JPH11274807A - 積層型誘電体フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】入出力インピーダンスの調整範囲を広くとれる
ようにして、フィルタの小型化、低周波数化、低損失
化、反射減衰量の増大化を図る。 【解決手段】多数の誘電体層が積層されて構成され、そ
の外周面に入力端子、出力端子及びアース電極が形成さ
れた積層体１２を具備し、該積層体１２を構成する複数
の誘電体層のうち、第４及び第６の誘電体層の各主面に
それぞれ２本の共振素子（１４ａ、１４ｂ）及び（１６
ａ、１６ｂ）が形成された積層型誘電体フィルタにおい
て、前記共振素子（１４ａ、１４ｂ）及び（１６ａ、１
６ｂ）のうち、下方に位置する入力側の共振素子１６ａ
と入力端子とを引き出し電極６８ａを介して直接接続
し、下方に位置する出力側の共振素子１６ｂと出力端子
とを引き出し電極６８ｂを介して直接接続して構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層型誘電体フィ
ルタに関し、特に、携帯用電話機等の高周波回路無線機
器に利用する高周波回路フィルタや、アンテナデュプレ
クサ等に使用される積層型誘電体フィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、積層型誘電体フィルタの構成と
しては、外周面に入力端子、出力端子及びアース電極が
形成された誘電体層内に一端部がアース電極に接続され
る１／４波長型ストリップライン共振器からなる複数の
共振素子が所定間隔で形成された積層型誘電体フィルタ
が知られている（例えば特開平６−１２０７０３号公
報、特開平６−１２０７０４号公報参照）。

【０００３】これらの積層型誘電体フィルタにおいて
は、前記誘電体層内において前記共振素子の開放端側と
対向する内層アース電極を設けるようにしているため、
積層型誘電体フィルタ全体の長さを短くすることができ
る。

【０００４】特に、誘電体層内に、前記複数の共振素子
に対して容量結合された結合調整電極を設けるようにし
た場合においては、積層型誘電体フィルタを小型化して
もフィルタの特性が広帯域化しすぎることがない積層型
誘電体フィルタを得ることができる。また、共振素子と
結合調整電極間の静電容量値を調整することによって、
高周波側に減衰ピークをもったフィルタや低周波側に減
衰ピークをもったフィルタを選択的に得ることができ
る。

【０００５】更に、入力端子と入力側の共振素子間に入
力用電極を設けるようにしたフィルタも提案されている
（例えば特開平６−１２０７０３号公報参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述のような積層型誘
電体フィルタにおいては、携帯電話等の無線通信システ
ムの多様化に伴い、その小型化や周波数の低い無線シス
テム用フィルタの要求が増加している。

【０００７】そこで、従来から、積層体を構成する複数
の誘電体層のうち、少なくとも２つの誘電体層の各主面
にそれぞれ少なくとも２本の片側短絡型の共振素子を形
成する、即ち、共振素子を積層状に重ねることで、更に
共振素子と内層アース電極間の静電容量を増加させるこ
とで対応するようにしている。

【０００８】この場合、複数の共振素子のうち、入力端
子に近接するすべての入力側の共振素子を直接入力端子
に電気的に接続させ、出力端子に近接するすべての出力
側の共振素子を直接出力端子に電気的に接続させた構成
を採用するようにしている。ところで、積層状に重ねら
れた複数の共振素子には、それぞれ同一の信号が供給さ
れることから、これら複数の共振素子間には電界は生じ
ない。そのため、例えばすべての入力側の共振素子は１
組の入力側の共振器として考えることができる。

【０００９】しかし、このような構造においては、入力
側の１組の共振器のインピーダンス並びに出力側の１組
の共振器のインピーダンスが共に低くなり、入出力イン
ピーダンスの調整範囲が狭くなる。これにより、フィル
タの小型化、低周波数化、低損失化、更には反射減衰量
（リターンロス）を大きくするのに限界が生じるという
問題がある。

【００１０】本発明は、このような課題を考慮してなさ
れたものであり、入出力インピーダンスの調整範囲を広
くとることができ、もってフィルタの小型化、低周波数
化、低損失化、反射減衰量の増大化を図ることができる
積層型誘電体フィルタを提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る積層型誘電
体フィルタは、多数の誘電体層が積層されて構成され、
その外周面に入力端子、出力端子及びアース電極が形成
された積層体を具備し、前記積層体を構成する複数の誘
電体層のうち、少なくとも２つの誘電体層の各主面にそ
れぞれ少なくとも２本の片側短絡型の共振素子が形成さ
れ、これら共振素子のうち、入力端子に近接する入力側
の共振素子が直接入力端子に電気的に接続され、出力端
子に近接する出力側の共振素子が直接出力端子に電気的
に接続された積層型誘電体フィルタにおいて、前記複数
の入力側の共振素子のうち、少なくとも１本の入力側の
共振素子を前記入力端子に直接接続しない構成とする。

【００１２】少なくとも２つの誘電体層の各主面にそれ
ぞれ少なくとも２本の片側短絡型の共振素子を形成する
ことは、即ち、複数の共振素子を積層状に重ねることで
あり、この場合、積層状に重ねられた複数の共振素子に
は、それぞれ同一の信号が供給されることから、これら
複数の共振素子間には電界は生じない。そのため、例え
ばすべての入力側の共振素子は１本の入力側の共振素子
として考えることができる。

【００１３】このような構成において、本発明は、前記
複数の入力側の共振素子のうち、少なくとも１本の入力
側の共振素子を前記入力端子に直接接続しないようにし
ているため、少なくとも入力端子と入力側の共振素子間
との入力インピーダンスが高くなり、その結果、入出力
インピーダンスの調整範囲が広くなる。これにより、反
射減衰量を増大させるための調整を容易に行うことが可
能となり、フィルタの小型化、低周波数化、低損失化を
図ることができる。

【００１４】そして、前記構成において、前記複数の入
力側の共振素子のうち、１本の入力側の共振素子のみを
前記入力端子に直接接続するようにしてもよい。これに
より、入出力インピーダンスの調整範囲が更に広くな
り、フィルタの小型化、低周波数化、低損失化を効率よ
く図ることができる。

【００１５】また、前記構成において、前記複数の出力
側の共振素子のうち、少なくとも１本の出力側の共振素
子を前記出力端子に直接接続しない構成としてもよく、
前記複数の出力側の共振素子のうち、１本の出力側の共
振素子のみを前記出力端子に直接接続するようにしても
よい。

【００１６】また、前記構成において、前記積層体内で
あって、前記入力側の共振素子と別の共振素子との間に
設けられ、これら共振素子に対して容量結合された結合
調整電極を有するようにしてもよい。

【００１７】この場合、前記結合調整電極と入力側の共
振素子との間、並びに前記結合調整電極と別の共振素子
との間にそれぞれ容量が形成される。等価回路的には、
これら容量の合成容量が前記入力側の共振素子と前記別
の共振素子との間に形成される誘導結合と並列に接続さ
れたかたちになるため、前記容量によって前記誘導結合
度を調整することができ、所望の帯域幅を有するフィル
タを得ることができる。

