JPH11287835A - Ｂｇａチップ対応検査治具 - Google Patents
Ｂｇａチップ対応検査治具Info
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- JPH11287835A JPH11287835A JP10088836A JP8883698A JPH11287835A JP H11287835 A JPH11287835 A JP H11287835A JP 10088836 A JP10088836 A JP 10088836A JP 8883698 A JP8883698 A JP 8883698A JP H11287835 A JPH11287835 A JP H11287835A
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- bga chip
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 検査電極とＢＧＡチップのソルダーボールの
少しの位置ずれに対しても確実な電気的接触が得られ、
ゴミ、ほこり等が付着しても除去し易い検査電極を有す
るＢＧＡチップ対応の検査治具を提供することを目的と
する。 【解決手段】 ＢＧＡチップのソルダーボール（半田ボ
ール）に検査電極を押圧して導通検査等を行う検査治具
において、前記検査電極が少なくとも二つ以上の分割電
極で構成されていることを特徴とするＢＧＡチップ対応
検査治具とする。
少しの位置ずれに対しても確実な電気的接触が得られ、
ゴミ、ほこり等が付着しても除去し易い検査電極を有す
るＢＧＡチップ対応の検査治具を提供することを目的と
する。 【解決手段】 ＢＧＡチップのソルダーボール（半田ボ
ール）に検査電極を押圧して導通検査等を行う検査治具
において、前記検査電極が少なくとも二つ以上の分割電
極で構成されていることを特徴とするＢＧＡチップ対応
検査治具とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や配線
回路基板の導通検査等に用いられる検査治具に関し、特
にＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）チップ対応の検
査治具に関する。
回路基板の導通検査等に用いられる検査治具に関し、特
にＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）チップ対応の検
査治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＢＧＡチップの導通検査は図６に
示すような円筒円錐台状の検査電極が形成された検査治
具を用いて、ＢＧＡチップのソルダーボールに押圧して
導通検査を行っていた。
示すような円筒円錐台状の検査電極が形成された検査治
具を用いて、ＢＧＡチップのソルダーボールに押圧して
導通検査を行っていた。
【０００３】このような導通検査の方法では円筒円錐台
状の検査電極とＢＧＡチップのソルダーボールの中心位
置が合った状態では検査電極とソルダーボールの接触は
安定しているが、少しでも中心位置がずれると検査電極
とソルダーボールは点接触になり電気的接触が不安定に
なるという問題がある。また、円筒円錐台状の検査電極
の先端接触部の内側にレジストかす、ゴミ、ほこり等が
付着した場合、除去が難しく、検査治具の製造工程で不
良品が多数発生するという問題がある。さらに、この検
査治具を用いてＢＧＡチップを検査した場合電気的接触
不良が発生するという問題がある。
状の検査電極とＢＧＡチップのソルダーボールの中心位
置が合った状態では検査電極とソルダーボールの接触は
安定しているが、少しでも中心位置がずれると検査電極
とソルダーボールは点接触になり電気的接触が不安定に
なるという問題がある。また、円筒円錐台状の検査電極
の先端接触部の内側にレジストかす、ゴミ、ほこり等が
付着した場合、除去が難しく、検査治具の製造工程で不
良品が多数発生するという問題がある。さらに、この検
査治具を用いてＢＧＡチップを検査した場合電気的接触
不良が発生するという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解決するためになされたものであり、検査電極とＢＧＡ
チップのソルダーボールの少しの位置ずれに対しても確
実な電気的接触が得られ、ゴミ、ほこり等が付着しても
除去し易い検査電極を有するＢＧＡチップ対応の検査治
具を提供することを目的とする。
