JPH11288885A - 集束イオンビーム加工方法 - Google Patents
集束イオンビーム加工方法Info
- Publication number
- JPH11288885A JPH11288885A JP9307898A JP9307898A JPH11288885A JP H11288885 A JPH11288885 A JP H11288885A JP 9307898 A JP9307898 A JP 9307898A JP 9307898 A JP9307898 A JP 9307898A JP H11288885 A JPH11288885 A JP H11288885A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- ion beam
- scanning
- area
- focused ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3178—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for applying thin layers on objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31735—Direct-write microstructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31742—Etching microareas for repairing masks
- H01J2237/31744—Etching microareas for repairing masks introducing gas in vicinity of workpiece
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 集束イオンビームにて形成する線幅の小さな
膜の厚みを一定にし、ハローを少なくする。 【解決手段】 膜付け用ガスを導入し、集束イオンビー
ムを走査させ膜を形成する為の膜付け走査領域を加工の
途中から縮小させる。膜付け用ガスを用いた集束イオン
ビームによる膜の形成に於いて、膜付け用ガスが十分に
供給するために、イオンビームを走査するときに一定の
タイミングでイオンビームをブランキングする方法にて
膜を形成する。この時、形成された膜のその端部に於い
てハローと呼ばれる所の膜の裾引き成分が広範囲に渡ら
ず、しかもハロー成分の膜厚も不必要に厚くならず。膜
厚を膜の幅に関わらずより均等に保て、形成する膜の位
置をより正確に保ち加工する事ができる。
膜の厚みを一定にし、ハローを少なくする。 【解決手段】 膜付け用ガスを導入し、集束イオンビー
ムを走査させ膜を形成する為の膜付け走査領域を加工の
途中から縮小させる。膜付け用ガスを用いた集束イオン
ビームによる膜の形成に於いて、膜付け用ガスが十分に
供給するために、イオンビームを走査するときに一定の
タイミングでイオンビームをブランキングする方法にて
膜を形成する。この時、形成された膜のその端部に於い
てハローと呼ばれる所の膜の裾引き成分が広範囲に渡ら
ず、しかもハロー成分の膜厚も不必要に厚くならず。膜
厚を膜の幅に関わらずより均等に保て、形成する膜の位
置をより正確に保ち加工する事ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、膜付け用ガスを試料表
面に吹付けながら、集束イオンビームを試料の所定領域
で照射してパターン膜を形成する方法に関するものであ
る。
面に吹付けながら、集束イオンビームを試料の所定領域
で照射してパターン膜を形成する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の集束イオンビーム照射によるパタ
ーン膜の形成方法は、以下の通りである。試料表面の新
たにパターン膜を形成する所定領域に、膜付け用ガス
（例えば、ピレン等の有機化合物ガス）を局所的に吹付
ける。それと同時に、集束イオンビームを所定領域で繰
り返し走査させながら照射する。所定領域に吹付けられ
た膜付け用ガスは、試料の所定領域及びその近傍の試料
表面に吸着される。所定領域で試料表面に吸着された有
機化合物は、集束イオンビームの照射により、分解し、
カーボン膜が形成される。集束イオンビームは繰り返し
走査照射しているため、そのカーボン膜は、パターン膜
として所望の厚さに形成される。このパターン膜は、半
導体装置製造に用いられるマスクの修正や、半導体装置
そのもののパターン形成（パターン修正）に用いられ
る。
ーン膜の形成方法は、以下の通りである。試料表面の新
たにパターン膜を形成する所定領域に、膜付け用ガス
（例えば、ピレン等の有機化合物ガス）を局所的に吹付
ける。それと同時に、集束イオンビームを所定領域で繰
