JPH11274136A

JPH11274136A - 反応処理装置及び反応処理方法

Info

Publication number: JPH11274136A
Application number: JP7893898A
Authority: JP
Inventors: Katsutaro Ichihara; 勝太郎市原
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-03-26
Filing date: 1998-03-26
Publication date: 1999-10-08

Abstract

(57)【要約】【課題】昇温エッチングや薄膜堆積等の反応プロセス
において、窓部材が汚染されることを防止し、長期にわ
たり安定して反応プロセスを実施可能とすること。【解決手段】被処理基体２を収納する反応容器１と、
この反応容器１中に収納された被処理基体２の一部若し
くは全部と反応して反応生成物を形成する原料を導入す
る原料導入手段６と、反応容器１に設けられた窓部材１
０と、この窓部材１０を加熱する窓加熱手段１１とを具
備することを特徴とする反応処理装置。窓加熱手段１１
として透明電極が用いられ、この透明電極に対する通電
により窓部材１０の加熱が行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反応処理装置及び
反応処理方法に係わり、特に薄膜素子等の形成の際のエ
ッチングや堆積等に用いる反応処理装置及び反応処理方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜素子を形成する際に、エッチングや
堆積等のプロセスが用いられる。例えば、薄膜を所定の
形状に加工する気相エッチングプロセスにおいては、半
導体プロセス、液晶駆動用薄膜トランジスタ形成プロセ
ス、薄膜磁気ヘッドプロセス等、多くのプロセスが幅広
く利用されている。

【０００３】気相エッチングプロセスは、基本的には、
反応容器中に被加工体を設置し、この被加工体に高エネ
ルギーのArイオン等を入射して被加工体を物理的にエッ
チオフするか、被加工体に反応性物質( 通常はガス) を
供給して化学反応を起こし、高蒸気圧の反応生成物を生
成して、蒸発によりエッチオフするプロセスである。

【０００４】ここで、被加工体とは通常ウェファー状基
板上に被加工体としての機能性薄膜が形成されているも
のである。この機能性薄膜上には、所定のパターニング
を施すために、パターニングされたマスクが形成される
場合がある。通常、マスクにはフォトレジストが使用さ
れ、レジストはＰＥＰによりパターニングされる。マス
クに覆われていない機能性薄膜の露出部がエッチオフさ
れる訳である。

【０００５】エッチングには、上記したように物理エッ
チングと化学エッチングがあるが、主に化学反応により
高蒸気圧の反応生成物を生成する化学エッチングにおい
ては、従来より反応生成物の蒸気圧は室温以下で十分に
高いことが要求されていた。この理由は種々挙げられる
が、例えば、室温で蒸気圧が低く例えば数100 ℃の加熱
で高蒸気圧になる反応生成物は、蒸発後、容器内壁や排
気系等に再付着してコンタミの要因となるということが
指摘される。

【０００６】また、反応容器内部のエッチング状況等を
観察したり、エッチングのための加熱を外部からの赤外
線の照射により行うために、観察用又は赤外線照射用等
のための窓を設ける場合がある。このような場合には、
当該窓に前記したエッチングの反応生成物が再付着し
て、窓の透明性を損ねてしまい、窓を介した反応容器内
部の観察や赤外線の照射等を行うことができなくなると
いう問題がある。

【０００７】このような問題が存在するなかで、室温以
下で被加工体と効率良く反応し高蒸気圧の反応生成物を
形成する反応性原料は、被加工体材料がＳｉ、ＳｉＯ
₂ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、Ａｌ等の主に半導体素子に用いられる
膜材料である以外では少なく、従来のエツチングプロセ
スは極く一部の薄膜デバイスの製造にしか適用できなか
った。

【０００８】また、ＩＴＯ（Ｉｎ₂ Ｏ₃ −ＳｎＯ₂ ）や
ＳｉＯ₂ 等の透明性の導電膜を成膜する場合にも、反応
生成物による問題が存在する。即ち、かかる透明性の導
電膜を低温で形成した場合には、上記した容器内壁や排
気系等に反応生成物として当該導電膜が粉状に付着す
る。

