JPH11282550A - Constant voltage control circuit, semiconductor device and portable electronic device containing the circuit and device - Google Patents

Constant voltage control circuit, semiconductor device and portable electronic device containing the circuit and device

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JPH11282550A
JPH11282550A JP10100583A JP10058398A JPH11282550A JP H11282550 A JPH11282550 A JP H11282550A JP 10100583 A JP10100583 A JP 10100583A JP 10058398 A JP10058398 A JP 10058398A JP H11282550 A JPH11282550 A JP H11282550A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the stop of operation of an operation circuit that is caused by the variance of the constant voltage level and to less reduce power consumption by performing the change control of the 1st voltage to prevent this voltage from reaching the operation stop voltage level of the operation circuit when it's detected that the 2nd voltage is equal to the operation stop voltage level of a monitor means. SOLUTION: The voltage Vregm drops in response to the gradual drop of the voltage Vreg that is caused by the temperature variance, etc. As the voltage Vregm is lower than the voltage Vreg, an operation monitor circuit 30 reaches its stop voltage level before the voltage Vreg reaches the operation stop voltage level of a crystal oscillation circuit. When the circuit 30 stops its operation, an operation stop signal is outputted to a constant voltage generation circuit 10 via a differentiation circuit 50 and an up-down counter 60 to make a decoder 70 set its output line at an H level. Thus, the voltage Vreg outputted from the circuit 10 rises up by one step. Then the voltage Vreg is controlled and settled down to its steady state.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、定電圧制御回路、
半導体装置及びこれらを具備した携帯用電子機器に関す
るものであり、特に、発振回路に供給する定電圧を制御
する定電圧制御回路を含む時計用ICに関するものであ
る。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a constant voltage control circuit,
The present invention relates to a semiconductor device and a portable electronic device including the same, and more particularly to a timepiece IC including a constant voltage control circuit for controlling a constant voltage supplied to an oscillation circuit.

【0002】[0002]

【背景技術及び発明が解決しようとする課題】この種の
定電圧回路として例えば図18に示すものが挙げられ
る。図18には、一般的な水晶発振回路410及び定電
圧発生回路400の一例が示されている。
2. Description of the Related Art A constant voltage circuit of this type includes, for example, a circuit shown in FIG. FIG. 18 shows an example of a general crystal oscillation circuit 410 and a constant voltage generation circuit 400.

【0003】水晶発振回路410は、水晶振動子X’t
alと、発振用インバータINV100と、フィードバ
ック回路を構成する高抵抗Rfとを有する。フィードバ
ック回路は、抵抗Rf以外に、位相補償用のコンデンサ
D,CGを含んで構成され、発振用インバータINV1
00のドレイン出力を、180度位相反転されたゲート
入力として発振用インバータINV100のゲートへフ
ィードバック入力するものである。
[0005] The crystal oscillation circuit 410 includes a crystal oscillator X′t.
a, an oscillation inverter INV100, and a high resistance Rf forming a feedback circuit. The feedback circuit includes, in addition to the resistor Rf, capacitors C D and C G for phase compensation, and the oscillation inverter INV 1
The drain output 00 is fed back to the gate of the oscillation inverter INV100 as a gate input whose phase is inverted by 180 degrees.

【0004】発振用インバータINV100は、一対の
P型電界効果トランジスタ(以下PMOSと記す)QP1
00,N型電界効果トランジスタ(以下NMOSと記
す)QN100を含み、各PMOSQP100,NMOSQN
100のゲートが入力側、ドレインが出力側として機能
するように構成されている。そして、各トランジスタQP
100,QN100は、そのドレイン側が互いに接続さ
れ、そのソース側がそれぞれ接地電圧Vdd側,負の定電
圧Vreg側に接続されている。
The oscillation inverter INV100 includes a pair of P-type field effect transistors (hereinafter referred to as PMOS) QP1.
00, N-type field effect transistor (hereinafter referred to as NMOS) QN100, and each PMOS QP100, NMOS QN
It is configured such that 100 gates function as an input side and a drain functions as an output side. And each transistor QP
100 and QN100 have their drains connected to each other, and their sources connected to the ground voltage Vdd side and the negative constant voltage Vreg side, respectively.

【0005】上記水晶発振回路410では、発振用イン
バータINV100に定電圧Vregを印加すると、発振
用インバータINV100の出力が180度位相反転さ
れてゲートにフィードバック入力される。これにより、
発振用インバータINV100を構成するPMOSQP1
00,NMOSQN100が交互にオンオフ駆動され、水
晶発振回路410の発振出力が次第に増加し、水晶振動
子X’talが安定発振動作する。
In the crystal oscillation circuit 410, when a constant voltage Vreg is applied to the oscillation inverter INV100, the output of the oscillation inverter INV100 is inverted by 180 degrees and fed back to the gate. This allows
PMOS QP1 constituting the oscillation inverter INV100
00 and the NMOS QN 100 are alternately turned on and off, the oscillation output of the crystal oscillation circuit 410 gradually increases, and the crystal oscillator X′tal performs a stable oscillation operation.

【0006】この水晶発振回路では、発振停止電圧の絶
対値|Vsto| は、NMOSQN100の閾値電圧をVthn
0,PMOSQP100の閾値電圧をVthp0とすると、
式1のように表わすことができる。
In this crystal oscillation circuit, the absolute value | Vsto | of the oscillation stop voltage is obtained by setting the threshold voltage of the NMOS QN100 to Vthn.
0, assuming that the threshold voltage of the PMOS QP100 is Vthp0,
Equation 1 can be expressed.

【0007】 式1;|Vsto|=K・(|Vthp0|+Vthn0) ここで、定数Kは0.8〜0.9であり、|Vthp0|は
Vthp0の絶対値を示す。このように、発振停止電圧Vs
toは、NMOSの閾値電圧Vthn0,PMOSの閾値電
圧Vthp0に依存する。
| Vsto | = K · (| Vthp0 | + Vthn0) Here, the constant K is 0.8 to 0.9, and | Vthp0 | indicates an absolute value of Vthp0. Thus, the oscillation stop voltage Vs
to depends on the threshold voltage Vthn0 of the NMOS and the threshold voltage Vthp0 of the PMOS.

【0008】一方、定電圧発生回路400は、オペアン
プOP100と、マイナス(以下−と記す)入力端子の
制御用PMOSQP101と、プラス(以下+と記す)入
力端子の制御用NMOSQN101と、出力用NMOSQN
102とを有する。
On the other hand, the constant voltage generating circuit 400 includes an operational amplifier OP100, a control PMOS QP101 of a minus (hereinafter referred to as-) input terminal, a control NMOS QN101 of a plus (hereinafter referred to as +) input terminal, and an output NMOS QN101.
102.

【0009】この回路の動作について説明すると、制御
用PMOSQP101に定電流が流れることで、信号線4
01に制御用PMOSQP101の閾値電圧|Vthp1| に
依存した電圧α|Vthp1|(α:定数)が生じる。そし
て、オペアンプOP100と出力用NMOSQN102に
より、信号線402は、信号線401と同一の電位α|
Vthp1 |に制御される。さらに、制御用NMOSQN1
01に定電流源TNからの電流が流れることで、信号線
402と出力ライン403との間に、制御用NMOSQN
101の閾値電圧Vthn1に依存したαVthn1の電位差
が生じる。よって、出力ライン403と接地電位Vddの
間には、|Vthp1|+Vthn1に依存した定電圧α(|Vt
hp1|+Vthn1)が生じる。
The operation of this circuit will be described. When a constant current flows through the control PMOS QP 101, the signal line 4
01, a voltage α | Vthp1 | (α: constant) dependent on the threshold voltage | Vthp1 | of the control PMOS QP101 is generated. The signal line 402 is connected to the same potential α | as the signal line 401 by the operational amplifier OP100 and the output NMOS QN102.
Vthp1 |. Furthermore, the control NMOS QN1
01 flows from the constant current source TN to the control NMOS QN between the signal line 402 and the output line 403.
A potential difference of αVthn1 depending on the threshold voltage Vthn1 of 101 is generated. Therefore, between the output line 403 and the ground potential Vdd, a constant voltage α (| Vtn) depending on | Vthp1 | + Vthn1
hp1 | + Vthn1).

【0010】従って、定電圧発生回路400の出力電圧
Vreg は、制御用PMOSQP101の閾値電圧Vthp1
及び制御用NMOSQN101の閾値電圧Vthn1の影響
を各々受ける。即ち、定電圧|Vreg| は|Vthp1|+Vt
hn1に比例し、動作回路としての水晶発振回路410
は、|Vthp1|+Vthn1に依存した定電圧Vreg が供給
される。
Therefore, the output voltage Vreg of the constant voltage generation circuit 400 is equal to the threshold voltage Vthp1 of the control PMOS QP101.
And the threshold voltage Vthn1 of the control NMOS QN101. That is, the constant voltage | Vreg | is | Vthp1 | + Vt
Crystal oscillation circuit 410 which is proportional to hn1 and is an operation circuit
Is supplied with a constant voltage Vreg depending on | Vthp1 | + Vthn1.

【0011】そして、発振回路の低消費電力動作のため
に、従来は、定電圧発生回路を動作させる定電流源T
N,TPの電流値を、定電圧発生回路が動作可能な範囲
で、できるだけ少なくしていた。このため、発振用イン
バータの低消費電力化を図るために、発振動作確保(|
Vreg|>|Vsto|)を満足しつつ、定電圧|Vreg|をでき
るだけ下げるということが必要となってきた。
Conventionally, in order to reduce the power consumption of the oscillation circuit, a constant current source T for operating a constant voltage generation circuit is conventionally used.
The current values of N and TP have been reduced as much as possible within a range where the constant voltage generation circuit can operate. Therefore, in order to reduce the power consumption of the oscillation inverter, ensure the oscillation operation (|
Vreg |> | Vsto |), and it is necessary to lower the constant voltage | Vreg | as much as possible.

【0012】しかし、定電圧発生回路を動作させる定電
流源からの定電流を少なくしていくと、温度変化により
定電流が変動した場合の定電圧Vregの変化量が大きく
なるという問題点が生じる。
However, when the constant current from the constant current source for operating the constant voltage generating circuit is reduced, there arises a problem that the amount of change in the constant voltage Vreg increases when the constant current fluctuates due to a temperature change. .

【0013】ここで、制御用NMOSQN101,制御用
PMOSQP101を動作させる定電流源TN,TPの電
流値には温度依存性がある。即ち、定電流源TN,TP
は、例えば図17に示されるように、デプリーションタ
イプのPMOS(DPMOS)にて構成される場合、ド
レイン電流(定電流)ID は、温度変化により変動す
る。
Here, the current values of the constant current sources TN and TP for operating the control NMOS QN101 and the control PMOS QP101 have temperature dependence. That is, the constant current sources TN, TP
For example, as shown in FIG. 17, when a depletion type PMOS (DPMOS) is used, the drain current (constant current) ID fluctuates due to a temperature change.

【0014】また、定電圧Vregの温度変化に対する変
化量は、定電流値IDの変化量と、制御用NMOSQN1
01の閾値電圧Vthn1,制御用PMOSQP101の閾
値電圧Vthp1の絶対値の夫々の変化量との和となる。
発振停止電圧Vstoの温度に対する変化量については、
発振停止電圧Vstoは、前記式1に依存するので、NM
OSQN100,PMOSQP100の閾値電圧の変化分に
なる。ここで、定電圧Vregの温度係数は、定電流源T
N,TPにおける定電流の変化量と、閾値電圧(|Vthp
1|+Vthn1)の変化量に依存し、発振停止電圧Vsto
の温度係数は閾値電圧(|Vthp0|+Vthn0)の変化量
に依存する。
The amount of change in the constant voltage Vreg with respect to a temperature change includes the amount of change in the constant current value ID and the control NMOS QN1.
The sum of the absolute value of the threshold voltage Vthp1 of the control PMOS QP101 and the amount of change in the absolute value of the threshold voltage Vthp1 of the control PMOS QP101.
Regarding the variation of the oscillation stop voltage Vsto with respect to the temperature,
Since the oscillation stop voltage Vsto depends on the above equation 1, NM
This is the change in the threshold voltage of OSQN100 and PMOSQP100. Here, the temperature coefficient of the constant voltage Vreg is expressed by the constant current source T
The amount of change in the constant current at N and TP and the threshold voltage (| Vthp
1 | + Vthn1) and depends on the amount of change, and the oscillation stop voltage Vsto
Is dependent on the variation of the threshold voltage (| Vthp0 | + Vthn0).

【0015】一例として、定電圧|Vreg| の方が温度に
対して負の傾きが絶対値で大きい場合に、定電圧|Vreg
|と発振停止電圧|Vsto|に関する温度と電圧の関係を図
19に示す。
As an example, when the constant voltage | Vreg | has a larger negative gradient with respect to temperature in absolute value, the constant voltage | Vreg |
FIG. 19 shows the relationship between | and the oscillation stop voltage | Vsto | between temperature and voltage.

【0016】図19においては、横軸を温度、縦軸を電
圧とし、定電圧Vreg,発振停止電圧Vsto についての
グラフを示す。発振動作を確保するためには、動作保証
温度範囲における高温時(図19に示すA点)において
も、|Vreg|>|Vsto|を確保しなければならない。ここ
で、動作保証温度範囲は、一般に−10℃〜60℃であ
り、A点は、腕時計の耐熱温度等である。
FIG. 19 is a graph showing the constant voltage Vreg and the oscillation stop voltage Vsto with the horizontal axis representing temperature and the vertical axis representing voltage. To ensure the oscillation operation, | Vreg |> | Vsto | must be ensured even at a high temperature (point A shown in FIG. 19) in the operation guarantee temperature range. Here, the operation assurance temperature range is generally from −10 ° C. to 60 ° C., and the point A is a heat-resistant temperature of a wristwatch or the like.

【0017】よって、他の低い温度領域では、定電圧|
Vreg|を必要以上に高くしなければならなくなる。つま
り、従来は定電圧Vregと発振停止電圧Vstoの温度勾配
の差が大きくなり、高温側(あるいは低温側)の発振動
作を保証するために、|Vreg|>|Vsto|を常に成り立た
せなければならず、低温側(あるいは高温側)では、|
Vreg|を発振動作を保証する以上に高くしなければなら
なかったため、結果として無駄な電力を消費していた。
Therefore, in other low temperature regions, the constant voltage |
Vreg | must be made higher than necessary. That is, conventionally, the difference in temperature gradient between the constant voltage Vreg and the oscillation stop voltage Vsto becomes large, and | Vreg |> | Vsto | must always be satisfied in order to guarantee the oscillation operation on the high temperature side (or low temperature side). On the low (or high) side,
Since Vreg | had to be set higher than the guarantee of the oscillation operation, wasteful power was consumed as a result.

【0018】このため、定電圧Vregと発振停止電圧Vs
toにおける|Vreg|>|Vsto|の関係を保ちつつ、定電圧
|Vreg|をできるだけ低くする、ということは困難であ
り、発振回路のさらなる低消費電力化が図れなかった。
Therefore, the constant voltage Vreg and the oscillation stop voltage Vs
constant voltage while maintaining the relation of | Vreg |> | Vsto |
It is difficult to make | Vreg | as low as possible, and it was not possible to further reduce the power consumption of the oscillation circuit.

【0019】また、従来定電圧Vreg は、図18におけ
る制御用PMOSQP1の閾値電圧の絶対値|Vthp1|,
制御用NMOSQN1の閾値電圧Vthn1を夫々低くする
等、NMOS、PMOSのサイズや閾値を変えること
で、2又は3種類作り込み、ICのテストパット上で選
択して用いる場合も考えられる。
The conventional constant voltage Vreg is the absolute value | Vthp1 | of the threshold voltage of the control PMOS QP1 in FIG.
By changing the sizes and thresholds of the NMOS and the PMOS, such as lowering the threshold voltage Vthn1 of the control NMOS QN1, respectively, two or three types may be produced and selected and used on a test pad of the IC.

【0020】しかし、これでも定電圧Vreg は、PMO
SQP101、NMOSQN101の閾値に非常に依存して
いる為、半導体製造プロセス上で閾値電圧Vthp1及び
Vthn1の値がばらついて、|Vthp1|もしくはVthn1
の値が変動し、ICの量産時にVreg の値も大きく変動
するという問題点があった。
However, even in this case, the constant voltage Vreg Is the PMO
Since the threshold voltages Vthp1 and Vthn1 vary depending on the threshold values of the SQP101 and the NMOS QN101 in the semiconductor manufacturing process, | Vthp1 | or Vthn1
Fluctuates and Vreg during mass production of IC There is a problem that the value of fluctuates greatly.

【0021】また、閾値電圧による定電圧Vregの調整
は、プロセス能力上0.1Vが限界であって、この調整
により定電圧Vregを閾値電圧に依存させて変更した場
合は、発振用インバータINV100のショート電流I
sの値が大幅に変化してしまうという問題があった。
The adjustment of the constant voltage Vreg by the threshold voltage is limited to 0.1 V in terms of process capability. If the constant voltage Vreg is changed depending on the threshold voltage by this adjustment, the adjustment of the oscillation inverter INV100 is performed. Short current I
There was a problem that the value of s changed significantly.

【0022】さらに、半導体装置においては、低消費電
力化の観点から、低電圧仕様のものが主流となりつつあ
るため、発振回路とともに使用される定電圧発生回路お
よびこれらを搭載した半導体装置においても、微小な電
力の変動が、発振動作に大きな影響を与えることになる
ため、特に発振回路に供給される定電圧の微調整を可能
とした定電圧発生回路が要求されるようになってきた。
Furthermore, since low-voltage specifications are becoming mainstream in the semiconductor device from the viewpoint of low power consumption, constant voltage generation circuits used together with oscillation circuits and semiconductor devices equipped with these are also required. Since a minute change in the power greatly affects the oscillation operation, a constant voltage generation circuit capable of finely adjusting the constant voltage supplied to the oscillation circuit has been particularly required.

