JPH11274416A - マルチチップモジュ―ル用モノリシック共鳴器 - Google Patents
マルチチップモジュ―ル用モノリシック共鳴器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｑ係数が高い共鳴器を提供する。
【解決手段】 本発明の共鳴器２４は、重なり合った状
態の第１と第２のスパイラル形状の金属材料製領域２
６，２８と、前記第１と第２のスパイラル形状の金属材
料製領域２６，２８の間に配置される誘電体材料層４４
と、前記第１と第２のスパイラル形状の金属材料製領域
２６，２８を接続する前記誘電体材料層４４を貫通する
貫通導体３６とからなることを特徴とする。
態の第１と第２のスパイラル形状の金属材料製領域２
６，２８と、前記第１と第２のスパイラル形状の金属材
料製領域２６，２８の間に配置される誘電体材料層４４
と、前記第１と第２のスパイラル形状の金属材料製領域
２６，２８を接続する前記誘電体材料層４４を貫通する
貫通導体３６とからなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マルチチップモジ
ュール（ＭＣＭ）に関し、特に従来の低コストのシリコ
ン技術を用いて形成されたＱ係数が高いモノリシックな
共鳴器を有するマルチチップモジュールに関する。
ュール（ＭＣＭ）に関し、特に従来の低コストのシリコ
ン技術を用いて形成されたＱ係数が高いモノリシックな
共鳴器を有するマルチチップモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】電子回路は、小型化し、さらにその性能
が単位時間当たり多数回の動作が行えるように要求する
傾向にある。通常の最新型の電子回路は、複数の半導体
チップ上に配置された膨大な数の集積回路を有してい
る。現在の半導体チップは、十分高速で情報を処理で
き、その結果半導体チップ全体の処理速度は相互接続導
体の速度により主に制限されてしまう。
が単位時間当たり多数回の動作が行えるように要求する
傾向にある。通常の最新型の電子回路は、複数の半導体
チップ上に配置された膨大な数の集積回路を有してい
る。現在の半導体チップは、十分高速で情報を処理で
き、その結果半導体チップ全体の処理速度は相互接続導
体の速度により主に制限されてしまう。
【０００３】マルチチップモジュール（Multichip Modu
le−ＭＣＭ）は、相互接続導体としてのみ機能する極端
に短い導体を用いて共通の基板上に複数の半導体チップ
を相互接続するデバイスである。この導体は極端に短い
ために、一端から他端への電気信号の伝送する際その遅
延時間は短くなっている。ＭＣＭ基板上のこの極短い導
体により導体の密度が向上し、パッケージの大きさが小
さくなっている。
le−ＭＣＭ）は、相互接続導体としてのみ機能する極端
に短い導体を用いて共通の基板上に複数の半導体チップ
を相互接続するデバイスである。この導体は極端に短い
ために、一端から他端への電気信号の伝送する際その遅
延時間は短くなっている。ＭＣＭ基板上のこの極短い導
体により導体の密度が向上し、パッケージの大きさが小
さくなっている。
【０００４】かくしてＭＣＭは、例えばページャー，形
態電話，ワイアレスモデム，テレビ等のワイアレス製品
において、高性能のデジタル電子回路用の高速度の相互
接続機構を提供できる。キャパシタ・抵抗等の受動型の
電子部品もまたこのＭＣＭ基板上に埋設され、マッチン
グ，ディカップリング（脱結合），カップリング（結
合），レゾナンス（共鳴）等のさまざまな機能を具備す
る回路を提供してる。
態電話，ワイアレスモデム，テレビ等のワイアレス製品
において、高性能のデジタル電子回路用の高速度の相互
接続機構を提供できる。キャパシタ・抵抗等の受動型の
電子部品もまたこのＭＣＭ基板上に埋設され、マッチン
グ，ディカップリング（脱結合），カップリング（結
