JPH11296638A - Ｉｃカード - Google Patents
ＩｃカードInfo
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- JPH11296638A JPH11296638A JP10098828A JP9882898A JPH11296638A JP H11296638 A JPH11296638 A JP H11296638A JP 10098828 A JP10098828 A JP 10098828A JP 9882898 A JP9882898 A JP 9882898A JP H11296638 A JPH11296638 A JP H11296638A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- housing
- card
- electrode substrate
- lsi chip
- lsi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 機械的耐久性に優れ、故障率の低いＩＣカー
ドを提供する。 【解決手段】 電極基板２上にはＬＳＩチップ４が実装
される。シリコン基板よりも弾性係数の高い材料からな
るハウジング３は、薄いシートの中央部が凹んだ構造を
しており、この凹部にＬＳＩチップ４が収まるようにし
て電極基板２と接着される。こうして、ＬＳＩチップ４
の周囲を取り囲む構造とすることにより、ＬＳＩ実装モ
ジュールの補強とＬＳＩチップ４の保護を行う。
ドを提供する。 【解決手段】 電極基板２上にはＬＳＩチップ４が実装
される。シリコン基板よりも弾性係数の高い材料からな
るハウジング３は、薄いシートの中央部が凹んだ構造を
しており、この凹部にＬＳＩチップ４が収まるようにし
て電極基板２と接着される。こうして、ＬＳＩチップ４
の周囲を取り囲む構造とすることにより、ＬＳＩ実装モ
ジュールの補強とＬＳＩチップ４の保護を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部からの力学的
ストレスに対して機械的耐久性に優れ、故障率の小さい
ことを特徴とするＩＣカードに関するものである。
ストレスに対して機械的耐久性に優れ、故障率の小さい
ことを特徴とするＩＣカードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＳＯ７８１６に規定されるＩＣカード
は、カード基材であるプラスチックの厚さが高々０．７
６ｍｍ程度であるため、曲げやねじれ、あるいは圧力に
よってカードが湾曲や変形し、内部に収納されるＬＳＩ
チップや電極基板との接合部が破損する故障が起こりや
すい。このような故障に対する方策としてこれまで提案
されているものは大きく分類して２種類ある。一つは、
例えば特願平７−２７６９２３号に開示された方法であ
り、ＬＳＩチップと電極基板からなるモジュールの周囲
のプラスチック基材に溝等を形成してＩＣカードを部分
的に柔構造化し、カード全体の曲げやねじれによる変形
を柔構造化した部分で緩和させてモジュールに及ばない
ようにするというものである。もう一つは、ＬＳＩチッ
プの裏面やモジュールの周囲に金属板を配置して力学的
に補強するという方法である。
は、カード基材であるプラスチックの厚さが高々０．７
６ｍｍ程度であるため、曲げやねじれ、あるいは圧力に
よってカードが湾曲や変形し、内部に収納されるＬＳＩ
チップや電極基板との接合部が破損する故障が起こりや
すい。このような故障に対する方策としてこれまで提案
されているものは大きく分類して２種類ある。一つは、
例えば特願平７−２７６９２３号に開示された方法であ
り、ＬＳＩチップと電極基板からなるモジュールの周囲
のプラスチック基材に溝等を形成してＩＣカードを部分
的に柔構造化し、カード全体の曲げやねじれによる変形
を柔構造化した部分で緩和させてモジュールに及ばない
ようにするというものである。もう一つは、ＬＳＩチッ
プの裏面やモジュールの周囲に金属板を配置して力学的
に補強するという方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前者の方法は
