JPH11274707A - 半田プリコート方法 - Google Patents
半田プリコート方法Info
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- JPH11274707A JPH11274707A JP7901698A JP7901698A JPH11274707A JP H11274707 A JPH11274707 A JP H11274707A JP 7901698 A JP7901698 A JP 7901698A JP 7901698 A JP7901698 A JP 7901698A JP H11274707 A JPH11274707 A JP H11274707A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田ブリッジの発生を抑制でき、かつ半田プ
リコート後の洗浄を必要としない半田プリコート方法を
提供することを目的とする。 【解決手段】 半田ペースト３を基板１の電極２の周囲
にべた塗りし、この基板１を加熱して半田ペースト３中
の半田粒子を溶融させ、電極２に溶着させて半田をプリ
コートする半田プリコート方法において、半田ペースト
３中の半田粒子の体積比率が３０％以下であり、半田ペ
ースト３を構成する液状有機物が活性作用を有し加熱工
程で基板１の表面から消滅する揮発性有機材料を主成分
とするようにした。これにより、電極２間で溶融半田が
つながったまま固化する半田ブリッジの発生を抑制する
ことができ、かつ半田プリコート後に有機物の残渣が残
留せず、したがって半田プリコート後の洗浄を必要とし
ない。
リコート後の洗浄を必要としない半田プリコート方法を
提供することを目的とする。 【解決手段】 半田ペースト３を基板１の電極２の周囲
にべた塗りし、この基板１を加熱して半田ペースト３中
の半田粒子を溶融させ、電極２に溶着させて半田をプリ
コートする半田プリコート方法において、半田ペースト
３中の半田粒子の体積比率が３０％以下であり、半田ペ
ースト３を構成する液状有機物が活性作用を有し加熱工
程で基板１の表面から消滅する揮発性有機材料を主成分
とするようにした。これにより、電極２間で溶融半田が
つながったまま固化する半田ブリッジの発生を抑制する
ことができ、かつ半田プリコート後に有機物の残渣が残
留せず、したがって半田プリコート後の洗浄を必要とし
ない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板など
の電極上に半田をプリコートする半田プリコート方法に
関するものである。
の電極上に半田をプリコートする半田プリコート方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品をプリント基板などに半田付け
する際の半田の供給方法として、半田プリコートが広く
用いられている。この方法は、電子部品を搭載するのに
先立ってプリント基板などの電極上に予め半田層を形成
するものである。従来プリント基板に半田をプリコート
する方法として、電極上に半田ペーストを全面的に塗布
するいわゆるベタ塗りを行い、その後加熱して半田を溶
融固化させることにより電極上面に半田をプリコートす
る方法が知られている。この方法で用いられる半田ペー
スト中には、半田粒子とともに半田ペーストを構成する
液状有機物中に、ロジンなどのフラックス成分が半田接
合性を向上させる目的で含まれている。
する際の半田の供給方法として、半田プリコートが広く
用いられている。この方法は、電子部品を搭載するのに
先立ってプリント基板などの電極上に予め半田層を形成
するものである。従来プリント基板に半田をプリコート
する方法として、電極上に半田ペーストを全面的に塗布
するいわゆるベタ塗りを行い、その後加熱して半田を溶
融固化させることにより電極上面に半田をプリコートす
る方法が知られている。この方法で用いられる半田ペー
スト中には、半田粒子とともに半田ペーストを構成する
液状有機物中に、ロジンなどのフラックス成分が半田接
合性を向上させる目的で含まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のフラ
ックス成分を含む半田ペーストを用いる方法では、半田
プリコート後もフラックスの固形成分や活性剤が基板上
に残渣として残留する。従って従来の方法では、フラッ
クスの残渣により配線回路面の腐食が生じ信頼性を低下
させるため、半田プリコート後に洗浄が必要とされる。
しかしながらフラックスの洗浄工程は、従来用いられて
いたフロンなどの溶剤を使用する簡便な洗浄法が使用で
きなくなったことから複雑化、高コスト化し、コスト低
減を妨げる要因となっていた。
ックス成分を含む半田ペーストを用いる方法では、半田
プリコート後もフラックスの固形成分や活性剤が基板上
に残渣として残留する。従って従来の方法では、フラッ
クスの残渣により配線回路面の腐食が生じ信頼性を低下
させるため、半田プリコート後に洗浄が必要とされる。
しかしながらフラックスの洗浄工程は、従来用いられて
いたフロンなどの溶剤を使用する簡便な洗浄法が使用で
きなくなったことから複雑化、高コスト化し、コスト低
減を妨げる要因となっていた。
