JPH11279767A - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置Info
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- JPH11279767A JPH11279767A JP8638598A JP8638598A JPH11279767A JP H11279767 A JPH11279767 A JP H11279767A JP 8638598 A JP8638598 A JP 8638598A JP 8638598 A JP8638598 A JP 8638598A JP H11279767 A JPH11279767 A JP H11279767A
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Abstract
均一な処理液の流れと均一な気泡の流れを形成すること
のできる表面処理装置を提供する。 【解決手段】処理槽4内に収容した処理液5中に、被処
理物8を浸漬し、被処理物8表面の洗浄やめっき等の表
面処理を行うための表面処理装置において、処理槽4内
の被処理物8の設置領域よりも下部に処理液導入口1を
設け、導入口1から処理液5を処理槽4内に連続的に導
入するとともに、処理液導入口1と被処理物8設置領域
との間に、処理液導入口1側から被処理物8設置領域側
に貫通するように形成された複数の貫通孔14と、被処
理物8設置領域側表面に形成された複数の気泡発生孔1
5を備えた整流板3を設ける。
Description
容した表面処理液中に被処理物を浸漬し、その被処理物
表面の洗浄やめっき等の表面処理に用いる表面処理装置
に関するものである。
部分の断面図を図6に示す。図6において、31は処理
液導入口、32は気泡発生用ガスの導入口、33は表面
処理槽、34は処理液、35はオーバーフロー部、36
は表面処理槽33の開口部及びそこに形成される処理液
34の液表面、37は被処理物、38は被処理物37を
処理液34に浸漬するための治具、39は気泡である。
処理液導入口31を通じて処理液34が、表面処理槽3
3内に連続的に供給され、表面処理槽33の開口部36
に達する。さらに、処理液導入口31から供給される処
理液34の増加により開口部36から溢れ出た処理液3
4は、開口部36の周囲に設けられたオーバーフロー部
35に流れ落ち、オーバーフロー部35に設けられた処
理液回収手段(図示せず)を通じて回収、ポンプ、フィ
ルター、温度調整装置(いずれも図示せず)等を経て、
再び処理液導入口31を通じて表面処理槽33内に供給
される。
入されたガスは、導入口32にあけられた穴列を通じて
表面処理槽33に供給され、気泡39となって表面処理
槽33の開口部36に達し、空気中へ放出されるか、ガ
ス回収手段(図示せず)により回収、処理される。
7が支持固定された状態で表面処理槽33内に収納され
る。この時、被処理物37は、処理液導入口31と気泡
発生用ガスの導入口32の上側に設置され必要時間浸漬
することにより表面処理が行われる。また、治具38は
気泡39やめっき反応等で生じた微小な気泡の被処理物
37への付着を防ぐために振動発生手段(図示せず)に
より揺動されることもある。
処理装置では、処理液34の処理液導入口31からの吹
き出し方向に沿って流れが集中してしまうという問題が
ある。例えば図6のような吹き出しの場合、被処理物3
7を浸漬している領域の中央部と両端部に開口部36へ
向かう上昇流が集中する。開口部36に到達した処理液
34の多くはそのままオーバーフロー部35に流れ落ち
るが、一部は開口部36付近から折り返して開口部36
へ向かう流れの間を通って処理槽33の底部へ向かう緩
やかな下降流を形成する。
態では、被処理物37の浸漬されている領域において淀
みや渦状流が発生するなど、著しく乱れた流れが形成さ
れてしまう。さらに、気泡発生用ガスの導入口32より
吹き出す気泡39による処理液34の撹拌効果等により
このような傾向はさらに助長される。
液34の流速は著しく不均一となり、被処理物37表面
近傍の処理液34の流速がめっき厚みや洗浄程度等に影
響を与えるため、被処理物37に施されるめっきの厚み
や洗浄の程度等に大きなバラツキが発生してしまうとい
う問題があった。
場合、気泡39の供給が処理液34の自己分解反応抑制
のために表面処理槽33中の酸素等の溶存量を保持する
目的で行われている場合には、前記の下降流や渦状流の
存在により、被処理物37の近傍には気泡39による酸
素などの供給後長時間経過した処理液34が滞留する可
能性が高くなるため、被処理物37の近傍の処理液34
中で自己分解反応抑制に必要な酸素などの溶存量が欠乏
し、自己分解反応が起こり、被処理物37表面に付着す