解決するためになされたものであり、検査電極とＢＧＡ
チップのソルダーボールの少しの位置ずれに対しても確
実な電気的接触が得られ、ゴミ、ほこり等が付着しても
除去し易い検査電極を有するＢＧＡチップ対応の検査治
具を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は上記問題
を解決するため、ＢＧＡチップのソルダーボール（半田
ボール）に検査電極を押圧して導通検査等を行う検査治
具において、前記検査電極が少なくとも二つ以上の分割
電極で構成されていることを特徴とするＢＧＡチップ対
応検査治具としたものである。上記分割電極にすること
により、検査の際に検査治具の検査電極とＢＧＡチップ
のソルダーボールが僅かな位置ずれを起こしても分割電
極がしなることで、確実な電気的接触を得ようとするも
のである。また、検査電極にゴミ、ほこり等が付着して
も圧搾空気の吹き付けやその他の物理的な手法により、
付着したゴミ等を容易に除去できる。
を解決するため、ＢＧＡチップのソルダーボール（半田
ボール）に検査電極を押圧して導通検査等を行う検査治
具において、前記検査電極が少なくとも二つ以上の分割
電極で構成されていることを特徴とするＢＧＡチップ対
応検査治具としたものである。上記分割電極にすること
により、検査の際に検査治具の検査電極とＢＧＡチップ
のソルダーボールが僅かな位置ずれを起こしても分割電
極がしなることで、確実な電気的接触を得ようとするも
のである。また、検査電極にゴミ、ほこり等が付着して
も圧搾空気の吹き付けやその他の物理的な手法により、
付着したゴミ等を容易に除去できる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につき説
明する。図１にＢＧＡチップ対応検査治具の斜視図を、
図２（ａ）〜（ｂ）に本発明のＢＧＡチップ対応検査治
具の検査電極の構造を示す拡大斜視図を、図３（ａ）〜
（ｆ）に本発明のＢＧＡチップ対応検査治具の製造工程
を示す構成断面図をそれぞれ示す。図２（ａ）は円筒円
錐台状の電極を４分割した検査電極構造の一例を示した
もので、電極の分割数は４分割に限定されるものではな
く、２分割以上であればいくつでも良い。図２（ｂ）は
円錐台状の電極を４個配置した検査電極構造の一例を示
したもので、電極の配置数は４個に限定されるものでは
なく、２個以上配置されていればいくつでも良い。
明する。図１にＢＧＡチップ対応検査治具の斜視図を、
図２（ａ）〜（ｂ）に本発明のＢＧＡチップ対応検査治
具の検査電極の構造を示す拡大斜視図を、図３（ａ）〜
（ｆ）に本発明のＢＧＡチップ対応検査治具の製造工程
を示す構成断面図をそれぞれ示す。図２（ａ）は円筒円
錐台状の電極を４分割した検査電極構造の一例を示した
もので、電極の分割数は４分割に限定されるものではな
く、２分割以上であればいくつでも良い。図２（ｂ）は
円錐台状の電極を４個配置した検査電極構造の一例を示
したもので、電極の配置数は４個に限定されるものでは
なく、２個以上配置されていればいくつでも良い。
【０００７】本発明のＢＧＡチップ対応検査治具１０は
図１に示すように絶縁基板１３上に図２（ａ）、（ｂ）
に示すような構造の検査電極１８を配置して配線パター
ン１７で外部接続端子に接続したものである。
図１に示すように絶縁基板１３上に図２（ａ）、（ｂ）
に示すような構造の検査電極１８を配置して配線パター
ン１７で外部接続端子に接続したものである。
【０００８】以下、ＢＧＡチップ対応検査治具１０の形
成法について図３（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。ま
ず、金属基板１１上にレジスト層１２及び絶縁層１３を
形成する（図３（ａ）参照）。金属基板１１は導電性を
有する金属であれば使用可能であるが、ここでは製造プ
ロセス上ステンレス板が好ましい。レジスト層１２は後
述の検査電極１８の高さを調整するためのもので、絶縁
性を有する樹脂であれば使用可能であるが、後工程で最
終的には剥離・除去されるため、剥離処理が容易な液状
の感光性レジスト或いはドライフィルムが好適である。
絶縁層１３は検査治具の絶縁基板になるもので、絶縁
性、耐熱性及び機械的強度が求められ、ポリエステル、
エポキシ、アクリル及びポリイミド樹脂等が使用可能で
あるが、ポリイミド樹脂が好適である。
成法について図３（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。ま
ず、金属基板１１上にレジスト層１２及び絶縁層１３を
