラックや樹脂電極
３の剥離がなく信頼性に優れたものとなる。
【００２１】（実施の形態２）図１は本発明の第２の実
施の形態における積層バリスタを示す断面図である。
施の形態における積層バリスタを示す断面図である。
【００２２】まず、実施の形態１と同様にシート成形、
積層、面取りを行い、得られた積層体の両端面のみにＡ
ｇ−Ｐｄ等の金属成分と樹脂と溶剤とを混合した電極ペ
ーストを浸漬、塗布し、９００℃〜１２００℃で、積層
体と電極ペーストを同時に焼成し、金属成分のみの内部
電極１２と金属電極１６とを備えたバリスタ素体１１を
得た。
積層、面取りを行い、得られた積層体の両端面のみにＡ
ｇ−Ｐｄ等の金属成分と樹脂と溶剤とを混合した電極ペ
ーストを浸漬、塗布し、９００℃〜１２００℃で、積層
体と電極ペーストを同時に焼成し、金属成分のみの内部
電極１２と金属電極１６とを備えたバリスタ素体１１を
得た。
【００２３】次にバリスタ素体１１をＳｉＯ2粉末に埋
没させて９００℃で熱処理し、ＳｉＯ2とバリスタ素体
１１中のＺｎＯとの反応により耐メッキ性を有するコー
ティング膜１７をバリスタ素体１１の表面に形成した。
没させて９００℃で熱処理し、ＳｉＯ2とバリスタ素体
１１中のＺｎＯとの反応により耐メッキ性を有するコー
ティング膜１７をバリスタ素体１１の表面に形成した。
【００２４】次にＡｇ粉末（７０ｗｔ％）と、エポキシ
樹脂とフェノール樹脂を混合したもの（１０ｗｔ％）
と、ブチルカルビトール（２０ｗｔ％）とを混合した樹
脂電極ペースト中にバリスタ素体１１の両端面及びこの
端面に続く側面の一部を浸漬し、バリスタ素体１１の両
端面及びこの端面に続く側面の一部に樹脂電極ペースト
を塗布した後、１５０℃〜２５０℃で３０分〜１時間熱
処理することによりブチルカルビトールを除去して、樹
脂全体を硬化し、樹脂電極１３を形成した。
樹脂とフェノール樹脂を混合したもの（１０ｗｔ％）
と、ブチルカルビトール（２０ｗｔ％）とを混合した樹
脂電極ペースト中にバリスタ素体１１の両端面及びこの
端面に続く側面の一部を浸漬し、バリスタ素体１１の両
端面及びこの端面に続く側面の一部に樹脂電極ペースト
を塗布した後、１５０℃〜２５０℃で３０分〜１時間熱
処理することによりブチルカルビトールを除去して、樹
脂全体を硬化し、樹脂電極１３を形成した。
【００２５】その後、樹脂電極１３の表面に電気メッキ
によりＮｉメッキ１４、半田メッキ１５を施した。
によりＮｉメッキ１４、半田メッキ１５を施した。
【００２６】こうして得られた積層バリスタは、電圧非
直線性が良好で、信頼性に優れている上に、内部電極１
２と金属電極１６の焼き付けを同時に行っているため、
内部電極１２と金属電極１６間の接続強度が大きく、例
えば、たわみ強度等で有利なものとなる。
直線性が良好で、信頼性に優れている上に、内部電極１
２と金属電極１６の焼き付けを同時に行っているため、
内部電極１２と金属電極１６間の接続強度が大きく、例
えば、たわみ強度等で有利なものとなる。
【００２７】さらに金属電極１６の表面は、コーティン
グ材料の付着等で電気メッキに不向きな状態であること
が多いが、ここでは、金属電極１６上に形成された樹脂
電極１３に電気メッキを施しているので、均一なメッキ
層が形成でき、実装性に優れたものとなる。
グ材料の付着等で電気メッキに不向きな状態であること
が多いが、ここでは、金属電極１６上に形成された樹脂
電極１３に電気メッキを施しているので、均一なメッキ
層が形成でき、実装性に優れたものとなる。
【００２８】このとき、金属電極１６と樹脂電極１３の
電気的接続が必要となるが、樹脂電極１３は樹脂成分を
含んでおり、金属成分のみの電極と比較して、他との電
気的接続が不利であるので、金属電極１６は表面にガラ
ス成分が析出して、樹脂電極１３との電気的接続の妨げ
とならないよう、ガラス成分を含まない電極ペーストを
用いて形成することが望ましい。その際、バリスタ素体
１１と金属電極１６の接着は、バリスタ素体１１の一成
分であり、焼成時に一旦液相化したＢｉにより、保たれ
ることとなる。
電気的接続が必要となるが、樹脂電極１３は樹脂成分を
含んでおり、金属成分のみの電極と比較して、他との電
気的接続が不利であるので、金属電極１６は表面にガラ
ス成分が析出して、樹脂電極１３との電気的接続の妨げ
とならないよう、ガラス成分を含まない電極ペーストを
用いて形成することが望ましい。その際、バリスタ素体
１１と金属電極１６の接着は、バリスタ素体１１の一成
分であり、焼成時に一旦液相化したＢｉにより、保たれ
ることとなる。
【００２９】さらに金属電極１６をバリスタ素体１１の
両端面のみに形成し、樹脂電極１３は両端面及びこの端
面に続く端面の一部に形成したのは、焼成時のバリスタ
