JPH11293448A - 浸珪法を用いた珪素鋼板の製造方法 - Google Patents
浸珪法を用いた珪素鋼板の製造方法Info
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- JPH11293448A JPH11293448A JP10114356A JP11435698A JPH11293448A JP H11293448 A JPH11293448 A JP H11293448A JP 10114356 A JP10114356 A JP 10114356A JP 11435698 A JP11435698 A JP 11435698A JP H11293448 A JPH11293448 A JP H11293448A
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- treatment
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 炉構造を複雑にせず、かつ品質の劣化もな
く、自由度の高い処理により所望の磁気特性を得ること
ができる浸珪法を用いた珪素鋼板の製造方法を提供する
こと。 【解決手段】 鋼板表面からＳｉを浸透させる浸珪処理
および浸透させたＳｉを鋼板内に拡散させる拡散処理を
同一雰囲気で同時的に行って浸珪および拡散速度を制御
することにより、鋼板の板厚方向のＳｉ濃度分布を制御
する。
く、自由度の高い処理により所望の磁気特性を得ること
ができる浸珪法を用いた珪素鋼板の製造方法を提供する
こと。 【解決手段】 鋼板表面からＳｉを浸透させる浸珪処理
および浸透させたＳｉを鋼板内に拡散させる拡散処理を
同一雰囲気で同時的に行って浸珪および拡散速度を制御
することにより、鋼板の板厚方向のＳｉ濃度分布を制御
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、浸珪法を用いた珪
素鋼板の製造方法に関する。
素鋼板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高珪素鋼板は、トランスやモーターの鉄
心材料に使用され、Ｓｉの含有量が増すほど鉄損が低減
し、Ｓｉ：６．５ｗｔ．％では磁歪が０となり、最大透
磁率のピークとなる等、優れた磁気特性を示すことが知
られている。
心材料に使用され、Ｓｉの含有量が増すほど鉄損が低減
し、Ｓｉ：６．５ｗｔ．％では磁歪が０となり、最大透
磁率のピークとなる等、優れた磁気特性を示すことが知
られている。
【０００３】従来、高珪素鋼板の製造方法として、低珪
素鋼を圧延により薄板とした後、鋼板表面からＳｉを浸
透拡散させる、いわゆる浸珪法が知られている。また、
拡散により均一Ｓｉ濃度の高珪素鋼板を製造しようとす
ると時間がかかるので、特開昭６２−２２７０３３号か
ら特開昭６２−２２７０３６号公報、特公平５−４９７
４４号公報には、表層のＳｉ濃度が６．５ｗｔ．％とな
って、板厚方向にＳｉの濃度分布が存在する時点で拡散
処理を打ち切り、全体の処理時間を短くすることが提案
されている。さらにこれらには、このようにしてＳｉ分
布を形成した珪素鋼板は鉄損が低いことが示されてい
る。
素鋼を圧延により薄板とした後、鋼板表面からＳｉを浸
透拡散させる、いわゆる浸珪法が知られている。また、
拡散により均一Ｓｉ濃度の高珪素鋼板を製造しようとす
ると時間がかかるので、特開昭６２−２２７０３３号か
ら特開昭６２−２２７０３６号公報、特公平５−４９７
４４号公報には、表層のＳｉ濃度が６．５ｗｔ．％とな
って、板厚方向にＳｉの濃度分布が存在する時点で拡散
処理を打ち切り、全体の処理時間を短くすることが提案
されている。さらにこれらには、このようにしてＳｉ分
布を形成した珪素鋼板は鉄損が低いことが示されてい
る。
【０００４】一方、特開平９−１８４０５１号公報に
は、偏磁の原因である残留磁束密度を低下させるには板
厚方向にＳｉの濃度勾配を形成することが有効なことが
開示されている。
は、偏磁の原因である残留磁束密度を低下させるには板
厚方向にＳｉの濃度勾配を形成することが有効なことが