モジュール自体を補強している構造ではないので、モジ
ュールに直接かかる、曲げ、ねじれ、圧力などの応力に
対して弱いという問題点があった。また、後者の方法は
さらにいくつかに類型化できるが、モジュールの周囲を
金属等で補強する方法（例えば、特願平７−６５３６３
号）においては、補強材によって剛性は高くなるがモジ
ュールの垂直方向からの応力に対して弱いという問題点
があり、カード面に平行な補強板をモジュールの下に埋
め込んだりＬＳＩチップに貼り付けたりする方法（例え
ば、特願平８−７６５９８号）では、補強板の厚さが薄
いために剛性があまり高くならないという問題点があっ
た。本発明は、上記課題を解決するためになされたもの
で、モジュール全体の強度の向上を図ると共にＬＳＩチ
ップを外部応力から保護する構造をとることで、従来以
上に故障の少ないＩＣカードを提供することを目的とす
る。
モジュール自体を補強している構造ではないので、モジ
ュールに直接かかる、曲げ、ねじれ、圧力などの応力に
対して弱いという問題点があった。また、後者の方法は
さらにいくつかに類型化できるが、モジュールの周囲を
金属等で補強する方法（例えば、特願平７−６５３６３
号）においては、補強材によって剛性は高くなるがモジ
ュールの垂直方向からの応力に対して弱いという問題点
があり、カード面に平行な補強板をモジュールの下に埋
め込んだりＬＳＩチップに貼り付けたりする方法（例え
ば、特願平８−７６５９８号）では、補強板の厚さが薄
いために剛性があまり高くならないという問題点があっ
た。本発明は、上記課題を解決するためになされたもの
で、モジュール全体の強度の向上を図ると共にＬＳＩチ
ップを外部応力から保護する構造をとることで、従来以
上に故障の少ないＩＣカードを提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のＩＣカードは、
請求項１に記載のように、リム部分が電極基板と接着さ
れた、シリコン基板よりも弾性係数の高い材料からなる
凹形状のハウジングを備え、このハウジングの凹部に上
記電極基板に実装されたＬＳＩチップ部分が収容される
ようにしたものである。このように、シリコン基板より
も弾性係数の高い材料からなる凹形状のハウジングの凹
部にＬＳＩチップ部分が収容される構造とし、該ハウジ
ングのリム部分と電極基板を接着してＬＳＩチップの周
囲を取り囲む構造とすることによって、モジュールの補
強とＬＳＩチップの保護を行う。また、請求項２に記載
のように、上記ハウジングは絶縁性の材料からなるもの
である。また、請求項３に記載のように、上記電極基板
の表側に設けられた外部電極と裏側のＬＳＩチップとが
電極基板に設けられたスルーホールを介して電気的に接
続されるようにしたものである。
請求項１に記載のように、リム部分が電極基板と接着さ
れた、シリコン基板よりも弾性係数の高い材料からなる
凹形状のハウジングを備え、このハウジングの凹部に上
記電極基板に実装されたＬＳＩチップ部分が収容される
ようにしたものである。このように、シリコン基板より
も弾性係数の高い材料からなる凹形状のハウジングの凹
部にＬＳＩチップ部分が収容される構造とし、該ハウジ
ングのリム部分と電極基板を接着してＬＳＩチップの周
囲を取り囲む構造とすることによって、モジュールの補
強とＬＳＩチップの保護を行う。また、請求項２に記載
のように、上記ハウジングは絶縁性の材料からなるもの
である。また、請求項３に記載のように、上記電極基板
の表側に設けられた外部電極と裏側のＬＳＩチップとが
電極基板に設けられたスルーホールを介して電気的に接
続されるようにしたものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１（ａ）は本発明
の第１の実施の形態を示すＩＣカード用ＬＳＩ実装モジ
ュールを表面側から見た鳥瞰図、図１（ｂ）はこのＬＳ
Ｉ実装モジュールを裏面側から見た鳥瞰図である。ガラ
スエポキシからなる電極基板２の表面側には外部電極１
が設けられており、この外部電極１は８つに区画分離さ
れている。
て図面を参照して詳細に説明する。図１（ａ）は本発明