【0023】本発明は、上記した技術の課題を解決する
ためになされたものであり、その目的とするところは、
定電圧発生回路内のNMOS及びPMOSの製造時にお
ける閾値のバラツキと、温度特性とに依存する定電圧V
reg が変動しても、この定電圧の変動による動作回路の
動作停止を防止して、定電圧Vreg の微調整により、さ
らなる低消費電力化を可能とした定電圧制御回路、半導
体装置及びこれらを具備した携帯用電子機器を提供する
ことにある。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned technical problems, and has as its object the following:
The constant voltage V which depends on the variation of the threshold value and the temperature characteristic in manufacturing the NMOS and the PMOS in the constant voltage generating circuit.
Even if reg fluctuates, the operation of the operation circuit due to the fluctuation of the constant voltage is prevented, and the fine adjustment of the constant voltage Vreg enables a further reduction in power consumption. Provided is a portable electronic device provided with the electronic device.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明に
係る定電圧制御回路は、定電圧で動作する動作回路に接
続され、前記動作回路の動作停止電圧に至らないよう
に、変動する前記定電圧を制御する定電圧制御回路であ
って、前記動作回路に供給される少なくとも一つの第1
の電圧と、前記第1の電圧と共に変動し前記第1の電圧
の絶対値より低い第2の電圧と、を各々生成出力する定
電圧発生手段と、前記第2の電圧の変動をモニタするモ
ニタ手段と、前記第2の電圧が前記モニタ手段の動作停
止電圧に至ったことを、前記モニタ手段が検出すると、
前記第1の電圧が前記動作回路の動作停止電圧に至らな
いように、前記定電圧発生手段の第1の電圧を変更制御
する制御手段と、を有することを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, a constant voltage control circuit is connected to an operation circuit that operates at a constant voltage, and varies so as not to reach an operation stop voltage of the operation circuit. A constant voltage control circuit for controlling the constant voltage, wherein at least one first
And a second voltage that fluctuates with the first voltage and that is lower than the absolute value of the first voltage. The constant voltage generator generates and outputs a constant voltage, and a monitor that monitors the fluctuation of the second voltage. Means, when the monitor means detects that the second voltage has reached an operation stop voltage of the monitor means,
Control means for changing and controlling the first voltage of the constant voltage generation means so that the first voltage does not reach the operation stop voltage of the operation circuit.

【0025】請求項1に記載の発明によれば、第2の電
位は、第1の電位の絶対値より低いので、モニタ手段に
より第2の電圧の変動をモニタし、第1の電圧が動作回
路の動作停止電圧付近にまで下降すると、第1の電圧が
動作回路の動作停止電圧に至る前に、第2の電圧はモニ
タ手段の動作停止電圧に至る。従って、第1の電圧が動
作停止電圧に至り動作回路が停止するのを防止でき、動
作回路の動作を保証しつつ、最も低い定電圧で動作でき
るので、超低消費電力化が可能となる。
According to the first aspect of the present invention, since the second potential is lower than the absolute value of the first potential, the fluctuation of the second voltage is monitored by the monitoring means, and the first voltage operates. When the voltage drops to near the operation stop voltage of the circuit, the second voltage reaches the operation stop voltage of the monitor before the first voltage reaches the operation stop voltage of the operation circuit. Therefore, it is possible to prevent the first voltage from reaching the operation stop voltage and stop the operation circuit, and to operate at the lowest constant voltage while guaranteeing the operation of the operation circuit, thereby achieving ultra-low power consumption.

【0026】請求項2に記載の発明に係る定電圧制御回
路は、定電圧で動作する動作回路に接続され、変動する
前記定電圧を制御する定電圧制御回路であって、前記動
作回路に供給される第1の電圧を生成出力する定電圧発
生手段と、前記第1の電圧をモニタするモニタ手段と、
前記モニタ手段の検出結果に基づいて、前記定電圧発生
手段の第1の電圧を変更制御する制御手段と、を有し、
前記モニタ手段は、前記動作回路が停止する前に動作停
止する構成としたことを特徴とする。
A constant voltage control circuit according to a second aspect of the present invention is a constant voltage control circuit connected to an operation circuit that operates at a constant voltage and controls the fluctuating constant voltage, and is supplied to the operation circuit. Constant voltage generating means for generating and outputting a first voltage to be output, monitoring means for monitoring the first voltage,
Control means for changing and controlling the first voltage of the constant voltage generating means based on the detection result of the monitoring means,
The monitor means is configured to stop operation before the operation circuit stops.

【0027】請求項2に記載の発明によれば、第1の電
圧をモニタ手段及び動作回路に供給しても、モニタ手段
は、動作回路が停止する前に動作停止できる。従って、
制御手段による第1の電圧の変更も、動作回路が動作停
止する前になされるので、動作停止電圧より高い範囲内
において、最低の電圧を定電圧とすることができ、低消
費電力化に寄与できる。
According to the second aspect of the present invention, even if the first voltage is supplied to the monitoring means and the operation circuit, the operation of the monitoring means can be stopped before the operation circuit stops. Therefore,
Since the change of the first voltage by the control means is also performed before the operation circuit stops operating, the lowest voltage can be set as a constant voltage within a range higher than the operation stop voltage, contributing to lower power consumption. it can.

【0028】請求項3に記載の発明に係る定電圧制御回
路は、請求項2において、前記動作回路は、第1のトラ
ンジスタを有し、前記モニタ手段は、前記第1のトラン
ジスタの閾値の絶対値よりも高い値の閾値の絶対値を有
する第2のトランジスタを有することを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the constant voltage control circuit according to the second aspect, the operation circuit has a first transistor, and the monitor means sets the absolute value of the threshold value of the first transistor. A second transistor having a threshold absolute value higher than the threshold value.

【0029】請求項3に記載の発明によれば、閾値の高
いトランジスタほど低い電圧で止まりやすい。ここで、
動作回路の第1のトランジスタの閾値の絶対値は、モニ
タ手段の第2のトランジスタの閾値の絶対値よりも高く
設定されている。このため、動作回路が停止する前にモ
ニタ手段の動作が停止し、動作停止電圧より高い範囲内
において、最低の電圧を定電圧とすることができ、低消
費電力化に寄与できる。
According to the third aspect of the present invention, a transistor having a higher threshold value is more likely to stop at a lower voltage. here,
The absolute value of the threshold value of the first transistor of the operation circuit is set higher than the absolute value of the threshold value of the second transistor of the monitor. For this reason, the operation of the monitor means stops before the operation circuit stops, and the lowest voltage can be set to a constant voltage within a range higher than the operation stop voltage, which can contribute to lower power consumption.

【0030】請求項4に記載の発明に係る定電圧制御回
路は、請求項2において、前記動作回路は、第1のトラ
ンジスタを有し、前記モニタ手段は、前記第1のトラン
ジスタの電流増幅率よりも小さい電流増幅率を有する第
2のトランジスタを有することを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the constant voltage control circuit according to the second aspect, the operation circuit has a first transistor, and the monitor means has a current amplification factor of the first transistor. A second transistor having a smaller current amplification factor.

【0031】請求項4に記載の発明によれば、電流増幅
率の小さいトランジスタは早く停止し易い。ここで、動
作回路の第1のトランジスタの電流増幅率は、前記モニ
タ手段の第2のトランジスタのを電流増幅率よりも小さ
い。このため、同じ第1の電圧を入れたとしても、モニ
タ手段の電流増幅率が低いので、動作回路が停止する前
にモニタ手段の動作が停止し、動作停止電圧より高い範
囲内において、最低の電圧を定電圧とすることができ、
低消費電力化に寄与できる。
According to the fourth aspect of the invention, a transistor having a small current amplification rate is easily stopped quickly. Here, the current amplification factor of the first transistor of the operation circuit is smaller than the current amplification factor of the second transistor of the monitoring means. For this reason, even if the same first voltage is applied, the operation of the monitor means is stopped before the operation circuit is stopped because the current amplification factor of the monitor means is low. The voltage can be a constant voltage,
It can contribute to lower power consumption.

【0032】請求項5に記載の発明に係る定電圧制御回
路は、請求項2において、前記モニタ手段は、前記動作
回路に形成される論理素子よりも入力段数の多い論理素
子を有することを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the constant voltage control circuit according to the second aspect, the monitor means includes a logic element having more input stages than logic elements formed in the operation circuit. And

【0033】請求項5に記載の発明によれば、同一電圧
でも入力段数の多い論理素子の方が先に停止しやすい。
このため、同じ第1の電圧を、モニタ手段及び動作回路
に入力しても、モニタ手段の方が入力段数の多い論理素
子を含んでいるので、動作回路が停止する前にモニタ手
段の動作が停止し、動作停止電圧より高い範囲内におい
て、最低の電圧を定電圧とすることができ、低消費電力
化に寄与できる。
According to the fifth aspect of the present invention, a logic element having a larger number of input stages is more likely to stop earlier even at the same voltage.
For this reason, even if the same first voltage is input to the monitor means and the operation circuit, the operation of the monitor means is stopped before the operation circuit is stopped because the monitor means includes a logic element having a larger number of input stages. The lowest voltage can be a constant voltage within a range higher than the stop and operation stop voltage, which can contribute to lower power consumption.

【0034】請求項6に記載の発明に係る定電圧制御回
路は、請求項1において、前記モニタ手段は、基準信号
と、モニタしている前記第2の電圧に基づいて、動作停
止時に動作停止信号を出力するモニタ回路を有すること
を特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the constant voltage control circuit according to the first aspect, the monitor means stops operating when the operation is stopped based on a reference signal and the second voltage being monitored. A monitor circuit for outputting a signal is provided.

【0035】請求項6に記載の発明によれば、第2の電
圧が動作停止電圧に至ると、動作停止信号を出力するこ
とで、モニタ回路の動作停止を検出することができる。
According to the present invention, when the second voltage reaches the operation stop voltage, the operation stop signal is output, whereby the operation stop of the monitor circuit can be detected.

【0036】請求項7に記載の発明に係る定電圧制御回
路は、請求項2〜請求項5のいずれかにおいて、前記モ
ニタ手段は、基準信号と、モニタしている前記第1の電
圧に基づいて、動作停止時に動作停止信号を出力するモ
ニタ回路を有することを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, in the constant voltage control circuit according to any one of the second to fifth aspects, the monitor means is based on a reference signal and the first voltage being monitored. A monitor circuit for outputting an operation stop signal when the operation is stopped.

【0037】請求項7に記載の発明によれば、第1の電
圧が動作停止電圧に至ると、動作停止信号を出力するこ
とで、モニタ回路の動作停止を検出することができる。
According to the present invention, when the first voltage reaches the operation stop voltage, the operation stop signal is output to detect the operation stop of the monitor circuit.

【0038】請求項8に記載の発明に係る定電圧制御回
路は、請求項6において、前記制御手段は、前記モニタ
回路より出力される前記動作停止信号に基づいて、少な
くとも一発の第1のパルスを出力するための第1のパル
ス生成手段と、所定の周期の第2のパルスを生成する第
2のパルス生成手段と、一発の前記第1のパルスに基づ
いて、前記第1の電圧を上昇させる信号を前記定電圧発
生手段に出力し、一定周期の前記第2のパルスに基づい
て、前記第1の電圧を順次下降させる信号を前記定電圧
発生手段に出力するためのパルス制御手段と、を有し、
前記第1の電圧を、一定周期で順次下降させると共に前
記モニタ回路の動作停止により上昇させるように制御す
ることを特徴とする。
According to a eighth aspect of the present invention, in the constant voltage control circuit according to the sixth aspect of the present invention, the control means may include at least one of the first and second control circuits based on the operation stop signal output from the monitor circuit. First pulse generation means for outputting a pulse, second pulse generation means for generating a second pulse having a predetermined period, and the first voltage based on one shot of the first pulse Pulse control means for outputting a signal for increasing the voltage to the constant voltage generating means, and outputting a signal for sequentially decreasing the first voltage to the constant voltage generating means based on the second pulse having a constant period. And having
The method is characterized in that the first voltage is controlled so as to sequentially decrease in a fixed cycle and to increase by stopping the operation of the monitor circuit.

【0039】請求項8に記載の発明によれば、温度変動
に追従するように、モニターし、1回ある一定値にまで
下げたら、温度変動のためのモニタを行なう。これによ
り、第1の電圧を、電源投入時は一番高い定電圧を供給
するように設定し、通常動作時は第2のパルス生成手段
により一定周期で順次下降させると共にモニタ手段の動
作停止信号、第1のパルス生成手段により上昇させるよ
うにパルス制御手段にて設定できる。よって、動作停止
電圧に至らないように動作保証をしつつ、動作停止電圧
に限りなく近い、最低の電圧を確保できる。従って、定
電圧が供給される動作回路においても、定電圧と、動作
発振停止電圧に関し、動作保証を満たしつつ、最低の定
電圧を選択でき、動作回路が動作マージンを確保しつつ
できるだけ低い定電圧にて動作回路の動作を行うことが
できる。
According to the eighth aspect of the present invention, monitoring is performed so as to follow the temperature fluctuation, and once the temperature is reduced to a certain value, monitoring for the temperature fluctuation is performed. Thus, the first voltage is set so as to supply the highest constant voltage when the power is turned on, and during the normal operation, the first voltage is sequentially lowered by the second pulse generating means at a constant cycle, and the operation stop signal of the monitor means is turned off. Can be set by the pulse control means so as to be raised by the first pulse generation means. Therefore, it is possible to secure the lowest voltage as close as possible to the operation stop voltage while guaranteeing the operation so as not to reach the operation stop voltage. Therefore, even in an operation circuit to which a constant voltage is supplied, the lowest constant voltage can be selected while satisfying the operation guarantee with respect to the constant voltage and the operation oscillation stop voltage. Can operate the operation circuit.

【0040】請求項9に記載の発明に係る定電圧制御回
路は、 請求項1、6、8のいずれかにおいて、前記動
作回路と前記モニタ手段とは、製造プロセスが同一に形
成された回路であることを特徴とする。
According to a ninth aspect of the present invention, in the constant voltage control circuit according to any one of the first, sixth, and eighth aspects, the operation circuit and the monitor means are circuits having the same manufacturing process. There is a feature.

【0041】請求項9に記載の発明によれば、動作回路
とモニタ手段とで製造プロセスが同一であることによ
り、各回路内部の素子の例えば温度特性等もほぼ同じと
なり、第1の電圧の変動とそれより低い第2の電圧の変
動とをほぼ同じにすることができ、第1の電圧の代わり
に第2の電圧をモニタできる。
According to the ninth aspect of the present invention, since the manufacturing process is the same for the operation circuit and the monitor means, the elements inside each circuit, for example, have substantially the same temperature characteristics and the like. The fluctuation and the lower fluctuation of the second voltage can be substantially the same, and the second voltage can be monitored instead of the first voltage.

【0042】請求項10に記載の発明に係る定電圧制御
回路は、請求項1〜請求項9のいずれかにおいて、前記
制御手段は、電源投入時は、第1の周期にて前記第1の
電圧を可変し、通常動作時は、前記第1の周期より長い
第2の周期にて前記第1の電圧を可変するように、前記
第1、第2の周期を切換制御するモニタ周期制御部を有
することを特徴とする。
According to a tenth aspect of the present invention, in the constant voltage control circuit according to any one of the first to ninth aspects, when the power supply is turned on, the control means operates at the first cycle in the first cycle. A monitor cycle control unit for changing a voltage and changing the first and second cycles so as to change the first voltage in a second cycle longer than the first cycle during a normal operation; It is characterized by having.

【0043】請求項10に記載の発明によれば、電源投
入時は、一番高い定電圧を供給し、スタートさせ、動作
を開始して、通常動作時は、一定周期で順次定電圧値を
1ステップずつ下げていく。そして、モニタ手段が動作
停止を検出すると、この検出後に、定電圧を上げ定常状
態に至る。ここで、電源投入時から定常状態に至る期間
は、通常の第2の周期より短い第1の周期で第1の電圧
で供給することにより、上記期間を短縮してイニシャラ
イズに係る時間を短縮しスループットの向上が図れる。
According to the tenth aspect, when the power is turned on, the highest constant voltage is supplied and started, and the operation is started. During normal operation, the constant voltage value is sequentially increased at a constant cycle. Decrease by one step. Then, when the monitoring means detects that the operation has stopped, the constant voltage is increased and the steady state is reached after this detection. Here, during a period from power-on to a steady state, the period is shortened by supplying the first voltage at a first cycle shorter than the normal second cycle, thereby shortening the period for initialization. Throughput can be improved.

【0044】請求項11に記載の発明に係る定電圧制御
回路は、定電圧で動作する動作回路に接続され、前記動
作回路に電圧を供給する定電圧発生手段と、前記動作回
路よりも先に動作停止する動作停止電圧に至るモニタ手
段と、前記モニタ手段の動作停止に基づいて、前記動作
回路が前記動作停止電圧に至らないように制御する制御
手段と、を有することを特徴とする。
A constant voltage control circuit according to the present invention is connected to an operation circuit operating at a constant voltage, and supplies a constant voltage to the operation circuit; A monitor means for reaching an operation stop voltage for stopping the operation, and a control means for controlling the operation circuit so as not to reach the operation stop voltage based on the stop of the operation of the monitor means.

【0045】請求項11に記載の発明によれば、動作回
路よりも先にモニタ手段が動作停止するので、動作回路
が動作停止するのを未然に防止して、動作回路の動作を
保証できる。
According to the eleventh aspect of the present invention, since the operation of the monitor is stopped before the operation of the operation circuit, the operation of the operation circuit can be prevented from being stopped beforehand, and the operation of the operation circuit can be guaranteed.