形成する（図３（ａ）参照）。金属基板１１は導電性を
有する金属であれば使用可能であるが、ここでは製造プ
ロセス上ステンレス板が好ましい。レジスト層１２は後
述の検査電極１８の高さを調整するためのもので、絶縁
性を有する樹脂であれば使用可能であるが、後工程で最
終的には剥離・除去されるため、剥離処理が容易な液状
の感光性レジスト或いはドライフィルムが好適である。
絶縁層１３は検査治具の絶縁基板になるもので、絶縁
性、耐熱性及び機械的強度が求められ、ポリエステル、
エポキシ、アクリル及びポリイミド樹脂等が使用可能で
あるが、ポリイミド樹脂が好適である。
【０００９】次に、レジスト層１２及び絶縁層１３の所
定位置に分割電極を形成するための開口部１４をレーザ
ー加工にて形成する（図３（ｂ）参照）。具体的には、
図２（ａ）の分割電極の場合、図４に示すような金属板
２１に分割ブリッジ２２及び開口パターン２３を有する
ステンシルマスクにエキシマレーザーを照射して開口部
１４を形成する。図２（ｂ）の分割電極の場合、図５に
示すような金属板３１に開口パターン３２を有するステ
ンシルマスクにエキシマレーザーを照射して開口部１４
を形成する。
定位置に分割電極を形成するための開口部１４をレーザ
ー加工にて形成する（図３（ｂ）参照）。具体的には、
図２（ａ）の分割電極の場合、図４に示すような金属板
２１に分割ブリッジ２２及び開口パターン２３を有する
ステンシルマスクにエキシマレーザーを照射して開口部
１４を形成する。図２（ｂ）の分割電極の場合、図５に
示すような金属板３１に開口パターン３２を有するステ
ンシルマスクにエキシマレーザーを照射して開口部１４
を形成する。
【００１０】次に、金属基板１１をめっき電極にして電
解めっきにて開口部１４に導体電極１５を形成する（図
３（ｃ）参照）。導体電極１５は銅、ニッケル、アルミ
ニウム等の導電性に優れた金属材料であれば利用可能で
あるが、物理的強度と導電性を兼ね備えたニッケル金属
が好適である。
解めっきにて開口部１４に導体電極１５を形成する（図
３（ｃ）参照）。導体電極１５は銅、ニッケル、アルミ
ニウム等の導電性に優れた金属材料であれば利用可能で
あるが、物理的強度と導電性を兼ね備えたニッケル金属
が好適である。
【００１１】次に、配線パターン１７の形成法として
は、絶縁層１３及び導体電極１５上に蒸着或いは無電解
めっき等によりクロムの薄膜導体層（特に図示せず）を
形成し、更に薄膜導体層をめっき電極にして電解銅めっ
きを行い導体層を形成して、フォトリソグラフィープロ
セスならびにエッチング工程を用いて導体層をパターニ
ング処理して配線パターン１７を形成するフォトエッチ
ング法と、薄膜導体層上にレジストパターンを形成し、
薄膜導体層をめっき電極にしてレジストパターンのない
薄膜導体層上に導体層を形成し、レジストパターンを剥
離して、レジストパターンのあった薄膜導体層をソフト
エッチングして配線パターン１７を形成するセミアディ
ティブ法の２種類の方法があり適宜使い分けて使用する
ことができる。
は、絶縁層１３及び導体電極１５上に蒸着或いは無電解
めっき等によりクロムの薄膜導体層（特に図示せず）を
形成し、更に薄膜導体層をめっき電極にして電解銅めっ
きを行い導体層を形成して、フォトリソグラフィープロ
セスならびにエッチング工程を用いて導体層をパターニ
ング処理して配線パターン１７を形成するフォトエッチ
ング法と、薄膜導体層上にレジストパターンを形成し、
薄膜導体層をめっき電極にしてレジストパターンのない
薄膜導体層上に導体層を形成し、レジストパターンを剥
離して、レジストパターンのあった薄膜導体層をソフト
エッチングして配線パターン１７を形成するセミアディ
ティブ法の２種類の方法があり適宜使い分けて使用する
ことができる。
【００１２】次に、金属基板１１及びレジスト層１２を
除去することで、図２（ａ）及び（ｂ）に示すような分
割電極からなる検査電極１８が形成され、本発明のＢＧ
Ａチップ対応検査治具１０を得ることができる（図３
（ｆ）参照）。
除去することで、図２（ａ）及び（ｂ）に示すような分
割電極からなる検査電極１８が形成され、本発明のＢＧ
Ａチップ対応検査治具１０を得ることができる（図３
（ｆ）参照）。
【００１３】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。 ＜実施例１＞３ｍｍ厚のステンレス板からなる金属基板
１１上に５０μｍ厚のドライフィルムレジスト（日立化
成工業（株）製）をラミネートしてレジスト層１２を、
さらにその上に２５μｍ厚のポリイミドフィルム（宇部
