JPH11274862A - 電流電圧変換回路 - Google Patents
電流電圧変換回路Info
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- JPH11274862A JPH11274862A JP10078769A JP7876998A JPH11274862A JP H11274862 A JPH11274862 A JP H11274862A JP 10078769 A JP10078769 A JP 10078769A JP 7876998 A JP7876998 A JP 7876998A JP H11274862 A JPH11274862 A JP H11274862A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 広帯域範囲において、周波数特性の安定した
電流電圧変換回路を提供する。 【解決手段】 ベースに受光素子PDが接続されるトラ
ンジスタ5と、トランジスタ5のコレクタに接続された
抵抗R3と、ベースがトランジスタ5のコレクタに、エ
ミッタがトランジスタ5のベースに接続されたトランジ
スタ7と、トランジスタ7のコレクタに接続される抵抗
R4とから成り、トランジスタ7のコレクタ電圧を出力
電圧Voutとする。
電流電圧変換回路を提供する。 【解決手段】 ベースに受光素子PDが接続されるトラ
ンジスタ5と、トランジスタ5のコレクタに接続された
抵抗R3と、ベースがトランジスタ5のコレクタに、エ
ミッタがトランジスタ5のベースに接続されたトランジ
スタ7と、トランジスタ7のコレクタに接続される抵抗
R4とから成り、トランジスタ7のコレクタ電圧を出力
電圧Voutとする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、IC化に好適であ
り、受光素子の出力電流を電圧変換する電流電圧変換回
路に関する。
り、受光素子の出力電流を電圧変換する電流電圧変換回
路に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、CDプレーヤーや赤外線通信機
においては、レザー光や赤外線等を受光する受光素子が
備えられている。一般に、受光素子としてフォトダイオ
ードが使用され、受光された光の強度に応じて出力電流
が発生する。この受光素子からは電流モードで出力信号
が発生するが、受光素子の後段の信号処理する回路は電
圧モードで動作する。従って、受光素子と信号処理回路
との間には受光素子の出力電流を電圧変換する電流電圧
変換回路が必要となる。図3はIC化された従来の電流
電圧変換回路を示す。
においては、レザー光や赤外線等を受光する受光素子が
備えられている。一般に、受光素子としてフォトダイオ
ードが使用され、受光された光の強度に応じて出力電流
が発生する。この受光素子からは電流モードで出力信号
が発生するが、受光素子の後段の信号処理する回路は電
圧モードで動作する。従って、受光素子と信号処理回路
との間には受光素子の出力電流を電圧変換する電流電圧
変換回路が必要となる。図3はIC化された従来の電流
電圧変換回路を示す。
【0003】図3において、抵抗R1の電圧降下により
電圧Vxが発生し、電圧Vxはトランジスタ1のベース
に印加される。電圧Vxのレベルに応じてトランジスタ
1に微小電流が流れ、前記微小電流を増幅した分に相当
するコレクタ電流がトランジスタ1に流れる。コレクタ
電流に応じて抵抗R2に電圧降下が発生し、電圧降下に
よって得られたトランジスタ1のコレクタ電圧VC1が
トランジスタ2のベースに印加される。
電圧Vxが発生し、電圧Vxはトランジスタ1のベース
に印加される。電圧Vxのレベルに応じてトランジスタ
1に微小電流が流れ、前記微小電流を増幅した分に相当
するコレクタ電流がトランジスタ1に流れる。コレクタ
電流に応じて抵抗R2に電圧降下が発生し、電圧降下に
よって得られたトランジスタ1のコレクタ電圧VC1が
トランジスタ2のベースに印加される。
【0004】また、トランジスタ2及びトランジスタ3
によりバッファ回路が構成される。このバッファ回路に
