JPH11284245A - 圧電トランスの実装構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低背化することができる圧電トランスの実装
構造を得る。 【解決手段】 圧電トランス素子１１を収容した保護ケ
ース２０を、凹部２０ａの開口面が回路基板３０に対向
させた状態で、回路基板３０に実装する。回路基板３０
の中央部には、保護ケース２０の投影面より若干大きい
穴３０ａが設けられている。穴３０ａの縁部には電極ラ
ンド３１，３３が設けられている。図示していないが、
回路基板３０には、例えばインバータ回路等の制御回路
が実装されている。保護ケース２０の側面から導出した
端子の端部２６ｂ，２８ｂは、回路基板３０に設けた電
極ランド３１，３３に半田付けや導電性接着剤等を利用
して電気的に接続されかつ固定される。保護ケース２０
は、その一部が回路基板３０に設けた穴３０ａに挿入さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電トランスの実
装構造、特に、液晶ディスプレイのバックライト点灯用
インバータや各種の電圧昇圧装置に使用される圧電トラ
ンスの実装構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の圧電トランスの実装構造として、
例えば、図１１に示すものが知られている。この圧電ト
ランスの実装構造は、圧電トランス素子１が実装された
子基板２が、親回路基板５に実装されている。特に、子
基板２の、親回路基板５への実装は、子基板２の端部に
設けた引出し電極３を親回路基板５の上面に設けた電極
ランド６に半田付け等することにより行われた。さら
に、樹脂製保護ケース８を圧電トランス素子１の上から
被せていた。高電圧がかかる圧電トランス素子１に人体
や機器が直接触れるのを防止したり、外部からの機械的
ストレスが圧電トランス素子１に直接加わるのを防止す
るためである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、電子
機器の小型化及び薄型化に伴って、圧電トランスの実装
構造も低背化の要求が高まっている。しかしながら、従
来の圧電トランスの実装構造では、保護ケース８の高さ
と子基板２の厚みと親回路基板５の厚みを合計した寸法
が製品の高さとなり、低背化への要求に充分対応したも
のとは言えなかった。

【０００４】そこで、本発明の目的は、低背化すること
ができる圧電トランスの実装構造を提供することにあ
る。

【０００５】

【発明を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る圧電トランスの実装構造は、（ａ）圧
電トランス素子と、（ｂ）前記圧電トランス素子を収容
するための凹部と、側面から導出した端子とを有した保
護ケースと、（ｃ）前記保護ケースの投影面より大きい
穴を設けた回路基板とを備え、（ｄ）前記圧電トランス
素子を収容した前記保護ケースを、前記回路基板の穴に
入れた状態で、前記回路基板に実装したこと、を特徴と
する。

【０００６】また、本発明に係る圧電トランスの実装構
造は、（ｅ）圧電トランス素子と、（ｆ）前記圧電トラ
ンス素子を収容するための凹部と、側面から導出した端
子とを有した保護ケースと、（ｇ）前記圧電トランス素
子の投影面より大きい穴を設けた回路基板とを備え、
（ｈ）前記保護ケースの凹部に収容されかつ開口面から
はみ出した前記圧電トランス素子を前記回路基板の穴に
入れた状態で、前記保護ケースを前記回路基板に実装し
たこと、を特徴とする。

【０００７】さらに、本発明に係る圧電トランスの実装
構造は、（ｉ）圧電トランス素子と、（ｊ）前記圧電ト
ランス素子を実装する子基板と、（ｋ）前記圧電トラン
ス素子の投影面より大きい穴を設けた回路基板と、
（ｌ）前記子基板を前記回路基板上に支持すると共に、
前記回路基板と前記子基板とを電気的に接続する支持部
材とを備え、（ｍ）前記子基板に実装された前記圧電ト
ランス素子を前記回路基板の穴に入れた状態で、前記子
基板を前記支持部材を介して前記回路基板に実装したこ
と、を特徴とする。

【０００８】

【作用】以上の構造により、回路基板の穴に保護ケース
や圧電トランス素子の一部が挿入されるため、回路基板
の厚み寸法と保護ケースや圧電トランス素子の高さ寸法
とがオーバラップする部分が生じ、製品の高さ寸法が小
さくなる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る圧電トランス
の実装構造の実施形態について添付図面を参照して説明
する。各実施形態において、同一部品及び同一部分には
同じ符号を付し、重複した説明は省略する。

