JPH11273154A - 相変化光ディスク - Google Patents
相変化光ディスクInfo
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- JPH11273154A JPH11273154A JP10071701A JP7170198A JPH11273154A JP H11273154 A JPH11273154 A JP H11273154A JP 10071701 A JP10071701 A JP 10071701A JP 7170198 A JP7170198 A JP 7170198A JP H11273154 A JPH11273154 A JP H11273154A
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- Japan
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- optical disk
- recording
- land
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 広範な波長域において再生時のクロストーク
が小さく、各世代のドライブで再生可能な相変化光ディ
スクを提供する。 【解決手段】 ランド・グルーブを有する基板（１）１
上に、光照射によって結晶状態と非晶質状態を遷移する
相変化記録層（３）を具備した相変化光ディスクであっ
て、ランド部（１Ｌ）の屈折率ｎが、ｍλ／６．６ｔ＜
ｎ＜ｍλ／５．４ｔを満足する。ここで、λは光源波
長、ｔはランドの高さ、ｍは自然数である。このような
相変化光ディスクは、４００〜８００ｎｍの波長域でラ
ンド−グルーブ間の反射光の位相差の絶対値を２０ｄｅ
ｇ以内にすることができ、クロストーク量を２５ｄＢ以
内に抑制できる。
が小さく、各世代のドライブで再生可能な相変化光ディ
スクを提供する。 【解決手段】 ランド・グルーブを有する基板（１）１
上に、光照射によって結晶状態と非晶質状態を遷移する
相変化記録層（３）を具備した相変化光ディスクであっ
て、ランド部（１Ｌ）の屈折率ｎが、ｍλ／６．６ｔ＜
ｎ＜ｍλ／５．４ｔを満足する。ここで、λは光源波
長、ｔはランドの高さ、ｍは自然数である。このような
相変化光ディスクは、４００〜８００ｎｍの波長域でラ
ンド−グルーブ間の反射光の位相差の絶対値を２０ｄｅ
ｇ以内にすることができ、クロストーク量を２５ｄＢ以
内に抑制できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザー光を照射し
て情報の記録再生を行う相変化光ディスクに関する。
て情報の記録再生を行う相変化光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは、大容量性、高速アクセス
性、媒体可搬性を兼ね備えた大容量記憶メディアとし
て、昨今のパーソナルコンピュータの隆盛を支えてい
る。特に、相変化光ディスクは、記録原理が単純なこと
から、実用化が進んでいる。相変化光ディスクの記録再
生原理は以下の通りである。相変化記録材料に比較的高
出力で短パルスのレーザービームを照射して記録部位を
融点以上まで加熱した後、急冷して非晶質記録マークを
形成することにより記録し、相変化記録材料に記録時よ
りも低出力・長パルスのレーザービームを照射して結晶
化温度以上融点未満に保持して結晶化することにより消
去する。そして、基板上の記録層にレーザービームを照
射して記録部位の反射率変化を記録情報として読み取る
ことにより再生する。
性、媒体可搬性を兼ね備えた大容量記憶メディアとし
て、昨今のパーソナルコンピュータの隆盛を支えてい
る。特に、相変化光ディスクは、記録原理が単純なこと
から、実用化が進んでいる。相変化光ディスクの記録再
生原理は以下の通りである。相変化記録材料に比較的高
出力で短パルスのレーザービームを照射して記録部位を
融点以上まで加熱した後、急冷して非晶質記録マークを
形成することにより記録し、相変化記録材料に記録時よ
りも低出力・長パルスのレーザービームを照射して結晶
化温度以上融点未満に保持して結晶化することにより消
去する。そして、基板上の記録層にレーザービームを照
射して記録部位の反射率変化を記録情報として読み取る
ことにより再生する。
【０００３】このように、相変化光記録は、非晶質−結
晶質の反射率変化を読み取るため、光学系の構造が簡単
である。また、光磁気記録のように磁界を必要とせず、
光強度変調による重ね書き（オーバーライト）が容易
で、データ転送速度が速いという特徴を持っている。さ
らに、ＣＤ−ＲＯＭをはじめとする再生専用ディスクと
の互換性にも優れている。
晶質の反射率変化を読み取るため、光学系の構造が簡単
である。また、光磁気記録のように磁界を必要とせず、
光強度変調による重ね書き（オーバーライト）が容易
で、データ転送速度が速いという特徴を持っている。さ
らに、ＣＤ−ＲＯＭをはじめとする再生専用ディスクと
の互換性にも優れている。
【０００４】相変化光ディスクの記録密度を向上するた
めには、記録マーク間隔を短くする、記録マークを短く
する、光源波長を短波長にする、などが考えられてい
