JPH11274226A - チップの実装方法 - Google Patents
チップの実装方法Info
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- JPH11274226A JPH11274226A JP6965898A JP6965898A JPH11274226A JP H11274226 A JPH11274226 A JP H11274226A JP 6965898 A JP6965898 A JP 6965898A JP 6965898 A JP6965898 A JP 6965898A JP H11274226 A JPH11274226 A JP H11274226A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
が発生し易かった。 【解決手段】 パッケージ基板11におけるメッキ処理
が施された複数個のフリップチップパッド13上に、複
数個の接続用半田ボール16を備えたチップ14を実装
するチップの実装方法において、フリップチップパッド
13上にフラックス17を塗布し、次に半田ボール16
がフリップチップパッド13の端部13dに接触するよ
うにチップ14をパッケージ基板11に対して配置し、
その後半田ボール16をフリップチップパッド13の端
部13dに押し付けて仮付けした後、リフロー処理を施
す。
Description
関し、より詳細には、パッケージ基板に半田ボールを備
えたチップをフリップチップ実装する際、前記半田ボー
ル内にボイドが発生するのを防止することが可能なチッ
プの実装方法に関する。
えたチップを直接的に実装するフリップチップ実装が行
われている。図4はこの種チップがフリップチップ実装
されたパッケージ基板を概略的に示した断面図であり、
図中11はパッケージ基板を示している。パッケージ基
板11はセラミック材料等を用いて略直方体板形状に形
成されており、パッケージ基板11内部の所定箇所には
複数個のスルーホール12a、導電層12bが形成さ
れ、スルーホール12a内には導電性材料が充填されて
いる。スルーホール12aの上端部には下地層13a
(図5)がそれぞれ形成されており、下地層13aはモ
リブデンまたはタングステン材料を用いて略円形状に形
成されている。下地層13aの上部にはニッケル(以
下、Niと記す)メッキ層13b(図5)がそれぞれ形成
され、Niメッキ層13bの上部には金(以下、Auと記
す)メッキ層13c(図5)がそれぞれ形成されてい
る。これら下地層13a、Niメッキ層13b、Auメッキ
層13cを含んでフリップチップパッド13が構成され
ており、フリップチップパッド13間のピッチは所定距
離pに設定されている。
プ14が配設され、チップ14はシリコン材料等を用い
て略直方体板形状に形成されている。チップ14の下面
の所定箇所には略円形状をした複数個のパッド15が形
成され、パッド15下部には略球形状の半田ボール16
がそれぞれ半田付けされており、パッド15間(または
半田ボール16間)のピッチはフリップチップパッド1
3間と同様の距離pに設定されている。そしてこの半田
ボール16を所定のフリップチップパッド13に押し付
け、リフロー処理を施すと、半田ボール16がフリップ
チップパッド13に接着し、パッケージ基板11にチッ
プ14が実装される。
ため、フリップチップパッド近傍を工程順に示した拡大
断面図であり、(a)は第1工程、(b)は第2工程、
(c)は第3工程を示している。パッケージ基板11に
チップ14を実装する場合、まずフリップチップパッド
13上にフラックス17を塗布する(第1工程)。次に
パッケージ基板11とチップ14との相対位置関係を調
整し、所定のフリップチップパッド13の略中央部上方
に所定の半田ボール16を配置する。この後、チップ1
4をパッケージ基板11側に押し付け、フラックス17
を介してフリップチップパッド13上に半田ボール16
を仮付けする(第2工程)。次にチップ14が仮付けさ
れたパッケージ基板11をリフロー炉(図示せず)内に
装入し、所定温度Tでリフロー処理を施すと、半田ボー
ル16が溶融・凝固し、半田ボール16を介してフリッ
プチップパッド13とパッド15とが接続され、パッケ
ージ基板11にチップ14が実装される(第3工程)。
3bとAuメッキ層13cは、一般的に電解メッキ法によ
り形成されており、この電解メッキ法では、メッキを施
すパターンに電流を供給するためのメッキ用パターンを
別に設ける必要がある。しかし、フリップチップパッド
13のようなファインパターンに前記メッキ用パターン
を設けることはスペース的に難しく、また該メッキ用パ
ターンがノイズ発生源となり易い。そこでフリップチッ
プパッド13のようなファインパターンの場合、前記メ
ッキ用パターンが不要な無電解メッキ法によりNiメッキ
やAuメッキが施されている。
13a上にメッキ処理を施した際、Niメッキ層13b、
Auメッキ層13c中にCN、H2 、H2 Oガスが含有さ
れ易い。このため、上記した従来のチップの実装方法に
おいては、リフロー処理を施す際にこれらのガスがフラ
ックス17を通って半田ボール16内へ移動し易く、リ
フロー処理後の半田ボール16内にボイド18が発生す
