JPH11284117A - 半導体装置の製造方法及び半導体リードフレーム - Google Patents

半導体装置の製造方法及び半導体リードフレーム

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JPH11284117A
JPH11284117A JP10063398A JP10063398A JPH11284117A JP H11284117 A JPH11284117 A JP H11284117A JP 10063398 A JP10063398 A JP 10063398A JP 10063398 A JP10063398 A JP 10063398A JP H11284117 A JPH11284117 A JP H11284117A
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Atsushi Sakamoto
篤史 坂本
Chiharu Isobe
千春 磯部
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Enomoto Co Ltd
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 材料費が比較的安く、寸法精度が高い、高消
費電力半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 平板条材から打抜き加工によりチップパ
ッド準備部及びリード部を形成し、チップパッド準備部
を角絞り加工して上方開放角カップ状のチップパッド部
を形成する。次に、リード部のインナーリード端がチッ
プパッド部の周辺わずか上方に位置するようにダウンセ
ット加工し、続いて、チップパッド部の内底面に半導体
チップを貼り付け、半導体チップの各電極と各インナー
リード端とを導線で接続し、その後に、チップパッド部
の外底面が露出するように樹脂モールディング加工す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はIC、パワ−トラン
ジスタ、サイリスタ、ダイオ−ド、発振素子、フォトダ
イオ−ド、発光ダイオ−ド、半導体レ−ザ、サ−ミス
タ、センサに応用される半導体装置の製造方法に適して
いる。特に、本発明は、高消費電力の半導体装置の製造
方法に適している。
【0002】また、本発明は、当該半導体装置の製造方
法の実施に直接使用するのに適した半導体リ−ドフレ−
ムに関する。
【0003】
【従来の技術】従来の半導体リードフレームは、厚肉平
坦長方形のチップパッド部の周縁直上に比較的薄肉のリ
−ド部のインナ−リ−ドの端部が配置され、アウタ−リ
−ドが放射状に伸びる構成であった。チップパッド部に
は、半導体チップを貼り付けるものであるが、厚肉とす
ることによって放熱性の向上を図るものである。
【0004】そして、従来の半導体リ−ドフレ−ムの製
造方法の一つは、厚肉板状材からプレス打抜き加工によ
りチップパッド部部品を製造し、一方、比較的薄肉板状
材からプレス打抜き加工により、リ−ド部部品を製造
し、続いて、チップパッド部部品とリ−ド部部品とを組
合わせ、かしめ加工等により固定するものである。
【0005】また、従来の半導体リ−ドフレ−ムの製造
方法の他の一つは、出願人による特許出願(特願平9−
241799)に記載されているように、次のとおりで
ある。すなわち、厚肉部分と薄肉部分とが幅方向に隣接
する、一定断面形状の長尺の異形条材からプレス打抜き
加工によりチップパッド部、リ−ド部及び折り曲げ部
(あるいは回転部)を形成する。ここで、チップパッド
部は異形条材の厚肉部分に形成し、リ−ド部は異形条材
の薄肉部分に形成し、そして、折り曲げ部(あるいは回
転部)は、チップパッド部とリ−ド部とを連結するよう
に、形成する。続いて、折り曲げ部をプレス曲げ加工に
より折り曲げて(あるいは、回転部のまわりにリ−ド部
をプレス曲げ加工を繰返して回転し)、リ−ド部のイン
ナ−リ−ドの端部をチップパッド部の周縁のわずか上方
に配置するものである。
【0006】さらに、従来の半導体装置の製造方法は、
上記の従来の半導体リ−ドフレ−ムのチップパッド部の