り返し走査させながら照射する。所定領域に吹付けられ
た膜付け用ガスは、試料の所定領域及びその近傍の試料
表面に吸着される。所定領域で試料表面に吸着された有
機化合物は、集束イオンビームの照射により、分解し、
カーボン膜が形成される。集束イオンビームは繰り返し
走査照射しているため、そのカーボン膜は、パターン膜
として所望の厚さに形成される。このパターン膜は、半
導体装置製造に用いられるマスクの修正や、半導体装置
そのもののパターン形成（パターン修正）に用いられ
る。
【０００３】また、膜付け用ガスとして、金属有機化合
物ガスを用いると、配線用としての金属パターンが形成
され、シリコン化合物ガスを用いると絶縁膜が形成され
る。なお、ここで、集束イオンビーム照射により膜を形
成するこれら有機化合物ガス、金属有機化合物ガス、シ
リコン化合物ガス等を原料ガスと呼ぶ。集束イオンビー
ムの繰り返し走査を同一回数にしても、この方法により
形成される膜の厚さは、形成されるパターン膜の面積の
大きさに応じて変化する。パターン膜の面積が大きい
と、パターン膜の厚さが厚くなり、面積が小さいと、厚
さが薄くなる。これは、パターン膜を形成する領域が広
いと、集束イオンビームがパターン膜形成領域を一通り
（１画面）走査するのに時間がかかり、次の集束イオン
ビームの走査により照射される迄の間に、試料表面に吸
着される原料ガスの量が多くなる。そして形成されるパ
ターン膜の厚さは厚くなる。形成するパターンの面積が
小さい場合は、逆の現象でパターン膜の厚さは、薄くな
る。図４に、その状況の一部を示した。図４は、パター
ン膜を形成する面積と或る一定のパターン膜の厚さを得
るのに必要な集束イオンビーム走査回数の関係を示した
グラフである。線３０は、面積が小さいほど、膜形成能
力が低いことを示している。
物ガスを用いると、配線用としての金属パターンが形成
され、シリコン化合物ガスを用いると絶縁膜が形成され
る。なお、ここで、集束イオンビーム照射により膜を形
成するこれら有機化合物ガス、金属有機化合物ガス、シ
リコン化合物ガス等を原料ガスと呼ぶ。集束イオンビー
ムの繰り返し走査を同一回数にしても、この方法により
形成される膜の厚さは、形成されるパターン膜の面積の
大きさに応じて変化する。パターン膜の面積が大きい
と、パターン膜の厚さが厚くなり、面積が小さいと、厚
さが薄くなる。これは、パターン膜を形成する領域が広
いと、集束イオンビームがパターン膜形成領域を一通り
（１画面）走査するのに時間がかかり、次の集束イオン
ビームの走査により照射される迄の間に、試料表面に吸
着される原料ガスの量が多くなる。そして形成されるパ
ターン膜の厚さは厚くなる。形成するパターンの面積が
小さい場合は、逆の現象でパターン膜の厚さは、薄くな
る。図４に、その状況の一部を示した。図４は、パター
ン膜を形成する面積と或る一定のパターン膜の厚さを得
るのに必要な集束イオンビーム走査回数の関係を示した
グラフである。線３０は、面積が小さいほど、膜形成能
力が低いことを示している。
【０００４】更には、面積が小さいと、膜が形成される
以上に集束イオンビーム照射によるエッチング効果が優
位となり、膜が全く形成されなかったり、集束イオンビ
ーム照射領域の基板を逆に削ってしまうことになる。以
上のように、形成するパターン膜の面積により、所望す
る膜の厚みを一定にすることができない。これを回避す
るために、先ず第一に、形成するパターン膜の面積が或
る一定（例えば、約５０平方μｍ、図４のａ）以下で
は、集束イオンビーム照射によりパターン膜を形成する
際、同一箇所に再度集束イオンビームが照射されるまで
の時間間隔を設定して、原料ガスが十分に試料表面に吸
着されるようにする。つまり、集束イオンビームがパタ
ーン膜を形成領域を１画面走査するごとに、照射休止時
間を設けている。照射休止時間は、例えば膜形成領域が
約５０平方μｍの時にある位置が集束イオンビームの繰
り返し走査により再度照射されるタイミングと同一のタ
イミングになるように設定される。
以上に集束イオンビーム照射によるエッチング効果が優
位となり、膜が全く形成されなかったり、集束イオンビ
ーム照射領域の基板を逆に削ってしまうことになる。以
上のように、形成するパターン膜の面積により、所望す
る膜の厚みを一定にすることができない。これを回避す
るために、先ず第一に、形成するパターン膜の面積が或
る一定（例えば、約５０平方μｍ、図４のａ）以下で
は、集束イオンビーム照射によりパターン膜を形成する
際、同一箇所に再度集束イオンビームが照射されるまで
の時間間隔を設定して、原料ガスが十分に試料表面に吸
着されるようにする。つまり、集束イオンビームがパタ
ーン膜を形成領域を１画面走査するごとに、照射休止時
間を設けている。照射休止時間は、例えば膜形成領域が
約５０平方μｍの時にある位置が集束イオンビームの繰
り返し走査により再度照射されるタイミングと同一のタ
イミングになるように設定される。