素体１１のクラックの発生防止と、樹脂電極１３で確実
に金属電極１６を覆うためである。
両端面のみに形成し、樹脂電極１３は両端面及びこの端
面に続く端面の一部に形成したのは、焼成時のバリスタ
素体１１のクラックの発生防止と、樹脂電極１３で確実
に金属電極１６を覆うためである。
【００３０】なお、実施の形態１，２では、樹脂として
エポキシ樹脂とフェノール樹脂を混合したものを用いた
が、エポキシ樹脂とフェノール樹脂それぞれ単独で用い
ても良く、他にもイミド樹脂、ウレタン樹脂、シリコン
樹脂等、あるいはこれらの混合物が考えられる。すなわ
ちバリスタ素体１，１１の粒界構成物質の相転移等の反
応が進行しないような温度、好ましくは１５０℃〜２５
０℃で完全に硬化し、耐溶剤性、耐酸性等に優れ、外部
電極の強度を確保できるものが好ましい。その点を考慮
すると、エポキシ樹脂あるいはエポキシ樹脂と他の熱硬
化性樹脂と混合物はより好ましい。さらに、樹脂は、樹
脂電極３，１３を形成後行う熱処理温度よりも高い分解
温度、より好ましくは樹脂電極３，１３を形成後行う熱
処理温度よりも高い硬化温度を有するものを用いると良
い。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂を混合したものを用いた
が、エポキシ樹脂とフェノール樹脂それぞれ単独で用い
ても良く、他にもイミド樹脂、ウレタン樹脂、シリコン
樹脂等、あるいはこれらの混合物が考えられる。すなわ
ちバリスタ素体１，１１の粒界構成物質の相転移等の反
応が進行しないような温度、好ましくは１５０℃〜２５
０℃で完全に硬化し、耐溶剤性、耐酸性等に優れ、外部
電極の強度を確保できるものが好ましい。その点を考慮
すると、エポキシ樹脂あるいはエポキシ樹脂と他の熱硬
化性樹脂と混合物はより好ましい。さらに、樹脂は、樹
脂電極３，１３を形成後行う熱処理温度よりも高い分解
温度、より好ましくは樹脂電極３，１３を形成後行う熱
処理温度よりも高い硬化温度を有するものを用いると良
い。
【００３１】また、金属粉末、溶剤の種類に関してもＡ
ｇ、ブチルカルビトールに限定するものではない。それ
らの配合割合も特に制限はなく、電極塗布時のペースト
性能、電極硬化後の強度、導電性等より、最適な割合を
選択すると良い。金属粉末に関しては、例えばＮｉ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ−Ｃｕなどを用いても良い。さらに樹脂電極ペ
ーストは、具体的には金属成分を５０〜９５ｗｔ％、樹
脂成分を５〜２０ｗｔ％、溶剤成分を５〜３０ｗｔ％の
範囲の樹脂ペーストを用いて外部電極３，１３を形成す
ることが好ましい。
ｇ、ブチルカルビトールに限定するものではない。それ
らの配合割合も特に制限はなく、電極塗布時のペースト
性能、電極硬化後の強度、導電性等より、最適な割合を
選択すると良い。金属粉末に関しては、例えばＮｉ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ−Ｃｕなどを用いても良い。さらに樹脂電極ペ
ーストは、具体的には金属成分を５０〜９５ｗｔ％、樹
脂成分を５〜２０ｗｔ％、溶剤成分を５〜３０ｗｔ％の
範囲の樹脂ペーストを用いて外部電極３，１３を形成す
ることが好ましい。
【００３２】さらにまた金属粉末は、樹脂電極３，１３
の導電性をできるだけ向上させるために比表面積の大き
なものを用いることが好ましく、具体的にはフレーク状
の金属粉末を含むと良い。
の導電性をできるだけ向上させるために比表面積の大き
なものを用いることが好ましく、具体的にはフレーク状
の金属粉末を含むと良い。
【００３３】さらに樹脂電極３，１３は従来のような高
温形成をしないため、その中の金属成分は、焼結したも
のと比較して、結晶性が悪く耐酸性等に劣ることが多
い。そこで、バリスタ素体１１をメッキ液に浸漬してＮ
ｉメッキ１４を形成する場合、樹脂電極１３中の金属成
分がエッチングされないようにメッキ液はｐＨ３以上、
より好ましくは３．５〜９．５にしておくことが望まし
い。
温形成をしないため、その中の金属成分は、焼結したも
のと比較して、結晶性が悪く耐酸性等に劣ることが多
い。そこで、バリスタ素体１１をメッキ液に浸漬してＮ
ｉメッキ１４を形成する場合、樹脂電極１３中の金属成
分がエッチングされないようにメッキ液はｐＨ３以上、
より好ましくは３．５〜９．５にしておくことが望まし
い。
【００３４】このとき、バリスタ素体１１がメッキ液に
侵食されるのを防ぐため、バリスタ素体１１の露出した
部分をバリスタ素体１１より高抵抗の膜で、コーティン
グすることが望ましい。本実施の形態２では、コーティ
ング材としてＳｉＯ2を用いたが、他に樹脂、ガラスな