上に半導体チップを貼り付け固定し、次に、半導体チッ
プの各電極と半導体リ−ドフレ−ムの各インナ−リ−ド
の端部との間を金線などの導線によって接続するワイヤ
−ボンディング加工し、その後に、アウタ−リ−ド部以
外を加熱溶融樹脂によって封入する樹脂モ−ルディング
して半導体装置を得ていた。従来は、チップパッド部の
裏面は封入樹脂から露出することはなかった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第一の
従来の半導体リ−ドフレ−ムについては、組立て不良が
生じやすく、また寸法精度が劣るという問題がある。
【0008】一方、第二の従来の半導体リ−ドフレ−ム
については、異形条材を用いるために、材料費が高く、
また、かさばり、1リ−ルに巻かれる条材の長さが短
く、長時間連続運転することができず、頻繁に運転を停
止し、リ−ルの交換を行わねばならず操業性が悪いとい
う問題がある。
【0009】そこで、本発明の目的は、上記問題点を解
消し、消費電力の比較的大きな半導体装置の新たな製造
方法を提供し、また、そのために直接使用する、新たな
半導体リ−ドフレ−ムを提供するものである。
【0010】
【課題を解決する手段】上記目的は、請求項1に記載の
本発明に係る半導体装置の製造方法、すなわち、リード
フレーム用合金平板からプレス打抜き加工により、チッ
プパッド準備部及びリ−ド部を形成し、次に、当該チッ
プパッド準備部をプレス角絞り加工して、底面及び側面
を有する上方開放角カップ状のチップパッド部を形成
し、次に、リ−ド部のインナ−リ−ドの端部がチップパ
ッド部の周縁のわずか上方に離れて位置するようにダウ
ンセット加工し、続いて、チップパッド部の内底面の上
に半導体チップを貼り付け、次に、半導体チップの各電
極と各インナ−リ−ドの端部との間を導線によって接続
するワイヤ−ボンディング加工し、その後に、チップパ
ッド部の外底面が露出するように樹脂モ−ルディング加
工して半導体装置を製造する方法によって、達成され
る。
【0011】また、上記目的は、請求項2に記載の本発
明に係る半導体装置の製造方法、すなわち、リ−ドフレ
−ム用合金平板から、プレス打抜き加工により、チップ
パッド準備部、リ−ド部及び当該チップパッド準備部と
当該リ−ド部との間を連結する折り曲げ部を形成し、次
に、当該チップパッド準備部をプレス角絞り加工して、
底面及び側面を有する上方開放角カップ状のチップパッ
ド部を形成し、続いて、当該折り曲げ部をプレス加工に
より折り曲げて、当該リ−ド部のインナ−リ−ドの端部
を当該チップパッド部に重ね、チップパッド部の半導体
チップ取付け位置周辺に配置させ、さらに、リ−ド部が
チップパッド部のわずか上方に離して位置するようにダ
ウンセット加工し、続いて、チップパッド部の内底面の
上に半導体チップを貼り付け、次に、半導体チップの各
電極と各インナ−リ−ドの端部との間を導線によって接
続するワイヤ−ボンディング加工し、その後に、チップ
パッド部の外底面が露出するように樹脂モ−ルディング
加工して半導体装置を製造する方法によって、達成され
る。
【0012】さらに、上記目的は、請求項3に記載の本
発明に係わる半導体装置の製造方法、すなわち、リ−ド
フレ−ム用合金平板から、プレス打抜き加工により、チ
ップパッド準備部、リ−ド部及び当該チップパッド準備
部と当該リ−ド部との間を連結する回転部を形成し、次
に、当該チップパッド準備部をプレス角絞り加工して、
底面及び側面を有する上方開放角カップ状のチップパッ
ド部を形成し、続いて、当該回転部のまわりに当該リ−
ド部をプレス曲げ加工を繰返して回転し、当該リ−ド部
のインナ−リ−ドの端部を当該チップパッド部に重ね、
チップパッド部の半導体チップ取り付け位置周辺に配置
させ、さらに、リ−ド部がチップパッド部のわずか上方
に離して位置するようにダウンセット加工し、続いて、
チップパッド部の内底面の上に半導体チップを貼り付
け、次に、半導体チップの各電極と各インナ−リ−ドの
端部との間を導線によって接続するワイヤ−ボンディン
グ加工し、その後に、チップパッド部の外底面が露出す
るように樹脂モ−ルディング加工して半導体装置を製造
する方法によって、達成される。
【0013】一方、請求項4に記載の本発明に係る半導