【００１８】前記容量の調整は、入力側の共振素子と結
合調整電極との重なり面積及びこれらの間の距離並びに
前記別の共振素子と結合調整電極との重なり面積及びこ
れらの間の距離を変化させることによって容易に行うこ
とができる。

【００１９】また、前記結合調整容量による合成容量が
共振素子間の誘導結合と並列に接続されたかたちになる
ことから、隣接する共振素子間には並列共振回路が挿入
接続されたことになる。

【００２０】この容量とインダクタンスとからなる並列
共振回路のインピーダンスは並列共振点の前後で誘導性
から容量性へと変化するため、隣接する共振素子と結合
調整容量間にそれぞれ形成される容量の値を調整するこ
とにより、共振素子間の結合を誘導性にも容量性にもす
ることができる。

【００２１】いま、共振素子間の結合を誘導性にした場
合を考えると、通過帯域の高周波側に並列共振点が存在
するから、高周波側に減衰ピークをもったフィルタが得
られ、また、共振素子間の結合を容量性にすると、通過
帯域の低周波側に並列共振点が存在することになり、低
周波側に減衰ピークをもったフィルタが得られ、いずれ
の場合もフィルタの減衰特性を改善することができる。

【００２２】また、前記構成において、前記アース電極
と接続され、前記共振素子の開放端側と対向する内層ア
ース電極を前記積層体内に設けるようにしてもよい。

【００２３】この場合、各共振素子の開放端側と内層ア
ース電極との間に形成される静電容量も共振素子を等価
変換したときの並列共振回路の静電容量に付加されるこ
とになるため、共振周波数を同一とすれば、並列共振回
路のインダクタンスは小さくて済むことになり、その結
果、共振素子の長さもより小さくなり、積層型誘電体フ
ィルタ全体の長さも短くすることができる。

【００２４】積層型誘電体フィルタを小型化するため
に、内層アース電極と各共振素子との対向面積を増加さ
せて共振素子長を短縮していくと、共振器同士がますま
す強く誘導結合して、フィルタの特性を広帯域化させす
ぎるという問題が生じるが、本発明においては、上述し
た結合調整電極を設けるようにしているため、この結合
調整電極と共振素子間に形成される容量によって、共振
素子間に形成される誘導結合を抑制することができ、所
望の帯域幅を有するフィルタを得ることができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る積層型誘電体
フィルタを例えばバンドパスフィルタに適用したいくつ
かの実施の形態例を図１〜図１２を参照しながら説明す
る。

【００２６】まず、第１の実施の形態に係るフィルタ１
０Ａは、図１に示すように、複数枚の板状の誘電体層が
積層、焼成されて構成された積層体１２内に、１／４波
長型ストリップライン共振器を構成する２組の共振素子
（１４ａ、１６ａ）及び（１４ｂ、１６ｂ）が形成され
た構成を有し、積層体１２の厚み方向に並ぶ２本の共振
素子（１４ａ、１６ａ）及び（１４ｂ、１６ｂ）が２組
並設されて、１／４波長型ストリップライン共振器が構
成されている。

【００２７】具体的には、前記積層体１２は、図１に示
すように、上から順に、第１の誘電体層１８と、第２の
誘電体層２０が数枚重ねられて構成された誘電体層群２
２と、第３〜第７の誘電体層２４〜３２と、第８の誘電
体層３４が数枚重ねられて構成された誘電体層群３６
と、第９の誘電体層３８とが積み重ねられて構成されて
いる。

【００２８】また、図２に示すように、前記積層体１２
の外周面のうち、例えばその左側面に入力端子部４０が
配され、右側面に出力端子部４２が配され、これら入力
端子部４０及び出力端子部４２を除く全面にアース電極
４４が形成されている。

【００２９】入力端子部４０は、積層体１２の左側面の
中央部分において、積層体１２の高さ方向に沿って形成
された短冊状の入力端子４６と、該入力端子４６とアー
ス電極４４とを絶縁するための領域（電極膜が形成され
ていない領域であり、以下、単に入力側絶縁領域４８と
記す）とで構成され、出力端子部４２は、積層体１２の
右側面の中央部分において、積層体１２の高さ方向に沿
って形成された短冊状の出力端子５０と、該出力端子５
０とアース電極４４とを絶縁するための領域（この領域
も導電膜が形成されていない領域であり、以下、単に出
力側絶縁領域５２と記す）とで構成されている。

【００３０】図２の例では、前記入力側絶縁領域４８と
出力側絶縁領域５２を、積層体１２の上面の一部並びに
下面の一部にも配した場合を示している。

【００３１】そして、この第１の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ａにおいては、第４の誘電体層２６の上面に２
本の短冊状の共振素子１４ａ及び１４ｂがそれぞれ長手
方向が一方向に揃えられて形成され、第６の誘電体層３
０の上面に２本の短冊状の共振素子１６ａ及び１６ｂが
それぞれ長手方向が一方向に揃えられて形成されてい
る。

【００３２】これら共振素子１４ａ及び１４ｂ並びに１
６ａ及び１６ｂは、各一方（１段目）がそれぞれ入力側
の共振素子１４ａ及び１６ａ、各他方（２段目）がそれ
ぞれ出力側の共振素子１４ｂ及び１６ｂとされ、更に、
すべての共振素子における各一端部がアース電極４４に
接続され、各他端部が開放端とされている。

【００３３】前記第４の誘電体層２６の上層に位置する
第３の誘電体層２４の一主面には、第１及び第２の内層
アース電極６０ａ及び６０ｂと結合調整電極６２が形成
されている。第１の内層アース電極６０ａは、一端がア
ース電極４４と接続され、かつ、前記入力側の共振素子
１４ａの開放端側と対向するように形成され、第２の内
層アース電極６０ｂは、一端がアース電極４４と接続さ
れ、かつ、前記出力側の共振素子１４ｂの開放端側と対
向するように形成されている。

【００３４】結合調整電極６２は、アース電極４４、入
力端子４６及び出力端子５０に対して電位的にフローテ
ィング状態とされ、入力側の共振素子１４ａに対応する
短冊状の第１の電極本体６２ａと出力側の共振素子１４
ｂに対応する短冊状の第２の電極本体６２ｂとが、その
間に形成されたリード電極６２ｃによって電気的に接続
された形状を有する。

【００３５】前記第４の誘電体層２６の下層に位置する
第５の誘電体層２８の一主面には、一端がアース電極４
４と接続され、かつ、前記入力側の共振素子１４ａ及び
１６ａの各開放端側と対向する第１の内層アース電極６
４ａが形成され、一端がアース電極４４と接続され、か
つ、前記出力側の共振素子１４ｂ及び１６ｂの各開放端
側と対向する第２の内層アース電極６４ｂが形成されて
いる。

