JPH1127589A - タップ付きccdアレイ構造 - Google Patents
タップ付きccdアレイ構造Info
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- JPH1127589A JPH1127589A JP10074260A JP7426098A JPH1127589A JP H1127589 A JPH1127589 A JP H1127589A JP 10074260 A JP10074260 A JP 10074260A JP 7426098 A JP7426098 A JP 7426098A JP H1127589 A JPH1127589 A JP H1127589A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/711—Time delay and integration [TDI] registers; TDI shift registers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 均一なピクセル・ピッチを維持しながらセン
サにおける初期ピクセル・ドループを除去する。 【解決手段】 イメージ化セクション102と読出しセ
クション104とを含む電荷結合デバイスにおいて、イ
メージ化セクションは列方向を画定し複数のイメージ化
サブセクションを含み、読出しセクションは出力ノード
構造116と複数の読出しサブセクション106とを含
む。読出しサブセクションは、複数の中間レジスタ11
0と水平レジスタ・セグメント112とを含み、レイア
ウト領域が読出しサブセクション間に画定される。出力
ノード構造は、水平レジスタ・セグメントと結合され、
レイアウト領域内に配置される。
サにおける初期ピクセル・ドループを除去する。 【解決手段】 イメージ化セクション102と読出しセ
クション104とを含む電荷結合デバイスにおいて、イ
メージ化セクションは列方向を画定し複数のイメージ化
サブセクションを含み、読出しセクションは出力ノード
構造116と複数の読出しサブセクション106とを含
む。読出しサブセクションは、複数の中間レジスタ11
0と水平レジスタ・セグメント112とを含み、レイア
ウト領域が読出しサブセクション間に画定される。出力
ノード構造は、水平レジスタ・セグメントと結合され、
レイアウト領域内に配置される。
Description
【0001】本願は、1997年3月21日出願の米国
特許出願第60/042,327号および1997年6
月11日出願の同第60/049,978号に基づく優
先権を主張するものである。
特許出願第60/042,327号および1997年6
月11日出願の同第60/049,978号に基づく優
先権を主張するものである。
【0002】
【発明の属する技術分野】本発明は、電荷結合デバイス
・イメージ・センサに関し、特に最適化された出力ノー
ド構造と多重タップを有する水平CCD読出しレジスタ
における必要な分離ピクセルを規定する構造に関する。
・イメージ・センサに関し、特に最適化された出力ノー
ド構造と多重タップを有する水平CCD読出しレジスタ
における必要な分離ピクセルを規定する構造に関する。
【0003】
【従来の技術】電荷結合デバイス(以下、CCDとい
う)は、ビデオ・イメージ化(imaging)や記録
への用途において広く用いられている。例えば、CCD
ビデオ・センサの構造は、ビデオ放送規格のためNTS
C(National Television Sta
ndards Committee)により規定される
形態に基づいている。このようなCCDビデオ・センサ
の設計は垂直方向に少なくとも488本のTVライン、
TVライン当たり500ないし800ピクセルを必要と
し、4:3の横縦比の光学フォーマットを有し、30H
zのフレーム・レートでフィールド・インターレース・
ビデオを生成する。ビデオ・フォーマット・イメージ化
要件の目標を達成するCCD構造(アーキテクチャ)
は、一般に、2つのカテゴリ、即ち、インタライン転送
(ILT)あるいはフレーム転送(FT)方式のイメー
ジ・センサに含まれる。
う)は、ビデオ・イメージ化(imaging)や記録
への用途において広く用いられている。例えば、CCD
ビデオ・センサの構造は、ビデオ放送規格のためNTS
C(National Television Sta
ndards Committee)により規定される
形態に基づいている。このようなCCDビデオ・センサ
の設計は垂直方向に少なくとも488本のTVライン、
TVライン当たり500ないし800ピクセルを必要と
し、4:3の横縦比の光学フォーマットを有し、30H
zのフレーム・レートでフィールド・インターレース・
ビデオを生成する。ビデオ・フォーマット・イメージ化
要件の目標を達成するCCD構造(アーキテクチャ)
は、一般に、2つのカテゴリ、即ち、インタライン転送
(ILT)あるいはフレーム転送(FT)方式のイメー
ジ・センサに含まれる。
【0004】CCDセンサの別の用途としては、工業的
検査装置あるいは視覚装置がある。このような用途のC
CDビデオ・センサの構造は、最大ピクセル解像度、あ
るいは最大イメージ・フレーム・レート、あるいはその
両方に最適化される。移動する物体(例えば、連続的な
コンベア・ベルト上、あるいは布ロールの如き巻かれた
物品)の検査に用いられる検査カメラは、線形CCDセ
ンサがイメージ化される物体の移動方向と垂直方向に配
向される線走査CCDセンサをしばしば用いる。進歩し
た線形CCDセンサは、時間遅延および積分技術をしば
しば用いており、TDI CCDセンサと呼ばれる。
検査装置あるいは視覚装置がある。このような用途のC
CDビデオ・センサの構造は、最大ピクセル解像度、あ
るいは最大イメージ・フレーム・レート、あるいはその
両方に最適化される。移動する物体(例えば、連続的な
コンベア・ベルト上、あるいは布ロールの如き巻かれた
物品)の検査に用いられる検査カメラは、線形CCDセ
ンサがイメージ化される物体の移動方向と垂直方向に配
向される線走査CCDセンサをしばしば用いる。進歩し
た線形CCDセンサは、時間遅延および積分技術をしば
しば用いており、TDI CCDセンサと呼ばれる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】図7に示すように、公
知のフレーム転送センサ10は、記憶(蓄積)セクショ
ン4に結合されたイメージ化(撮像)セクション2を含
んでいる。フレーム転送センサは、イメージ化セクショ
ン2における感光性(光電性)のフォト・サイト(ph
oto−site)・アレイからのイメージ・フィール
ド・データが迅速に転送され、フォト・チャージ(ph
oto−charge)が光学的に不透過な(opaq
ue)アナログ蓄積アレイ(即ち、蓄積セクション4)
に結合され、次に水平CCD読出しシフト・レジスタ6
(HCCDシフト・レジスタ)、出力ノード構造7、及
びバッファ8とを介して、カメラ回路に、ビデオ・デー
タの並列−直列転送されることによって成り立ってい
る。光学的に不透過な蓄積アレイは、この蓄積アレイが
感光性でないようにアルミニウム・フィルムの如き光学
的に不透過な材料により被覆される蓄積アレイである。
CCDセンサのイメージ化セクションへの光入力が連続
的であるので(転送中にストローブあるいは変調されな
い)、第1のビデオ・フィールドの積分からイメージ・
データの迅速な垂直転送が重要である。
知のフレーム転送センサ10は、記憶(蓄積)セクショ
ン4に結合されたイメージ化(撮像)セクション2を含
んでいる。フレーム転送センサは、イメージ化セクショ
ン2における感光性(光電性)のフォト・サイト(ph
oto−site)・アレイからのイメージ・フィール
ド・データが迅速に転送され、フォト・チャージ(ph
oto−charge)が光学的に不透過な(opaq
ue)アナログ蓄積アレイ(即ち、蓄積セクション4)
に結合され、次に水平CCD読出しシフト・レジスタ6
(HCCDシフト・レジスタ)、出力ノード構造7、及
びバッファ8とを介して、カメラ回路に、ビデオ・デー
タの並列−直列転送されることによって成り立ってい
る。光学的に不透過な蓄積アレイは、この蓄積アレイが
感光性でないようにアルミニウム・フィルムの如き光学
的に不透過な材料により被覆される蓄積アレイである。
CCDセンサのイメージ化セクションへの光入力が連続
的であるので(転送中にストローブあるいは変調されな
い)、第1のビデオ・フィールドの積分からイメージ・
データの迅速な垂直転送が重要である。
【0006】図8において、公知のインタライン転送C
CDイメージ・センサ20(即ち、ILT CCDセン
サ)は、各列が(例えば、転送レジスタを光入力に感応
しないようにするためアルミニウムで被覆される)光学
的に不透過なインタライン転送レジスタ14に隣接して
配置される複数のフォト・サイト・アレイにおけるイメ
ージ化セクション12を含んでいる。ILT CCDセ
ンサは、一般に、フレーム転送センサのように光学的に
不透過な蓄積セクションを有していない。ILT CC
Dセンサにおいては、光入力がフォト・サイト12にお
いて積分(集積)され、次いでインタライン転送レジス
タ14へ転送される。次に、次のデータ・フィールドの
積分中に、インタライン転送レジスタ14におけるイメ
ージ・フィールド・データは、水平CCDシフト・レジ
スタ16(HCCDシフト・レジスタ)を介し、出力ノ
ード構造17およびバッファ18を介してカメラ回路へ
並列ー直列転送される。
CDイメージ・センサ20(即ち、ILT CCDセン
サ)は、各列が(例えば、転送レジスタを光入力に感応
しないようにするためアルミニウムで被覆される)光学
的に不透過なインタライン転送レジスタ14に隣接して
配置される複数のフォト・サイト・アレイにおけるイメ
ージ化セクション12を含んでいる。ILT CCDセ
ンサは、一般に、フレーム転送センサのように光学的に