おいて、トランジスタ3のベース電圧を出力電圧Vou
tとすると、電圧VC1と出力電圧Voutとの差電圧
に応じて、トランジスタ2及び3からコレクタ電流が発
生する。そのうちトランジスタ2のコレクタ電流は電流
ミラー回路4で反転され、電流ミラー回路4の出力電流
はトランジスタ3のコレクタ電流と引き算される。電流
ミラー回路4の出力電流とトランジスタ3のコレクタ電
流との差電流はトランジスタ3のベースに帰還される。
この帰還により、バッファ回路はトランジスタ2及び3
のベース電圧が同一電圧になるように動作し、その結果
トランジスタ1のコレクタ電圧が出力電圧Voutとし
て発生する。
によりバッファ回路が構成される。このバッファ回路に
おいて、トランジスタ3のベース電圧を出力電圧Vou
tとすると、電圧VC1と出力電圧Voutとの差電圧
に応じて、トランジスタ2及び3からコレクタ電流が発
生する。そのうちトランジスタ2のコレクタ電流は電流
ミラー回路4で反転され、電流ミラー回路4の出力電流
はトランジスタ3のコレクタ電流と引き算される。電流
ミラー回路4の出力電流とトランジスタ3のコレクタ電
流との差電流はトランジスタ3のベースに帰還される。
この帰還により、バッファ回路はトランジスタ2及び3
のベース電圧が同一電圧になるように動作し、その結果
トランジスタ1のコレクタ電圧が出力電圧Voutとし
て発生する。
【0005】受光素子PDとしてのフォトダイオードは
等価的に電流源4で表され、電流源4と並列に寄生容量
及び配線容量に相当するコンデンサーC1が接続され
る。光の強度に応じて出力電流isが電流源4から出力
される。電流isが抵抗R1に流れ、抵抗R1で電圧変
換される。抵抗R1で電圧変換された電圧はバッファ回
路を介して出力電圧Voutとして出力される。
等価的に電流源4で表され、電流源4と並列に寄生容量
及び配線容量に相当するコンデンサーC1が接続され
る。光の強度に応じて出力電流isが電流源4から出力
される。電流isが抵抗R1に流れ、抵抗R1で電圧変
換される。抵抗R1で電圧変換された電圧はバッファ回
路を介して出力電圧Voutとして出力される。
【0006】次に、図3の動作を伝達式を用いて説明す
る。各々のトランジスタのベース電流が微少であるとし
て無視することができるので、抵抗R1に流れる電流は
コンデンサーC1に充電された電荷量及び電流源1の電
流isとに等しくなる。これらの電流の関係を式で示す
と、
る。各々のトランジスタのベース電流が微少であるとし
て無視することができるので、抵抗R1に流れる電流は
コンデンサーC1に充電された電荷量及び電流源1の電
流isとに等しくなる。これらの電流の関係を式で示す
と、
【0007】
【数1】
【0008】となる。但し、トランジスタ3のベース−
エミッタ間電圧Vbeは、電圧VoutやVxより十分
小さいとして無視することができる。また、トランジス
タ1のコレクタとサブストレートとの間に寄生容量C2
が発生する。この寄生容量C2に流れる電流と抵抗R2
に流れる電流は、トランジスタ1に流れるエミッタ電流
に等しい。トランジスタ1のエミッタ抵抗をreとする
と、電圧Vxがエミッタ抵抗reにかかる電圧であるの
で、トランジスタ1のエミッタ電流はVx/reとな
る。よって、トランジスタ1における電流関係式は、
エミッタ間電圧Vbeは、電圧VoutやVxより十分
小さいとして無視することができる。また、トランジス
タ1のコレクタとサブストレートとの間に寄生容量C2
が発生する。この寄生容量C2に流れる電流と抵抗R2
に流れる電流は、トランジスタ1に流れるエミッタ電流
に等しい。トランジスタ1のエミッタ抵抗をreとする
と、電圧Vxがエミッタ抵抗reにかかる電圧であるの
で、トランジスタ1のエミッタ電流はVx/reとな
る。よって、トランジスタ1における電流関係式は、
【0009】
【数2】
【0010】となる。但し、トランジスタ2のコレクタ
電圧は出力電圧Voutと等しいとする。式1及び2か
ら出力電圧Voutについて展開し、図3の電流電圧変
換回路の伝達関数を求めると、
電圧は出力電圧Voutと等しいとする。式1及び2か
ら出力電圧Voutについて展開し、図3の電流電圧変
換回路の伝達関数を求めると、