【０００５】しかしながら、図４の線３１に示したよう
に、パターン形成面積が極端に小さいとき、パターン膜
の形成スピードが速くなる。パターン形成領域の幅が集
束イオンビーム径とがオーダー的に同じ程度に小さくな
った時に起きる。つまり、集束イオンビームの繰り返し
走査を同一回数で膜の形成を行った時に、面積が小さく
なるほど膜の厚さが厚くなる。この原因は不明である
が、照射されるイオンビームの一部が、一般には、膜形
成では無くエッチングにも費やされている為に、同一の
原料ガス付着量に対して、線幅が細い所で膜形成効果が
向上するためである。
に、パターン形成面積が極端に小さいとき、パターン膜
の形成スピードが速くなる。パターン形成領域の幅が集
束イオンビーム径とがオーダー的に同じ程度に小さくな
った時に起きる。つまり、集束イオンビームの繰り返し
走査を同一回数で膜の形成を行った時に、面積が小さく
なるほど膜の厚さが厚くなる。この原因は不明である
が、照射されるイオンビームの一部が、一般には、膜形
成では無くエッチングにも費やされている為に、同一の
原料ガス付着量に対して、線幅が細い所で膜形成効果が
向上するためである。
【０００６】次に、そのような条件の下で図４の様に、
予め一定の膜厚を得るための走査回数と形成するパター
ン膜の面積の関係を求めておく。膜形成に必要なイオン
ビームの走査回数を図４に示すグラフに従い所望する膜
の面積に応じて変更させている。
予め一定の膜厚を得るための走査回数と形成するパター
ン膜の面積の関係を求めておく。膜形成に必要なイオン
ビームの走査回数を図４に示すグラフに従い所望する膜
の面積に応じて変更させている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、形成
したい膜の形状がパターンの幅の広い部分と極端に狭い
部分が混在していない場合には有効である。しかし、形
成したい膜の形状がパターンの幅の広い部分と極端に狭
い部分が混在している場合、例えば、図１の様に四角い
大きなパターン形状２１に集束イオンビーム径とオーダ
ー的に同じ様な線幅の小さな突起状のパターン部２１ａ
が付いている様な膜を形成しようとする時、線幅の小さ
な突起状のパターン部２１ａでの膜形成効率は高くな
る。小さな突起状のパターン部２１ａが部分的に膜厚が
高くなり全体的に膜厚を一定に保つことができない。そ
して、不必要に膜厚を高くしたくない場合等には問題と
なる。
したい膜の形状がパターンの幅の広い部分と極端に狭い
部分が混在していない場合には有効である。しかし、形
成したい膜の形状がパターンの幅の広い部分と極端に狭
い部分が混在している場合、例えば、図１の様に四角い
大きなパターン形状２１に集束イオンビーム径とオーダ
ー的に同じ様な線幅の小さな突起状のパターン部２１ａ
が付いている様な膜を形成しようとする時、線幅の小さ
な突起状のパターン部２１ａでの膜形成効率は高くな
る。小さな突起状のパターン部２１ａが部分的に膜厚が
高くなり全体的に膜厚を一定に保つことができない。そ
して、不必要に膜厚を高くしたくない場合等には問題と
なる。
【０００８】一般的に、形成された膜は一部分集束イオ
ンビームによりエッチングされており、形成されたパタ
ーン膜の周辺部をエッチングした物や集束イオンビーム
の一部が散乱されるにより、ハローと呼ばれるより薄い
膜がパターン膜の周辺に形成される。形成されたパター
ン膜の膜厚が高くなるほどハローの膜厚は厚くなる。特
に、マスクのパターンを修正する技術に於いては、光を
減衰させる成分となるために露光上問題となる。仮に、
線幅の小さな突起状のパターン部での膜厚が所望する膜
厚になるようにした時には、面積の大きなパターン部の
膜厚が薄く、光を十分に遮光できなくなり、やはり問題
となる。また、このハローの問題は、配線変更の場合に
も近傍の配線との間での抵抗値を減少させる為に問題と
なる。
ンビームによりエッチングされており、形成されたパタ
ーン膜の周辺部をエッチングした物や集束イオンビーム
の一部が散乱されるにより、ハローと呼ばれるより薄い
膜がパターン膜の周辺に形成される。形成されたパター
ン膜の膜厚が高くなるほどハローの膜厚は厚くなる。特
に、マスクのパターンを修正する技術に於いては、光を
減衰させる成分となるために露光上問題となる。仮に、
線幅の小さな突起状のパターン部での膜厚が所望する膜
厚になるようにした時には、面積の大きなパターン部の
膜厚が薄く、光を十分に遮光できなくなり、やはり問題
となる。また、このハローの問題は、配線変更の場合に
も近傍の配線との間での抵抗値を減少させる為に問題と
なる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、膜形成の途中に於いて膜形成の為のイオンビーム走
査領域を平面内の全方向に対して縮小する。上記方法に
より、線幅の非常に狭い膜を形成しようとしている物に
