JPH11274214A - 半導体装置及びその形成方法 - Google Patents

半導体装置及びその形成方法

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JPH11274214A JP7737998A JP7737998A JPH11274214A JP H11274214 A JPH11274214 A JP H11274214A JP 7737998 A JP7737998 A JP 7737998A JP 7737998 A JP7737998 A JP 7737998A JP H11274214 A JPH11274214 A JP H11274214A
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bonding
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体素子とリード電極とを導電性ワイヤで接
続させた半導体装置に係わり、特に、ワイヤの密着強度
を向上させ信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく提供
する半導体装置及びその形成方法を提供するものであ
る。 【解決手段】樹脂基板上に配置された半導体素子の電極
を第１のボンディングとし、第１のボンディングからワ
イヤにより接続された樹脂基板上のリード電極を第２の
ボンディングとしてワイヤボンディングした半導体装置
であって、リード電極は平面側において周辺部より内部
に向かって凸状形状を有すると共にリード電極の凸状端
部の少なくとも一部を樹脂で埋没している半導体装置で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子とリード
電極とを導電性ワイヤで接続させた半導体装置に係わ
り、特に、ワイヤの密着強度を向上させ信頼性の高い半
導体装置を歩留まりよく提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を外部環境から保護し取り扱
いやすくするため、基板上に半導体素子を配置すると共
に基板に設けられたリード電極と半導体素子とをワイヤ
ボンディングにより接続させたものがある。具体的に
は、図６（Ａ）及びそのＸＸ断面である図６（Ｂ）に示
す如く、断面がコの字状に曲げた平板金属のリード電極
６０２を外部電極としてインサート成形などによりモー
ルディングさせたパッケージ６０５が形成される。この
パッケージ６０５の開口部内にＬＥＤチップなどの半導
体素子６０４をエポキシ樹脂などを用いてマウントす
る。ＬＥＤチップ６０４の各電極と、パッケージ６０５
に設けられたリード電極６０２とは金線などのワイヤ６
０３を用いてワイヤボンディングされている。
【０００３】ワイヤボンディングは不示図のキャピラリ
に通した金線に予めボールを形成させる。形成させたボ
ールをＬＥＤチップ上の電極に第１のボンディング（ボ
ールボンディング）した後、ワイヤを延ばしリード電極
上でワイヤごとキャピラリを押し当て超音波で第２のボ
ンディングする。
【０００４】こうしてリード電極と半導体素子の電極と
がワイヤによって接続された半導体装置に電流を供給す
るとワイヤを介してＬＥＤチップ６０４に電流が流れ発
光する。予めリード電極６０２が埋め込まれたパッケー
ジ６０５を利用することにより、ＬＥＤチップ６０４を
保護すると共に比較的簡単に電気的に接続させることが
できる。また、極めて小さい半導体素子の場合、導電性
ペーストや金属バンプを利用してリード電極と接続させ
ると短絡の危険性がある。そのため、リード電極と半導
体素子の電極とをワイヤボンディングすることで、量産
性よく小型化可能な半導体装置とすることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板と
なるパッケージ６０５上に予め形成させたリード電極６
０２をモールドにより一体的に形成させた場合、ワイヤ
６０３の密着性が低下する傾向にある。特に、図７の如
く凸状平板のリード電極を利用した場合、急激にワイヤ
の密着性が低下する傾向にある。また、ワイヤ６０３が
一定の密着力を有する半導体装置６００を歩留まり良く
形成できない。さらに、光半導体装置は利用効率を高め
る目的で、光半導体素子及びリード電極が配置された反
射性を有するパッケージ上に光の放射や入射を行う透光
性樹脂で保護膜を形成する場合がある。この場合、パッ