る。このうち、記録マーク間隔を短くするためには、ラ
ンド／グルーブ（Ｌ／Ｇ）記録やマーク長記録などが提
案されている。
めには、記録マーク間隔を短くする、記録マークを短く
する、光源波長を短波長にする、などが考えられてい
る。このうち、記録マーク間隔を短くするためには、ラ
ンド／グルーブ（Ｌ／Ｇ）記録やマーク長記録などが提
案されている。
【０００５】Ｌ／Ｇ記録は、ランドとグルーブの両方の
記録を行うものである。これを実現するために、グルー
ブの深さｔをｔ＝ｍλ／６ｎ（ｎ：基板の屈折率、λ：
レーザー波長、ｍ：整数）を満足するように設定し、Ｌ
／Ｇ間の位相差をなくしてＬ／Ｇ間のクロストークを低
減する。この方式では、従来方式に比べて約２倍の高密
度化が期待できる。
記録を行うものである。これを実現するために、グルー
ブの深さｔをｔ＝ｍλ／６ｎ（ｎ：基板の屈折率、λ：
レーザー波長、ｍ：整数）を満足するように設定し、Ｌ
／Ｇ間の位相差をなくしてＬ／Ｇ間のクロストークを低
減する。この方式では、従来方式に比べて約２倍の高密
度化が期待できる。
【０００６】マーク長記録は、記録マークエッジ部の反
射率変化（反射率の微分成分）を検出するものである。
この方式は、従来のマークポジション記録に比べて約
１．５倍の高密度化が期待できる。
射率変化（反射率の微分成分）を検出するものである。
この方式は、従来のマークポジション記録に比べて約
１．５倍の高密度化が期待できる。
【０００７】このような高密度化記録技術に加えてＲＯ
Ｍ媒体などに対して提案されている超解像技術を用いれ
ば、記録密度を現状の約６５０Ｍｂｐｓｉ（ｂｉｔｓ／
ｉｎｃｈ2 ）の１０〜２０倍に向上させることが可能で
あると予想されている。
Ｍ媒体などに対して提案されている超解像技術を用いれ
ば、記録密度を現状の約６５０Ｍｂｐｓｉ（ｂｉｔｓ／
ｉｎｃｈ2 ）の１０〜２０倍に向上させることが可能で
あると予想されている。
【０００８】また、記録・再生を行う光源の波長を短く
することも高密度化に有効である。光学レンズを用いて
レーザー光源を絞る場合、その最小スポットは光源の波
長に依存し、波長が短くなるほど光スポットを小さくす
ることができる。たとえば、現状の第１世代ＤＶＤ−Ｒ
ＯＭでは６８０ｎｍレーザーが使用されている。そし
て、今後記録容量が高まるにつれて、光源波長が短波長
化されるのは当然の傾向である。
することも高密度化に有効である。光学レンズを用いて
レーザー光源を絞る場合、その最小スポットは光源の波
長に依存し、波長が短くなるほど光スポットを小さくす
ることができる。たとえば、現状の第１世代ＤＶＤ−Ｒ
ＯＭでは６８０ｎｍレーザーが使用されている。そし
て、今後記録容量が高まるにつれて、光源波長が短波長
化されるのは当然の傾向である。
【０００９】実際に、光源波長の短波長化に対応して、
光ディスクの層構成を最適化して、記録再生特性を向上
させようとする研究も行われている（信國ら、第８回相
変化記録研究会講演予稿集ｐ．７２）。しかし、短波長
光源に対して最適化されたディスクは、その波長での良
好な動作は期待できるが、現状の光源波長で動作させる
は困難である。
光ディスクの層構成を最適化して、記録再生特性を向上
させようとする研究も行われている（信國ら、第８回相
変化記録研究会講演予稿集ｐ．７２）。しかし、短波長
光源に対して最適化されたディスクは、その波長での良
好な動作は期待できるが、現状の光源波長で動作させる
は困難である。
【００１０】このことからわかるように、光ディスク
を、現状の動作波長および将来使用される動作波長に対
応させるには、多くの課題がある。その１つとして、Ｌ
／Ｇ間の位相差の問題がある。上述したように、グルー
ブ深さｈは、特定波長λに対して、Ｌ／Ｇ間の位相差が
なくなるように設定されている。このため、現状の光源
に対応して設計された光ディスクを今後使用される短波
長の光源で動作させると、Ｌ／Ｇ間で位相差が生じ、再
生時のクロストークが顕著となる。逆に、将来の短波長
光源に対応して設計された光ディスクを、現状のドライ
ブやプレーヤーで再生する場合にも、クロストークが顕
著となる。したがって、長期にわたるデータ保存機能を
重視すれば、光源波長に依存せずに再生可能な光ディス
クを提供する必要がある。
を、現状の動作波長および将来使用される動作波長に対
応させるには、多くの課題がある。その１つとして、Ｌ
／Ｇ間の位相差の問題がある。上述したように、グルー
ブ深さｈは、特定波長λに対して、Ｌ／Ｇ間の位相差が
なくなるように設定されている。このため、現状の光源
に対応して設計された光ディスクを今後使用される短波
長の光源で動作させると、Ｌ／Ｇ間で位相差が生じ、再
生時のクロストークが顕著となる。逆に、将来の短波長
光源に対応して設計された光ディスクを、現状のドライ
ブやプレーヤーで再生する場合にも、クロストークが顕
著となる。したがって、長期にわたるデータ保存機能を
重視すれば、光源波長に依存せずに再生可能な光ディス
クを提供する必要がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、広範
な波長域において再生時のクロストークが小さく、各世