対しては、イオンビーム走査領域が膜周辺部より膜厚の
低い膜中央部分だけになる。初期のイオンビーム走査領
域が非常に狭いとき、イオンビーム走査領域そのものが
無くなり、膜付け加工が終了する。これによりフリンジ
部にて不必要に膜厚が高くなるのを押さえることができ
る。或いは大小異なる複数の膜を同時に形成する時に
も、小さい膜のみが異常に膜厚が高くなる事を押さえる
事ができる。
め、膜形成の途中に於いて膜形成の為のイオンビーム走
査領域を平面内の全方向に対して縮小する。上記方法に
より、線幅の非常に狭い膜を形成しようとしている物に
対しては、イオンビーム走査領域が膜周辺部より膜厚の
低い膜中央部分だけになる。初期のイオンビーム走査領
域が非常に狭いとき、イオンビーム走査領域そのものが
無くなり、膜付け加工が終了する。これによりフリンジ
部にて不必要に膜厚が高くなるのを押さえることができ
る。或いは大小異なる複数の膜を同時に形成する時に
も、小さい膜のみが異常に膜厚が高くなる事を押さえる
事ができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態をいかに示した
実施例に基づいて説明する。図３は、本発明を実施する
装置である。１はイオンビームを発するイオン源であ
る。例えばガリウム液体金属イオン源が用いられる。２
はコンデンサレンズであってイオンビーム発生用電源お
よび制御部１６及びイオン源１から発生制御されたイオ
ンビームを集束する。３は上部偏向板であって電圧印加
によりコンデンサレンズ２を通過したイオンビームを大
きく偏向させる。必要に応じイオンビームのブランキン
グ等を行なうためである。４はイオンビーム経路に対し
て直交する方向に移動できる可動絞りである。
実施例に基づいて説明する。図３は、本発明を実施する
装置である。１はイオンビームを発するイオン源であ
る。例えばガリウム液体金属イオン源が用いられる。２
はコンデンサレンズであってイオンビーム発生用電源お
よび制御部１６及びイオン源１から発生制御されたイオ
ンビームを集束する。３は上部偏向板であって電圧印加
によりコンデンサレンズ２を通過したイオンビームを大
きく偏向させる。必要に応じイオンビームのブランキン
グ等を行なうためである。４はイオンビーム経路に対し
て直交する方向に移動できる可動絞りである。
【００１１】５は非点補正レンズであって、可動絞り４
を通過したイオンビームの非点補正を行ない真円イオン
ビームスポットを得るためのレンズである。６は対物レ
ンズであって非点補正されたイオンビームのスポットを
試料９表面上に結像するためのものである。７は走査電
極であってＸ及びＹ２組の電極よりなる。イオンビーム
スポットを試料上でラスタスキャンし、例えばマスクや
半導体デバイスのパターン膜の補修加工を行なう。
を通過したイオンビームの非点補正を行ない真円イオン
ビームスポットを得るためのレンズである。６は対物レ
ンズであって非点補正されたイオンビームのスポットを
試料９表面上に結像するためのものである。７は走査電
極であってＸ及びＹ２組の電極よりなる。イオンビーム
スポットを試料上でラスタスキャンし、例えばマスクや
半導体デバイスのパターン膜の補修加工を行なう。
【００１２】８はガス銃であって例えばピレン、ヘキサ
カルボニル金属ガスをそれぞれマスク、半導体デバイス
の膜付け箇所（所定領域）に吹きつけるものである。同
時に膜付け箇所にイオンビームを走査しながら照射し、
表面に吸着したピレンガスやヘキサカルボニル金属ガス
を分解し、パターン膜を形成する。集束イオンビームの
照射により、前記試料９表面から放出される二次荷電粒
子は二次荷電粒子検出器１０によって検出され、信号増
幅処理部１１により増幅およびＡ／Ｄ変換処理され輝度
信号となる。輝度信号と走査制御部１３からの走査信号
と共にディスプレイ１２に入力されて二次荷電粒子像が
表示される。この二次荷電粒子像によって試料９上のパ
ターン膜を形成すべき位置及び領域（所定領域）を探し
だす。
カルボニル金属ガスをそれぞれマスク、半導体デバイス
の膜付け箇所（所定領域）に吹きつけるものである。同
時に膜付け箇所にイオンビームを走査しながら照射し、
表面に吸着したピレンガスやヘキサカルボニル金属ガス
を分解し、パターン膜を形成する。集束イオンビームの
照射により、前記試料９表面から放出される二次荷電粒
子は二次荷電粒子検出器１０によって検出され、信号増
幅処理部１１により増幅およびＡ／Ｄ変換処理され輝度
信号となる。輝度信号と走査制御部１３からの走査信号
と共にディスプレイ１２に入力されて二次荷電粒子像が
表示される。この二次荷電粒子像によって試料９上のパ
ターン膜を形成すべき位置及び領域（所定領域）を探し
だす。
【００１３】ディスプレイ１２に表示された画像によ
り、決められた試料９表面の所定領域にて、集束イオン
ビームを繰り返し走査するように、走査制御部１３は設
定される。走査制御部１３からの走査信号は、走査電極