【００１０】［第１実施形態、図１〜図３］図１は、圧
電トランスの実装構造の第１実施形態を示す分解斜視図
である。第１実施形態の圧電トランスの実装構造は、概
略、圧電トランス素子１１（図２参照）と、保護ケース
２０と、回路基板３０とで構成されている。

【００１１】図２に示すように、圧電トランス素子１１
は、ローゼン型と称される周知のものであり、チタン酸
ジルコン酸鉛系（ＰＺＴ）等の矩形状圧電セラミックシ
ートと、このセラミックシートの略半分に設けられた内
部電極とを複数積層してなるものである。圧電トランス
素子１１の両側面中央部にはそれぞれ入力電極１２，１
３が設けられ、手前側端面には出力電極１４が設けられ
ている。これらの電極１２〜１４は銀焼付け、蒸着又は
スパッタリング等の方法によって設けられる。さらに、
電極１２〜１４に所定のバイアス電圧を印加することに
より、圧電トランス素子１１の内部電極が設けられてい
る略半分の入力部（図２において圧電トランス素子１１
の長手方向の奥側の略半分）は素子１１の厚み方向に分
極処理が行われ、残りの略半分の出力部（図２において
圧電トランス素子１１の長手方向の手前側の略半分）は
素子１１の長さ方向に分極処理が行われる。

【００１２】この圧電トランス素子１１において、入力
電極１２と１３の間に、素子１１の長手方向の固有共振
周波数と略等しい周波数の交流電圧が印加されると、圧
電トランス素子１１は長手方向に機械振動が生じ、これ
により出力部では圧電効果により電荷が発生し、出力電
極１４と入力電極１３との間に出力電圧が生じる。すな
わち、入力電極１３は出力電極としての機能も有する。
この圧電トランス素子１１は、λ／２モードと称する基
本（一次）振動モードを利用したものであり、圧電トラ
ンス素子１１の長さ方向の１／２（λ／４）の位置に振
動変位が零となる振動の節が存在するので、この位置を
支持する。振動変位が最大となる振動の腹は、圧電トラ
ンス素子１１の両端に存在する。

【００１３】一方、保護ケース２０は、圧電トランス素
子１１を収容するための凹部２０ａを有すると共に、入
力端子２６，２７、ダミー端子２８及び出力端子２９を
有している。保護ケース２０は、エポキシやポリイミド
等の樹脂、あるいはアルミナ等のセラミックからなり、
モールド成形等の方法により形成される。端子２６〜２
９は保護ケース２０にインサートモールド等の方法によ
り取り付けられている。端子２６，２７，２９の一方の
先端部２６ａ，２７ａ，２９ａは凹部２０ａの底面に露
出し、他端部２６ｂ，２７ｂ，２９ｂは保護ケース２０
の側面から導出している。この保護ケース２０の凹部２
０ａに圧電トランス素子１１が収容され、凹部２０ａの
底面に圧電トランス素子１１が実装される。

【００１４】すなわち、圧電トランス素子１１の入力電
極１２，１３を間にして粘着弾性体１６，１７を配設す
る。粘着弾性体１６，１７は、弾性を有すると共に、接
着性、粘着性もしくは密着性を有するもので、常温接
着、硬化接着タイプの両面粘着テープ、シリコンゴム等
の粘着性を有するゴムシート、エポキシ系やシリコン系
接着剤、又はアクリルゲル等の粘着性、密着性を有する
ゲル等が用いられる。さらに、圧電トランス素子１１の
出力電極１４に、半田付けや導電性接着剤等を利用し
て、リード線１５を電気的に接続する。

【００１５】この圧電トランス素子１１は、凹部２０ａ
の底面に粘着弾性体１６，１７を利用して固定され、位
置決めされる。この後、ディスペンサ等により圧電トラ
ンス素子１１の両側面に導電性接着剤２４をそれぞれ付
与し、入力電極１２と入力端子２７の露出した端部２７
ａ、並びに入力電極１３と入力端子２６の露出した端部
２６ａを電気的に接続すると共に固定する。これによ
り、圧電トランス素子１１は、導電性接着剤２４により
凹部２０ａの底面上にて振動の節で支持される。ただ
し、入力電極１２，１３と入力端子２６，２７の接続
は、リード線にて行ってもよい。一方、出力電極１４に
接続されたリード線１５の先端部は、半田付けや導電性
接着剤等を利用して出力端子２９の露出した端部２９ａ
に電気的に接続されると共に、固定される。