【０００９】したがって、上記したように反応容器に観
察用又は赤外線照射用等のための窓を設けて、成膜状況
等の観察や成膜のための赤外線照射加熱を行う場合に
は、当該窓に前記した粉状の導電膜が付着して、窓の透
明性を損ねてしまい、窓を介した反応容器内部の観察や
赤外線の照射等を行うことができなくなるという問題が
ある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、主
に化学反応により高蒸気圧の反応生成物を生成する化学
エッチングを用いて被加工体のエッチング処理を行った
場合、当該反応生成物は蒸発した後、容器内壁や排気系
等に再付着してコンタミの要因となる。また、反応容器
に設けられた観察用又は赤外線照射用等のための窓に前
記エッチングの反応生成物が再付着して、当該窓の透明
性を損ねてしまい、窓を介した反応容器内部の観察や赤
外線の照射等を行うことができなくなるという問題があ
る。

【００１１】また、透明性の導電膜を成膜する場合に
は、反応容器に設けられた窓等に反応生成物として当該
導電膜が粉状に付着することにより、上記と同様に当該
窓の透明性を損ね、窓を介した反応容器内部の観察や赤
外線の照射等を行うことができなくなるという問題があ
る。

【００１２】本発明は、かかる従来の反応処理プロセス
の応用限界に鑑みてなされたものであり、被加工体をエ
ッチングしたり成膜プロセスを行う際の課題を解決し、
信頼性の高い反応処理プロセスを行うことができる反応
処理装置及び反応処理方法を提供することを目的とす
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上述した問題を解決する
ために、本発明の第１は、被処理基体を収納する反応容
器と、この反応容器中に収納された前記被処理基体の一
部若しくは全部と反応して反応生成物を形成する原料を
導入する原料導入手段と、前記反応容器に設けられた窓
部材と、この窓部材を加熱する窓加熱手段とを具備する
ことを特徴とする反応処理装置を提供する。

【００１４】かかる本発明の第１において、前記原料と
前記被処理基体との間の反応は、前記被処理基体の一部
若しくは全部をエッチングする反応であることが好まし
い。また、本発明の第２は、被処理基体を収納する反応
容器と、この反応容器中に収納された前記被処理基体表
面に反応生成物を形成する原料を導入する原料導入手段
と、前記反応容器に設けられた窓部材と、この窓部材を
加熱する窓加熱手段とを具備することを特徴とする反応
処理装置を提供する。

【００１５】上記した本発明の第１及び第２において、
以下の態様が好ましい。（１）前記窓部材は透明電極を備え、この透明電極に対
する通電により前記窓部材が加熱されること。

【００１６】（２）前記透明電極は所定のパターン形状
で形成されていること。（３）前記透明電極は前記窓部材全面を覆うように形成
されていること。（４）前記被処理基体を加熱する基体加熱手段が設けら
れたこと。

【００１７】（５）前記基体加熱手段は、前記反応容器
外部に設けられた赤外線ランプを備え、この赤外線ラン
プからの赤外線が前記窓部材を介して前記被処理基体の
表面に照射されること。

【００１８】（６）前記窓部材は前記反応容器内部を外
部から観察可能とするものであり、該窓部材を介して前
記被処理基体の表面状態を観察する手段が設けられたこ
と。（７）前記原料はガス原料であること。

【００１９】（８）前記ガス原料を化学的に活性化する
活性化手段が設けられたこと。（９）前記窓部材の温度が前記被処理基体の温度以上に
設定されること。また、本発明の第３は、被処理基体を反応容器に収納す
る工程と、この反応容器中に収納された前記被処理基体
の一部若しくは全部と反応して反応生成物を形成する原
料を前記反応容器内に導入する工程と、前記反応容器に
設けられた窓部材を加熱する工程とを具備することを特
徴とする反応処理方法を提供する。

【００２０】かかる本発明の第３において、前記原料と
前記被処理基体との間の反応は、前記被処理基体の一部
若しくは全部をエッチングする反応であることが好まし
い。また、本発明の第４は、被処理基体を反応容器に収
納する工程と、この反応容器中に収納された前記被処理
基体表面に反応生成物を形成する原料を前記反応容器内
に導入する工程と、前記反応容器に設けられた窓部材を
加熱する工程とを具備することを特徴とする反応処理方
法を提供する。