７に入力され、走査電極７を通過した集束イオンビーム
は、所定の偏向を受ける。これにより、集束イオンビー
ムは、試料９の所定領域を繰り返し走査することにな
る。
り、決められた試料９表面の所定領域にて、集束イオン
ビームを繰り返し走査するように、走査制御部１３は設
定される。走査制御部１３からの走査信号は、走査電極
７に入力され、走査電極７を通過した集束イオンビーム
は、所定の偏向を受ける。これにより、集束イオンビー
ムは、試料９の所定領域を繰り返し走査することにな
る。
【００１４】また、走査制御部１３には、走査範囲調整
器１５が接続されている。走査調整器１５は、走査電極
７に入力される走査信号を、変換するものである。つま
り、集束イオンビームの走査領域を、繰り返し走査の途
中で、所定領域から縮小した領域にするものである。例
えば、主及び副走査信号の上下信号からある一定の量だ
けカットした信号とするものである。これを、走査領域
にて言い換えると、Ｘ方向では、上下共に狭くなり、Ｙ
方法では左右共に狭くなった領域になる。なお、この走
査範囲調整器１５は、走査制御部１３に備えられること
もできる。また、走査範囲の切替えは、走査範囲調整器
１５又は走査制御部１３に備えられたカウンタ（集束イ
オンビームの走査回数を数えるもの）やタイマにて自由
に設定できる。
器１５が接続されている。走査調整器１５は、走査電極
７に入力される走査信号を、変換するものである。つま
り、集束イオンビームの走査領域を、繰り返し走査の途
中で、所定領域から縮小した領域にするものである。例
えば、主及び副走査信号の上下信号からある一定の量だ
けカットした信号とするものである。これを、走査領域
にて言い換えると、Ｘ方向では、上下共に狭くなり、Ｙ
方法では左右共に狭くなった領域になる。なお、この走
査範囲調整器１５は、走査制御部１３に備えられること
もできる。また、走査範囲の切替えは、走査範囲調整器
１５又は走査制御部１３に備えられたカウンタ（集束イ
オンビームの走査回数を数えるもの）やタイマにて自由
に設定できる。
【００１５】次に、図１及び図２について説明する。図
１には、パターン膜を形成する領域を斜線部で示した。
この領域を所定領域２１とする。初め、この所定領域２
１にガス銃８から例えばピレン用ガスを吹き付けると同
時に、走査制御部１３にて、集束イオンビームを所定領
域２１に走査しながら照射する。集束イオンビームを所
定領域１にて一定回数走査・照射した後、走査範囲調整
器１５にて、走査範囲を所定領域１をＸ、Ｙ方向である
一定幅だけ縮小させた領域（縮小領域２２）にする。な
お、ガス銃８からのガスは吹付けたままである。
１には、パターン膜を形成する領域を斜線部で示した。
この領域を所定領域２１とする。初め、この所定領域２
１にガス銃８から例えばピレン用ガスを吹き付けると同
時に、走査制御部１３にて、集束イオンビームを所定領
域２１に走査しながら照射する。集束イオンビームを所
定領域１にて一定回数走査・照射した後、走査範囲調整
器１５にて、走査範囲を所定領域１をＸ、Ｙ方向である
一定幅だけ縮小させた領域（縮小領域２２）にする。な
お、ガス銃８からのガスは吹付けたままである。
【００１６】図１の点線で囲った部分は縮小領域２であ
る。図２は、図１の点線で囲った縮小された膜付け加工
である縮小領域２２をあらためて書き表したものであ
る。縮小するタイミングは、図１に示す様な、縮小によ
って膜付け走査領域が無くなる形状３の膜の高さが目的
とする高さに成長した時点とする。これは、実験的の高
さを求め、この実験結果から、走査範囲の切替え時期を
求め、予めその時期を走査範囲調整器１５又は走査制御
部１３に備えられたカウンタやタイマにセットして切替
えることもできる。
る。図２は、図１の点線で囲った縮小された膜付け加工
である縮小領域２２をあらためて書き表したものであ
る。縮小するタイミングは、図１に示す様な、縮小によ
って膜付け走査領域が無くなる形状３の膜の高さが目的
とする高さに成長した時点とする。これは、実験的の高
さを求め、この実験結果から、走査範囲の切替え時期を
求め、予めその時期を走査範囲調整器１５又は走査制御
部１３に備えられたカウンタやタイマにセットして切替
えることもできる。
【００１７】集束イオンビームの走査は、一般にデジタ
ル的にドットにて走査されている。隣同士のドット間
は、装置及び拡大倍率により異なるが、０．０１〜０．
１μｍ位である。そして、本発明で縮小する量は、０．
０１〜０．３μｍが望まれる。ＸＹ方向片側で０．０１
μｍ以下であると、初めに形成されたパターン膜のフリ
ンジ部の厚くなる部分と縮小されて形成されるパターン
膜のフリンジ部と重なり、結果的にフリンジ部が厚くな
り、またハローも厚く形成される。
ル的にドットにて走査されている。隣同士のドット間
は、装置及び拡大倍率により異なるが、０．０１〜０．
１μｍ位である。そして、本発明で縮小する量は、０．