合），レゾナンス（共鳴）等のさまざまな機能を具備す
る回路を提供してる。
【０００５】現在のＭＣＭに関連する大きな問題が、現
在の埋設型の共鳴器の設計に際して存在する。共鳴器は
バンドパスフィルタ，発振器，電圧制御発振器，イメー
ジ拒絶回路あるいは所望の周波数における高いインピー
ダンスを必要とするような回路において重要な電子部品
である。このような回路の効率を上げるためには、高い
Ｑ係数を有する共鳴器を必要としている。
在の埋設型の共鳴器の設計に際して存在する。共鳴器は
バンドパスフィルタ，発振器，電圧制御発振器，イメー
ジ拒絶回路あるいは所望の周波数における高いインピー
ダンスを必要とするような回路において重要な電子部品
である。このような回路の効率を上げるためには、高い
Ｑ係数を有する共鳴器を必要としている。
【０００６】現在のＭＣＭは、別個に埋設されたインダ
クタと同じく別個に埋設されたキャパシタとを直列ある
いは並列に接続することにより形成された共鳴器（ＬＣ
共鳴器）を有している。他の現在のＭＣＭは、伝送ライ
ン構造から形成された共鳴器を有している。このような
共鳴器を有するＭＣＭは、多くの欠点を有している。例
えば、ＬＣ共鳴器を含むＭＣＭは、ＭＣＭの基板スペー
スが広くなりこれによりＭＣＭの大きさが増加すること
になる。
クタと同じく別個に埋設されたキャパシタとを直列ある
いは並列に接続することにより形成された共鳴器（ＬＣ
共鳴器）を有している。他の現在のＭＣＭは、伝送ライ
ン構造から形成された共鳴器を有している。このような
共鳴器を有するＭＣＭは、多くの欠点を有している。例
えば、ＬＣ共鳴器を含むＭＣＭは、ＭＣＭの基板スペー
スが広くなりこれによりＭＣＭの大きさが増加すること
になる。
【０００７】さらにまた２個の別個の構成要素を用いる
ＬＣ共鳴器は、Ｑ係数が悪化し共鳴器に必要とされる小
さなキャパシタンスは、低コストのシリコン製造プロセ
スを用いて正確に作ることは難しい。したがってこの低
コストのプロセスを用いて形成されるＭＣＭは、歩留ま
りが悪くかつ品質が悪いものとなっている。
ＬＣ共鳴器は、Ｑ係数が悪化し共鳴器に必要とされる小
さなキャパシタンスは、低コストのシリコン製造プロセ
スを用いて正確に作ることは難しい。したがってこの低
コストのプロセスを用いて形成されるＭＣＭは、歩留ま
りが悪くかつ品質が悪いものとなっている。
【０００８】Ｑ係数が高いＬＣ共鳴器が現在のＭＣＭに
必要とされる場合には、共鳴器はチップとは別個に構成
され、このためチップ用の共鳴器のパッケージの入力−
出力間の接続の数および構成が複雑となり、そのためパ
ッケージの浮遊容量によるスプリアスな共鳴が発生する
ことになる。伝送ラインを用いて実現した共鳴器を有す
るＭＣＭは、ワイアレスなアプリケーション用には現実
的ではない。その理由は、５００ＭＨｚ−３ＧＨｚの間
の高い周波数が必要とされるためである。このような分
散した回路は、波長と同一のオーダーの動作周波数を達
成するためには極めて長い導体ラインが必要となる。し
たがって、従来の分散型の共鳴器を具備するＭＣＭは、
ワイアレスのアプリケーション用の回路には使用するこ
とはできない。
必要とされる場合には、共鳴器はチップとは別個に構成
され、このためチップ用の共鳴器のパッケージの入力−
出力間の接続の数および構成が複雑となり、そのためパ
ッケージの浮遊容量によるスプリアスな共鳴が発生する
ことになる。伝送ラインを用いて実現した共鳴器を有す
るＭＣＭは、ワイアレスなアプリケーション用には現実
的ではない。その理由は、５００ＭＨｚ−３ＧＨｚの間
の高い周波数が必要とされるためである。このような分
散した回路は、波長と同一のオーダーの動作周波数を達
成するためには極めて長い導体ラインが必要となる。し
たがって、従来の分散型の共鳴器を具備するＭＣＭは、
ワイアレスのアプリケーション用の回路には使用するこ
とはできない。