【００２１】上記した本発明の第３及び第４において、
以下の態様が好ましい。（１）前記窓部材は透明電極を備え、この透明電極に対
する通電により前記窓部材を加熱すること。

【００２２】（２）前記透明電極は所定のパターン形状
で形成されていること。（３）前記透明電極は前記窓部材全面を覆うように形成
されていること。前記被処理基体を加熱する工程を具備すること。

【００２３】（４）前記反応容器外部に設けられた赤外
線ランプからの赤外線を前記窓部材を介して前記被処理
基体の表面に照射することにより、前記被処理基体を加
熱すること。

【００２４】（５）前記窓部材は前記反応容器内部を外
部から観察可能とするものであり、該窓部材を介して前
記被処理基体の表面状態を観察する工程を具備するこ
と。（６）前記原料としてガス原料を用いること。

【００２５】（７）前記ガス原料を化学的に活性化する
工程を具備すること。（８）前記窓部材の温度を前記被処理基体の温度以上と
すること。本発明によれば、主に化学反応により高蒸気圧の反応生
成物を生成する化学エッチングを用いて反応容器内で被
加工体のエッチング処理を行う場合、前記反応容器に設
けられた窓部材を加熱することにより、室温で蒸気圧が
低く例えば数100 ℃の加熱で高蒸気圧になる反応生成物
が蒸発後、当該窓部材に再付着することを防止すること
が可能である。したがって、当該窓部材の透明性を損ね
ることを防止することができ、窓を介した反応容器内部
の観察や赤外線の照射等を良好に行うことが可能とな
る。

【００２６】また、透明性の導電膜を成膜する場合に
は、前記反応容器に設けられた窓部材を加熱することに
より、この反応容器に設けられた窓等に反応生成物とし
て当該導電膜が粉状に付着することを防止することが可
能である。この場合には、粉状ではなく透明性の導電膜
が窓部材の表面に形成される。したがって、当該窓部材
の透明性を損ねることを防止することができ、窓を介し
た反応容器内部の観察や赤外線の照射等を良好に行うこ
とが可能となる。

【００２７】例えば、反応容器の内部の反応をプロセス
モニターにより観察する場合には、プロセスモニター用
の窓部材を反応容器に設ける。かかるプロセスモニター
は目視の場合もあるが、エツチングプロセス管理にしば
しば用いられる光学式のエンドポイントモニターを利用
する場合には、上記窓部材への反応生成物の再付着や粉
状の堆積物の付着は致命的である。本発明はかかる反応
生成物の再付着や堆積物の付着を窓部材の加熱により効
果的に防止することが可能である。

【００２８】一方、赤外線加熱方式では、赤外線透過窓
の汚染はプロセス管理以前のプロセスの成立性に関わる
問題となるが、本発明によれば当該透過窓の汚染は無く
安定してプロセスを実施することが可能である。なお、
赤外線加熱を用いる形態によれば、通常の化学エッチン
グや堆積に用いられる低圧雰囲気下において短時間で効
率の良い加熱を行うことが可能となり、プロセスの煩雑
化を招くことなく被加工体の温度を上げることが可能と
なる。したがって、本発明を適用する上で効果的な実施
態様であるといえる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しつつ詳細に説明する。第１の実施形態本実施形態は、本発明による反応処理装置及び反応処理
方法をエッチングに対して適用した実施形態である。

【００３０】図１は、本実施形態に使用したエッチング
装置の概略構成図である。図１において、１は反応容
器、２は被加工体であるウェファー、３はウェファーを
保持する電極、４はウェファーを加熱するヒータ、５は
原料ガスプラズマを励起するための電源、６は原料ガス
供給系、７は原料ガス吹出し口を兼ねた対向電極、８は
熱電対、９は温度コントローラ、１０は窓部材（覗き
窓）、１１は窓部材加熱用電源、１２は排気系、１３は
光学式のエンドポイントモニターである。

【００３１】本実施形態では、被加工体２として、次世
代半導体の配線材料の候補であるCuパターンの設けられ
た実験用ウェファーを用いた。まず、熱酸化膜付きSiウ
ェファー上に100nm 厚のCuをスパッタリング法を用いて
形成した後、連続して耐熱性マスクとしてのＳｉＯ₂ 膜
を50nmスパッタコートした。