ケージを構成する樹脂と保護膜を構成する樹脂との熱膨
張係数の違いなどによりワイヤに力がかかる。力が大き
い場合、ワイヤが剥離しやすい傾向にあるという問題が
ある。
【０００６】熱衝撃や温度サイクル条件の極めて厳しい
環境下において使用される現在においては、上記構成の
半導体装置では十分でなく更なる改良が求められてい
る。したがって、本発明の目的は上記問題を解決し信頼
性高く量産性のよい半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の目的は以
下（１）〜（４）の構成によって達成することができ
る。
【０００８】（１）樹脂基板上に配置された半導体素子
の電極を第１のボンディングとし、第１のボンディング
からワイヤにより接続された樹脂基板上のリード電極を
第２のボンディングとしてワイヤボンディングした半導
体装置であって、リード電極は平面側において周辺部よ
り内部に向かって凸状形状を有すると共にリード電極の
凸状の少なくとも一部を樹脂で埋没している半導体装置
である。つまり、先端が凸状平板のリード電極を予めモ
ールディング成形により一体的に形成させた基板を利用
した半導体装置において、樹脂で先端が被覆されたリー
ド電極上にワイヤを第２のボンディングさせるものであ
る。これにより基板上にリード電極を機械的に固定し第
２のボンディング側のワイヤ密着強度を大幅に向上させ
えるものである。
【０００９】（２）リード電極の先端は基板と連続した
樹脂で固定している半導体装置である。これにより、リ
ード電極と基板を構成する樹脂とが一体となった比較的
簡単な構成で効率よくリード電極を固定することができ
る。
【００１０】（３）半導体素子は光半導体素子であり、
リード電極の凸状端部を埋没する樹脂はリード電極の平
面に対してテーパー状の突起形状を有する半導体装置で
ある。これにより、リード電極との密着性向上と共に光
利用効率が高くなる。
【００１１】（４）突起形状のテーパーはリード電極の
平面に対して鈍角な半導体装置である。これにより、半
導体素子の光利用効率を高くすることができる。
【００１２】（５）半導体素子の電極と、半導体素子を
配置させる基板に設けられたリード電極とをワイヤで接
続した半導体装置の形成方法であって、リード電極は平
面側において凸状平板であると共に凸状平板の少なくと
も一部を樹脂で埋没させた基板をモールディング成形す
る工程と、基板上に半導体素子を配置する工程と、半導
体素子の電極にワイヤの一端を第１のボンディングする
工程と、リード電極上をワイヤの他端として第２のボン
ディングする工程とを有する半導体装置の形成方法であ
る。これにより、比較的簡単な工程で信頼性かつ歩留ま
りの高い半導体装置を形成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明者は種々実験の結果、モー
ルディングにより形成された基板上のリード電極に第２
のボンディングする場合においては、第２のボンディン
グ側におけるワイヤの密着性が特定形状の基板及び／又
は特定の電極により大きく変化することを見出し本発明
を成すに至った。
【００１４】本発明による特性向上の理由は定かではな
いが、ワイヤボンディングした第２のボンディング側の
密着性が基板とリード電極との密着強度に大きく関係が
あるためと考えられる。即ち、リード電極がモールディ
ングにより予め一体成形された基板では本来、リード電
極が金属（以下、合金も含む。）であるため基板を構成
する樹脂との密着性がない。そこで、外部と接続される
基板裏側の露出面と、半導体素子が配置されワイヤで接
続される基板表側の露出面以外は、断面がコの字形状の
リード電極を基板中に埋め込ませることができる。これ
により、リード電極を基板と機械的に保持することがで
きる。
【００１５】しかしながら、電極の有効面積拡大、電
極、半導体素子の配置やワイヤボンディングのし易さ、
コントラスト比向上などのため第２のボンディングされ
るリード電極先端の露出面が増えるにつれ、基板からリ
ード電極端部が離れる傾向にある。特に、図７の如く、
平面側が半円状や２辺以上からなる凸状のリード電極７
０２を利用した場合、先端ほど乖離する。このような、
リード電極先端部位７０１の乖離は半導体装置７００全
体からすると約２００μｍから６００μｍ程度と小さ
い。しかし、リード電極７０２の厚みは通常２００μｍ
程度であり、超音波融着されるワイヤ７０３から見たリ
ード電極７０２のバタツキは極めて大きなものとなる。