【0046】請求項12に記載の発明に係る半導体装置
は、動作回路と、前記動作回路への供給電圧を形成する
請求項1〜請求項11のいずれかの定電圧制御回路と、
を同一基板上に形成したことを特徴とする。
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device, comprising: an operation circuit; and a constant voltage control circuit according to any one of claims 1 to 11, which forms a supply voltage to the operation circuit.
Are formed on the same substrate.

【0047】請求項12に記載の発明によれば、動作回
路に供給される電圧は、外部要因例えば温度特性や製造
時の素子のバラツキ等に起因して変動するが、定電圧制
御回路と共に形成することで、このような変動が生じる
可能性があっても、電圧を制御することができる。尚、
動作回路が例えば発振回路である場合には、加えて、定
電圧の絶対値が、動作停止電圧の絶対値よりも大きいと
いう状態を常に成り立たせることが可能となり、低い温
度領域においても、定電圧を必要以上に高くする必要が
なくなり、無駄な電力の消費をなくして、半導体装置の
低消費電力化が可能となる。
According to the twelfth aspect of the present invention, the voltage supplied to the operation circuit fluctuates due to external factors such as temperature characteristics and variations in elements during manufacturing. By doing so, it is possible to control the voltage even if such fluctuations may occur. still,
In the case where the operation circuit is an oscillation circuit, for example, in addition, it is possible to always establish a state where the absolute value of the constant voltage is larger than the absolute value of the operation stop voltage. Need not be increased unnecessarily, wasteful power consumption can be eliminated, and the power consumption of the semiconductor device can be reduced.

【0048】請求項13の発明は、請求項1〜請求項1
1のいずれかの定電圧制御回路を含む携帯用電子機器を
定義している。
The thirteenth aspect of the present invention is the first aspect of the present invention.
1 defines a portable electronic device including any one of the constant voltage control circuits.

【0049】この携帯用電子機器によれば、定電圧の微
調整を行うことが可能となり、0.1V以下の微調整が
容易に可能となり、使用電池の長寿命化をも図れ、携帯
用の電子機器の使い勝手を向上することができると共
に、最適な低消費電力,低電源電圧の携帯用電子機器を
実現できる。
According to the portable electronic device, fine adjustment of the constant voltage can be performed, fine adjustment of 0.1 V or less can be easily performed, the life of the battery used can be extended, and the portable electronic device can be used. The convenience of the electronic device can be improved, and a portable electronic device with optimal low power consumption and low power supply voltage can be realized.

【0050】[0050]

【発明の実施の形態】以下、本発明を発振回路に適用し
た実施の形態について、図面を参照して具体的に説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to an oscillation circuit will be specifically described below with reference to the drawings.

【0051】[実施の形態1] (システムの全体構成)図1は、本例の定電圧制御回路
を示している。本例の定電圧制御回路1は、図1に示す
ように、定電圧Vreg を出力する出力端子Aに動作回路
を接続し、この動作回路に供給される定電圧Vreg が、
種々の要因により変動する場合でも、定電圧Vreg を所
望の定電圧値に制御するための回路である。尚、本例で
は、この制御対象となる動作回路の一例として図5に示
すような水晶発振回路90を用いているが、動作回路と
しては、このような水晶発振回路に限定されるものでは
ない。
[First Embodiment] (Overall Configuration of System) FIG. 1 shows a constant voltage control circuit of this embodiment. As shown in FIG. 1, the constant voltage control circuit 1 of this embodiment has an operation circuit connected to an output terminal A for outputting a constant voltage Vreg, and the constant voltage Vreg supplied to the operation circuit is
This is a circuit for controlling the constant voltage Vreg to a desired constant voltage value even when it fluctuates due to various factors. In this example, a crystal oscillation circuit 90 as shown in FIG. 5 is used as an example of the operation circuit to be controlled, but the operation circuit is not limited to such a crystal oscillation circuit. .

【0052】図1において、定電圧制御回路1は、定電
圧Vreg 及び該電圧Vreg よりやや低い電圧Vregmを各
々生成する定電圧発生手段としての定電圧発生回路10
と、電圧Vregmの変動をモニタするモニタ手段20と、
このモニタ手段20の検出結果に基づいて、定電圧発生
回路10の電圧Vreg を変更制御する制御手段22と、
を有する。
In FIG. 1, a constant voltage control circuit 1 includes a constant voltage generating circuit 10 as a constant voltage generating means for generating a constant voltage Vreg and a voltage Vregm slightly lower than the voltage Vreg.
Monitoring means 20 for monitoring a change in voltage Vregm;
Control means 22 for changing and controlling the voltage Vreg of the constant voltage generation circuit 10 based on the detection result of the monitor means 20;
Having.

【0053】定電圧発生回路10は、水晶発振回路90
に供給される第1の電圧である定電圧Vreg と、定電圧
Vreg と共に変動し|Vreg| >|Vregm|となる第2
の電圧である電圧Vregmと、を各々生成出力する。尚、
電圧|Vreg| と、電圧|Vregm|との差は、動作モニ
タ回路30の停止時であって、Vreg が切換わる以前
に、発振回路90が停止しない範囲例えば10〜数10
mvであることが好ましい。この差が小さすぎると、モ
ニタがある周期で検出するから、この間に停止する恐れ
がある。
The constant voltage generation circuit 10 includes a crystal oscillation circuit 90
A constant voltage Vreg, which is a first voltage supplied to the power supply, and a second voltage which varies with the constant voltage Vreg and becomes | Vreg |> | Vregm |
And a voltage Vregm. still,
The difference between the voltage | Vreg | and the voltage | Vregm | is when the operation monitor circuit 30 is stopped, and before the Vreg is switched, a range where the oscillation circuit 90 does not stop, for example, 10 to several tens
mv. If this difference is too small, the monitor will detect it in a certain period, and may stop during this period.

【0054】モニタ手段20は、電圧Vreg と共に変動
する電圧Vregmの変動をモニタするものである。このモ
ニタ手段20は、動作位置検出タイミング信号(基準ク
ロック)CKと、電圧Vregmのモニタ結果とに基づい
て、電圧Vreg が水晶発振回路90の動作停止電圧に至
る前に、電圧Vregmが動作停止電圧に至った場合に動作
停止し、動作停止信号Xを出力する動作モニタ回路30
を有する。ここで、動作モニタ回路30は、水晶発振回
路90と同一の製造プロセスにて形成されることが好ま
しい。
The monitoring means 20 monitors the fluctuation of the voltage Vregm which fluctuates with the voltage Vreg. The monitoring means 20 controls the voltage Vregm based on the operation position detection timing signal (reference clock) CK and the monitoring result of the voltage Vregm before the voltage Vreg reaches the operation stop voltage of the crystal oscillation circuit 90 before the voltage Vregm reaches the operation stop voltage. The operation monitor circuit 30 which stops operation when it reaches the point and outputs an operation stop signal X
Having. Here, the operation monitor circuit 30 is preferably formed by the same manufacturing process as that of the crystal oscillation circuit 90.

【0055】制御手段22は、動作モニタ回路30より
出力される動作停止信号Xに基づいて、少なくとも一発
の第1のパルス(up)を出力するための第1のパルス
生成手段である微分回路50と、所定の周期φnの第2
のパルス(down)を生成する第2のパルス生成手段
24と、第1のパルスに基づいて電圧Vreg を上昇させ
る信号を定電圧発生回路10に出力し、第2のパルスに
基づいて、電圧Vregを順次下降させる信号を定電圧発
生回路10に出力するためのパルス制御手段26と、有
する。
The control means 22 is a differentiating circuit which is a first pulse generating means for outputting at least one first pulse (up) based on the operation stop signal X output from the operation monitoring circuit 30. 50 and the second of the predetermined period φn
And a second pulse generating means 24 for generating a pulse (down), and a signal for increasing the voltage Vreg based on the first pulse are output to the constant voltage generating circuit 10, and a voltage Vreg is generated based on the second pulse. And pulse control means 26 for outputting to the constant voltage generating circuit 10 a signal for sequentially lowering.

【0056】微分回路50は、動作停止信号XがHから
Lに切り換わる時に、カウントアップできる第1のパル
スを、例えば1発だけアップダウンカウンター60に向
けて出力する機能を有する。
The differentiating circuit 50 has a function of outputting the first pulse that can be counted up to the up-down counter 60, for example, only once when the operation stop signal X switches from H to L.

【0057】第2のパルス生成手段は24は、所定のタ
イミング信号生成するためのタイミング信号発生部80
と、タイミング信号発生部80にて生成出力された所定
の周期タイミング信号を、電源84に係る電源投入時の
オンタイミングに基づいて、周期φnを変更制御するモ
ニター周期制御部82と、を有する。
The second pulse generator 24 includes a timing signal generator 80 for generating a predetermined timing signal.
And a monitor cycle controller 82 for changing and controlling the cycle φn of the predetermined cycle timing signal generated and output by the timing signal generator 80 based on the power-on ON timing of the power supply 84.

【0058】パルス制御手段26は、第1のパルス(u
p)、周期φnの第2のパルス(down)をカウント
するアップ−ダウンカウンター60と、このアップ−ダ
ウンカウンター60の出力を、n本例えば8、16本等
のシリアル信号を出力するように変換するためのデコー
ダ70を有する。
The pulse control means 26 outputs the first pulse (u
p), an up-down counter 60 that counts a second pulse (down) having a period φn, and converts the output of the up-down counter 60 so as to output n serial signals, for example, 8 or 16 serial signals. And a decoder 70 for performing the operation.

【0059】アップ−ダウンカウンター60は、アップ
用の入力信号である第1のパルス(up)と、ダウン用
の入力信号である第2のパルス(down)が各々入力
される。これにより、例えば4ビットであるとすると、
第1のパルス(up)が入力すると「0000」がくる
と、「0001」になり、その次に、第2のパルス(d
own)が入力すると、「0000」に戻る。尚、位相
をずらす等の工夫により、第1のパルス(up)と第2
のパルス(down)が同時に入力するのを防止してい
る。
The up-down counter 60 receives a first pulse (up) as an input signal for up and a second pulse (down) as an input signal for down. Thus, for example, if it is 4 bits,
When the first pulse (up) is input and “0000” comes, it becomes “0001”, and then the second pulse (d
When (own) is input, it returns to “0000”. The first pulse (up) and the second pulse (up) are devised by shifting the phase.
At the same time.

【0060】次に、定電圧制御回路の動作について説明
する。
Next, the operation of the constant voltage control circuit will be described.

【0061】電源投入時は、定電圧発生回路10は、一
番高い定電圧Vreg を水晶発振回路90に供給するよう
にして、モニターを開始させる。
When the power is turned on, the constant voltage generating circuit 10 supplies the highest constant voltage Vreg to the crystal oscillation circuit 90 to start monitoring.

【0062】動作を開始して通常動作時は、タイミング
信号発生部80及びモニター周期制御部82から、一定
周期φnの第2のパルス(down)をアップ−ダウン
カウンター60に向けて出力する。すると、アップ−ダ
ウンカウンター60のカウンタ値に基づいて、デコーダ
70は、例えば8本の出力線を有する場合には、いずれ
か1本の出力線を所定の周期φn毎に選択状態とするよ
うに、信号を定電圧発生回路10に向けて出力する。こ
れにより、定電圧発生回路10より出力される電圧Vre
g は、所定の周期φn毎に、順次8段(or16段)の
定電圧値を1ステップずつ下げていく。
At the time of normal operation after the operation is started, the timing signal generator 80 and the monitor cycle controller 82 output a second pulse (down) having a constant cycle φn to the up / down counter 60. Then, based on the counter value of the up / down counter 60, if the decoder 70 has, for example, eight output lines, the decoder 70 sets any one of the output lines to the selected state at a predetermined period φn. , To the constant voltage generating circuit 10. As a result, the voltage Vre output from the constant voltage generation circuit 10 is
g gradually decreases the constant voltage value of eight stages (or 16 stages) by one step every predetermined period φn.

【0063】なお、デコーダ70の出力を例えば8本と
した場合には、電圧Vreg の定電圧値を8種類用意で
き、8段階の可変が可能であり、16本とした場合に
は、電圧Vreg の定電圧値を16種類用意でき、16段
階の可変が可能である。また、この8又は16の分割数
は、定電圧発生回路10内のMOSトランジスタのVt
hの製造バラツキの観点から、8、16等が特に好まし
いが、それ以上であってもかまわない。
When the output of the decoder 70 is, for example, eight lines, eight types of constant voltage values of the voltage Vreg can be prepared and can be varied in eight steps. 16 constant voltage values can be prepared and can be varied in 16 steps. The division number of 8 or 16 is determined by the Vt of the MOS transistor in the constant voltage generation circuit 10.
From the viewpoint of production variation of h, 8, 16 and the like are particularly preferable, but may be more.

【0064】動作モニタ回路30では、水晶発振回路9
0の図18に示す温度変動等に伴う定電圧Vreg に追従
するように、水晶発振回路90に供給する定電圧Vreg
より数十mv低い電圧Vregmをモニターしている。
In the operation monitor circuit 30, the crystal oscillation circuit 9
0, the constant voltage Vreg supplied to the crystal oscillation circuit 90 so as to follow the constant voltage Vreg accompanying the temperature fluctuation shown in FIG.
The voltage Vregm which is several tens mv lower than that is monitored.

【0065】ここで、温度変動等の外部要因等により、
例えば電圧Vreg が徐々に下がると、これと連動して電
圧Vregmも下がる。そうして、電圧Vregmは電圧Vreg
よりも数十mv低い電圧であるので、電圧Vreg が水晶
発振回路90の動作停止電圧に至る前に、動作モニタ回
路30は動作停止電圧に至る。尚、動作モニタ回路30
は、水晶発振回路90と同一の製造プロセスにて形成す
るのが望ましい。また、動作モニタ回路30は、電源電
圧低下により、水晶発振回路90よりも先に動作停止す
る回路構成とすることが望ましい。
Here, due to external factors such as temperature fluctuation, etc.
For example, when the voltage Vreg gradually decreases, the voltage Vregm also decreases in conjunction with this. Then, the voltage Vregm becomes the voltage Vreg.
The operation monitor circuit 30 reaches the operation stop voltage before the voltage Vreg reaches the operation stop voltage of the crystal oscillation circuit 90 because the voltage is several tens mv lower than that. The operation monitor circuit 30
Is desirably formed by the same manufacturing process as that of the crystal oscillation circuit 90. It is desirable that the operation monitor circuit 30 has a circuit configuration in which the operation is stopped before the crystal oscillation circuit 90 due to a drop in the power supply voltage.

【0066】動作モニタ回路30が停止すると、動作モ
ニタ回路30は動作停止信号Xを出力し、微分回路50
は、この動作停止信号Xに基づいて、第1のパルス(u
p)をアップ−ダウンカウンター60に向けて出力す
る。すると、アップ−ダウンカウンター60のカウンタ
値に基づいて、デコーダ70は、例えば8本の出力線を
有する場合には、いずれか1本の出力線をHレベルとす
るように、信号を定電圧発生回路10に向けて出力す
る。
When the operation monitor circuit 30 stops, the operation monitor circuit 30 outputs an operation stop signal X, and the differentiation circuit 50
Is based on the operation stop signal X, the first pulse (u
p) is output to the up-down counter 60. Then, based on the counter value of the up-down counter 60, if the decoder 70 has, for example, eight output lines, the decoder 70 generates a constant voltage signal so that any one of the output lines is set to the H level. Output to the circuit 10.

【0067】これにより、定電圧発生回路10より出力
される電圧Vreg は、1段上昇することとなる。その
後、電圧Vreg を下降させるステップと、電圧Vreg を
上昇させるステップと、を繰り返し行なうことで定電圧
Vreg を制御し、その結果、定電圧Vreg は、定常状態
に落ち着く。
As a result, the voltage Vreg output from the constant voltage generating circuit 10 increases by one stage. Thereafter, the step of decreasing the voltage Vreg and the step of increasing the voltage Vreg are repeatedly performed to control the constant voltage Vreg, and as a result, the constant voltage Vreg settles in a steady state.

【0068】このように、水晶発振回路90が停止する
前に、動作モニタ回路30が先に停止するので、水晶発
振回路90の動作を停止させることなく動作を保証しつ
つ、定電圧Vreg を最も低い電圧(定電圧)で動作させ
ることができるので、超低消費電力化が可能となる。
As described above, since the operation monitor circuit 30 is stopped first before the crystal oscillation circuit 90 is stopped, the operation of the crystal oscillation circuit 90 is stopped without stopping the operation, and the constant voltage Vreg is minimized. Since operation can be performed at a low voltage (constant voltage), ultra-low power consumption can be achieved.

【0069】(動作モニタ回路)この動作モニタ回路3
0の一例を図2に示す。同図において、動作モニタ回路
30は、所定のタイミング信号である基準クロックCK
を分周する分周部32と、分周されたタイミング信号の
電圧を変換する電圧変換部としてのレベルシフタ34
と、電圧変換された信号を互いに相反転する信号とする
ためのインバータINV2、INV3と、動作停止時の
動作停止信号Xを出力するクロック検出回路40と、を
有する。
(Operation Monitor Circuit) This operation monitor circuit 3
An example of 0 is shown in FIG. In the figure, an operation monitor circuit 30 includes a reference clock CK which is a predetermined timing signal.
Divider 32 for dividing the frequency of the signal, and level shifter 34 as a voltage converter for converting the voltage of the divided timing signal
And inverters INV2 and INV3 for converting the voltage-converted signals into signals that invert each other, and a clock detection circuit 40 that outputs an operation stop signal X when the operation is stopped.