不透過な蓄積セクションを有していない。ILT CC
Dセンサにおいては、光入力がフォト・サイト12にお
いて積分(集積)され、次いでインタライン転送レジス
タ14へ転送される。次に、次のデータ・フィールドの
積分中に、インタライン転送レジスタ14におけるイメ
ージ・フィールド・データは、水平CCDシフト・レジ
スタ16(HCCDシフト・レジスタ)を介し、出力ノ
ード構造17およびバッファ18を介してカメラ回路へ
並列ー直列転送される。
【0007】図9において、公知の時間遅延・積分(T
DI:time delay and integra
te)線形アレイ・センサ30が、フレーム転送センサ
におけるようにイメージ化セクション22を含むが、こ
のイメージ化セクションは、一般に水平CCD読出しシ
フト・レジスタ26に直接結合され、このレジスタから
出力ノード構造27を介し、バッファ28を介してカメ
ラ回路に結合される。イメージ化セクション22は、各
々が複数のフォト・サイトを含む複数の列を含む。動作
するときは、カメラ・レンズがイメージをTDI CC
Dセンサ上に集束させる。イメージ、即ちTDI CC
Dセンサに対する光入力は(例えば、コンベア・ベルト
上で)移動している.このため、センサ上に集束された
共通源イメージは、移動しているように見える。イメー
ジの一部は、最初はTDI CCDセンサの1つのピク
セル上に現れ、次いでこのセンサの別のピクセル上に現
れる。カメラとセンサとは、移動するイメージの一部が
フォト・サイト列の最上部からこの列の最下部への方向
に移動するように配列される。TDI CCDセンサ
は、イメージの当該部分が前記列を下方へ移動する速度
に等しい速度でフォト・サイト列を下方へ電荷を転送す
るようにクロックされる。第1のフォト・サイトに生じ
た電荷は、第1のフォト・サイトに電荷を生じたイメー
ジ部分が次のフォト・サイトへ移動すると同時に次のフ
ォト・サイトへ転送される。このように、イメージ部分
が前記列の下方へ移動するに伴ってフォト・チャージは
イメージ部分の下のフォト・サイトに累積される。その
名前のように、時間遅延・積分(TDI)する。
DI:time delay and integra
te)線形アレイ・センサ30が、フレーム転送センサ
におけるようにイメージ化セクション22を含むが、こ
のイメージ化セクションは、一般に水平CCD読出しシ
フト・レジスタ26に直接結合され、このレジスタから
出力ノード構造27を介し、バッファ28を介してカメ
ラ回路に結合される。イメージ化セクション22は、各
々が複数のフォト・サイトを含む複数の列を含む。動作
するときは、カメラ・レンズがイメージをTDI CC
Dセンサ上に集束させる。イメージ、即ちTDI CC
Dセンサに対する光入力は(例えば、コンベア・ベルト
上で)移動している.このため、センサ上に集束された
共通源イメージは、移動しているように見える。イメー
ジの一部は、最初はTDI CCDセンサの1つのピク
セル上に現れ、次いでこのセンサの別のピクセル上に現
れる。カメラとセンサとは、移動するイメージの一部が
フォト・サイト列の最上部からこの列の最下部への方向
に移動するように配列される。TDI CCDセンサ
は、イメージの当該部分が前記列を下方へ移動する速度
に等しい速度でフォト・サイト列を下方へ電荷を転送す
るようにクロックされる。第1のフォト・サイトに生じ
た電荷は、第1のフォト・サイトに電荷を生じたイメー
ジ部分が次のフォト・サイトへ移動すると同時に次のフ
ォト・サイトへ転送される。このように、イメージ部分
が前記列の下方へ移動するに伴ってフォト・チャージは
イメージ部分の下のフォト・サイトに累積される。その
名前のように、時間遅延・積分(TDI)する。
【0008】2次元イメージ化アレイ(例えば、フレー
ム転送センサおよびインタライン転送センサにおける)
は、一般に、イメージのスナップ・ショットを撮る。光
活性ピクセル・アレイが、ある期間フォト・チャージを
積分する。積分時間の終りに、並列−直列転送方式を用
いて情報がセンサから外部回路要素へ転送される。ピク
セル・データの各水平ラインが、水平CCD読出しシフ
ト・レジスタへ転送される。次に、データのラインが、
レジスタの終端における出力ノード構造を介して,次い
でバッファ増幅器を介して直列に転送される。一般に、
信号電荷が転送され得るデータ速度は、出力構造および
バッファ増幅器の帯域幅より小さい速度に制限される。
ム転送センサおよびインタライン転送センサにおける)
は、一般に、イメージのスナップ・ショットを撮る。光
活性ピクセル・アレイが、ある期間フォト・チャージを
積分する。積分時間の終りに、並列−直列転送方式を用
いて情報がセンサから外部回路要素へ転送される。ピク
セル・データの各水平ラインが、水平CCD読出しシフ
ト・レジスタへ転送される。次に、データのラインが、
レジスタの終端における出力ノード構造を介して,次い
でバッファ増幅器を介して直列に転送される。一般に、
信号電荷が転送され得るデータ速度は、出力構造および
バッファ増幅器の帯域幅より小さい速度に制限される。
【0009】同様に、TDI CCDセンサにおいて
は、フォト・サイトの各積分列における最終ピクセル
(即ち、最後の水平ライン)が水平CCD読出しシフト
・レジスタへ転送される。データ・ラインは、次に、レ
ジスタの終端における出力ノード構造を介して、次いで
バッファ増幅器を介して直列に転送される。一般に、信
号電荷を転送できるデータ速度は、出力構造およびバッ
ファ増幅器の帯域幅により制限される。
は、フォト・サイトの各積分列における最終ピクセル
(即ち、最後の水平ライン)が水平CCD読出しシフト
・レジスタへ転送される。データ・ラインは、次に、レ
ジスタの終端における出力ノード構造を介して、次いで
バッファ増幅器を介して直列に転送される。一般に、信
号電荷を転送できるデータ速度は、出力構造およびバッ
ファ増幅器の帯域幅により制限される。
【0010】データ速度がバッファの帯域幅を越えてし
まう用途においては、水平CCD読出しシフト・レジス
タは、サブレジスタへ区分しなければならない。次に、
各サブレジスタまたはレジスタ・セグメントは、信号電
荷をそれ自体の別々の出力ノード構造と出力構造および
バッファの帯域幅限度で動作するバッファ増幅器とに転
送することになる。次に、幾つかのバッファからのデー
タが一緒に多重化(マルチプレックス)されて、より高
いデータ速度でイメージを再構成する(即ち、1つのバ
ッファ・データ速度は出力構造またはタップの数により
乗じられる)。このレジスタ構造は、マルチタップ水平
読出しレジスタとして知らている(図10)。
まう用途においては、水平CCD読出しシフト・レジス
タは、サブレジスタへ区分しなければならない。次に、
各サブレジスタまたはレジスタ・セグメントは、信号電
荷をそれ自体の別々の出力ノード構造と出力構造および
バッファの帯域幅限度で動作するバッファ増幅器とに転
送することになる。次に、幾つかのバッファからのデー
タが一緒に多重化(マルチプレックス)されて、より高
いデータ速度でイメージを再構成する(即ち、1つのバ
ッファ・データ速度は出力構造またはタップの数により
乗じられる)。このレジスタ構造は、マルチタップ水平
読出しレジスタとして知らている(図10)。
【0011】タップ付レジスタの設計は、出力ノード構
造(図10の37A、37B、37Cおよび37D)を
レジスタの水平ピッチ(即ち、ピクセル列の間隔)に等
しい程度に配置することが必要になる。ピッチがCCD
の製造に用いられる処理技術水準に対する設計基準によ
り許容される最小寸法に照らして小さい高密度CCDセ
ンサ設計の場合は、水平レジスタの性能を犠牲にせずに
出力ノード構造が高い性能(高い変換効率および低い読
出しノイズ)を持つように出力ノード構造をレジスタの
ピッチ以内に配置することは困難である。参考のためこ
こに援用する「均一なピッチおよび電荷蓄積容量を有す
る可変幅CCDレジスタ(Variable Widt
h CCD Register With Unifo
rm Pitch and Charge Stora
ge Capacity)」なる名称の米国特許第5,
608,242号を参照されたい。
造(図10の37A、37B、37Cおよび37D)を
レジスタの水平ピッチ(即ち、ピクセル列の間隔)に等
しい程度に配置することが必要になる。ピッチがCCD
の製造に用いられる処理技術水準に対する設計基準によ
り許容される最小寸法に照らして小さい高密度CCDセ
ンサ設計の場合は、水平レジスタの性能を犠牲にせずに
出力ノード構造が高い性能(高い変換効率および低い読
出しノイズ)を持つように出力ノード構造をレジスタの
ピッチ以内に配置することは困難である。参考のためこ
こに援用する「均一なピッチおよび電荷蓄積容量を有す
る可変幅CCDレジスタ(Variable Widt
h CCD Register With Unifo
rm Pitch and Charge Stora
ge Capacity)」なる名称の米国特許第5,
608,242号を参照されたい。
【0012】センサからのデータ速度を増大させるた
め、水平CCDの異なる部分から同時に読出すことが可
能なように水平読出しセクションにおいてタップ付出力
が一般に用いられる。出力ノード構造に要求されるスペ
ースのために、出力タップが含まれる場合には、ピクセ
ル・ピッチの不均一性が通常生じる。更に、各タップ・
セクションで読出される最初の有効データ・ピクセルに
おける応答不均一性(一般に、初期ピクセル・ドループ
(droop)として知られる)を制限するため、水平
CCDにおける付加的な分離ピクセルがしばしば望まし
い。
め、水平CCDの異なる部分から同時に読出すことが可
能なように水平読出しセクションにおいてタップ付出力
が一般に用いられる。出力ノード構造に要求されるスペ
ースのために、出力タップが含まれる場合には、ピクセ
ル・ピッチの不均一性が通常生じる。更に、各タップ・