るおそれがあるという課題があった。
中に含有されたCN、H2 、H2 Oガスを放散させるた
め、フリップチップパッド13を備えたパッケージ基板
11に予め加熱処理を施す方法が開発されているが、加
熱処理を施しただけでは、ボイド18の発生を完全に防
止することが困難であるという課題があった。
り、リフロー処理後の半田ボール内にボイドが発生する
のを確実に防止することができるチップの実装方法を提
供することを目的としている。
達成するために本発明に係るチップの実装方法は、パッ
ケージ基板におけるメッキ処理が施された複数個のフリ
ップチップパッド上に、複数個の接続用半田ボールを備
えたチップを実装するチップの実装方法において、前記
フリップチップパッド上にフラックスを塗布し、次に前
記半田ボールが前記フリップチップパッドの端部に接触
するように前記チップを前記パッケージ基板に対して配
置し、その後前記半田ボールを前記フリップチップパッ
ドの端部に押し付けて仮付けした後、リフロー処理を施
すことを特徴としている(1)。
ば、前記フリップチップパッド上にフラックスを塗布
し、次に前記半田ボールが前記フリップチップパッドの
端部に接触するように前記チップを前記パッケージ基板
に対して配置し、その後前記半田ボールを前記フリップ
チップパッドの端部に押し付けて仮付けした後、リフロ
ー処理を施すので、まず、前記半田ボールが溶融する前
に、前記フリップチップパッドのメッキ層内に含有され
たガスを前記フリップチップパッドの開放面より前記フ
ラックスを介して外方へ放散させることができる。そし
てその後、溶融した前記半田ボールは前記パッケージ基
板に比べて前記フリップチップパッドになじみ易いた
め、前記半田ボールに前記フリップチップパッドの中央
部へ向かう表面張力が作用し、該フリップチップパッド
上の略中央位置に前記半田ボールの中央位置を自然に移
動させることができる。この結果、前記半田ボール内に
ボイドが発生するのを確実に防止することができると共
に、前記パッケージ基板に前記チップを正確な位置取り
で実装することができる。
ッケージ基板におけるメッキ処理が施された複数個のフ
リップチップパッド上に、複数個の接続用半田ボールを
備えたチップを実装するチップの実装方法において、前
記パッケージ基板に予め500℃〜600℃の加熱処理
を施した後、前記フリップチップパッド上にフラックス
を塗布し、次に前記半田ボールが前記フリップチップパ
ッドの端部に接触するように前記チップを前記パッケー
ジ基板に対して配置し、その後前記半田ボールを前記フ
リップチップパッドの端部に押し付けて仮付けした後、
リフロー処理を施すことを特徴としている(2)。
ば、前記パッケージ基板に予め500℃〜600℃の加
熱処理を施しておくので、前記フリップチップパッドの
メッキ層内に含有されたガスを減少させておくことがで
き、リフロー処理を施した際、前記半田ボール内にボイ
ドが発生するのを一層確実に防止することができる。
方法の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、従
来例と同一機能を有する構成部品には同一の符号を付す
こととする。図4は実施の形態(1)に係るチップがフ
リップチップ実装されたパッケージ基板を概略的に示し
た断面図であり、図中11はパッケージ基板を示してい
る。パッケージ基板11はセラミック材料等を用いて略
直方体板形状(長さL×幅W(図示せず)×厚さt)に
形成されており、パッケージ基板11内部の所定箇所に
は複数個のスルーホール12a、導電層12bが形成さ
れ、スルーホール12a内には導電性材料が充填されて
いる。スルーホール12aの上端部には下地層13a
(図1)がそれぞれ形成されており、下地層13aはモ
リブデンまたはタングステン材料を用いて略円形状に形
成されている。下地層13aの上部にはNiメッキ層13
b(図1)がそれぞれ形成され、Niメッキ層13bの上
部にはAuメッキ層13c(図1)がそれぞれ形成されて
いる。これら下地層13a、Niメッキ層13b、Auメッ
キ層13cを含んでフリップチップパッド13が構成さ
れており、フリップチップパッド13は直径がd0 (図
1)、個数がN(図示せず)に設定されると共に、フリ
ップチップパッド13間のピッチは所定距離pに設定さ
れている。
プ14が配設され、チップ14はシリコン材料等を用い
て略直方体板形状に形成されている。チップ14の下面
の所定箇所には略円形状をしたN個のパッド15が形成
され、パッド15下部には直径がd1 の略球形状をした
半田ボール16がそれぞれ半田付けされており、パッド
15間(または半田ボール16間)のピッチはフリップ
チップパッド13間と同様の距離pに設定されている。
そしてこの半田ボール16を所定のフリップチップパッ
ド13にそれぞれ接続することにより、パッケージ基板
11にチップ14が実装されている。
装方法を説明するため、フリップチップパッド近傍を工
程順に示した拡大断面図であり、(a)は第1工程、
(b)は第2工程、(c)は第3工程を示している。パ
ッケージ基板11にチップ14を実装する場合、まずフ
リップチップパッド13上にフラックス17を塗布する
(第1工程)。次にパッケージ基板11とチップ14と
の相対位置関係を調整して中心間距離をd2 程ずらし、