【００３６】前記第６の誘電体層３０の下層に位置する
第７の誘電体層３２の一主面には、一端がアース電極４
４と接続され、かつ、前記入力側の共振素子１６ａの開
放端側と対向する第１の内層アース電極６６ａが形成さ
れ、一端がアース電極４４と接続され、かつ、前記出力
側の共振素子１６ｂの開放端側と対向する第２の内層ア
ース電極６６ｂが形成されている。

【００３７】特に、この第１の実施の形態に係るフィル
タ１０Ａにおいては、上下に並ぶ２本の入力側共振素子
１４ａ及び１６ａのうち、下方に位置する入力側の共振
素子１６ａが引き出し電極６８ａを介して入力端子４６
に直接電気的に接続され、上下に並ぶ２本の出力側共振
素子１４ｂ及び１６ｂのうち、下方に位置する出力側の
共振素子１６ｂが引き出し電極６８ｂを介して出力端子
５０に直接電気的に接続されている。

【００３８】第１の実施の形態に係るフィルタ１０Ａ
は、基本的には以上のように構成されるものであるが、
ここで、各電極の電気的な結合について図３〜図５を参
照しながら説明する。

【００３９】まず、図３に示すように、上方に位置する
入力側の共振素子１４ａの開放端と上下の各第１の内層
アース電極６０ａ及び６４ａとの間、並びに上方に位置
する出力側の共振素子１４ｂの開放端と上下の各第２の
内層アース電極６０ｂ及び６４ｂとの間にはそれぞれ静
電容量Ｃ₁ 、Ｃ₂ 、Ｃ₃ 及びＣ₄ が形成されている。

【００４０】下方に位置する入力側の共振素子１６ａの
開放端と上下の各第１の内層アース電極６４ａ及び６６
ａとの間、並びに下方に位置する出力側の共振素子１６
ｂの開放端と上下の各第２の内層アース電極６４ｂ及び
６６ｂとの間にはそれぞれ静電容量Ｃ₅ 、Ｃ₆ 、Ｃ₇ 及
びＣ₈ が形成されている。

【００４１】前記入力側の共振素子１４ａ及び出力側の
共振素子１４ｂ同士は互いに誘導結合され、これによ
り、等価回路上ではインダクタンスＬ₁ が挿入されたか
たちになる（図３参照）。また、下方に位置する入力側
の共振素子１６ａ及び出力側の共振素子１６ｂ同士も互
いに誘導結合され、これにより、等価回路上ではインダ
クタンスＬ₂ が挿入されたかたちになる（図３参照）。

【００４２】また、図４に示すように、前記入力側の共
振素子１４ａと結合調整電極６２との間、並びに出力側
の共振素子１４ｂと結合調整電極６２との間にはそれぞ
れ静電容量Ｃ₉ 及びＣ₁₀が形成されたかたちとなる。

【００４３】ところで、この第１の実施の形態に係るフ
ィルタ１０Ａのように、第４の誘電体層２６と第６の誘
電体層３０の各主面にそれぞれ２本の共振素子１４ａ及
び１４ｂ並びに共振素子１６ａ及び１６ｂを形成するこ
とは、即ち、複数の共振素子１４ａ及び１６ａ並びに１
４ｂ及び１６ｂを積層状に重ねることであり、この場
合、積層状に重ねられた複数の共振素子１４ａ及び１６
ａ並びに１４ｂ及び１６ｂには、それぞれ同一の信号が
供給されることから、これら複数の共振素子１４ａ及び
１６ａ並びに１４ｂ及び１６ｂ間には電界は生じない。
そのため、例えばすべての入力側の共振素子１４ａ及び
１６ａは１組の入力側の共振器２００ａ（図５参照）と
して考えることができる。出力側も同様に、すべての出
力側の共振素子１４ｂ及び１６ｂは１組の出力側の共振
器２００ｂとして考えることができる。

【００４４】従って、第１の実施の形態に係るフィルタ
１０Ａの等価回路は、図５に示すようになり、バンドパ
スフィルタを構成することとなる。

【００４５】なお、図５において、静電容量Ｃ₁₀₀ は、
入力側の共振素子１４ａと結合調整電極６２間の静電容
量Ｃ₉ （図４参照）と出力側の共振素子１４ｂと結合調
整電極６２間の静電容量Ｃ₁₀との合成容量を示し、イン
ダクタンスＬ₁₀₀ は、共振素子１４ａ及び１４ｂ間のイ
ンダクタンスＬ₁ と共振素子１６ａ及び１６ｂ間のイン
ダクタンスＬ₂ との合成インダクタンスを示す。

【００４６】また、静電容量Ｃ₁₀₁ は、入力側の共振素
子１４ａ及び１６ａと各第１の内層アース電極６０ａ、
６４ａ及び６６ａ間の静電容量Ｃ₁ 、Ｃ₂ 、Ｃ₅ 及びＣ
₆ の合成容量を示し、静電容量Ｃ₁₀₃ は、出力側の共振
素子１４ｂ及び１６ｂと各第２の内層アース電極６０
ｂ、６４ｂ及び６６ｂ間の静電容量Ｃ₃ 、Ｃ₄ 、Ｃ₇ 及
びＣ₈ の合成容量を示す。

【００４７】また、静電容量Ｃ₁₀₅ 及びインダクタンス
Ｌ₁₀₁ は１組の入力側の共振器２００ａを等価変換した
ときの静電容量及びインダクタンスであり、静電容量Ｃ
₁₀₆及びインダクタンスＬ₁₀₂ は１組の出力側の共振器
２００ｂを等価変換したときの静電容量及びインダクタ
ンスである。

【００４８】このように、第１の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ａにおいては、第３の誘電体層２４の一主面に
結合調整結合６２を形成するようにしたので、該結合調
整電極６２と入力側の共振素子１４ａとの間、並びに前
記結合調整電極６２と出力側の共振素子１４ｂとの間に
それぞれ静電容量Ｃ₉ 及びＣ₁₀が形成される。

【００４９】等価回路的には、図５に示すように、これ
ら容量Ｃ₉ 及びＣ₁₀の合成容量が前記入力側の共振素子
１４ａと出力側の共振素子１４ｂとの間に形成される誘
導結合Ｌ₁ と並列に接続されたかたちになるため、前記
容量Ｃ₉ 及びＣ₁₀によって前記誘導結合度を調整するこ
とができ、所望の帯域幅を有するフィルタを得ることが
できる。

【００５０】前記容量Ｃ₉ 及びＣ₁₀の調整は、入力側の
共振素子１４ａと結合調整電極６２との重なり面積及び
これらの間の距離並びに前記出力側の共振素子１４ｂと
結合調整電極６２との重なり面積及びこれらの間の距離
を変化させることによって容易に行うことができる。