【０００４】また、電極相互間の間隔が小さいファイン
ピッチ電極の場合には、半田ペースト中の半田粒子が溶
融して固化する際に、相隣する電極間で溶融半田がつな
がったままの状態で固化する半田ブリッジが発生しやす
く、電子部品実装後の電極間の短絡などの原因となると
いう問題があった。
ピッチ電極の場合には、半田ペースト中の半田粒子が溶
融して固化する際に、相隣する電極間で溶融半田がつな
がったままの状態で固化する半田ブリッジが発生しやす
く、電子部品実装後の電極間の短絡などの原因となると
いう問題があった。
【０００５】そこで本発明は、半田ブリッジの発生を抑
制することができ、かつ半田プリコート後の洗浄を必要
としない半田プリコート方法を提供することを目的とす
る。
制することができ、かつ半田プリコート後の洗浄を必要
としない半田プリコート方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半田プリ
コート方法は、半田粒子と液状有機物を混合して成る半
田ペーストを基板の電極部に塗布し、この基板を前記半
田粒子の融点以上に加熱して半田ペースト中の半田粒子
を溶融させ、この溶融半田を前記電極に溶着させた後固
化させることにより前記電極に半田をプリコートする半
田プリコート方法であって、前記半田ペースト中の半田
粒子の体積比率が３０％以下であり、前記液状有機物が
活性作用を有し前記加熱の工程で前記基板の表面から消
滅する揮発性有機材料を主成分とするようにした。
コート方法は、半田粒子と液状有機物を混合して成る半
田ペーストを基板の電極部に塗布し、この基板を前記半
田粒子の融点以上に加熱して半田ペースト中の半田粒子
を溶融させ、この溶融半田を前記電極に溶着させた後固
化させることにより前記電極に半田をプリコートする半
田プリコート方法であって、前記半田ペースト中の半田
粒子の体積比率が３０％以下であり、前記液状有機物が
活性作用を有し前記加熱の工程で前記基板の表面から消
滅する揮発性有機材料を主成分とするようにした。
【０００７】請求項２記載の半田プリコート方法は、請
求項１記載の半田プリコート方法であって、前記溶融半
田を固化させた後、エアブローおよびまたは振動付与に
よって前記基板上に残存する余分な半田粒子を除去する
ようにした。
求項１記載の半田プリコート方法であって、前記溶融半
田を固化させた後、エアブローおよびまたは振動付与に
よって前記基板上に残存する余分な半田粒子を除去する
ようにした。
【０００８】請求項３記載の半田プリコート方法は、請
求項１記載の半田プリコート方法であって、前記揮発性
有機材料が、少なくともグリセリン、ポリエチレングリ
コールのいずれかを含むようにした。
求項１記載の半田プリコート方法であって、前記揮発性
有機材料が、少なくともグリセリン、ポリエチレングリ
コールのいずれかを含むようにした。
【０００９】請求項４記載の半田プリコート方法は、請
求項１記載の半田プリコート方法であって、前記半田粒
子の粒径が３０ミクロン以下であるようにした。
求項１記載の半田プリコート方法であって、前記半田粒
子の粒径が３０ミクロン以下であるようにした。
【００１０】各請求項記載の発明によれば、半田ペース
トを、体積比率が３０％以下の半田粒子と、活性作用を
有し加熱の工程で基板の表面から消滅する揮発性有機材
料を主成分とする液状有機物で構成することにより、溶
融半田が電極間でつながったまま固化する半田ブリッジ
を発生せず、かつ半田プリコート後に有機物の残渣が残
留せず、したがって半田プリコート後の洗浄を必要とし
ない。
トを、体積比率が３０％以下の半田粒子と、活性作用を
有し加熱の工程で基板の表面から消滅する揮発性有機材
料を主成分とする液状有機物で構成することにより、溶
融半田が電極間でつながったまま固化する半田ブリッジ
を発生せず、かつ半田プリコート後に有機物の残渣が残
留せず、したがって半田プリコート後の洗浄を必要とし
ない。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図１（ａ），（ｂ），（ｃ）、図２
（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は本発明の一実施の形
態の半田プリコート方法の工程説明図である。
参照して説明する。図１（ａ），（ｂ），（ｃ）、図２
（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は本発明の一実施の形
態の半田プリコート方法の工程説明図である。
【００１２】まず図１（ａ）において、基板１上には銅
や金、銀などの金属の電極２が形成されている。電極２
は幅ｂが５０ミクロン程度、高さｈが４０ミクロン程
度、配列ピッチＰが１００ミクロン程度のファインピッ
チの電極である。次に図１（ｂ）に示すように、基板１
上の電極２が多数形成された電極部にプリコート半田形
成のための半田ペースト３の塗布が行われる。半田ペー
スト３はディスペンサ４によってベタ塗り、すなわち基
板１の電極部上に全面的に塗布される。なお、半田ペー
スト３の塗布はステンシルマスクやメッシュマスクを用
いた印刷により行っても良い。
や金、銀などの金属の電極２が形成されている。電極２
は幅ｂが５０ミクロン程度、高さｈが４０ミクロン程