【0070】分周部32は、フリップフロップFF1
と、この出力に接続されたNANDゲートNAND1
と、及びNANDゲートNAND1の2本に分岐する一
方の出力に接続されたインバータINV1と、を有す
る。この分周部32では、例えば図3(A)に示すよう
に、動作モニタ回路30が動作しているモニタONの時
は、基準クロックCKが周波数2Kで入力されると、1
/2分周してフリップフロップFF1の出力は、周波数
1Kにて出力される。また、この分周部32には、電圧
Vregmが供給され、動作モニタ回路30が動作停止した
モニタOFFの時には、フリップフロップFF1の出力
は、Hレベル(又はLレベル)状態が維持される。即
ち、フリップフロップFF1の出力QがHである時に停
止すると、Hが出力され、出力QがLである時に停止す
ると、Lが出力される。尚、分周部32は、フリップフ
ロップFF1のみの構成であっても良い。
The frequency dividing section 32 includes a flip-flop FF1
And a NAND gate NAND1 connected to this output
And an inverter INV1 connected to one of the two outputs of the NAND gate NAND1. In the frequency dividing section 32, for example, as shown in FIG. 3A, when the operation monitor circuit 30 is operating and the monitor is ON, when the reference clock CK is input at the frequency 2K,
The output of the flip-flop FF1 is output at the frequency 1K after dividing the frequency by. Further, the voltage Vregm is supplied to the frequency divider 32, and when the operation monitor circuit 30 is in the monitor OFF state where the operation is stopped, the output of the flip-flop FF1 is maintained at the H level (or the L level). That is, when the output is stopped when the output Q of the flip-flop FF1 is H, H is output, and when the output Q is stopped when the output Q is L, L is output. Note that the frequency dividing unit 32 may have a configuration including only the flip-flop FF1.

【0071】ここにおいて、フリップフロップFF1
は、半導体素子の中で一番停止し易く、電源電圧の依存
を受けて動作し難い素子であるため、動作モニタ回路3
0の中にはフリップフロップを用いている。また、電流
を絞り、駆動能力を抑える効果もある。なお、この動作
停止しやすい論理素子としては、フリップフロップの
他、基本的にはトランジスタが直列になる論理素子例え
ば複数入力、多入力のNANDゲート等が好ましい。こ
の場合、NchTrが複数個直列にならんでいるので、
動きづらく、トランジスタの直列の段数が多いほど好ま
しい。
Here, the flip-flop FF1
Is an element which is most easily stopped among semiconductor elements and hardly operates depending on the power supply voltage.
In 0, a flip-flop is used. In addition, there is also an effect of reducing the current and suppressing the driving ability. It is to be noted that, as the logic element whose operation is easily stopped, in addition to the flip-flop, a logic element in which transistors are basically connected in series, for example, a multi-input or multi-input NAND gate is preferable. In this case, since a plurality of NchTrs are arranged in series,
It is preferable that the transistor is hard to move and the number of series transistors is large.

【0072】分周部32から出力された信号は、レベル
シフタ34により電圧が上昇し、インバータINV2、
INV3を介して、クロック検出回路40の入力A1、
A2に互いに相反転した信号として入力される。
The voltage of the signal output from the frequency divider 32 is increased by the level shifter 34, and the signal is output from the inverter INV2,
The input A1 of the clock detection circuit 40 via INV3,
The signals are input to A2 as mutually inverted signals.

【0073】(クロック検出回路)ここで、クロック検
出回路40の詳細について、図2を用いて説明する。ク
ロック検出回路40は、図2に示すように、2つの入力
A1、A2にある周期で互いに相反転する入力信号が供
給され続けることで、出力XOより例えばHレベルの信
号を出し続け、周期に拘らず一定の信号が入力A1、A
2に入力される(クロックがこなくなる)と、出力XO
より例えばLレベルの信号を出力する、という検出を行
なう機能を有する。このクロック検出回路40の具体例
を図4に示す。
(Clock Detection Circuit) Here, the details of the clock detection circuit 40 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2, the clock detection circuit 40 continues to output an H level signal from the output XO by continuously supplying input signals that are mutually inverted at a certain period to the two inputs A1 and A2. Regardless of the input signal A1, A
2 (when the clock stops running), the output XO
It has a function of detecting, for example, outputting an L-level signal. FIG. 4 shows a specific example of the clock detection circuit 40.

【0074】同図において、クロック検出回路40は、
入力A1がゲートに接続されたNMOSQN50と、この
NMOSQN50と直列に接続されて入力A2がゲートに
接続されたNMOSQN51と、NMOSQN51のドレイ
ンに接続されたインバータINV4と、NMOSQN51
のドレインと接地電位に維持されたグランドVDDとの
間に接続されたコンデンサC2及び高抵抗R1と、NM
OSQN50のドレイン及びNMOSQN51のソースの接
続点とグランドVDDとに介在されたコンデンザC1
と、を有する。
In the figure, the clock detection circuit 40
An NMOS QN50 having an input A1 connected to a gate, an NMOS QN51 connected in series with the NMOS QN50 and an input A2 connected to a gate, an inverter INV4 connected to a drain of the NMOS QN51, and an NMOS QN51.
C2 and a high resistance R1 connected between the drain of the NMOS and the ground VDD maintained at the ground potential;
A capacitor C1 interposed between the connection point between the drain of the OSQN50 and the source of the NMOS QN51 and the ground VDD.
And

【0075】このようなクロック検出回路40の動作
は、以下のように行われる。即ち、順次電圧Vregが
降下していくと、それと連動して電圧Vregmも下が
っていく(この理由は後述する)。このような通常動作
であれば、動作しづらいフリップフロップFF1は、分
周動作を行なうので、FF1の出力は、HLHL・・と
出力している。従って、動作モニタ回路30の動作中
は、A1にH(L)、A2にL(H)が各々入力され
る。
The operation of the clock detection circuit 40 is performed as follows. That is, when the voltage Vreg drops sequentially, the voltage Vregm also drops in conjunction with it (the reason will be described later). In such a normal operation, the flip-flop FF1, which is hard to operate, performs a frequency division operation, and the output of FF1 is HLHL. Therefore, during the operation of the operation monitor circuit 30, H (L) is input to A1 and L (H) is input to A2.

【0076】そして、A1にH、A2にLが各々入力さ
れると、NMOSQN50がオン、NMOSQN51がオフ
する。この時、コンデンサC1に電圧VSSからの電荷
を充電する。次に、A1にL、A2にHが各々入力され
ると、NMOSQN50がオフ、NMOSQN51がオンと
なり、電圧VSSからの電荷をコンデンサC2に貯え
る。
When H is input to A1 and L is input to A2, the NMOS QN50 is turned on and the NMOS QN51 is turned off. At this time, the capacitor C1 is charged with the electric charge from the voltage VSS. Next, when L is input to A1 and H is input to A2, the NMOS QN50 is turned off and the NMOS QN51 is turned on, and charges from the voltage VSS are stored in the capacitor C2.

【0077】このように、クロックが入力すると、電圧
VSSによる電位は、常にコンデンサC1、又はC2に
充電されてしまうので、インバータINV4の入力電位
は常にLレベルとなり、結果インバータINV4の出力
は、Hに一定に保たれ、出力XO信号は例えばHを継続
して出力する。このように、A1とA2との入力信号が
互いに反転していれば、出力XOはHである。
As described above, when the clock is input, the potential of the voltage VSS is always charged in the capacitor C1 or C2. Therefore, the input potential of the inverter INV4 is always at the L level, and the output of the inverter INV4 is at the H level. , And the output XO signal continuously outputs H, for example. As described above, if the input signals of A1 and A2 are mutually inverted, the output XO is H.

【0078】次に、電圧Vregmがさらに下がり、フ
リップフロップFF1の動作停止電圧(動作回路の動作
停止電圧)に至ると、フリップフロップFF1は、分周
動作を停止し、フリップフロップFF1の出力は、一定
電位例えばLを出力し続ける。このため、クロック検出
回路40の入力A1、A2には、クロックが入力されな
くなる。そして、クロックが入力されないと、いずれか
一方例えばNMOSQN51がオフする。すると、コンデ
ンサC2に貯えられたVSSの電荷が、インバータIN
V4の入力側に放電する経路が与えられるので、コンデ
ンサC2の電荷が保持できなくなり、時定数CRに基づ
いて電荷が放出する。従って、時間経過後に、高抵抗R
1により、電位は常時Hレベル側に維持され、出力XO
はLになる。
Next, when the voltage Vregm further decreases and reaches the operation stop voltage (operation stop voltage of the operation circuit) of the flip-flop FF1, the flip-flop FF1 stops the frequency dividing operation, and the output of the flip-flop FF1 becomes A constant potential, for example, L is continuously output. Therefore, no clock is input to the inputs A1 and A2 of the clock detection circuit 40. Then, when no clock is input, one of them, for example, the NMOS QN 51 is turned off. Then, the charge of VSS stored in the capacitor C2 is transferred to the inverter IN
Since a discharge path is provided to the input side of V4, the charge of the capacitor C2 cannot be held, and the charge is released based on the time constant CR. Therefore, after a lapse of time, the high resistance R
1, the potential is always maintained at the H level side, and the output XO
Becomes L.

【0079】このようにして、クロック検出回路40の
出力XOは、クロックがきた時にHとなり、クロックが
こないことを検出すると、最初例えばHを出力していた
ら、Lに切換えることにより、動作モニタ回路30の動
作、動作停止の区別を検出できる。
In this way, the output XO of the clock detection circuit 40 becomes H when the clock comes. When it is detected that the clock does not come, if it outputs H, for example, it switches to L when it first outputs H. It is possible to detect the distinction between the operation of 30 and the operation stop.

【0080】従って、クロック検出回路40は、動作モ
ニタ回路30が停止したという動作停止信号を図1の微
分回路50に向けて出力することとなる。
Accordingly, the clock detection circuit 40 outputs an operation stop signal indicating that the operation monitor circuit 30 has stopped to the differentiating circuit 50 of FIG.

【0081】(モニター周期制御部)さらに、図1のモ
ニター周期制御部82について簡単に説明する。モニタ
ー周期制御部82は、タイミング信号発生部80にて生
成出力された所定の周期タイミング信号を、電源84に
係る電源投入時のオンタイミングに基づいて、周期を変
更制御する機能を有する。図7には、電源投入時から定
常状態に至るまでの時間Tに対する定電圧Vregの変化
の様子が示されている。
(Monitor Period Control Unit) Further, the monitor period control unit 82 of FIG. 1 will be briefly described. The monitor cycle control section 82 has a function of changing and controlling the cycle of the predetermined cycle timing signal generated and output by the timing signal generation section 80 based on the power-on ON timing of the power supply 84. FIG. 7 shows how the constant voltage Vreg changes with respect to the time T from when the power is turned on until the steady state is reached.

【0082】即ち、図7に示すように、電源投入時t1
から定常状態t2に至るイニシャル時には、周期をφn2
(第1の周期)にて出力し、所定の時間経過後定常状態
に至った場合には、周期をφn1(第2の周期)にて出力
するよう、変更制御する。この場合、φn1の周期は、φ
n2より長い周期であることが好ましい。こうすると、電
源投入から定常状態に至る期間t1〜t2短縮でき、スル
ープットを向上させることができる。
[0082] That is, as shown in FIG. 7, the power-on t 1
At the time of the initial state from t to the steady state t 2 , the period is φ n2
The output is performed at (first cycle), and when a steady state is reached after a predetermined time has elapsed, change control is performed so that the cycle is output at φ n1 (second cycle). In this case, the period of φ n1 is φ
Preferably, the period is longer than n2 . In this way, the period t 1 ~t 2 can be shortened to reach a steady state from the power-on, it is possible to improve the throughput.

【0083】尚、本発明者が鋭意検討した結果、通常時
のモニター周期φn1の最大値φn1maxは、100〜2
00[sec]、通常時のモニター周期φn1のmin
値φn1minは、10[sec](100nA以下の消費
電流で動作するICの場合)、イニシャル時のモニター
周期φn2のmax値φn2maxは、速やかに適正Vreg値
に落ち着く程度の周期、イニシャル時のモニター周期φ
n2のmin値φn2minは、1〜2sec[sec]程
度とすることが好ましいことが判明した。
As a result of the inventor's intensive studies, the maximum value φ n1max of the monitor period φn1 in the normal state is 100 to 2
00 [sec], min of the monitor cycle φn1 at normal time
The value φ n1min is 10 [sec] (in the case of an IC operating with a current consumption of 100 nA or less), the max value φ n2max of the initial monitoring period φn2 is a period that quickly settles to an appropriate Vreg value, and the initial Monitor cycle φ
It has been found that the min value φ n2min of n2 is preferably set to about 1 to 2 sec [sec].

【0084】従って、モニター周期制御部82は、φ
n1max、φn1min、φn2max、φn2minを必要に応じて自在
に変更することが好ましい。
Therefore, the monitor cycle control unit 82
It is preferable that n1max , φn1min , φn2max , and φn2min be freely changed as necessary.

【0085】尚、モニター周期φn2とφn1との切り
換えタイミングは、図示しないタイマーをモニター周期
制御部82内に内蔵し、所定の時間経過後に切り換える
構成としてもよいし、電圧Vreg をモニタして定常状態
に至ると切り換える構成としてもよい。
The timing of switching between the monitor cycles φn2 and φn1 may be such that a timer (not shown) is built in the monitor cycle control unit 82 and switched after a predetermined time has elapsed, or the voltage Vreg is monitored to monitor the steady state. It is good also as a structure which switches when reaching.

【0086】(定電圧発生回路)図5には、定電圧発生
回路10および水晶発振回路90が示されている。この
水晶発振回路90はクォーツタイプの腕時計に使用され
る水晶発振回路である。図5を用いて定電圧発生回路1
0について説明する。
(Constant Voltage Generation Circuit) FIG. 5 shows the constant voltage generation circuit 10 and the crystal oscillation circuit 90. The crystal oscillation circuit 90 is a crystal oscillation circuit used for a quartz wristwatch. FIG. 5 shows a constant voltage generating circuit 1
0 will be described.

【0087】定電圧発生回路10は、水晶発振回路90
へ供給する定電圧Vreg 、及び上記動作モニタ回路30
でのモニタ用の電圧Vregmを形成するための回路であっ
て、水晶発振回路の発振動作を保証する全温度範囲で定
電圧Vreg を発振可能な最低の電圧まで下げることを可
能とするものであり、オペアンプOP1と、オペアンプ
OP2と、選択回路10Pと、オペアンプOP1の出力
用NMOSQN2と、オペアンプOP2の出力用NMOS
QN4と、定電流源TN1・TN2・TPと、NMOSQN
1及びNMOSQN3と、を含んで構成されている。
The constant voltage generation circuit 10 includes a crystal oscillation circuit 90
Constant voltage Vreg to be supplied to the operation monitor circuit 30
A circuit for forming the monitor voltage Vregm in the above-described embodiment, and is capable of lowering the constant voltage Vreg to the minimum oscillating voltage in the entire temperature range that guarantees the oscillation operation of the crystal oscillation circuit. , An operational amplifier OP1, an operational amplifier OP2, a selection circuit 10P, an output NMOS QN2 of the operational amplifier OP1, and an output NMOS of the operational amplifier OP2
QN4, constant current sources TN1, TN2, TP, and NMOS QN
1 and the NMOS QN3.

【0088】図5の定電圧発生回路では、選択回路10
Pにより、オペアンプOP2への一方の入力電圧、つま
り、定電圧Vreg を制御する定電圧制御用PMOSを、
複数かつ夫々電流増幅率β(ゲート長、ゲート幅)を異
ならせて形成し、複数構成された定電圧制御用PMOS
のうち最適な定電圧制御用PMOSを選択できる。
In the constant voltage generating circuit shown in FIG.
By P, one input voltage to the operational amplifier OP2, that is, a constant voltage control PMOS for controlling the constant voltage Vreg,
A plurality of constant voltage control PMOSs formed with different current amplification factors β (gate length, gate width)
Among them, the optimum constant voltage control PMOS can be selected.

【0089】また、NMOSQN3の例えばゲート幅を、
NMOSQN1のゲート幅より大きくして、サイズを変え
て形成することにより、上記電圧Vreg と電圧Vregmと
の数十mVの電圧幅を形成している。
Further, for example, the gate width of the NMOS QN3 is
The voltage width of several tens of mV between the voltage Vreg and the voltage Vregm is formed by changing the size of the NMOS QN1 so as to be larger than the gate width.

【0090】オペアンプOP1は、+入力端子は定電圧
制御用NMOSQN3により形成される電圧を受け、−入
力端子は選択回路10Pにより形成される電圧を受け
る。NMOSQN4は、オペアンプOP1の出力を受けて
ゲート入力電圧が制御される。
The operational amplifier OP1 has a + input terminal receiving a voltage formed by the constant voltage control NMOS QN3, and a − input terminal receiving a voltage formed by the selection circuit 10P. The gate input voltage of the NMOS QN4 is controlled by receiving the output of the operational amplifier OP1.

【0091】オペアンプOP2は、+入力端子と−入力
端子とを有し、+入力端子は定電圧制御用NMOSQN1
により形成される電圧を受ける。そして、前記−入力端
子は複数のPMOSQP10〜17により、オンオフ制御
されるPMOSQP30〜37を含む選択回路10Pによ
り形成される電圧を受ける。そして、+入力端子に印加
された電圧と、−入力端子に印加された電圧との電位差
を増幅して出力する、所謂差動増幅器である。
The operational amplifier OP2 has a positive input terminal and a negative input terminal, and the positive input terminal is a constant voltage control NMOS QN1.
Receive the voltage formed by The negative input terminal receives a voltage formed by the selection circuit 10P including the PMOS QPs 30 to 37 that are turned on and off by the plurality of PMOS QPs 10 to 17. This is a so-called differential amplifier that amplifies and outputs the potential difference between the voltage applied to the + input terminal and the voltage applied to the − input terminal.