の第１の実施の形態を示すＩＣカード用ＬＳＩ実装モジ
ュールを表面側から見た鳥瞰図、図１（ｂ）はこのＬＳ
Ｉ実装モジュールを裏面側から見た鳥瞰図である。ガラ
スエポキシからなる電極基板２の表面側には外部電極１
が設けられており、この外部電極１は８つに区画分離さ
れている。
【０００６】電極基板２の裏面側にはＬＳＩチップ４が
実装され、このＬＳＩチップ４を覆うようにハウジング
３が電極基板２と接着されている。ハウジング３は、図
２に示すように薄いシートの中央部が凹んだ構造をして
おり、この凹部にＬＳＩチップ４が収まるようにして電
極基板２と接着される。
実装され、このＬＳＩチップ４を覆うようにハウジング
３が電極基板２と接着されている。ハウジング３は、図
２に示すように薄いシートの中央部が凹んだ構造をして
おり、この凹部にＬＳＩチップ４が収まるようにして電
極基板２と接着される。
【０００７】図１（ｂ）のＡ−Ａ線断面図を図３に示
す。なお、図３では、図１では不図示のカード基材５を
含めて記載している。また、電極基板２は通常１０ｍｍ
角程度の大きさであるのに対してＬＳＩチップ４の厚さ
は１００μｍ程度と薄いために、同一縮尺で図を書くと
分かり難くなってしまうことから、判別しやすくするた
めに図３においては水平方向と垂直方向の縮尺を変えて
描いている。
す。なお、図３では、図１では不図示のカード基材５を
含めて記載している。また、電極基板２は通常１０ｍｍ
角程度の大きさであるのに対してＬＳＩチップ４の厚さ
は１００μｍ程度と薄いために、同一縮尺で図を書くと
分かり難くなってしまうことから、判別しやすくするた
めに図３においては水平方向と垂直方向の縮尺を変えて
描いている。
【０００８】電極基板２の裏面には内部電極６が形成さ
れており、表側の各外部電極１とはスルーホール７によ
って電気的に接続されている。ＬＳＩチップ４はバンプ
８および異方性導電膜９によって電極基板２に固定され
ると共に、このバンプ８および異方性導電膜９によって
ＬＳＩチップ４のパッドが内部電極６と電気的に接続さ
れる。
れており、表側の各外部電極１とはスルーホール７によ
って電気的に接続されている。ＬＳＩチップ４はバンプ
８および異方性導電膜９によって電極基板２に固定され
ると共に、このバンプ８および異方性導電膜９によって
ＬＳＩチップ４のパッドが内部電極６と電気的に接続さ
れる。
【０００９】ハウジング３はその周辺部（リム）が電極
基板２と接着される。ＬＳＩチップ４、内部電極６、バ
ンプ８及び異方性導電膜９とハウジング３との間には空
隙１０が存在するが、この空隙１０を接着剤で満たして
ハウジング３の内面全体が電極基板２と接着されるよう
にしてもよい。また、空隙１０が残っていても差し支え
ないが、その場合にはカード面に垂直な外部応力が加わ
った際に電極基板２の中央部が湾曲しやすいため、ゲル
や樹脂などによって充填されるのが好ましい。以上のよ
うなＬＳＩ実装モジュールがカード基材５に接着されて
ＩＣカードが形成される。
基板２と接着される。ＬＳＩチップ４、内部電極６、バ
ンプ８及び異方性導電膜９とハウジング３との間には空
隙１０が存在するが、この空隙１０を接着剤で満たして
ハウジング３の内面全体が電極基板２と接着されるよう
にしてもよい。また、空隙１０が残っていても差し支え
ないが、その場合にはカード面に垂直な外部応力が加わ
った際に電極基板２の中央部が湾曲しやすいため、ゲル
や樹脂などによって充填されるのが好ましい。以上のよ
うなＬＳＩ実装モジュールがカード基材５に接着されて
ＩＣカードが形成される。
【００１０】ハウジング３の厚さとリムの幅は強度に密
接に関連するため、ＩＣカード全体の厚さを勘案して決
められる。ＩＳＯ７８１６に規定される厚さが０．６８
〜０．８４ｍｍの接触型ＩＣカードにおいては、ハウジ
ング３のリム部分の厚さＴ１を２００μｍ以上、より好
ましくは３００μｍ以上に設定する。２００μｍ未満で
は応力によってハウジング３が湾曲したり破損したりす
る。一方、４５０μｍ以上であると、電極基板２の厚さ
を加えると６００μｍ以上となり、所定の厚さの範囲内
でのカード化が困難となる。
接に関連するため、ＩＣカード全体の厚さを勘案して決