【００５１】また、前記結合調整電極６２による合成容
量が２本の共振素子１４ａ及び１４ｂ間の誘導結合Ｌ₁
と並列に接続されたかたちになることから、隣接する各
共振素子１４ａ及び１４ｂ間には並列共振回路８０が挿
入接続されたことになる。この合成容量Ｃ₉ 及びＣ₁₀と
インダクタンスＬ₁ とからなる並列共振回路８０のイン
ピーダンスは並列共振点の前後で誘導性から容量性へと
変化するため、隣接する各共振素子１４ａ及び１４ｂと
結合調整電極６２間にそれぞれ形成される容量Ｃ₉ 及び
Ｃ₁₀の値を調整することにより、各共振素子１４ａ及び
１４ｂ間の結合を誘導性にも容量性にもすることができ
る。

【００５２】いま、各共振素子１４ａ及び１４ｂ間の結
合を誘導性にした場合を考えると、通過帯域の高周波側
に並列共振点が存在するから、高周波側に減衰ピークを
もったフィルタが得られ、また、各共振素子１４ａ及び
１４ｂ間の結合を容量性にすると、通過帯域の低周波側
に並列共振点が存在することになり、低周波側に減衰ピ
ークをもったフィルタが得られ、いずれの場合もフィル
タの減衰特性を改善することができる。

【００５３】また、この第１の実施の形態に係るフィル
タ１０Ａにおいては、上下２本の入力側の共振素子１４
ａ及び１６ａのうち、下方に位置する入力側の共振素子
１６ａを引き出し電極６８ａを介して入力端子４６に直
接接続し、上下２本の出力側の共振素子１４ｂ及び１６
ｂのうち、下方に位置する出力側の共振素子１６ｂを引
き出し電極６８ｂを介して出力端子５０に直接接続する
ようにしているため、１組の入力側の共振器２００ａの
インピーダンス並びに１組の出力側の共振器２００ｂの
インピーダンスが高くなり、その結果、入出力インピー
ダンスの調整範囲が広くなる。これにより、反射減衰量
を増大させるための調整を容易に行うことが可能とな
り、フィルタの小型化、低周波数化、低損失化を図るこ
とができる。

【００５４】ここで、１つの実験例を示す。この実験例
は、比較例及び実施例における各周波数特性をみたもの
である。

【００５５】実施例は、第１の実施の形態に係るフィル
タ１０Ａにおいて、結合調整電極６２を調整して共振素
子１４ａ及び１４ｂ間の結合を容量性にしたものであ
る。

【００５６】一方、比較例は、第１の実施の形態に係る
フィルタ１０Ａにおいて、図６に示すように、下方に位
置する共振素子１６ａ及び１６ｂに加えて、上方に位置
する共振素子１４ａ及び１４ｂもそれぞれ入力端子４６
及び出力端子５０に引き出し電極７０ａ及び７０ｂを介
して直接接続したものである。この比較例においても、
結合調整電極６２を調整して共振素子１４ａ及び１４ｂ
間の結合を容量性にした。

【００５７】この実験例の結果を図７に示す。図７にお
いて、実線ａ及び破線ｂはそれぞれ実施例及び比較例の
周波数特性を示し、実線ｃ及び破線ｄはそれぞれ実施例
及び比較例の反射減衰特性を示す。

【００５８】まず、図７に示すように、実施例及び比較
例は共に、通過帯域の中心周波数が約１９９０ＭＨｚの
バンドパスの周波数特性を有するが、反射減衰量におい
て明確に違いがある。

【００５９】即ち、比較例は、その反射減衰量のピーク
（減衰の少ないピーク）が約１８７０ＭＨｚにあり、そ
のピーク値は、約−１２ｄＢであった。この比較例にお
いては、反射減衰量が不十分であることから、図７の破
線ｄに示すように、通過帯域における周波数特性（通過
帯域特性）にリップルが生じている。

【００６０】一方、実施例は、その反射減衰量のピーク
（減衰の少ないピーク）が約１８８０ＭＨｚにあり、そ
のピーク値は約−２０ｄＢであった。つまり、実施例は
比較例よりも反射減衰量が増大しており、その通過帯域
特性は、図７の実線ｃに示すように、リップルのないき
れいな特性曲線となっている。

【００６１】前記の実験結果から、入力側と出力側の引
き出し電極の本数を少なくすることにより、入出力イン
ピーダンスの調整範囲が広くなり、もってフィルタの小
型化、低周波数化、低損失化、反射減衰量の増大化を図
ることができることがわかる。

【００６２】また、この第１の実施の形態に係るフィル
タ１０Ａにおいては、第３の誘電体層２４の一主面に第
１及び第２の内層アース電極６０ａ及び６０ｂを形成
し、第５の誘電体層２８の一主面に第１及び第２の内層
アース電極６４ａ及び６４ｂを形成し、更に第７の誘電
体層３２の一主面に第１及び第２の内層アース電極６６
ａ及び６６ｂを形成するようにしたので、各共振素子１
４ａ及び１４ｂ並びに１６ａ及び１６ｂを等価変換した
ときの各組の共振器２００ａ及び２００ｂにおける静電
容量Ｃ₁₀₅ 及びＣ₁₀₆ にそれぞれ合成容量Ｃ₁₀₁ 及びＣ
₁₀₃ が付加されることになるため、共振周波数を同一と
すれば、各組の共振器２００ａ及び２００ｂのインダク
タンスは小さくて済むことになり、その結果、共振素子
１４ａ及び１４ｂ並びに１６ａ及び１６ｂの長さもより
小さくなり、第１の実施の形態に係るフィルタ１０Ａ全
体の長さも短くすることができる。

【００６３】この場合に、第１の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ａを小型化するために、第１及び第２の内層ア
ース電極（６０ａ、６４ａ）及び（６０ｂ、６４ｂ）と
各共振素子１４ａ及び１４ｂとの対向面積を増加させて
共振素子長を短縮していくと、１組の入力側の共振器２
００ａ及び１組の出力側の共振器２００ｂ同士がますま
す強く誘導結合して、フィルタ１０Ａの特性を広帯域化
させすぎるという問題が生じるが、この第１の実施の形
態においては、第３の誘電体層２４の一主面に結合調整
電極６２を設けるようにしているため、この結合調整電
極６２と共振素子１４ａ及び１４ｂ間に形成される静電
容量Ｃ₉ 及びＣ₁₀によって、各共振器２００ａ及び２０
０ｂ間に形成される誘導結合を抑制することができ、所
望の帯域幅を有するフィルタを得ることができる。

【００６４】次に、第１の実施の形態に係るフィルタ１
０Ａの製造方法について説明する。第１の実施の形態に
係るフィルタ１０Ａは、２組の共振素子（１４ａ、１６
ａ）及び（１４ｂ、１６ｂ）、結合調整電極６２、第１
の内層アース電極（６０ａ、６４ａ、６６ａ）及び第２
の内層アース電極（６０ｂ、６４ｂ、６６ｂ）、引き出
し電極６８ａ及び６８ｂを完全に積層体１２中に内蔵す
ることから、これらの電極には損失の少ない比抵抗の低
いものを用いることが好ましい。