どバリスタ素体１１より高抵抗な膜を形成するものなら
何でも良い。
侵食されるのを防ぐため、バリスタ素体１１の露出した
部分をバリスタ素体１１より高抵抗の膜で、コーティン
グすることが望ましい。本実施の形態２では、コーティ
ング材としてＳｉＯ2を用いたが、他に樹脂、ガラスな
どバリスタ素体１１より高抵抗な膜を形成するものなら
何でも良い。
【００３５】またバリスタ素体１，１１の副成分とし
て、Ｂｉ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3を加えたが、高温時に液相を形
成する成分であるＢｉ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｂのうち少
なくとも１つを含有させることにより、バリスタ素体１
１とガラス成分を含まない金属電極１６との接着を保つ
ことができる。
て、Ｂｉ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3を加えたが、高温時に液相を形
成する成分であるＢｉ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｂのうち少
なくとも１つを含有させることにより、バリスタ素体１
１とガラス成分を含まない金属電極１６との接着を保つ
ことができる。
【００３６】従来は外部電極ペースト用の適切な熱収縮
の金属粉末や、ガラスフリットの種類を選択するのが困
難であり、しばしば、外部電極剥離やバリスタ素体クラ
ックが発生し、耐湿負荷寿命等の信頼性が低下していた
が、本発明の積層バリスタの樹脂電極３，１３は、形成
時の熱収縮が小さいために外部電極剥離や素体クラック
が極めておこりにくい。その上、樹脂電極３，１３形成
後は、樹脂電極３，１３中の樹脂がバリスタ素体１，１
１表面の凹部に入り込んでいるため、樹脂電極３，１３
とバリスタ素体１，１１との接着強度を確保しやすく、
機械的ストレスが加わったとしても極めてバリスタ素体
１，１１から剥離しにくい。その結果、耐湿負荷寿命等
の信頼性、半田耐熱性に優れた積層バリスタとなる。
の金属粉末や、ガラスフリットの種類を選択するのが困
難であり、しばしば、外部電極剥離やバリスタ素体クラ
ックが発生し、耐湿負荷寿命等の信頼性が低下していた
が、本発明の積層バリスタの樹脂電極３，１３は、形成
時の熱収縮が小さいために外部電極剥離や素体クラック
が極めておこりにくい。その上、樹脂電極３，１３形成
後は、樹脂電極３，１３中の樹脂がバリスタ素体１，１
１表面の凹部に入り込んでいるため、樹脂電極３，１３
とバリスタ素体１，１１との接着強度を確保しやすく、
機械的ストレスが加わったとしても極めてバリスタ素体
１，１１から剥離しにくい。その結果、耐湿負荷寿命等
の信頼性、半田耐熱性に優れた積層バリスタとなる。
【００３７】また、実施の形態１，２では、ＺｎＯを主
成分とする積層バリスタを例に挙げたが、バリスタであ
れば、例えばＳｒＴｉＯ3等、他の材料を主成分とする
もの、板状あるいは円板型などバリスタ素体の成分、形
状にこだわらずに適用できる。
成分とする積層バリスタを例に挙げたが、バリスタであ
れば、例えばＳｒＴｉＯ3等、他の材料を主成分とする
もの、板状あるいは円板型などバリスタ素体の成分、形
状にこだわらずに適用できる。
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明によると、電極をバ
リスタ素体の焼成温度よりもはるかに低温で形成できる
ので、バリスタ素体において粒界構成物質の相転移等の
反応を抑制することができ、電圧非直線性に優れたバリ
スタを得ることができる。
リスタ素体の焼成温度よりもはるかに低温で形成できる
ので、バリスタ素体において粒界構成物質の相転移等の
反応を抑制することができ、電圧非直線性に優れたバリ
スタを得ることができる。
【図１】本発明の第２の実施の形態による積層バリスタ
の断面図
の断面図
【図２】本発明の第１の実施の形態による積層バリスタ
の断面図
の断面図
１ バリスタ素体 ２ 内部電極 ３ 樹脂電極 １１ バリスタ素体 １２ 内部電極 １３ 樹脂電極 １４ Ｎｉメッキ １５ 半田メッキ １６ 金属電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 保彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 加藤 篤 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 バリスタ素体と、このバリスタ素体の表
面に設けた電極とを備え、この電極は金属成分と樹脂成