開示されている。
【０００５】ところで、上記公報に開示されている従来
の浸珪法は、加熱−浸珪処理−拡散処理−冷却の４つの
工程よりなり、浸珪処理および拡散処理は、浸珪量と拡
散状態の制御を容易にするために完全に隔離・区別して
いた。すなわち、まず加熱炉で加熱した後、ＳｉＣｌ4
を含む無酸化性ガス雰囲気の浸珪炉にて浸珪処理を行
い、次にＳｉＣｌ4を含まない無酸化性ガス雰囲気の拡
散炉にて拡散処理を行っていた。
の浸珪法は、加熱−浸珪処理−拡散処理−冷却の４つの
工程よりなり、浸珪処理および拡散処理は、浸珪量と拡
散状態の制御を容易にするために完全に隔離・区別して
いた。すなわち、まず加熱炉で加熱した後、ＳｉＣｌ4
を含む無酸化性ガス雰囲気の浸珪炉にて浸珪処理を行
い、次にＳｉＣｌ4を含まない無酸化性ガス雰囲気の拡
散炉にて拡散処理を行っていた。
【０００６】しかし、この場合には、炉構造が複雑にな
ることや拡散処理中の非酸化雰囲気の制御次第では鋼板
の酸化による品質の劣化が発生し、問題とされてきた。
ることや拡散処理中の非酸化雰囲気の制御次第では鋼板
の酸化による品質の劣化が発生し、問題とされてきた。
【０００７】また、板厚中心部の珪素濃度は磁気特性へ
の影響が強く、板厚中央部分の珪素濃度調整は、Ｓｉ濃
度分布を有する珪素鋼板の製造において、重要な条件の
一つである。
の影響が強く、板厚中央部分の珪素濃度調整は、Ｓｉ濃
度分布を有する珪素鋼板の製造において、重要な条件の
一つである。
【０００８】しかし、従来の浸珪処理と拡散処理を個別
的に行う製造方法は、拡散処理だけで板厚方向の珪素濃
度分布を調整する必要があるため、板厚方向での中心珪
素濃度の調整が困難であり、事実上、母材珪素濃度によ
っての調整となることから、自由度の低い製造方法とな
っていた。
的に行う製造方法は、拡散処理だけで板厚方向の珪素濃
度分布を調整する必要があるため、板厚方向での中心珪
素濃度の調整が困難であり、事実上、母材珪素濃度によ
っての調整となることから、自由度の低い製造方法とな
っていた。
【０００９】また、母材珪素濃度が３．５ｗｔ．％以上
となると冷間圧延が困難となるため、母材中心珪素濃度
を３．５ｗｔ．％以上とする場合には冷間圧延を必要と
する薄板の製造が事実上不可能となっていた。
となると冷間圧延が困難となるため、母材中心珪素濃度
を３．５ｗｔ．％以上とする場合には冷間圧延を必要と
する薄板の製造が事実上不可能となっていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであって、炉構造を複雑にせず、か
つ品質の劣化もなく、自由度の高い処理により所望の磁
気特性を得ることができる浸珪法を用いた珪素鋼板の製
造方法を提供することを目的とする。
鑑みてなされたものであって、炉構造を複雑にせず、か
つ品質の劣化もなく、自由度の高い処理により所望の磁
気特性を得ることができる浸珪法を用いた珪素鋼板の製
造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、鋼板表面からＳｉを浸透させる浸珪処理
および浸透させたＳｉを鋼板内に拡散させる拡散処理を
同一雰囲気で同時的に行って浸珪および拡散速度を制御
することにより、鋼板の板厚方向のＳｉ濃度分布を制御
することを特徴とする、浸珪法を用いた珪素鋼板の製造
方法を提供する。
に、本発明は、鋼板表面からＳｉを浸透させる浸珪処理
および浸透させたＳｉを鋼板内に拡散させる拡散処理を
同一雰囲気で同時的に行って浸珪および拡散速度を制御
することにより、鋼板の板厚方向のＳｉ濃度分布を制御
することを特徴とする、浸珪法を用いた珪素鋼板の製造
方法を提供する。
【００１２】前記浸珪処理および拡散処理は、化学気相
蒸着（以下、ＣＶＤと記す）法を用いて行うことができ
る。この場合に、ＣＶＤ法による浸珪処理および拡散処
理はＳｉＣｌ4を用いて行うことができる。
蒸着（以下、ＣＶＤと記す）法を用いて行うことができ
る。この場合に、ＣＶＤ法による浸珪処理および拡散処
理はＳｉＣｌ4を用いて行うことができる。
【００１３】本発明によれば、浸珪処理と拡散処理とを