【0011】
【数3】
【0012】となる。但し、R1/re=A、jωC1
・re=S1、jωC2・R2=S2である。式3に
は、出力電圧Voutが抵抗Rにより電圧変換されるこ
とが示されている。
・re=S1、jωC2・R2=S2である。式3に
は、出力電圧Voutが抵抗Rにより電圧変換されるこ
とが示されている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】図3の電流電圧変換回
路では、式5から明らかなように伝達関数に寄生容量C
1の項が存在する。この寄生容量は無視できないほど大
きいので、従来の電流電圧変換回路の特性は寄生容量C
1に依存することになり、電流電圧変換回路の周波数特
性は正確に設定されなかった。特に、図3の電流電圧発
生回路には遮断周波数が設定されているが、遮断周波数
も寄生容量C1に依存されるので、寄生容量C1により
所望の遮断周波数を得ることができない。
路では、式5から明らかなように伝達関数に寄生容量C
1の項が存在する。この寄生容量は無視できないほど大
きいので、従来の電流電圧変換回路の特性は寄生容量C
1に依存することになり、電流電圧変換回路の周波数特
性は正確に設定されなかった。特に、図3の電流電圧発
生回路には遮断周波数が設定されているが、遮断周波数
も寄生容量C1に依存されるので、寄生容量C1により
所望の遮断周波数を得ることができない。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、受光素子の出
力電流を電圧に変換する電流電圧変換回路であって、ベ
ースに前記受光素子が接続される第1トランジスタと、
該第1トランジスタのコレクタに接続された第1抵抗と、
ベースが前記第1トランジスタのコレクタに、エミッタ
が前記第1トランジスタのベースに接続された第2トラ
ンジスタと、該第2トランジスタのコレクタに接続され
る第2抵抗とから成り、前記第2トランジスタのコレク
タ電圧を出力電圧とすることを特徴とする。
力電流を電圧に変換する電流電圧変換回路であって、ベ
ースに前記受光素子が接続される第1トランジスタと、
該第1トランジスタのコレクタに接続された第1抵抗と、
ベースが前記第1トランジスタのコレクタに、エミッタ
が前記第1トランジスタのベースに接続された第2トラ
ンジスタと、該第2トランジスタのコレクタに接続され
る第2抵抗とから成り、前記第2トランジスタのコレク
タ電圧を出力電圧とすることを特徴とする。
【0015】さらに、基準電圧より高い第1所定電圧及
び基準電圧より低い第2所定電圧により、前記第2トラ
ンジスタのコレクタ電圧を制限するリミッタ回路を備え
ることを特徴とする。特に、前記基準電圧を発生する回
路は、エミッタが前記第1トランジスタのエミッタと共
通接続される第3トランジスタと、該第3トランジスタ
のコレクタに接続された第3抵抗と、ベースが前記第3
トランジスタのコレクタにかつエミッタが前記第3トラ
ンジスタのベースに接続された第4トランジスタと、該
第4トランジスタのコレクタに接続される第2抵抗とか
ら成ることを特徴とする。
び基準電圧より低い第2所定電圧により、前記第2トラ
ンジスタのコレクタ電圧を制限するリミッタ回路を備え
ることを特徴とする。特に、前記基準電圧を発生する回
路は、エミッタが前記第1トランジスタのエミッタと共
通接続される第3トランジスタと、該第3トランジスタ
のコレクタに接続された第3抵抗と、ベースが前記第3
トランジスタのコレクタにかつエミッタが前記第3トラ
ンジスタのベースに接続された第4トランジスタと、該
第4トランジスタのコレクタに接続される第2抵抗とか
ら成ることを特徴とする。
【0016】また、前記リミッタ回路は、アノードに前
記第2トランジスタのコレクタ電圧が、カソードに前記
基準電圧が印加される第1ダイオードと、アノードに前
記基準電圧が、カソードに前記第2トランジスタのコレ
クタ電圧が印加される第2ダイオードとから成ることを
特徴とする。本発明によれば、電流電圧変換回路の伝達
関数に受光素子に発生する寄生容量の項を存在させない
ようにすることができ、その結果受光素子に発生する寄
生容量による影響のない電流電圧発生回路を提供するこ