０１〜０．３μｍが望まれる。ＸＹ方向片側で０．０１
μｍ以下であると、初めに形成されたパターン膜のフリ
ンジ部の厚くなる部分と縮小されて形成されるパターン
膜のフリンジ部と重なり、結果的にフリンジ部が厚くな
り、またハローも厚く形成される。
【００１８】また、０．３μｍ以上であると、初めに形
成されたパターン膜のフリンジ部の厚くなる部分と縮小
されて形成されるパターン膜のフリンジ部との間が広く
なり、その部分が所定の厚さを得ることができない。さ
らに、膜付け用ガスが十分に供給・吸着されることを目
的としてイオンビームを走査するときに一定のタイミン
グでイオンビームをブランキングする方法で膜を形成す
ることもある。
成されたパターン膜のフリンジ部の厚くなる部分と縮小
されて形成されるパターン膜のフリンジ部との間が広く
なり、その部分が所定の厚さを得ることができない。さ
らに、膜付け用ガスが十分に供給・吸着されることを目
的としてイオンビームを走査するときに一定のタイミン
グでイオンビームをブランキングする方法で膜を形成す
ることもある。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、形成
したい膜の形状が、パターン幅の広い部分とパターン幅
の極端に狭い部分が混在しているような時でも、全体的
にパタン膜の厚さを一定に保つことができる。しかもハ
ロー成分の膜厚も不必要に厚くならず。膜厚を膜の幅に
関わらずより均等に保て、形成する膜の位置をより正確
に保ち加工する事ができる。
したい膜の形状が、パターン幅の広い部分とパターン幅
の極端に狭い部分が混在しているような時でも、全体的
にパタン膜の厚さを一定に保つことができる。しかもハ
ロー成分の膜厚も不必要に厚くならず。膜厚を膜の幅に
関わらずより均等に保て、形成する膜の位置をより正確
に保ち加工する事ができる。
【図１】図１は、本発明の実施例を示すための試料表面
の所定領域を表わす平面図である。
の所定領域を表わす平面図である。
【図２】図２は、本発明の実施例を示すための試料表面
の所定領域より狭い領域を表わす平面図である。
の所定領域より狭い領域を表わす平面図である。
【図３】図３は、本発明の装置を示す概略断面図であ
る。
る。
【図４】図４は、パターン膜の面積と同一の厚さを得る
ために必要な集束イオンビームの走査回数の関係を示す
図である。
ために必要な集束イオンビームの走査回数の関係を示す
図である。
１ イオン源 ２ コンデンサレンズ ３ 上部偏向板 ４ 可動絞り ５ 非点補正レンズ ６ 対物レンズ ７ 走査電極 ８ ガス銃 ９ 試料 １０ 二次荷電粒子検出器 １１ 信号増幅処理部 １２ ディスプレイ １３ 走査制御部 １４ 走査範囲設定部 １５ 走査方向回転信号発生部 １６ イオンビーム発生用電源及び制御部 ２１ 膜付け加工初めの膜付け走査領域 ２２ 縮小された膜付け走査領域 以 上
Claims (1)
- 【請求項１】 イオン源から発生したイオンをレンズに
より集束イオンビームとし、前記集束イオンビームを走
査電極により、表面に薄膜が形成されている試料の表面
の所定領域を走査させながら前記集束イオンビームを照
射し、前記試料より生じる２次粒子を検出器で検出し、
前記検出器からの信号をA/D変換し、表示装置に前記試
料表面画像を表示し、前記画像に基づきパターン膜を形
成する所定領域を設定し、前記所定領域に膜付け用ガス
をガス銃から吹き付けながら前記イオンビームを前記所
定領域で走査させてパターン膜を形成し、その後、前記
集束イオンビームの走査する領域を繰り返し走査の途中
で縮小することを特徴とする集束イオンビーム加工方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09307898A JP3489989B2 (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | パターン膜形成方法及びそれに用いる集束イオンビーム加工装置 |
| US09/286,050 US6392230B1 (en) | 1998-04-06 | 1999-04-05 | Focused ion beam forming method |
| KR1019990011891A KR19990082967A (ko) | 1998-04-06 | 1999-04-06 | 집속 이온 빔 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09307898A JP3489989B2 (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | パターン膜形成方法及びそれに用いる集束イオンビーム加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11288885A true JPH11288885A (ja) | 1999-10-19 |