【００１６】ダミー端子２８はいずれの電極１２〜１４
にも接続されていない。つまり、電極１２〜１４に接続
されていないダミー端子２８は、保護ケース２０を四点
支持により回路基板３０上に安定して保持するためだけ
のものである。従って、端子は必ずしも四つ配置する必
要はなく、少なくとも圧電トランス素子１１の電極１２
〜１４にそれぞれ電気的に接続した三つの端子２６，２
７，２９にて、保護ケース２０を回路基板３０上に三点
支持してもよい。

【００１７】こうして、圧電トランス素子１１が収容さ
れた保護ケース２０は、図１が示すように、凹部２０ａ
の開口面が回路基板３０に対向するように上下方向を反
転させた後、回路基板３０に実装される。回路基板３０
の中央部には、保護ケース２０の投影面より若干大きい
穴３０ａが設けられている。穴３０ａの縁部には電極ラ
ンド３１〜３４が設けられている。さらに、図示してい
ないが、回路基板３０には、例えばインバータ回路等の
制御回路が実装されている。保護ケース２０の側面から
導出した端子２６〜２９の端部２６ｂ〜２９ｂは、回路
基板３０に設けた電極ランド３１〜３４に半田付けや導
電性接着剤等を利用して電気的に接続されかつ固定され
る。保護ケース２０は、図３に示すように、その一部が
回路基板３０に設けた穴３０ａに挿入される。

【００１８】以上の構成からなる圧電トランスの実装構
造において、圧電トランス素子１１の一次振動モードと
略同じ周波数入力信号が、回路基板３０の電極ランド３
１，３２に入力されると、入力信号は入力端子２６，２
７、導電性接着剤２４を介して圧電トランス素子１１の
入力電極１２，１３に印加される。入力信号が印加され
た圧電トランス素子１１は１次振動し、出力電極１４に
所定の昇圧比が発生する。この出力電圧は、リード線１
５、出力端子２９を介して回路基板３０の電極ランド３
４から取り出される。

【００１９】そして、保護ケース２０の一部が回路基板
３０に設けた穴３０ａに挿入されるため、回路基板３０
の厚み寸法と保護ケース２０の高さ寸法とがオーバラッ
プする部分が生じ、そのオーバラップした分だけ圧電ト
ランスの実装構造の高さ寸法を小さくすることができ
る。このとき、保護ケース２０の側面から導出した端子
２６〜２９の端部２６ｂ〜２９ｂの導出位置（保護ケー
ス２０の凹部２０ａ開口面からの距離）を変更すること
により、保護ケース２０が穴３０ａに挿入される量が調
整され、圧電トランスの実装構造の高さ寸法が決定され
る。

【００２０】具体例として、保護ケース２０の高さ寸法
を３．０ｍｍ、凹部２０ａの深さ寸法を２．５ｍｍ、圧
電トランス素子１１の高さ寸法を１．６ｍｍ、粘着弾性
体１６，１７の厚み寸法を０．５ｍｍ、回路基板３０の
厚み寸法を０．８ｍｍとし、端子２６〜２９の端部２６
ｂ〜２９ｂの導出位置を保護ケース２０の凹部２０ａ開
口面から０．５ｍｍに設定すると、得られる圧電トラン
スの実装構造の高さ寸法は３．３ｍｍとなる。

【００２１】［第２実施形態、図４〜図６］図４は、圧
電トランスの実装構造の第２実施形態を示す分解斜視図
である。第２実施形態の圧電トランスの実装構造は、概
略、圧電トランス素子１１と、保護ケース４０と、回路
基板５０とで構成されている。

【００２２】図５に示すように、保護ケース４０は、圧
電トランス素子１１を収容するための凹部４０ａを有す
ると共に、入力端子２６，２７、ダミー端子２８及び出
力端子２９を有している。端子２６，２７，２９の一方
の先端部２６ａ，２７ａ，２９ａは凹部４０ａの底面に
露出し、他端部２６ｂ，２７ｂ，２９ｂは保護ケース４
０の凹部４０ａ開口面と略同一平面に沿って、保護ケー
ス４０の側面から導出している。

【００２３】この保護ケース４０の凹部４０ａに圧電ト
ランス素子１１が収容され、凹部４０ａ底面に圧電トラ
ンス素子１１が実装される。ここに、保護ケース４０の
凹部４０ａの深さ寸法は、圧電トランス素子１１の高さ
寸法と粘着弾性体１６，１７の厚み寸法とを加算した寸
法より小さい値に設定されている。従って、凹部４０ａ
底面に実装された圧電トランス素子１１の上部は、保護
ケース４０の凹部４０ａ開口面からはみ出している。