セクションで読出される最初の有効データ・ピクセルに
おける応答不均一性(一般に、初期ピクセル・ドループ
(droop)として知られる)を制限するため、水平
CCDにおける付加的な分離ピクセルがしばしば望まし
い。
【0013】本発明の目的は、均一なピクセル・ピッチ
を維持しながら、かかるセンサにおける初期ピクセル・
ドループを除去することにある。本発明の別の目的は、
各出力ノード構造領域への充分な量のレイアウト領域の
追加による設計レイアウトにおけるより大きな柔軟性を
提供することにある。
を維持しながら、かかるセンサにおける初期ピクセル・
ドループを除去することにある。本発明の別の目的は、
各出力ノード構造領域への充分な量のレイアウト領域の
追加による設計レイアウトにおけるより大きな柔軟性を
提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記および他の目的は、
イメージ化セクションと読出しセクションとを含む電荷
結合デバイスにおいて達成される。このイメージ化セク
ションは、列方向を画定し、複数のイメージ化サブセク
ションを含む。読出しセクションは、第1の出力ノード
構造と複数の読出しサブセクションとを含む。第1の読
出しサブセクションは、それぞれの第1のイメージ化サ
ブセクションに結合される。第2の読出しサブセクショ
ンは、それぞれの第2のイメージ化サブセクションに結
合される。第1の読出しサブセクションは、第1の複数
の中間レジスタと、第1の水平レジスタ・セグメントと
を含む。第1の複数の中間レジスタの第1の中間レジス
タは第1の中間方向を画定し、第1の中間方向は列方向
に対して平行ではない。第2の読出しサブセクション
は、第2の複数の中間レジスタと第2の水平レジスタ・
セグメントとを含み、レイアウト領域は第1および第2
の読出しサブセクション間に画定される。第1の出力ノ
ード構造は、第1の水平レジスタ・セグメントに結合さ
れ、レイアウト領域内に配置される。
イメージ化セクションと読出しセクションとを含む電荷
結合デバイスにおいて達成される。このイメージ化セク
ションは、列方向を画定し、複数のイメージ化サブセク
ションを含む。読出しセクションは、第1の出力ノード
構造と複数の読出しサブセクションとを含む。第1の読
出しサブセクションは、それぞれの第1のイメージ化サ
ブセクションに結合される。第2の読出しサブセクショ
ンは、それぞれの第2のイメージ化サブセクションに結
合される。第1の読出しサブセクションは、第1の複数
の中間レジスタと、第1の水平レジスタ・セグメントと
を含む。第1の複数の中間レジスタの第1の中間レジス
タは第1の中間方向を画定し、第1の中間方向は列方向
に対して平行ではない。第2の読出しサブセクション
は、第2の複数の中間レジスタと第2の水平レジスタ・
セグメントとを含み、レイアウト領域は第1および第2
の読出しサブセクション間に画定される。第1の出力ノ
ード構造は、第1の水平レジスタ・セグメントに結合さ
れ、レイアウト領域内に配置される。
【0015】本発明については、添付図面に関して望ま
しい実施の形態の以降の記述において詳細に記述され
る。
しい実施の形態の以降の記述において詳細に記述され
る。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明の望ましい実施の形態は、
(フレーム転送センサに対する)センサの蓄積、あるい
は(インタライン転送およびTDIセンサに対する)セ
ンサの分離(アイソレーション)領域における扇形状
(即ち、以下に記述される如くフレア状、「スカート
状」あるいはテーパ状)の構造(アーキテクチャ)を含
んでいる。このようなアーキテクチャによれば、各出力
タップ付近に大量のスペースが利用可能となり、水平読
出しレジスタ・セグメントと出力ノード構造との間の各
出力タップにおける増加した分離ピクセル数を含む可能
性が生じる。扇形アーキテクチャを用いることができる
大量の垂直ピクセル(即ち、全蓄積領域または分離領
域)のゆえに、HCCDの各タップに組込むことができ
る分離ピクセル数は、仮に扇形角度が最小化されてもか
なりのものとなり得る。
(フレーム転送センサに対する)センサの蓄積、あるい
は(インタライン転送およびTDIセンサに対する)セ
ンサの分離(アイソレーション)領域における扇形状
(即ち、以下に記述される如くフレア状、「スカート
状」あるいはテーパ状)の構造(アーキテクチャ)を含
んでいる。このようなアーキテクチャによれば、各出力
タップ付近に大量のスペースが利用可能となり、水平読
出しレジスタ・セグメントと出力ノード構造との間の各
出力タップにおける増加した分離ピクセル数を含む可能
性が生じる。扇形アーキテクチャを用いることができる
大量の垂直ピクセル(即ち、全蓄積領域または分離領
域)のゆえに、HCCDの各タップに組込むことができ
る分離ピクセル数は、仮に扇形角度が最小化されてもか
なりのものとなり得る。
【0017】当該技法は、レイアウトの容易さ、改善さ
れたピクセル均一性、およびノード・アーキテクチャ設
計における柔軟性の拡大を含む利点を提供する。
れたピクセル均一性、およびノード・アーキテクチャ設
計における柔軟性の拡大を含む利点を提供する。
【0018】扇形アーキテクチャをフレーム転送領域ア
レイへ組込むことは、大きな蓄積領域の存在のため簡単
である。デバイス動作に対する変更は、蓄積領域のクロ
ック相のキャパシタンスの僅かな増加と、分離ピクセル
の追加によるタイミング変化とに限定される。TDIセ
ンサにおいて、小さな扇形角度を維持しながら各タップ
における多数の分離ピクセルを組込むために、光シール
ドを有する小さな扇形分離領域の追加も必要になる。
レイへ組込むことは、大きな蓄積領域の存在のため簡単
である。デバイス動作に対する変更は、蓄積領域のクロ
ック相のキャパシタンスの僅かな増加と、分離ピクセル
の追加によるタイミング変化とに限定される。TDIセ
ンサにおいて、小さな扇形角度を維持しながら各タップ
における多数の分離ピクセルを組込むために、光シール
ドを有する小さな扇形分離領域の追加も必要になる。
【0019】図1において、センサ100は、イメージ
化(撮像)セクション102と読出しセクション104
とを含んでいる。イメージ化セクション102は、イン
タライン転送イメージ化セクション、またはフレーム転
送イメージ化セクション、またはTDIイメージ化セク
ションの形態にある。イメージ化セクション102は、
複数のイメージ化サブセクションを含んでいる。読出し
セクション104は、複数の読出しサブセクションを含
んでいる。第1の読出しサブセクション106は、第1
のイメージ化サブセクションと第1の水平セグメント・
レジスタ112との間に結合された第1の複数の中間レ
ジスタ110を含んでいる。読出しセクション104は
更に、第1の水平セグメント・レジスタ112に結合さ
れた第1の信号ノード構造116を含んでいる。読出し
セクション104はまた、第1の水平セグメント・レジ
スタ112と第1の信号ノード構造116との間に結合
された第1の分離レジスタ114も含んでいる。第1の
出力ノード構造116からの出力信号は、第1のバッフ
ァ増幅器108へ与えられる。典型的に、バッファ増幅
器108は、ソース・フォロワ形態に構成された1ない
し5個のMOSトランジスタを含んでいる。
化(撮像)セクション102と読出しセクション104
とを含んでいる。イメージ化セクション102は、イン
タライン転送イメージ化セクション、またはフレーム転
送イメージ化セクション、またはTDIイメージ化セク
ションの形態にある。イメージ化セクション102は、
複数のイメージ化サブセクションを含んでいる。読出し
セクション104は、複数の読出しサブセクションを含
んでいる。第1の読出しサブセクション106は、第1
のイメージ化サブセクションと第1の水平セグメント・
レジスタ112との間に結合された第1の複数の中間レ
ジスタ110を含んでいる。読出しセクション104は
更に、第1の水平セグメント・レジスタ112に結合さ
れた第1の信号ノード構造116を含んでいる。読出し
セクション104はまた、第1の水平セグメント・レジ
スタ112と第1の信号ノード構造116との間に結合
された第1の分離レジスタ114も含んでいる。第1の
出力ノード構造116からの出力信号は、第1のバッフ
ァ増幅器108へ与えられる。典型的に、バッファ増幅
器108は、ソース・フォロワ形態に構成された1ない
し5個のMOSトランジスタを含んでいる。
【0020】フレーム転送センサにおいては、中間レジ
スタ110が、不透明な光シールドの下に配置された蓄
積アレイ・レジスタからなることが望ましい。インタラ
イン転送センサおよびTDIセンサにおいては、中間レ
ジスタ110が不透明な光シールドの下に配置された分
離レジスタからなり、イメージ化セクション102と水
平シフト・レジスタ112との間に結合されることが望
ましい。
スタ110が、不透明な光シールドの下に配置された蓄
積アレイ・レジスタからなることが望ましい。インタラ
イン転送センサおよびTDIセンサにおいては、中間レ
ジスタ110が不透明な光シールドの下に配置された分
離レジスタからなり、イメージ化セクション102と水
平シフト・レジスタ112との間に結合されることが望
ましい。
【0021】水平読出しレジスタ112の断面120を
示す図2において、分離レジスタ114と出力ノード構
造116とは、P-タイプ半導体ウエーハに形成された
N-チャネル(あるいは、Nタイプ半導体ウエーハ上の
P-タイプのウエルに形成されたN-チャネル)を含んで
いる。埋込チャネル124が、ドープされた半導体ウエ
ーハ122に形成される。水平読出しレジスタ・セグメ
ント112と分離レジスタ114とは、埋込チャネル内
に形成され、この埋込チャネルの上にそのチャネルから
分離されたクロッキング・ゲート電極(図示せず)に基
いて形成される。出力ノード構造116は、出力バッフ