【００１６】図５にサーモソニック・ワイヤボンディン
グを実施する場合を示す。この場合、キャピラリ５０６
をリード電極５０３ごと押しつけていても、リード電極
５０２先端は極めて小さなバタツキ振動を起こす。ワイ
ヤを接合するのに使用されるべきキャピラリ５０６から
の超音波エネルギーの一部がリード電極５０２のバタツ
キに消費されてしまう。そのため、平面側が凸状先端の
リード電極５０２を用いた場合、第２のボンディング部
分の接合安定性が急激に悪くなる。ワイヤボンディング
時の接合不良、ボンディング強度の低下等、歩留まりや
信頼性の向上の阻害要因となっていると考えられる。
【００１７】本発明はワイヤの第２のボンディングを行
うリード電極５０２の先端を機械的に固定させることに
よりワイヤボンディング用のエネルギーを効率よく伝達
し所望の密着強度を図るものである。以下、本発明の一
実施形態について詳述する。具体的には、光半導体素子
としてＬＥＤチップの代わりに光センサを使用した以外
は、図２とほぼ同様の構成となる。
【００１８】リード電極２０２を有する基板２０５上に
光センサとして、窒化物半導体を利用した光半導体素子
を利用する。基板２０５上のリード電極２０２は一対の
対向外部電極を構成している。基板２０５はリード電極
２０２とインサート成形により一体的に形成されてい
る。基板２０５は凹部を有し、凹部底面にてリード電極
２０５が露出している。凹部底面に露出したリード電極
２０５の先端部が接着剤２０１で被覆させた構成となっ
ている。
【００１９】光半導体素子としては、サファイア基板上
にｎ型窒化ガリウムと、その上に一対の対向電極を構成
するＳｉを高濃度に添付させたｎ+型窒化ガリウム層及
びワイヤボンドされる金属層を設けてある。光半導体素
子を基板上にエポキシ樹脂でマウントさせる。光半導体
素子の電極上を第１のボンディング、基板に露出したリ
ード電極を第２のボンディングとして金線によりワイヤ
ボンドしてある。これにより比較的簡単な構成で信頼性
の高い半導体装置を構成することができる。以下、本発
明の各構成について詳述する。
【００２０】（リード電極１０２、２０２、３０２、４
０２）基板１０５上に設けられたリード電極１０２は、
半導体素子１０４にワイヤ１０３を介して外部から電流
を供給する或いは、電流を放出するものである。特に、
本発明のリード電極１０２は少なくともワイヤ１０３が
超音波による融着を利用した第２のボンディングがなさ
れるものである。また、基板１０５とリード電極１０２
とはモールディングにより一体成形される。
【００２１】このようなリード電極１０２は種々の金属
によって形成させることができる。具体的には、金、銀
をメッキなど積層させた鉄、銅や鉄入り銅、リン青銅、
アルミニウムなどが挙げられる。基板となるパッケージ
開口部の底面上に露出したリード電極の形状は、種々の
形状とすることができる。本発明においては、複数のリ
ード電極を配置する場合や外光による反射を抑制する場
合などのため、平板板状リード電極１０２の先端が凸状
のものである。なお、凸状先端とは、本発明の特徴であ
る樹脂１０１、２０１、３０１、４０１により被覆され
なければ少なくとも一部に凸状の先端を持ったものであ
る。凸状先端は鋭角、鈍角、２辺以上の辺を持った多角
形、半円状や楕円状など種々の形状が考えられる。
【００２２】図６の如き露出したリード電極が１辺のみ
の場合、他の辺は基板により機械的に固定されている状
態となる。この場合は、リード電極のバタツキはほとん
ど生じない。しかし、図７の如き凸状平板のリード電極
７０２先端は、図５に示すように他の辺を基板により機
械的に固定していたとしても、凸状のリード電極５０２
先端がインサート成形で形成された非密着性或いは密着
力の弱い基板５０５から乖離する。そのため本発明の効
果が強く働く。このような凸状平板であるリード電極５
０２先端の固定は、図１（Ｂ）の如く基板１０５の一部
を隆起させリード電極１０２先端を埋め込む、図２
（Ｂ）の如く形成されたリード電極２０２先端に接着剤
２０１を塗布して基板２０５に固定する。或いは、図３
（Ｂ）の如くリード電極３０２先端を基板３０５中に埋
め込んだ形状にするなどの方法がある。製造のし易さや
信頼性の点から図１又は図４の如き基板１０５の一部を
隆起させリード電極１０２先端を埋め込むことが最も好
ましい。このようなリード電極を樹脂で埋没させるため
にはインサート成型時などの金型で比較的簡単に一体成
形することができる。