【０００９】高抵抗のシリコン基板上に形成した埋設型
インダクタを具備するＭＣＭの研究によれば、注意深く
設計することにより、このインダクタは高いＱ係数を実
現することが分かった。良好なインダクタの設計目標
は、立ち上がり特性を維持するために、動作周波数以上
に自己共鳴周波数を立ち上げることである。しかし、浮
遊キャパシタンスを内蔵しこれは現在の技術ではこの影
響を低減することはできない。自己共鳴周波数を動作周
波数以上に維持することによっては、達成すべきインピ
ーダンスには上限がある。
インダクタを具備するＭＣＭの研究によれば、注意深く
設計することにより、このインダクタは高いＱ係数を実
現することが分かった。良好なインダクタの設計目標
は、立ち上がり特性を維持するために、動作周波数以上
に自己共鳴周波数を立ち上げることである。しかし、浮
遊キャパシタンスを内蔵しこれは現在の技術ではこの影
響を低減することはできない。自己共鳴周波数を動作周
波数以上に維持することによっては、達成すべきインピ
ーダンスには上限がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、従来技術にかかるＭＣＭの欠点を回避し、Ｑ係数
が高い共鳴器を有するＭＣＭを提供することである。
的は、従来技術にかかるＭＣＭの欠点を回避し、Ｑ係数
が高い共鳴器を有するＭＣＭを提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のマルチチップモ
ジュールは、多層基板上に配置された少なくとも２個の
半導体チップと、この基板上に埋設された共鳴器とを有
する。この基板状に配置された導体は、半導体チップと
共鳴器とを接続する。この共鳴器は、ベース基板層の上
に配置されて２本の導体により電気的に接続された重な
り合った第１と第２のスパイラル形状の導体領域（層）
を有する。誘電体材料層がこの第１と第２のスパイラル
形状の領域の間に配置され、貫通導体がこの誘電体材料
層を貫通して第１と第２のスパイラル形状の領域を電気
的に接続する。この共鳴器のＱ係数は、共鳴周波数が９
００ＭＨｚで１９以上，２ＧＨｚで２４以上である。
ジュールは、多層基板上に配置された少なくとも２個の
半導体チップと、この基板上に埋設された共鳴器とを有
する。この基板状に配置された導体は、半導体チップと
共鳴器とを接続する。この共鳴器は、ベース基板層の上
に配置されて２本の導体により電気的に接続された重な
り合った第１と第２のスパイラル形状の導体領域（層）
を有する。誘電体材料層がこの第１と第２のスパイラル
形状の領域の間に配置され、貫通導体がこの誘電体材料
層を貫通して第１と第２のスパイラル形状の領域を電気
的に接続する。この共鳴器のＱ係数は、共鳴周波数が９
００ＭＨｚで１９以上，２ＧＨｚで２４以上である。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１Ａはマルチチップモジュール
（ＭＣＭ）１０の側面図である。このＭＣＭ１０は、２
個の半導体チップ１４，１６を含むＭＣＭ基板１２とこ
のＭＣＭ基板１２を搭載するパッケージ１８とを有す
る。同図には２個の半導体チップ１４，１６がＭＣＭ基
板１２上に示されているが、ＭＣＭにはいかなる数の半
導体チップを搭載してもよい。
（ＭＣＭ）１０の側面図である。このＭＣＭ１０は、２
個の半導体チップ１４，１６を含むＭＣＭ基板１２とこ
のＭＣＭ基板１２を搭載するパッケージ１８とを有す
る。同図には２個の半導体チップ１４，１６がＭＣＭ基
板１２上に示されているが、ＭＣＭにはいかなる数の半
導体チップを搭載してもよい。
【００１３】半導体チップ１４，１６はＭＣＭ基板１２
に電気的に接続され、このＭＣＭ基板１２はパッケージ
１８にワイヤボンド２０により電気的に接続されてい
る。ＭＣＭ基板１２内には複数の受動型の電子部品（図
示せず）が埋設され、これらが半導体チップ１４，１６