ァ108に結合された出力ノード拡散部126を含み、
かつDC電源130に結合されたドレーン拡散部128
を含んでいる。出力ノード拡散部126は、埋込チャネ
ル124上に配置され信号VSETが供給されるセット・
ゲート電極132により形成されるセット・ゲートを介
して分離レジスタ114に結合されている。出力ノード
拡散部126は、VRESが供給されたリセット・ゲート
電極134の下に形成されたリセット・ゲートを介して
ドレーン拡散部128に結合されている。全ての読出し
サブセクションにおける水平読出しレジスタ112と、
分離レジスタ114と、出力ノード構造116の全て
は、同一直線上にあり、イメージ化セクションにより画
定される列方向と直角をなしていることが望ましい。
示す図2において、分離レジスタ114と出力ノード構
造116とは、P-タイプ半導体ウエーハに形成された
N-チャネル(あるいは、Nタイプ半導体ウエーハ上の
P-タイプのウエルに形成されたN-チャネル)を含んで
いる。埋込チャネル124が、ドープされた半導体ウエ
ーハ122に形成される。水平読出しレジスタ・セグメ
ント112と分離レジスタ114とは、埋込チャネル内
に形成され、この埋込チャネルの上にそのチャネルから
分離されたクロッキング・ゲート電極(図示せず)に基
いて形成される。出力ノード構造116は、出力バッフ
ァ108に結合された出力ノード拡散部126を含み、
かつDC電源130に結合されたドレーン拡散部128
を含んでいる。出力ノード拡散部126は、埋込チャネ
ル124上に配置され信号VSETが供給されるセット・
ゲート電極132により形成されるセット・ゲートを介
して分離レジスタ114に結合されている。出力ノード
拡散部126は、VRESが供給されたリセット・ゲート
電極134の下に形成されたリセット・ゲートを介して
ドレーン拡散部128に結合されている。全ての読出し
サブセクションにおける水平読出しレジスタ112と、
分離レジスタ114と、出力ノード構造116の全て
は、同一直線上にあり、イメージ化セクションにより画
定される列方向と直角をなしていることが望ましい。
【0022】分離レジスタ114は、1つ以上のピクセ
ル、望ましくは少なくとも2つのピクセルを含んでい
る。中間レジスタ110の最後のレジスタ要素からの信
号電荷を水平読出しレジスタ・セグメント112へ転送
するため転送電極が用いられる。水平読出しレジスタ・
セグメント112を介して分離レジスタ114へ、また
このレジスタから出力ノード構造116への信号電荷の
高速転送を生じさせるため、水平レジスタ・クロッキン
グ電極が用いられる。電圧を水平レジスタ・クロッキン
グ電極へ供給するクロック駆動回路は、電圧レベルを安
定化させるため幾つかのクロック・サイクルを必要とす
るときがある。クロック・パルスのフィードスルー(f
eed through)がビデオ信号に現れることが
あるので、最初の幾つかのクロック・パルスにおける変
動は、出力波形に相違を生じさせる可能性がある。従っ
て、分離レジスタ114が水平読出しレジスタ・セグメ
ント112の最終要素と出力ノード構造116との間に
介挿されることが望ましい。分離レジスタ114は、1
つ以上のレジスタ要素を含むことが望ましい。分離レジ
スタ114からの初期データは、イメージ・データが処
理される前にバッファ108から送出される。
ル、望ましくは少なくとも2つのピクセルを含んでい
る。中間レジスタ110の最後のレジスタ要素からの信
号電荷を水平読出しレジスタ・セグメント112へ転送
するため転送電極が用いられる。水平読出しレジスタ・
セグメント112を介して分離レジスタ114へ、また
このレジスタから出力ノード構造116への信号電荷の
高速転送を生じさせるため、水平レジスタ・クロッキン
グ電極が用いられる。電圧を水平レジスタ・クロッキン
グ電極へ供給するクロック駆動回路は、電圧レベルを安
定化させるため幾つかのクロック・サイクルを必要とす
るときがある。クロック・パルスのフィードスルー(f
eed through)がビデオ信号に現れることが
あるので、最初の幾つかのクロック・パルスにおける変
動は、出力波形に相違を生じさせる可能性がある。従っ
て、分離レジスタ114が水平読出しレジスタ・セグメ
ント112の最終要素と出力ノード構造116との間に
介挿されることが望ましい。分離レジスタ114は、1
つ以上のレジスタ要素を含むことが望ましい。分離レジ
スタ114からの初期データは、イメージ・データが処
理される前にバッファ108から送出される。
【0023】分離レジスタ114の幅は、水平読出しレ
ジスタ・セグメント112の幅からセット・ゲート電極
132により画定されるセット・ゲートの幅(即ち、埋
込チャネルの幅)までテーパ状をなすことが望ましい。
水平読出しレジスタ・セグメント112の幅は、レジス
タの各要素の面積が更に詳細に論述されるように等しい
電荷保持容量を有するように各中間レジスタ110の各
レジスタ要素の面積と実質的に等しくなるように、画定
されることが望ましい。一方、出力ノード拡散部126
は、最小キャパシタンスを特徴とするように小さいこと
が望ましい。このことは、出力ノード構造の感度(即
ち、電荷入力の電子当たりのボルト出力)を最大化す
る。水平読出しレジスタ・セグメント112の幅は、出
力ノード拡散部126よりしばしば広く、セット・ゲー
トがセット・ゲート電極132により画定される。分離
レジスタ114は、水平読出しレジスタ・セグメント1
12とセット・ゲートとの間に結合されている。分離レ
ジスタ114は、水平読出しレジスタ112の幅をセッ
ト・ゲートの幅に一致させるようにテーパ状を呈するこ
とが望ましい。このテーパ形状は、階段状のテーパ形状
あるいは連続的なテーパ形状でよい。
ジスタ・セグメント112の幅からセット・ゲート電極
132により画定されるセット・ゲートの幅(即ち、埋
込チャネルの幅)までテーパ状をなすことが望ましい。
水平読出しレジスタ・セグメント112の幅は、レジス
タの各要素の面積が更に詳細に論述されるように等しい
電荷保持容量を有するように各中間レジスタ110の各
レジスタ要素の面積と実質的に等しくなるように、画定
されることが望ましい。一方、出力ノード拡散部126
は、最小キャパシタンスを特徴とするように小さいこと
が望ましい。このことは、出力ノード構造の感度(即
ち、電荷入力の電子当たりのボルト出力)を最大化す
る。水平読出しレジスタ・セグメント112の幅は、出
力ノード拡散部126よりしばしば広く、セット・ゲー
トがセット・ゲート電極132により画定される。分離
レジスタ114は、水平読出しレジスタ・セグメント1
12とセット・ゲートとの間に結合されている。分離レ
ジスタ114は、水平読出しレジスタ112の幅をセッ
ト・ゲートの幅に一致させるようにテーパ状を呈するこ
とが望ましい。このテーパ形状は、階段状のテーパ形状
あるいは連続的なテーパ形状でよい。
【0024】テーパ状の分離レジスタ114における各
レジスタ要素の面積は、以下において更に詳細に説明す
るように、等しい電荷保持容量を有するよう水平読出し
レジスタ・セグメント112の各レジスタ要素の面積と
実質的に等しい。このことは、必然的に、幅が小さくな
るに従ってレジスタ要素の長手寸法(即ち、ピッチと呼
ばれる)が長くなることが必要になる。
レジスタ要素の面積は、以下において更に詳細に説明す
るように、等しい電荷保持容量を有するよう水平読出し
レジスタ・セグメント112の各レジスタ要素の面積と
実質的に等しい。このことは、必然的に、幅が小さくな
るに従ってレジスタ要素の長手寸法(即ち、ピッチと呼
ばれる)が長くなることが必要になる。
【0025】出力ノード構造116は、信号電荷がレジ
スタ112からレジスタ114を介して出力ノード構造
116へ、更にバッファ108へ転送される時に捕捉さ
れ得るポケット、トラップあるいは小さなウエルを有す
る可能性がある。このようなポケットは、「初期ピクセ
ル・ドループ(first pixel droo
p)」現象の一因となる可能性がある。このようなポケ
ットの共通の原因は、レジスタ112とノード構造11
6間のマッチングが十分でないことである。不十分なマ
ッチングは、レジスタ112におけるレジスタ要素のサ
イズに比較して小さな読出しノード構造116を設ける
必要性によって更に生じる。これらのポケットを最小限
に抑えるため、水平読出しレジスタ・セグメント112
をマッチング分離レジスタ114を介して出力ノード構
造116に結合することが望ましい。分離レジスタ11
4に最初保持されるデータは単に放棄される。
スタ112からレジスタ114を介して出力ノード構造
116へ、更にバッファ108へ転送される時に捕捉さ
れ得るポケット、トラップあるいは小さなウエルを有す
る可能性がある。このようなポケットは、「初期ピクセ
ル・ドループ(first pixel droo
p)」現象の一因となる可能性がある。このようなポケ
ットの共通の原因は、レジスタ112とノード構造11
6間のマッチングが十分でないことである。不十分なマ
ッチングは、レジスタ112におけるレジスタ要素のサ
イズに比較して小さな読出しノード構造116を設ける
必要性によって更に生じる。これらのポケットを最小限
に抑えるため、水平読出しレジスタ・セグメント112
をマッチング分離レジスタ114を介して出力ノード構
造116に結合することが望ましい。分離レジスタ11
4に最初保持されるデータは単に放棄される。
【0026】初期ピクセル・ドループは、CRシフト・
レジスタのクロック信号(即ち、水平読出しレジスタ・
セグメント112に対するクロック信号)がストップさ
れ、そして再開される時、これら信号のDCオフセット
・レベルにおける不均一性によっても生じる。電荷が垂
直シフト・レジスタから水平シフト・レジスタへ転送さ
れる時に水平シフト・レジスタが停止され、このことが
クロック(および、それらに関連する信号および接地バ
ウンス(ground bounce)・フィードスル