【００６５】使用する誘電体としては、信頼性が高く、
誘電率の高いもの、即ちセラミック誘電体が好ましい。
この場合、フィルタの小型化を有効に図ることができ
る。

【００６６】また、製造方法としては、セラミック粉末
の成形体に導体ペーストを塗布して電極パターンを形成
した後、各々の成形体を積層し、更に焼成して緻密化
し、導体がその内部に積層された状態でセラミック誘電
体と一体化することが望ましい。

【００６７】Ａｇ系やＣｕ系の導体を使用する場合に
は、それらの導体の融点が低く、通常の誘電体材料と同
時焼成することは困難であるところから、それらの融点
（１１００℃以下）よりも低い温度で焼成され得る誘電
体材料を用いる必要がある。

【００６８】また、マイクロ波フィルタとしてのデバイ
スの性格上、形成される並列共振回路の共振周波数の温
度特性（温度係数）が±５０ｐｐｍ／℃以下になるよう
な誘電体材料が好ましい。

【００６９】このような誘電体材料としては、例えばコ
ージェライト系ガラス粉末とＴｉＯ ₂ 粉末及びＮｄ₂ Ｔ
ｉ₂ Ｏ₇ 粉末との混合物等のガラス系のものや、ＢａＯ
−ＴｉＯ₂ −Ｒｅ₂ Ｏ₃ −Ｂｉ₂ Ｏ₃ 系組成（Ｒｅ：レ
アアース成分）に若干のガラス形成成分やガラス粉末を
添加したもの、酸化バリウム−酸化チタン−酸化ネオジ
ウム系誘電体磁気組成物粉末に若干のガラス粉末を添加
したものがある。

【００７０】一例として、ＭｇＯ：１８ｗｔ％−Ａｌ₂
Ｏ₃ ：３７ｗｔ％−ＳｉＯ₂ ：３７ｗｔ％−Ｂ₂ Ｏ₃ ：
５ｗｔ％−ＴｉＯ₂ ：３ｗｔ％なる組成のガラス粉末の
７３ｗｔ％と、市販のＴｉＯ₂ 粉末の１７ｗｔ％と、Ｎ
ｄ₂ Ｔｉ₂ Ｏ₇ 粉末の１０ｗｔ％を十分に混合し、混合
粉末を得た。

【００７１】なお、Ｎｄ₂ Ｔｉ₂ Ｏ₇ 粉末は、Ｎｄ₂ Ｏ
₃ 粉末とＴｉＯ₂ 粉末を１２００℃で仮焼した後、粉砕
して得たものを使用した。

【００７２】次いで、この混合粉末に、アクリル系有機
バインダー、可塑剤、トルエン及びアルコール系の溶剤
を加え、アルミナ玉石で十分に混合してスラリーとし
た。そして、このスラリーを用いて、ドクターブレード
法により、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍの厚みのグリーンテ
ープを作製した。

【００７３】次に、第１の実施の形態に係るフィルタ１
０Ａにおいては、銀ペーストを導体ペーストとして図１
に示した導体パターンをそれぞれ印刷し、次いで、これ
ら導体パターンが印刷されたグリーンテープの厚みを調
整するために必要なグリーンテープを重ねて図１の構造
となるように重ね、積層した後、９００℃で焼成して、
積層体１２を作製した。

【００７４】前記のように構成した積層体１２の入力端
子部４０及び出力端子部４２を除く外周面に、図２に示
すように、銀電極からなるアース電極４４を印刷し、更
に、アース電極４４から絶縁し、かつ、入力側及び出力
側の引き出し電極６８ａ及び６８ｂ（図１参照）に接続
される銀電極を入力端子部４０及び出力端子部４２内に
それぞれ入力端子４６及び出力端子５０として印刷し、
印刷した電極４４、４６及び５０を８５０℃で焼き付け
た。

【００７５】次に、第１の実施の形態に係るフィルタ１
０Ａの変形例１０Ａａについて図８を参照しながら説明
する。なお、図１と対応するものについては同符号を記
す。

【００７６】この変形例に係るフィルタ１０Ａａは、図
８に示すように、第１の実施の形態に係るフィルタ１０
Ａ（図１参照）とほぼ同様の構成を有するが、第３の誘
電体層２４の一主面に第１及び第２の内層アース電極６
０ａ及び６０ｂのみが形成され、第５の誘電体層２８の
一主面に結合調整電極６２のみが形成されている点で異
なる。

【００７７】この変形例に係るフィルタ１０Ａａにおい
ても、上下２本の入力側の共振素子１４ａ及び１６ａの
うち、下方に位置する入力側の共振素子１６ａを引き出
し電極６８ａを介して入力端子４６に直接接続し、上下
２本の出力側の共振素子１４ｂ及び１６ｂのうち、下方
に位置する出力側の共振素子１６ｂを引き出し電極６８
ｂを介して出力端子５０に直接接続するようにしている
ため、１組の入力側の共振器２００ａのインピーダンス
並びに１組の出力側の共振器２００ｂのインピーダンス
が高くなり、その結果、入出力インピーダンスの調整範
囲が広くなる。これにより、反射減衰量を増大させるた
めの調整を容易に行うことが可能となり、フィルタの小
型化、低周波数化、低損失化を図ることができる。

【００７８】次に、第２の実施の形態に係るフィルタ１
０Ｂについて図９〜図１２を参照しながら説明する。

【００７９】この第２の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｂは、図９に示すように、複数枚の板状の誘電体層が積
層、焼成されて構成された積層体１００内に、１／４波
長型ストリップライン共振器を構成する３組の共振素子
（１０２ａ、１０４ａ、１０８ａ）、（１０２ｂ、１０
４ｂ、１０８ｂ）及び（１０２ｃ、１０４ｃ、１０８
ｃ）が形成された構成を有し、積層体１００の厚み方向
に並ぶ３本の共振素子（１０２ａ、１０４ａ、１０８
ａ）、（１０２ｂ、１０４ｂ、１０８ｂ）及び（１０２
ｃ、１０４ｃ、１０８ｃ）が３組並設されて、１／４波
長型ストリップライン共振器が構成されている。

【００８０】具体的には、前記積層体１００は、上から
順に、第１の誘電体層１１０と、第２の誘電体層１１２
が数枚重ねられて構成された誘電体層群１１４と、第３
〜第９の誘電体層１１６〜１２８と、第１０の誘電体層
１３０が数枚重ねられて構成された誘電体層群１３２
と、第１１の誘電体層１３４とが積み重ねられて構成さ
れている。

【００８１】なお、入力端子部４０及び出力端子部４２
の構成並びにアース電極４４の形成状態は、第１の実施
の形態に係るフィルタ１０Ａ（図２参照）とほぼ同じで
あるため、その詳細説明は省略する。

【００８２】そして、この第２の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ｂにおいては、第４の誘電体層１１８の上面に
３本の短冊状の共振素子１０２ａ、１０２ｂ及び１０２
ｃがそれぞれ長手方向が一方向に揃えられて形成され、
第６の誘電体層１２２の上面に３本の短冊状の共振素子
１０４ａ、１０４ｂ及び１０４ｃがそれぞれ長手方向が
一方向に揃えられて形成され、第８の誘電体層１２６の
上面に３本の短冊状の共振素子１０６ａ、１０６ｂ及び
１０６ｃがそれぞれ長手方向が一方向に揃えられて形成
されている。