代のドライブで再生互換のある相変化光ディスクを提供
する。
な波長域において再生時のクロストークが小さく、各世
代のドライブで再生互換のある相変化光ディスクを提供
する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の相変化光ディス
クは、ランド・グルーブを有する基板上に、光照射によ
って結晶状態と非晶質状態を遷移する相変化記録層を具
備した相変化光ディスクにおいて、ランド部が下記
（Ｉ）式 ｍλ／６．６ｔ＜ｎ＜ｍλ／５．４ｔ （Ｉ） （ここで、λは光源波長、ｎはランド部の屈折率、ｔは
ランドの高さ、ｍは自然数である。）を満足することを
特徴とする。
クは、ランド・グルーブを有する基板上に、光照射によ
って結晶状態と非晶質状態を遷移する相変化記録層を具
備した相変化光ディスクにおいて、ランド部が下記
（Ｉ）式 ｍλ／６．６ｔ＜ｎ＜ｍλ／５．４ｔ （Ｉ） （ここで、λは光源波長、ｎはランド部の屈折率、ｔは
ランドの高さ、ｍは自然数である。）を満足することを
特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。本発明の相変化光ディスクでは、屈折率ｎが４０
０〜８００ｎｍの波長域において、（Ｉ）式 ｍλ／６．６ｔ＜ｎ＜ｍλ／５．４ｔ （Ｉ） を満たす波長依存性屈折率材料で基板のランド部を構成
している。ここで、λは光源波長、ｎはランド部の屈折
率、ｔはランドの高さ、ｍは自然数である。なお、ｎは
使用する光源波長λに対応する値である。また、ランド
部を構成する材料の消衰係数ｋは０．５以下であること
が好ましい。
する。本発明の相変化光ディスクでは、屈折率ｎが４０
０〜８００ｎｍの波長域において、（Ｉ）式 ｍλ／６．６ｔ＜ｎ＜ｍλ／５．４ｔ （Ｉ） を満たす波長依存性屈折率材料で基板のランド部を構成
している。ここで、λは光源波長、ｎはランド部の屈折
率、ｔはランドの高さ、ｍは自然数である。なお、ｎは
使用する光源波長λに対応する値である。また、ランド
部を構成する材料の消衰係数ｋは０．５以下であること
が好ましい。
【００１４】基板のランド部が上記のような材料で構成
されている場合、４００〜８００ｎｍの波長域において
は光源波長によらず、ランド−グルーブ間の反射光の位
相差の絶対値を２０ｄｅｇ以内にすることができる。こ
の結果、クロストーク量も２５ｄＢ以内に抑制できる。
されている場合、４００〜８００ｎｍの波長域において
は光源波長によらず、ランド−グルーブ間の反射光の位
相差の絶対値を２０ｄｅｇ以内にすることができる。こ
の結果、クロストーク量も２５ｄＢ以内に抑制できる。
【００１５】上記のような波長依存性の屈折率を持つ材
料としては、ＣｕＯ、ＣｕＯ2 、Ｍａｘｗｅｌｌ−Ｇａ
ｒｎｅｔｔ（Ｍ−Ｇ）型微粒子分散膜、金属イオンを含
むレジスト材料などが挙げられる。
料としては、ＣｕＯ、ＣｕＯ2 、Ｍａｘｗｅｌｌ−Ｇａ
ｒｎｅｔｔ（Ｍ−Ｇ）型微粒子分散膜、金属イオンを含
むレジスト材料などが挙げられる。
【００１６】Ｍ−Ｇ型微粒子分散膜は、ＳｉＯ2 などの
透明誘電体中に、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃ
ｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒのうち少なく
とも１種からなる微粒子を分散させたものである。
透明誘電体中に、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃ
ｏ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒのうち少なく
とも１種からなる微粒子を分散させたものである。
【００１７】レジスト材料としては、ホトレジスト系、
シリコーン樹脂系、エポキシ樹脂系、ポリジオキサン系
などのネガ型のものや、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリ
レート）およびその共重合体、ポリメタクリル酸アルキ
ル（Ｃ3 〜Ｃ6 ）、ポリオレフィンスルホン、ポリエチ
ルイソプロピルケトン、含ハロゲンポリマーなどのポジ
型のものが適している。
シリコーン樹脂系、エポキシ樹脂系、ポリジオキサン系
などのネガ型のものや、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリ
レート）およびその共重合体、ポリメタクリル酸アルキ
ル（Ｃ3 〜Ｃ6 ）、ポリオレフィンスルホン、ポリエチ
ルイソプロピルケトン、含ハロゲンポリマーなどのポジ
型のものが適している。
【００１８】ディスク基板上にこのような材料からなる
ランド部を形成するには、型押しやドライエッチングが
用いられる。図１（Ａ）〜（Ｄ）に型押しによるランド
部の形成工程を示す。まず、図１（Ａ）のように、通常
の原盤カッティング工程により作製されたガラス原盤１
１を用意する。次に、図１（Ｂ）に示すように、通常の
マスタリング工程を経て、ガラス原盤１１に対応するＮ
ｉスタンパ１２（マザーディスク）を作製する。一方、
図１（Ｃ）に示すように、ディスク基板１上に、上記の
条件を満たす波長依存性屈折率材料１０を塗布する。こ