と共に動作するさまざまな回路を構成する。図１Ｂに示
すように金属製導体２２は、半導体チップ１４，１６を
ＭＣＭ基板１２内に埋設された受動型素子等に電気的に
接続する。
に電気的に接続され、このＭＣＭ基板１２はパッケージ
１８にワイヤボンド２０により電気的に接続されてい
る。ＭＣＭ基板１２内には複数の受動型の電子部品（図
示せず）が埋設され、これらが半導体チップ１４，１６
と共に動作するさまざまな回路を構成する。図１Ｂに示
すように金属製導体２２は、半導体チップ１４，１６を
ＭＣＭ基板１２内に埋設された受動型素子等に電気的に
接続する。
【００１４】図２は、図１のＭＣＭ基板１２内に埋設さ
れた受動型構成部品の１つを含む重なり合った状態の共
鳴器２４の平面図である。この共鳴器２４は、重なり合
った状態で誘電体層（図示せず）により分離された第１
と第２の螺旋形状層２６，２８を有する。この第１と第
２の螺旋形状層２６，２８は、誘導性素子およびキャパ
シタのプレートとして機能する。第１と第２の螺旋形状
層２６，２８は、最も高いＱ係数を与えることのできる
環状のパターンで構成されている。
れた受動型構成部品の１つを含む重なり合った状態の共
鳴器２４の平面図である。この共鳴器２４は、重なり合
った状態で誘電体層（図示せず）により分離された第１
と第２の螺旋形状層２６，２８を有する。この第１と第
２の螺旋形状層２６，２８は、誘導性素子およびキャパ
シタのプレートとして機能する。第１と第２の螺旋形状
層２６，２８は、最も高いＱ係数を与えることのできる
環状のパターンで構成されている。
【００１５】以下に説明するように、この第１と第２の
螺旋形状層２６，２８は、ＭＣＭ基板１２の大きさによ
っては、他の形状で構成してもよい。第１螺旋形状層２
６は外側コネクタ領域３０から内側コネクタ領域３２に
向かって内側に反時計方向に螺旋を描き、第２螺旋形状
層２８は外側コネクタ領域３４から内側コネクタ領域３
６に時計方向に内側に向かって螺旋を描く。
螺旋形状層２６，２８は、ＭＣＭ基板１２の大きさによ
っては、他の形状で構成してもよい。第１螺旋形状層２
６は外側コネクタ領域３０から内側コネクタ領域３２に
向かって内側に反時計方向に螺旋を描き、第２螺旋形状
層２８は外側コネクタ領域３４から内側コネクタ領域３
６に時計方向に内側に向かって螺旋を描く。
【００１６】図３から分かるように、第１と第２の螺旋
形状層２６，２８は内側コネクタ領域３２，３６の点で
貫通導体３８により接続されている。この貫通導体３８
は第１と第２の螺旋形状層２６，２８の間に延びる（図
４の誘電体層４４を貫通して）。この構造により電流Ｉ
は、螺旋形状層２６，２８の両方上で、同一の螺旋方向
Ｌに向かって流れ、これにより共鳴器２４の全インダク
タンスを改善する。
形状層２６，２８は内側コネクタ領域３２，３６の点で
貫通導体３８により接続されている。この貫通導体３８
は第１と第２の螺旋形状層２６，２８の間に延びる（図
４の誘電体層４４を貫通して）。この構造により電流Ｉ
は、螺旋形状層２６，２８の両方上で、同一の螺旋方向
Ｌに向かって流れ、これにより共鳴器２４の全インダク
タンスを改善する。
【００１７】図２において、螺旋形状層２６，２８の重
なり合った部分は重なり領域４０で示されているが、こ
の部分は共鳴周波数を低くかつＱ係数を高くするために
重要である。しかし、重なり合った領域４０は、第１と
第２の螺旋形状層２６，２８の一方の位置を相対的に調
整し動かすことにより、ＭＣＭ基板１２の製造の間用い
られる低コストのシリコン製造技術を用いて容易に制御
可能である。
なり合った部分は重なり領域４０で示されているが、こ
の部分は共鳴周波数を低くかつＱ係数を高くするために
重要である。しかし、重なり合った領域４０は、第１と
第２の螺旋形状層２６，２８の一方の位置を相対的に調
整し動かすことにより、ＭＣＭ基板１２の製造の間用い