るなどしてめっき厚みのバラツキやめっき品質の著しい
悪化を引き起こしてしまう場合があった。
処理を実現するためには、表面処理装置内で均一な処理
液の流れと均一な気泡の流れを同時に与えることが求め
られる。
4182号においては、多孔板からなる整流板を設ける
ことが提案されているが、この方法では、整流板の穴の
空け方などを調整することで、処理液の流れを均一にす
ることは可能であるが、気泡の流れを同時に均一化する
ことができないものであった。
処理物の下部からの均一な気泡の発生手段を提案してい
るが、処理液の流れについては何ら検討されておらず、
その結果、処理液の淀み等により均一な気泡を発生して
も処理槽内全体において気泡の分布が不均一となる場合
がある。
れたものであり、その目的は表面処理装置内に浸漬され
た被処理物近傍で、均一な処理液の流れと均一な気泡の
流れが同時に存在し、互いの均一性を損なわない状態を
作り出すことのできる表面処理装置を提供することにあ
る。
は、処理槽内に収容した処理液中に、被処理物を浸漬
し、該被処理物表面の洗浄やめっき等の表面処理を行う
ためのものであって、前記処理槽内の前記被処理物の設
置領域よりも下部に処理液導入口を設け、該導入口から
処理液を連続的に処理槽内に導入するとともに、前記処
理液導入口と前記被処理物設置領域との間に、前記処理
液導入口側から前記被処理物設置領域側に貫通するよう
に形成された複数の貫通孔と、前記被処理物設置領域側
表面に形成された複数の気泡発生孔を備えた整流板を設
けたことを特徴とするものである。
槽底部付近の処理液導入口と、表面処理槽内に収容した
処理液中に浸漬された被処理物との間に、板の裏表を貫
通する多数の貫通孔と、気泡発生孔を多数設けた整流板
を設けることにより、整流板上部の被処理物近傍で、整
流板の貫通穴による処理液の均一な上昇流と、整流板の
内部を通じて供給されたガスを整流板上側の気泡発生孔
を通じて処理液中に導入される気泡流の均一な流れを互
いに干渉し合うことなく同時に発生させることができ、
その結果、被処理物表面の条件を均一かつ良好とする事
で、均一かつ品質に優れためっきや洗浄などの表面処理
を実現できる。
ついて図を参照して説明する。図1は、本発明の表面処
理装置Aの処理液の流れ状態を説明するための断面図、
図2は、本発明の表面処理装置Aの気泡の流れ状態を説
明するための断面図である。
口、2は気泡発生用ガス導入管、3は整流手段と気泡発
生手段を兼備した整流板、4は表面処理槽、5は処理
液、6はオーバーフロー部、7は表面処理槽4の開口部
及びそこに形成される処理液5の液表面、8は被処理
物、9は被処理物8を処理液5に浸漬するための治具、
10は処理液5が開口部7へ向かう流れ、11は処理液
5中に生じる渦状流れ、12は気泡、13は気泡が処理
液中を開口部7へ向かう流れである。
槽4には、処理液5を連続的に導入し、処理液の流れを
発生させるための処理液導入口1が処理槽4の底部に設
けられている。この処理液導入口1は、表面処理槽4の
底部において、表面処理槽4内への流れを均一化するた
めに2箇所以上に設けられていることが望ましい。
固定された状態で、表面処理槽4の処理液導入口1の上
方の領域に設置されている。また、治具9は気泡やめっ
き反応で生じた微小な気泡の被処理物8への付着を防ぐ
ために振動発生手段(図示せず)により揺動されること
もある。
処理液導入口1が設けられた底部との間には、図3、図
4に示すような、処理液が通過する貫通孔14と、気泡
発生孔15を具備する整流板3が設けられており、表面
処理槽4の内部は、整流板3によって、処理液導入口1
設置領域と、被処理物設置領域の2つの領域に完全に分
断されている。
表面処理槽4に導入された処理液5は、整流板3にあけ
られた貫通孔14を通過した後、被処理物8の間を流れ
て表面処理槽4の開口部7に達する。さらに、処理液導
入口1から供給される処理液5の増加により開口部7か
ら溢れ出た処理液5は、開口部7の周囲に設けられたオ
ーバーフロー部6に流れ落ち、オーバーフロー部6に設
けられた処理液回収手段(図示せず)を通じて回収、ポ
ンプ、フィルター、温度調整装置(いずれも図示せず)
等を経て、再び処理液導入口1から表面処理槽4に供給
される。
されたガスは、整流板3内部を経て整流板3の被処理物
設置領域側の表面に形成された気泡発生穴15を通じて
表面処理槽4に供給され、気泡12となって被処理物8
の間を流れたのち、表面処理槽4の開口部7に達し、空
気中へ放出されるか、ガス回収手段(図示せず)により
回収、処理される。
7の方向から見た平面図である図3に、また、図3のX
−X断面構造を示す斜視図である図4によれば、整流板
3には、処理液導入口1側から被処理物設置領域側に貫
通するように、複数の貫通孔14が設けられている。ま
た、整流板3内部には、気泡発生用ガスを導入するため