同一雰囲気で行うので、仕切等の炉構造物を排除するこ
とができ、炉構造を簡素化することができる。また、こ
のように拡散処理を浸珪処理と同一雰囲気で行うことに
より、拡散処理雰囲気の水、酸素濃度を低減することが
でき、均熱拡散処理段階での鋼板酸化を抑制することが
でき、製品の品質劣化を防止することができる。さら
に、浸珪処理と拡散処理とを同時的に行うので、例え
ば、板厚方向での中心珪素濃度の調整を初期浸珪にて行
い、十分な拡散が付与された後、濃度傾斜付与を目的と
した浸珪を行う処理も可能となり、自由度の高い処理に
より所望の磁気特性を得ることができる。
同一雰囲気で行うので、仕切等の炉構造物を排除するこ
とができ、炉構造を簡素化することができる。また、こ
のように拡散処理を浸珪処理と同一雰囲気で行うことに
より、拡散処理雰囲気の水、酸素濃度を低減することが
でき、均熱拡散処理段階での鋼板酸化を抑制することが
でき、製品の品質劣化を防止することができる。さら
に、浸珪処理と拡散処理とを同時的に行うので、例え
ば、板厚方向での中心珪素濃度の調整を初期浸珪にて行
い、十分な拡散が付与された後、濃度傾斜付与を目的と
した浸珪を行う処理も可能となり、自由度の高い処理に
より所望の磁気特性を得ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下本発明について具体的に説明
する。本発明においては、浸珪法を用いてＳｉ濃度分布
を有する珪素鋼板鋼板を製造するにあたり、表面からＳ
ｉを浸透させる浸珪処理および浸透させたＳｉを鋼板内
に拡散させる拡散処理を同一雰囲気で同時的に行って浸
珪および拡散速度を制御することにより、鋼板の板厚方
向のＳｉ濃度分布を制御する。
する。本発明においては、浸珪法を用いてＳｉ濃度分布
を有する珪素鋼板鋼板を製造するにあたり、表面からＳ
ｉを浸透させる浸珪処理および浸透させたＳｉを鋼板内
に拡散させる拡散処理を同一雰囲気で同時的に行って浸
珪および拡散速度を制御することにより、鋼板の板厚方
向のＳｉ濃度分布を制御する。
【００１５】ここで、浸珪処理および拡散処理は、典型
的にはＳｉ含有ガスによるＣＶＤ処理により行う。そし
て、従来の浸珪処理および拡散処理を、同一の炉でＳｉ
含有ガスを含む同一雰囲気で行う。
的にはＳｉ含有ガスによるＣＶＤ処理により行う。そし
て、従来の浸珪処理および拡散処理を、同一の炉でＳｉ
含有ガスを含む同一雰囲気で行う。
【００１６】処理に用いるＳｉ含有ガスは、特に限定さ
れるものではなく、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ5、ＳｉＣｌ4等を
用いることができるが、中でもＳｉＣｌ4が好ましい。
処理ガスとしてＳｉＣｌ4を用いる場合には、処理温度
を１０２３〜１２５０℃の範囲にすることが好ましい。
また、浸珪処理および拡散処理の際のＳｉＣｌ4の濃度
は ０．０２〜３５ｍｏｌ％とすることが好ましい。
れるものではなく、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ5、ＳｉＣｌ4等を
用いることができるが、中でもＳｉＣｌ4が好ましい。
処理ガスとしてＳｉＣｌ4を用いる場合には、処理温度
を１０２３〜１２５０℃の範囲にすることが好ましい。
また、浸珪処理および拡散処理の際のＳｉＣｌ4の濃度
は ０．０２〜３５ｍｏｌ％とすることが好ましい。
【００１７】このような処理は、例えば、図１に示す装
置で行うことができる。この装置は、加熱炉１と、浸珪
・拡散処理炉２と、冷却炉３とが順に配置され、鋼板Ｓ
が連続的に処理される。加熱炉１において例えば１２０
０℃まで加熱し、浸珪・拡散処理炉２において適宜の箇
所からＳｉＣｌ4ガスを所定の流量で導入し、鋼板Ｓの
移動速度を調整することにより、鋼板Ｓに対する浸珪お
よび拡散速度を制御することにより、鋼板の板厚方向の
Ｓｉ濃度分布を制御する。その後、このようにＳｉ濃度
分布が制御された鋼板Ｓを冷却炉３で冷却し、巻き取
る。
置で行うことができる。この装置は、加熱炉１と、浸珪
・拡散処理炉２と、冷却炉３とが順に配置され、鋼板Ｓ