【００２４】こうして圧電トランス素子１１が実装され
た保護ケース４０は、図４に示すように、凹部４０ａの
開口面が回路基板５０に対向するように上下方向を反転
させた後、回路基板５０に実装される。回路基板５０の
中央部には、圧電トランス素子１１の投影面より若干大
きい穴５０ａが設けられている。穴５０ａの周辺部に
は、穴５０ａから所定のギャップを有して、電極ランド
５１〜５４が設けられている。さらに、図示していない
が、回路基板５０には、他に例えばインバータ回路等の
制御回路が実装されている。

【００２５】保護ケース４０の側面から導出した端子２
６〜２９の端部２６ｂ〜２９ｂは、回路基板５０に設け
た電極ランド５１〜５４に電気的に接続されかつ固定さ
れる。保護ケース４０の凹部４０ａ開口面は、図６に示
すように、回路基板５０の穴５０ａの周辺部に接触す
る。そして、保護ケース４０の凹部４０ａ開口面からは
み出している圧電トランス素子１１の一部が、回路基板
５０に設けた穴５０ａに挿入される。

【００２６】従って、回路基板５０の厚み寸法と圧電ト
ランス素子１１の高さ寸法とがオーバラップする部分が
生じ、圧電トランスの実装構造の高さ寸法を小さくする
ことができる。具体例として、保護ケース４０の高さ寸
法を２．６ｍｍ、凹部４０ａの深さ寸法を１．６ｍｍ、
圧電トランス素子１１の高さ寸法を１．６ｍｍ、粘着弾
性体１６，１７の厚み寸法を０．５ｍｍ、回路基板５０
の厚み寸法を０．８ｍｍとした場合、得られる圧電トラ
ンスの実装構造の高さ寸法は３．４ｍｍとなる。

【００２７】また、回路基板５０に設けた穴５０ａは、
前記第１実施形態の回路基板３０に設けた穴３０ａと比
較して小さいので、回路基板５０上の配線領域が広くな
り、回路基板５０の小型化を図ることができる。さら
に、保護ケース４０の凹部４０ａ開口面と回路基板５０
の穴５０ａの周辺部とが接触する構造であるため、安定
した実装が可能となる。

【００２８】［第３実施形態、図７〜図９］図７は、圧
電トランスの実装構造の第３実施形態を示す分解斜視図
である。第３実施形態の圧電トランスの実装構造は、概
略、圧電トランス素子１１と、子基板６１と、支持部材
６６〜６９と、親回路基板７０とで構成されている。

【００２９】子基板６１には、導体パターン６２，６
３，６４が設けられている。この子基板６１の中央部に
圧電トランス素子１１が実装される。すなわち、圧電ト
ランス素子１１の入力電極１２，１３を間にして粘着弾
性体１６，１７を配設する。さらに、圧電トランス素子
１１の出力電極１４に、半田付けや導電性接着剤等を利
用して、リード線１５を電気的に接続する。

【００３０】この圧電トランス素子１１は、子基板６１
の上面に粘着弾性体１６，１７を利用して仮固定され、
位置決めされる。この後、ディスペンサ等により圧電ト
ランス素子１１の両側面に導電性接着剤２４をそれぞれ
付与し、入力電極１２と導体パターン６３、並びに入力
電極１３と導体パターン６２を電気的に接続すると共に
固定する。これにより、圧電トランス素子１１は、導電
性接着剤２４により子基板６１上にて振動の節で支持さ
れる。ただし、入力電極１２，１３と導体パターン６
２，６３の接続は、リード線にて行ってもよい。一方、
出力電極１４に接続されたリード線１５の先端部は、半
田付けや導電性接着剤等を利用して導体パターン６４に
電気的に接続されると共に、固定される。