ー)をそれらのDCオフセット・レベルまでシフトさせ
る。クロックが再開すると、DCレベルが再び安定化す
る時に読出される最初の少数のピクセル・ドループが生
じ、初期ピクセル・ドループとなる。分離レジスタ11
4における分離ピクセルは、初期ピクセル・ドループ問
題を避けるため現在の扇形またはスカート状構造を用い
る時に利用可能となる領域に加えられる。
レジスタのクロック信号(即ち、水平読出しレジスタ・
セグメント112に対するクロック信号)がストップさ
れ、そして再開される時、これら信号のDCオフセット
・レベルにおける不均一性によっても生じる。電荷が垂
直シフト・レジスタから水平シフト・レジスタへ転送さ
れる時に水平シフト・レジスタが停止され、このことが
クロック(および、それらに関連する信号および接地バ
ウンス(ground bounce)・フィードスル
ー)をそれらのDCオフセット・レベルまでシフトさせ
る。クロックが再開すると、DCレベルが再び安定化す
る時に読出される最初の少数のピクセル・ドループが生
じ、初期ピクセル・ドループとなる。分離レジスタ11
4における分離ピクセルは、初期ピクセル・ドループ問
題を避けるため現在の扇形またはスカート状構造を用い
る時に利用可能となる領域に加えられる。
【0027】更にまた、光シールド縁部からノード構造
前の最後のピクセルへの光(特に、赤のスペクトルにお
ける)の漏洩によって、最後の水平シフト・レジスタ要
素における付加的な電子が生じることになる。典型的に
は、別個の光シールドがバッファ108上に配置され
て、このようなエッジ効果を生じさせる。即ち、光シー
ルドの終端が出力ノード前の最後ピクセルから充分に離
れていない可能性がある。再び、分離ピクセルが、初期
ピクセルドループ問題を避けるためノードと水平レジス
タ・セグメント間に介挿される。
前の最後のピクセルへの光(特に、赤のスペクトルにお
ける)の漏洩によって、最後の水平シフト・レジスタ要
素における付加的な電子が生じることになる。典型的に
は、別個の光シールドがバッファ108上に配置され
て、このようなエッジ効果を生じさせる。即ち、光シー
ルドの終端が出力ノード前の最後ピクセルから充分に離
れていない可能性がある。再び、分離ピクセルが、初期
ピクセルドループ問題を避けるためノードと水平レジス
タ・セグメント間に介挿される。
【0028】初期ピクセル・ドループの別の原因は、過
渡的な増幅器オフセットである。過渡的な出力増幅器オ
フセットは、垂直シフト・レジスタから水平シフト・レ
ジスタへの転送後に最初の少数のクロック遷移の間に生
じ得る。これによって、初期ピクセル・ドループあるい
は初期ピクセル・オーバーシュートを招来する可能性が
ある。付加的な分離ピクセルが再び、初期ピクセル・ド
ループ問題を回避する。
渡的な増幅器オフセットである。過渡的な出力増幅器オ
フセットは、垂直シフト・レジスタから水平シフト・レ
ジスタへの転送後に最初の少数のクロック遷移の間に生
じ得る。これによって、初期ピクセル・ドループあるい
は初期ピクセル・オーバーシュートを招来する可能性が
ある。付加的な分離ピクセルが再び、初期ピクセル・ド
ループ問題を回避する。
【0029】初期ピクセル・ドループのあり得る全ての
原因を列挙する試みは本願の範囲を越えることに注意す
べきである。しかし、初期ピクセル・ドループの他の原
因は、ここに述べる原因と等価なものである。当該構造
は、全ての原因からの初期ピクセル・ドループ問題を避
けられるように、分離レジスタ114を含めることを可
能にする。
原因を列挙する試みは本願の範囲を越えることに注意す
べきである。しかし、初期ピクセル・ドループの他の原
因は、ここに述べる原因と等価なものである。当該構造
は、全ての原因からの初期ピクセル・ドループ問題を避
けられるように、分離レジスタ114を含めることを可
能にする。
【0030】図3において、中間レジスタ110は、1
10AAないし110DAで示される複数のレジスタ要
素を持つ第1のレジスタを含んでいる。第2のレジスタ
は、レジスタ要素110ABで始まり、第3のレジスタ
はレジスタ要素110ACで始まり、第4のレジスタは
レジスタ要素110ADで始まり、レジスタ要素110
DDまでアレイが続く。図3は、それぞれが4つのレジ
スタ要素を有する4つのレジスタを示している。これら
の諸元が例示に過ぎないことが理解されよう。実際の有
効なデバイスは、より大きなアレイから形成される。例
えば、大きなTDIセンサは、2048ピクセル幅×9
6行(データの96ピクセルを集積する)を含み、64
タップ(即ち、64組の分離レジスタ114と出力ノー
ド構造116)を含んでいる。このようなTDIセンサ
では、各水平読出しレジスタ・セグメント112は32
ピクセルを有することになる。分離レジスタの(ピクセ
ル単位の)サイズは、分離ピクセルが有効データを含ま
ないが読出しの時間を必要とするため、水平セグメント
読出しレジスタ・サイズの(ピクセル単位の)サイズの
10%より多くならないように制限されることが望まし
い。このため、水平セグメント読出しレジスタが32ピ
クセルを有するとき、分離レジスタは4ピクセルを有す
る。他の用途では、フレーム転送センサまたはインタラ
イン転送センサは、大きなフォト・サイト・アレイ、例
えば、256×256あるいは512×512を有する
ことが望ましい。望ましい設計上の積分時間およびデー
タ転送に利用できる時間に応じて、読出しセクションに
2ないし128タップが使用される。例えば、積分時間
中に各タップがデータの65,536ピクセル(即ち、
512行×512列を4タップで除す)を転送するよう
に、512×512ピクセル・アレイは4タップを使用
する。
10AAないし110DAで示される複数のレジスタ要
素を持つ第1のレジスタを含んでいる。第2のレジスタ
は、レジスタ要素110ABで始まり、第3のレジスタ
はレジスタ要素110ACで始まり、第4のレジスタは
レジスタ要素110ADで始まり、レジスタ要素110
DDまでアレイが続く。図3は、それぞれが4つのレジ
スタ要素を有する4つのレジスタを示している。これら
の諸元が例示に過ぎないことが理解されよう。実際の有
効なデバイスは、より大きなアレイから形成される。例
えば、大きなTDIセンサは、2048ピクセル幅×9
6行(データの96ピクセルを集積する)を含み、64
タップ(即ち、64組の分離レジスタ114と出力ノー
ド構造116)を含んでいる。このようなTDIセンサ
では、各水平読出しレジスタ・セグメント112は32
ピクセルを有することになる。分離レジスタの(ピクセ
ル単位の)サイズは、分離ピクセルが有効データを含ま
ないが読出しの時間を必要とするため、水平セグメント
読出しレジスタ・サイズの(ピクセル単位の)サイズの
10%より多くならないように制限されることが望まし
い。このため、水平セグメント読出しレジスタが32ピ
クセルを有するとき、分離レジスタは4ピクセルを有す
る。他の用途では、フレーム転送センサまたはインタラ
イン転送センサは、大きなフォト・サイト・アレイ、例
えば、256×256あるいは512×512を有する
ことが望ましい。望ましい設計上の積分時間およびデー
タ転送に利用できる時間に応じて、読出しセクションに
2ないし128タップが使用される。例えば、積分時間
中に各タップがデータの65,536ピクセル(即ち、
512行×512列を4タップで除す)を転送するよう
に、512×512ピクセル・アレイは4タップを使用
する。
【0031】アレイ110(図3)の各要素は、非矩形
状(および、非方形)の平行四辺形(図4)の形状を呈
する。このアレイの要素の面積は、等しい電荷容量を持
つように面積(即ち、大きさ)と形状において実質的に
等しいか略々等しい。
状(および、非方形)の平行四辺形(図4)の形状を呈
する。このアレイの要素の面積は、等しい電荷容量を持
つように面積(即ち、大きさ)と形状において実質的に
等しいか略々等しい。
【0032】レジスタ要素の矩形状でない平行四辺形の
性質が、それ自体が矩形状でない平行四辺形の周辺を有
する第1の複数の中間レジスタ110(図1)を提供す
る。動作において、電荷がイメージ化セクション102
のイメージ化サブセクションの列を列方向下方に転送さ
れる。第1の複数の中間レジスタ110へ転送されると
同時に、電荷がこの中間レジスタを第1の中間方向下方
へ転送され、第1の中間方向は列方向と平行ではない。
性質が、それ自体が矩形状でない平行四辺形の周辺を有
する第1の複数の中間レジスタ110(図1)を提供す
る。動作において、電荷がイメージ化セクション102
のイメージ化サブセクションの列を列方向下方に転送さ
れる。第1の複数の中間レジスタ110へ転送されると
同時に、電荷がこの中間レジスタを第1の中間方向下方
へ転送され、第1の中間方向は列方向と平行ではない。
【0033】図1において、センサ100は、図示の目
的で4つの読出しサブセクションのみを有するように示
される。実際の有効なセンサが更に多くの読出しサブセ
クションから形成されることが理解される。図1におい
ては、読出しサブセクションの半分が左方へ角度付けら
れ、他の半分は右方へ角度付られている。図1が対称的
に角度付られた中間レジスタを示すが、非対称的に角度
付られたレジスタも同様に考えられる。更にまた、左方
へまたられた読出しサブセクションの半分では、更に中
心のサブセクションが僅かに角度付られ、更に外側(即
ち、終端)のサブセクションが更に鋭角に角度付られて
いる。図1に示されるように、このような構成は、クサ
ビ状のレイアウト領域を読出しサブセクション間に提供
し、このサブセクションの各々が複数の中間レジスタ1
10と水平読出しレジスタ・セグメント112とを含
む。このようなクサビ状のレイアウト領域には、分離レ
ジスタ114(1つ以上の分離レジスタ要素からなる)
と出力ノード構造116が配置されることが望ましい。
典型的なソース・フォロワ形態の種々の形状に配置され
た1個ないし5個のMOSトランジスタからなる出力バ