度、配列ピッチＰが１００ミクロン程度のファインピッ
チの電極である。次に図１（ｂ）に示すように、基板１
上の電極２が多数形成された電極部にプリコート半田形
成のための半田ペースト３の塗布が行われる。半田ペー
スト３はディスペンサ４によってベタ塗り、すなわち基
板１の電極部上に全面的に塗布される。なお、半田ペー
スト３の塗布はステンシルマスクやメッシュマスクを用
いた印刷により行っても良い。
【００１３】半田ペースト３は、図１（ｃ）に示すよう
に少なくともグリセリンやポリエチレングリコールなど
の活性作用を有し、加熱によって塗布された基板１の表
面から消滅する揮発性有機材料を含む液状有機物に、粒
径が３０ミクロン以下の半田粒子３ａを混合したもので
ある。また半田ペースト３中の半田粒子３ａの体積比率
が３０％以下となるように各成分の配合比率が設定され
ている。
に少なくともグリセリンやポリエチレングリコールなど
の活性作用を有し、加熱によって塗布された基板１の表
面から消滅する揮発性有機材料を含む液状有機物に、粒
径が３０ミクロン以下の半田粒子３ａを混合したもので
ある。また半田ペースト３中の半田粒子３ａの体積比率
が３０％以下となるように各成分の配合比率が設定され
ている。
【００１４】次に図２（ａ）に示すように、半田ペース
ト３が全面にベタ塗りされた基板１はリフロー炉に送ら
れ加熱される。ここで半田の融点温度以上に加熱される
ことにより、半田ペースト３中の半田粒子は溶融する。
この溶融半田のうち、電極２の表面と接触しているもの
は電極２の表面に溶着し、図２（ｂ）に示すように電極
２上に凝集してプリコート半田３ｂを形成する。このと
き、半田ペースト３中のグリセリンやポリエチレングリ
コールの活性作用により、半田粒子３ａや電極２の表面
の酸化膜が除去され、電極２への良好な半田の溶着が行
われる。
ト３が全面にベタ塗りされた基板１はリフロー炉に送ら
れ加熱される。ここで半田の融点温度以上に加熱される
ことにより、半田ペースト３中の半田粒子は溶融する。
この溶融半田のうち、電極２の表面と接触しているもの
は電極２の表面に溶着し、図２（ｂ）に示すように電極
２上に凝集してプリコート半田３ｂを形成する。このと
き、半田ペースト３中のグリセリンやポリエチレングリ
コールの活性作用により、半田粒子３ａや電極２の表面
の酸化膜が除去され、電極２への良好な半田の溶着が行
われる。
【００１５】この溶融過程での加熱により、揮発性の有
機材料であるグリセリンやポリエチレングリコールは気
化するため、プリコート半田形成後には基板１の表面か
ら消滅する。しかし図２（ｃ）に示すように、半田ペー
スト３中に含まれていた半田粒子３ａのうち、電極２に
溶着しなかった半田粒子３ａが基板１上に残留する。こ
れらの半田粒子３ａは、そのまま放置すると後工程で異
物として不具合発生の原因となるため、除去しなければ
ならない。
機材料であるグリセリンやポリエチレングリコールは気
化するため、プリコート半田形成後には基板１の表面か
ら消滅する。しかし図２（ｃ）に示すように、半田ペー
スト３中に含まれていた半田粒子３ａのうち、電極２に
溶着しなかった半田粒子３ａが基板１上に残留する。こ
れらの半田粒子３ａは、そのまま放置すると後工程で異
物として不具合発生の原因となるため、除去しなければ
ならない。
【００１６】そこで、図２（ｄ）に示すように、基板１
を除去ステージ１０上に載置し、振動子１１を駆動して
基板１に振動を付与するとともに、エアブローノズル１
２を移動させながら基板１の上面をエアブローする。こ
れにより、基板１上に残留していた微細な半田粒子３ａ
は振動とエアブローにより吹き飛ばされて除去される。
を除去ステージ１０上に載置し、振動子１１を駆動して
基板１に振動を付与するとともに、エアブローノズル１
２を移動させながら基板１の上面をエアブローする。こ
れにより、基板１上に残留していた微細な半田粒子３ａ
は振動とエアブローにより吹き飛ばされて除去される。
【００１７】このように、半田ペースト３を構成する液
状有機物として、活性作用を有し加熱により基板１の表
面から消滅する揮発性材料を用いることにより、従来必
要とされたプリコート半田後の洗浄を省略することがで
き、加熱工程後に基板１の表面をエアブローすることに
より、または基板１に振動を付与することにより、さら
にはエアブローと振動の両者を併用することにより、基
板１上に残留する半田粒子３ａを効率よく除去すること
ができる。
状有機物として、活性作用を有し加熱により基板１の表
面から消滅する揮発性材料を用いることにより、従来必
要とされたプリコート半田後の洗浄を省略することがで
き、加熱工程後に基板１の表面をエアブローすることに
より、または基板１に振動を付与することにより、さら
にはエアブローと振動の両者を併用することにより、基
板１上に残留する半田粒子３ａを効率よく除去すること
ができる。
【００１８】ここで、ベタ塗りに使用される半田ペース
ト３中の半田粒子３ａの配合比を、体積比率で３０％以
下に設定することの意義を（表１）を参照して説明す
る。
ト３中の半田粒子３ａの配合比を、体積比率で３０％以
下に設定することの意義を（表１）を参照して説明す
る。
【００１９】
【表１】
