JPH1126658A - Bga型半導体装置のパッケージ構造 - Google Patents

Bga型半導体装置のパッケージ構造

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JPH1126658A
JPH1126658A JP18420397A JP18420397A JPH1126658A JP H1126658 A JPH1126658 A JP H1126658A JP 18420397 A JP18420397 A JP 18420397A JP 18420397 A JP18420397 A JP 18420397A JP H1126658 A JPH1126658 A JP H1126658A
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JP
Japan
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package
substrate
heat
semiconductor device
chip
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JP18420397A
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English (en)
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Yoshitaka Kaku
義孝 加久
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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Publication date
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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
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    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 この発明は、BGA型半導体装置のパッケー
ジ構造に関する。 【解決手段】 この発明は、パッケージ表面に放熱用の
凹凸形状を形成したことを特徴とするBGA型半導体装
置のパッケージ構造を提供せんとするものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、BGA型半導体
装置のパッケージ構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、BGA型半導体装置は、基板上に
チップを固着し、ワイヤーボンディングしてモールドす
ると共に、基板裏面に半田ボールを突設した構造として
いる。
【0003】かかるパッケージ形状において、半導体装
置の放熱機能を向上すべく、たとえば特開平8-17974 に
開示されているようにパッケージ上面に放熱器を装着し
て積極的に帯熱を放出する機構がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特にかかる放
熱器を装着した半導体装置は、形状が大きくなり実装ス
ペースに不利であり、また構造も複雑になり、コストも
高くなるという欠点があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、パッケージ
表面に放熱用の凹凸形状を形成したことを特徴とするB
GA型半導体装置のパッケージ構造を提供せんとするも
のである。
【0006】また、凹凸形状は、基板積層時に基板裏面
に突設した半田ボールが嵌入できる大きさとした凹部
を、半田ボールの配設ピッチと同ピッチで多数形成する
ことにより構成したことを特徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】この発明では、パッケージ表面、
すなわち、モールドした半導体の上面に格子状やデンプ
ル状の凹凸形状を形成しているので、表面が大となり、
その分パッケージからの放熱効率が向上し、帯熱にとも
なう半導体の損傷を防止できる。
【0008】特に、凹凸形状の凹部を半田ボールが嵌入
する大きさに形成し、かつ、半田ボールの配設ピッチと
同ピッチで多数形成したので、トレー中に積層して包装
する場合や、筒状ケース中に積層する場合に、上層の基
板から突設した半田ボールが凹部に嵌入してモールド樹
脂の表面に直接接することがなく、パッケージ表面を傷
つけるおそれがない。
【0009】
【実施例】この発明の実施例を図面にもとづき詳説する
と、図1は、本発明のBGA型半導体装置を示すもので
あり、同装置は基板1にチップ2を固着し、ワイヤーボ
ンディング3によりインナリード4を介してチップ2と
基板1裏面の半田ボール5とを導通している。
【0010】基板上は、樹脂によりモールド6されてパ
ッケージPを形成しており、パッケージP表面には、放
熱面積を大とするために凹凸形状Mを形成している。
【0011】すなわち、図2に示すものは、等間隔に矩
形状の凹部7を形成した平面図であり、多数の凹部7に
より突条8が縦方向、横方向に形成されて、パッケージ
P表面に凹凸形状Mを形成している。
【0012】かかる凹凸形状Mにより、パッケージ表面
積は大となり、パッケージP中に滞留した熱をより多く
放熱できる。
【0013】また、図3に示すように、凹部の内底面に
銅等の放熱板9を接着しておくことにより、更に放熱効
果が向上する。
【0014】この際、放熱板9を、基板1上のチップ2
に接触させておけば、更にチップ2の滞熱をより多く放
熱することができる。
【0015】また、図4に示すものは、凹凸形状Mの変
形を示すものであり、凹部7を、基板積層時に基板裏面
に突設した半田ボール5が嵌入できる大きさの円形とす
ると共に、半田ボール5の配設ピッチと同ピッチで配設
している。
【0016】すなわち、放熱効率を向上すべく、多数の
凹部7をパッケージP表面に形成するものであるが、凹
部7を半田ボール5嵌入孔としても機能すべく形成する
ものであり、図5に示すように包装するため積層した場
合に、半田ボール5がパッケージP表面に直接に当接し
てモールドを傷つけることがないようにするものであ
る。
【0017】また、積層時に半田ボールの突出がなくな
るので嵩が小さくできる。
【0018】
【発明の効果】この発明によれば、請求項1において、
パッケージ表面に放熱用の凹凸形状を形成したことによ
り放熱効率を向上することができる効果を有する。
【0019】また、請求項2において、凹部が半田ボー
ルが嵌入する大きさとし、かつ半田ボールの配設ピッチ
と同ピッチで多数形成されるので、BGA型半導体装置
の製品を積層してパッケージする場合に、上層の半田ボ
ールが凹部に嵌入し、直接にパッケージ表面に接しない
のでパッケージを損傷するおそれがない効果を有する。
【0020】また、積層時に半田ボールの突出がなくな
るので嵩が小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明構造の断面側面図。
【図2】本発明構造の平面図。
【図3】図2の断面図。
【図4】他の実施例を示す平面図。
【図5】他の実施例に係るパッケージ構造の積層状態を
示す説明図。
【符号の説明】 M 凹凸形状 1 基板 2 チップ 5 半田ボール

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パッケージ表面に放熱用の凹凸形状を形
    成したことを特徴とするBGA型半導体装置のパッケー
    ジ構造。
  2. 【請求項2】 凹凸形状は、基板積層時に基板裏面に突
    設した半田ボールが嵌入できる大きさとした凹部を、半
    田ボールの配設ピッチと同ピッチで多数形成することに
    より構成したことを特徴とするBGA型半導体装置のパ
    ッケージ構造。
JP18420397A 1997-07-09 1997-07-09 Bga型半導体装置のパッケージ構造 Pending JPH1126658A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6921683B2 (en) 2002-02-25 2005-07-26 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and manufacturing method for the same, circuit board, and electronic device
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CN1315195C (zh) * 2000-02-10 2007-05-09 国际整流器有限公司 在单面上带块形连接的垂直导电倒装芯片式器件
KR100876875B1 (ko) * 2002-11-20 2008-12-31 주식회사 하이닉스반도체 강화된 열방출 능력을 갖는 칩 스택 패키지
US9484282B2 (en) 2007-10-25 2016-11-01 Rohm Co., Ltd. Resin-sealed semiconductor device
WO2018168591A1 (ja) * 2017-03-13 2018-09-20 株式会社村田製作所 モジュール

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