ッファ増幅器108が、その必要は必ずしもないがクサ
ビ状のレイアウト領域に配置される。
的で4つの読出しサブセクションのみを有するように示
される。実際の有効なセンサが更に多くの読出しサブセ
クションから形成されることが理解される。図1におい
ては、読出しサブセクションの半分が左方へ角度付けら
れ、他の半分は右方へ角度付られている。図1が対称的
に角度付られた中間レジスタを示すが、非対称的に角度
付られたレジスタも同様に考えられる。更にまた、左方
へまたられた読出しサブセクションの半分では、更に中
心のサブセクションが僅かに角度付られ、更に外側(即
ち、終端)のサブセクションが更に鋭角に角度付られて
いる。図1に示されるように、このような構成は、クサ
ビ状のレイアウト領域を読出しサブセクション間に提供
し、このサブセクションの各々が複数の中間レジスタ1
10と水平読出しレジスタ・セグメント112とを含
む。このようなクサビ状のレイアウト領域には、分離レ
ジスタ114(1つ以上の分離レジスタ要素からなる)
と出力ノード構造116が配置されることが望ましい。
典型的なソース・フォロワ形態の種々の形状に配置され
た1個ないし5個のMOSトランジスタからなる出力バ
ッファ増幅器108が、その必要は必ずしもないがクサ
ビ状のレイアウト領域に配置される。
【0034】湾曲した即ち弧状の中間レジスタ110の
変更例が、同一あるいは同様なクサビ状領域を提供し、
従って矩形状でない平行四辺形状の中間レジスタ110
に等価である。電荷パケットは、最初のレジスタ要素か
ら最後のレジスタ要素まで依然として各中間レジスタを
下方へ転送される。最初のレジスタ要素から最後のレジ
スタ要素までのラインは、最初の中間方向を画定し、こ
の最初の中間方向は列方向と平行ではない。
変更例が、同一あるいは同様なクサビ状領域を提供し、
従って矩形状でない平行四辺形状の中間レジスタ110
に等価である。電荷パケットは、最初のレジスタ要素か
ら最後のレジスタ要素まで依然として各中間レジスタを
下方へ転送される。最初のレジスタ要素から最後のレジ
スタ要素までのラインは、最初の中間方向を画定し、こ
の最初の中間方向は列方向と平行ではない。
【0035】図5において、センサ200が、(図1に
おける如き)イメージ化セクション102と読出しセク
ション204とを含んでいる。読出しセクション204
は、複数の読出しサブセクション206を含んでいる。
各読出しサブセクション206は、複数の中間レジスタ
210と水平読出しレジスタ・セグメント112とを含
んでいる。図1に示した読出しセクションとは異なり、
図5に示された読出しセクションは、中間レジスタとし
てテーパ状レジスタ210を含んでいる。複数の読出し
サブセクション206(水平ピッチが小さいテーパ状レ
ジスタ210と水平読出しレジスタ112とからなる)
は、隣接する読出しサブセクション間にクサビ状のレイ
アウト領域を画定する。分離レジスタ114と出力ノー
ド構造116(出力バッファ増幅器108に結合され
た)とは、クサビ状のレイアウト領域に配置されてい
る。水平読出しレジスタ112、分離レジスタ114お
よび出力ノード構造116は、共線状であることが望ま
しい。全ての読出しサブセクションにおける水平読出し
レジスタ112、分離レジスタ114及び出力ノード構
造116は全て、共線状でありかつイメージ化セクショ
ンにより画定される列方向と直角をなしている。
おける如き)イメージ化セクション102と読出しセク
ション204とを含んでいる。読出しセクション204
は、複数の読出しサブセクション206を含んでいる。
各読出しサブセクション206は、複数の中間レジスタ
210と水平読出しレジスタ・セグメント112とを含
んでいる。図1に示した読出しセクションとは異なり、
図5に示された読出しセクションは、中間レジスタとし
てテーパ状レジスタ210を含んでいる。複数の読出し
サブセクション206(水平ピッチが小さいテーパ状レ
ジスタ210と水平読出しレジスタ112とからなる)
は、隣接する読出しサブセクション間にクサビ状のレイ
アウト領域を画定する。分離レジスタ114と出力ノー
ド構造116(出力バッファ増幅器108に結合され
た)とは、クサビ状のレイアウト領域に配置されてい
る。水平読出しレジスタ112、分離レジスタ114お
よび出力ノード構造116は、共線状であることが望ま
しい。全ての読出しサブセクションにおける水平読出し
レジスタ112、分離レジスタ114及び出力ノード構
造116は全て、共線状でありかつイメージ化セクショ
ンにより画定される列方向と直角をなしている。
【0036】図6において、複数のテーパ状レジスタが
示され、各レジスタが複数のテーパ状レジスタ要素を有
する。図5および図6は対称的にテーパ状の中間レジス
タを示すが、非対称的なテーパ状レジスタも同様に考え
られる。例えば、最初の中間レジスタがレジスタ要素2
10AAないし210DAを含む。最初の中間レジスタ
における各レジスタ要素は、2つの平行であるが等しく
ない辺を有する台形形状である。このため、テーパ状レ
ジスタ(即ち、中間レジスタ)の形状は、レジスタ要素
間で変化する。個々のレジスタ要素を特徴付ける領域
は、等しい電荷容量を有するように略々等しいままであ
ることが望ましい。
示され、各レジスタが複数のテーパ状レジスタ要素を有
する。図5および図6は対称的にテーパ状の中間レジス
タを示すが、非対称的なテーパ状レジスタも同様に考え
られる。例えば、最初の中間レジスタがレジスタ要素2
10AAないし210DAを含む。最初の中間レジスタ
における各レジスタ要素は、2つの平行であるが等しく
ない辺を有する台形形状である。このため、テーパ状レ
ジスタ(即ち、中間レジスタ)の形状は、レジスタ要素
間で変化する。個々のレジスタ要素を特徴付ける領域
は、等しい電荷容量を有するように略々等しいままであ
ることが望ましい。
【0037】図6は、中間レジスタの最上部の差し渡し
寸法(即ち、中間レジスタとイメージ化サブセクション
間の境界)が中間レジスタの最下部の差し渡し寸法(即
ち、中間レジスタと水平読出しセグメント・レジスタ間
の境界)より大きいことを示している。図5に示された
ように、このような構成は、各々が複数の中間レジスタ
210と水平読出しレジスタ112とを含む読出しサブ
セクション間にクサビ状のレイアウト領域を提供する。
このクサビ形状のレイアウト領域には、分離レジスタ1
14と出力ノード構造116とが配置される。水平読出
しレジスタ112、分離レジスタ114および出力ノー
ド構造116から形成されるシフト・レジスタの両端の
チャネル幅は、各レジスタ要素の近似的面積が中間レジ
スタにおけるレジスタ要素の近似的面積に等しくなるよ
うに(図6)、レジスタ112および114の個々の要
素がレジスタ210のレジスタ要素に比較して等しいか
あるいは更に大きな電荷容量を有するように、幅方向
(即ち、電荷転送方向と直角をなす方向)で充分に調整
されることが判る。
寸法(即ち、中間レジスタとイメージ化サブセクション
間の境界)が中間レジスタの最下部の差し渡し寸法(即
ち、中間レジスタと水平読出しセグメント・レジスタ間
の境界)より大きいことを示している。図5に示された
ように、このような構成は、各々が複数の中間レジスタ
210と水平読出しレジスタ112とを含む読出しサブ
セクション間にクサビ状のレイアウト領域を提供する。
このクサビ形状のレイアウト領域には、分離レジスタ1
14と出力ノード構造116とが配置される。水平読出
しレジスタ112、分離レジスタ114および出力ノー
ド構造116から形成されるシフト・レジスタの両端の
チャネル幅は、各レジスタ要素の近似的面積が中間レジ
スタにおけるレジスタ要素の近似的面積に等しくなるよ
うに(図6)、レジスタ112および114の個々の要
素がレジスタ210のレジスタ要素に比較して等しいか
あるいは更に大きな電荷容量を有するように、幅方向
(即ち、電荷転送方向と直角をなす方向)で充分に調整
されることが判る。
【0038】湾曲した即ち弧状のテーパ状レジスタ21
0の変更例は、同一あるいは同様なクサビ状の領域を提
供し、従ってテーパ状レジスタ210に等価である。電
荷パケットは、依然として各中間レジスタを最初のレジ
スタ要素から最後のレジスタ要素へ下方へ転送される。
最初のレジスタ要素から最後のレジスタ要素へのライン
は、最初の中間方向を画定し、この最初の中間方向は列
方向とは平行ではない。
0の変更例は、同一あるいは同様なクサビ状の領域を提
供し、従ってテーパ状レジスタ210に等価である。電
荷パケットは、依然として各中間レジスタを最初のレジ
スタ要素から最後のレジスタ要素へ下方へ転送される。
最初のレジスタ要素から最後のレジスタ要素へのライン
は、最初の中間方向を画定し、この最初の中間方向は列
方向とは平行ではない。
【0039】図1に特に示したもの(「スカート状」の
中間レジスタ)あるいは図5に示したもの(テーパ状中
間レジスタ)以外のレジスタ構造が考えられる。目的
は、水平レジスタ・セグメント間に1対の分離レジスタ
要素と出力ノード構造を提供するのに充分なレイアウト
領域を提供することである。例えば、フレーム転送セン
サでは、蓄積アレイは、各垂直蓄積列に多数のレジスタ
要素を含む。垂直蓄積列におけるこのレジスタ要素の一
部または全ては、フレア(即ち、スカート)状あるいは
テーパ状であり、残りの要素は垂直方向でかつ列方向と
平行である。例えば、256×256の蓄積セクション
を有するフレーム転送センサにおいて、垂直蓄積列にお
ける最後の64個のレジスタ要素のみがフレア状即ちテ
ーパ状であり、残りを実質的にイメージ化セクションに
おける垂直レジスタ列の延長とすることが可能である。
同じことが、フレームーインタライン転送センサに対し
て適用される。
中間レジスタ)あるいは図5に示したもの(テーパ状中
間レジスタ)以外のレジスタ構造が考えられる。目的
は、水平レジスタ・セグメント間に1対の分離レジスタ
要素と出力ノード構造を提供するのに充分なレイアウト