とができる。
記第2トランジスタのコレクタ電圧が、カソードに前記
基準電圧が印加される第1ダイオードと、アノードに前
記基準電圧が、カソードに前記第2トランジスタのコレ
クタ電圧が印加される第2ダイオードとから成ることを
特徴とする。本発明によれば、電流電圧変換回路の伝達
関数に受光素子に発生する寄生容量の項を存在させない
ようにすることができ、その結果受光素子に発生する寄
生容量による影響のない電流電圧発生回路を提供するこ
とができる。
【0017】
【発明の実施の形態】図1は本発明の実施の形態を示す
図であり、5はベースに受光素子PDが接続されるトラ
ンジスタ、6はトランジスタ5のコレクタに接続された
抵抗R3、7はベースが第1トランジスタ5のコレクタ
に、エミッタがトランジスタ5のベースに接続されたト
ランジスタ、8は第2トランジスタのコレクタに接続さ
れる抵抗R4である。
図であり、5はベースに受光素子PDが接続されるトラ
ンジスタ、6はトランジスタ5のコレクタに接続された
抵抗R3、7はベースが第1トランジスタ5のコレクタ
に、エミッタがトランジスタ5のベースに接続されたト
ランジスタ、8は第2トランジスタのコレクタに接続さ
れる抵抗R4である。
【0018】図1において、トランジスタ7に電流が流
れることによりトランジスタ7のコレクタ電流が抵抗R
1に供給され、抵抗R1の電圧降下とトランジスタ7の
エミッタ−コレクタ間電圧とにより電圧Vxが発生し、
この電圧Vxはトランジスタ5のベースに印加される。
電圧Vxのレベルに応じてトランジスタ5のベースに微
小電流が流れ、前記微小電流を増幅した分に相当するコ
レクタ電流がトランジスタ5に流れる。コレクタ電流に
応じて抵抗R3に電圧降下が発生し、電圧降下によって
得られたトランジスタ5のコレクタ電圧VC2がトラン
ジスタ7のベースに印加される。
れることによりトランジスタ7のコレクタ電流が抵抗R
1に供給され、抵抗R1の電圧降下とトランジスタ7の
エミッタ−コレクタ間電圧とにより電圧Vxが発生し、
この電圧Vxはトランジスタ5のベースに印加される。
電圧Vxのレベルに応じてトランジスタ5のベースに微
小電流が流れ、前記微小電流を増幅した分に相当するコ
レクタ電流がトランジスタ5に流れる。コレクタ電流に
応じて抵抗R3に電圧降下が発生し、電圧降下によって
得られたトランジスタ5のコレクタ電圧VC2がトラン
ジスタ7のベースに印加される。
【0019】また、電圧Vxのレベルに応じて抵抗R3
に流れる電流が分流されてトランジスタ7のベースに微
小電流が流れ、前記微小電流を増幅した分に相当するコ
レクタ電流がトランジスタ7に流れる。コレクタ電流に
応じて抵抗R4に電圧降下が発生し、電圧降下によって
得られたトランジスタ7のコレクタ電圧が出力電圧Vo
utとして出力される。トランジスタ7のエミッタ電流
は主に定電流源4及び寄生容量C1に流れる。そして、
トランジスタ7のエミッタ電流の一部の微小電流がトラ
ンジスタ5のベースに供給される。トランジスタ5のコ
レクタ電流及びトランジスタ7のエミッタ電流はそれぞ
れトランジスタ7のエミッタ電流及びトランジスタ5の
コレクタ電流の一部により設定され、ループが形成され
る。その結果、トランジスタ5及び7に流れる電流がバ
ランスされる。
に流れる電流が分流されてトランジスタ7のベースに微
小電流が流れ、前記微小電流を増幅した分に相当するコ
レクタ電流がトランジスタ7に流れる。コレクタ電流に
応じて抵抗R4に電圧降下が発生し、電圧降下によって
得られたトランジスタ7のコレクタ電圧が出力電圧Vo
utとして出力される。トランジスタ7のエミッタ電流
は主に定電流源4及び寄生容量C1に流れる。そして、
トランジスタ7のエミッタ電流の一部の微小電流がトラ
ンジスタ5のベースに供給される。トランジスタ5のコ
レクタ電流及びトランジスタ7のエミッタ電流はそれぞ
れトランジスタ7のエミッタ電流及びトランジスタ5の
コレクタ電流の一部により設定され、ループが形成され
る。その結果、トランジスタ5及び7に流れる電流がバ
ランスされる。
【0020】上記の平衡状態にて、受光素子PDとして
のフォトダイオードは等価的に電流源4で表される。