【００８３】これら共振素子のうち、入力端子４６に最
も近い方が入力側の共振素子１０２ａ、１０４ａ及び１
０６ａとされ、出力端子５０に最も近い方が出力側の共
振素子１０２ｃ、１０４ｃ及び１０６ｃとされている。
また、これら共振素子は、各一端部がアース電極４４に
接続されて、各他端部が開放端とされている。

【００８４】前記第３の誘電体層１１６の一主面には、
上方に位置する入力側の共振素子１０２ａの開放端側と
対向する第１の内層アース電極１４０ａと、上方に位置
する中央の共振素子１０２ｂの開放端側と対向する第２
の内層アース電極１４０ｂと、上方に位置する出力側の
共振素子１０４ｃの開放端側と対向する第３の内層アー
ス電極１４０ａが形成されている。

【００８５】前記第５の誘電体層１２０の一主面には、
上下に位置する入力側の共振素子１０２ａ及び１０４ａ
の開放端側と対向する第１の内層アース電極１４２ａ
と、上下に位置する中央の共振素子１０２ｂ及び１０４
ｂの開放端側と対向する第２の内層アース電極１４２ｂ
と、上下に位置する出力側の共振素子１０２ｃ及び１０
４ｃの開放端側と対向する第３の内層アース電極１４２
ｃと、上下に位置する入力側と中央の共振素子（１０２
ａ、１０４ａ）及び（１０２ｂ及び１０４ｂ）と容量結
合される結合調整電極１４４が形成されている。

【００８６】また、前記第７の誘電体層１２４の一主面
には、上下に位置する入力側の共振素子１０４ａ及び１
０６ａの開放端側と対向する第１の内層アース電極１４
６ａと、上下に位置する中央の共振素子１０４ｂ及び１
０６ｂの開放端側と対向する第２の内層アース電極１４
６ｂと、上下に位置する出力側の共振素子１０４ｃ及び
１０６ｃの開放端側と対向する第３の内層アース電極１
４６ｃと、上下に位置する中央と出力側の共振素子（１
０４ａ、１０６ａ）及び（１０４ｂ及び１０６ｂ）と容
量結合される結合調整電極１４８が形成されている。

【００８７】前記第９の誘電体層１２８の一主面には、
下方に位置する入力側の共振素子１０６ａの開放端側と
対向する第１の内層アース電極１５０ａと、下方に位置
する中央の共振素子１０６ｂの開放端側と対向する第２
の内層アース電極１５０ｂと、下方に位置する出力側の
共振素子１０６ｃの開放端側と対向する第３の内層アー
ス電極１５０ａが形成されている。

【００８８】特に、この第２の実施の形態に係るフィル
タ１０Ｂにおいては、上下に並ぶ３本の入力側の共振素
子１０２ａ、１０４ａ及び１０６ａのうち、中央に位置
する入力側の共振素子１０４ａが引き出し電極１５２ａ
を介して入力端子４６に直接電気的に接続され、上下に
並ぶ３本の出力側の共振素子１０２ｃ、１０４ｃ及び１
０６ｃのうち、中央に位置する出力側の共振素子１０４
ｃが引き出し電極１５２ｂを介して出力端子５０に直接
電気的に接続されている。

【００８９】第２の実施の形態に係るフィルタ１０Ｂ
は、基本的には以上のように構成されるものであるが、
ここで、各電極の電気的な結合について図１０〜図１２
を参照しながら説明する。

【００９０】まず、図１０に示すように、上方に位置す
る入力側の共振素子１０２ａの開放端と上下の第１の内
層アース電極１４０ａ及び１４２ａとの間、中央の共振
素子１０２ｂの開放端と上下の第２の内層アース電極１
４０ｂ及び１４２ｂとの間並びに出力側の共振素子１０
２ｃの開放端と上下の第３の内層アース電極１４０ｃ及
び１４２ｃとの間にはそれぞれ静電容量Ｃ₂₁、Ｃ₂₂、Ｃ
₂₃、Ｃ₂₄、Ｃ₂₅及びＣ ₂₆が形成されている。

【００９１】前記入力側の共振素子１０２ａ、前記中央
の共振素子１０２ｂ及び前記出力側の共振素子１０２ｃ
同士は互いに誘導結合され、これにより、等価回路上で
はインダクタンスＬ₁₁及びＬ₁₂が挿入されたかたちにな
る（図１０参照）。

【００９２】中央に位置する入力側の共振素子１０４ａ
の開放端と上下の第１の内層アース電極１４２ａ及び１
４６ａとの間、中央の共振素子１０４ｂの開放端と上下
の第２の内層アース電極１４２ｂ及び１４６ｂとの間並
びに出力側の共振素子１０４ｃの開放端と上下の第３の
内層アース電極１４２ｃ及び１４６ｃとの間にはそれぞ
れ静電容量Ｃ₂₇、Ｃ₂₈、Ｃ₂₉、Ｃ₃₀、Ｃ₃₁及びＣ₃₂が形
成されている。

【００９３】前記入力側の共振素子１０４ａ、前記中央
の共振素子１０４ｂ及び前記出力側の共振素子１０４ｃ
同士は互いに誘導結合され、これにより、等価回路上で
はインダクタンスＬ₁₃及びＬ₁₄が挿入されたかたちにな
る（図１０参照）。

【００９４】下方に位置する入力側の共振素子１０６ａ
の開放端と上下の第１の内層アース電極１４６ａ及び１
５０ａとの間、中央の共振素子１０６ｂの開放端と上下
の第２の内層アース電極１４６ｂ及び１５０ｂとの間並
びに出力側の共振素子１０６ｃの開放端と上下の第３の
内層アース電極１４６ｃ及び１５０ｃとの間にはそれぞ
れ静電容量Ｃ₃₃、Ｃ₃₄、Ｃ₃₅、Ｃ₃₆、Ｃ₃₇及びＣ₃₈が形
成されている。

【００９５】前記入力側の共振素子１０６ａ、前記中央
の共振素子１０６ｂ及び前記出力側の共振素子１０６ｃ
同士は互いに誘導結合され、これにより、等価回路上で
はインダクタンスＬ₁₅及びＬ₁₆が挿入されたかたちにな
る（図１０参照）。

【００９６】また、図１１に示すように、上方に位置す
る結合調整電極とその上下に位置する入力側の共振素子
１０２ａ及び１０４ａ並びに中央の共振素子１０２ｂ及
び１０４ｂとの間にはそれぞれ静電容量Ｃ₄₁、Ｃ₄₂、Ｃ
₄₃及びＣ₄₄が形成される。