| JP3489989B2 JP3489989B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=14072493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09307898A Expired - Fee Related JP3489989B2 (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | パターン膜形成方法及びそれに用いる集束イオンビーム加工装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6392230B1 (ja) |
| JP (1) | JP3489989B2 (ja) |
| KR (1) | KR19990082967A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008216346A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE338301T1 (de) | 2002-04-15 | 2006-09-15 | Epos Technologies Ltd | Verfahren und system zum erfassen von positionsdaten |
| US8391959B2 (en) * | 2004-09-29 | 2013-03-05 | Tel Hashomer Medical Research Infrastructure And Services Ltd. | Composition for improving efficiency of drug delivery |
| US7367944B2 (en) | 2004-12-13 | 2008-05-06 | Tel Hashomer Medical Research Infrastructure And Services Ltd. | Method and system for monitoring ablation of tissues |
| AU2006225986B2 (en) * | 2005-03-23 | 2011-09-01 | Qualcomm Incorporated | Method and system for digital pen assembly |
| NZ580288A (en) * | 2007-03-14 | 2012-07-27 | Epos Dev Ltd | A MEMS microphone including a case, a MEMS membrane, and a mesh covering |
| WO2009013745A1 (en) * | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Ramot At Tel Aviv University Ltd. | Photocatalytic hydrogen production and polypeptides capable of same |
| US8383540B2 (en) | 2010-12-21 | 2013-02-26 | Dow Global Technologies Llc | Catalyst composition with halo-malonate internal electron donor and polymer from same |
| RU2524160C1 (ru) * | 2013-03-12 | 2014-07-27 | Открытое акционерное общество "Силовые машины-ЗТЛ, ЛМЗ, Электросила, Энергомашэкспорт" (ОАО "Силовые машины") | Способ газового охлаждения электрической машины и электрическая машина |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856332A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
| US6146135A (en) * | 1991-08-19 | 2000-11-14 | Tadahiro Ohmi | Oxide film forming method |
| JPH0562638A (ja) | 1991-09-04 | 1993-03-12 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム装置 |