められる。ＩＳＯ７８１６に規定される厚さが０．６８
〜０．８４ｍｍの接触型ＩＣカードにおいては、ハウジ
ング３のリム部分の厚さＴ１を２００μｍ以上、より好
ましくは３００μｍ以上に設定する。２００μｍ未満で
は応力によってハウジング３が湾曲したり破損したりす
る。一方、４５０μｍ以上であると、電極基板２の厚さ
を加えると６００μｍ以上となり、所定の厚さの範囲内
でのカード化が困難となる。
【００１１】凹部におけるハウジング３の厚さＴ２は、
収容される異方性導電膜９やＬＳＩチップ４の厚さによ
って制限があるものの、１００μｍ以上、より好ましく
は１５０μｍ以上である。ハウジング３のリム部分の幅
Ｗは好ましくは１ｍｍ以上である。
収容される異方性導電膜９やＬＳＩチップ４の厚さによ
って制限があるものの、１００μｍ以上、より好ましく
は１５０μｍ以上である。ハウジング３のリム部分の幅
Ｗは好ましくは１ｍｍ以上である。
【００１２】ＩＣカード用のＬＳＩチップ４の大きさ
は、概略５ｍｍ×５ｍｍかそれ以下の大きさであるた
め、ハウジング３の外寸は、概略６ｍｍ×６ｍｍかそれ
よりも小さい。一方、電極基板２の大きさは通常、１０
ｍｍ×１０ｍｍ程度であるため、コンパクトに構造化す
れば、図１、図３のようにハウジング３の外寸が電極基
板２よりも小さくなる。
は、概略５ｍｍ×５ｍｍかそれ以下の大きさであるた
め、ハウジング３の外寸は、概略６ｍｍ×６ｍｍかそれ
よりも小さい。一方、電極基板２の大きさは通常、１０
ｍｍ×１０ｍｍ程度であるため、コンパクトに構造化す
れば、図１、図３のようにハウジング３の外寸が電極基
板２よりも小さくなる。
【００１３】図４に示すようにハウジング３の外寸が電
極基板２の外寸より大きくなっても差し支えないが、図
１、図３のようにハウジング３が電極基板２よりも小さ
い方が好ましい。それは、ハウジング３を大きくする
と、カード全体の柔軟性を損ねると共に、カードが曲げ
やねじれの応力を受けた際にハウジング３の周囲でカー
ド基材５との接着が剥がれやすくなるためである。
極基板２の外寸より大きくなっても差し支えないが、図
１、図３のようにハウジング３が電極基板２よりも小さ
い方が好ましい。それは、ハウジング３を大きくする
と、カード全体の柔軟性を損ねると共に、カードが曲げ
やねじれの応力を受けた際にハウジング３の周囲でカー
ド基材５との接着が剥がれやすくなるためである。
【００１４】ハウジング３の材質としては、高剛性で曲
げ強度の高いものが良いが、少なくとも単結晶シリコン
よりも弾性係数が高いことが好ましい。そのような材質
をＬＳＩチップ４を薄層化してハウジング３の厚さを厚
くした本発明の構造に使うことにより、ハウジング３を
含めたモジュール全体の強度を高めることができる。具
体的には、単結晶シリコンの弾性係数Ｅは約１３０ＧＰ
ａであるため、金属ではタングステン（Ｅ＝３５０ＧＰ
ａ）、モリブデン（同３４０ＧＰａ）、鉄合金（鋼やス
テンレス等を含む、Ｅ＝２００ＧＰａ程度）などがヤン
グ率が高く好ましい。
げ強度の高いものが良いが、少なくとも単結晶シリコン
よりも弾性係数が高いことが好ましい。そのような材質
をＬＳＩチップ４を薄層化してハウジング３の厚さを厚
くした本発明の構造に使うことにより、ハウジング３を
含めたモジュール全体の強度を高めることができる。具
体的には、単結晶シリコンの弾性係数Ｅは約１３０ＧＰ
ａであるため、金属ではタングステン（Ｅ＝３５０ＧＰ
ａ）、モリブデン（同３４０ＧＰａ）、鉄合金（鋼やス
テンレス等を含む、Ｅ＝２００ＧＰａ程度）などがヤン
グ率が高く好ましい。
【００１５】セラミックスでは多くのものがＥ＝２００
ＧＰａ以上であり、タングステンカーバイド、チタンカ
ーバイド、シリコンカーバイド、ボロンカーバイド、チ
ッ化アルミニウム、チッ化珪素、チッ化チタン、ホウ化
チタン、アルミナ、チタンオキサイド、ジルコニウム等
々がある。
ＧＰａ以上であり、タングステンカーバイド、チタンカ
ーバイド、シリコンカーバイド、ボロンカーバイド、チ
ッ化アルミニウム、チッ化珪素、チッ化チタン、ホウ化
チタン、アルミナ、チタンオキサイド、ジルコニウム等
々がある。
【００１６】なお、いくら硬い材料でも脆くては実質的
にハウジングとしての保護能力が低くなるため、このよ
うな材料の中でさらに曲げ強度が高く、ばね限界値の高
い材質がより好ましい。これは異なる組成物間での比較
だけでなく、同じ組成物同士であってもアニール等の処
理によって特性が異なる場合にはあてはまる。例えば同
じステンレスであっても、通常の材質のものよりはテン
ションアニール材の方がばね限界値が高くてばね性に優
れているため、より好ましい。また、ハウジング３の材
料が絶縁性の場合には、図３のＩＣカードの製造におい
て、例え内部電極６がハウジング３と接触することがあ
っても、機能上何ら問題が発生しないという導電性の材
料にはない利点がある。
にハウジングとしての保護能力が低くなるため、このよ
うな材料の中でさらに曲げ強度が高く、ばね限界値の高
い材質がより好ましい。これは異なる組成物間での比較
だけでなく、同じ組成物同士であってもアニール等の処
理によって特性が異なる場合にはあてはまる。例えば同
じステンレスであっても、通常の材質のものよりはテン
ションアニール材の方がばね限界値が高くてばね性に優
れているため、より好ましい。また、ハウジング３の材
料が絶縁性の場合には、図３のＩＣカードの製造におい
て、例え内部電極６がハウジング３と接触することがあ
っても、機能上何ら問題が発生しないという導電性の材
料にはない利点がある。
【００１７】ハウジング３は一体成形で加工されている
ことが強度的には望ましいが、リム部分となるリングと
凹部となる平板とを接着したものであっても差し支えな
い。また、図３の空隙１０を樹脂やゲル等で充填する場
合には、空気抜きがあった方が工程上好ましいため、強
度を損ねない範囲でハウジング３の一部分に微細な穴を
形成して空気抜きを作ることはなんら差し支えない。
ことが強度的には望ましいが、リム部分となるリングと
凹部となる平板とを接着したものであっても差し支えな
い。また、図３の空隙１０を樹脂やゲル等で充填する場
合には、空気抜きがあった方が工程上好ましいため、強
度を損ねない範囲でハウジング３の一部分に微細な穴を
形成して空気抜きを作ることはなんら差し支えない。
【００１８】図５は本発明の第２の実施の形態を示すＩ
Ｃカード用ＬＳＩ実装モジュールの断面図であり、図１
〜図４と同様の構成には同一の符号を付してある。第１
の実施の形態では、フリップチップ（flip chip ）構造
の実装例を例示したが、本実施の形態のようにチップオ
ンボード（ＣＯＢ：Chip On Board ）構造を採用しても
差し支えない。この場合、ＬＳＩチップ４のパッドと内
部電極６はワイヤ１１で接続され、ワイヤ１１を含めて
ＬＳＩチップ４がハウジング３内部に収容される。
Ｃカード用ＬＳＩ実装モジュールの断面図であり、図１
〜図４と同様の構成には同一の符号を付してある。第１
の実施の形態では、フリップチップ（flip chip ）構造
の実装例を例示したが、本実施の形態のようにチップオ
ンボード（ＣＯＢ：Chip On Board ）構造を採用しても
差し支えない。この場合、ＬＳＩチップ４のパッドと内
部電極６はワイヤ１１で接続され、ワイヤ１１を含めて
ＬＳＩチップ４がハウジング３内部に収容される。
【００１９】ＣＯＢ構造の場合は一般的にワイヤ接合部
で故障が起こりやすいと言われているが、本発明のよう
に高剛性のハウジング内に収容してしまえば、ワイヤ配
線のところにはストレスがかかりにくくなるために故障
率を著しく低減することができる。但し、ＣＯＢ構造の
場合、ワイヤ１１のループの分があるために、必然的に
ハウジング３の凹部の厚さを薄くせざるを得ない場合が
多く、カード面の垂直方向からの応力に対してはフリッ
プチップ構造よりもハウジング３の強度が低下しやすい
ので、注意が必要である。
で故障が起こりやすいと言われているが、本発明のよう
に高剛性のハウジング内に収容してしまえば、ワイヤ配
線のところにはストレスがかかりにくくなるために故障
率を著しく低減することができる。但し、ＣＯＢ構造の
場合、ワイヤ１１のループの分があるために、必然的に
ハウジング３の凹部の厚さを薄くせざるを得ない場合が
多く、カード面の垂直方向からの応力に対してはフリッ