尚、図1の回路をIC化すると、寄生容量及び配線容量
が発生し、図1において電流源4と並列に寄生容量と配
線容量とに相当するコンデンサーC1が接続される。光
の強度に応じて出力電流isが電流源4から出力され
る。電流isはトランジスタ7及び抵抗R4に流れ、抵
抗R4で電圧変換される。抵抗R1で電圧変換された電
圧は出力電圧Voutとして出力される。電圧Vout
は、図1の平衡状態時に発生する電圧に、電流isを電
圧変換した電圧が重畳されている。
のフォトダイオードは等価的に電流源4で表される。
尚、図1の回路をIC化すると、寄生容量及び配線容量
が発生し、図1において電流源4と並列に寄生容量と配
線容量とに相当するコンデンサーC1が接続される。光
の強度に応じて出力電流isが電流源4から出力され
る。電流isはトランジスタ7及び抵抗R4に流れ、抵
抗R4で電圧変換される。抵抗R1で電圧変換された電
圧は出力電圧Voutとして出力される。電圧Vout
は、図1の平衡状態時に発生する電圧に、電流isを電
圧変換した電圧が重畳されている。
【0021】次に、図1の動作を伝達式を用いて説明す
る。まず、トランジスタ7のコレクタとサブストレート
との間に寄生容量C3が発生する。また、各々のトラン
ジスタのベース電流が微少であるとして無視することが
できるとすると、抵抗R4に流れる電流及び寄生容量C
3に流れる電流はコンデンサーC1に充電された電荷量
及び電流源1の電流isとに等しくなる。これらの電流
の関係を式で示すと、
る。まず、トランジスタ7のコレクタとサブストレート
との間に寄生容量C3が発生する。また、各々のトラン
ジスタのベース電流が微少であるとして無視することが
できるとすると、抵抗R4に流れる電流及び寄生容量C
3に流れる電流はコンデンサーC1に充電された電荷量
及び電流源1の電流isとに等しくなる。これらの電流
の関係を式で示すと、
【0022】
【数4】
【0023】となる。但し、トランジスタ7のエミッタ
に接続される抵抗は十分に小さく、この抵抗に流れる電
流を無視することができる。また、トランジスタ5のコ
レクタとサブストレートとの間にも寄生容量C2が発生
する。この寄生容量C2に流れる電流と抵抗R3に流れ
る電流は、トランジスタ5に流れるエミッタ電流に等し
い。トランジスタ5のエミッタ抵抗をreとすると、電
圧Vxがエミッタ抵抗reにかかる電圧であるので、ト
ランジスタ1のエミッタ電流はVx/reとなる。よっ
て、トランジスタ1における電流関係式は、
に接続される抵抗は十分に小さく、この抵抗に流れる電
流を無視することができる。また、トランジスタ5のコ
レクタとサブストレートとの間にも寄生容量C2が発生
する。この寄生容量C2に流れる電流と抵抗R3に流れ
る電流は、トランジスタ5に流れるエミッタ電流に等し
い。トランジスタ5のエミッタ抵抗をreとすると、電
圧Vxがエミッタ抵抗reにかかる電圧であるので、ト
ランジスタ1のエミッタ電流はVx/reとなる。よっ
て、トランジスタ1における電流関係式は、
【0024】
【数5】
【0025】となる。但し、トランジスタ7のベース−
エミッタ間電圧Vbeは、Vxより十分小さいとして無
視することができる。式1及び2から出力電圧Vout
について展開し、図3の電流電圧変換回路の伝達関数を
求めると、
エミッタ間電圧Vbeは、Vxより十分小さいとして無
視することができる。式1及び2から出力電圧Vout
について展開し、図3の電流電圧変換回路の伝達関数を
求めると、
【0026】
【数6】
【0027】となる。但し、jωC3・R4=S4であ
る。式6には、出力電圧Voutが抵抗Rにより電圧変
換されることが示されている。ここで、図1の電流電圧
変換回路の伝達関数を見ると、寄生容量C1の項はな
く、寄生容量C3の項のみが存在する。図1の電流電圧
変換回路の周波数特性は寄生容量C3だけに依存され
る。一般に、トランジスタ7のコレクタ−サブストレー
ト間の寄生容量C3は受光素子としてのフォトダイオー
ドの寄生容量C1の1/2〜1/30程度小さいので、
寄生容量C1に影響を受ける従来例に比べ、図1の回路
の周波数特性は正確に設定される。図2は、図1の電流