の場合、波長依存性屈折率材料１０としてレジスト材料
を用いることが好ましい。そして、図１（Ｄ）に示すよ
うに、ディスク基板１上に波長依存性屈折率材料１０に
Ｎｉスタンパ１２を型押しして、ランド部１Ｌを形成す
る。
ランド部を形成するには、型押しやドライエッチングが
用いられる。図１（Ａ）〜（Ｄ）に型押しによるランド
部の形成工程を示す。まず、図１（Ａ）のように、通常
の原盤カッティング工程により作製されたガラス原盤１
１を用意する。次に、図１（Ｂ）に示すように、通常の
マスタリング工程を経て、ガラス原盤１１に対応するＮ
ｉスタンパ１２（マザーディスク）を作製する。一方、
図１（Ｃ）に示すように、ディスク基板１上に、上記の
条件を満たす波長依存性屈折率材料１０を塗布する。こ
の場合、波長依存性屈折率材料１０としてレジスト材料
を用いることが好ましい。そして、図１（Ｄ）に示すよ
うに、ディスク基板１上に波長依存性屈折率材料１０に
Ｎｉスタンパ１２を型押しして、ランド部１Ｌを形成す
る。
【００１９】図２に（Ａ）〜（Ｄ）にドライエッチング
によるランド部の形成工程を示す。まず、図２（Ａ）に
示すように、ディスク基板１上に波長依存性屈折率材料
１０を成膜する。この場合、波長依存性屈折率材料１０
として無機材料を用い、通常の物理成膜法で成膜するこ
とが好ましい。次に、図２（Ｂ）に示すように、波長依
存性屈折率材料１０上にレジスト２１を塗布し、マスク
２２を通してＸ線または電子線で露光する。次いで、図
２（Ｃ）に示すように、レジスト２１を現像した後、グ
ルーブとなる部分の波長依存性屈折率材料１０をエッチ
ングにより除去してランド部１Ｌを形成する。最後に、
図２（Ｄ）に示すように、レジストを剥離する。
によるランド部の形成工程を示す。まず、図２（Ａ）に
示すように、ディスク基板１上に波長依存性屈折率材料
１０を成膜する。この場合、波長依存性屈折率材料１０
として無機材料を用い、通常の物理成膜法で成膜するこ
とが好ましい。次に、図２（Ｂ）に示すように、波長依
存性屈折率材料１０上にレジスト２１を塗布し、マスク
２２を通してＸ線または電子線で露光する。次いで、図
２（Ｃ）に示すように、レジスト２１を現像した後、グ
ルーブとなる部分の波長依存性屈折率材料１０をエッチ
ングにより除去してランド部１Ｌを形成する。最後に、
図２（Ｄ）に示すように、レジストを剥離する。
【００２０】ディスク基板１のランド１Ｌの高さ（グル
ーブ深さ）は、その世代のドライブの光源波長に合わせ
る。例えば、現世代のＤＶＤの光源波長６５０ｎｍで
は、クロストークが最小になるように、ランド高さを約
７０ｎｍまたは約１５０ｎｍに設計する。
ーブ深さ）は、その世代のドライブの光源波長に合わせ
る。例えば、現世代のＤＶＤの光源波長６５０ｎｍで
は、クロストークが最小になるように、ランド高さを約
７０ｎｍまたは約１５０ｎｍに設計する。
【００２１】図３に本発明の相変化光ディスクの断面図
を示す。ディスク基板１は波長依存性屈折率材料からな
るランド１Ｌを有する。このディスク基板１上に、第１
干渉層２、相変化記録層３、第２干渉層４、および反射
層５が形成されている。
を示す。ディスク基板１は波長依存性屈折率材料からな
るランド１Ｌを有する。このディスク基板１上に、第１
干渉層２、相変化記録層３、第２干渉層４、および反射
層５が形成されている。
【００２２】相変化記録層を構成する材料としては、光
照射によって結晶質−非晶質を可逆的に遷移し、両状態
間で光学特性が異なる材料が用いられる。具体的には、
Ｇｅ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｎ−Ｓｅ−Ｔ
ｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃｏなどが
挙げられる。また、これらの材料に、Ｃｏ、Ｐｔ、Ａ
ｇ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒなど
を微量添加してもよい。
照射によって結晶質−非晶質を可逆的に遷移し、両状態
間で光学特性が異なる材料が用いられる。具体的には、
Ｇｅ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｎ−Ｓｅ−Ｔ
ｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃｏなどが
挙げられる。また、これらの材料に、Ｃｏ、Ｐｔ、Ａ
ｇ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒなど
を微量添加してもよい。
【００２３】なお、相変化光ディスクの特性を向上させ
るために、基板１と第１干渉層２との間に半透明層を挿
入してもよい。半透明層としては、Ａｕ、Ｓｉ、Ａｇ、
Ｃｕなどが好ましい。
るために、基板１と第１干渉層２との間に半透明層を挿
入してもよい。半透明層としては、Ａｕ、Ｓｉ、Ａｇ、
Ｃｕなどが好ましい。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１ 図１に示した方法で、ポリカーボネート基板１上にレジ
スト材料からなる高さ７０ｎｍのランド部１Ｌを形成し