の空洞部16が設けられており、その空洞部16には、
整流板3の空洞部16に気泡発生用ガスを導入するため
のガス導入管2が取り付けられている。そして、空洞部
16の被処理物設置領域側表面に気泡発生孔15が形成
されている。
処理槽4に導入される処理液5の流れを少なくとも被処
理物8の近傍で開口部7へ向かう均一な流れとなるよう
整える作用をなす。図1によると、整流板3に設けられ
た貫通孔14を処理液5が通過することにより処理液5
の均一な流れ10が形成される。整流板3によって均一
な流れが形成されるのは、整流板3の処理液導入口1側
の不均一な流れが貫通孔14による流動抵抗によって整
流化されるのである。
14の口径、孔の個数及び整流板3の厚さ(すなわち貫
通孔14の長さ)に依存し、貫通孔14の口径が小さい
ほど、貫通孔14の個数が少ないほど、また整流板3が
厚いほど、流動抵抗は高くなる。流動抵抗が高いほど貫
通孔14から吹き出す流れは均一となるが、反面、貫通
孔14から吹き出す処理液5の流速が過大となって被処
理物8に悪影響を及ぼしたり、処理液5を表面処理槽4
に送り込むためのポンプ(図示せず)に過大な負荷がか
かる等の問題が発生する。
抗は適当な範囲内にあることが望ましく、その範囲は整
流板3の面積や処理液導入口1の数や位置、処理液5の
流量等にもよるが、流量が1cm2 当たり、0.01〜
0.05リットル/分である場合、貫通孔14の口径は
1mm〜10mmで200〜800個の範囲にあること
が望ましい。
を避けて、表面処理槽4と被処理物8の設置領域の間の
被処理物8が設置されていない領域(以下、隙間領域)
へ流れていく傾向がある。そこで、貫通孔14を整流板
3のどの位置に形成するか配慮されるべきである。
領域は、表面処理槽4の上面から平面的にみた場合、被
処理物8の設置領域の最外縁から表面処理槽4の壁面ま
での距離に対して、貫通孔14の形成される領域の最外
縁から表面処理槽4の壁面までの距離が1/2〜2倍で
あることが望ましい。
成する領域が最も狭い場合を(a)で示す。図5(a)
においては、被処理物8の設置領域Aの最外縁A1 (図
面では点線で示した)から表面処理槽4の壁面4aまで
の距離xに対して、貫通孔14の形成される領域B(斜
線部)の最外縁B1 から表面処理槽4の壁面までの距離
yが2倍である場合である。
が最も広い場合をで示すもので、被処理物8の設置領域
Aの最外縁(図面では点線で示した)から表面処理槽4
の壁面4aまでの距離xに対して、貫通孔14の形成さ
れる領域B(斜線部)の最外縁B1 から表面処理槽4の
壁面までの距離yがx/2となっている。
より狭いときには、被処理物8の設置領域から隙間領域
へ漏れる処理液5が、被処理物8の設置領域の両端部で
渦を形成し、均一な流れの形成を妨げてしまう。
(b)より広いときには、隙間領域に処理液8の流れが
集中し、隙間領域から被処理物8の設置領域へ流れ込む
処理液5が、被処理物8の設置領域の両端部で渦を形成
し、均一な流れの形成を妨げる。
生用ガスの導入管2から導入されたガスを、少なくとも
被処理物8の近傍で開口部7へ向かう均一な気泡の流れ
13として表面処理槽4に供給する作用をなす。整流板
3の上側の気泡発生孔15は、吹き出されるガスの量が
整流板3の上面で均一になるような大きさ、数である必
要がある。
3の面積や上側面の厚さ、気泡発生用ガスの流量等にも
よるが、例えばガス流量が1cm2 当たり0.01〜
0.05リットル/分とする場合、整流板3上側の気泡
発生孔15の口径は0.5mm〜3mmで200〜80
0個の範囲にあることが望ましい。
さいか個数が少ないと整流板3にガスを送り込むコンプ
レッサなどの装置に過大な負荷がかかり、気泡発生孔1
5の口径が大きいか個数が多いとガスの導入口2近くに
集中して気泡が発生したり、1個の気泡の大きさが大き
すぎるなどの問題が発生する。
5の均一な流れ10と整流板3上側の気泡発生孔15に
より生成される気泡の流れ13が互いに干渉しないよ
う、流れの発生領域をほぼ同程度にすることが望まし
い。かかる点において、気泡発生孔15の設置領域を図
5で説明したように、貫通孔14の設置領域と同様な領
域に形成することが望ましい。
構造に限定されず、ガス導入管2から導入されたガスを
整流板3の内部を通って整流板3全体に搬送でき、ガス
を整流板3の上側から均一に吹き出すことができるもの
であれば、材質、構造を特に限定するものではなく、例
えば整流板3の上面に撥水性の多孔性膜を形成してもよ
い。
示したように、均一な処理液5の流れ10と、均一な気
泡の流れ13は、互いの流れの障害とならず、発生した
流れ同志も互いの均一性を損なうことがないため、被処
理物8の近傍に均一かつ良好な表面処理条件を与えるこ
とができる。
実験を行った。実験では、図1に示す様な表面処理装置