体リ−ドフレ−ムは、請求項1、2または3に記載の本
発明に係る半導体装置の製造方法の実施に直接使用する
のに適している。
【0014】
【作用】本発明に係る半導体装置の製造方法によって得
られる半導体装置においては、チップパッド部の外底面
が封止樹脂から露出し、放熱性が向上している。
【0015】さらに、チップパッド部は上方開放角カッ
プ状であるため、その側面によって、外気から半導体チ
ップへの大気や湿気等の侵入が防がれる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、添付図面を参照して、詳細に説明する。
【0017】板厚が一定のリ−ドフレ−ム用合金平板条
材からプレス打抜き加工により、(1)長方形のチップ
パッド準備部、(2)インナ−リ−ド、タイバ−、アウ
タ−リ−ドを含むリ−ド部、及び(3)チップパッド準
備部とリ−ド部との間を連結する回転部を形成する。こ
のプレス打抜き加工は、複数のプレス打抜きダイセット
を並べ、それらに長尺平板条材を通板して順次プレス打
抜き加工を行う、トランスファ−プレス方式によると、
精密寸法で多量に、しかも比較的安価にリ−ドフレ−ム
を製造することができ好ましい。材料のリ−ドフレ−ム
用合金平板条材の厚さは通常0.25mm〜0.65mmで
あり、材質は、無酸素銅、ジルコニウム銅その他の銅系
合金、ステンレス銅、42アロイ合金その他の鉄系合金
である。
【0018】次に、チップパッド準備部をプレス角絞り
加工し、底面及び側面を有する上方開放角カップ状のチ
ップパッド部を形成する。底面は長方形であり、その各
辺から側面が鉛直からわずかに傾斜して上方へ向かうに
つれて対向する側面間の距離が広がり、底面と各側面と
の間は隙間なく連続し、また、隣り合う側面との間も隙
間なく連続している。側面の高さは通常0.5mm〜2mm
である。
【0019】続いて、プレス曲げ加工を繰り返して、回
転部のまわりにリ−ド部を合計180°回転して、リ−
ド部のインナ−リ−ドの端部をチップパッド部の開放側
に重ね、チップパッド部の半導体チップ取り付け位置周
辺に配置させる。プレス曲げ加工を繰り返すことによる
リ−ド部の回転加工もトランスファ−プレス方式によ
り、半製品のリ−ドフレ−ムを通板しつつ、順次回転加
工するのが好ましい。
【0020】その後に、リ−ド部とチップパッド部とを
連結している回転部をプレス曲げ加工して、リ−ド部の
インナ−リ−ドがチップパッド部から離れて、わずか上
方に位置するように加工する。この加工はダウンセット
加工と呼ばれている。ダウンセットの量は、リ−ド部と
チップパッド部とが電気的にショ−トしないことが必要
であるが、できるだけ小さくすることによって、後で行
うワイヤ−ボンディング加工の際にインナ−リ−ドの端
部と半導体チップの電極との距離が短く、使用する導線
の長さが短くなり好ましい。以上の一連の加工によっ
て、半導体リ−ドフレ−ムが製造される。
【0021】この半導体リ−ドフレ−ムを用いて、半導
体装置を製造する方法について、以下、説明する。
【0022】上方開放角カップ状のチップパッド部の内
底面上の中央の所定位置に半導体チップを貼り付ける。
【0023】続いて、半導体チップの電極とリ−ド部の
各インナ−リ−ドの端部との間を、金線その他の導線に
よって接続する。この加工は、一般に、ワイヤ−ボンデ
ィング加工と呼ばれている。
【0024】図1は、本発明に係るワイヤ−ボンディン
グ加工後の半導体装置の断面図である。半導体リ−ドフ
レ−ムは、チップパッド部と、リ−ド部121、125
と、回転部111、112とからなる。チップパッド部
は、上方開放角カップ状であり、底面101と左側面1
04と右側面107と不図示の前側面と不図示の後側面
とを有している。底面101の内底面103の上の所定
位置には半導体チップ3が貼り付けられている。すなわ
ち、半導体チップ3の底面301はチップパッド部の内
定面103に接触しており、半導体チップ3の左側面3
02及び右側面303は、それぞれ、チップパッド部の
左側面104及び右側面107から離れている。一方、
リ−ド部121のインナ−リ−ド123及びリ−ド部1
25のインナ−リ−ド126は、チップパッド部の上方