【００２３】また、図４の如く、埋め込めに利用した樹
脂部位４０１を光半導体装置４００の反射鏡として利用
することができる。リード電極４０２の先端を基板４０
５平面から突出した樹脂部位４０１によって覆った場
合、樹脂部位４０１がテーパー状の突起形状とすること
により光半導体素子へ入射される光或いは、光半導体素
子４０４、４１４、４２４から発光する光を反射して光
利用効率を高めることができる。テーパーがリード電極
４０２の平面に対して鈍角にすることで光の利用効率を
より高めることができる。なお、リード電極４０２の先
端部のみならず第２のボンディングされるリード電極４
０２の外周を全て埋め込む、或いは樹脂で覆ってもてよ
いことは言うまでもない。
【００２４】（ワイヤ１０３、２０３、３０３、４０
３）ワイヤ１０３としては半導体素子１０４の電極との
オーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性
が良いことが好ましい。熱伝導度としては０．０１ｃａ
ｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上が好ましく、より好ましくは
０．５ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上である。これによ
り効率的に超音波融着できると共に半導体素子の発熱を
効率よく外部に取り出すことができる。また、作業性を
考慮してワイヤの直径は、好ましくはφ１０μｍ以上、
φ４５μｍ以下である。このような導電性のワイヤとし
て具体的には金、銅、白金、アルミニウム等の金属を用
いたものが好適に挙げられる。
【００２５】ワイヤ５０３はキャピラリ５０６に通した
後、先端を水素ガス炎、放電などによりボールを形成さ
せる。ボールを形成させたワイヤ５０３を半導体素子５
０４の電極上に圧着させ超音波を掛けることなどにより
第１のボンディングを行うことができる（不示図）。次
に、ワイヤ５０３を延ばしながら半導体上から見て先端
が凸状のリード電極５０２にキャピラリ５０６ごとワイ
ヤ５０３を押しつける。キャピラリ５０６をワイヤ５０
３ごとリード電極５０２上に押し当てたままサーモソニ
ック・ボンディング或いは、ソニック・ボンディングな
ど超音波融着によるワイヤボンディング法にて第２のボ
ンディングを行う。第１のボンディングに引き続いて接
続される第２のボンディングは、予めボールを形成する
ことができないためリード電極上に形成されたワイヤの
厚みは極めて薄くなる。
【００２６】（半導体素子１０４、２０４、３０４、４
０４、４１４、４２４）半導体素子としては発光素子、
受光素子のみならず種々の半導体素子を用いることがで
きる。また、半導体材料としてもＳｉ、Ｇｅ、Ｇａを主
成分としたものや種々の材料のものが挙げられる。この
ような半導体素子の具体例として光半導体素子の一例を
示す。発光素子として窒化物半導体を利用したＬＥＤチ
ップが挙げられる。窒化物半導体素子を利用した発光素
子は、サファイア基板上にバッファ層を介して、窒化ガ
リウムからなるｎ型コンタクト層、窒化インジウム・ガ
リウムからなる量子効果が生ずる厚さとされる発光層、
窒化アルミニウム・ガリウムからなるｐ型クラッド層、
窒化ガリウムからなるｐ型コンタクト層をＭＯＣＶＤ法
などにより成膜することができる。成膜された半導体ウ
エハーを部分的にエッチングすると共に分離することに
よりｐｎ接合を有するＬＥＤチップを形成することがで
きる。光半導体装置として考えた場合、窒化物半導体素
子はサファイア基板状に形成されるため表面側に正極及
び負極の電極を配置せざるを得ない。そのため、電極の
数が多くなり本発明が有効に働くこととなる。
【００２７】（基板１０５、２０５、３０５、４０５）
基板１０５は外部電極となるリード電極１０２が配置さ
れたものであり、トランスファ成形や射出成形などによ
りモールディングすることで比較的簡単に量産性よくリ
ード電極１０２と一体成形することができる。リード電
極１０２は外部電極としても働くため半導体素子１０４
と電気的に接続される表面側及び外部回路などと接続さ
れる裏面側以外は基板１０５中に埋め込まれることによ
って機械的に保持することができる。このような基板１
０５には、種々の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂が挙げら
れる。具体的材料としては、液晶ポリマー、ＰＢＴ或い
はメラミン等の絶縁性樹脂部材などが好適に挙げられ