られる低コストのシリコン製造技術を用いて容易に制御
可能である。
【００１８】図４は、ＭＣＭ１０内に埋設された共鳴器
２４を示すＭＣＭ基板１２の断面図である。同図に示す
ように、第１螺旋形状層２６は、ＳｉＯ2 の絶縁層４２
の上に堆積され、そしてこの絶縁層４２は高抵抗シリコ
ンのベース基板層４１をカバーしている。前述した誘電
体層４４は、第１螺旋形状層２６と絶縁層４２の両方の
上に堆積される。誘電体層４４は、ポリイミド材料製あ
るいは他の適当な誘電体材料製である。
２４を示すＭＣＭ基板１２の断面図である。同図に示す
ように、第１螺旋形状層２６は、ＳｉＯ2 の絶縁層４２
の上に堆積され、そしてこの絶縁層４２は高抵抗シリコ
ンのベース基板層４１をカバーしている。前述した誘電
体層４４は、第１螺旋形状層２６と絶縁層４２の両方の
上に堆積される。誘電体層４４は、ポリイミド材料製あ
るいは他の適当な誘電体材料製である。
【００１９】開口（図示せず）が誘電体層４４に形成さ
れ、第１螺旋形状層２６の内側コネクタ領域３２を露出
させ、その部分に導電性材料が充填されて貫通導体３８
を形成する。第２の螺旋形状層２８は誘電体層４４の上
に堆積され、その内側コネクタ領域３６が貫通導体３８
に接触している。ポリイミド層４６が、第２の螺旋形状
層２８と誘電体層４４の上に堆積される。
れ、第１螺旋形状層２６の内側コネクタ領域３２を露出
させ、その部分に導電性材料が充填されて貫通導体３８
を形成する。第２の螺旋形状層２８は誘電体層４４の上
に堆積され、その内側コネクタ領域３６が貫通導体３８
に接触している。ポリイミド層４６が、第２の螺旋形状
層２８と誘電体層４４の上に堆積される。
【００２０】共鳴器の第１と第２の螺旋形状層２６，２
８の重なり領域４０を制御し調整することにより、内部
周波数をワイアレス回路および無線回路の動作周波数に
近づけ、内部キャパシタンスを与える。共鳴器を構成す
る余分な回路要素を削除することにより共鳴器のＱ係数
が大幅に改善され、その結果ＭＣＭの動作が効率的とな
り、ＭＣＭの大きさを低減できる。さらに異なる誘電体
材料を誘電体層４４用に用いることによりさまざまなア
プリケーション用の共鳴器の共鳴周波数を調整できる。
８の重なり領域４０を制御し調整することにより、内部
周波数をワイアレス回路および無線回路の動作周波数に
近づけ、内部キャパシタンスを与える。共鳴器を構成す
る余分な回路要素を削除することにより共鳴器のＱ係数
が大幅に改善され、その結果ＭＣＭの動作が効率的とな
り、ＭＣＭの大きさを低減できる。さらに異なる誘電体
材料を誘電体層４４用に用いることによりさまざまなア
プリケーション用の共鳴器の共鳴周波数を調整できる。
【００２１】図５，６には本発明のＭＣＭ内に用いられ
る重なり合ったモノリシックな共鳴器の他の実施例が示
されている。共鳴器４８，５６は、前述した実施例のＭ
ＣＭの共鳴器２４とほぼ同一であるが、ただし第１と第
２の螺旋形状の金属材料層の形状が異なる。図５の共鳴
器４８は重なり合った八角形の第１と第２の螺旋形状層
５２，５０を有し、これらは貫通導体５４により結合さ
れている。図６の共鳴器５６は、オーバラップした第１
と第２の螺旋形状層６０，５８を有し、これらは四角形
をしており貫通導体６２により結合されている。
る重なり合ったモノリシックな共鳴器の他の実施例が示
されている。共鳴器４８，５６は、前述した実施例のＭ
ＣＭの共鳴器２４とほぼ同一であるが、ただし第１と第
２の螺旋形状の金属材料層の形状が異なる。図５の共鳴
器４８は重なり合った八角形の第１と第２の螺旋形状層
５２，５０を有し、これらは貫通導体５４により結合さ
れている。図６の共鳴器５６は、オーバラップした第１
と第２の螺旋形状層６０，５８を有し、これらは四角形
をしており貫通導体６２により結合されている。
【００２２】図５，６の共鳴器４８，５６は、ＭＣＭ基
板に対する空間的な制限のために、環状の螺旋形状を実