開放側の周縁のわずか上方に位置しており、半導体チッ
プ3の上面304から離れている。そのために、回転部
111、112はプレス加工により屈曲されている。こ
の加工は、一般にダウンセット加工と呼ばれている。さ
らに、半導体チップ3の周縁に多数配置された電極と対
応するインナ−リ−ドの端部との間をAu線401、40
2によって接続している。
【0025】以降の加工工程で樹脂モ−ルディング加工
して、インナ−リ−ド123、126及びチップパッド
部左側面104の外面105、右側面107の外面10
9などを樹脂5によって被覆、封入するものである。一
方、チップパッド部の底面101の外面102は、露出
させておき、大気中への放熱を効率良く行うように図っ
てある。また、リ−ド部121のアウタ−リ−ド124
及びリ−ド部の125のアウタ−リ−ド127は樹脂の
外へ突出している。
【0026】樹脂封入後に、回転部111及び112の
一部を切断、除去して、リ−ド部121、125とチッ
プパッド部との電気的導通を断つ。さらに必要であれ
ば、アウタ−リ−ド124、127をそれぞれ直角下方
へ曲げる。以上のようにして、本発明に係る半導体装置
が製造される。
【0027】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置の製造方法にお
いては、素材として、長尺平板条材を使用し、かつ、組
み合わせ工程等がないために、材料コストを低減するこ
とができ、トラブルが発生することなく、連続製造を容
易に行え、しかも、寸法精度を高く保つことができる。
【0028】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
においては、チップパッド部が上方開放角カップ状であ
り、内底面に半導体チップを貼り付け、側面を樹脂モ−
ルドし、外底面は樹脂から露出させているために、チッ
プパッド部の板厚を厚くしなくても、チップパッド部の
外底面からの放熱性を優れ、かつ、外気から半導体装置
の内部、特に、半導体チップ周辺への湿気等の侵入が有
効に防止されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る、ワイヤ−ボンディング加工後の
半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
101 底面 102 外面 103 内底面 104 左側面 105 外面 106 内面 107 右側面 108 内面 109 外面 111 回転部 112 回転部 121 リード部 123 インナーリード 124 アウターリード 125 リード部 126 インナーリード 127 アウターリード 3 半導体チップ 301 底面 302 左側面 303 右側面 304 上面 401 金線 402 金線 5 樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成10年5月29日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 半導体装置の製造方法及び半導体リー
ドフレーム
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はIC、パワートラン
ジスタ、サイリスタ、ダイオード、発振素子、フォトダ
イオード、発光ダイオード、半導体レーザ、サーミス
タ、センサに応用される半導体装置の製造方法に関す
る。特に、本発明は、高消費電力の半導体装置の製造方
法に適している。
【0002】また、本発明は、当該半導体装置の製造方
法の実施に直接使用するのに適した半導体リードフレー
ムに関する。
【0003】
【従来の技術】従来の半導体リードフレームは、厚肉平
坦長方形のチップパッド部の周縁直上に比較的薄肉のリ
ード部のインナーリードの端部が配置され、アウターリ
ードが放射状に伸びる構成であった。チップパッド部に
は、半導体チップを貼り付けるものであるが、厚肉とす
ることによって放熱性の向上を図るものである。
【0004】そして、従来の半導体リードフレームの製
造方法の一つは、厚肉板状材からプレス打抜き加工によ
りチップパッド部部品を製造し、一方、比較的薄肉板状