【００３１】子基板６１の左右両端部には、それぞれ支
持部材６６〜６９が取り付けられている。支持部材６６
〜６９は導電性を有するもので、半田メッキされたリン
青銅等からなる金属板を折り曲げ加工して、両端部に係
止部６６ａ〜６９ａと足部６６ｂ〜６９ｂを形成したも
のである。各支持部材６６〜６９は、それぞれの係止部
６６ａ〜６９ａが、子基板６１の端部を挟み込むことに
より、子基板６１に堅固に固定される。三つの支持部材
６６，６７，６９は導体パターン６２〜６４にそれぞれ
電気的に接続され、支持部材６８はいずれの導体パター
ン６２〜６４にも接続されていない。つまり、導体パタ
ーン６２〜６４に接続されていない支持部材６８は、子
基板６１を四点支持により親回路基板７０上に安定して
保持するためだけのものである。従って、支持部材は必
ずしも四つ配置する必要はなく、少なくとも導体パター
ン６２〜６４にそれぞれ電気的に接続する三つの支持部
材６６，６７，６９にて、子基板６１を親回路基板７０
上に三点支持してもよい。

【００３２】こうして、圧電トランス素子１１が実装さ
れた子基板６１は、図７に示すように、圧電トランス素
子１１を実装した面が親回路基板７０に対向するように
上下方向を反転させた後、親回路基板７０に実装され
る。親回路基板７０の中央部には、圧電トランス素子１
１の投影面より若干大きい穴７０ａが設けられている。
穴７０ａの周辺部には、穴７０ａから所定のギャップを
有して、電極ランド７１〜７４が設けられている。さら
に、図示していないが、親回路基板７０には、圧電トラ
ンス素子１１の他に、例えばインバータ回路等の制御回
路が実装されている。子基板６１に取り付けた支持部材
６６〜６９の足部６６ｂ〜６９ｂは、親回路基板７０に
設けた電極ランド７１〜７４に半田付けや導電性接着剤
等を利用して電気的に接続されかつ固定される。圧電ト
ランス素子１１は、図９に示すように、子基板６１と親
回路基板７０との間に形成されるスペースに配置され、
その一部が親回路基板７０に設けた穴７０ａに挿入され
る。

【００３３】以上の構成からなる圧電トランスの実装構
造において、圧電トランス素子１１の一次振動モードと
略同じ周波数入力信号が、親回路基板７０の電極ランド
７１，７２に入力されると、入力信号は支持部材６６，
６７、子基板６１の導体パターン６２，６３、導電性接
着剤２４を介して圧電トランス素子１１の入力電極１
２，１３に印加される。入力信号が印加された圧電トラ
ンス素子１１は１次振動し、出力電極１４に所定の昇圧
比の電圧が発生する。この出力電圧は、リード線１５、
子基板６１の導体パターン６４、支持部材６９を介して
親回路基板７０の電極ランド７４から取り出される。

【００３４】そして、圧電トランス素子１１の一部が親
回路基板７０に設けた穴７０ａに挿入されているため、
親回路基板７０の厚み寸法と圧電トランス素子１１の高
さ寸法とがオーバラップする部分が生じ、圧電トランス
の実装構造の高さ寸法を小さくすることができる。この
とき、支持部材６６〜６９の高さ寸法を変更することに
より、圧電トランス１１の穴７０ａへの挿入量が調整さ
れ、圧電トランスの実装構造の高さ寸法が決定される。
具体例として、子基板６１の厚みを０．５ｍｍ、支持部
材６６〜６９の高さ寸法を１．６ｍｍ、圧電トランス素
子１１の高さ寸法を１．６ｍｍ、粘着弾性体１６，１７
の厚み寸法を０．５ｍｍ、親回路基板７０の厚み寸法を
０．８ｍｍとした場合、得られる圧電トランスの実装構
造の高さ寸法は２．９ｍｍとなる。

【００３５】また、圧電トランス素子１１は、子基板６
１、親回路基板７０及び支持部材６６〜６９によって形
成されたスペース内に配置され、これら子基板６１、親
回路基板７０及び支持部材６６〜６９によって保護され
ることになる。従って、この圧電トランスの実装構造
は、保護ケースを用いないで、人体や機器が圧電トラン
ス素子１１に直接触れるのを防止したり、外部からの機
械的ストレスが圧電トランス素子１１に直接加わるのを
防止することができる。さらに、子基板６１と親回路基
板７０が形成するスペース開口部（言い換えると、子基
板６１の側面部）から、粘着弾性体１６，１７の接着状
態、導電性接着剤２４の接続状態及びリード線１５の接
続状態等を外観にて容易に確認することができる。