現することが難しい場合に特に優れたものであるが、環
状の共鳴器が３つのパターンのうち最も高いＱ係数を与
えることが分かる。環状の共鳴器を実現することは難し
いが、八角形または四角形以外ののモノリシックの共鳴
器でもよい。
板に対する空間的な制限のために、環状の螺旋形状を実
現することが難しい場合に特に優れたものであるが、環
状の共鳴器が３つのパターンのうち最も高いＱ係数を与
えることが分かる。環状の共鳴器を実現することは難し
いが、八角形または四角形以外ののモノリシックの共鳴
器でもよい。
【００２３】環状，八角形，四角形の重なり合ったモノ
リシックな共鳴器のインピーダンスの測定値を図７，８
に示す。ピークインピーダンスがＱ値を与える。図７に
おいて、各共鳴器は、第１螺旋形状の導電層が２．７５
巻回で、第２螺旋形状の導電層がも２．７５巻回で、全
部で５．５巻回でもって構成した。このグループの環状
状の共鳴器のＱ係数は約２５で、共鳴周波数は約８９６
ＭＨｚであった。このグループの八角形と四角形の共鳴
器のＱ係数は、それぞれ２２と１９であった。
リシックな共鳴器のインピーダンスの測定値を図７，８
に示す。ピークインピーダンスがＱ値を与える。図７に
おいて、各共鳴器は、第１螺旋形状の導電層が２．７５
巻回で、第２螺旋形状の導電層がも２．７５巻回で、全
部で５．５巻回でもって構成した。このグループの環状
状の共鳴器のＱ係数は約２５で、共鳴周波数は約８９６
ＭＨｚであった。このグループの八角形と四角形の共鳴
器のＱ係数は、それぞれ２２と１９であった。
【００２４】図８には、各共鳴器が第１の螺旋形状誘電
体層が１．７５巻回、第２の螺旋形状誘電体層が１．７
５巻回で、全部で３．５巻回でもって構成した。このグ
ループの環状状の共鳴器のＱ係数は約３０で、共鳴周波
数は約１．８１ＧＨｚであった。このグループの八角形
と四角形の共鳴器のＱ係数は、それぞれ２７と共鳴器２
４であった。
体層が１．７５巻回、第２の螺旋形状誘電体層が１．７
５巻回で、全部で３．５巻回でもって構成した。このグ
ループの環状状の共鳴器のＱ係数は約３０で、共鳴周波
数は約１．８１ＧＨｚであった。このグループの八角形
と四角形の共鳴器のＱ係数は、それぞれ２７と共鳴器２
４であった。
【００２５】
【発明の効果】本発明の共鳴器は、以上に記載した形状
に限定されるものではなく異なる形状のパターンの螺旋
形状層の共鳴器にも適用できる。さらに重なり合った状
態の螺旋形状の層が互いに対称構造を構成しているが、
本発明の共鳴器は重なり合った螺旋形状の層が異なる形
状のパターンで対称構造に限定されるものではない。し
たがって、本明細書に記載した螺旋形状に限定されるも
のではない。
に限定されるものではなく異なる形状のパターンの螺旋
形状層の共鳴器にも適用できる。さらに重なり合った状
態の螺旋形状の層が互いに対称構造を構成しているが、
本発明の共鳴器は重なり合った螺旋形状の層が異なる形
状のパターンで対称構造に限定されるものではない。し
たがって、本明細書に記載した螺旋形状に限定されるも
のではない。
【図１】Ａ 本発明の一実施例によるマルチチップモジ
ュールを表す断面図Ｂ 同上面図
ュールを表す断面図Ｂ 同上面図
【図２】図１の一実施例のマルチチップモジュール内に
含まれる重なり合った状態の共鳴器の上面図
含まれる重なり合った状態の共鳴器の上面図
【図３】図２の共鳴器の斜視図
【図４】図２の共鳴器を含むマルチチップモジュール基
板の断面図
板の断面図
【図５】本発明の第２実施例（八角形）による重なり合
った状態の共鳴器の上面図
った状態の共鳴器の上面図
【図６】本発明の第３実施例（四角形）による重なり合
った状態の共鳴器の上面図
った状態の共鳴器の上面図
【図７】９００ＭＨｚ近傍の共鳴周波数を生成する環状
共鳴器と八角形共鳴器と四角形共鳴器のインピーダンス
対周波数範囲の関係を表すグラフ
共鳴器と八角形共鳴器と四角形共鳴器のインピーダンス
対周波数範囲の関係を表すグラフ
【図８】２ＧＨｚ近傍の共鳴周波数を生成する環状共鳴
器と八角形共鳴器と四角形共鳴器のインピーダンス対周
波数範囲の関係を表すグラフ
器と八角形共鳴器と四角形共鳴器のインピーダンス対周
波数範囲の関係を表すグラフ
１０ マルチチップモジュール（ＭＣＭ） １２ ＭＣＭ基板 １４，１６ 半導体チップ １８ パッケージ ２０ ワイヤボンド ２２ 金属製導体 ２４，４８，５６ 共鳴器 ２６，５２，６０ 第１螺旋形状層 ２８，５０，５８ 第２螺旋形状層 ３０，３４ 外側コネクタ領域 ３２，３６ 内側コネクタ領域 ３８，５４，６２ 貫通導体 ４０ 重なり領域 ４１ ベース基板層 ４２ 絶縁層 ４４ 誘電体層 ４６ ポリイミド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 キンソング ザオ アメリカ合衆国，95054 カリフォルニア, サンタ クララ，ヴィスタ クラブ サー クル ナンバー201 1568
Claims (18)
- 【請求項１】 多層基板と、前記多層基板上に形成され
た少なくとも２個の半導体チップと、 前記少なくとも２個の半導体チップを相互に接続する複
数の導体と、を有するマルチチップモジュール用のモノ
リシック共鳴器において、 前記共鳴器（２４）は、 前記少なくとも２個の半導体チップを前記複数の導体の
うちの少なくとも２個の導体を介して電気的に接続され
る重なり合った状態の第１と第２のスパイラル形状の金
属材料製領域（２６，２８）と、 前記第１と第２のスパイラル形状の金属材料製領域の間
に配置される誘電体材料層（４４）と、 前記第１と第２のスパイラル形状の金属材料製領域を接
続する前記誘電体材料層を貫通する貫通導体（３６）と
からなることを特徴とするマルチチップモジュール用モ
ノリシック共鳴器。 - 【請求項２】 前記第１と第２のスパイラル形状の金属
材料製領域は、反対方向に巻かれていることを特徴とす
る請求項１記載の共鳴器。 - 【請求項３】 前記第１と第２のスパイラル形状の金属
材料製領域は、物理的パターンでそれぞれ巻かれている
ことを特徴とする請求項１記載の共鳴器。 - 【請求項４】 前記物理的パターンは、環状，八角形，
四角形のパターンからなるグループから選択されること
を特徴とする請求項３記載の共鳴器。 - 【請求項５】 前記第１と第２のスパイラル形状の金属
材料製領域の巻きパターンは、同一であることを特徴と
する請求項３記載の共鳴器。 - 【請求項６】 前記第１と第２のスパイラル形状の金属
材料製領域の巻きパターンは、異なることを特徴とする
請求項３記載の共鳴器。 - 【請求項７】 前記誘電体材料は、前記共鳴器が所望の
自己共鳴周波数を有するように内部結合キャパシタンス
をさまざまに選択できるような誘電体材料の所定のグル
ープから選択されることを特徴とする請求項１記載の共
鳴器。 - 【請求項８】 前記共鳴器のＱ係数は、共鳴周波数が９
００ＭＨｚで１９以上、２ＧＨｚで２４以上であること
を特徴とする請求項１記載の共鳴器。 - 【請求項９】 多層基板と、 前記多層基板上に形成された少なくとも２個の半導体チ
ップと、 前記少なくとも２個の半導体チップを相互に接続する複
数の導体と、 前記多層基板内に埋設され、少なくとも２個の半導体チ
ップを複数の導体を介して電気的に接続し埋設された共
鳴器と、からなるマルチチップモジュールにおいて、 前記共鳴器は、 前記多層基板のベース基板層の上に配置され、前記複数
の導体のうちの少なくとも２個の導体の電気的に接続さ
れる重なり合った状態の第１と第２のスパイラル形状の
金属材料製領域と、 前記第１と第２のスパイラル形状の金属材料製領域の間
に配置される誘電体材料層と、 前記第１と第２のスパイラル形状の金属材料製領域を接
続する前記誘電体材料層を貫通する貫通導体と、からな
ることを特徴とするマルチチップモジュール。 - 【請求項１０】 前記共鳴器のＱ係数は、共鳴周波数が