プチップ構造よりもハウジング３の強度が低下しやすい
ので、注意が必要である。
【００２０】
【実施例】次に、本発明のＩＣカードのより具体的な実
施例について説明する。本実施例では、図３に示したフ
リップチップ構造において、厚さを８０μｍに裏面研削
した５ｍｍ×５ｍｍのＬＳＩチップ４を用い、電極パッ
ド部にバンプ８を形成した後、異方性導電膜９を使用し
て、厚さ１５０μｍのガラスエポキシからなる電極基板
２にフェースダウンで電気的に接続すると共に接着を行
った。
施例について説明する。本実施例では、図３に示したフ
リップチップ構造において、厚さを８０μｍに裏面研削
した５ｍｍ×５ｍｍのＬＳＩチップ４を用い、電極パッ
ド部にバンプ８を形成した後、異方性導電膜９を使用し
て、厚さ１５０μｍのガラスエポキシからなる電極基板
２にフェースダウンで電気的に接続すると共に接着を行
った。
【００２１】ハウジング３としては、厚さが３５０μｍ
で外寸が８ｍｍ角のジルコニウムシートの片面の中央部
に５．５ｍｍ角で深さ１８０μｍの凹部を形成したもの
を用いた。このハウジング３を、その凹部にＬＳＩチッ
プ部分が収納されるようにエポキシ接着剤を用いて電極
基板２と接着し、図３の構造のＬＳＩ実装モジュールを
形成した。なお、空隙１０の部分はエポキシ接着剤で充
填した。そして、このＬＳＩ実装モジュールをモジュー
ル用の凹部が形成されたプラスチック製のカード基材５
に接着してＩＣカードを製作した。
で外寸が８ｍｍ角のジルコニウムシートの片面の中央部
に５．５ｍｍ角で深さ１８０μｍの凹部を形成したもの
を用いた。このハウジング３を、その凹部にＬＳＩチッ
プ部分が収納されるようにエポキシ接着剤を用いて電極
基板２と接着し、図３の構造のＬＳＩ実装モジュールを
形成した。なお、空隙１０の部分はエポキシ接着剤で充
填した。そして、このＬＳＩ実装モジュールをモジュー
ル用の凹部が形成されたプラスチック製のカード基材５
に接着してＩＣカードを製作した。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、請求項１に記載のよう
に、シリコン基板よりも弾性係数の高い材料からなる凹
形状のハウジングの凹部にＬＳＩチップ部分を収容し、
該ハウジングのリム部分と電極基板を接着してＬＳＩチ
ップの周囲を取り囲む構造とすることにより、ＬＳＩ実
装モジュールの補強とＬＳＩチップの保護を効果的に行
うことができるので、ＩＣカードの故障率を低減するこ
とができ、信頼性の高いＩＣカードを提供することがで
きる。
に、シリコン基板よりも弾性係数の高い材料からなる凹
形状のハウジングの凹部にＬＳＩチップ部分を収容し、
該ハウジングのリム部分と電極基板を接着してＬＳＩチ
ップの周囲を取り囲む構造とすることにより、ＬＳＩ実
装モジュールの補強とＬＳＩチップの保護を効果的に行
うことができるので、ＩＣカードの故障率を低減するこ
とができ、信頼性の高いＩＣカードを提供することがで
きる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態を示すＬＳＩ実装
モジュールを表面側及び裏面側から見た鳥瞰図である。
モジュールを表面側及び裏面側から見た鳥瞰図である。
【図２】 図１のハウジングを凹部が設けられた側から
見た鳥瞰図である。
見た鳥瞰図である。
【図３】 図１のＬＳＩ実装モジュールの断面図であ
る。
る。
【図４】 ハウジングの外寸が電極基板の外寸より大き
い場合のＬＳＩ実装モジュールの断面図である。
い場合のＬＳＩ実装モジュールの断面図である。
【図５】 本発明の第２の実施の形態を示すＬＳＩ実装
モジュールの断面図である。
モジュールの断面図である。
１…外部電極、２…電極基板、３…ハウジング、４…Ｌ
ＳＩチップ、５…カード基材、６…内部電極、７…スル
ーホール、８…バンプ、９…異方性導電膜、１０…空
隙、１１…ワイヤ。
ＳＩチップ、５…カード基材、６…内部電極、７…スル
ーホール、８…バンプ、９…異方性導電膜、１０…空