領域を提供することである。例えば、フレーム転送セン
サでは、蓄積アレイは、各垂直蓄積列に多数のレジスタ
要素を含む。垂直蓄積列におけるこのレジスタ要素の一
部または全ては、フレア(即ち、スカート)状あるいは
テーパ状であり、残りの要素は垂直方向でかつ列方向と
平行である。例えば、256×256の蓄積セクション
を有するフレーム転送センサにおいて、垂直蓄積列にお
ける最後の64個のレジスタ要素のみがフレア状即ちテ
ーパ状であり、残りを実質的にイメージ化セクションに
おける垂直レジスタ列の延長とすることが可能である。
同じことが、フレームーインタライン転送センサに対し
て適用される。
【0040】更にまた、フレア状あるいはテーパ状であ
るのを垂直蓄積列の最初の64個のレジスタ要素にし
て、最初の要素はイメージ化セクションから電荷を受取
る最初のものとなるようにすることもできる。分離セク
ションがイメージ化セクションと蓄積セクションとの間
に配置される場合、分離セクションにおける分離レジス
タは、垂直蓄積列におけるレジスタ要素の一部あるいは
全てと共に、あるいはそれを伴わず、フレア状あるいは
テーパ状にすることも可能である。分離セクションが蓄
積セクションと読出しセクションとの間に配置される場
合、分離セクションにおける分離レジスタは、垂直蓄積
列におけるレジスタ要素の一部あるいは全てと共に、あ
るいはそれを伴わず、フレア状あるいはテーパ状にする
ことも可能である。インタライン転送センサにおいては
(即ち、垂直蓄積列がフォト・サイトの列間に配置され
る場合)、分離セクションが垂直蓄積列と水平読出しセ
クション間に配置される時、分離セクションにおける分
離レジスタは、中間レジスタ110または210と共
に、それぞれフレア状あるいはテーパ状にすることが可
能である。フォト・サイトの垂直列を有するTDI C
CDセンサにおいては、分離セクションがフォト・サイ
トの垂直列と水平読出しセクション間に配置される時、
分離セクションにおける分離レジスタが、中間レジスタ
110または210と共に、それぞれフレア状あるいは
テーパ状にすることが可能である。当業者は、これらの
技術の組合わせおよび他の変更が、1対の分離レジスタ
要素と出力ノード構造を提供するのに充分なレイアウト
領域を水平レジスタ・セグメント間に提供するため開示
された実施の形態と等価であることを理解しよう。
るのを垂直蓄積列の最初の64個のレジスタ要素にし
て、最初の要素はイメージ化セクションから電荷を受取
る最初のものとなるようにすることもできる。分離セク
ションがイメージ化セクションと蓄積セクションとの間
に配置される場合、分離セクションにおける分離レジス
タは、垂直蓄積列におけるレジスタ要素の一部あるいは
全てと共に、あるいはそれを伴わず、フレア状あるいは
テーパ状にすることも可能である。分離セクションが蓄
積セクションと読出しセクションとの間に配置される場
合、分離セクションにおける分離レジスタは、垂直蓄積
列におけるレジスタ要素の一部あるいは全てと共に、あ
るいはそれを伴わず、フレア状あるいはテーパ状にする
ことも可能である。インタライン転送センサにおいては
(即ち、垂直蓄積列がフォト・サイトの列間に配置され
る場合)、分離セクションが垂直蓄積列と水平読出しセ
クション間に配置される時、分離セクションにおける分
離レジスタは、中間レジスタ110または210と共
に、それぞれフレア状あるいはテーパ状にすることが可
能である。フォト・サイトの垂直列を有するTDI C
CDセンサにおいては、分離セクションがフォト・サイ
トの垂直列と水平読出しセクション間に配置される時、
分離セクションにおける分離レジスタが、中間レジスタ
110または210と共に、それぞれフレア状あるいは
テーパ状にすることが可能である。当業者は、これらの
技術の組合わせおよび他の変更が、1対の分離レジスタ
要素と出力ノード構造を提供するのに充分なレイアウト
領域を水平レジスタ・セグメント間に提供するため開示
された実施の形態と等価であることを理解しよう。
【0041】CCDイメージ化デバイスの新規なCCD
読出しセクションの望ましい実施の形態(例示であって
限定を意図するものではない)について記述したが、当
業者には前述の教示に照らせば種々の修正および変更が
可能であることが判る。従って、頭書の特許請求の範囲
に記載される如き本発明の範囲および趣旨に含まれるよ
う開示された本発明の特定の実施の形態に変更が可能で
あることを理解すべきである。
読出しセクションの望ましい実施の形態(例示であって
限定を意図するものではない)について記述したが、当
業者には前述の教示に照らせば種々の修正および変更が
可能であることが判る。従って、頭書の特許請求の範囲
に記載される如き本発明の範囲および趣旨に含まれるよ
う開示された本発明の特定の実施の形態に変更が可能で
あることを理解すべきである。
【図1】本発明の第1の実施の形態を示すレイアウト図
である。
である。
【図2】第1の実施の形態の水平レジスタと分離レジス
タと出力ノード構造に関する断面図である。
タと出力ノード構造に関する断面図である。
【図3】第1の実施の形態の中間レジスタを示すレイア
ウト図である。
ウト図である。
【図4】第1の実施の形態のそれぞれの単一レジスタ要
素を示す図である。
素を示す図である。
【図5】本発明の第2の実施の形態を示すレイアウト図
である。
である。
【図6】第2の実施の形態の中間レジスタを示すレイア
ウト図である。
ウト図である。
【図7】公知のフレーム転送センサを示すレイアウト図
である。
である。
【図8】公知の中間転送センサを示すレイアウト図であ
る。
る。
【図9】公知の時間遅延および積分線形センサを示すレ
イアウト図である。
イアウト図である。
【図10】多タップ型水平読出しレジスタを示すレイア
ウト図である。
ウト図である。
100 センサ 102 イメージ化セクション 104 読出しセクション 106 読出しサブセクション 108 出力バッファ増幅器 110 中間レジスタ 112 水平読出しレジスタ・セグメント 114 分離レジスタ 116 出力ノード構造 122 半導体ウエーハ 124 埋込チャネル 126 出力ノード拡散部 128 ドレーン拡散部 130 DC電源 132 セット・ゲート電極 134 リセット・ゲート電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 598038326 605 McMurray Road,Wa terloo,Ontario N2V 2E9,Canada (72)発明者 エリック・シー・フォックス カナダ国エヌ2ティー 1ジー2 オンタ リオ,ウォータールー,サンドフォード・ フレミング・ドライブ 184 (72)発明者 コリン・ジェイ・フラッド カナダ国エヌ2エイチ 3エイ9 オンタ リオ,ノース・キッチェナー,キャメロ ン・ストリート 168 (72)発明者 サイマン・ジー・イングラム カナダ国エヌ2ティー 2エイブイ オン タリオ,ウォータールー,ソーンデイル・ ドライブ 507 (72)発明者 ステイシー・アール・カマスズ カナダ国エヌ2シー 1ジェイ4 オンタ リオ,キッチェナー,ヴァニアー・ドライ ブ 809−37
Claims (44)
- 【請求項1】 列方向を画定し複数のイメージ化サブセ
クションを含むイメージ化セクションを有する電荷結合
デバイスにおける第1の出力ノード構造と複数の読出し
サブセクションとを含む読出しセクションにおいて、 第1の各イメージ化サブセクションに結合され、第1の
複数の中間レジスタと第1の水平レジスタ・セグメント
とを含む第1の読出しサブセクションであって、前記第
1の複数の中間レジスタの第1の中間レジスタが第1の
中間方向を画定し、該第1の中間方向が列方向と平行で
はない第1の読出しサブセクションと、 第2の各イメージ化サブセクションに結合され、第2の
複数の中間レジスタと第2の水平レジスタ・セグメント
とを含み、レイアウト領域が前記第1と第2の読出しサ
ブセクション間に画定される第2の読出しサブセクショ
ンと、を備え、 前記第1の出力ノード構造が前記第1の水平レジスタ・
セグメントに結合され、前記レイアウト領域内に配置さ
れる、読出しセクション。 - 【請求項2】 前記第1の水平レジスタ・セグメント
が、各々が前記第1の複数の中間レジスタの対応する中
間レジスタに結合される複数の第1の水平レジスタ要素
を有する請求項1記載の読出しセクション。 - 【請求項3】 前記第1の水平レジスタ・セグメントと
前記第1の出力ノード構造との間のレイアウト領域内に
配置された第1の分離レジスタを更に備える請求項1記
載の読出しセクション。 - 【請求項4】 前記第1の水平レジスタ・セグメント
と、前記第1の分離レジスタと前記第1の出力ノード構
造とが共線状である請求項3記載の読出しセクション。 - 【請求項5】 前記分離レジスタが少なくとも2つの分
離レジスタ要素を含む請求項3記載の読出しセクショ
ン。 - 【請求項6】 前記第1の水平レジスタ・セグメントが
第1の水平レジスタ・セグメント方向を画定し、 前記第2の水平レジスタ・セグメントが第2の水平レジ
スタ・セグメント方向を画定し、 前記第2の水平レジスタ・セグメント方向が前記第1の
水平レジスタ・セグメント方向と平行である、請求項1
記載の読出しセクション。 - 【請求項7】 前記第1の水平レジスタ・セグメント
が、列方向と直角をなす第1の水平レジスタ・セグメン
ト方向を画定し、 前記第2の水平レジスタ・セグメントが、第2の水平レ
ジスタ・セグメント方向を画定し、該第2の水平レジス
タ・セグメント方向が前記第1の水平レジスタ・セグメ
ント方向と平行である、請求項1記載の読出しセクショ
ン。 - 【請求項8】 前記第2の複数の中間レジスタの第1の
中間レジスタが第2の中間方向を画定し、 前記第2の中間方向が前記第1の中間方向と平行ではな
く、 前記第2の中間方向が前記列方向と平行ではない、請求