材からプレス打抜き加工により、リード部部品を製造
し、続いて、チップパッド部部品とリード部部品とを組
合わせ、かしめ加工等により固定するものである。
【0005】また、従来の半導体リードフレームの製造
方法の他の一つは、出願人による特許出願(特願平9ー
241799)に記載されているように、次のとおりで
ある。すなわち、厚肉部分と薄肉部分とが幅方向に隣接
する、一定断面形状の長尺の異形条材からプレス打抜き
加工によりチップパッド部、リード部及び折り曲げ部
(あるいは回転部)を形成する。ここで、チップパッド
部は異形条材の厚肉部分に形成し、リード部は異形条材
の薄肉部分に形成し、そして、折り曲げ部(あるいは回
転部)は、チップパッド部とリード部とを連結するよう
に、形成する。続いて、折り曲げ部をプレス曲げ加工に
より折り曲げて(あるいは、回転部のまわりにリード部
をプレス曲げ加工を繰返して回転し)、リード部のイン
ナーリードの端部をチップパッド部の周縁のわずか上方
に配置するものである。
【0006】さらに、従来の半導体装置の製造方法は、
上記の従来の半導体リードフレームのチップパッド部の
上に半導体チップを貼り付け固定し、次に、半導体チッ
プの各電極と半導体リードフレームの各インナーリード
の端部との間を金線などの導線によって接続するワイヤ
ーボンディング加工し、その後に、アウターリード部以
外を加熱溶融樹脂によって封入する樹脂モールディング
して半導体装置を得ていた。従来は、チップパッド部の
裏面は封入樹脂から露出することはなかった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第一の
従来の半導体リードフレームについては、組立て不良が
生じやすく、また寸法精度が劣るという問題がある。
【0008】一方、第二の従来の半導体リードフレーム
については、異形条材を用いるために、材料費が高く、
また、かさばり、1リールに巻かれる条材の長さが短
く、長時間連続運転することができず、頻繁に運転を停
止し、リールの交換を行わねばならず操業性が悪いとい
う問題がある。
【0009】そこで、本発明の目的は、上記問題点を解
消し、消費電力の比較的大きな半導体装置の新たな製造
方法を提供し、また、そのために直接使用する、新たな
半導体リードフレームを提供するものである。
【0010】
【課題を解決する手段】上記目的は、請求項1に記載の
本発明に係る半導体装置の製造方法、すなわち、リード
フレーム用合金平板からプレス打抜き加工により、チッ
プパッド準備部及びリード部を形成し、次に、当該チッ
プパッド準備部をプレス角絞り加工して、底面及び側面
を有する上方開放角カップ状のチップパッド部を形成
し、次に、リード部のインナーリードの端部がチップパ
ッド部の周縁のわずか上方に離れて位置するようにダウ
ンセット加工し、続いて、チップパッド部の内底面の上
に半導体チップを貼り付け、次に、半導体チップの各電
極と各インナーリードの端部との間を導線によって接続
するワイヤーボンディング加工を行い、その後に、チッ
プパッド部の外底面が露出するように樹脂モールディン
グ加工して半導体装置を製造する方法によって、達成さ
れる。
【0011】また、上記目的は、請求項2に記載の本発
明に係る半導体装置の製造方法、すなわち、リードフレ
ーム用合金平板から、プレス打抜き加工により、チップ
パッド準備部、リード部及び当該チップパッド準備部と
当該リード部との間を連結する折り曲げ部を形成し、次
に、当該チップパッド準備部をプレス角絞り加工して、
底面及び側面を有する上方開放角カップ状のチップパッ
ド部を形成し、続いて、当該折り曲げ部をプレス加工に
より折り曲げて、当該リード部のインナーリードの端部
を当該チップパッド部に重ね、チップパッド部の半導体
チップ取付け位置周辺に配置させ、さらに、リード部が
チップパッド部のわずか上方に離して位置するようにダ
ウンセット加工し、続いて、チップパッド部の内底面の
上に半導体チップを貼り付け、次に、半導体チップの各
電極と各インナーリードの端部との間を導線によって接
続するワイヤーボンディング加工を行い、その後に、チ
ップパッド部の外底面が露出するように樹脂モールディ
ング加工して半導体装置を製造する方法によって、達成