【００９７】同様に、下方に位置する結合調整電極とそ
の上下に位置する中央の共振素子１０４ｂ及び１０６ｂ
並びに出力側の共振素子１０４ｃ及び１０６ｃとの間に
はそれぞれ静電容量Ｃ₄₇、Ｃ₄₈、Ｃ₄₉及びＣ₅₀が形成さ
れる。

【００９８】この場合も、上述した第１の実施の形態に
係るフィルタ１０Ａと同様に、すべての入力側の共振素
子１０２ａ、１０４ａ及び１０６ａは１組の入力側の共
振器３００ａ（図１２参照）として考えることができ、
すべての中央の共振素子１０２ｂ、１０４ｂ及び１０６
ｂも１組の中央の共振器３００ｂとして考えることがで
きる。出力側も同様に、すべての出力側の共振素子１０
２ｃ、１０４ｃ及び１０６ｃは１組の出力側の共振器３
００ｃとして考えることができる。

【００９９】従って、第２の実施の形態に係るフィルタ
１０Ｂの等価回路は、図１２に示すようになり、バンド
パスフィルタを構成することとなる。

【０１００】なお、図１２において、静電容量Ｃ
₂₀₃ は、入力側の共振素子１０２ａ及び１０４ａと結合
調整電極６２間の静電容量Ｃ₄₁及びＣ₄₂（図１１参照）
と、中央の共振素子１０２ｂ及び１０４ｂと結合調整電
極６２間の静電容量Ｃ₄₃及びＣ₄₄との合成容量を示し、
静電容量Ｃ₂₀₄ は、中央の共振素子１０４ｂ及び１０６
ｂと結合調整電極６４間の静電容量Ｃ₄₇及びＣ₄₈（図１
１参照）と、出力側の共振素子１０４ｃ及び１０６ｃと
結合調整電極６４間の静電容量Ｃ₄₉及びＣ₅₀との合成容
量を示す。

【０１０１】インダクタンスＬ₂₀₁ は、入力側の共振素
子１０２ａ、１０４ａ及び１０６ａと中央の共振素子１
０２ｂ、１０４ｂ及び１０６ｂ間のインダクタンス
Ｌ₁₁、Ｌ ₁₃及びＬ₁₅（図１１参照）の合成インダクタン
スを示し、インダクタンスＬ₂₀₂は、中央の共振素子１
０２ｂ、１０４ｂ及び１０６ｂと出力側の共振素子１０
２ｃ、１０４ｃ及び１０６ｃ間のインダクタンスＬ₁₂、
Ｌ₁₄及びＬ₁₆（図１１参照）の合成インダクタンスを示
す。

【０１０２】また、静電容量Ｃ₂₀₅ は、入力側の共振素
子１０２ａ、１０４ａ及び１０６ａと各第１の内層アー
ス電極１４０ａ、１４２ａ、１４６ａ及び１５０ａ間の
静電容量Ｃ₂₁、Ｃ₂₂、Ｃ₂₇、Ｃ₂₈、Ｃ₃₃及びＣ₃₄（図１
０参照）の合成容量を示し、静電容量Ｃ₂₀₇ は、中央の
共振素子１０２ｂ、１０４ｂ及び１０６ｂと各第２の内
層アース電極１４０ｂ、１４２ｂ、１４６ｂ及び１５０
ｂ間の静電容量Ｃ₂₃、Ｃ₂₄、Ｃ₂₉、Ｃ₃₀、Ｃ₃₅及びＣ₃₆
の合成容量を示し、静電容量Ｃ₂₀₉ は、出力側の共振素
子１０２ｃ、１０４ｃ及び１０６ｃと各第３の内層アー
ス電極１４０ｃ、１４２ｃ、１４６ｃ及び１５０ｃ間の
静電容量Ｃ₂₅、Ｃ₂₆、Ｃ₃₁、Ｃ₃₂、Ｃ₃₇及びＣ₃₈の合成
容量を示す。

【０１０３】また、静電容量Ｃ₂₁₁ 及びインダクタンス
Ｌ₂₀₃ は１組の入力側の共振器３００ａを等価変換した
ときの静電容量及びインダクタンスであり、静電容量Ｃ
₂₁₂及びインダクタンスＬ₂₀₄ は１組の中央の共振器３
００ｂを等価変換したときの静電容量及びインダクタン
スであり、静電容量Ｃ₂₁₃ 及びインダクタンスＬ₂₀₅は
１組の出力側の共振器３００ｃを等価変換したときの静
電容量及びインダクタンスである。

【０１０４】このように、第２の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ｂにおいては、第５の誘電体層１２０及び第７
の誘電体層１２４の各一主面にそれぞれ結合調整結合１
４４及び１４８を形成するようにしたので、容量Ｃ₄₁〜
Ｃ₄₄、Ｃ₄₇〜Ｃ₅₀によって、共振素子１０２ａ及び１０
２ｂ間の誘導結合度、共振素子１０４ａ及び１０４ｂ間
の誘導結合度、共振素子１０４ｂ及び１０４ｃ間の誘導
結合度、共振素子１０６ｂ及び１０６ｃ間の誘導結合度
を調整することができ、所望の帯域幅を有するフィルタ
を得ることができる。

【０１０５】また、第２の実施の形態に係るフィルタ１
０Ｂは、上下３本の入力側の共振素子１０２ａ、１０４
ａ及び１０６ａのうち、中央に位置する入力側の共振素
子１０４ａを引き出し電極１５２ａを介して入力端子４
６に直接接続し、上下３本の出力側の共振素子１０２
ｃ、１０４ｃ及び１０６ｃのうち、中央に位置する出力
側の共振素子１０４ｃを引き出し電極１５２ｂを介して
出力端子５０に直接接続するようにしているため、１組
の入力側の共振器３００ａのインピーダンス並びに１組
の出力側の共振器３００ｃのインピーダンスが高くな
り、その結果、入出力インピーダンスの調整範囲が広く
なる。これにより、反射減衰量を増大させるための調整
を容易に行うことが可能となり、フィルタの小型化、低
周波数化、低損失化を図ることができる。

【０１０６】また、この第２の実施の形態に係るフィル
タ１０Ｂにおいては、第３の誘電体層１１６、第５の誘
電体層１２０、第７の誘電体層１２４及び第９の誘電体
層１２８の各一主面にそれぞれ第１〜第３の内層アース
電極１４０ａ〜１４０ｃ、１４２ａ〜１４２ｃ、１４６
ａ〜１４６ｃ及び１５０ａ〜１５０ｃを形成するように
したので、各共振素子１０２ａ〜１０２ｃ、１０４ａ〜
１０４ｃ並びに１０６ａ〜１０６ｃを等価変換したとき
の各組の共振器３００ａ、３００ｂ及び３００ｃにおけ
る静電容量Ｃ₂₁₁ 、Ｃ₂₁₂ 及びＣ₂₁₃ にそれぞれ合成容
量Ｃ₂₀₅ 、Ｃ_{20 7} 及びＣ₂₀₉ が付加されることになるた
め、共振周波数を同一とすれば、各組の共振器３００
ａ、３００ｂ及び３００ｃのインダクタンスは小さくて
済むことになり、その結果、共振素子１０２ａ〜１０２
ｃ、１０４ａ〜１０４ｃ並びに１０６ａ〜１０６ｃの長
さもより小さくなり、第２の実施の形態に係るフィルタ
１０Ｂ全体の長さも短くすることができる。