【００３２】次に、当該マスク上に１μm 幅のラインア
ンドスペースからなるレジストパターンをＰＥＰにより
形成した後、室温でＣＨＦ₃ 系ガスによるRIE を行っ
て、上記ＳｉＯ₂ 膜のエッチングを行った。次に、Ｏ₂
アツシャーにより上記レジストパターンを除去した。こ
れにより実験用の被加工体２を作成した。

【００３３】次に、この被加工体２を昇温エッチングす
るに先立ち、熱電対８を被加工体下部に配し、その出力
をコントローラ９に接続して、PID 制御により被加工体
２を加熱するヒータ４及び窓部材加熱用電源１１を制御
するようにした。本実施形態では窓部材の温度がウェフ
ァー温度よりも50℃高くなるように設定した。

【００３４】ここで、図１のエッチング装置主要部中、
本発明に関わる窓部材の拡大図を図２に示す。図２にお
いて、１０１は窓となるガラス板、１０２は透明電極パ
ターン、１０３はリードである。図２の構成の窓部材
は、例えば以下の手順で作成することがができる。

【００３５】即ち、まず、石英製のガラス板１０１上
に、透明電極パターン１０２の形成されるべき部分に開
口を有するマスクを載せ、スパッタリング装置の基板ホ
ルダーに設置した後、ＩＴＯターゲットをＡｒ−Ｏ₂ プ
ラズマでマグネトロンスパッタすることにより、例えば
膜厚200nm 、線幅3mm の透明電極パターン１０２となる
電極膜を形成する。次に、かかる電極膜の形成されたガ
ラス板１０１を上記スパッタリング装置から取出し、マ
スクを除去することにより透明電極パターン１０２を形
成する。さらに、電極パターン１０２の端部に銀ペース
ト等を用いてCuリード１０３を接続する。この様にして
作成した窓部材１０を本発明に関わるエッチング装置に
設置し、リード１０３を加熱用電源１１に接続する。

【００３６】上記した構成の窓部材１０を有するエッチ
ング装置を用いて、本発明による方法を用いて被加工体
２の昇温エッチングを以下の手順で実施した。即ち、ま
ず、Cu膜の設けられたウェファー２を反応容器１中の電
極３の上に載せた後、排気系１２により容器1 内部を真
空排気し、ヒータ４を通電してウェファー２を150 ℃に
昇温した。この時、同時に窓部材１０の透明電極パター
ン１０２へも通電して窓部材１０を200 ℃に昇温した。
各々所定の温度に至った後、ガス供給系６を介して塩素
ガスを導入し、対向電極７の表面に設けられた複数の開
口を介して反応容器中に当該塩素ガスを導入した。

【００３７】次に、RF電源５をオンして、300WのRF電力
を電極３に投入すると、ウェファー上部に塩素プラズマ
が励起され、プラズマとウェファー間に形成された陰極
降下部でプラズマ中の塩素イオンが加速されてウェファ
ーに衝突し、反応性イオンエッチングが進行した。Cu膜
と塩素ラジカルの反応生成物であるCu-Cl は室温では蒸
気圧が不十分だが、150 ℃の加熱で高速エッチングする
に足る蒸気圧を有し、約2minのプラズマ励起で100nm 厚
のCu膜のエッチングが完了した。

【００３８】エッチングの完了は、窓部材１０を介して
プラズマ発光をモニター１３で検知することにより実施
可能である。この場合はCu-Cl 励起分子からの発光ライ
ンに着目し、その強度がエツチングが進行している最中
の値の1/10に減衰した時点でCuのエッチングが完了した
ものと判定し、その時点で電源５をオフした。

【００３９】この様にして作成したCuパターンは、断面
SEM で形状観察した結果、テーパ角が急峻な所望のパタ
ーンとなっていた。ＳｉＯ₂ マスク、ＳｉＯ₂ 下地共に
エッチングの進行は僅かであった。以上のエッチングラ
ンを複数回連続して実施し、本発明の効果を明らかにし
た。比較のため、従来技術に基づいてエッチング時に窓
部材10の通電加熱を行わない比較例の実施も行った。