隙、１１…ワイヤ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 海野 秀之 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 竹田 忠雄 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 リム部分が電極基板と接着された、シリ
コン基板よりも弾性係数の高い材料からなる凹形状のハ
ウジングを備え、このハウジングの凹部に前記電極基板
に実装されたＬＳＩチップ部分が収容されることを特徴
とするＩＣカード。 - 【請求項２】 請求項１記載のＩＣカードにおいて、 前記ハウジングは絶縁性の材料からなることを特徴とす
るＩＣカード。 - 【請求項３】 請求項１記載のＩＣカードにおいて、 前記電極基板の表側に設けられた外部電極と裏側のＬＳ
Ｉチップとが電極基板に設けられたスルーホールを介し
て電気的に接続されていることを特徴とするＩＣカー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10098828A JPH11296638A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | Ｉｃカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10098828A JPH11296638A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | Ｉｃカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11296638A true JPH11296638A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14230161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10098828A Pending JPH11296638A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | Ｉｃカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11296638A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6933352B2 (en) | 1999-08-31 | 2005-08-23 | Japan Science And Technology Corporation | Amphiphilic compounds having a dendritic branch structure |
| US7135782B2 (en) * | 2001-12-03 | 2006-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor module and production method therefor and module for IC cards and the like |
-
1998
- 1998-04-10 JP JP10098828A patent/JPH11296638A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6933352B2 (en) | 1999-08-31 | 2005-08-23 | Japan Science And Technology Corporation | Amphiphilic compounds having a dendritic branch structure |
| US7135782B2 (en) * | 2001-12-03 | 2006-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor module and production method therefor and module for IC cards and the like |
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