た。使用したレジスト材料は、Ａｕを１０ａｔ％含んだ
ＰＭＭＡである。図４にこのレジスト材料の屈折率ｎの
波長依存性を示す。測定波長域において、屈折率ｎは、
ｍλ／６．６ｔ＜ｎ＜ｍλ／５．４ｔの条件を満足す
る。
スト材料からなる高さ７０ｎｍのランド部１Ｌを形成し
た。使用したレジスト材料は、Ａｕを１０ａｔ％含んだ
ＰＭＭＡである。図４にこのレジスト材料の屈折率ｎの
波長依存性を示す。測定波長域において、屈折率ｎは、
ｍλ／６．６ｔ＜ｎ＜ｍλ／５．４ｔの条件を満足す
る。
【００２５】得られた基板１上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 か
らなる第１干渉層２、ＧｅＳｂＴｅからなる記録層３、
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第２干渉層４、ＡｌＴｉから
なる反射層５を形成し、図３に示すような相変化光ディ
スクを作製した。
らなる第１干渉層２、ＧｅＳｂＴｅからなる記録層３、
ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第２干渉層４、ＡｌＴｉから
なる反射層５を形成し、図３に示すような相変化光ディ
スクを作製した。
【００２６】この相変化光ディスクは、以下の手順で作
製された。基板を多元スパッタ装置内の基板ホルダーに
装着し、装置内を真空排気した後、Ａｒガスを導入し
た。基板ホルダーを自公転させながら、スパッタリング
を行い、順次各層を形成した。まず、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
ターゲットにＲＦ電力を投入し、基板上に厚さ１００ｎ
ｍの第１干渉層を形成した。次に、ＧｅＳｂＴｅターゲ
ットにＲＦ電力を投入し、第１干渉層上に厚さ１０ｎｍ
の記録層を形成した。再び、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲッ
トにＲＦ電力を投入して、記録層上に厚さ３０ｎｍの第
２干渉層を形成した。最後に、ＡｌＴｉターゲットにＤ
Ｃ電力を投入して、第２干渉層上に厚さ５０ｎｍの反射
層を形成した。成膜終了後に、ダミーのポリカーボネー
ト基板を貼り合わせた。
製された。基板を多元スパッタ装置内の基板ホルダーに
装着し、装置内を真空排気した後、Ａｒガスを導入し
た。基板ホルダーを自公転させながら、スパッタリング
を行い、順次各層を形成した。まず、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
ターゲットにＲＦ電力を投入し、基板上に厚さ１００ｎ
ｍの第１干渉層を形成した。次に、ＧｅＳｂＴｅターゲ
ットにＲＦ電力を投入し、第１干渉層上に厚さ１０ｎｍ
の記録層を形成した。再び、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲッ
トにＲＦ電力を投入して、記録層上に厚さ３０ｎｍの第
２干渉層を形成した。最後に、ＡｌＴｉターゲットにＤ
Ｃ電力を投入して、第２干渉層上に厚さ５０ｎｍの反射
層を形成した。成膜終了後に、ダミーのポリカーボネー
ト基板を貼り合わせた。
【００２７】作製した光ディスクに表１に示す条件で記
録を行った後、表１に示す条件で再生特性を調べた。記
録パワーに関しては、光ディスクの層構成で最適値が異
なるため、表に示した範囲で適宜調整している。
録を行った後、表１に示す条件で再生特性を調べた。記
録パワーに関しては、光ディスクの層構成で最適値が異
なるため、表に示した範囲で適宜調整している。
【００２８】
【表１】
【００２９】図５に、再生時の隣接トラックからのクロ
ストークの波長依存性を示す。この図に示されるよう
に、４００〜８００ｎｍの広い波長領域において、クロ
ストークを２３ｄＢ以下にすることができる。
ストークの波長依存性を示す。この図に示されるよう
に、４００〜８００ｎｍの広い波長領域において、クロ
ストークを２３ｄＢ以下にすることができる。
【００３０】実施例２ 図２に示した方法で、ポリカーボネート基板１上にＣｕ
Ｏからなる高さ７０ｎｍのランド部１Ｌを形成した。図
４にＣｕＯの屈折率ｎの波長依存性を示す。測定波長域
において、屈折率ｎは、ｍλ／６．６ｔ＜ｎ＜ｍλ／
５．４ｔの条件を満足する。
Ｏからなる高さ７０ｎｍのランド部１Ｌを形成した。図
４にＣｕＯの屈折率ｎの波長依存性を示す。測定波長域
において、屈折率ｎは、ｍλ／６．６ｔ＜ｎ＜ｍλ／
５．４ｔの条件を満足する。
【００３１】得られた基板上に、Ａｕからなる半透明
層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第１干渉層、ＧｅＳｂＴ
ｅからなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第２干渉
層、Ａｕからなる反射層を形成した。
層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第１干渉層、ＧｅＳｂＴ
ｅからなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第２干渉
層、Ａｕからなる反射層を形成した。