される。
【0012】さらに、上記目的は、請求項3に記載の本
発明に係わる半導体装置の製造方法、すなわち、リード
フレーム用合金平板から、プレス打抜き加工により、チ
ップパッド準備部、リード部及び当該チップパッド準備
部と当該リード部との間を連結する回転部を形成し、次
に、当該チップパッド準備部をプレス角絞り加工して、
底面及び側面を有する上方開放角カップ状のチップパッ
ド部を形成し、続いて、当該回転部のまわりに当該リー
ド部をプレス曲げ加工を繰返して回転し、当該リード部
のインナーリードの端部を当該チップパッド部に重ね、
チップパッド部の半導体チップ取り付け位置周辺に配置
させ、さらに、リード部がチップパッド部のわずか上方
に離して位置するようにダウンセット加工し、続いて、
チップパッド部の内底面の上に半導体チップを貼り付
け、次に、半導体チップの各電極と各インナーリードの
端部との間を導線によって接続するワイヤーボンディン
グ加工を行い、その後に、チップパッド部の外底面が露
出するように樹脂モールディング加工して半導体装置を
製造する方法によって、達成される。
【0013】一方、請求項4に記載の本発明に係る半導
体リードフレームは、請求項1、2または3に記載の本
発明に係る半導体装置の製造方法の実施に直接使用する
のに適している。
【0014】
【作用】本発明に係る半導体装置の製造方法によって得
られる半導体装置においては、チップパッド部の外底面
が封止樹脂から露出し、放熱性が向上している。
【0015】さらに、チップパッド部は上方開放角カッ
プ状であるため、その側面によって、外気から半導体チ
ップへの大気や湿気等の侵入が防がれる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、添付図面を参照して、詳細に説明する。
【0017】板厚が一定のリードフレーム用合金平板条
材からプレス打抜き加工により、(1)長方形のチップ
パッド準備部、(2)インナーリード、タイバー、アウ
ターリードを含むリード部、及び(3)チップパッド準
備部とリード部との間を連結する回転部を形成する。こ
のプレス打抜き加工は、複数のプレス打抜きダイセット
を並べ、それらに長尺平板条材を通板して順次プレス打
抜き加工を行う、トランスファープレス方式によると、
精密寸法で多量に、しかも比較的安価にリードフレーム
を製造することができ好ましい。材料のリードフレーム
用合金平板条材の厚さは通常0.25mm〜0.65m
mであり、材質は、無酸素銅、ジルコニウム銅その他の
銅系合金、ステンレス鋼、42アロイ合金その他の鉄系
合金である。
【0018】次に、チップパッド準備部をプレス角絞り
加工し、底面及び側面を有する上方開放角カップ状のチ
ップパッド部を形成する。底面は長方形であり、その各
辺から側面が鉛直からわずかに傾斜して上方へ向かうに
つれて対向する側面間の距離が広がり、底面と各側面と
の間は隙間なく連続し、また、隣り合う側面との間も隙
間なく連続している。側面の高さは通常0.5mm〜2
mmである。
【0019】続いて、プレス曲げ加工を繰り返して、回
転部のまわりにリード部を合計180°回転して、リー
ド部のインナーリードの端部をチップパッド部の開放側
に重ね、チップパッド部の半導体チップ取り付け位置周
辺に配置させる。プレス曲げ加工を繰り返すことによる
リード部の回転加工もトランスファープレス方式によ
り、半製品のリードフレームを通板しつつ、順次回転加
工するのが好ましい。
【0020】その後に、リード部とチップパッド部とを
連結している回転部をプレス曲げ加工して、リード部の
インナーリードがチップパッド部から離れて、わずか上
方に位置するように加工する。この加工はダウンセット
加工と呼ばれている。ダウンセットの量は、リード部と
チップパッド部とが電気的にショートしないことが必要
であるが、できるだけ小さくすることによって、後で行
うワイヤーボンディング加工の際にインナーリードの端
部と半導体チップの電極との距離が短く、使用する導線
の長さが短くなり好ましい。以上の一連の加工によっ
て、半導体リードフレームが製造される。
【0021】この半導体リードフレームを用いて、半導
体装置を製造する方法について、以下、説明する。