【００４０】従来技術に基づく比較例においては、エッ
チングランの進展に伴い、徐々に窓部材表面にCu-Cl 系
の蒸発物質が再付着して、プラズマ発光の透過率が減衰
して、10回程度のランでモニター13が動作しなしなり、
エッチングを自動停止することが不能となった。一方、
本発明に従って、ウェファー温度以上の温度に窓部材を
加熱してエッチングを行った場合には、100 ラン経過後
も窓部材１０の汚染は殆ど無く、モニター動作によるエ
ッチングの自動停止を安定して継続することができた。

【００４１】第２の実施形態第１の実施形態では、エンドポイントモニター用の窓部
材に本発明を適用した形態を述べたが、本実施形態では
ウェファー加熱を赤外線照射により実施し、本発明を赤
外線照射窓部材に適用した形態について述べる。

【００４２】図３は、本実施形態の実施に使用したエッ
チング装置の主要部構成図であり、図１と同一の機能を
有する部材については図１と同一の符号で示してある。
図３において、３１は反応容器、２は被加工体ウェファ
ー、３３は電極、８は熱電対、３９は温度コントロー
ラ、３０は赤外線照射窓（窓部材）、１１は窓加熱用電
源、１４は赤外線ランプ電源、１５は赤外線ランプ、１
６はリフレクターである。図３では煩雑を避ける目的
で、ガス導入系、排気系、プラズマ励起電源は記載して
いない。赤外線照射窓１０としては第１の実施形態の場
合と同様に図２に示す構成のものを用いることができ
る。

【００４３】被加工体２としては、磁気ヘッドプロセス
への応用を念頭に、記録磁極材料のCoZrNb膜上にＳｉＯ
₂ マスクパターンを形成したものを用いた。まず、Siウ
ェファー上にエッチングストッパーとしてのＳｉＯ₂
膜、被加工体薄膜としての１μm 厚のCoZrNb膜、マスク
としてのＳｉＯ₂ 膜を連続スパツタした後、レジストの
ラインアンドスペースパターンをＰＥＰ形成した。次
に、前記した第１の実施形態と同様にＳｉＯ₂ 膜のRIE
、レジストの除去を行い被加工体２を得た。

【００４４】上記構成の被加工体２の昇温エッチングを
以下の手順で実施した。ウェファー２を電極３３上に設
置して、反応容器３１中を真空排気し、ランプ15を点灯
してウェファー温度を200 ℃に加熱し、同時にコントロ
ーラ３９を介して照射窓３０を加熱して窓の温度を230
℃とした。赤外線によりウェファーを所定の温度に昇温
するに要した時間は1min以内であり、赤外線加熱の高速
性、量産性が確認出来た。

【００４５】次に、反応容器３１の内部にＣｌ₂ −ＢＣ
ｌ₃ −ＳｉＣｌ₄ 混合ガスを導入して、電極３３にRFパ
ワーを投入して、3minのRIE を行ってCoZrNb膜のパター
ニングを実施した。加工速度は予備実験から求め、ジャ
ストエッチングに相当する時間だけRIE を継続した。エ
ッチング終了のタイミングは、前記した第１の実施形態
と同様に光学的にモニターしても良い。このエッチング
ランによる窓部材３０の汚染は皆無で、膜の加工パター
ンも良好であった。

【００４６】次に、本発明の効果をさらに確認する目的
で、上記のエッチングランを繰返して実施した。比較例
として、照射窓１０の加熱を行わない形態も行った。窓
の加熱を実施しない場合は、数回のランで照射窓にCo-C
l 系の蒸発物質が再付着して汚染が生じた。このため、
徐々にウェファーを所定の温度に昇温するに要する時間
が長くなり、又、赤外線ランプへ投入するパワーが増加
した。２０回程度のランでランプへの投入パワーが許容
値を越え、プロセスの継続が不可能となった。一方、本
発明に従って、照射窓１０の加熱を実施した場合は１０
０回のランを繰返した後も、照射窓１０の汚染は殆ど見
られず、安定して高速にプロセスを継続することができ
た。

【００４７】第３の実施形態上述した第１、第２の実施形態では本発明をエッチング
プロセスに適用した例を述べた。この第３の実施形態で
は本発明を成膜プロセスに適用した例を述べる。