【００２０】（表１）は、半田ペースト３中の配合比を
４通りに変化させた場合のプリコート半田の品質評価を
示したものである。品質評価の項目として、ブリッジ発
生率と、プリコート高さの２項目を観察対象としてい
る。（表１）に示すように、半田粒子３ａを体積比にお
いて５０％含む配合例１の場合には、ブリッジの発生率
が５３％になっているのに対し、半田粒子３ａの体積比
率が３０％の配合例２および３、体積比率が１０％の配
合例４の場合ではいずれもブリッジ発生率が０％となっ
ている。このように半田粒子３ａの配合比を体積比率で
３０％以下に設定することにより、ファインピッチ電極
の場合でも半田溶融時に、電極間で繋がったままで固化
する半田ブリッジの発生を抑制することができる。
４通りに変化させた場合のプリコート半田の品質評価を
示したものである。品質評価の項目として、ブリッジ発
生率と、プリコート高さの２項目を観察対象としてい
る。（表１）に示すように、半田粒子３ａを体積比にお
いて５０％含む配合例１の場合には、ブリッジの発生率
が５３％になっているのに対し、半田粒子３ａの体積比
率が３０％の配合例２および３、体積比率が１０％の配
合例４の場合ではいずれもブリッジ発生率が０％となっ
ている。このように半田粒子３ａの配合比を体積比率で
３０％以下に設定することにより、ファインピッチ電極
の場合でも半田溶融時に、電極間で繋がったままで固化
する半田ブリッジの発生を抑制することができる。
【００２１】また半田ペースト３中の半田粒子３ａの粒
径を３０ミクロン以下とすることにより、相隣する電極
２の間に入り込んだ半田粒子３ａが同時に２つの電極と
接触することがなく、半田ブリッジの発生を抑制する効
果を有する。
径を３０ミクロン以下とすることにより、相隣する電極
２の間に入り込んだ半田粒子３ａが同時に２つの電極と
接触することがなく、半田ブリッジの発生を抑制する効
果を有する。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、半田ペーストを、半田
粒子と活性作用を有し加熱の工程で基板の表面から消滅
する揮発性有機材料を主成分とする液状有機物で構成す
ることにより、半田プリコート後に有機物の残渣が残留
せず、半田プリコート後の洗浄を必要としない。また半
田粒子の体積比率を３０％以下としているので、ファイ
ンピッチの電極の場合でも半田ブリッジの発生を抑制す
ることができる。
粒子と活性作用を有し加熱の工程で基板の表面から消滅
する揮発性有機材料を主成分とする液状有機物で構成す
ることにより、半田プリコート後に有機物の残渣が残留
せず、半田プリコート後の洗浄を必要としない。また半
田粒子の体積比率を３０％以下としているので、ファイ
ンピッチの電極の場合でも半田ブリッジの発生を抑制す
ることができる。
【図１】（ａ）本発明の一実施の形態の半田プリコート
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態の半田プリコート方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態の半田プリコート方法の工
程説明図
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態の半田プリコート方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態の半田プリコート方法の工
程説明図
【図２】（ａ）本発明の一実施の形態の半田プリコート
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態の半田プリコート方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態の半田プリコート方法の工
程説明図 （ｄ）本発明の一実施の形態の半田プリコート方法の工
程説明図
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態の半田プリコート方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態の半田プリコート方法の工
程説明図 （ｄ）本発明の一実施の形態の半田プリコート方法の工
程説明図
１ 基板 ２ 電極 ３ 半田ペースト ３ａ 半田粒子 ４ ディスペンサ １０ 除去ステージ １１ 振動子 １２ エアブローノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 憲 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】半田粒子と液状有機物を混合して成る半田
ペーストを基板の電極部に塗布し、この基板を前記半田
粒子の融点以上に加熱して半田ペースト中の半田粒子を
溶融させ、この溶融半田を前記電極に溶着させた後固化
させることにより前記電極に半田をプリコートする半田
プリコート方法であって、前記半田ペースト中の半田粒
子の体積比率が３０％以下であり、前記液状有機物が活
性作用を有し前記加熱の工程で前記基板の表面から消滅
する揮発性有機材料を主成分とすることを特徴とする半
田プリコート方法。 - 【請求項２】前記溶融半田を固化させた後、エアブロー