が連続的に処理される。加熱炉１において例えば１２０
０℃まで加熱し、浸珪・拡散処理炉２において適宜の箇
所からＳｉＣｌ4ガスを所定の流量で導入し、鋼板Ｓの
移動速度を調整することにより、鋼板Ｓに対する浸珪お
よび拡散速度を制御することにより、鋼板の板厚方向の
Ｓｉ濃度分布を制御する。その後、このようにＳｉ濃度
分布が制御された鋼板Ｓを冷却炉３で冷却し、巻き取
る。
【００１８】このように、浸珪・拡散処理炉２により浸
珪処理および拡散処理を同一雰囲気で同時的に行うこと
により、炉の構造を簡略化することができるとともに、
従来拡散炉で問題となっていた鋼板酸化も抑制すること
ができ、また、浸珪・拡散処理炉２における雰囲気調
整、ＳｉＣｌ4ガスの導入箇所およびその流量、ならび
に鋼板Ｓの移動速度等を調節することにより、Ｓｉ濃度
分布を制御しやすく、極めて自由度の高い処理を行うこ
とができる。すなわち、このようにしてＳｉ分布を制御
して表層のＳｉ濃度が板厚中心部のＳｉ濃度よりも高い
所定のＳｉ濃度勾配を形成すれば、高周波での鉄損、残
留磁束密度、加工性に関してより好ましい特性を得るこ
とができ、また、このような制御によりＳｉ濃度が均一
の珪素鋼板を製造する場合には、商用周波数領域から高
周波域直前までの鉄損をより好ましい値とすることがで
き、Ｓｉ濃度６．５ｗｔ．％付近では磁歪特性および加
工性により優れたものを得ることができる。
珪処理および拡散処理を同一雰囲気で同時的に行うこと
により、炉の構造を簡略化することができるとともに、
従来拡散炉で問題となっていた鋼板酸化も抑制すること
ができ、また、浸珪・拡散処理炉２における雰囲気調
整、ＳｉＣｌ4ガスの導入箇所およびその流量、ならび
に鋼板Ｓの移動速度等を調節することにより、Ｓｉ濃度
分布を制御しやすく、極めて自由度の高い処理を行うこ
とができる。すなわち、このようにしてＳｉ分布を制御
して表層のＳｉ濃度が板厚中心部のＳｉ濃度よりも高い
所定のＳｉ濃度勾配を形成すれば、高周波での鉄損、残
留磁束密度、加工性に関してより好ましい特性を得るこ
とができ、また、このような制御によりＳｉ濃度が均一
の珪素鋼板を製造する場合には、商用周波数領域から高
周波域直前までの鉄損をより好ましい値とすることがで
き、Ｓｉ濃度６．５ｗｔ．％付近では磁歪特性および加
工性により優れたものを得ることができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。上
記図１に示すような装置により、ＣＶＤ法を使用した連
続浸珪処理プロセスにより、３．０ｗｔ．％Ｓｉで板厚
０．２ｍｍの鋼板を母材とし、ＳｉＣｌ4を原料ガスに
用いて、板厚方向にＳｉ濃度勾配を有する材料を製造し
た。
記図１に示すような装置により、ＣＶＤ法を使用した連
続浸珪処理プロセスにより、３．０ｗｔ．％Ｓｉで板厚
０．２ｍｍの鋼板を母材とし、ＳｉＣｌ4を原料ガスに
用いて、板厚方向にＳｉ濃度勾配を有する材料を製造し
た。
【００２０】浸珪・拡散処理炉２内のＳｉＣｌ4ガス供
給箇所およびその流量、ならびに処理速度（鋼板移動速
度）を調整して製造を行った。炉内温度は図２に示す炉
温パターンにて行った。１次浸珪処理（浸珪−拡散−浸
珪）の実施の有無により、中心珪素濃度を変化させたも
のと、十分に拡散処理を行ったものを製造した。なお、
比較のため、浸珪処理と拡散処理を個別に実施する従来
法でも製造した。
給箇所およびその流量、ならびに処理速度（鋼板移動速
度）を調整して製造を行った。炉内温度は図２に示す炉
温パターンにて行った。１次浸珪処理（浸珪−拡散−浸
珪）の実施の有無により、中心珪素濃度を変化させたも
のと、十分に拡散処理を行ったものを製造した。なお、
比較のため、浸珪処理と拡散処理を個別に実施する従来
法でも製造した。
【００２１】表１に、これらの製造条件と、電子線プロ
ーブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）によって鋼板の
板厚方向の珪素濃度分布を分析した結果に基づく表層珪
素濃度および中心珪素濃度の値、磁気特性、加工性を示
す。
ーブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）によって鋼板の
板厚方向の珪素濃度分布を分析した結果に基づく表層珪
素濃度および中心珪素濃度の値、磁気特性、加工性を示
す。
【００２２】
【表２】
【００２３】表１に示す条件１では１次浸珪処理を施し
たことにより鋼板中央部の珪素濃度が条件２と比較して
約１％程度増加しており、１次浸珪処理にて鋼板中央部
の珪素濃度調整が可能であることが確認された。また、
条件１の磁気特性としては全体の珪素濃度が増加してい
ることから高周波領域では鉄損が条件２より若干劣る
が、低周波数量域まで含めた全体的な鉄損の改善が見ら
れた。
たことにより鋼板中央部の珪素濃度が条件２と比較して
約１％程度増加しており、１次浸珪処理にて鋼板中央部
の珪素濃度調整が可能であることが確認された。また、
条件１の磁気特性としては全体の珪素濃度が増加してい
ることから高周波領域では鉄損が条件２より若干劣る
が、低周波数量域まで含めた全体的な鉄損の改善が見ら
れた。
【００２４】また、条件１，２は、板厚方向でのＳｉ濃
度分布が形成されており、高周波領域での鉄損および残
留磁束密度が均一材である比較例１よりも良好であり、
また、浸珪および拡散を同時に行っているため、個別処
理を行った比較例２とほぼ同様のＳｉ濃度分布でありな
がら、著しく加工性が向上することが確認された。
度分布が形成されており、高周波領域での鉄損および残
留磁束密度が均一材である比較例１よりも良好であり、
また、浸珪および拡散を同時に行っているため、個別処
理を行った比較例２とほぼ同様のＳｉ濃度分布でありな
がら、著しく加工性が向上することが確認された。
【００２５】さらに、条件３は浸珪および拡散を同時に
行い、Ｓｉを十分に拡散させて全体としてＳｉ濃度を高
くしたものであるが、個別処理を行って全体としてＳｉ
濃度を高くした比較材１と比べ、加工性が改善されるこ
とが確認された。
行い、Ｓｉを十分に拡散させて全体としてＳｉ濃度を高
くしたものであるが、個別処理を行って全体としてＳｉ
濃度を高くした比較材１と比べ、加工性が改善されるこ
とが確認された。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
浸珪処理と拡散処理とを同一雰囲気で同時的に行うの
で、炉構造を簡素化することができ、また、拡散処理雰
囲気の水、酸素濃度を低減することができるので、均熱
拡散処理段階での鋼板酸化を抑制することができ、製品
の品質劣化を防止することができる。さらに、浸珪処理
と拡散処理とを同時的に行うので、珪素濃度分布の調整
が容易になり、自由度の高い処理により所望の磁気特性
を得ることができる。
浸珪処理と拡散処理とを同一雰囲気で同時的に行うの
で、炉構造を簡素化することができ、また、拡散処理雰
囲気の水、酸素濃度を低減することができるので、均熱
拡散処理段階での鋼板酸化を抑制することができ、製品
の品質劣化を防止することができる。さらに、浸珪処理
と拡散処理とを同時的に行うので、珪素濃度分布の調整
が容易になり、自由度の高い処理により所望の磁気特性
を得ることができる。
【図１】本発明の方法を実施するための装置の一例を示
す概略構成図。
す概略構成図。
【図２】実施例における炉の温度分布を示す図。
１； 加熱炉 ２； 浸珪・拡散処理炉 ３； 冷却炉 Ｓ； 鋼板
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｆ 27/24 Ｈ０１Ｆ 27/24 Ｚ (72)発明者 二宮 弘憲 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内 (72)発明者 平谷 多津彦 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 鋼板表面からＳｉを浸透させる浸珪処理
および浸透させたＳｉを鋼板内に拡散させる拡散処理を
同一雰囲気で同時的に行って浸珪および拡散速度を制御
することにより、鋼板の板厚方向のＳｉ濃度分布を制御
することを特徴とする、浸珪法を用いた珪素鋼板の製造