【００４８】本実施形態の成膜に用いた装置の基本構成
は、第１の実施形態においてエッチングプロセスに使用
した図１の装置と類似したものである。したがって、図
１に示したエッチング装置と同様の部分には同一の符号
を付して詳細な説明を省略する。

【００４９】基板２としてはSiウェファーを用い、その
上にＳｉＯ₂ 薄膜をCVD プロセスによって形成した。ま
ず、Siウェファー２を基板ホルダー（電極）３上に載せ
た後、成膜室１内部を真空排気した。次に、基板２を30
0 ℃に加熱し、原料ガス供給系６からＳｉＨ₄ とＯ₂ の
混合ガスを導入し、成膜室内の圧力を50Paに保持した。
さらに、基板２と対向する放電電極７にRF電力を投入し
て原料ガスをプラズマ化した。プラズマ励起により原料
ガスは分解し、基板２上で反応生成物のＳｉＯ₂ が析出
した。プラズマ励起を10min 継続した結果、Si基板２上
に100nm 厚のＳｉＯ₂ 膜が形成された。

【００５０】成膜中に、成膜室１に取り付けられた覗き
窓（窓部材）１０を介して基板２にレーザ光を照射し
て、反射光（析出中のＳｉＯ₂ の干渉光）を検出し、成
長中のＳｉＯ₂ 膜厚をモニターした。窓部材１０は、本
発明に従い350 ℃に加熱した。膜厚モニター用の反射光
は成長中も安定して検出器１３に入射し、成膜時間に対
して膜厚に依存する干渉波形を示した。比較例として、
従来技術に従って窓部材を加熱しなかった場合は、成膜
中に窓部材が徐々に白濁化してしまい、反射光量が低下
して膜厚モニターが不能となった。

【００５１】また、本実施形態における膜厚モニターに
よる観察の例以外に、エッチングプロセスと同様に、基
板の加熱を石英窓（窓部材）１０を通じて赤外線ランプ
により実施した。本発明に従って石英窓１０を350 ℃に
加熱した場合には、成膜プロセスを時間に対して線形に
安定して継続することができたが、従来技術に従って石
英窓を加熱しない場合は、成膜時間と共に石英窓が白濁
化し、基板温度が徐々に低下して膜質が劣化し、最終的
には粉体の析出が起こるのみとなってしまった。

【００５２】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ことはない。例えば、上記実施形態では透明電極をパタ
ーンとして形成したが、窓部材全面を覆うように形成し
て、当該窓部材を加熱するように構成することができ
る。

【００５３】また、窓部材を加熱する方法や装置も上記
実施形態に限定されず、高周波誘導加熱を用いる方法や
装置、窓部材を二重にして間に高温の流体（不活性ガス
等のガス、非反応性液体等の液体など窓部材と反応しな
い流体）を流す方法や装置など様々な方法や装置を用い
ることが可能である。

【００５４】さらに、窓部材により装置内部を観察する
方式、窓部材を介して装置内部の被処理基体を加熱処理
する方式に限らず、窓部材の透明性を利用する様々な処
理方式に対して本発明を適用することができるのは言う
までもない。その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で
種々変形して実施可能である

【００５５】

【発明の効果】本発明の反応処理装置及び反応処理方法
によれば、反応生成物の窓部材への付着により当該窓部
材の透明性が劣化することを防止することができ、安定
した反応処理プロセスを信頼性良く実施することが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に使用したエッチン
グ装置の構成を示す該略図。