る。基板１０５を構成する樹脂に酸化チタン、チタン酸
バリウムや酸化亜鉛等の光反射性物質を添加させること
で光利用効率の高い光半導体装置とすることができる。
特に、リード電極１０２の先端を機械的に係止する部位
１０１を基板と一体的に形成させる場合は、モールディ
ング時に形成することができる。
【００２８】光半導体素子１０４の光利用効率を向上さ
せる目的で基板１０５をパッケージとして利用すること
もできる。このようなパッケージは、凹部を有し凹部底
面に光半導体素子１０４が配置される。凹部の側壁は発
光素子からの光を効率よく外部に放出する。或いは外部
からの光を効率よく受光素子に供給するよう働く。この
ような側壁は、リード電極を機械的に保持することに利
用することもできる。以下、本発明の具体的実施例につ
いて詳述する。
【００２９】
【実施例】（実施例１）本発明の半導体装置の模式的平
面図を図１（Ａ）に示す。リン青銅の表面に銀メッキが
施された凸状先端を持ったリード電極１０２が液晶ポリ
マー中にインサート成形され基板として働くパッケージ
１０５が構成される。リード電極１０２は、ワイヤボン
ディングされる表面及び外部と電気的に接続される面を
除いて液晶ポリマー中に埋まっている。
【００３０】パッケージ平面側の略中央部には凹部を有
し、リード電極１０２は凹部底面及びパッケージの裏面
側で一部露出している。パッケージ凹部の側壁は、反射
鏡兼リード電極の係止として働く。本発明の半導体装置
１００では、平面側となる発光観測面側から見たリード
電極が周辺部より内部に向かって凸状形状を持ってい
る。リード電極の凸状先端は、パッケージ底面の一部を
構成する一段盛り上がった樹脂１０１内に埋没してい
る。このため、リード電極の凸状先端は、図１（Ｂ）に
示す如く液晶ポリマーによって挟み込まれ上下方向にお
いて固定される。なお、リード電極１０２はパッケージ
１０５底面の窪みにインサート成形された形となってい
るため、左右方向には移動しない。
【００３１】サファイア基板上にバッファ層を介してｎ
型窒化ガリウム、量子効果が生ずる厚さとなる３ｎｍの
窒化インジム・ガリウム、ｐ型窒化アルミニウム・ガリ
ウム及びｐ型窒化ガリウムが積層されたＬＥＤチップを
半導体素子１０４として上述のパッケージ１０５凹部内
に配置する。サファイア基板をエポキシ樹脂で液晶ポリ
マーからなるパッケージの凹部底面にマウント固着され
ている。
【００３２】ＬＥＤチップ１０４がマウントされたパッ
ケージ１０５の各リード電極１０２と、ＬＥＤチップの
電極とをワイヤボンディング機器を利用してそれぞれワ
イヤボンディングさせる。ワイヤボンディングは予めキ
ャピラリに通した直径３５μｍの金線の先端を放電によ
りボールを形成させる。キャピラリを半導体素子の電極
上に降下させボールをサーモソニック・ボンディングさ
せる。第１のボンディング工程が行われる。キャピラリ
でワイヤをガイドしながら第２のボンディングさせるリ
ード電極上に移行する。
【００３３】キャピラリをリード電極１０２上に降下
し、ワイヤを先端が凸状のリード電極に圧着させサーモ
ソニック・ボンディングによりワイヤを固定すると共に
切断する。こうして形成させた半導体装置を８００個形
成させた。半導体装置の第２のボンディング近傍のワイ
ヤを１ｇ単位で針金により引っ張り上げ、ワイヤ強度を
調べた。１５ｇｆまでの強度で引っ張り上げたがワイヤ
切れを起こすものはなかった。
【００３４】（比較例１）図１に示した、リード電極１
０２の凸状先端を被覆したパッケージ１０５の一部を構
成する一段盛り上がった樹脂部分１０１がない図７の如
き、パッケージをモールディングで形成させた以外は実
施例１と同様にして半導体装置を８００個形成させた。
実施例１と同様の試験を行ったところ、ワイヤとリード
電極の界面で剥がれたものが４２個もあった。
【００３５】（実施例２）比較例１のパッケージを利用
して実施例２の半導体装置を形成させた。リード電極の
凸状先端にエポキシ樹脂２０１を塗布してリード電極先
端を図２の如く部分的に被覆した。エポキシ樹脂を硬化
後、実施例２の半導体装置を実施例１と同様にしてワイ
ヤ強度試験を行った。実施例１と同様に第２のボンディ
ング側の引っ張り強度が増加した。
【００３６】（実施例３）図３（Ｂ）の如く、第２のボ
ンディングがされるリード電極３０２の先端部をパッケ
ージ凹部底面及びボンディング表面よりも予め一段低い
形状とさせたリード電極３０２を利用した以外は、比較
例１と同様にして半導体装置３００を形成させた。リー