分とを有する樹脂電極であるバリスタ。 - 【請求項２】 バリスタ素体の表面に設けた電極に電気
的に接続するように前記バリスタ素体の内部に複数の内
部電極を設けた請求項１に記載のバリスタ。 - 【請求項３】 電極は、少なくとも二層より構成され、
下層は金属電極、上層は樹脂電極からなる請求項２に記
載のバリスタ。 - 【請求項４】 バリスタ素体中にＢｉ，Ｇｅ，Ｓｉ，
Ｂ，Ｓｂのうち、少なくとも１つを含有する請求項３に
記載のバリスタ。 - 【請求項５】 バリスタ素体は、ＺｎＯを主成分とする
請求項１から請求項３のいずれか一つに記載のバリス
タ。 - 【請求項６】 金属電極は、ガラスを非含有であること
を特徴とする請求項３あるいは請求項４に記載のバリス
タ。 - 【請求項７】 金属成分と樹脂成分を含有する電極の金
属成分は、その形状がフレーク状のものを含む請求項１
から請求項６のいずれか一つに記載のバリスタ。 - 【請求項８】 電極表面にメッキ層を形成した請求項１
から請求項７のいずれか一つに記載のバリスタ。 - 【請求項９】 バリスタ素体表面がこのバリスタ素体よ
り高抵抗の膜で覆われている請求項８に記載のバリス
タ。 - 【請求項１０】 内部電極が端面に引き出されたバリス
タ成形体の該端面に金属電極ペーストを塗布する工程
と、次に前記バリスタ成形体と前記金属電極ペーストを
同時に焼成する工程と、前記焼成により形成された金属
電極の上に金属成分と樹脂成分とを含有する樹脂電極を
形成する工程とを有するバリスタの製造方法。 - 【請求項１１】 バリスタ素体の表面に金属成分と樹脂
成分とを含有する樹脂電極を形成する工程と、次にこの
樹脂電極上にｐＨ３以上のメッキ液を用いてメッキ層を
形成する工程とを有するバリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10097261A JPH11297507A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | バリスタとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10097261A JPH11297507A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | バリスタとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297507A true JPH11297507A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14187611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10097261A Pending JPH11297507A (ja) | 1998-04-09 | 1998-04-09 | バリスタとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11297507A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003197406A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Maruwa Co Ltd | チップ型バリスタの製造方法 |
| JP2011091199A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Tdk Corp | 積層電子部品 |
| JP2012169334A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Koa Corp | チップ部品およびその製造方法 |
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| JP2018195760A (ja) * | 2017-05-19 | 2018-12-06 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| US11227721B2 (en) | 2016-11-24 | 2022-01-18 | Tdk Corporation | Electronic component |
-
1998
- 1998-04-09 JP JP10097261A patent/JPH11297507A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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