【0022】上方開放角カップ状のチップパッド部の内
底面上の中央の所定位置に半導体チップを貼り付ける。
【0023】続いて、半導体チップの電極とリード部の
各インナーリードの端部との間を、金線その他の導線に
よって接続する。この加工は、一般に、ワイヤーボンデ
ィング加工と呼ばれている。
【0024】図1は、本発明に係るワイヤーボンディン
グ加工後の半導体装置の断面図である。半導体リードフ
レームは、チップパッド部と、リード部121、125
と、回転部111、112とからなる。チップパッド部
は、上方開放角カップ状であり、底面101と左側面1
04と右側面107と不図示の前側面と不図示の後側面
とを有している。底面101の内底面103の上の所定
位置には半導体チップ3が貼り付けられている。すなわ
ち、半導体チップ3の底面301はチップパッド部の内
底面103に接触しており、半導体チップ3の左側面3
02及び右側面303は、それぞれ、チップパッド部の
左側面104及び右側面107から離れている。一方、
リード部121のインナーリード123及びリード部1
25のインナーリード126は、チップパッド部の上方
開放側の周縁のわずか上方に位置しており、半導体チッ
プ3の上面304から離れている。そのために、回転部
111、112はプレス加工により屈曲されている。こ
の加工は、一般にダウンセット加工と呼ばれている。さ
らに、半導体チップ3の周縁に多数配置された電極と対
応するインナーリードの端部との間をAu線401、4
02によって接続している。
【0025】以降の加工工程で樹脂モールディング加工
して、インナーリード123、126及びチップパッド
部左側面104の外面105、右側面107の外面10
9などを樹脂5によって被覆、封入するものである。一
方、チップパッド部の底面101の外面102は、露出
させておき、大気中への放熱を効率良く行うように図っ
てある。また、リード部121のアウターリード124
及びリード部の125のアウターリード127は樹脂の
外へ突出している。
【0026】樹脂封入後に、回転部111及び112の
一部を切断、除去して、リード部121、125とチッ
プパッド部との電気的導通を断つ。さらに必要であれ
ば、アウターリード124、127をそれぞれ直角下方
へ曲げる。以上のようにして、本発明に係る半導体装置
が製造される。
【0027】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置の製造方法にお
いては、素材として、長尺平板条材を使用し、かつ、組
み合わせ工程等がないために、材料コストを低減するこ
とができ、トラブルが発生することなく、連続製造を容
易に行え、しかも、寸法精度を高く保つことができる。
【0028】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
においては、チップパッド部が上方開放角カップ状であ
り、内底面に半導体チップを貼り付け、側面を樹脂モー
ルドし、外底面は樹脂から露出させているために、チッ
プパッド部の板厚を厚くしなくても、チップパッド部の
外底面からの放熱性を優れ、かつ、外気から半導体装置
の内部、特に、半導体チップ周辺への湿気等の侵入が有
効に防止されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る、ワイヤーボンディング加工後の
半導体装置の断面図である。
【符号の説明】 101 底面 102 外面 103 内底面 104 左側面 105 外面 106 内面 107 右側面 108 内面 109 外面 111 回転部 112 回転部 121 リード部 123 インナーリード 124 アウターリード 125 リード部 126 インナーリード 127 アウターリード 3 半導体チップ 301 底面 302 左側面 303 右側面 304 上面 401 金線 402 金線 5 樹脂

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレーム用合金平板からプレス打
    抜き加工により、チップパッド準備部及びリ−ド部を形
    成し、次に、当該チップパッド準備部をプレス角絞り加