所定のフリップチップパッド13の端部13dに接触す
るように所定の半田ボール16を配置する。この後、チ
ップ14をパッケージ基板11側に押し付け、フラック
ス17を介してフリップチップパッド13の端部13d
に半田ボール16を仮付けする。次にチップ14が仮付
けされたパッケージ基板11をリフロー炉(図示せず)
内に装入し、所定温度Tでリフロー処理を施すと、半田
ボール16が溶融する前にまずNiメッキ層13b、Auメ
ッキ層13c中に含有されていたガスがフラックス17
を通り、フリップチップパッド13の上方(矢印A方
向)に放散される。この後半田ボール16が溶融し、表
面張力に基づいて矢印B方向に引き付けられる(第2工
程)。すると半田ボール16がフリップチップパッド1
3の中央部に移動・凝固し、半田ボール16を介してフ
リップチップパッド13とパッド15とが接続され、パ
ッケージ基板11の所定位置にチップ14が実装される
(第3工程)。
(1)に係るチップの実装方法では、フリップチップパ
ッド13上にフラックス17を塗布し、次に半田ボール
16がフリップチップパッド13の端部13dに接触す
るようにチップ14をパッケージ基板11に対して配置
し、その後半田ボール16をフリップチップパッド13
の端部13dに押し付けて仮付けした後、リフロー処理
を施すので、まず半田ボール16が溶融する前に、フリ
ップチップパッド13のNiメッキ層13b、Auメッキ層
13c内に含有されたガスをフリップチップパッド13
の開放面よりフラックス17を介して外方へ放散させる
ことができる。そしてその後溶融した半田ボール16は
パッケージ基板11に比べてフリップチップパッド13
になじみ易いため、半田ボール16にフリップチップパ
ッド13の中央部へ向かう表面張力が作用し、フリップ
チップパッド13上の略中央位置に半田ボール16の中
央位置を自然に移動させることができる。この結果、半
田ボール16内にボイドが発生するのを確実に防止する
ことができると共に、パッケージ基板11にチップ14
を正確な位置取りで実装することができる。
るチップの実装方法においては、図1に示したフリップ
チップパッド13が形成されたパッケージ基板11に、
予め500℃〜600℃の加熱処理を施している。その
他の構成は図1、図4に示した場合と同様であるので、
ここではその構成の詳細な説明は省略することとする。
この加熱処理等を含んで実施の形態(2)に係るチップ
の実装方法が構成されている。
(2)に係るチップの実装方法では、パッケージ基板1
1に予め500℃〜600℃の加熱処理を施しておくの
で、フリップチップパッド13のNiメッキ層13b、Au
メッキ層13c内に含有されたガスを減少させておくこ
とができ、リフロー処理を施した際、半田ボール16内
にボイドが発生するのを一層確実に防止することができ
る。
方法によりパッケージ基板11にチップ14を実装し、
ボイド発生の有無を調査した結果に付いて説明する。パ
ッケージ基板11は長さLが25.0mm、幅Wが2
1.0mm、厚さtが0.8mmの直方体板形状のもの
を用い、直径d0 が0.10mm、Nが360個のフリ
ップチップパッド13が形成され、かつ予め約600℃
の加熱処理を施したものを使用した。一方、チップ14
は直径d1 が0.15mm、Nが360個の半田ボール
16が半田付けされているものを使用した。また半田ボ
ール16とフリップチップパッド13との中心間距離d
2 は約0.05mmに設定し、リフロー処理の温度Tは
約380℃を選んだ。ボイド発生の有無については、パ
ッケージ基板11よりチップ14を引きはがすプルテス
トを行い、フリップチップパッド13上に残存する半田
ボールの形状に基づいて評価した。
プパッド上に残存する半田ボールの形状を摸式的に示し
た正面図であり、図2はボイドが発生していない場合、
図3(a)〜(c)はボイドが発生している場合を示し
ている。ボイドが発生していない場合、引き剥し後の半
田ボール21は略円錐形形状となる一方、ボイドが発生
している場合、半田ボール22〜24の表面が鋸形状と
なるので、ボイド発生の有無を簡単、かつ正確に評価し
得ることとなる。
(5枚のパッケージ基板11)とし、ボイドの発生がな
い良品の割合(良品率)を調査した結果を下記の表1に
示した。なお比較例として、パッケージ基板11に約6
00℃の加熱処理のみを施す従来の方法を実施した。
較し、実施例に係るチップの実装方法では良品率を大幅
に向上させることができた。
(1)を説明するため、フリップチップ近傍を工程順に
示した拡大断面図であり、(a)は第1工程、(b)は
第2工程、(c)は第3工程を示している。
する半田ボールの形状を摸式的に示した正面図であり、
ボイドが発生していない場合を示している。
する半田ボールの形状を摸式的に示した正面図であり、
(a)〜(c)はボイドが発生している場合をそれぞれ
示している。
ップ実装されたパッケージ基板を概略的に示した断面図
である。
ップチップパッド近傍を工程順に示した拡大断面図であ
り、(a)は第1工程、(b)は第2工程、(c)は第
3工程を示している。
Claims (2)
- 【請求項1】 パッケージ基板におけるメッキ処理が施
された複数個のフリップチップパッド上に、複数個の接
続用半田ボールを備えたチップを実装するチップの実装