【００３２】この相変化光ディスクは、実施例１と同様
の手順で作製された。基板を多元スパッタ装置内の基板
ホルダーに装着し、装置内を真空排気した後、Ａｒガス
を導入した。基板ホルダーを自公転させながら、スパッ
タリングを行い、順次各層を形成した。まず、Ａｕター
ゲットにＤＣ電力を投入し、基板上に厚さ１０ｎｍの半
透明層を形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット
にＲＦ電力を投入し、半透明層上に厚さ１００ｎｍの第
１干渉層を形成した。次に、ＧｅＳｂＴｅターゲットに
ＲＦ電力を投入し、第１干渉層上に厚さ２０ｎｍの記録
層を形成した。再び、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲットにＲ
Ｆ電力を投入して、記録層上に厚さ２１０ｎｍの第２干
渉層を形成した。最後に、ＡｕターゲットにＤＣ電力を
投入して、第２干渉層上に厚さ５０ｎｍの反射層を形成
した。成膜終了後に、ダミーのポリカーボネート基板を
貼り合わせた。
の手順で作製された。基板を多元スパッタ装置内の基板
ホルダーに装着し、装置内を真空排気した後、Ａｒガス
を導入した。基板ホルダーを自公転させながら、スパッ
タリングを行い、順次各層を形成した。まず、Ａｕター
ゲットにＤＣ電力を投入し、基板上に厚さ１０ｎｍの半
透明層を形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット
にＲＦ電力を投入し、半透明層上に厚さ１００ｎｍの第
１干渉層を形成した。次に、ＧｅＳｂＴｅターゲットに
ＲＦ電力を投入し、第１干渉層上に厚さ２０ｎｍの記録
層を形成した。再び、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲットにＲ
Ｆ電力を投入して、記録層上に厚さ２１０ｎｍの第２干
渉層を形成した。最後に、ＡｕターゲットにＤＣ電力を
投入して、第２干渉層上に厚さ５０ｎｍの反射層を形成
した。成膜終了後に、ダミーのポリカーボネート基板を
貼り合わせた。
【００３３】記録時の線速を１０ｍ／ｓとした以外は実
施例１と同様の方法で光ディスクに記録した後、再生特
性を調べた。図７に、再生時の隣接トラックからのクロ
ストークの波長依存性を示す。この図に示されるよう
に、４００〜８００ｎｍの広い波長領域において、クロ
ストークを１５ｄＢ以下にすることができる。
施例１と同様の方法で光ディスクに記録した後、再生特
性を調べた。図７に、再生時の隣接トラックからのクロ
ストークの波長依存性を示す。この図に示されるよう
に、４００〜８００ｎｍの広い波長領域において、クロ
ストークを１５ｄＢ以下にすることができる。
【００３４】実施例３ 図１に示した方法で、ポリカーボネート基板１上にレジ
スト材料からなる高さ１５０ｎｍのランド部１Ｌを形成
した。使用したレジスト材料は、Ｃｕを２０ａｔ％含ん
だポリメタクリル酸アルキルである。図８にこのレジス
ト材料の屈折率ｎの波長依存性を示す。測定波長域にお
いて、屈折率ｎは、ｍλ／６．６ｔ＜ｎ＜ｍλ／５．４
ｔの条件を満足する。
スト材料からなる高さ１５０ｎｍのランド部１Ｌを形成
した。使用したレジスト材料は、Ｃｕを２０ａｔ％含ん
だポリメタクリル酸アルキルである。図８にこのレジス
ト材料の屈折率ｎの波長依存性を示す。測定波長域にお
いて、屈折率ｎは、ｍλ／６．６ｔ＜ｎ＜ｍλ／５．４
ｔの条件を満足する。
【００３５】得られた基板上に、Ｓｉからなる半透明
層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第１干渉層、ＧｅＳｂＴ
ｅからなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第２干渉
層、ＡｌＴｉからなる反射層を形成した。
層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第１干渉層、ＧｅＳｂＴ
ｅからなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第２干渉
層、ＡｌＴｉからなる反射層を形成した。
【００３６】この相変化光ディスクは、実施例１と同様
の手順で作製された。基板を多元スパッタ装置内の基板
ホルダーに装着し、装置内を真空排気した後、Ａｒガス
を導入した。基板ホルダーを自公転させながら、スパッ
タリングを行い、順次各層を形成した。まず、Ｓｉター
ゲットにＤＣ電力を投入し、基板上に厚さ５０ｎｍの半
透明層を形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット
にＲＦ電力を投入し、半透明層上に厚さ１３０ｎｍの第
１干渉層を形成した。次に、ＧｅＳｂＴｅターゲットに
ＲＦ電力を投入し、第１干渉層上に厚さ１５ｎｍの記録
層を形成した。再び、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲットにＲ
Ｆ電力を投入して、記録層上に厚さ１８０ｎｍの第２干
渉層を形成した。最後に、ＡｌＴｉターゲットにＤＣ電
力を投入して、第２干渉層上に厚さ５０ｎｍの反射層を