| US5438197A (en) | 1993-07-09 | 1995-08-01 | Seiko Instruments Inc. | Focused ion beam apparatus |
| US6172363B1 (en) * | 1996-03-05 | 2001-01-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern |
-
1998
- 1998-04-06 JP JP09307898A patent/JP3489989B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-04-05 US US09/286,050 patent/US6392230B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-06 KR KR1019990011891A patent/KR19990082967A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008216346A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Hoya Corp | グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990082967A (ko) | 1999-11-25 |
| US6392230B1 (en) | 2002-05-21 |
| JP3489989B2 (ja) | 2004-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4932117B2 (ja) | 基板の断面の画像化装置 | |
| JP4092280B2 (ja) | 荷電ビーム装置および荷電粒子検出方法 | |
| JPH02295040A (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| JPH11288885A (ja) | 集束イオンビーム加工方法 | |
| JP2006186125A (ja) | 荷電粒子線露光装置およびその露光方法 | |
| JPH11213934A (ja) | 集束イオンビームによる二次イオン像観察方法 | |
| KR100313326B1 (ko) | 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법 | |
| JP3611724B2 (ja) | パターン検査装置およびパターン検査方法 | |
| JPS6260699B2 (ja) | ||
| JPH054660B2 (ja) | ||
| JP2006080304A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置 | |
| JPS61245164A (ja) | パタ−ン修正装置 | |
| US6828570B2 (en) | Technique for writing with a raster scanned beam | |
| JPH0451438A (ja) | 電子ビーム露光装置及び露光方法 | |
| JPS61124568A (ja) | イオンビ−ムスパツタ装置 | |
| JPS58106824A (ja) | フオ−カスイオンビ−ム加工方法 | |
| JP2007329043A (ja) | 荷電粒子線用絞りプレート及びその作製方法 | |
| JPH0382110A (ja) | 集束イオンビーム装置の電荷中和装置 | |
| JPH07105321B2 (ja) | イオンビ−ム加工方法およびその装置 | |
| JP2887407B2 (ja) | 集束イオンビームによる試料観察方法 | |
| JP2005277046A (ja) | 電子ビームのブランキング装置及びブランキング方法 | |
| JP2018010895A (ja) | ブランキングアパーチャアレイ、ブランキングアパーチャアレイの製造方法、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
| JP2829302B2 (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| JPS62242329A (ja) | 荷電ビ−ム描画装置 | |
| JPH0785827A (ja) | 荷電粒子ビーム走査装置と荷電粒子ビーム走査方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071107 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091107 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |