JPH11274226A - チップの実装方法 - Google Patents
チップの実装方法Info
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- JPH11274226A JPH11274226A JP6965898A JP6965898A JPH11274226A JP H11274226 A JPH11274226 A JP H11274226A JP 6965898 A JP6965898 A JP 6965898A JP 6965898 A JP6965898 A JP 6965898A JP H11274226 A JPH11274226 A JP H11274226A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リフロー処理後の半田ボール１６内にボイド
が発生し易かった。 【解決手段】 パッケージ基板１１におけるメッキ処理
が施された複数個のフリップチップパッド１３上に、複
数個の接続用半田ボール１６を備えたチップ１４を実装
するチップの実装方法において、フリップチップパッド
１３上にフラックス１７を塗布し、次に半田ボール１６
がフリップチップパッド１３の端部１３ｄに接触するよ
うにチップ１４をパッケージ基板１１に対して配置し、
その後半田ボール１６をフリップチップパッド１３の端
部１３ｄに押し付けて仮付けした後、リフロー処理を施
す。
が発生し易かった。 【解決手段】 パッケージ基板１１におけるメッキ処理
が施された複数個のフリップチップパッド１３上に、複
数個の接続用半田ボール１６を備えたチップ１４を実装
するチップの実装方法において、フリップチップパッド
１３上にフラックス１７を塗布し、次に半田ボール１６
がフリップチップパッド１３の端部１３ｄに接触するよ
うにチップ１４をパッケージ基板１１に対して配置し、
その後半田ボール１６をフリップチップパッド１３の端
部１３ｄに押し付けて仮付けした後、リフロー処理を施
す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はチップの実装方法に
関し、より詳細には、パッケージ基板に半田ボールを備
えたチップをフリップチップ実装する際、前記半田ボー
ル内にボイドが発生するのを防止することが可能なチッ
プの実装方法に関する。
関し、より詳細には、パッケージ基板に半田ボールを備
えたチップをフリップチップ実装する際、前記半田ボー
ル内にボイドが発生するのを防止することが可能なチッ
プの実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パッケージ基板に半田ボールを備
えたチップを直接的に実装するフリップチップ実装が行
われている。図４はこの種チップがフリップチップ実装
されたパッケージ基板を概略的に示した断面図であり、
図中１１はパッケージ基板を示している。パッケージ基
板１１はセラミック材料等を用いて略直方体板形状に形
成されており、パッケージ基板１１内部の所定箇所には
複数個のスルーホール１２ａ、導電層１２ｂが形成さ
れ、スルーホール１２ａ内には導電性材料が充填されて
いる。スルーホール１２ａの上端部には下地層１３ａ
（図５）がそれぞれ形成されており、下地層１３ａはモ
リブデンまたはタングステン材料を用いて略円形状に形
成されている。下地層１３ａの上部にはニッケル（以
下、Niと記す）メッキ層１３ｂ（図５）がそれぞれ形成
され、Niメッキ層１３ｂの上部には金（以下、Auと記
す）メッキ層１３ｃ（図５）がそれぞれ形成されてい
る。これら下地層１３ａ、Niメッキ層１３ｂ、Auメッキ
層１３ｃを含んでフリップチップパッド１３が構成され
ており、フリップチップパッド１３間のピッチは所定距
離ｐに設定されている。
えたチップを直接的に実装するフリップチップ実装が行
われている。図４はこの種チップがフリップチップ実装
されたパッケージ基板を概略的に示した断面図であり、
図中１１はパッケージ基板を示している。パッケージ基
板１１はセラミック材料等を用いて略直方体板形状に形
成されており、パッケージ基板１１内部の所定箇所には
複数個のスルーホール１２ａ、導電層１２ｂが形成さ
れ、スルーホール１２ａ内には導電性材料が充填されて
いる。スルーホール１２ａの上端部には下地層１３ａ
（図５）がそれぞれ形成されており、下地層１３ａはモ
リブデンまたはタングステン材料を用いて略円形状に形
成されている。下地層１３ａの上部にはニッケル（以
下、Niと記す）メッキ層１３ｂ（図５）がそれぞれ形成
され、Niメッキ層１３ｂの上部には金（以下、Auと記
す）メッキ層１３ｃ（図５）がそれぞれ形成されてい
る。これら下地層１３ａ、Niメッキ層１３ｂ、Auメッキ
層１３ｃを含んでフリップチップパッド１３が構成され
ており、フリップチップパッド１３間のピッチは所定距
離ｐに設定されている。
【０００３】一方、パッケージ基板１１の上方にはチッ
プ１４が配設され、チップ１４はシリコン材料等を用い
て略直方体板形状に形成されている。チップ１４の下面
の所定箇所には略円形状をした複数個のパッド１５が形
成され、パッド１５下部には略球形状の半田ボール１６
がそれぞれ半田付けされており、パッド１５間（または
半田ボール１６間）のピッチはフリップチップパッド１
３間と同様の距離ｐに設定されている。そしてこの半田
ボール１６を所定のフリップチップパッド１３に押し付
け、リフロー処理を施すと、半田ボール１６がフリップ
チップパッド１３に接着し、パッケージ基板１１にチッ
プ１４が実装される。
プ１４が配設され、チップ１４はシリコン材料等を用い
て略直方体板形状に形成されている。チップ１４の下面
の所定箇所には略円形状をした複数個のパッド１５が形
成され、パッド１５下部には略球形状の半田ボール１６
がそれぞれ半田付けされており、パッド１５間（または
半田ボール１６間）のピッチはフリップチップパッド１
３間と同様の距離ｐに設定されている。そしてこの半田
ボール１６を所定のフリップチップパッド１３に押し付
け、リフロー処理を施すと、半田ボール１６がフリップ
チップパッド１３に接着し、パッケージ基板１１にチッ
プ１４が実装される。
【０００４】図５は従来のチップの実装方法を説明する
ため、フリップチップパッド近傍を工程順に示した拡大
断面図であり、（ａ）は第１工程、（ｂ）は第２工程、
（ｃ）は第３工程を示している。パッケージ基板１１に
チップ１４を実装する場合、まずフリップチップパッド
１３上にフラックス１７を塗布する（第１工程）。次に
パッケージ基板１１とチップ１４との相対位置関係を調
整し、所定のフリップチップパッド１３の略中央部上方
に所定の半田ボール１６を配置する。この後、チップ１
４をパッケージ基板１１側に押し付け、フラックス１７
を介してフリップチップパッド１３上に半田ボール１６
を仮付けする（第２工程）。次にチップ１４が仮付けさ
れたパッケージ基板１１をリフロー炉（図示せず）内に
装入し、所定温度Ｔでリフロー処理を施すと、半田ボー
ル１６が溶融・凝固し、半田ボール１６を介してフリッ
プチップパッド１３とパッド１５とが接続され、パッケ
ージ基板１１にチップ１４が実装される（第３工程）。
ため、フリップチップパッド近傍を工程順に示した拡大
断面図であり、（ａ）は第１工程、（ｂ）は第２工程、
（ｃ）は第３工程を示している。パッケージ基板１１に
チップ１４を実装する場合、まずフリップチップパッド
１３上にフラックス１７を塗布する（第１工程）。次に
パッケージ基板１１とチップ１４との相対位置関係を調
整し、所定のフリップチップパッド１３の略中央部上方
に所定の半田ボール１６を配置する。この後、チップ１
４をパッケージ基板１１側に押し付け、フラックス１７
を介してフリップチップパッド１３上に半田ボール１６
を仮付けする（第２工程）。次にチップ１４が仮付けさ
れたパッケージ基板１１をリフロー炉（図示せず）内に
装入し、所定温度Ｔでリフロー処理を施すと、半田ボー
ル１６が溶融・凝固し、半田ボール１６を介してフリッ
プチップパッド１３とパッド１５とが接続され、パッケ
ージ基板１１にチップ１４が実装される（第３工程）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記したNiメッキ層１
３ｂとAuメッキ層１３ｃは、一般的に電解メッキ法によ
り形成されており、この電解メッキ法では、メッキを施
すパターンに電流を供給するためのメッキ用パターンを
別に設ける必要がある。しかし、フリップチップパッド
１３のようなファインパターンに前記メッキ用パターン
を設けることはスペース的に難しく、また該メッキ用パ
ターンがノイズ発生源となり易い。そこでフリップチッ
プパッド１３のようなファインパターンの場合、前記メ
ッキ用パターンが不要な無電解メッキ法によりNiメッキ
やAuメッキが施されている。
３ｂとAuメッキ層１３ｃは、一般的に電解メッキ法によ
り形成されており、この電解メッキ法では、メッキを施
すパターンに電流を供給するためのメッキ用パターンを
別に設ける必要がある。しかし、フリップチップパッド
１３のようなファインパターンに前記メッキ用パターン
を設けることはスペース的に難しく、また該メッキ用パ
ターンがノイズ発生源となり易い。そこでフリップチッ
プパッド１３のようなファインパターンの場合、前記メ
ッキ用パターンが不要な無電解メッキ法によりNiメッキ
やAuメッキが施されている。
【０００６】ところがこの無電解メッキ法により下地層
１３ａ上にメッキ処理を施した際、Niメッキ層１３ｂ、
Auメッキ層１３ｃ中にＣＮ、Ｈ2 、Ｈ2 Ｏガスが含有さ
れ易い。このため、上記した従来のチップの実装方法に
おいては、リフロー処理を施す際にこれらのガスがフラ
ックス１７を通って半田ボール１６内へ移動し易く、リ
フロー処理後の半田ボール１６内にボイド１８が発生す
るおそれがあるという課題があった。
１３ａ上にメッキ処理を施した際、Niメッキ層１３ｂ、
Auメッキ層１３ｃ中にＣＮ、Ｈ2 、Ｈ2 Ｏガスが含有さ
れ易い。このため、上記した従来のチップの実装方法に
おいては、リフロー処理を施す際にこれらのガスがフラ
ックス１７を通って半田ボール１６内へ移動し易く、リ
フロー処理後の半田ボール１６内にボイド１８が発生す
るおそれがあるという課題があった。
【０００７】またNiメッキ層１３ｂ、Auメッキ層１３ｃ
中に含有されたＣＮ、Ｈ2 、Ｈ2 Ｏガスを放散させるた
め、フリップチップパッド１３を備えたパッケージ基板
１１に予め加熱処理を施す方法が開発されているが、加
熱処理を施しただけでは、ボイド１８の発生を完全に防
止することが困難であるという課題があった。
中に含有されたＣＮ、Ｈ2 、Ｈ2 Ｏガスを放散させるた
め、フリップチップパッド１３を備えたパッケージ基板
１１に予め加熱処理を施す方法が開発されているが、加
熱処理を施しただけでは、ボイド１８の発生を完全に防
止することが困難であるという課題があった。
【０００８】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、リフロー処理後の半田ボール内にボイドが発生する
のを確実に防止することができるチップの実装方法を提
供することを目的としている。
り、リフロー処理後の半田ボール内にボイドが発生する
のを確実に防止することができるチップの実装方法を提
供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係るチップの実装方法は、パッ
ケージ基板におけるメッキ処理が施された複数個のフリ
ップチップパッド上に、複数個の接続用半田ボールを備
えたチップを実装するチップの実装方法において、前記
フリップチップパッド上にフラックスを塗布し、次に前
記半田ボールが前記フリップチップパッドの端部に接触
するように前記チップを前記パッケージ基板に対して配
置し、その後前記半田ボールを前記フリップチップパッ
ドの端部に押し付けて仮付けした後、リフロー処理を施
すことを特徴としている（１）。
達成するために本発明に係るチップの実装方法は、パッ
ケージ基板におけるメッキ処理が施された複数個のフリ
ップチップパッド上に、複数個の接続用半田ボールを備
えたチップを実装するチップの実装方法において、前記
フリップチップパッド上にフラックスを塗布し、次に前
記半田ボールが前記フリップチップパッドの端部に接触
するように前記チップを前記パッケージ基板に対して配
置し、その後前記半田ボールを前記フリップチップパッ
ドの端部に押し付けて仮付けした後、リフロー処理を施
すことを特徴としている（１）。
【００１０】上記したチップの実装方法（１）によれ
ば、前記フリップチップパッド上にフラックスを塗布
し、次に前記半田ボールが前記フリップチップパッドの
端部に接触するように前記チップを前記パッケージ基板
に対して配置し、その後前記半田ボールを前記フリップ
チップパッドの端部に押し付けて仮付けした後、リフロ
ー処理を施すので、まず、前記半田ボールが溶融する前
に、前記フリップチップパッドのメッキ層内に含有され
たガスを前記フリップチップパッドの開放面より前記フ
ラックスを介して外方へ放散させることができる。そし
てその後、溶融した前記半田ボールは前記パッケージ基
板に比べて前記フリップチップパッドになじみ易いた
め、前記半田ボールに前記フリップチップパッドの中央
部へ向かう表面張力が作用し、該フリップチップパッド
上の略中央位置に前記半田ボールの中央位置を自然に移
動させることができる。この結果、前記半田ボール内に
ボイドが発生するのを確実に防止することができると共
に、前記パッケージ基板に前記チップを正確な位置取り
で実装することができる。
ば、前記フリップチップパッド上にフラックスを塗布
し、次に前記半田ボールが前記フリップチップパッドの
端部に接触するように前記チップを前記パッケージ基板
に対して配置し、その後前記半田ボールを前記フリップ
チップパッドの端部に押し付けて仮付けした後、リフロ
ー処理を施すので、まず、前記半田ボールが溶融する前
に、前記フリップチップパッドのメッキ層内に含有され
たガスを前記フリップチップパッドの開放面より前記フ
ラックスを介して外方へ放散させることができる。そし
てその後、溶融した前記半田ボールは前記パッケージ基
板に比べて前記フリップチップパッドになじみ易いた
め、前記半田ボールに前記フリップチップパッドの中央
部へ向かう表面張力が作用し、該フリップチップパッド
上の略中央位置に前記半田ボールの中央位置を自然に移
動させることができる。この結果、前記半田ボール内に
ボイドが発生するのを確実に防止することができると共
に、前記パッケージ基板に前記チップを正確な位置取り
で実装することができる。
【００１１】また本発明に係るチップの実装方法は、パ
ッケージ基板におけるメッキ処理が施された複数個のフ
リップチップパッド上に、複数個の接続用半田ボールを
備えたチップを実装するチップの実装方法において、前
記パッケージ基板に予め５００℃〜６００℃の加熱処理
を施した後、前記フリップチップパッド上にフラックス
を塗布し、次に前記半田ボールが前記フリップチップパ
ッドの端部に接触するように前記チップを前記パッケー
ジ基板に対して配置し、その後前記半田ボールを前記フ
リップチップパッドの端部に押し付けて仮付けした後、
リフロー処理を施すことを特徴としている（２）。
ッケージ基板におけるメッキ処理が施された複数個のフ
リップチップパッド上に、複数個の接続用半田ボールを
備えたチップを実装するチップの実装方法において、前
記パッケージ基板に予め５００℃〜６００℃の加熱処理
を施した後、前記フリップチップパッド上にフラックス
を塗布し、次に前記半田ボールが前記フリップチップパ
ッドの端部に接触するように前記チップを前記パッケー
ジ基板に対して配置し、その後前記半田ボールを前記フ
リップチップパッドの端部に押し付けて仮付けした後、
リフロー処理を施すことを特徴としている（２）。
【００１２】上記したチップの実装方法（２）によれ
ば、前記パッケージ基板に予め５００℃〜６００℃の加
熱処理を施しておくので、前記フリップチップパッドの
メッキ層内に含有されたガスを減少させておくことがで
き、リフロー処理を施した際、前記半田ボール内にボイ
ドが発生するのを一層確実に防止することができる。
ば、前記パッケージ基板に予め５００℃〜６００℃の加
熱処理を施しておくので、前記フリップチップパッドの
メッキ層内に含有されたガスを減少させておくことがで
き、リフロー処理を施した際、前記半田ボール内にボイ
ドが発生するのを一層確実に防止することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るチップの実装
方法の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、従
来例と同一機能を有する構成部品には同一の符号を付す
こととする。図４は実施の形態（１）に係るチップがフ
リップチップ実装されたパッケージ基板を概略的に示し
た断面図であり、図中１１はパッケージ基板を示してい
る。パッケージ基板１１はセラミック材料等を用いて略
直方体板形状（長さＬ×幅Ｗ（図示せず）×厚さｔ）に
形成されており、パッケージ基板１１内部の所定箇所に
は複数個のスルーホール１２ａ、導電層１２ｂが形成さ
れ、スルーホール１２ａ内には導電性材料が充填されて
いる。スルーホール１２ａの上端部には下地層１３ａ
（図１）がそれぞれ形成されており、下地層１３ａはモ
リブデンまたはタングステン材料を用いて略円形状に形
成されている。下地層１３ａの上部にはNiメッキ層１３
ｂ（図１）がそれぞれ形成され、Niメッキ層１３ｂの上
部にはAuメッキ層１３ｃ（図１）がそれぞれ形成されて
いる。これら下地層１３ａ、Niメッキ層１３ｂ、Auメッ
キ層１３ｃを含んでフリップチップパッド１３が構成さ
れており、フリップチップパッド１３は直径がｄ0 （図
１）、個数がＮ（図示せず）に設定されると共に、フリ
ップチップパッド１３間のピッチは所定距離ｐに設定さ
れている。
方法の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、従
来例と同一機能を有する構成部品には同一の符号を付す
こととする。図４は実施の形態（１）に係るチップがフ
リップチップ実装されたパッケージ基板を概略的に示し
た断面図であり、図中１１はパッケージ基板を示してい
る。パッケージ基板１１はセラミック材料等を用いて略
直方体板形状（長さＬ×幅Ｗ（図示せず）×厚さｔ）に
形成されており、パッケージ基板１１内部の所定箇所に
は複数個のスルーホール１２ａ、導電層１２ｂが形成さ
れ、スルーホール１２ａ内には導電性材料が充填されて
いる。スルーホール１２ａの上端部には下地層１３ａ
（図１）がそれぞれ形成されており、下地層１３ａはモ
リブデンまたはタングステン材料を用いて略円形状に形
成されている。下地層１３ａの上部にはNiメッキ層１３
ｂ（図１）がそれぞれ形成され、Niメッキ層１３ｂの上
部にはAuメッキ層１３ｃ（図１）がそれぞれ形成されて
いる。これら下地層１３ａ、Niメッキ層１３ｂ、Auメッ
キ層１３ｃを含んでフリップチップパッド１３が構成さ
れており、フリップチップパッド１３は直径がｄ0 （図
１）、個数がＮ（図示せず）に設定されると共に、フリ
ップチップパッド１３間のピッチは所定距離ｐに設定さ
れている。
【００１４】一方、パッケージ基板１１の上方にはチッ
プ１４が配設され、チップ１４はシリコン材料等を用い
て略直方体板形状に形成されている。チップ１４の下面
の所定箇所には略円形状をしたＮ個のパッド１５が形成
され、パッド１５下部には直径がｄ1 の略球形状をした
半田ボール１６がそれぞれ半田付けされており、パッド
１５間（または半田ボール１６間）のピッチはフリップ
チップパッド１３間と同様の距離ｐに設定されている。
そしてこの半田ボール１６を所定のフリップチップパッ
ド１３にそれぞれ接続することにより、パッケージ基板
１１にチップ１４が実装されている。
プ１４が配設され、チップ１４はシリコン材料等を用い
て略直方体板形状に形成されている。チップ１４の下面
の所定箇所には略円形状をしたＮ個のパッド１５が形成
され、パッド１５下部には直径がｄ1 の略球形状をした
半田ボール１６がそれぞれ半田付けされており、パッド
１５間（または半田ボール１６間）のピッチはフリップ
チップパッド１３間と同様の距離ｐに設定されている。
そしてこの半田ボール１６を所定のフリップチップパッ
ド１３にそれぞれ接続することにより、パッケージ基板
１１にチップ１４が実装されている。
【００１５】図１は実施の形態（１）に係るチップの実
装方法を説明するため、フリップチップパッド近傍を工
程順に示した拡大断面図であり、（ａ）は第１工程、
（ｂ）は第２工程、（ｃ）は第３工程を示している。パ
ッケージ基板１１にチップ１４を実装する場合、まずフ
リップチップパッド１３上にフラックス１７を塗布する
（第１工程）。次にパッケージ基板１１とチップ１４と
の相対位置関係を調整して中心間距離をｄ2 程ずらし、
所定のフリップチップパッド１３の端部１３ｄに接触す
るように所定の半田ボール１６を配置する。この後、チ
ップ１４をパッケージ基板１１側に押し付け、フラック
ス１７を介してフリップチップパッド１３の端部１３ｄ
に半田ボール１６を仮付けする。次にチップ１４が仮付
けされたパッケージ基板１１をリフロー炉（図示せず）
内に装入し、所定温度Ｔでリフロー処理を施すと、半田
ボール１６が溶融する前にまずNiメッキ層１３ｂ、Auメ
ッキ層１３ｃ中に含有されていたガスがフラックス１７
を通り、フリップチップパッド１３の上方（矢印Ａ方
向）に放散される。この後半田ボール１６が溶融し、表
面張力に基づいて矢印Ｂ方向に引き付けられる（第２工
程）。すると半田ボール１６がフリップチップパッド１
３の中央部に移動・凝固し、半田ボール１６を介してフ
リップチップパッド１３とパッド１５とが接続され、パ
ッケージ基板１１の所定位置にチップ１４が実装される
（第３工程）。
装方法を説明するため、フリップチップパッド近傍を工
程順に示した拡大断面図であり、（ａ）は第１工程、
（ｂ）は第２工程、（ｃ）は第３工程を示している。パ
ッケージ基板１１にチップ１４を実装する場合、まずフ
リップチップパッド１３上にフラックス１７を塗布する
（第１工程）。次にパッケージ基板１１とチップ１４と
の相対位置関係を調整して中心間距離をｄ2 程ずらし、
所定のフリップチップパッド１３の端部１３ｄに接触す
るように所定の半田ボール１６を配置する。この後、チ
ップ１４をパッケージ基板１１側に押し付け、フラック
ス１７を介してフリップチップパッド１３の端部１３ｄ
に半田ボール１６を仮付けする。次にチップ１４が仮付
けされたパッケージ基板１１をリフロー炉（図示せず）
内に装入し、所定温度Ｔでリフロー処理を施すと、半田
ボール１６が溶融する前にまずNiメッキ層１３ｂ、Auメ
ッキ層１３ｃ中に含有されていたガスがフラックス１７
を通り、フリップチップパッド１３の上方（矢印Ａ方
向）に放散される。この後半田ボール１６が溶融し、表
面張力に基づいて矢印Ｂ方向に引き付けられる（第２工
程）。すると半田ボール１６がフリップチップパッド１
３の中央部に移動・凝固し、半田ボール１６を介してフ
リップチップパッド１３とパッド１５とが接続され、パ
ッケージ基板１１の所定位置にチップ１４が実装される
（第３工程）。
【００１６】上記説明から明らかなように、実施の形態
（１）に係るチップの実装方法では、フリップチップパ
ッド１３上にフラックス１７を塗布し、次に半田ボール
１６がフリップチップパッド１３の端部１３ｄに接触す
るようにチップ１４をパッケージ基板１１に対して配置
し、その後半田ボール１６をフリップチップパッド１３
の端部１３ｄに押し付けて仮付けした後、リフロー処理
を施すので、まず半田ボール１６が溶融する前に、フリ
ップチップパッド１３のNiメッキ層１３ｂ、Auメッキ層
１３ｃ内に含有されたガスをフリップチップパッド１３
の開放面よりフラックス１７を介して外方へ放散させる
ことができる。そしてその後溶融した半田ボール１６は
パッケージ基板１１に比べてフリップチップパッド１３
になじみ易いため、半田ボール１６にフリップチップパ
ッド１３の中央部へ向かう表面張力が作用し、フリップ
チップパッド１３上の略中央位置に半田ボール１６の中
央位置を自然に移動させることができる。この結果、半
田ボール１６内にボイドが発生するのを確実に防止する
ことができると共に、パッケージ基板１１にチップ１４
を正確な位置取りで実装することができる。
（１）に係るチップの実装方法では、フリップチップパ
ッド１３上にフラックス１７を塗布し、次に半田ボール
１６がフリップチップパッド１３の端部１３ｄに接触す
るようにチップ１４をパッケージ基板１１に対して配置
し、その後半田ボール１６をフリップチップパッド１３
の端部１３ｄに押し付けて仮付けした後、リフロー処理
を施すので、まず半田ボール１６が溶融する前に、フリ
ップチップパッド１３のNiメッキ層１３ｂ、Auメッキ層
１３ｃ内に含有されたガスをフリップチップパッド１３
の開放面よりフラックス１７を介して外方へ放散させる
ことができる。そしてその後溶融した半田ボール１６は
パッケージ基板１１に比べてフリップチップパッド１３
になじみ易いため、半田ボール１６にフリップチップパ
ッド１３の中央部へ向かう表面張力が作用し、フリップ
チップパッド１３上の略中央位置に半田ボール１６の中
央位置を自然に移動させることができる。この結果、半
田ボール１６内にボイドが発生するのを確実に防止する
ことができると共に、パッケージ基板１１にチップ１４
を正確な位置取りで実装することができる。
【００１７】また図示しないが、実施の形態（２）に係
るチップの実装方法においては、図１に示したフリップ
チップパッド１３が形成されたパッケージ基板１１に、
予め５００℃〜６００℃の加熱処理を施している。その
他の構成は図１、図４に示した場合と同様であるので、
ここではその構成の詳細な説明は省略することとする。
この加熱処理等を含んで実施の形態（２）に係るチップ
の実装方法が構成されている。
るチップの実装方法においては、図１に示したフリップ
チップパッド１３が形成されたパッケージ基板１１に、
予め５００℃〜６００℃の加熱処理を施している。その
他の構成は図１、図４に示した場合と同様であるので、
ここではその構成の詳細な説明は省略することとする。
この加熱処理等を含んで実施の形態（２）に係るチップ
の実装方法が構成されている。
【００１８】上記説明から明らかなように、実施の形態
（２）に係るチップの実装方法では、パッケージ基板１
１に予め５００℃〜６００℃の加熱処理を施しておくの
で、フリップチップパッド１３のNiメッキ層１３ｂ、Au
メッキ層１３ｃ内に含有されたガスを減少させておくこ
とができ、リフロー処理を施した際、半田ボール１６内
にボイドが発生するのを一層確実に防止することができ
る。
（２）に係るチップの実装方法では、パッケージ基板１
１に予め５００℃〜６００℃の加熱処理を施しておくの
で、フリップチップパッド１３のNiメッキ層１３ｂ、Au
メッキ層１３ｃ内に含有されたガスを減少させておくこ
とができ、リフロー処理を施した際、半田ボール１６内
にボイドが発生するのを一層確実に防止することができ
る。
【００１９】
【実施例及び比較例】以下、実施例に係るチップの実装
方法によりパッケージ基板１１にチップ１４を実装し、
ボイド発生の有無を調査した結果に付いて説明する。パ
ッケージ基板１１は長さＬが２５．０ｍｍ、幅Ｗが２
１．０ｍｍ、厚さｔが０．８ｍｍの直方体板形状のもの
を用い、直径ｄ0 が０．１０ｍｍ、Ｎが３６０個のフリ
ップチップパッド１３が形成され、かつ予め約６００℃
の加熱処理を施したものを使用した。一方、チップ１４
は直径ｄ1 が０．１５ｍｍ、Ｎが３６０個の半田ボール
１６が半田付けされているものを使用した。また半田ボ
ール１６とフリップチップパッド１３との中心間距離ｄ
2 は約０．０５ｍｍに設定し、リフロー処理の温度Ｔは
約３８０℃を選んだ。ボイド発生の有無については、パ
ッケージ基板１１よりチップ１４を引きはがすプルテス
トを行い、フリップチップパッド１３上に残存する半田
ボールの形状に基づいて評価した。
方法によりパッケージ基板１１にチップ１４を実装し、
ボイド発生の有無を調査した結果に付いて説明する。パ
ッケージ基板１１は長さＬが２５．０ｍｍ、幅Ｗが２
１．０ｍｍ、厚さｔが０．８ｍｍの直方体板形状のもの
を用い、直径ｄ0 が０．１０ｍｍ、Ｎが３６０個のフリ
ップチップパッド１３が形成され、かつ予め約６００℃
の加熱処理を施したものを使用した。一方、チップ１４
は直径ｄ1 が０．１５ｍｍ、Ｎが３６０個の半田ボール
１６が半田付けされているものを使用した。また半田ボ
ール１６とフリップチップパッド１３との中心間距離ｄ
2 は約０．０５ｍｍに設定し、リフロー処理の温度Ｔは
約３８０℃を選んだ。ボイド発生の有無については、パ
ッケージ基板１１よりチップ１４を引きはがすプルテス
トを行い、フリップチップパッド１３上に残存する半田
ボールの形状に基づいて評価した。
【００２０】図２、図３はプルテスト後のフリップチッ
プパッド上に残存する半田ボールの形状を摸式的に示し
た正面図であり、図２はボイドが発生していない場合、
図３（ａ）〜（ｃ）はボイドが発生している場合を示し
ている。ボイドが発生していない場合、引き剥し後の半
田ボール２１は略円錐形形状となる一方、ボイドが発生
している場合、半田ボール２２〜２４の表面が鋸形状と
なるので、ボイド発生の有無を簡単、かつ正確に評価し
得ることとなる。
プパッド上に残存する半田ボールの形状を摸式的に示し
た正面図であり、図２はボイドが発生していない場合、
図３（ａ）〜（ｃ）はボイドが発生している場合を示し
ている。ボイドが発生していない場合、引き剥し後の半
田ボール２１は略円錐形形状となる一方、ボイドが発生
している場合、半田ボール２２〜２４の表面が鋸形状と
なるので、ボイド発生の有無を簡単、かつ正確に評価し
得ることとなる。
【００２１】サンプル数ｎは３６０×５＝１９００個
（５枚のパッケージ基板１１）とし、ボイドの発生がな
い良品の割合（良品率）を調査した結果を下記の表１に
示した。なお比較例として、パッケージ基板１１に約６
００℃の加熱処理のみを施す従来の方法を実施した。
（５枚のパッケージ基板１１）とし、ボイドの発生がな
い良品の割合（良品率）を調査した結果を下記の表１に
示した。なお比較例として、パッケージ基板１１に約６
００℃の加熱処理のみを施す従来の方法を実施した。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１より明らかなように、従来の方法に比
較し、実施例に係るチップの実装方法では良品率を大幅
に向上させることができた。
較し、実施例に係るチップの実装方法では良品率を大幅
に向上させることができた。
【図１】本発明に係るチップの実装方法の実施の形態
（１）を説明するため、フリップチップ近傍を工程順に
示した拡大断面図であり、（ａ）は第１工程、（ｂ）は
第２工程、（ｃ）は第３工程を示している。
（１）を説明するため、フリップチップ近傍を工程順に
示した拡大断面図であり、（ａ）は第１工程、（ｂ）は
第２工程、（ｃ）は第３工程を示している。
【図２】プルテスト後のフリップチップパッド上に残存
する半田ボールの形状を摸式的に示した正面図であり、
ボイドが発生していない場合を示している。
する半田ボールの形状を摸式的に示した正面図であり、
ボイドが発生していない場合を示している。
【図３】プルテスト後のフリップチップパッド上に残存
する半田ボールの形状を摸式的に示した正面図であり、
（ａ）〜（ｃ）はボイドが発生している場合をそれぞれ
示している。
する半田ボールの形状を摸式的に示した正面図であり、
（ａ）〜（ｃ）はボイドが発生している場合をそれぞれ
示している。
【図４】従来及び実施の形態に係るチップがフリップチ
ップ実装されたパッケージ基板を概略的に示した断面図
である。
ップ実装されたパッケージ基板を概略的に示した断面図
である。
【図５】従来のチップの実装方法を説明するため、フリ
ップチップパッド近傍を工程順に示した拡大断面図であ
り、（ａ）は第１工程、（ｂ）は第２工程、（ｃ）は第
３工程を示している。
ップチップパッド近傍を工程順に示した拡大断面図であ
り、（ａ）は第１工程、（ｂ）は第２工程、（ｃ）は第
３工程を示している。
１１ パッケージ基板 １３ フリップチップパッド １３ｂ Niメッキ層 １３ｃ Auメッキ層 １３ｄ 端部 １４ チップ １６ 半田ボール １７ フラックス
Claims (2)
- 【請求項１】 パッケージ基板におけるメッキ処理が施
された複数個のフリップチップパッド上に、複数個の接
続用半田ボールを備えたチップを実装するチップの実装
方法において、前記フリップチップパッド上にフラック
スを塗布し、次に前記半田ボールが前記フリップチップ
パッドの端部に接触するように前記チップを前記パッケ
ージ基板に対して配置し、その後前記半田ボールを前記
フリップチップパッドの端部に押し付けて仮付けした
後、リフロー処理を施すことを特徴とするチップの実装
方法。 - 【請求項２】 パッケージ基板におけるメッキ処理が施
された複数個のフリップチップパッド上に、複数個の接
続用半田ボールを備えたチップを実装するチップの実装