形成した。成膜終了後に、ダミーのポリカーボネート基
板を貼り合わせた。
の手順で作製された。基板を多元スパッタ装置内の基板
ホルダーに装着し、装置内を真空排気した後、Ａｒガス
を導入した。基板ホルダーを自公転させながら、スパッ
タリングを行い、順次各層を形成した。まず、Ｓｉター
ゲットにＤＣ電力を投入し、基板上に厚さ５０ｎｍの半
透明層を形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット
にＲＦ電力を投入し、半透明層上に厚さ１３０ｎｍの第
１干渉層を形成した。次に、ＧｅＳｂＴｅターゲットに
ＲＦ電力を投入し、第１干渉層上に厚さ１５ｎｍの記録
層を形成した。再び、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲットにＲ
Ｆ電力を投入して、記録層上に厚さ１８０ｎｍの第２干
渉層を形成した。最後に、ＡｌＴｉターゲットにＤＣ電
力を投入して、第２干渉層上に厚さ５０ｎｍの反射層を
形成した。成膜終了後に、ダミーのポリカーボネート基
板を貼り合わせた。
【００３７】記録時の線速を１２ｍ／ｓとした以外は実
施例１と同様の方法で光ディスクに記録した後、再生特
性を調べた。図９に、再生時の隣接トラックからのクロ
ストークの波長依存性を示す。この図に示されるよう
に、４００〜８００ｎｍの広い波長領域において、クロ
ストークを１８ｄＢ以下にすることができる。
施例１と同様の方法で光ディスクに記録した後、再生特
性を調べた。図９に、再生時の隣接トラックからのクロ
ストークの波長依存性を示す。この図に示されるよう
に、４００〜８００ｎｍの広い波長領域において、クロ
ストークを１８ｄＢ以下にすることができる。
【００３８】実施例４ 図１に示した方法で、ポリカーボネート基板１上にレジ
スト材料からなる高さ１５０ｎｍのランド部１Ｌを形成
した。使用したレジスト材料は、Ａｇを１５ａｔ％含ん
だメタクリル酸メチル−イソブチレン共重合体である。
図１０にこのレジスト材料の屈折率ｎの波長依存性を示
す。測定波長域において、屈折率ｎは、ｍλ／６．６ｔ
＜ｎ＜ｍλ／５．４ｔの条件を満足する。
スト材料からなる高さ１５０ｎｍのランド部１Ｌを形成
した。使用したレジスト材料は、Ａｇを１５ａｔ％含ん
だメタクリル酸メチル−イソブチレン共重合体である。
図１０にこのレジスト材料の屈折率ｎの波長依存性を示
す。測定波長域において、屈折率ｎは、ｍλ／６．６ｔ
＜ｎ＜ｍλ／５．４ｔの条件を満足する。
【００３９】得られた基板上に、Ｓｉからなる半透明
層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第１干渉層、ＧｅＳｂＴ
ｅからなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第２干渉
層、ＡｌＴｉからなる反射層を形成した。
層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第１干渉層、ＧｅＳｂＴ
ｅからなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる第２干渉
層、ＡｌＴｉからなる反射層を形成した。
【００４０】この相変化光ディスクは、実施例１と同様
の手順で作製された。基板を多元スパッタ装置内の基板
ホルダーに装着し、装置内を真空排気した後、Ａｒガス
を導入した。基板ホルダーを自公転させながら、スパッ
タリングを行い、順次各層を形成した。まず、Ｓｉター
ゲットにＤＣ電力を投入し、基板上に厚さ５０ｎｍの半
透明層を形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット
にＲＦ電力を投入し、半透明層上に厚さ１３０ｎｍの第
１干渉層を形成した。次に、ＧｅＳｂＴｅターゲットに
ＲＦ電力を投入し、第１干渉層上に厚さ１５ｎｍの記録
層を形成した。再び、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲットにＲ
Ｆ電力を投入して、記録層上に厚さ１８０ｎｍの第２干
渉層を形成した。最後に、ＡｌＴｉターゲットにＤＣ電
力を投入して、第２干渉層上に厚さ５０ｎｍの反射層を
形成した。成膜終了後に、ダミーのポリカーボネート基
板を貼り合わせた。
の手順で作製された。基板を多元スパッタ装置内の基板
ホルダーに装着し、装置内を真空排気した後、Ａｒガス
を導入した。基板ホルダーを自公転させながら、スパッ
タリングを行い、順次各層を形成した。まず、Ｓｉター
ゲットにＤＣ電力を投入し、基板上に厚さ５０ｎｍの半
透明層を形成した。次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット
にＲＦ電力を投入し、半透明層上に厚さ１３０ｎｍの第
１干渉層を形成した。次に、ＧｅＳｂＴｅターゲットに
ＲＦ電力を投入し、第１干渉層上に厚さ１５ｎｍの記録
層を形成した。再び、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲットにＲ
Ｆ電力を投入して、記録層上に厚さ１８０ｎｍの第２干
渉層を形成した。最後に、ＡｌＴｉターゲットにＤＣ電