において、被処理物8としてプリント基板を浸漬し、そ
れらの配線部分の無電解銅めっきを実施した。
寸法が幅300mm、奥行き280mm、厚さ20mm
で、上側板の厚さが5mmの中空構造のものとし、貫通
孔14の口径は5mmで孔の総数は500個、整流板3
上側の気泡発生孔15の口径は1mmで孔の総数は50
0個とした。また、処理液5の流量は毎分25リット
ル、気泡発生用ガスの流量は毎分10リットルとした。
で、同様のめっき処理を行い、めっき不良発生率の比較
を行った。その結果、図5の従来の装置では不良発生率
が10%であったのに対し、本発明の装置では0.2%
となり、極めて良好かつ均一なめっき処理条件が提供で
きることが判った。
装置は、処理液導入口と被処理物設置領域との間に、処
理液導入口側から被処理物設置領域側に貫通するように
形成された複数の貫通孔と、前記被処理物設置領域側表
面に形成された複数の気泡発生孔を備えた整流板を設け
ることにより、処理液の流れと、気泡の流れとが相互の
機能の妨げとなることなく、均一な流れとして被処理物
近傍に供給される結果、被処理物の表面処理の均質化を
図ることができる。
状態を説明するための断面図である。
態を説明するための断面図である。
る。
視図である。
明するためのもので、(a)は形成領域が最も狭い場
合、(b)は最も広い場合である。
流板,4:表面処理槽,5:処理液、6:オーバーフロ
ー部、7:開口部又は液表面、8:被処理物、9:治
具、12:気泡、14:貫通孔、15:気泡発生孔、1
6:空洞部
Claims (1)
- 【請求項1】処理槽内に収容した処理液中に、被処理物
を浸漬し、該被処理物表面の洗浄やめっき等の表面処理
を行うための表面処理装置において、 前記処理槽内の前記被処理物の設置領域よりも下部に処
理液導入口を設け、該導入口から処理液を連続的に処理
槽内に導入するとともに、前記処理液導入口と前記被処
理物設置領域との間に、前記処理液導入口側から前記被
処理物設置領域側に貫通するように形成された複数の貫
通孔と、前記被処理物設置領域側表面に形成された複数
の気泡発生孔を備えた整流板を設けたことを特徴とする
表面処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08638598A JP3450179B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08638598A JP3450179B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 表面処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11279767A true JPH11279767A (ja) | 1999-10-12 |
JP3450179B2 JP3450179B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=13885419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08638598A Expired - Fee Related JP3450179B2 (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3450179B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007046156A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-02-22 | Applied Materials Inc | 半導体基板に金属を無電界堆積する装置 |
JP2014234539A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置 |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP08638598A patent/JP3450179B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007046156A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-02-22 | Applied Materials Inc | 半導体基板に金属を無電界堆積する装置 |
JP2014234539A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3450179B2 (ja) | 2003-09-22 |
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