【０１０７】この場合に、第２の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ｂを小型化するために、第１及び第２の内層ア
ース電極（１４０ａ、１４２ａ）及び（１４０ｂ、１４
２ｂ）と各共振素子１０２ａ及び１０２ｂとの対向面
積、第１〜第３の内層アース電極（１４２ａ、１４６
ａ）、（１４２ｂ、１４６ｂ）及び（１４２ｃ、１４６
ｃ）と各共振素子１０４ａ、１０４ｂ及び１０４ｃとの
対向面積、並びに第２及び第３の内層アース電極（１４
６ｂ、１５０ｂ）及び（１４６ｃ、１５０ｃ）と各共振
素子１０６ｂ及び１０６ｃとの対向面積を増加させて共
振素子長を短縮していくと、１組の入力側の共振器３０
０ａ及び１組の出力側の共振器３００ｂ同士がますます
強く誘導結合して、フィルタ１０Ｂの特性を広帯域化さ
せすぎるという問題が生じるが、この第２の実施の形態
においては、第５の誘電体層１２０及び第７の誘電体層
１２４の各一主面にそれぞれ結合調整電極１４４及び１
４８を設けるようにしているため、結合調整電極１４４
と入力側の共振器３００ａ及び中央の共振器３００ｂ間
に形成される合成容量Ｃ₂₀₃ によって、共振器３００ａ
及び３００ｂ間に形成される誘導結合Ｌ₂₀₁ 、並びに共
振器３００ｂ及び３００ｃ間に形成される誘導結合Ｌ
₂₀₂ をそれぞれ抑制することができ、所望の帯域幅を有
するフィルタを得ることができる。

【０１０８】前記第１及び第２の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ａ及び１０Ｂにおいては、共振素子を２層並び
に３層積層させた場合を示したが、その他、４層以上積
層させたフィルタにも適用させることができる。

【０１０９】なお、この発明に係る積層型誘電体フィル
タは、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸
脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろん
である。

【０１１０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る積層
型誘電体フィルタによれば、入出力インピーダンスの調
整範囲を広くとることができ、フィルタの小型化、低周
波数化、低損失化、反射減衰量の増大化を効率よく図る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態に係るフィルタの構成を示す
分解斜視図である。

【図２】第１の実施の形態に係るフィルタの外観を示す
斜視図である。

【図３】第１の実施の形態に係るフィルタにおいて、内
層アース電極の形成面に対して直交する方向に切断した
場合の構成を示す断面図である。

【図４】第１の実施の形態に係るフィルタにおいて、引
き出し電極の形成面に対して直交する方向に切断した場
合の構成を示す断面図である。

【図５】第１の実施の形態に係るフィルタを示す等価回
路図である。

【図６】比較例に係るフィルタの構成を示す分解斜視図
である。

【図７】実施例及び比較例において、各結合調整電極を
調整して共振素子間の結合を容量性にしたときの周波数
特性を示す図である。

【図８】第１の実施の形態に係るフィルタの変形例の構
成を示す分解斜視図である。

【図９】第２の実施の形態に係るフィルタの構成を示す
分解斜視図である。

【図１０】第２の実施の形態に係るフィルタにおいて、
内層アース電極の形成面に対して直交する方向に切断し
た場合の構成を示す断面図である。

【図１１】第２の実施の形態に係るフィルタにおいて、
引き出し電極の形成面に対して直交する方向に切断した
場合の構成を示す断面図である。

【図１２】第２の実施の形態に係るフィルタを示す等価
回路図である。

【符号の説明】

１０Ａ、１０Ｂ…フィルタ １２、１００…積
層体 １４ａ、１６ａ…入力側の共振素子 １４ｂ、１６ｂ…
出力側の共振素子 ４０…入力端子部 ４２…出力端子部 ４４…アース電極 ４６…入力端子 ５０…出力端子 ６０ａ、６４ａ、６６ａ…第１の内層アース電極 ６０ｂ、６４ｂ、６６ｂ…第２の内層アース電極 ６８ａ、６８ｂ…引き出し電極 １０２ａ〜１０２ｃ、１０４ａ〜１０４ｃ、１０６ａ〜
１０６ｃ…共振素子 １４０ａ、１４２ａ、１４６ａ、１５０ａ…第１の内層
アース電極 １４０ｂ、１４２ｂ、１４６ｂ、１５０ｂ…第２の内層
アース電極 １４０ｃ、１４２ｃ、１４６ｃ、１５０ｃ…第３の内層
アース電極 １４４、１４８…結合調整電極 １５２ａ、１５２
ｂ…引き出し電極

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】多数の誘電体層が積層されて構成され、そ
   の外周面に入力端子、出力端子及びアース電極が形成さ
   れた積層体を具備し、 前記積層体を構成する複数の誘電体層のうち、少なくと
   も２つの誘電体層の各主面にそれぞれ少なくとも２本の
   片側短絡型の共振素子が形成され、 これら共振素子のうち、入力端子に近接する入力側の共
   振素子が直接入力端子に電気的に接続され、出力端子に
   近接する出力側の共振素子が直接出力端子に電気的に接
   続された積層型誘電体フィルタにおいて、 前記複数の入力側の共振素子のうち、少なくとも１本の
   入力側の共振素子が前記入力端子に直接接続されていな
   いことを特徴とする積層型誘電体フィルタ。
2. 【請求項２】請求項１記載の積層型誘電体フィルタにお
   いて、 前記複数の入力側の共振素子のうち、１本の入力側の共
   振素子のみが前記入力端子に直接接続されていることを
   特徴とする積層型誘電体フィルタ。
3. 【請求項３】請求項１記載の積層型誘電体フィルタにお
   いて、 前記複数の出力側の共振素子のうち、少なくとも１本の
   出力側の共振素子が前記出力端子に直接接続されていな
   いことを特徴とする積層型誘電体フィルタ。
4. 【請求項４】請求項３記載の積層型誘電体フィルタにお
   いて、 前記複数の出力側の共振素子のうち、１本の出力側の共
   振素子のみが前記出力端子に直接接続されていることを
   特徴とする積層型誘電体フィルタ。
5. 【請求項５】請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層
   型誘電体フィルタにおいて、 前記積層体内であって、前記入力側の共振素子と別の共
   振素子との間に設けられ、これら共振素子に対して容量
   結合された結合調整電極を有することを特徴とする積層
   型誘電体フィルタ。
6. 【請求項６】請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層
   型誘電体フィルタにおいて、 前記アース電極と接続され、前記共振素子の開放端側と
   対向する内層アース電極が前記積層体内に設けられてい
   ることを特徴とする積層型誘電体フィルタ。