ド電極３０２の端部が一段低くなっていることにより、
第２のボンディングされるリード電極端部は全て液晶ポ
リマー中に埋没している。このように形成させた半導体
装置も実施例１と同等の密着力を有する。
【００３７】（実施例４）複数の半導体素子４０４、４
１４、４２４が配置された半導体装置４００の模式的平
面図を図４（Ａ）に示す。リン青銅の表面に銀メッキが
施された凸状リード電極４０２が液晶ポリマー中にイン
サート成形されパッケージ４０５が構成される。リード
電極４０２は、パッケージの露出面以外が固定され易い
よう凸状形状の対角側はパッケージを構成する樹脂中に
埋まっている。パッケージ表面側の略中央部には凹部を
有し、リード電極は凹部底面及びパッケージの裏面側で
一部露出している。本発明の半導体装置では発光観測面
側となるリード電極の露出面が凸状先端を持っている。
リード電極の凸状先端は、基板と連続した一部を構成す
る一段盛り上がった樹脂部分内に埋没している。この樹
脂部分は、ＬＥＤチップの搭載面に対し、鈍角な斜面と
なっている。なお、液晶ポリマー中には酸化チタンを添
加しており、鈍角面はＬＥＤチップからの光を外部へ有
効に反射して取り出す反射面としても作用する。すなわ
ち、光反射性の鈍角面とすることによって光半導体素子
の性能向上を図り得る。
【００３８】本発明では、ワイヤボンディングが施され
るリード電極外縁の一部をパッケージ中に埋設したの
で、リード電極の先端も極めて強固に係合、拘束され
る。
【００３９】したがって、ワイヤボンディングを行う場
合、リード電極のバタツキは防止される。ワイヤの接合
する超音波振動エネルギーを有効かつ確実に付与するこ
とができる。ボンディング強度が向上し、半導体装置の
信頼性が著しく向上する。
【００４０】本実施例ではそれぞれＲＧＢの発光色を有
するＬＥＤチップが、３個搭載されている。ＬＥＤチッ
プはリード電極露出部の一部にエポキシ樹脂を用いてマ
ウント固着されている。
【００４１】ＬＥＤチップがマウントされたパッケージ
のリード電極と、ＬＥＤチップの電極とをワイヤボンデ
ィング機器を利用してワイヤボンディングさせる。ワイ
ヤボンディングは予めキャピラリに通した直径３５μｍ
の金線の先端を放電によりボールを形成させる。先端に
ボールが形成されたキャピラリを半導体素子の電極上に
降下させ第１のボンディングを行う。キャピラリでワイ
ヤをガイドしながら第２のボンディングするリード電極
上までワイヤを延ばす。キャピラリをリード電極上に降
下し、ワイヤを先端が凸状のリード電極に圧着させサー
モソニック・ボンディングにより第２のボンディングを
行う。これにより、ワイヤを半導体素子の電極と、リー
ド電極上に固定する。
【００４２】電気的に接合されたパッケージ内部に透光
性樹脂４０６としてエポキシ樹脂を注入し硬化させる。
形成された半導体装置のリード電極に電流を流したとろ
各ＬＥＤチップが発光可能であった。この半導体装置を
９５０個形成し熱衝撃試験を行った。熱衝撃試験とし
て、半導体装置を−３０度４０秒８０℃５分を１０００
サイクル繰り返した。試験後、何れの半導体装置も試験
前と同様の発光特性を示し不灯となるものは発生しなか
った。
【００４３】リード電極の先端を覆っている樹脂を除去
させたパッケージを用いて半導体装置を形成させた以外
は実施例４と同様にして比較のための半導体装置を形成
させた。比較のための半導体装置を実施例４と同様の熱
衝撃試験にかけたところ、比較のために示す半導体装置
は１０００サイクルにて約１０％が不灯となった。これ
を詳細に調べて見ると、不灯となった半導体装置はすべ
てリード電極の第２のボンディング部にてワイヤが断線
或いは剥離していた。これにより、本発明による半導体
装置は極めて信頼性に優れることが分かった。特に、少
なくとも３つ以上のリード電極をパッケージ表面上に配
置する場合、半導体素子の配置とワイヤとの接続有効面
積を大きくさせるためには凸状リード電極形状とせざる
を得ない。そのため本発明の効果が特に大きくなる。
【００４４】
【発明の効果】本発明は半導体素子と、モールディング
成形された基板上のリード電極とをワイヤで接続した半
導体装置において、ワイヤと第２のボンディングされる
リード電極は平面側において周辺部より内部に向かって
凸状形状を有すると共に凸状端部の少なくとも一部を樹
脂で埋没することにより第２のボンディングの密着性を
向上させ得るものである。
【００４５】本発明の請求項２に記載の構成とすること