【0092】出力用NMOSQN2は、オペアンプOP2
の出力をゲートに受けるものであって、且つ、ドレイン
が定電圧発生回路のVreg の出力ラインと接続されてい
る。また、出力用NMOSQN2のソース及びバックゲー
トに電源電圧Vssが印加されている。
The output NMOS QN2 is connected to the operational amplifier OP2.
Is received at the gate, and the drain is connected to the output line of Vreg of the constant voltage generating circuit. The power supply voltage Vss is applied to the source and the back gate of the output NMOS QN2.

【0093】PMOSQP30〜37を含む選択回路10
Pは、定電圧発生回路により形成される定電圧Vreg
を、オペアンプOP1、2の−入力端子への入力電圧を
制御することにより制御する回路である。そして、定電
圧制御用PMOSQP30〜37の夫々のゲートとドレイ
ンが共通にオペアンプOP1、2の−入力端子に接続さ
れている。即ち、定電圧制御用PMOSQP30〜37の
各ドレイン及びゲートは電源電圧Vssと電気的に接続さ
れているとともに、ソース側が選択制御用PMOSQP1
0〜12に夫々接続されている。
Selection circuit 10 including PMOS QPs 30 to 37
P is a constant voltage Vreg formed by the constant voltage generation circuit.
Is controlled by controlling the input voltage to the − input terminals of the operational amplifiers OP1 and OP2. The gates and drains of the constant voltage control PMOS QPs 30 to 37 are commonly connected to the negative input terminals of the operational amplifiers OP1 and OP2. That is, the drains and gates of the constant voltage control PMOS QPs 30 to 37 are electrically connected to the power supply voltage Vss, and the source side is the selection control PMOS QP 1
0 to 12 are connected respectively.

【0094】ここで、定電圧制御用PMOSQP30〜3
7は、夫々異なる電流増幅率βにて形成されているもの
であって、PMOSQP30の電流増幅率β30、PMO
SQP31の電流増幅率β31、・・・、PMOSQP37
の電流増幅率β37は、例えば、β37>β36>・・
・>β30の関係となるよう形成される。この電流増幅
率の制御については、設計時に、ゲート幅,ゲート長を
それぞれ変えてレイアウトを行い、それに基づいて素子
を形成することで行える。このレイアウトについては、
特に、レイアウトルールにおいても問題なく形成でき、
半導体製造プロセス上も何ら問題なく定電圧制御用PM
OSを形成できる。
Here, the constant voltage control PMOS QPs 30 to 3
7 are formed with different current amplification factors β, respectively. The current amplification factors β30 and PMMO of the PMOS QP30 are different from each other.
..., PMOS QP37
Is, for example, β37>β36>.
It is formed so as to have a relationship of> β30. The control of the current amplification factor can be performed by changing the gate width and the gate length at the time of design, performing layout, and forming elements based on the layout. For this layout,
In particular, it can be formed without any problems in layout rules,
PM for constant voltage control without any problems in the semiconductor manufacturing process
An OS can be formed.

【0095】そして、定電圧制御用PMOSQP30,QP
31,・・・、QP37の夫々のソースと直列に接続さ
れ、かつ各ゲートにて選択信号SEL0〜7を受ける選
択制御用PMOSQP10〜17が夫々対応して設けられ
る。また、選択制御用PMOSQP10〜17の各ソース
には接地電圧Vddが印加されている。
Then, the constant voltage control PMOSs QP30, QP
,..., QP37 are connected in series with selection control PMOSs QP10 to Q17 which receive selection signals SEL0 to SEL7 at their gates, respectively. The ground voltage Vdd is applied to each source of the selection control PMOSs QP10 to Q17.

【0096】選択信号SEL0〜7は、上述した図1に
示すデコーダ70より出力され、夫々異なる電流増幅率
β30、β32、・・・、β37の定電圧制御用PMO
SQP30〜37の中から1つのPMOSを選択するため
の信号である。選択信号SEL0〜7を形成するには、
上述したアップ−ダウンカウンター60等を用いて行な
うことができる。このアップダウンカウンター60は、
定電圧発生回路10内の定電圧制御用PMOSQP30〜
37のうち、最適な定電圧制御用PMOSを選択する選
択信号SEL0〜7を形成するための回路である。よっ
て、選択信号SEL0がロウレベルでPMOSQP30を
選択状態、SEL1がロウレベルでPMOSQP31を選
択状態、・・・・、SEL7がロウレベルでPMOSQP
37を選択状態にできる。また、選択信号SEL0〜S
EL7が夫々ハイレベルとされることによりPMOSQP
30〜QP37を夫々非選択状態にできる。
The selection signals SEL0 to SEL7 are output from the decoder 70 shown in FIG. 1, and the PMOs for controlling the constant voltages of the different current amplification factors β30, β32,.
This signal is for selecting one PMOS from SQPs 30 to 37. To form the selection signals SEL0-7,
This can be performed using the up-down counter 60 described above. This up / down counter 60
The constant voltage control PMOS QP 30 in the constant voltage generation circuit 10
37 is a circuit for generating selection signals SEL0 to SEL7 for selecting an optimal constant voltage control PMOS. Therefore, when the selection signal SEL0 is at a low level, the PMOS QP30 is selected, when SEL1 is at a low level, the PMOS QP31 is selected,.
37 can be selected. Also, the selection signals SEL0 to SEL
Since each of EL7 is set to the high level, PMOSQP
30 to QP 37 can each be set to a non-selected state.

【0097】定電圧制御用PMOSQP30〜37は、定
電圧Vreg を最適な状態で形成するために、いずれか一
つの定電圧制御用PMOSに電流を流すものである。
The constant voltage control PMOSs QP30 to Q37 are used to supply a current to any one of the constant voltage control PMOSs in order to form the constant voltage Vreg in an optimum state.

【0098】そして、+入力端子への入力電圧が固定さ
れているため、オペアンプOP1、2への−入力端子へ
の入力電圧、すなわち+入力端子と−入力端子における
差電圧を選択することにより、オペアンプOP1、2か
らの出力信号すなわち定電圧Vregm、Vreg の大きさを
制御できる。即ち、選択信号SEL0〜SEL7の入力
により、定電圧制御用PMOSQP30〜37のオンオフ
を夫々制御し、最適な電流増幅率にて形成された定電圧
制御用PMOSを1つ選択する。
Since the input voltage to the + input terminals is fixed, the input voltage to the-input terminals of the operational amplifiers OP1 and OP2, that is, the difference voltage between the + input terminal and the-input terminal is selected. Output signals from the operational amplifiers OP1 and OP2, that is, the magnitudes of the constant voltages Vregm and Vreg can be controlled. That is, the ON / OFF of the constant voltage control PMOS QPs 30 to 37 is controlled by the input of the selection signals SEL0 to SEL7, and one constant voltage control PMOS formed with the optimum current amplification factor is selected.

【0099】定電流源TN1、TN2、TPは、例え
ば、図17に示すようなデプリーションタイプのPMO
S(DPMOS)により形成されている。尚、素子製造
工程において、ゲート幅,ゲート長等のサイズ,不純物
打ち込み濃度等に関して同一となるように、レイアウト
設計,製造装置の制御を行うことによってMOSの製造
条件を同一として、定電流源TN1、TN2、TPを形
成することが好ましい。これにより、定電流源TN,T
Pは同一の温度特性をもつこととなる。
The constant current sources TN1, TN2 and TP are, for example, depletion type PMOs as shown in FIG.
It is formed by S (DPMOS). In the element manufacturing process, the layout design and the control of the manufacturing apparatus are performed so that the MOS manufacturing conditions are the same so that the gate width, the gate length and other sizes, the impurity implantation concentration, and the like are the same, and the constant current source TN1 , TN2 and TP are preferably formed. Thereby, the constant current sources TN, T
P will have the same temperature characteristics.

【0100】次に、定電圧制御用PMOSの選択方法に
ついて説明する。
Next, a method for selecting a constant voltage control PMOS will be described.

【0101】選択信号SEL0がロウレベルとされ、選
択制御用PMOSQP10のゲートにロウレベルの電圧が
印加されるため、選択制御用PMOSQP10はオンす
る。従って、定電圧制御用PMOSQP30のソースがハ
イレベルとされる。このようにして、ゲートおよびドレ
インが電源Vssと電気的に接続された定電圧制御用PM
OSQP30がオンするため、定電圧制御用PMOSQP3
0を選択できる。
Since the selection signal SEL0 is at the low level and a low-level voltage is applied to the gate of the selection control PMOS QP10, the selection control PMOS QP10 is turned on. Therefore, the source of the constant voltage control PMOS QP30 is set to the high level. Thus, the constant voltage control PM whose gate and drain are electrically connected to the power supply Vss
Since the OSQP 30 is turned on, the constant voltage control PMOS QP3
0 can be selected.

【0102】一方、この時、選択信号SEL2,・・
・、SEL7はハイレベルとされるので、選択制御用P
MOSQP11,・・・、QP17のゲートには夫々選択信
号SEL2,・・・SEL7、すなわちハイレベルの信
号が印加され、選択制御用PMOSQP32,・・・QP3
7はオフする。よって、選択制御用PMOSQP31,・
・・QP37は接地電圧源Vdd,電源電圧源Vssの両電源
と電気的に切り離され選択されない。
On the other hand, at this time, the selection signals SEL2,.
, SEL7 is at a high level, so that the selection control P
The selection signals SEL2,... SEL7, that is, high-level signals are applied to the gates of the MOS QP11,.
7 turns off. Therefore, the selection control PMOS QP31,.
The QP 37 is not selected because it is electrically disconnected from both power supplies of the ground voltage source Vdd and the power supply voltage source Vss.

【0103】異なる電流増幅率を有する定電圧制御用P
MOS8個の中から、所望の定電圧制御用PMOSを1
個選択することができる。例えば、電流増幅率の高いβ
37を有する定電圧制御用PMOSQP37を選択した場
合には、次のようにオペアンプOP2の出力電圧の定電
圧Vregが形成される。
P for constant voltage control having different current amplification factors
A desired constant voltage control PMOS is set to 1 out of 8 MOSs.
You can select one. For example, β with a high current amplification factor
When the constant voltage control PMOS QP 37 having the voltage 37 is selected, the constant voltage Vreg of the output voltage of the operational amplifier OP2 is formed as follows.

【0104】即ち、定電圧制御用PMOSQP37に定電
流が流れることによって、信号線100に定電圧制御用
PMOSQP37の閾値電圧の絶対値|Vthp37|に依存
した電圧α|Vthp37|が与えられる。そして、オペア
ンプOP2と出力用NMOSQN2の働きによって信号線
101は、信号線100と同じ電位α|Vthp37|とな
る。
That is, when a constant current flows through the constant voltage control PMOS QP 37, a voltage α | Vthp 37 | dependent on the absolute value | Vthp 37 | of the threshold voltage of the constant voltage control PMOS QP 37 is applied to the signal line 100. The signal line 101 has the same potential α | Vthp37 | as the signal line 100 due to the operation of the operational amplifier OP2 and the output NMOS QN2.

【0105】そして、定電圧制御用NMOSQN1に定電
流が流れることによって、信号線101と信号線102
の間に、定電圧制御用NMOSQN1の閾値電圧Vthn1
に依存したαVthn1の電位差が生じる。よって、信号
線102の電位、すなわち定電圧Vreg 出力と接地電圧
Vddの間には電位|Vthp37|+Vthn1に依存したα
(|Vthp37|+Vthn1)の定電圧Vregが生じる。同
様にして、信号線104にも定電圧Vregmが生じる。
Then, when a constant current flows through the constant voltage control NMOS QN1, a signal line 101 and a signal line 102 are generated.
, The threshold voltage Vthn1 of the constant voltage control NMOS QN1
, A potential difference of αVthn1 is generated. Therefore, between the potential of the signal line 102, that is, between the output of the constant voltage Vreg and the ground voltage Vdd, α depending on the potential | Vthp37 | + Vthn1
A constant voltage Vreg of (| Vthp37 | + Vthn1) is generated. Similarly, a constant voltage Vregm is also generated on the signal line 104.

【0106】定電圧制御用NMOSQN1,定電圧制御用
PMOSQP30〜37は飽和領域の電流にて動作するも
のである。そして、定電圧制御用NMOSQN1,夫々の
閾値電圧については変動がないため、定電圧制御用PM
OSQP30〜37のみに着目してみると、電流増幅率が
大きくなるほど定電圧の絶対値|Vreg|は小さくなり、
電流増幅率が小さくなるほど定電圧の絶対値|Vreg|は
大きくなる。
The constant voltage control NMOS QN1 and the constant voltage control PMOS QP30 to 37 operate with a current in the saturation region. Since there is no change in the threshold voltage of each of the constant voltage control NMOS QN1 and the constant voltage control
Focusing only on OSQPs 30 to 37, the absolute value | Vreg | of the constant voltage decreases as the current amplification factor increases,
The absolute value | Vreg | of the constant voltage increases as the current amplification factor decreases.

【0107】従って、定電圧制御用PMOSQP37を選
択すると、定電圧の絶対値|Vreg|は最低となり、定電
圧制御用PMOSQP30を選択すると、定電圧の絶対値
|Vreg|は最高となる。ここで、例えば、電流増幅率β
30とβ31,・・・・、β36とβ37との差は各
々、1.2〜1.5倍程度に設定することができる。
Therefore, when the constant voltage control PMOS QP 37 is selected, the absolute value of the constant voltage | Vreg | becomes the lowest. When the constant voltage control PMOS QP 30 is selected, the absolute value of the constant voltage
| Vreg | is the highest. Here, for example, the current amplification factor β
The difference between β30 and β31,..., Β36 and β37 can each be set to about 1.2 to 1.5 times.

【0108】そして、定電圧Vregと、発振停止電圧Vs
toとの関係において、|Vreg|>|Vsto|を満たす範囲
で、定電圧の絶対値|Vreg|をできるだけ低下するよう
に選択することで、発振回路及び定電圧発生回路の消費
電力を大幅に小さくできる。
Then, the constant voltage Vreg and the oscillation stop voltage Vs
In relation to to, the absolute value of the constant voltage | Vreg | is selected to be as low as possible within a range satisfying | Vreg |> | Vsto |, so that the power consumption of the oscillation circuit and the constant voltage generating circuit is significantly reduced. Can be smaller.

【0109】このように、選択回路10Pを備えている
ため、最適な定電圧Vregを形成することができるの
で、定電圧Vregの微調整を行うことが可能となり、消
費電力を極力小さくでき、さらには、半導体装置の低電
源電圧に対応できる。
As described above, since the selection circuit 10P is provided, the optimum constant voltage Vreg can be formed, so that the fine adjustment of the constant voltage Vreg can be performed, and the power consumption can be reduced as much as possible. Can correspond to a low power supply voltage of a semiconductor device.

【0110】従って、定電圧発生回路におけるオペアン
プへの一方の端子への入力電圧を調整することにより、
定電圧Vregの微調整を行うことが可能となる。このた
め、0.1V以下の微調整が可能となり、半導体装置を
低電源電圧化においても悪影響を及ぼすことなく、携帯
用電子機器,時計等に適用するのに最適な低消費電力、
低電源電圧の半導体装置を実現することができる。
Therefore, by adjusting the input voltage to one terminal of the operational amplifier in the constant voltage generating circuit,
Fine adjustment of the constant voltage Vreg can be performed. For this reason, fine adjustment of 0.1 V or less is possible, and low power consumption which is optimal for application to portable electronic devices, watches, etc. without adversely affecting the semiconductor device even when the power supply voltage is reduced.
A semiconductor device with a low power supply voltage can be realized.

【0111】また、上記説明では、選択信号SEL0〜
SEL7のうち、一つだけを選択状態とする手法を採用
したが、電流増幅率β30、β32、・・・、β37を
変化させる事によっても定電圧|Vreg| を制御できるの
で、選択信号SEL0〜SEL7のうち、複数を選択状
態とする手法を用いても良い。
In the above description, the selection signals SEL0-SEL0
Although the method of selecting only one of the SELs 7 is adopted, the constant voltage | Vreg | can be controlled by changing the current amplification factors β30, β32,. A method of selecting a plurality of the SELs 7 may be used.

【0112】以上のように本実施の形態においては、異
なる電流増幅率を有する定電圧制御用PMOSを8種類
であるとして説明したが、この数は特に限定されること
なく自由に設定でき、同様に選択信号の数も定電圧制御
用PMOSの数と対応させて設けることができる。ま
た、定電圧制御用PMOSの電流増幅率の設定をβ37
>・・・>β36>β30として記載したが、これに限
定されることなく、電流増幅率の設定を自由に設定でき
る。さらに、動作モニタ回路の停止を水晶発振回路より
も速くするための手法としては、上記に限定されず、動
作モニタ回路内のトランジスタのしきい値を、水晶発振
回路内のトランンジスタのしきい値よりも高く設定する
構成、動作モニタ回路内のトランジスタの電流増幅率
を、水晶発振回路内のトランンジスタの電流増幅率より
も小さく設定する構成、等であっても良い。
As described above, in the present embodiment, the description has been made assuming that there are eight types of constant voltage control PMOSs having different current amplification factors. However, the number can be freely set without any particular limitation. The number of selection signals can also be provided corresponding to the number of constant voltage control PMOSs. Further, the setting of the current amplification factor of the constant voltage control PMOS is set to β37.
>...>β36> β30, but the present invention is not limited to this, and the current amplification factor can be freely set. Further, the method for stopping the operation monitor circuit faster than that of the crystal oscillation circuit is not limited to the above, and the threshold value of the transistor in the operation monitor circuit may be changed to the threshold value of the transistor in the crystal oscillation circuit. A configuration in which the current amplification factor is set higher than the current amplification factor, or a configuration in which the current amplification factor of the transistor in the operation monitor circuit is set smaller than the current amplification factor of the transistor in the crystal oscillation circuit may be used.