電圧変換回路を応用した実施の形態である。9は基準電
圧発生回路であり、図1の電流電圧発生回路と同一構成
である。従って、図1の電流電圧変換回路の動作と同一
の動作が行われて、基準電圧Vrefが発生する。つま
り、上記したように、トランジスタ10のコレクタ電流
とトランジスタ11のエミッタ電流とがバランスされる
ことにより、トランジスタ11から一定のエミッタ電流
が流れ、その結果一定レベルの基準電圧Vrefが発生
する。この基準電圧Vrefはバッファ回路13に印加
され、インピーダンス変換された後リミッタ回路14に
印加される。また、トランジスタ7のコレクタ電圧もバ
ッファ回路15に印加され、インピーダンス変換された
後リミッタ回路14に印加される。リミッタ回路14は
ダイオード14a及び14bで接続されて成り、基準電
圧Vrefを中心として基準電圧Vrefにダイオード
のオン電圧VDを加算したレベルをしきい値に設定して
いる。よって、バッファ回路15の出力電圧がVref
±VDの範囲内のとき、バッファ回路15の出力電圧が
出力電圧Voutとして出力される。また、バッファ回
路15の出力電圧がVref±VDの範囲外のとき、ダ
イオード14a及び14bのいずれか一方がオンし、出
力電圧VoutとしてVref+VDまたはVref−
VDが出力される。ところで、基準電圧発生回路9とし
て、電圧電流変換回路と同一の回路を用いている。同一
構成にすることにより、基準電圧Vrefは電流電圧発
生回路の出力直流電圧と等しくなり、リミット動作のバ
ラツキを低減することができる。また、各トランジスタ
のコレクタとサブストレートとの間の寄生容量による特
性変化や、温度特性も、同一構成をとることにより、特
性変化を相殺でき、出力Voutのバラツキを低減する
ことができる。
る。式6には、出力電圧Voutが抵抗Rにより電圧変
換されることが示されている。ここで、図1の電流電圧
変換回路の伝達関数を見ると、寄生容量C1の項はな
く、寄生容量C3の項のみが存在する。図1の電流電圧
変換回路の周波数特性は寄生容量C3だけに依存され
る。一般に、トランジスタ7のコレクタ−サブストレー
ト間の寄生容量C3は受光素子としてのフォトダイオー
ドの寄生容量C1の1/2〜1/30程度小さいので、
寄生容量C1に影響を受ける従来例に比べ、図1の回路
の周波数特性は正確に設定される。図2は、図1の電流
電圧変換回路を応用した実施の形態である。9は基準電
圧発生回路であり、図1の電流電圧発生回路と同一構成
である。従って、図1の電流電圧変換回路の動作と同一
の動作が行われて、基準電圧Vrefが発生する。つま
り、上記したように、トランジスタ10のコレクタ電流
とトランジスタ11のエミッタ電流とがバランスされる
ことにより、トランジスタ11から一定のエミッタ電流
が流れ、その結果一定レベルの基準電圧Vrefが発生
する。この基準電圧Vrefはバッファ回路13に印加
され、インピーダンス変換された後リミッタ回路14に
印加される。また、トランジスタ7のコレクタ電圧もバ
ッファ回路15に印加され、インピーダンス変換された
後リミッタ回路14に印加される。リミッタ回路14は
ダイオード14a及び14bで接続されて成り、基準電
圧Vrefを中心として基準電圧Vrefにダイオード
のオン電圧VDを加算したレベルをしきい値に設定して
いる。よって、バッファ回路15の出力電圧がVref
±VDの範囲内のとき、バッファ回路15の出力電圧が
出力電圧Voutとして出力される。また、バッファ回
路15の出力電圧がVref±VDの範囲外のとき、ダ
イオード14a及び14bのいずれか一方がオンし、出
力電圧VoutとしてVref+VDまたはVref−
VDが出力される。ところで、基準電圧発生回路9とし
て、電圧電流変換回路と同一の回路を用いている。同一
構成にすることにより、基準電圧Vrefは電流電圧発
生回路の出力直流電圧と等しくなり、リミット動作のバ
ラツキを低減することができる。また、各トランジスタ
のコレクタとサブストレートとの間の寄生容量による特
性変化や、温度特性も、同一構成をとることにより、特
性変化を相殺でき、出力Voutのバラツキを低減する
ことができる。
【0028】