【図２】図１若しくは図２の装置に用いられる窓部材
を示す構成図。

【図３】本発明の第２の実施形態に使用したエツチン
グ装置の構成を示す該略図。

【符号の説明】

１、３１…反応容器２…被加工体ウェファー３、３３…電極４…ヒーター５…原料ガス活性化電源６…ガス導入系７…対向電極８…熱電対９、３９…温度コントローラ１０、３０…窓１１…窓加熱源１２…排気系１３…エンドポイントモニター１４…ランプ電源１５…赤外線ランプ１６…リフレクター１０１…ガラス板１０２…透明電極パターン１０３…リード線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理基体を収納する反応容器と、この
反応容器中に収納された前記被処理基体の一部若しくは
全部と反応して反応生成物を形成する原料を導入する原
料導入手段と、前記反応容器に設けられた窓部材と、こ
の窓部材を加熱する窓加熱手段とを具備することを特徴
とする反応処理装置。
【請求項２】前記原料と前記被処理基体との間の反応
は、前記被処理基体の一部若しくは全部をエッチングす
る反応であることを特徴とする請求項１記載の反応処理
装置。
【請求項３】被処理基体を収納する反応容器と、この
反応容器中に収納された前記被処理基体表面に反応生成
物を形成する原料を導入する原料導入手段と、前記反応
容器に設けられた窓部材と、この窓部材を加熱する窓加
熱手段とを具備することを特徴とする反応処理装置。
【請求項４】前記窓部材は透明電極を備え、この透明
電極に対する通電により前記窓部材が加熱されることを
特徴とする請求項１乃至３記載の反応処理装置。
【請求項５】前記透明電極は所定のパターン形状で形
成されていることを特徴とする請求項４記載の反応処理
装置。
【請求項６】前記透明電極は前記窓部材全面を覆うよ
うに形成されていることを特徴とする請求項４記載の反
応処理装置。
【請求項７】前記被処理基体を加熱する基体加熱手段
が設けられたことを特徴とする請求項１乃至６記載の反
応処理装置。
【請求項８】前記基体加熱手段は、前記反応容器外部
に設けられた赤外線ランプを備え、この赤外線ランプか
らの赤外線が前記窓部材を介して前記被処理基体の表面
に照射されることを特徴とする請求項７記載の反応処理
装置。
【請求項９】前記窓部材は前記反応容器内部を外部か
ら観察可能とするものであり、該窓部材を介して前記被
処理基体の表面状態を観察する手段が設けられたことを
特徴とする請求項１乃至８記載の反応処理装置。
【請求項１０】前記原料はガス原料であることを特徴
とする請求項１乃至９記載の反応処理装置。
【請求項１１】前記ガス原料を化学的に活性化する活
性化手段が設けられたことを特徴とする請求項１０記載
の反応処理装置。
【請求項１２】被処理基体を反応容器に収納する工程
と、この反応容器中に収納された前記被処理基体の一部
若しくは全部と反応して反応生成物を形成する原料を前
記反応容器内に導入する工程と、前記反応容器に設けら
れた窓部材を加熱する工程とを具備することを特徴とす
る反応処理方法。
【請求項１３】前記原料と前記被処理基体との間の反
応は、前記被処理基体の一部若しくは全部をエッチング
する反応であることを特徴とする請求項１２記載の反応
処理方法。
【請求項１４】被処理基体を反応容器に収納する工程
と、この反応容器中に収納された前記被処理基体表面に
反応生成物を形成する原料を前記反応容器内に導入する
工程と、前記反応容器に設けられた窓部材を加熱する工
程とを具備することを特徴とする反応処理方法。
【請求項１５】前記窓部材は透明電極を備え、この透
明電極に対する通電により前記窓部材を加熱することを
特徴とする請求項１２乃至１４記載の反応処理方法。
【請求項１６】前記透明電極は所定のパターン形状で
形成されていることを特徴とする請求項１５記載の反応
処理方法。
【請求項１７】前記透明電極は前記窓部材全面を覆う
ように形成されていることを特徴とする請求項１５記載
の反応処理方法。
【請求項１８】前記被処理基体を加熱する工程を具備
することを特徴とする請求項１２乃至１７記載の反応処
理方法。
【請求項１９】前記反応容器外部に設けられた赤外線
ランプからの赤外線を前記窓部材を介して前記被処理基
体の表面に照射することにより、前記被処理基体を加熱
することを特徴とする請求項１８記載の反応処理方法。
【請求項２０】前記窓部材は前記反応容器内部を外部
から観察可能とするものであり、該窓部材を介して前記
被処理基体の表面状態を観察する工程を具備することを
特徴とする請求項１２乃至１９記載の反応処理方法。
【請求項２１】前記原料としてガス原料を用いること
を特徴とする請求項１２乃至２０記載の反応処理方法。
【請求項２２】前記ガス原料を化学的に活性化する工
程を具備することを特徴とする請求項１２乃至２１記載
の反応処理方法。