およびまたは振動付与によって前記基板上に残存する余
分な半田粒子を除去することを特徴とする請求項１記載
の半田プリコート方法。 - 【請求項３】前記揮発性有機材料が、少なくともグリセ
リン、ポリエチレングリコールのいずれかを含むことを
特徴とする請求項１記載の半田プリコート方法。 - 【請求項４】前記半田粒子の粒径が３０ミクロン以下で
あることを特徴とする請求項１記載の半田プリコート方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7901698A JPH11274707A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半田プリコート方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7901698A JPH11274707A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半田プリコート方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274707A true JPH11274707A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13678159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7901698A Pending JPH11274707A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半田プリコート方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11274707A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006098426A1 (ja) * | 2005-03-17 | 2008-08-28 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品の実装方法及び電子部品実装装置 |
| KR100881339B1 (ko) * | 2002-09-19 | 2009-02-02 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 웨이퍼에 범프를 형성하는 방법 및 이에 의하여범프가 형성된 반도체 웨이퍼 |
| JPWO2007096946A1 (ja) * | 2006-02-21 | 2009-07-09 | パナソニック株式会社 | 実装体及びその製造方法 |
| US20170290144A1 (en) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | Fujitsu Limited | Wiring board manufacturing method |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP7901698A patent/JPH11274707A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100881339B1 (ko) * | 2002-09-19 | 2009-02-02 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 웨이퍼에 범프를 형성하는 방법 및 이에 의하여범프가 형성된 반도체 웨이퍼 |
| JPWO2006098426A1 (ja) * | 2005-03-17 | 2008-08-28 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品の実装方法及び電子部品実装装置 |
| JP4696110B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2011-06-08 | パナソニック株式会社 | 電子部品の実装方法及び電子部品実装装置 |
| JPWO2007096946A1 (ja) * | 2006-02-21 | 2009-07-09 | パナソニック株式会社 | 実装体及びその製造方法 |
| JP5085932B2 (ja) * | 2006-02-21 | 2012-11-28 | パナソニック株式会社 | 実装体及びその製造方法 |
| US20170290144A1 (en) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | Fujitsu Limited | Wiring board manufacturing method |
| US10492291B2 (en) * | 2016-03-30 | 2019-11-26 | Fujitsu Limited | Wiring board manufacturing method |
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