【0113】[実施の形態2]図6には、図5に示す定
電圧発生回路10において、選択回路10P−1は、上
段の定電圧制御用PMOSを8段、下段の選択制御用N
MOSを8段の計16個を使用した構成としている。即
ち、上記実施の形態1と異なり、下段の選択制御用MO
SをPMOSに代えてNMOSを使用している。この場
合でも上記同様の作用効果が得られる。
[Embodiment 2] In FIG. 6, in the constant voltage generation circuit 10 shown in FIG. 5, the selection circuit 10P-1 includes eight upper constant voltage control PMOSs and a lower selection control N
The configuration is such that a total of 16 MOSs of 8 stages are used. That is, different from the first embodiment, the lower selection control MO
NMOS is used instead of PMOS for S. In this case, the same operation and effect as described above can be obtained.

【0114】[実施の形態3]図8には、図5に示す定
電圧発生回路10において、選択信号をSEL0〜15
の16段とし、選択回路20Pは、定電圧制御用PMO
Sを16段、選択制御用PMOSを16段の計32個を
使用した構成としている。また、上記デコーダ70の出
力も16段とする必要がある。この場合には、異なる電
流増幅率を有する定電圧制御用PMOSを16種類用い
ているので、定電圧Vreg の微調整をより細かく行うこ
とが可能である。
[Third Embodiment] FIG. 8 shows that constant voltage generation circuit 10 shown in FIG.
And the selection circuit 20P is a PMO for constant voltage control.
The configuration is such that a total of 32 stages of S stages and 16 selection control PMOS stages are used. Also, the output of the decoder 70 needs to be 16 stages. In this case, since 16 types of constant voltage control PMOSs having different current amplification factors are used, fine adjustment of the constant voltage Vreg can be performed more finely.

【0115】また、図9に示すように、選択回路30P
を、定電圧制御用NMOSを16段、選択制御用PMO
Sを16段の計32個を使用した構成としても良い。
Further, as shown in FIG. 9, the selection circuit 30P
And 16 stages of NMOS for constant voltage control and PMO for selection control
S may be configured to use a total of 32 S stages of 16 stages.

【0116】[実施の形態4]図10に、オペアンプO
P2の+入力端子に供給する電圧を制御した定電圧発生
回路が示されている。図10の定電圧発生回路110
は、オペアンプへの+入力端子への入力電圧を制御する
定電圧制御用NMOSを複数、かつ夫々電流増幅率を異
ならせて形成し、複数の定電圧制御用NMOSのうちか
ら最適な定電圧制御用NMOSを選択することができる
ようにしたものである。
[Embodiment 4] FIG. 10 shows an operational amplifier O
A constant voltage generation circuit that controls the voltage supplied to the + input terminal of P2 is shown. The constant voltage generation circuit 110 of FIG.
Is formed with a plurality of constant voltage control NMOSs for controlling an input voltage to a + input terminal to an operational amplifier and having different current amplification factors, and an optimum constant voltage control among a plurality of constant voltage control NMOSs. In this case, an NMOS for use can be selected.

【0117】図10の定電圧発生回路では、オペアンプ
OP2は、+入力端子は選択制御用NMOSQN10〜2
5によりオンオフ制御される定電圧制御用NMOSQN3
0〜45を含む選択回路10Nによって形成される電圧
を受ける。ここで、定電圧制御用NMOSQN10〜25
は、夫々異なる電流増幅率にて形成されているものであ
って、定電圧制御用NMOSQN25の電流増幅率βn2
5,定電圧制御用NMOSQN24の電流増幅率βn 2
4、・・・、定電圧制御用NMOSQN10の電流増幅率
βn10は、例えば、βn25>βn24>・・・>βn1
0の関係となるように形成されている。
In the constant voltage generating circuit shown in FIG. 10, the operational amplifier OP2 has the + input terminal connected to the selection control NMOS QN10-2.
NMOS QN3 for constant voltage control, on / off controlled by 5
It receives the voltage formed by the selection circuit 10N including 0 to 45. Here, the constant voltage control NMOS QNs 10-25
Are formed with different current amplification factors, respectively. The current amplification factor βn2 of the constant voltage control NMOS QN25 is
5, the current amplification factor βn2 of the constant voltage control NMOS QN24
4,..., The current amplification factor βn10 of the constant voltage control NMOS QN10 is, for example, βn25>βn24>.
0 is formed.

【0118】そして、定電圧制御用NMOSQN10、QN
11、・・・、QN25のソースと夫々直列に接続され、
かつ各ゲートにて選択信号SEL0N〜15Nを受ける
選択制御用NMOSQN30〜45が夫々対応して設けら
れている。いずれかの選択信号SEL0Nがハイレベル
で定電圧制御用NMOSQN10を選択状態とすることが
できる。
Then, the constant voltage control NMOSs QN10, QN
11,..., Connected in series with the source of QN25,
In addition, selection control NMOSs QN30 to QN45 which receive selection signals SEL0N to 15N at respective gates are provided correspondingly. When any of the selection signals SEL0N is at a high level, the constant voltage control NMOS QN10 can be set to the selected state.

【0119】このように、オペアンプの+入力側の定電
圧制御用NMOS16個のうちから、所望の定電圧制御
用NMOSを1個選択することができ、定電圧Vreg
と、発振停止電圧の関係において、|Vreg|>|Vsto|の
条件を満たしつつ、最低の|Vreg|を選択することがで
きるので、動作マージンを確保しつつできるだけ低い定
電圧Vregにて発振動作を行うことを可能とする。
As described above, one desired constant voltage control NMOS can be selected from the 16 constant voltage control NMOSs on the + input side of the operational amplifier, and the constant voltage Vreg can be selected.
And the oscillation stop voltage, the minimum | Vreg | can be selected while satisfying the condition of | Vreg |> | Vsto |, so that the oscillation operation is performed with the constant voltage Vreg as low as possible while securing the operation margin. Can be performed.

【0120】尚、異なる電流増幅率を有する定電圧制御
用NMOSが夫々16種類であるとして説明したが、こ
の数は特に限定されることなく自由に設定できる。ま
た、定電圧制御用NMOSの電流増幅率の設定をβn2
5>βn24>・・>βn10として記載したが、これに
限定されることなく、電流増幅率の設定を自由に設定で
きる。
Although the description has been given assuming that there are 16 types of constant voltage control NMOSs having different current amplification factors, the number can be freely set without any particular limitation. Also, the setting of the current amplification factor of the constant voltage control NMOS is set to βn2
Although described as 5> βn24 >>. Beta.n10, the present invention is not limited to this, and the setting of the current amplification factor can be freely set.

【0121】[実施の形態5]図11の定電圧発生回路
は、オペアンプへの−入力端子への入力電圧を制御する
定電圧制御用PMOSおよび+入力端子への入力電圧を
制御する定電圧制御用NMOSを夫々複数、かつ夫々電
流増幅率を異ならせて形成し、前記複数の定電圧制御用
PMOSおよびNMOSから最適な定電圧制御用NMO
SおよびPMOSを夫々選択することができるようにし
たものである。
Fifth Embodiment A constant voltage generating circuit shown in FIG. 11 is a constant voltage control PMOS for controlling an input voltage to a negative input terminal of an operational amplifier and a constant voltage control for controlling an input voltage to a positive input terminal. A plurality of NMOSs, each having a different current amplification factor, and an optimum constant voltage control NMO from the plurality of constant voltage control PMOSs and NMOSs.
In this configuration, S and PMOS can each be selected.

【0122】この定電圧発生回路120は、選択回路1
0N,30Pを具備するものである。
This constant voltage generation circuit 120 is connected to the selection circuit 1
0N, 30P.

【0123】選択回路10Nにおける定電圧制御用NM
OSQN10〜25は、夫々異なる電流増幅率にて形成さ
れ、選択信号SEL0N〜15Nは、定電圧制御用NM
OSQN10〜25の中から1つの定電圧制御用NMOS
を選択する。なお、これらのNMOSQN10〜25の配
列を示したのが図12である。
NM for constant voltage control in selection circuit 10N
The OSQNs 10 to 25 are formed with different current amplification factors, respectively, and the selection signals SEL0N to 15N are used as the constant voltage control NM.
One constant voltage control NMOS from OSQN10-25
Select FIG. 12 shows an arrangement of these NMOS QNs 10 to 25.

【0124】選択回路30Pにおける定電圧制御用PM
OSQP30〜45は、夫々異なる電流増幅率にて形成さ
れ、選択信号SEL0P〜15Pは、定電圧制御用PM
OSQP30〜45の中から1つの定電圧制御用PMOS
を選択する。
Constant voltage control PM in selection circuit 30P
The OSQPs 30 to 45 are formed with different current amplification factors, respectively, and the selection signals SEL0P to 15P are used as the constant voltage control PMs.
One PMOS for constant voltage control from OSQP30 to 45
Select

【0125】選択回路30P,10Nに含まれる定電圧
制御用NMOS,PMOSの中から各々1つずつ選択
し、選択された定電圧制御用NMOS,PMOSに夫々
電流を流し、定電圧Vregの大きさを制御することを可
能とするものである。
One of each of the constant voltage control NMOSs and PMOSs included in the selection circuits 30P and 10N is selected, and a current flows through each of the selected constant voltage control NMOSs and PMOSs. Can be controlled.

【0126】ここで、選択回路10N,30Pにより、
オペアンプOP2に印加する両端子の電圧を制御してい
るため、定電圧制御用NMOSとPMOSの組み合わせ
でオペアンプOPの出力電圧を選択することになる。
Here, the selection circuits 10N and 30P provide
Since the voltage of both terminals applied to the operational amplifier OP2 is controlled, the output voltage of the operational amplifier OP is selected by a combination of the constant voltage control NMOS and the PMOS.

【0127】即ち、オペアンプOP2の+入力側の定電
圧制御用NMOS16個の中から、所望の定電圧制御用
NMOSを1個選択でき、−入力側の定電圧制御用PM
OS16個の中から、所望の定電圧制御用PMOSを1
個選択できる。
That is, one desired constant voltage control NMOS can be selected from the 16 constant voltage control NMOSs on the + input side of the operational amplifier OP2, and the constant voltage control PM on the-input side can be selected.
A desired constant voltage control PMOS is set to 1 out of 16 OSs.
You can select one.

【0128】この時、定電圧Vregの選択幅を広げるこ
とができる。即ち、定電圧制御用NMOS,PMOSの
組み合わせは16×16通り存在するため、発振停止電
圧の絶対値|Vsto|の値によって、最適な前記定電圧制
御用NMOS,PMOSの組み合わせを実現できる。即
ち、2系統備えているため、オペアンプの両入力端子に
供給される電圧を各々制御でき、最適な定電圧Vregを
形成することができる。従って、定電圧Vregの微調整
を行うことが可能となり、消費電力を極力小さくでき、
半導体装置の低電源電圧に対応できる。
At this time, the selection range of the constant voltage Vreg can be widened. That is, since there are 16 × 16 combinations of the constant voltage control NMOS and PMOS, the optimum combination of the constant voltage control NMOS and PMOS can be realized by the value of the absolute value | Vsto | of the oscillation stop voltage. That is, since two systems are provided, the voltages supplied to both input terminals of the operational amplifier can be controlled respectively, and an optimum constant voltage Vreg can be formed. Therefore, fine adjustment of the constant voltage Vreg can be performed, and power consumption can be minimized.
Compatible with low power supply voltage of semiconductor devices.

【0129】定電圧制御用PMOSは16種類、NMO
Sは16種類存在するため、パターンは16×16通り
となり、このうち最適なものを選択できる。よって、こ
の定電圧発生回路は、実施の形態1,2の定電圧発生回
路よりも素子数は増加するが、定電圧Vregの選択幅は
広がるため、定電圧Vregの微調整をより精密に行うこ
とが可能になり、近年の電源の低電圧化に対応できる定
電圧Vregを選択できる。
There are 16 types of constant voltage control PMOS, NMO
Since there are 16 types of S, there are 16 × 16 patterns, and an optimal one can be selected from these. Therefore, although the number of elements of this constant voltage generation circuit is larger than that of the constant voltage generation circuits of the first and second embodiments, the selection range of the constant voltage Vreg is widened, so that the fine adjustment of the constant voltage Vreg is performed more precisely. It is possible to select a constant voltage Vreg that can cope with a recent reduction in power supply voltage.

【0130】以上、異なる電流増幅率を有する定電圧制
御用PMOS,NMOSが夫々16種類であるとして説
明したが、この数は特に限定されることなく自由に設定
できる。また、定電圧制御用NMOSの電流増幅率の設
定を自由に設定できる。
In the above, the description has been given assuming that there are 16 types of constant voltage control PMOSs and NMOSs each having a different current amplification factor, but this number can be freely set without any particular limitation. Further, the current amplification factor of the constant voltage control NMOS can be freely set.

【0131】[実施の形態6]図13には、モニタ手段
131に電圧Vreg を入力するタイプの定電圧制御回路
131が図示されている。この場合には、定電圧制御回
路131は、モニタ手段131と、モニタ手段131の
モニタ検出結果に基づいて、定電圧発生回路134のV
reg 値を制御する制御手段132と、電圧Vreg のみを
出力する定電圧発生回路134とを有する。そして、定
電圧発生回路134には動作回路135が接続され、電
圧Vreg は、この動作回路135に供給されると共に、
モニタ手段131内に形成された動作モニタ回路133
へも供給されるよう構成される。
[Embodiment 6] FIG. 13 shows a constant voltage control circuit 131 of a type in which a voltage Vreg is inputted to a monitor means 131. In this case, the constant voltage control circuit 131 uses the monitoring means 131 and the V of the constant voltage generation circuit 134 based on the monitoring detection result of the monitoring means 131.
It has a control means 132 for controlling the reg value and a constant voltage generating circuit 134 for outputting only the voltage Vreg. An operation circuit 135 is connected to the constant voltage generation circuit 134, and the voltage Vreg is supplied to the operation circuit 135.
Operation monitor circuit 133 formed in monitor means 131
Is also provided.

【0132】そして、本例において重要なことは、動作
モニタ回路133内に形成された図示しない第2のトラ
ンジスタの閾値の絶対値|Vth1 |を、動作回路135
内に形成された図示しない第1のトランジスタの閾値の
絶対値|Vth2 |よりも若干高く設定する。こうする
と、閾値の高い第2のトランジスタほど低い電圧で止ま
りやすいので、動作モニタ回路133は第1の動作停止
電圧で停止し、動作回路135は第1の動作停止電圧よ
り低い第2の動作停止電圧で停止することとなる。
What is important in this example is that the absolute value | V th1 | of the threshold value of the second transistor (not shown) formed in the operation monitor circuit 133 is calculated by the operation circuit 135.
It is set slightly higher than the absolute value | V th2 | of the threshold value of the first transistor (not shown) formed therein. In this case, the higher the threshold value of the second transistor, the easier it is to stop at a lower voltage, so that the operation monitor circuit 133 stops at the first operation stop voltage and the operation circuit 135 stops the second operation stop lower than the first operation stop voltage. It will stop at the voltage.

【0133】これにより、上述した実施の形態1〜4に
示すように、定電圧発生回路134にて低電圧Vregmを
生成せずに済む。即ち、直接電圧Vreg をモニタし、同
じ電圧を動作回路135と動作モニタ回路133とに各
々供給したとしても、動作回路135が第2の動作停止
電圧にて停止する前に、動作モニタ回路133が第1の
動作停止電圧にて停止するため、動作モニタ回路133
の方が先に停止することができる。
As a result, as shown in the first to fourth embodiments, the low voltage Vregm need not be generated by the constant voltage generation circuit 134. That is, even if the voltage Vreg is directly monitored and the same voltage is supplied to each of the operation circuit 135 and the operation monitor circuit 133, the operation monitor circuit 133 stops before the operation circuit 135 stops at the second operation stop voltage. To stop at the first operation stop voltage, the operation monitor circuit 133
Can stop earlier.

【0134】尚、第1及び第2のトランジスタは、NM
OS、PMOSのいずれであっても良い。
Note that the first and second transistors are NM
Any of OS and PMOS may be used.

【0135】また、動作モニタ回路及び動作回路に各々
電圧Vreg を供給しつつも、動作モニタ回路の方を動作
回路よりも先に停止させる手法として、上記のようにト
ランジスタの閾値を変更する手法の他、以下の手法が挙
げられる。
As a method of stopping the operation monitor circuit earlier than the operation circuit while supplying the voltage Vreg to each of the operation monitor circuit and the operation circuit, a method of changing the threshold value of the transistor as described above is used. Other methods include the following.

【0136】先ず、動作モニタ回路内の第2のトランジ
スタの電流増幅率を、動作回路内の第1のトランジスタ
の電流増幅率よりも小さく設定する手法が挙げられる。
この場合にも、電流増幅率の小さい第2のトランジスタ
は早く止まるので、同じ電圧Vreg を入れたとしても、
動作モニタ回路の第2のトランジスタの電流増幅率が低
いので、動作モニタ回路の方がはやく停止することとな
る。尚、電流増幅率は、(チャネル幅W/チャネル長
L)=電流増幅率で表されることから、各トランジスタ
のチャネル幅W、又はチャネル長Lを所望に設定してや
れば良い。
First, there is a method of setting the current amplification factor of the second transistor in the operation monitor circuit smaller than the current amplification factor of the first transistor in the operation circuit.
Also in this case, since the second transistor having a small current amplification factor stops quickly, even if the same voltage Vreg is applied,
Since the current amplification factor of the second transistor of the operation monitor circuit is low, the operation monitor circuit stops earlier. Since the current gain is represented by (channel width W / channel length L) = current gain, the channel width W or the channel length L of each transistor may be set as desired.