方法において、前記フリップチップパッド上にフラック
スを塗布し、次に前記半田ボールが前記フリップチップ
パッドの端部に接触するように前記チップを前記パッケ
ージ基板に対して配置し、その後前記半田ボールを前記
フリップチップパッドの端部に押し付けて仮付けした
後、リフロー処理を施すことを特徴とするチップの実装
方法。 - 【請求項2】 パッケージ基板におけるメッキ処理が施
された複数個のフリップチップパッド上に、複数個の接
続用半田ボールを備えたチップを実装するチップの実装
方法において、前記パッケージ基板に予め500℃〜6
00℃の加熱処理を施した後、前記フリップチップパッ
ド上にフラックスを塗布し、次に前記半田ボールが前記
フリップチップパッドの端部に接触するように前記チッ
プを前記パッケージ基板に対して配置し、その後前記半
田ボールを前記フリップチップパッドの端部に押し付け
て仮付けした後、リフロー処理を施すことを特徴とする
チップの実装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6965898A JP3839579B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | チップの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6965898A JP3839579B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | チップの実装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11274226A true JPH11274226A (ja) | 1999-10-08 |
JP3839579B2 JP3839579B2 (ja) | 2006-11-01 |
Family
ID=13409166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6965898A Expired - Lifetime JP3839579B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | チップの実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3839579B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003158154A (ja) * | 2001-11-20 | 2003-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装方法 |
US7045388B2 (en) * | 1996-08-27 | 2006-05-16 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor device provided with low melting point metal bumps |
JP2017168503A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | 電子部品の製造方法及び電子部品の製造装置 |
CN111816579A (zh) * | 2020-07-10 | 2020-10-23 | 英特尔产品(成都)有限公司 | 用于检测被助焊剂残留物污染的芯片的方法和装置 |
-
1998
- 1998-03-19 JP JP6965898A patent/JP3839579B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7045388B2 (en) * | 1996-08-27 | 2006-05-16 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor device provided with low melting point metal bumps |
JP2003158154A (ja) * | 2001-11-20 | 2003-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装方法 |
JP2017168503A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | 電子部品の製造方法及び電子部品の製造装置 |
CN111816579A (zh) * | 2020-07-10 | 2020-10-23 | 英特尔产品(成都)有限公司 | 用于检测被助焊剂残留物污染的芯片的方法和装置 |
CN111816579B (zh) * | 2020-07-10 | 2023-04-07 | 英特尔产品(成都)有限公司 | 用于检测被助焊剂残留物污染的芯片的方法和装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3839579B2 (ja) | 2006-11-01 |
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