興産（株）製）をラミネートして絶縁層１３を形成し
た。
る。 ＜実施例１＞３ｍｍ厚のステンレス板からなる金属基板
１１上に５０μｍ厚のドライフィルムレジスト（日立化
成工業（株）製）をラミネートしてレジスト層１２を、
さらにその上に２５μｍ厚のポリイミドフィルム（宇部
興産（株）製）をラミネートして絶縁層１３を形成し
た。
【００１４】次に、レジスト層１２及び絶縁層１３の所
定位置に図４に示すようなステンシルマスクを通してエ
キシマレーザーを照射して開口部１４を形成した。エキ
シマレーザ加工の条件は、エネルギ密度１．５Ｊ／ｃｍ
2 で行った。ここで、上記条件でエキシマレーザを照射
しても金属基板１１にはほとんど損傷を与えないで、レ
ジスト層１２及び絶縁層１３に開口部１４を形成するこ
とができる。
定位置に図４に示すようなステンシルマスクを通してエ
キシマレーザーを照射して開口部１４を形成した。エキ
シマレーザ加工の条件は、エネルギ密度１．５Ｊ／ｃｍ
2 で行った。ここで、上記条件でエキシマレーザを照射
しても金属基板１１にはほとんど損傷を与えないで、レ
ジスト層１２及び絶縁層１３に開口部１４を形成するこ
とができる。
【００１５】次に、金属基板１１を陰極電極とし、電解
ニッケルメッキを行って開口部１４に導体電極１５を形
成した。
ニッケルメッキを行って開口部１４に導体電極１５を形
成した。
【００１６】次に、絶縁層１３及び導体電極１５上にク
ロム及び銅をスパッタリングして約３０００Å厚の薄膜
導体層を形成した。
ロム及び銅をスパッタリングして約３０００Å厚の薄膜
導体層を形成した。
【００１７】次に、ドライフィルムレジストをラミネー
トして感光性レジストを形成し、配線パターンを焼き付
け、３％炭酸ソーダ溶液にて現像して、レジストパター
ン１６を形成した。さらに、薄膜導体層をめっき電極に
してレジストパターンのない薄膜導体層上にレジストパ
ターンと同厚の導体層を形成し、レジストパターン１６
を３％苛性ソーダ溶液にて剥離し、レジストパターン１
６のあった部分の薄膜導体層をソフトエッチングして配
線パターン１７を形成した。
トして感光性レジストを形成し、配線パターンを焼き付
け、３％炭酸ソーダ溶液にて現像して、レジストパター
ン１６を形成した。さらに、薄膜導体層をめっき電極に
してレジストパターンのない薄膜導体層上にレジストパ
ターンと同厚の導体層を形成し、レジストパターン１６
を３％苛性ソーダ溶液にて剥離し、レジストパターン１
６のあった部分の薄膜導体層をソフトエッチングして配
線パターン１７を形成した。
【００１８】次に、導体電極１５及び配線パターン１７
が形成された基板を３％苛性ソーダ溶液に浸せきし、金
属基板１１及びレジスト層１２を剥離・除去して、図２
（ａ）に示すような分割電極からなる検査電極１８を形
成し、本発明のＢＧＡチップ対応検査治具１０を作製し
た。
が形成された基板を３％苛性ソーダ溶液に浸せきし、金
属基板１１及びレジスト層１２を剥離・除去して、図２
（ａ）に示すような分割電極からなる検査電極１８を形
成し、本発明のＢＧＡチップ対応検査治具１０を作製し
た。
【００１９】＜実施例２＞ステンレス板からなる金属基
板１１上に実施例１と同様な材料と構成でレジスト層１
２及び絶縁層１３を形成した。
板１１上に実施例１と同様な材料と構成でレジスト層１
２及び絶縁層１３を形成した。
【００２０】次に、図５に示すようなステンシルマスク
を通してエキシマレーザを照射して、実施例１と同様な
工程で開口部１４を形成した。
を通してエキシマレーザを照射して、実施例１と同様な
工程で開口部１４を形成した。
【００２１】次に、実施例１と同様な工程で開口部１４
に導体電極１５、配線パターン１７及び図２（ｂ）に示
すような分割電極からなる検査電極１８を形成し、本発
明のＢＧＡチップ対応検査治具１０を作製した。
に導体電極１５、配線パターン１７及び図２（ｂ）に示
すような分割電極からなる検査電極１８を形成し、本発
明のＢＧＡチップ対応検査治具１０を作製した。
【００２２】
【発明の効果】分割電極からなる検査電極を有する本発
明ＢＧＡチップ対応検査治具を用いることにより、検査
時の信頼性及び検査速度が向上した。また、製造工程を
ほとんど変更することなく、分割電極に付着するゴミや
ほこり等が減少し、さらに付着したゴミやほこり等に圧
搾空気を強く吹き付けることで、除去が非常に簡単にな
り、収率が飛躍的に向上した。
明ＢＧＡチップ対応検査治具を用いることにより、検査
時の信頼性及び検査速度が向上した。また、製造工程を
ほとんど変更することなく、分割電極に付着するゴミや