方法。 - 【請求項２】 前記浸珪処理および拡散処理は、化学気
相蒸着法を用いて行うことを特徴とする、請求項１に記
載の浸珪法を用いた珪素鋼板の製造方法。 - 【請求項３】 前記浸珪処理および拡散処理は、ＳｉＣ
ｌ4を用いた化学気相蒸着法にて行うことを特徴とす
る、請求項２に記載の浸珪法を用いた珪素鋼板の製造方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10114356A JPH11293448A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 浸珪法を用いた珪素鋼板の製造方法 |
| EP99939203A EP0987341A4 (en) | 1998-03-12 | 1999-03-05 | SILICON STEEL SHEET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
| US09/423,509 US6527876B2 (en) | 1998-03-12 | 1999-03-05 | Silicon steel sheet and method for producing the same |
| KR1019997009343A KR100334860B1 (ko) | 1998-03-12 | 1999-03-05 | 규소강판 및 그 제조방법 |
| PCT/JP1999/001063 WO1999046417A1 (fr) | 1998-03-12 | 1999-03-05 | Tole d'acier au silicium et son procede de fabrication |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10114356A JPH11293448A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 浸珪法を用いた珪素鋼板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11293448A true JPH11293448A (ja) | 1999-10-26 |
Family
ID=14635691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10114356A Pending JPH11293448A (ja) | 1998-03-12 | 1998-04-10 | 浸珪法を用いた珪素鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11293448A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012158773A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-23 | Jfe Steel Corp | 高珪素鋼板の製造方法 |
| JP2012158772A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-23 | Jfe Steel Corp | 高珪素鋼板の製造方法 |
-
1998
- 1998-04-10 JP JP10114356A patent/JPH11293448A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012158773A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-23 | Jfe Steel Corp | 高珪素鋼板の製造方法 |
| JP2012158772A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-23 | Jfe Steel Corp | 高珪素鋼板の製造方法 |
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