により、比較的簡単な構成で強固にリード電極を固定す
ることができる。
【００４６】本発明の請求項３に記載の構成とすること
により、光の利用効率の高い半導体装置とすることがで
きる。
【００４７】本発明の請求項４に記載の構成とすること
により、より光の利用効率の高い半導体装置とすること
ができる。
【００４８】本発明の請求項５に記載の方法により、比
較的簡単に信頼性の高い半導体装置を形成することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による半導体装置を示し、図１（Ａ）
は半導体装置の模式的平面図であり、図１（Ｂ）は図１
（Ａ）のＸＸ断面を示す。
【図２】 本発明による他の半導体装置を示し、図２
（Ａ）は半導体装置の模式的平面図であり、図２（Ｂ）
は図２（Ａ）のＸＸ断面を示す。
【図３】 本発明による他の半導体装置を示し、図３
（Ａ）は半導体装置の模式的平面図であり、図３（Ｂ）
は図３（Ａ）のＸＸ断面を示す。
【図４】 本発明による別の半導体装置を示し、図４
（Ａ）は半導体装置の模式的平面図であり、図４（Ｂ）
は図４（Ａ）のＸＸ断面を示す。
【図５】 第２のボンディング時におけるリード電極の
動きを示す模式的説明図である。
【図６】 本発明と比較のために示す半導体装置を示
し、図６（Ａ）は半導体装置の模式的平面図であり、図
６（Ｂ）は図６（Ａ）のＸＸ断面を示す。
【図７】 本発明と比較のために示す半導体装置を示
し、図７（Ａ）は半導体装置の模式的平面図であり、図
７（Ｂ）は図７（Ａ）のＸＸ断面を示す。
【符号の説明】
１００、２００、３００、４００・・・半導体装置 １０１・・・基板の一部を構成し、リード電極先端を固
定する突起部 １０２、２０２、４０２・・・先端が凸状のリード電極 １０３、２０３、３０３、４０４・・・ワイヤ １０４、２０４、３０４、４０４、４１４、４２４・・
・半導体素子 １０５、２０５、３０５、４０５・・・基板 ４０６・・・透光性樹脂 ２０１・・・リード電極の先端を固定する接着剤 ３０２・・・先端が半導体素子が配置された表面より低
く基板中に埋まっているリード電極 ６００、７００・・・半導体装置 ６０２・・・一片側のみが露出したリード電極 ７０１・・・リード電極の端部 ７０２・・・先端が凸状形状のリード電極 ５０３、６０３、７０３・・・ワイヤ ５０４、６０４、７０４・・・半導体素子 ５０５、６０５、７０５・・・基板

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 樹脂基板上に配置された半導体素子の電
    極を第１のボンディングとし、第１のボンディングから
    ワイヤにより接続された樹脂基板上のリード電極を第２
    のボンディングとしてワイヤボンディングした半導体装
    置であって、 前記リード電極は平面側において周辺部より内部に向か
    って凸状形状を有すると共に該リード電極の凸状端部の
    少なくとも一部を樹脂で埋没していることを特徴とする
    半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記リード電極の先端は基板と連続した
    樹脂で固定している請求項１に記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記半導体素子は光半導体素子であり、
    前記リード電極の凸状端部を埋没する樹脂はリード電極
    の平面に対してテーパー状の突起形状である請求項１に
    記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記突起形状のテーパーはリード電極の
    平面に対して鈍角からなる請求項３に記載の半導体装
    置。
  5. 【請求項５】 半導体素子の電極と、該半導体素子を配
    置させる基板に設けられたリード電極とをワイヤで接続
    した半導体装置の形成方法であって、 リード電極は平面側において凸状平板であると共に該凸
    状平板の少なくとも一部を樹脂で埋没させた基板をモー
    ルディング成形する工程と、 該基板上に半導体素子を配置する工程と、 該半導体素子の電極にワイヤの一端を第１のボンディン
    グする工程と、 前記リード電極上を前記ワイヤの他端として第２のボン
    ディングする工程とを有する半導体装置の形成方法。
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