ほこり等が減少し、さらに付着したゴミやほこり等に圧
搾空気を強く吹き付けることで、除去が非常に簡単にな
り、収率が飛躍的に向上した。
【図１】本発明のＢＧＡチップ対応検査治具の斜視図を
示す模式図である
示す模式図である
【図２】（ａ）は、本発明のＢＧＡチップ対応検査治具
の検査電極の一実施例を示す拡大斜視図である。（ｂ）
は、本発明のＢＧＡチップ対応検査治具の検査電極の他
の実施例を示す拡大斜視図である。
の検査電極の一実施例を示す拡大斜視図である。（ｂ）
は、本発明のＢＧＡチップ対応検査治具の検査電極の他
の実施例を示す拡大斜視図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、本発明のＢＧＡチップ対応
検査治具の製造工程をしめす構成断面図である。
検査治具の製造工程をしめす構成断面図である。
【図４】本発明のＢＧＡチップ対応検査治具の検査電極
の一実施例の製造工程に使用されるステンシルマスクの
部分拡大平面図である。
の一実施例の製造工程に使用されるステンシルマスクの
部分拡大平面図である。
【図５】本発明のＢＧＡチップ対応検査治具の検査電極
の他の実施例の製造工程に使用されるステンシルマスク
の部分拡大平面図である。
の他の実施例の製造工程に使用されるステンシルマスク
の部分拡大平面図である。
【図６】従来のＢＧＡチップ対応検査治具の検査電極の
一実施例を示す拡大斜視図である。
一実施例を示す拡大斜視図である。
１０……ＢＧＡチップ対応検査治具 １１……金属基板 １２……レジスト層 １３……絶縁層（絶縁基板） １４……開口部（電極形成部） １５……導体電極 １６……レジストパターン １７……配線パターン １８……検査電極 ２１、３１……金属板 ２２……分割ブリッジ ２３、３２……開口パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０４Ｈ // Ｈ０５Ｋ 3/34 ５１２ 23/12 Ｌ
Claims (1)
- 【請求項１】ＢＧＡチップのソルダーボール（半田ボー
ル）に検査電極を押圧して導通検査を行う検査治具にお
いて、前記検査電極が少なくとも二つ以上の分割電極で
構成されていることを特徴とするＢＧＡチップ対応検査
治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10088836A JPH11287835A (ja) | 1998-04-01 | 1998-04-01 | Ｂｇａチップ対応検査治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10088836A JPH11287835A (ja) | 1998-04-01 | 1998-04-01 | Ｂｇａチップ対応検査治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11287835A true JPH11287835A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=13954046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10088836A Pending JPH11287835A (ja) | 1998-04-01 | 1998-04-01 | Ｂｇａチップ対応検査治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11287835A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010267904A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Fujitsu Ltd | 基板構造 |
-
1998
- 1998-04-01 JP JP10088836A patent/JPH11287835A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010267904A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Fujitsu Ltd | 基板構造 |
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Legal Events
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