【0137】さらに、動作モニタ回路に、動作回路に形
成される論理素子よりも入力段数の多い論理素子を形成
する構成であっても良い。この入力段数の多い論理素子
の中でもとりわりフリップフロップが好ましい。この場
合にも、動作モニタ回路の方が動作回路よりも先に停止
することとなる。
Further, a configuration may be adopted in which a logic element having more input stages than the logic element formed in the operation circuit is formed in the operation monitor circuit. Among these logic elements having a large number of input stages, flip-flops are preferred. Also in this case, the operation monitor circuit stops before the operation circuit.

【0138】このように、動作モニタ回路には、動作回
路よりもある電源で先に停止するような回路、同じ電源
を入れても先に止まるような機能をもった回路、等を設
ければ、どのような構成であっても良い。
As described above, if the operation monitor circuit is provided with a circuit that stops earlier with a certain power supply than the operation circuit, a circuit that has a function of stopping earlier even when the same power supply is turned on, or the like, Any configuration may be used.

【0139】以上のように、本例によれば、Vregmの生
成回路が不要となり、また動作モニタ回路を、動作回路
と同じ電源供給条件であっても、先に停止させることが
できる。
As described above, according to the present embodiment, the generation circuit of Vregm becomes unnecessary, and the operation monitor circuit can be stopped first even under the same power supply conditions as the operation circuit.

【0140】[実施の形態7]次に、上述の定電圧制御
回路を用いた携帯用電子機器の実施の形態について図1
4及び図15を用いて説明する。
[Embodiment 7] Next, an embodiment of a portable electronic device using the above-described constant voltage control circuit will be described with reference to FIG.
4 and FIG.

【0141】図14に腕時計に用いられる電子回路の一
例が示されている。この腕時計は、図示しない発電機構
を内蔵している。使用者が腕時計を装着し腕を動かす
と、発電機構の回転錘が回転し、そのときの運動エネル
ギーにより発電ロータが高速回転され、発電ステータス
側に設けられた発電コイル300から交流電圧が出力さ
れる。この交流電圧が、ダイオード302で整流され、
二次電池301を充電する。この二次電池301は、昇
圧回路303および補助コンデンサ304と共に主電源
を構成する。
FIG. 14 shows an example of an electronic circuit used in a wristwatch. This wristwatch incorporates a power generation mechanism (not shown). When the user wears the wristwatch and moves his arm, the rotating weight of the power generating mechanism rotates, the kinetic energy at that time rotates the power generating rotor at high speed, and an AC voltage is output from the power generating coil 300 provided on the power generation status side. You. This AC voltage is rectified by the diode 302,
The secondary battery 301 is charged. The secondary battery 301 forms a main power supply together with the booster circuit 303 and the auxiliary capacitor 304.

【0142】本例では、二次電池の電圧が低くて時計の
駆動電圧に満たないときには、昇圧回路303により二
次電池の電圧を時計駆動可能な高電圧に変換し、補助コ
ンデンサ304に蓄電する。そして、この補助コンデン
サ304の電圧を電源として時計回路が動作する。
In this embodiment, when the voltage of the secondary battery is low and less than the driving voltage of the timepiece, the voltage of the secondary battery is converted by the boosting circuit 303 into a high voltage that can be driven by the clock, and stored in the auxiliary capacitor 304. . Then, the clock circuit operates using the voltage of the auxiliary capacitor 304 as a power supply.

【0143】この時計回路は、実施の形態1〜5のいず
れかの定電圧発生回路およびそれと接続された水晶発振
回路を含む半導体装置として構成されており、この半導
体装置に端子を介して接続された水晶振動子X’tal
を用いて予め設定された発振周波数、ここで32768
Hzの周波数の発振出力を生成し、この発振出力を分周
することにより、一秒ごとに極性の異なる駆動パルスを
出力するように構成されている。この駆動パルスは、時
計回路に接続されたステップモータの駆動コイル306
へ入力される。これにより、図示しないステップモータ
は、駆動パルスが通電されるごとにロータを回転駆動
し、図示しない時計の秒針、分針、時針を駆動し、時刻
を表示板にアナログ表示することになる。
This timepiece circuit is configured as a semiconductor device including the constant voltage generation circuit according to any of the first to fifth embodiments and a crystal oscillation circuit connected to the constant voltage generation circuit, and is connected to the semiconductor device via a terminal. Crystal oscillator X'tal
Oscillating frequency preset by using
An oscillation output having a frequency of Hz is generated, and the oscillation output is frequency-divided to output drive pulses having different polarities every second. This drive pulse is applied to the drive coil 306 of the step motor connected to the clock circuit.
Is input to Thus, the step motor (not shown) rotates the rotor every time a drive pulse is supplied, drives the second hand, minute hand, and hour hand of a timepiece (not shown), and displays the time on the display panel in an analog manner.

【0144】ここで、本例の時計回路330は、主電源
から供給される電圧により駆動される電源電圧回路部2
20と、この電源電圧からこの値よりも低い所定の一定
電圧Vregを生成する実施の形態1〜4のいずれかに記
載した定電圧発生回路210と、この定電圧Vregによ
り駆動される定電圧動作回路部240とを含む。
Here, the clock circuit 330 of this embodiment is a power supply voltage circuit 2 driven by a voltage supplied from a main power supply.
20, a constant voltage generating circuit 210 according to any one of the first to fourth embodiments for generating a predetermined constant voltage Vreg lower than this value from this power supply voltage, and a constant voltage operation driven by this constant voltage Vreg. And a circuit section 240.

【0145】図15には、時計回路330のより詳細な
機能ブロック図が示されている。定電圧動作回路部23
0は、外部接続された水晶振動子X’talを一部に含
んで構成された水晶発振回路200と、波形整形ゲート
201と、高周波分周回路202とを含んで構成され
る。
FIG. 15 is a more detailed functional block diagram of the clock circuit 330. As shown in FIG. Constant voltage operation circuit 23
Reference numeral 0 denotes a crystal oscillation circuit 200 partially including an externally connected crystal oscillator X′tal, a waveform shaping gate 201, and a high-frequency frequency dividing circuit 202.

【0146】電源電圧回路部220は、レベルシフタ2
03と、中低周波分周回路204と、その他の回路20
5とを含む。なお、本例の時計回路では、電源電圧回路
部220と、定電圧発生回路210とは、主電源から供
給される電圧により駆動される電源電圧動作回路部24
0を構成している。
The power supply voltage circuit section 220 includes the level shifter 2
03, the medium / low frequency dividing circuit 204, and other circuits 20
5 is included. In the clock circuit of the present example, the power supply voltage circuit 220 and the constant voltage generation circuit 210 are connected to the power supply voltage operation circuit 24 driven by the voltage supplied from the main power supply.
0.

【0147】水晶発振回路200は、水晶振動子X’t
alを用いて基準周波数fs=32768Hzの正弦波
出力を波形整形ゲート201に出力する。波形整形ゲー
ト201は、この正弦波出力を矩形波に整形した後、高
周波分周回路202へ出力する。高周波分周回路202
は、基準周波数32768Hzを2048Hzまで分周
し、その分周出力をレベルシフタ203を介して中低周
波数分周回路204へ出力する。中低周波数分周回路2
04は、2048Hzまで分周された信号を、さらに1
Hzまで分周し、その他の回路205へ入力する。その
他の回路205は、1Hzの分周信号に同期してコイル
を通電駆動するドライバ回路を含んで構成され、この1
Hzの分周信号に同期して時計用駆動用ステップモータ
を駆動する。
The crystal oscillation circuit 200 includes a crystal oscillator X't
A sine wave output having a reference frequency fs = 32768 Hz is output to the waveform shaping gate 201 using al. The waveform shaping gate 201 shapes the sine wave output into a rectangular wave, and then outputs the sine wave output to the high frequency dividing circuit 202. High frequency dividing circuit 202
Divides the reference frequency 32768 Hz to 2048 Hz, and outputs the divided output to the middle / low frequency dividing circuit 204 via the level shifter 203. Medium / low frequency divider 2
04 is the signal divided to 2048 Hz,
Hz, and input to other circuits 205. The other circuit 205 includes a driver circuit that energizes and drives the coil in synchronization with the frequency-divided signal of 1 Hz.
The clock driving step motor is driven in synchronization with the frequency division signal of Hz.

【0148】本例の時計回路において、主電源から供給
される電源電圧Vssにより回路全体が駆動される電源電
圧動作回路部240以外に、これにより低い定電圧Vre
gで駆動される定電圧動作回路部230を設けたのは以
下の理由による。
In the timepiece circuit of the present embodiment, in addition to the power supply voltage operation circuit section 240 in which the entire circuit is driven by the power supply voltage Vss supplied from the main power supply, the constant voltage Vre
The reason why the constant voltage operation circuit unit 230 driven by g is provided is as follows.

【0149】すなわち、このような時計回路では、長期
間安定した動作を確保するために、その消費電力を低減
することが必要となる。通常、回路の消費電力は、信号
の周波数、回路の容量に比例し、さらに供給電源電圧の
二乗に比例して増大する。ここで、時計回路に着目して
みると、回路全体の消費電力を低減するためには、回路
各部に供給する電源電圧を低い値、たとえばVregに設
定すれば良い。この定電圧発生回路210は、水晶発振
回路200の発振動作を補償する範囲で最小の定電圧V
regを形成することができる。
That is, in such a timepiece circuit, it is necessary to reduce the power consumption in order to secure a stable operation for a long time. Normally, the power consumption of a circuit increases in proportion to the frequency of the signal and the capacity of the circuit, and further increases in proportion to the square of the power supply voltage. Here, focusing on the clock circuit, in order to reduce the power consumption of the entire circuit, the power supply voltage supplied to each part of the circuit may be set to a low value, for example, Vreg. The constant voltage generation circuit 210 has a minimum constant voltage V within a range that compensates for the oscillation operation of the crystal oscillation circuit 200.
reg can be formed.

【0150】次に、信号周波数に着目してみると、時計
回路は、信号周波数が高い水晶発振回路200、波形整
形ゲート201、高周波分周回路202と、それ以外の
回路205とに大別することができる。この信号の周波
数は、前述したように回路の消費電力と比例関係があ
る。
Next, focusing on the signal frequency, the clock circuit is roughly divided into a crystal oscillation circuit 200 having a high signal frequency, a waveform shaping gate 201, a high frequency frequency dividing circuit 202, and a circuit 205 other than the above. be able to. As described above, the frequency of this signal is proportional to the power consumption of the circuit.

【0151】そこで、本例の定電圧発生回路210は、
主電源から供給される電源電圧Vssから、それより低い
定電圧Vregを生成し、これを高周波信号を扱う回路部
230、すなわち水晶発振回路200、波形整形ゲート
201、高周波分周回路202へ供給している。このよ
うに、前記高周波信号を扱う回路230に対して供給す
る駆動電圧を低くすることにより、定電圧発生回路21
0の負担をさほど増加させることなく、時計回路全体の
消費電力を効果的に低減することができる。尚、本実施
の形態において、高周波分周回路202と中低周波分周
回路204との間にレベルシフタ203を設けたのは、
以下の理由による。
Therefore, the constant voltage generation circuit 210 of the present embodiment
From the power supply voltage Vss supplied from the main power supply, a lower constant voltage Vreg is generated and supplied to the circuit section 230 that handles high-frequency signals, that is, the crystal oscillation circuit 200, the waveform shaping gate 201, and the high-frequency frequency dividing circuit 202. ing. As described above, by lowering the drive voltage supplied to the circuit 230 that handles the high-frequency signal, the constant voltage generation circuit 21
The power consumption of the entire clock circuit can be effectively reduced without significantly increasing the burden of zero. In this embodiment, the reason why the level shifter 203 is provided between the high frequency divider 202 and the middle / low frequency divider 204 is as follows.
For the following reasons.

【0152】高周波分周回路202の出力波高値は、定
電圧Vregレベルであり、主電源の電圧Vssの波高値よ
り小さい。このため、電源電圧Vssで駆動されている中
低周波分周回路204に、高周波分周回路202の定電
圧Vregレベルの出力をそのまま入力しても、この入力
値が中低周波分周回路202の初段のロジックレベルの
電圧を超えないため、中低周波分周回路204が正常に
動作しない。よって、前記中低周波分周回路204が正
常に動作するように、前記レベルシフタ203を使い、
前記高周波分周回路202の出力波高値を定電圧レベル
から電源電圧レベルまで引き上げている。
The output peak value of the high frequency frequency dividing circuit 202 is at the level of the constant voltage Vreg, and is smaller than the peak value of the voltage Vss of the main power supply. Therefore, even if the constant voltage Vreg level output of the high frequency divider 202 is directly input to the middle / low frequency divider 204 driven by the power supply voltage Vss, this input value is applied to the middle / low frequency divider 202 Does not exceed the logic level voltage of the first stage, the middle / low frequency dividing circuit 204 does not operate normally. Therefore, the level shifter 203 is used so that the middle / low frequency dividing circuit 204 operates normally.
The output peak value of the high frequency divider 202 is raised from the constant voltage level to the power supply voltage level.

【0153】以上述べたように、本例の時計回路及びこ
れを含む電子回路は、実施の形態1〜5の定電圧発生回
路を含んでいるために、製造ばらつきによらず、発振用
インバータの動作がマージンを確保しつつ、最小の定電
圧を前記水晶発振回路に供給することができるため、電
子回路、時計回路の低消費電力化が図れる。したがっ
て、前述したような、時計または携帯用の電子機器にお
いて、発振動作を安定して行なうことができるだけでな
く、使用電池の長寿命化を図ることができ、時計又は携
帯用の電子機器の使い勝手を向上することができる。
As described above, since the clock circuit of the present example and the electronic circuit including the same include the constant voltage generating circuits of the first to fifth embodiments, regardless of manufacturing variations, the clock circuit of the oscillation inverter can be used. Since a minimum constant voltage can be supplied to the crystal oscillation circuit while the operation is secured with a margin, the power consumption of the electronic circuit and the clock circuit can be reduced. Therefore, in the watch or the portable electronic device as described above, not only can the oscillation operation be performed stably, but also the life of the battery can be extended, and the usability of the watch or the portable electronic device can be improved. Can be improved.

【0154】さらに、上記定電圧発生回路を適用するこ
とにより、定電圧発生回路におけるオペアンプへの端子
への入力電圧を調整することにより、前記定電圧Vreg
の微調整を行うことが可能となり、0.1V以下の微調
整が容易に可能となり、最適な低消費電力,低電源電圧
の携帯用電子機器,時計等を実現することができる。
Further, by applying the above constant voltage generating circuit, by adjusting the input voltage to the terminal to the operational amplifier in the constant voltage generating circuit, the constant voltage Vreg is adjusted.
Fine adjustment of 0.1 V or less can be easily performed, and a portable electronic device, a clock, and the like with optimal low power consumption and low power supply voltage can be realized.

【0155】尚、実施の形態6のVreg のみを発生する
定電圧制御回路を含む電子機器を構成する場合にも、図
14、図15に各々示すVregmに相当する箇所をVreg
と置き換え、定電圧発生回路も図18に示すオペアンプ
OPが1つのタイプの回路を使用すれば足りる。
When an electronic apparatus including a constant voltage control circuit for generating only Vreg according to the sixth embodiment is configured, a portion corresponding to Vregm shown in FIGS.
It is sufficient that the operational amplifier OP shown in FIG. 18 uses only one type of circuit.

【0156】尚、本発明に係る装置と方法は、そのいく
つかの特定の実施の形態に従って説明してきたが、当業
者は本発明の主旨及び範囲から逸脱することなく本発明
の本文に記述した実施の形態に対して種々の変形が可能
である。例えば、動作回路と、定電圧制御回路とが一体
的に形成されたIC、半導体素子であっても良い。ま
た、動作回路専用のICと、定電圧制御回路専用のIC
とのを同一基板上に形成した装置であっても良い。
Although the apparatus and method according to the present invention have been described in accordance with certain specific embodiments thereof, those skilled in the art will recognize that they are described herein without departing from the spirit and scope of the invention. Various modifications can be made to the embodiment. For example, an IC or a semiconductor element in which an operation circuit and a constant voltage control circuit are integrally formed may be used. Also, an IC dedicated to the operation circuit and an IC dedicated to the constant voltage control circuit
May be formed on the same substrate.

【0157】さらに、動作回路としては、発振回路に限
らず、他の高周波部分を含む回路等でも良く、要は、あ
る電圧以下に電圧が低くなるとその動作が停止する特性
を有する回路であれば良い。また、動作回路として発振
回路を用いて説明した都合上、発振回路の動作保証と定
電圧Vreg の温度変動の特性の関係上、動作回路として
は、定電圧を動作回路の動作停止電圧よりも高くすると
いう条件を満たす範囲内で、変動する定電圧を制御する
もの、即ち、定電圧が徐々に降下して動作停止電圧に至
るのを防止する手法を採用したが、これに限定されるも
のではない。すなわち、動作回路として、ある電位以下
になると動作停止するのではなく、ある電位以上になる
と動作停止をするもの、定電圧が徐々に上昇して動作停
止電圧に至るのを防止するような構成、特性をもった回
路等であっても良い。この場合には、定電圧制御回路
は、その定電圧発生手段に電圧Vreg よりも若干高い電
圧Vregnを形成することで、動作モニタ回路を動作回路
よりも先に停止できる。
Further, the operating circuit is not limited to the oscillation circuit, but may be a circuit including another high-frequency portion. In other words, any circuit having a characteristic that the operation stops when the voltage drops below a certain voltage is used. good. In addition, for the sake of convenience of the explanation using the oscillation circuit as the operation circuit, the constant voltage of the operation circuit is higher than the operation stop voltage of the operation circuit due to the relationship between the operation guarantee of the oscillation circuit and the characteristics of the temperature fluctuation of the constant voltage Vreg. A method of controlling a constant voltage that fluctuates within a range that satisfies the condition that the condition is satisfied, that is, a method of preventing a constant voltage from gradually decreasing to reach an operation stop voltage is adopted, but is not limited to this. Absent. That is, an operation circuit that does not stop operation when the potential becomes equal to or lower than a certain potential, but stops when the potential becomes equal to or higher than a certain potential, a configuration that prevents a constant voltage from gradually rising to reach an operation stop voltage, A circuit having characteristics may be used. In this case, the constant voltage control circuit can stop the operation monitor circuit earlier than the operation circuit by forming a voltage Vregn slightly higher than the voltage Vreg in the constant voltage generation means.

【0158】また、定電圧発生回路は、水晶発振回路の
発振用インバータに供給する一方の電源を形成する回路
であるという観点から、定電圧発生回路へ電流を供給す
る定電流源と、水晶発振回路へ電流を供給する定電流源
とにおいて温度特性を一致させることにより、定電圧V
regと発振停止電圧Vstoの温度特性を一致させる手法を
用いても良い。
In addition, from the viewpoint that the constant voltage generation circuit is a circuit that forms one power supply that supplies the oscillation inverter of the crystal oscillation circuit, a constant current source that supplies current to the constant voltage generation circuit, By matching the temperature characteristics with the constant current source that supplies current to the circuit, the constant voltage V
A method of matching the temperature characteristics of reg and the oscillation stop voltage Vsto may be used.

【0159】さらに、定電圧発生回路における定電圧制
御用NMOSQN1,PMOSQP1をともに飽和領域にお
ける電流範囲にて動作させることで、定電圧Vreg と発
振停止電圧Vsto との温度特性を一致させる構成として
も良い。
Further, the constant voltage control NMOS QN1 and the PMOS QP1 in the constant voltage generating circuit may be operated in the current range in the saturation region so that the temperature characteristics of the constant voltage Vreg and the oscillation stop voltage Vsto match. .

【0160】さらにまた、定電流源TN,TPとして図
16(a),(b)のような負の温度特性をもつ定電流
源を用いることができる。
Furthermore, as the constant current sources TN and TP, constant current sources having negative temperature characteristics as shown in FIGS. 16A and 16B can be used.

【0161】図16(a)の定電流源は、負荷抵抗R,
NMOSQN60〜62により構成される。すなわち、定
電流源は、NMOSQN60と、NMOSQN60のソース
とドレインが接続されたNMOSQN61と、NMOSQN
60のドレインおよびゲートとそのゲートが接続された
NMOSQN62とを含む。そして、NMOSQN60,N
MOSQN61は夫々ゲートとドレインが接続されてお
り、NMOSQN62のドレインは負荷抵抗Rと接続され
ている。
The constant current source shown in FIG.
It is composed of NMOS QNs 60-62. That is, the constant current sources include the NMOS QN60, the NMOS QN61 having the source and drain connected to the NMOS QN60, the NMOS QN60.
60 includes a drain and gate 60 and an NMOS QN 62 to which the gate is connected. And NMOS QN60, N
The MOS QN 61 has a gate and a drain connected to each other, and the drain of the NMOS QN 62 is connected to a load resistor R.

【0162】ここで、NMOSQN60,NMOSQN6
1,NMOSQN62は、夫々同一の製造条件および同一
のレイアウトルールにて形成されたものである。すなわ
ち、前記NMOSQN60〜62の電流増幅率は夫々、例
えばβであり、ゲート幅,ゲート長は夫々同一であっ
て、閾値電圧は夫々、例えばVthnとなる。よって、N
MOSQN62のゲート−ソース間電圧VGSN62は、前
記NMOSQN60とNMOSQN61の直列接続分の電圧
となるため、閾値電圧Vthnの2倍の2Vthnとなる。
Here, NMOS QN60 and NMOS QN6
The NMOS QN 62 is formed under the same manufacturing conditions and the same layout rule. That is, the current amplification factors of the NMOS QNs 60 to 62 are, for example, β, the gate width and the gate length are the same, and the threshold voltage is, for example, Vthn. Therefore, N
The gate-source voltage VGSN 62 of the MOS QN 62 is a voltage corresponding to the series connection of the NMOS QN 60 and the NMOS QN 61, and is 2 Vthn, which is twice the threshold voltage Vthn.

【0163】このような定電流源を使用することによ
り、定電圧制御用NMOSQN1,PMOSQP1を飽和領
域において動作させることができるので、定電圧Vreg
と発振停止電圧Vstoとの温度特性を同一とすることが
できるだけでなく、定電圧発生回路の製造工程において
も、デプリーションPMOS(DPMOS)をわざわざ
形成する必要がなくなるために、不純物打ち込み工程を
削減することが可能となり、製造プロセス上も有利とな
る。
By using such a constant current source, the constant voltage control NMOSs QN1 and PMOS QP1 can be operated in the saturation region.
And the oscillation stop voltage Vsto can be made the same in temperature characteristics. In addition, in the manufacturing process of the constant voltage generating circuit, it is not necessary to separately form a depletion PMOS (DPMOS). This is advantageous in the manufacturing process.

【0164】[0164]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る定電圧制御回路の実施の形態の一
例を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an example of an embodiment of a constant voltage control circuit according to the present invention.

【図2】図1の定電圧制御回路の動作停止モニタ回路の
詳細を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing details of an operation stop monitor circuit of the constant voltage control circuit of FIG. 1;

【図3】同図(A)は、図2の動作モニタ回路の分周部
における出力波形を示したタイミングチャートであり、
同図(B)は、図2のクロック検出回路の入力と出力と
の関係を示したタイミングチャートである。
FIG. 3A is a timing chart showing an output waveform in a frequency divider of the operation monitor circuit of FIG. 2;
FIG. 2B is a timing chart showing the relationship between the input and output of the clock detection circuit of FIG.

【図4】図2の動作停止モニタ回路のクロック検出回路
の詳細を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing details of a clock detection circuit of the operation stop monitor circuit of FIG. 2;

【図5】図1の定電圧制御回路の定電圧発生回路の詳細
を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing details of a constant voltage generation circuit of the constant voltage control circuit of FIG. 1;

【図6】図5の回路図のさらに詳細を示す回路図であ
る。
FIG. 6 is a circuit diagram showing further details of the circuit diagram of FIG. 5;

【図7】図1の定電圧制御回路の周波数制御部の出力φ
n1、φn2の経時変化を示すタイミングチャートである。
7 is an output φ of a frequency control unit of the constant voltage control circuit of FIG.
6 is a timing chart showing changes over time of n1 and φn2 .

【図8】本発明に係る定電圧制御回路の他の実施の形態
の一例を示す回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing an example of another embodiment of the constant voltage control circuit according to the present invention.

【図9】本発明に係る定電圧制御回路の他の実施の形態
の一例を示す回路図である。
FIG. 9 is a circuit diagram showing an example of another embodiment of the constant voltage control circuit according to the present invention.

【図10】本発明に係る定電圧制御回路の他の実施の形
態の一例を示す回路図である。
FIG. 10 is a circuit diagram showing an example of another embodiment of the constant voltage control circuit according to the present invention.

【図11】本発明に係る定電圧制御回路の他の実施の形
態の一例を示す回路図である。
FIG. 11 is a circuit diagram showing an example of another embodiment of the constant voltage control circuit according to the present invention.

【図12】本発明に係る定電圧制御回路の他の実施の形
態の一例を示す回路図である。
FIG. 12 is a circuit diagram showing an example of another embodiment of the constant voltage control circuit according to the present invention.

【図13】本発明に係る定電圧制御回路の他の実施の形
態の一例を示すブロック図である。
FIG. 13 is a block diagram showing an example of another embodiment of the constant voltage control circuit according to the present invention.

【図14】本発明に係る定電圧制御回路を含む時計回路
を示すブロック図である。
FIG. 14 is a block diagram showing a clock circuit including a constant voltage control circuit according to the present invention.

【図15】本発明に係る定電圧制御回路を含む電子機器
を示すブロック図である。
FIG. 15 is a block diagram showing an electronic device including the constant voltage control circuit according to the present invention.

【図16】本発明に係る定電圧制御回路の定電圧発生回
路内の定電流源の一例を示す概略図であり、(a)は定
電流源TN、(b)は定電流源TPを各々示す。
FIG. 16 is a schematic diagram showing an example of a constant current source in a constant voltage generating circuit of the constant voltage control circuit according to the present invention, where (a) shows a constant current source TN, and (b) shows a constant current source TP. Show.

【図17】本発明に係る定電圧制御回路の定電圧発生回
路内の定電流源TNの一例を示す概略図である。
FIG. 17 is a schematic diagram showing an example of a constant current source TN in the constant voltage generation circuit of the constant voltage control circuit according to the present invention.

【図18】従来の定電圧発生回路の概略を示す回路図で
ある。
FIG. 18 is a circuit diagram schematically showing a conventional constant voltage generation circuit.

【図19】従来の定電圧発生回路のVregと発振停止
電圧Vstoの温度特性において、|Vreg |の方が温
度に対して負の傾きが絶対値で大きい場合の、|Vsto
|に関する温度と電圧との関係について示すグラフであ
る。
FIG. 19 is a graph showing temperature characteristics of Vreg and oscillation stop voltage Vsto of a conventional constant voltage generation circuit, where | Vreg |
It is a graph which shows about the relationship between temperature and voltage regarding |.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 定電圧制御回路 10 定電圧発生回路 20 モニタ手段 22 制御手段 30 動作モニタ回路 36 レベルシフタ 40 クロック検出回路 50 微分回路 60 アップダウンカウンター 90 水晶発振回路 330 時計回路 REFERENCE SIGNS LIST 1 constant voltage control circuit 10 constant voltage generation circuit 20 monitoring means 22 control means 30 operation monitoring circuit 36 level shifter 40 clock detection circuit 50 differentiation circuit 60 up / down counter 90 crystal oscillation circuit 330 clock circuit

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 定電圧で動作する動作回路に接続され、
前記動作回路の動作停止電圧に至らないように、変動す
る前記定電圧を制御する定電圧制御回路であって、 前記動作回路に供給される少なくとも一つの第1の電圧
と、前記第1の電圧と共に変動し前記第1の電圧の絶対
値より低い第2の電圧と、を各々生成出力する定電圧発
生手段と、 前記第2の電圧の変動をモニタするモニタ手段と、 前記第2の電圧が前記モニタ手段の動作停止電圧に至っ
たことを、前記モニタ手段が検出すると、前記第1の電
圧が前記動作回路の動作停止電圧に至らないように、前
記定電圧発生手段の第1の電圧を変更制御する制御手段
と、 を有することを特徴とする定電圧制御回路。
1. An operation circuit that operates at a constant voltage,
A constant voltage control circuit that controls the constant voltage that fluctuates so as not to reach an operation stop voltage of the operation circuit, wherein at least one first voltage supplied to the operation circuit and the first voltage Constant voltage generating means for generating and outputting a second voltage that varies together with the absolute value of the first voltage, monitoring means for monitoring a change in the second voltage, When the monitor means detects that the operation stop voltage of the monitor means has been reached, the first voltage of the constant voltage generation means is controlled so that the first voltage does not reach the operation stop voltage of the operation circuit. A constant voltage control circuit, comprising: control means for performing change control.
【請求項2】 定電圧で動作する動作回路に接続され、
変動する前記定電圧を制御する定電圧制御回路であっ
て、 前記動作回路に供給される第1の電圧を生成出力する定
電圧発生手段と、 前記第1の電圧をモニタするモニタ手段と、 前記モニタ手段の検出結果に基づいて、前記定電圧発生
手段の第1の電圧を変更制御する制御手段と、 を有し、 前記モニタ手段は、前記動作回路が停止する前に動作停
止する構成としたことを特徴とする定電圧制御回路。
2. An operation circuit operating at a constant voltage,
A constant voltage control circuit that controls the constant voltage that fluctuates, a constant voltage generation unit that generates and outputs a first voltage supplied to the operation circuit; a monitoring unit that monitors the first voltage; And control means for changing and controlling the first voltage of the constant voltage generation means based on a detection result of the monitor means, wherein the monitor means stops operating before the operation circuit stops. A constant voltage control circuit characterized by the above.
【請求項3】 請求項2において、 前記動作回路は、第1のトランジスタを有し、 前記モニタ手段は、前記第1のトランジスタの閾値の絶
対値よりも高い値の閾値の絶対値を有する第2のトラン
ジスタを有することを特徴とする定電圧制御回路。
3. The operation circuit according to claim 2, wherein the operation circuit has a first transistor, and the monitor has a threshold having an absolute value higher than the absolute value of the threshold of the first transistor. A constant voltage control circuit comprising two transistors.
【請求項4】 請求項2において、 前記動作回路は、第1のトランジスタを有し、 前記モニタ手段は、前記第1のトランジスタの電流増幅
率よりも小さい電流増幅率を有する第2のトランジスタ
を有することを特徴とする定電圧制御回路。
4. The operation circuit according to claim 2, wherein the operation circuit includes a first transistor, and the monitoring unit includes a second transistor having a current amplification factor smaller than a current amplification factor of the first transistor. A constant voltage control circuit comprising:
【請求項5】 請求項2において、 前記モニタ手段は、前記動作回路に形成される論理素子
よりも入力段数の多い論理素子を有することを特徴とす
る定電圧制御回路。
5. The constant voltage control circuit according to claim 2, wherein said monitor means includes a logic element having a larger number of input stages than a logic element formed in said operation circuit.
【請求項6】 請求項1において、 前記モニタ手段は、基準信号と、モニタしている前記第
2の電圧に基づいて、動作停止時に動作停止信号を出力
するモニタ回路を有することを特徴とする定電圧制御回
路。
6. The apparatus according to claim 1, wherein the monitor means includes a monitor circuit that outputs an operation stop signal when the operation is stopped based on a reference signal and the second voltage being monitored. Constant voltage control circuit.
【請求項7】 請求項2〜請求項5のいずれかにおい
て、 前記モニタ手段は、基準信号と、モニタしている前記第
1の電圧に基づいて、動作停止時に動作停止信号を出力
するモニタ回路を有することを特徴とする定電圧制御回
路。
7. The monitor circuit according to claim 2, wherein said monitor means outputs an operation stop signal at the time of operation stop based on a reference signal and said first voltage being monitored. A constant voltage control circuit comprising:
【請求項8】 請求項6において、 前記制御手段は、 前記モニタ回路より出力される前記動作停止信号に基づ
いて、少なくとも一発の第1のパルスを出力するための
第1のパルス生成手段と、 所定の周期の第2のパルスを生成する第2のパルス生成
手段と、 一発の前記第1のパルスに基づいて、前記第1の電圧を
上昇させる信号を前記定電圧発生手段に出力し、一定周
期の前記第2のパルスに基づいて、前記第1の電圧を順
次下降させる信号を前記定電圧発生手段に出力するため
のパルス制御手段と、 を有し、 前記第1の電圧を、一定周期で順次下降させると共に前
記モニタ回路の動作停止により上昇させるように制御す
ることを特徴とする定電圧制御回路。
8. The apparatus according to claim 6, wherein the control unit includes: a first pulse generation unit configured to output at least one first pulse based on the operation stop signal output from the monitor circuit; A second pulse generating means for generating a second pulse having a predetermined cycle; and a signal for increasing the first voltage based on one of the first pulses is output to the constant voltage generating means. And a pulse control means for outputting a signal for sequentially lowering the first voltage to the constant voltage generation means based on the second pulse having a constant period, comprising: A constant voltage control circuit which controls so as to sequentially decrease at a constant cycle and increase by stopping operation of the monitor circuit.
【請求項9】 請求項1、6、8のいずれかにおいて、 前記動作回路と前記モニタ手段とは、製造プロセスが同
一に形成された回路であること特徴とする定電圧制御回
路。
9. The constant voltage control circuit according to claim 1, wherein the operation circuit and the monitor are circuits formed in the same manufacturing process.
【請求項10】 請求項1〜請求項9のいずれかにおい
て、 前記制御手段は、電源投入時は、第1の周期にて前記第
1の電圧を可変し、通常動作時は、前記第1の周期より
長い第2の周期にて前記第1の電圧を可変するように、
前記第1、第2の周期を切換制御するモニタ周期制御部
を有することを特徴とする定電圧制御回路。
10. The control device according to claim 1, wherein the control unit changes the first voltage at a first cycle when the power is turned on, and the first voltage during a normal operation. To vary the first voltage in a second cycle longer than the cycle of
A constant voltage control circuit, comprising: a monitor cycle control unit that controls switching between the first and second cycles.
【請求項11】 定電圧で動作する動作回路に接続さ
れ、前記動作回路に電圧を供給する定電圧発生手段と、 前記動作回路よりも先に動作停止する動作停止電圧に至
るモニタ手段と、 前記モニタ手段の動作停止に基づいて、前記動作回路が
前記動作停止電圧に至らないように制御する制御手段
と、 を有することを特徴とする定電圧制御回路。
11. A constant voltage generating means connected to an operation circuit operating at a constant voltage and supplying a voltage to the operation circuit; a monitoring means for reaching an operation stop voltage to stop operation before the operation circuit; Control means for controlling the operation circuit so as not to reach the operation stop voltage based on the stop of the operation of the monitor means.
【請求項12】 動作回路と、前記動作回路への供給電
圧を形成する請求項1〜請求項11のいずれかの定電圧
制御回路と、を同一基板上に形成したことを特徴とする
半導体装置。
12. A semiconductor device wherein an operation circuit and a constant voltage control circuit according to claim 1 for forming a supply voltage to said operation circuit are formed on the same substrate. .
【請求項13】 請求項1〜請求項11のいずれかに記
載の定電圧制御回路を含む携帯用電子機器。
13. A portable electronic device including the constant voltage control circuit according to claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN105607461A (en) * 2014-11-13 2016-05-25 精工电子有限公司 Electronic timepiece and control method of electronic timepiece

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