力を投入して、第２干渉層上に厚さ５０ｎｍの反射層を
形成した。成膜終了後に、ダミーのポリカーボネート基
板を貼り合わせた。
【００４１】記録時の線速を１２ｍ／ｓとした以外は実
施例１と同様の方法で光ディスクに記録した後、再生特
性を調べた。図１１に、再生時の隣接トラックからのク
ロストークの波長依存性を示す。この図に示されるよう
に、４００〜８００ｎｍの広い波長領域において、クロ
ストークを１３ｄＢ以下にすることができる。
施例１と同様の方法で光ディスクに記録した後、再生特
性を調べた。図１１に、再生時の隣接トラックからのク
ロストークの波長依存性を示す。この図に示されるよう
に、４００〜８００ｎｍの広い波長領域において、クロ
ストークを１３ｄＢ以下にすることができる。
【００４２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の相変化光デ
ィスクは、波長依存性屈折率材料からなるランド部を有
するので、広い波長領域においてクロストークの少ない
良好な再生特性を得ることができる。したがって、現状
の光源波長に最適化したランド／グルーブを有する光デ
ィスクでも、将来の光源の短波長化に対応して再生互換
を確保することができる。また、各世代の相変化光ディ
スクにおいて本発明の構成を採用することにより、各世
代のドライブで再生互換を実現できる。
ィスクは、波長依存性屈折率材料からなるランド部を有
するので、広い波長領域においてクロストークの少ない
良好な再生特性を得ることができる。したがって、現状
の光源波長に最適化したランド／グルーブを有する光デ
ィスクでも、将来の光源の短波長化に対応して再生互換
を確保することができる。また、各世代の相変化光ディ
スクにおいて本発明の構成を採用することにより、各世
代のドライブで再生互換を実現できる。
【図１】型押しによるランド部の形成工程を示す断面
図。
図。
【図２】ドライエッチングによるランド部の形成工程を
示す断面図。
示す断面図。
【図３】本発明に係る相変化光ディスクの断面図。
【図４】実施例１におけるレジスト材料の屈折率ｎの波
長依存性を示す図。
長依存性を示す図。
【図５】実施例１の相変化光ディスクのクロストークの
波長依存性を示す図。
波長依存性を示す図。
【図６】実施例２におけるＣｕＯの屈折率ｎの波長依存
性を示す図。
性を示す図。
【図７】実施例２の相変化光ディスクのクロストークの
波長依存性を示す図。
波長依存性を示す図。
【図８】実施例３におけるレジスト材料の屈折率ｎの波
長依存性を示す図。
長依存性を示す図。
【図９】実施例４の相変化光ディスクのクロストークの
波長依存性を示す図。
波長依存性を示す図。
【図１０】実施例４におけるレジスト材料の屈折率ｎの
波長依存性を示す図。
波長依存性を示す図。
【図１１】実施例４の相変化光ディスクのクロストーク
の波長依存性を示す図。
の波長依存性を示す図。
１…ディスク基板 １Ｌ…ランド部 ２…第１干渉層 ３…相変化記録層 ４…第２干渉層 ５…反射層 １０…波長依存性屈折率材料 １１…ガラス原盤 １２…Ｎｉスタンパ ２１…レジスト ２２…マスク
Claims (1)
- 【請求項１】ランド・グルーブを有する基板上に、光照
射によって結晶状態と非晶質状態を遷移する相変化記録
層を具備した相変化光ディスクにおいて、ランド部が下
記（Ｉ）式 ｍλ／６．６ｔ＜ｎ＜ｍλ／５．４ｔ （Ｉ） （ここで、λは光源波長、ｎはランド部の屈折率、ｔは
ランドの高さ、ｍは自然数である。）を満足することを
特徴とする相変化光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10071701A JPH11273154A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 相変化光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10071701A JPH11273154A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 相変化光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11273154A true JPH11273154A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13468117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10071701A Pending JPH11273154A (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 相変化光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11273154A (ja) |
-
1998
- 1998-03-20 JP JP10071701A patent/JPH11273154A/ja active Pending
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