【００３６】また、支持部材は、図１０に示すような直
方体形状の導電性支持部材８６〜８９であってもよい。
支持部材８６，８７，８９の一端はそれぞれ子基板６１
に設けた導体パターン６２，６３，６４に電気的に接続
され、 他端は親回路基板７０に設けた電極ランド７
１，７２，７４に電気的に接続される。支持部材８６〜
８９は子基板６１の外周より内側に配設されることにな
るので、圧電トランス素子１１で発生した高電圧がかか
る支持部材８９が露出しない。従って、高電圧に人体や
機器が直接触れにくい構造にすることができ、人体や機
器に対して安全な圧電トランスの実装構造が得られる。

【００３７】［他の実施形態］なお、本発明に係る圧電
トランスの実装構造は前記実施形態に限定するものでは
なく、その要旨の範囲内で種々に変更することができ
る。圧電トランス素子は、λモードと称する二次振動モ
ードを利用したものであってもよい。この場合、圧電ト
ランス素子の両端からそれぞれ該圧電トランス素子の長
さの略０．２５倍の位置に、振動変位が零となる振動の
節が存在するので、この位置を支持する必要がある。振
動変位が最大となる振動の腹は、圧電トランス素子の中
央部及び両端部に存在する。

【００３８】また、本発明はローゼン型に限るものでは
なく、種々の型の圧電トランス素子に適用することがで
きる。さらに、前記実施形態の場合、圧電トランス素子
の出力電極と出力端子等の接続はリード線を用いている
が、必ずしもリード線を用いる必要はなく、導電性接着
剤や導電性テープ等を用いてもよい。

【００３９】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、回路基板に穴を設け、その穴に保護ケースや圧
電トランス素子の一部を挿入したので、回路基板の厚み
寸法と保護ケースや圧電トランス素子の高さ寸法とがオ
ーバラップし、製品の高さ寸法を小さくすることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る圧電トランスの実装構造の第１実
施形態を示す分解斜視図。

【図２】図１に示した圧電トランス素子の実装状態を示
す分解斜視図。

【図３】図１に示した圧電トランスの実装構造の断面
図。

【図４】本発明に係る圧電トランスの実装構造の第２実
施形態を示す分解斜視図。

【図５】図４に示した圧電トランス素子の実装状態を示
す分解斜視図。

【図６】図４に示した圧電トランスの実装構造の断面
図。

【図７】本発明に係る圧電トランスの実装構造の第３実
施形態を示す分解斜視図。

【図８】図７に示した圧電トランス素子の実装状態を示
す分解斜視図。

【図９】図７に示した圧電トランスの実装構造の正面
図。

【図１０】支持部材の変形例を示す分解斜視図。

【図１１】従来の圧電トランスの実装構造を示す分解斜
視図。

【符号の説明】

１１…圧電トランス素子 ２０…保護ケース ２０ａ…凹部 ２６〜２９…端子 ３０…回路基板 ３０ａ…穴 ４０…保護ケース ４０ａ…凹部 ５０…回路基板 ５０ａ…穴 ６１…子基板 ６６〜６９，８６〜８９…支持部材 ７０…親回路基板 ７０ａ…穴

フロントページの続き (72)発明者 森島 靖之 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧電トランス素子と、 前記圧電トランス素子を収容するための凹部と、側面か
   ら導出した端子とを有した保護ケースと、 前記保護ケースの投影面より大きい穴を設けた回路基板
   とを備え、 前記圧電トランス素子を収容した前記保護ケースを、前
   記回路基板の穴に入れた状態で、前記回路基板に実装し
   たこと、 を特徴とする圧電トランスの実装構造。
2. 【請求項２】 圧電トランス素子と、 前記圧電トランス素子を収容するための凹部と、側面か
   ら導出した端子とを有した保護ケースと、 前記圧電トランス素子の投影面より大きい穴を設けた回
   路基板とを備え、 前記保護ケースの凹部に収容されかつ開口面からはみ出
   した前記圧電トランス素子を前記回路基板の穴に入れた
   状態で、前記保護ケースを前記回路基板に実装したこ
   と、 を特徴とする圧電トランスの実装構造。
3. 【請求項３】 圧電トランス素子と、 前記圧電トランス素子を実装する子基板と、 前記圧電トランス素子の投影面より大きい穴を設けた回
   路基板と、 前記子基板を前記回路基板上に支持すると共に、前記回
   路基板と前記子基板とを電気的に接続する支持部材とを
   備え、 前記子基板に実装された前記圧電トランス素子を前記回
   路基板の穴に入れた状態で、前記子基板を前記支持部材
   を介して前記回路基板に実装したこと、 を特徴とする圧電トランスの実装構造。