    工して、底面及び側面を有する上方開放角カップ状のチ
    ップパッド部を形成し、次に、リ−ド部のインナ−リ−
    ドの端部がチップパッド部の周縁のわずか上方に離れて
    位置するようにダウンセット加工し、続いて、チップパ
    ッド部の内底面の上に半導体チップを貼り付け、次に、
    半導体チップの各電極と各インナ−リ−ドの端部との間
    を導線によって接続するワイヤ−ボンディング加工し、
    その後に、チップパッド部の外底面が露出するように樹
    脂モ−ルディング加工して半導体装置を製造する方法。
  2. 【請求項2】 リ−ドフレ−ム用合金平板から、プレス
    打抜き加工により、チップパッド準備部、リ−ド部及び
    当該チップパッド準備部と当該リ−ド部との間を連結す
    る折り曲げ部を形成し、次に、当該チップパッド準備部
    をプレス角絞り加工して、底面及び側面を有する上方開
    放角カップ状のチップパッド部を形成し、続いて、当該
    折り曲げ部をプレス加工により折り曲げて、当該リ−ド
    部のインナ−リ−ドの端部を当該チップパッド部に重
    ね、チップパッド部の半導体チップ取付け位置周辺に配
    置させ、さらに、リ−ド部がチップパッド部のわずか上
    方に離して位置するようにダウンセット加工し、続い
    て、チップパッド部の内底面の上に半導体チップを貼り
    付け、次に、半導体チップの各電極と各インナ−リ−ド
    の端部との間を導線によって接続するワイヤ−ボンディ
    ング加工し、その後に、チップパッド部の外底面が露出
    するように樹脂モ−ルディング加工して半導体装置を製
    造する方法。
  3. 【請求項3】 リ−ドフレ−ム用合金平板から、プレス
    打抜き加工により、チップパッド準備部、リ−ド部及び
    当該チップパッド準備部と当該リ−ド部との間を連結す
    る回転部を形成し、次に、当該チップパッド準備部をプ
    レス角絞り加工して、底面及び側面を有する上方開放角
    カップ状のチップパッド部を形成し、続いて、当該回転
    部のまわりに当該リ−ド部をプレス曲げ加工を繰返して
    回転し、当該リ−ド部のインナ−リ−ドの端部を当該チ
    ップパッド部に重ね、チップパッド部の半導体チップ取
    り付け位置周辺に配置させ、さらに、リ−ド部がチップ
    パッド部のわずか上方に離して位置するようにダウンセ
    ット加工し、続いて、チップパッド部の内底面の上に半
    導体チップを貼り付け、次に、半導体チップの各電極と
    各インナ−リ−ドの端部との間を導線によって接続する
    ワイヤ−ボンディング加工し、その後に、チップパッド
    部の外底面が露出するように樹脂モ−ルディング加工し
    て半導体装置を製造する方法。
  4. 【請求項4】 リ−ド部及びチップパッド部を有する半
    導体リ−ドフレ−ムにおいて、チップパッド部が上方開
    放角カップ状であり、当該リ−ド部のインナ−リ−ドの
    端部が当該チップパッド部の周縁のわずか上方に離して
    配置されていることを特徴とする半導体リ−ドフレ−
    ム。
  5. 【請求項5】 チップパッド部の板厚がリ−ド部の板厚
    と同等である請求項4に記載の半導体リ−ドフレ−ム。
JP10063398A 1997-08-22 1998-03-27 半導体装置の製造方法及び半導体リードフレーム Pending JPH11284117A (ja)

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US09/134,274 US6091134A (en) 1997-08-22 1998-08-14 Semiconductor lead frame and method for manufacturing the same
KR1019980033976A KR100541490B1 (ko) 1997-08-22 1998-08-21 반도체장치의 제조방법 및 반도체 리드프레임과 그 제조방법

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