９００ＭＨｚで１９以上、２ＧＨｚで２４以上であるこ
とを特徴とする請求項９記載のマルチチップモジュー
ル。 - 【請求項１１】 前記第１のスパイラル形状の金属材料
製領域と前記ベース基板層との間に配置された絶縁層を
さらに有することを特徴とする請求項９記載のマルチチ
ップモジュール。 - 【請求項１２】 前記第２のスパイラル形状の金属材料
製領域の上に配置された第２の誘電体材料層をさらに有
することを特徴とする請求項９記載のマルチチップモジ
ュール。 - 【請求項１３】 前記第１と第２のスパイラル形状の金
属材料製領域は、反対方向に巻かれていることを特徴と
する請求項９記載のマルチチップモジュール。 - 【請求項１４】 前記第１と第２のスパイラル形状の金
属材料製領域は、物理的パターンでそれぞれ巻かれてい
ることを特徴とする請求項９記載のマルチチップモジュ
ール。 - 【請求項１５】 前記物理的パターンは、環状，八角
形，矩形のパターンからなるグループから選択されるこ
とを特徴とする請求項１４記載のマルチチップモジュー
ル。 - 【請求項１６】 前記第１と第２のスパイラル形状の金
属材料製領域の巻きパターンは、同一であることを特徴
とする請求項１４記載のマルチチップモジュール。 - 【請求項１７】 前記第１と第２のスパイラル形状の金
属材料製領域の巻きパターンは、異なることを特徴とす
る請求項１４記載のマルチチップモジュール。 - 【請求項１８】 前記共鳴器が所望の自己共鳴周波数を
有するように内部結合キャパシタンスをさまざまに選択
できるような誘電体材料の所定のグループから選択され
ることを特徴とする請求項９記載のマルチチップモジュ
ール。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/012304 | 1998-01-23 | ||
| US09/012,304 US6075427A (en) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | MCM with high Q overlapping resonator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274416A true JPH11274416A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3578931B2 JP3578931B2 (ja) | 2004-10-20 |
Family
ID=21754337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01139699A Expired - Lifetime JP3578931B2 (ja) | 1998-01-23 | 1999-01-20 | マルチチップモジュール用モノリシック共鳴器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6075427A (ja) |
| EP (1) | EP0932255B1 (ja) |
| JP (1) | JP3578931B2 (ja) |
| KR (1) | KR100617887B1 (ja) |
| DE (1) | DE69941168D1 (ja) |
Cited By (5)
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| KR101134832B1 (ko) | 2005-06-17 | 2012-04-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 프론트앤드모듈의 공진기 |
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