方法において、前記パッケージ基板に予め５００℃〜６
００℃の加熱処理を施した後、前記フリップチップパッ
ド上にフラックスを塗布し、次に前記半田ボールが前記
フリップチップパッドの端部に接触するように前記チッ
プを前記パッケージ基板に対して配置し、その後前記半
田ボールを前記フリップチップパッドの端部に押し付け
て仮付けした後、リフロー処理を施すことを特徴とする
チップの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6965898A JP3839579B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | チップの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6965898A JP3839579B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | チップの実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274226A true JPH11274226A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3839579B2 JP3839579B2 (ja) | 2006-11-01 |
Family
ID=13409166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6965898A Expired - Lifetime JP3839579B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | チップの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3839579B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003158154A (ja) * | 2001-11-20 | 2003-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装方法 |
| US7045388B2 (en) * | 1996-08-27 | 2006-05-16 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor device provided with low melting point metal bumps |
| JP2017168503A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | 電子部品の製造方法及び電子部品の製造装置 |
| CN111816579A (zh) * | 2020-07-10 | 2020-10-23 | 英特尔产品（成都）有限公司 | 用于检测被助焊剂残留物污染的芯片的方法和装置 |
-
1998
- 1998-03-19 JP JP6965898A patent/JP3839579B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045388B2 (en) * | 1996-08-27 | 2006-05-16 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor device provided with low melting point metal bumps |
| JP2003158154A (ja) * | 2001-11-20 | 2003-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装方法 |
| JP2017168503A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | 電子部品の製造方法及び電子部品の製造装置 |
| CN111816579A (zh) * | 2020-07-10 | 2020-10-23 | 英特尔产品（成都）有限公司 | 用于检测被助焊剂残留物污染的芯片的方法和装置 |
| CN111816579B (zh) * | 2020-07-10 | 2023-04-07 | 英特尔产品（成都）有限公司 | 用于检测被助焊剂残留物污染的芯片的方法和装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3839579B2 (ja) | 2006-11-01 |
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