【発明の効果】本発明によれば、受光素子に発生する寄
生容量による影響のない電流電圧発生回路を提供するこ
とができる。特に、IC化した場合には、電流電圧変換
回路の周波数特性が広帯域に安定することを実現するこ
とができる。
生容量による影響のない電流電圧発生回路を提供するこ
とができる。特に、IC化した場合には、電流電圧変換
回路の周波数特性が広帯域に安定することを実現するこ
とができる。
【図1】本発明の実施の形態を示す回路図である。
【図2】本発明の他の実施の形態を示す回路図である。
【図3】従来例を示す回路図である。
4 電流源 9 基準電圧発生回路 13、15 バッファ回路 14 リミッタ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H04B 10/06
Claims (4)
- 【請求項1】 受光素子の出力電流を電圧に変換する電
流電圧変換回路であって、 ベースに前記受光素子が接続される第1トランジスタ
と、 該第1トランジスタのコレクタに接続された第1抵抗と、 ベースが前記第1トランジスタのコレクタに、エミッタ
が前記第1トランジスタのベースに接続された第2トラ
ンジスタと、 該第2トランジスタのコレクタに接続される第2抵抗と
から成り、前記第2トランジスタのコレクタ電圧を出力
電圧とすることを特徴とする電流電圧変換回路。 - 【請求項2】 さらに、基準電圧より高い第1所定電圧
及び基準電圧より低い第2所定電圧により、前記第2ト
ランジスタのコレクタ電圧を制限するリミッタ回路を備
えることを特徴とする請求項1記載の電流電圧変換回
路。 - 【請求項3】 前記基準電圧を発生する回路は、エミッ
タが前記第1トランジスタのエミッタと共通接続される
第3トランジスタと、該第3トランジスタのコレクタに
接続された第3抵抗と、ベースが前記第3トランジスタ
のコレクタにかつエミッタが前記第3トランジスタのベ
ースに接続された第4トランジスタと、該第4トランジ
スタのコレクタに接続される第2抵抗とから成ることを
特徴とする請求項2記載の電流電圧変換回路。 - 【請求項4】 前記リミッタ回路は、アノードに前記第
2トランジスタのコレクタ電圧が、カソードに前記基準
電圧が印加される第1ダイオードと、アノードに前記基
準電圧が、カソードに前記第2トランジスタのコレクタ
電圧が印加される第2ダイオードとから成ることを特徴
とする請求項2記載の電流電圧変換回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10078769A JPH11274862A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 電流電圧変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10078769A JPH11274862A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 電流電圧変換回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11274862A true JPH11274862A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13671122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10078769A Pending JPH11274862A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 電流電圧変換回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11274862A (ja) |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP10078769A patent/JPH11274862A/ja active Pending
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