項1記載の読出しセクション。 - 【請求項9】 前記第1の複数の中間レジスタの前記第
1の中間レジスタが、第1の複数のレジスタ要素を含
み、前記第1の複数のレジスタ要素の第1のレジスタ要
素が第1の周辺により特徴付けられ、 前記第1の周辺が、前記第1の複数のレジスタ要素の第
1のレジスタ要素が矩形状でない平行四辺形であること
を特徴付ける、請求項1記載の読出しセクション。 - 【請求項10】 前記第1の複数のレジスタ要素の第2
のレジスタ要素が第2の周辺により特徴付けられ、 前記第2の周辺が、前記第1の複数のレジスタ要素の第
2のレジスタ要素が矩形状でない平行四辺形であること
を特徴付ける、請求項9記載の読出しセクション。 - 【請求項11】 前記第1の周辺の大きさと形状が前記
第2の周辺の大きさと形状とに実質的に等しい請求項1
0記載の読出しセクション。 - 【請求項12】 前記第1の複数の中間レジスタの第2
の中間レジスタが第2の中間方向を画定し、 前記第2の中間方向が前記第1の中間方向と平行(co
−parallel)である、請求項9記載の読出しセ
クション。 - 【請求項13】 前記第2の中間レジスタが第2の複数
のレジスタ要素を含み、前記第2の複数のレジスタ要素
の第1のレジスタ要素が第2の周辺により特徴付けら
れ、 前記第2の周辺が、前記第2の複数のレジスタ要素の第
1のレジスタ要素が矩形状でない平行四辺形であること
を特徴付ける、請求項12記載の読出しセクション。 - 【請求項14】 前記第1および第2の周辺が大きさお
よび形状において実質的に等しい請求項13記載の読出
しセクション。 - 【請求項15】 前記第1の複数の中間レジスタの第2
の中間レジスタが第2の中間方向を画定し、 前記第2の中間方向が前記第1の中間方向と平行でな
く、 前記第2の中間方向が前記列方向と平行でない、請求項
1記載の読出しセクション。 - 【請求項16】 前記第1の複数の中間レジスタの第1
の中間レジスタが第1の複数のレジスタ要素を含み、該
第1の複数のレジスタ要素の第1のレジスタ要素が第1
の周辺により特徴付けられ、 前記第1の周辺が、前記第1の複数のレジスタ要素の第
1のレジスタ要素が台形であることを特徴付ける、請求
項1記載の読出しセクション。 - 【請求項17】 前記第1の複数のレジスタ要素の第2
のレジスタ要素が第2の周辺により特徴付けられ、 前記第2の周辺が、前記第1の複数のレジスタ要素の第
2のレジスタ要素が台形であることを特徴付ける請求項
16記載の読出しセクション。 - 【請求項18】 前記第1の周辺の大きさと形状とが前
記第2の周辺の大きさと形状とに等しい請求項17記載
の読出しセクション。 - 【請求項19】 前記第1の周辺の面積が前記第2の周
辺の面積に実質的に等しく、 前記第1の周辺の形状が前記第2の周辺の形状に等しく
ない、請求項17記載の読出しセクション。 - 【請求項20】 前記第1の複数の中間レジスタの第2
の中間レジスタが第2の中間方向を画定し、 前記第2の中間方向が前記第1の中間方向と平行でな
い、請求項16記載の読出しセクション。 - 【請求項21】 前記第2の中間レジスタが第2の複数
のレジスタ要素を含み、前記第2の複数のレジスタ要素
の第1のレジスタ要素が第2の周辺により特徴付けら
れ、 前記第2の周辺が、前記第2の複数のレジスタ要素の第
1のレジスタ要素が台形であることを特徴付ける請求項
20記載の読出しセクション。 - 【請求項22】 前記第1と第2の周辺が大きさと形状
とにおいて実質的に等しい請求項21記載の読出しセク
ション。 - 【請求項23】 列方向を画定し複数のイメージ化サブ
セクションを含むイメージ化セクションを有する電荷結
合デバイスに対する読出しセクションを形成する方法で
あって、読出しセクションが複数の読出しサブセクショ
ンを含み、第1の読出しサブセクションが第1の各イメ
ージ化サブセクションに結合され、第2の読出しサブセ
クションが第2の各イメージ化サブセクションに結合さ
れる方法において、 第1の複数の中間レジスタと第1の水平レジスタ・セグ
メントとを含むように前記第1の読出しサブセクション
を形成し、前記第1の複数の中間レジスタの第1の中間
レジスタが第1の中間方向を画定し、前記第1の中間方
向が列方向と平行ではない、ステップと、 第2の複数の中間レジスタと第2の水平レジスタ・セグ
メントとを含むように第2の読出しサブセクションを形
成するステップと、を含み、該第1および第2の読出し
サブセクションを形成するステップが前記第1および第
2の読出しサブセクション間にレイアウト領域を画定
し、 前記第1の出力ノード構造が前記レイアウト領域内に配
置されるように、前記第1の水平レジスタ・セグメント
に結合された第1の出力ノード構造を形成するステッ
プ、を含む方法。 - 【請求項24】 前記第1の水平レジスタ・セグメント
が、複数の第1の水平レジスタ要素を持つように形成さ
れ、第1の各水平レジスタ要素が、前記第1の複数の中
間レジスタの対応する中間レジスタに結合されるように
形成される請求項23記載の方法。 - 【請求項25】 前記第1の水平レジスタ・セグメント
と前記第1の出力ノード構造間のレイアウト領域内に配
置された第1の分離レジスタを形成するステップを更に
含む請求項23記載の方法。 - 【請求項26】 前記第1の水平レジスタ・セグメント
と、前記第1の分離レジスタと前記第1の出力ノード構
造とが共線状に形成される請求項25記載の方法。 - 【請求項27】 前記分離レジスタが少なくとも2つの
分離レジスタ要素を含むように形成される請求項25記
載の方法。 - 【請求項28】 前記第1の水平レジスタ・セグメント
が第1の水平レジスタ・セグメント方向を画定し、 前記第2の水平レジスタ・セグメントが第2の水平レジ
スタ・セグメント方向を画定し、 前記第2の水平レジスタ・セグメント方向が前記第1の
水平レジスタ・セグメント方向と平行である、請求項2
3記載の方法。 - 【請求項29】 前記第1の水平レジスタ・セグメント
が、前記列方向と直角をなす第1の水平レジスタ・セグ
メント方向を画定し、 前記第2の水平レジスタ・セグメント方向が前記第1の
水平レジスタ・セグメント方向と平行である第2の水平
レジスタ・セグメント方向を画定する、請求項23記載
の方法。 - 【請求項30】 前記第2の複数の中間レジスタの第1
の中間レジスタが第2の中間方向を画定し、 前記第2の中間方向が前記第1の中間方向と平行でな
く、 前記第2の中間方向が前記列方向と平行でない、請求項
23記載の方法。 - 【請求項31】 前記第1の複数の中間レジスタの第1
の中間レジスタが第1の複数のレジスタ要素を含むよう
に形成され、前記第1の複数のレジスタ要素の第1のレ
ジスタ要素が第1の周辺により特徴付けられ、 前記第1の周辺が、前記第1の複数のレジスタ要素の第
1のレジスタ要素が矩形状でない平行四辺形であること
を特徴付ける、請求項23記載の方法。 - 【請求項32】 前記第1の複数のレジスタ要素の第2
のレジスタ要素が第2の周辺により特徴付けられ、 前記第2の周辺が、前記第1の複数のレジスタ要素の第
2のレジスタ要素が矩形状でない平行四辺形であること
を特徴付ける、請求項31記載の方法。 - 【請求項33】 前記第1の周辺の大きさと形状とが前
記第2の周辺の大きさと形状とに実質的に等しい請求項
32記載の方法。 - 【請求項34】 前記第1の複数の中間レジスタの第2
の中間レジスタが第2の中間方向を画定し、 前記第2の中間方向が前記第1の中間方向と平行であ
る、請求項31記載の方法。 - 【請求項35】 前記第2の中間レジスタが第2の複数
のレジスタ要素を含むように形成され、前記第2の複数
のレジスタ要素の第1のレジスタ要素が第2の周辺によ
り特徴付けられ、 前記第2の周辺が、前記第2の複数のレジスタ要素の第
1のレジスタ要素が矩形状でない平行四辺形であること
を特徴付ける、請求項34記載の方法。 - 【請求項36】 前記第1および第2の周辺が大きさと
形状において実質的に等しい請求項35記載の方法。 - 【請求項37】 前記第1の複数の中間レジスタの第2
の中間レジスタが第2の中間方向を画定し、 前記第2の中間方向が前記第1の中間方向と平行でな
く、 前記第2の中間方向が前記列方向と平行でない、請求項
23記載の方法。 - 【請求項38】 前記第1の複数の中間レジスタの第1
の中間レジスタが、第1の複数のレジスタ要素を含むよ
うに形成され、前記第1の複数のレジスタ要素の第1の
レジスタ要素が第1の周辺により特徴付けられ、 前記第1の周辺が、前記第1の複数のレジスタ要素の第
1のレジスタ要素が台形であることを特徴付ける、請求
項23記載の方法。 - 【請求項39】 前記第1の複数のレジスタ要素の第2
のレジスタ要素が第2の周辺により特徴付けられ、 前記第2の周辺が、前記第1の複数のレジスタ要素の第
2のレジスタ要素が台形であることを特徴付ける、請求
項38記載の方法。 - 【請求項40】 前記第1の周辺の大きさと形状とが前
記第2の周辺の大きさと形状とに等しくない請求項39
記載の方法。 - 【請求項41】 前記第1の周辺の面積が前記第2の周
辺の面積と実質的に等しく、 前記第1の周辺の形状が前記第2の周辺の形状と等しく
ない、請求項39記載の方法。 - 【請求項42】 前記第1の複数の中間レジスタの第2
の中間レジスタが第2の中間方向を画定し、 前記第2の中間方向が前記第1の中間方向と平行でな
い、請求項38記載の方法。 - 【請求項43】 前記第2の中間レジスタが第2の複数
のレジスタ要素を含むように形成され、前記第2の複数
のレジスタ要素の第1のレジスタ要素が第2の周辺によ
り特徴付けられ、 前記第2の周辺が、前記第2の複数のレジスタ要素の第
1のレジスタ要素が台形であることを特徴付ける、請求
項42記載の方法。 - 【請求項44】 前記第1および第2の周辺が大きさと
形状とにおいて実質的に等しい請求項43記載の方法。
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