JPH1126525A - 大面積のウェーハを精査するためのプローブタイル及びプラットホーム - Google Patents

大面積のウェーハを精査するためのプローブタイル及びプラットホーム

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JPH1126525A
JPH1126525A JP10096030A JP9603098A JPH1126525A JP H1126525 A JPH1126525 A JP H1126525A JP 10096030 A JP10096030 A JP 10096030A JP 9603098 A JP9603098 A JP 9603098A JP H1126525 A JPH1126525 A JP H1126525A
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    • G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 半導体ウェーハ上の多数の位置を精査できる
方法と、破損することなく幅広い温度でウェーハを精査
できるプローブカードとを提供する。 【解決手段】 ９つのセラミックタイルが、３×３の平
坦なマトリックスに形成されており、プロービングプラ
ットホームによって適所に保持されている。各セラミッ
クタイルは、Ｘ方向及びＹ方向に独立して移動できるよ
うになっている。プローブプラットホームは、タイルを
Ｘ方向に移動できるように該プローブプラットホームの
側部に設けられた３つの制御ノブと、タイルをＹ方向に
移動できるように該プローブプラットホームの前部に設
けられた３つの制御ノブ１０７とを備えている。制御ノ
ブは、伝動シャフト１１１に取り付けられている。伝動
シャフト１０９，１１１は、３つのボール戻り止め位置
内に向けて前後に摺動する。ボール戻り止め位置は、ど
のタイルが係合され、操作できるかを決定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、概ね、半導体試
験装置に関し、特に、半導体ウェーハの広い面積に亘っ
て半導体ウェーハを電気的に精査するためのプローブタ
イル及びプローブプラットホーム用のシステムと方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体産業界では、半導体ウェーハ上の
多くの電子デバイスにアクセスする必要がある。半導体
産業が成長し半導体デバイスがより複雑になるにしたが
って、エンジニアや科学者は、半導体ウェーハ上の電子
デバイスに迅速且つ容易にアクセスできるツール（器
具）が必要になってきた。多くのウェーハは、数時間、
数日、または数週間かけて試験が行われており、また、
かかるウェーハの試験は並行して同時に効率的に行うこ
とが望ましい。プローブカードが開発され、ウェーハの
長い行や領域を精査できるようになってきた。しかしな
がら、これらのプローブカードは、短時間の電気的試験
に適合されたものであり、温度範囲が制限されている。
【０００３】半導体ウェーハのプロービングすなわち精
査は、典型的には、ＦＲ−４、ポリアミド、または同様
な材料を用いて構成されたプローブカードで行われてい
る。そのようなプローブカードは、典型的には、エポキ
シ環を使用して、タングステンプローブを適所に保持す
ることができる。これらのタイプのプローブカードは、
概ね、狭い温度範囲で一度に、ウェーハ上の１つのデバ
イスをプロービングすなわち精査できるように設計され
ている。これらのプローブカードの大手の売り主は、Ｃ
ｅｒｐｒｏｂｅ，Ｐｒｏｂｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，
ＭＪＣ Ｊａｐａｎなどである。Ｅｌｅｃｔｒａｇｌａ
ｓｓ及びＴＥＬのような会社によって作られた精査装置
は、ウェーハ上のデバイスを電気的に精査できるよう
に、ウェーハを横切ってプローブカードを階段的に移動
させていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】セラミック製の典型的
なプローブカードが開発されたが、しかしながら、これ
らのプローブカードは、単一のデバイスを精査すること
に限定され且つその目的のために設計されていた。別の
セラミック製のプローブカードは、狭い温度範囲で、１
つのウェーハのうち限定された領域だけを精査するよう
に設計されていた。また、これらのプローブカードがウ
ェーハ内に突っ込むように駆動された場合、永久的なダ
メージを受け、破損する可能性もあった。
【０００５】半導体ウェーハ上の幅広い領域にわたる多
数の位置を精査する方法は、現在まで知られていなかっ
た。設計上、デバイスは小型化の傾向があり、デバイス
の速度は速くなり、また、デバイスの出荷は高い割合で
成長を続けているので、半導体ウェーハ上の数個の位置
にアクセスする必要性が増加してきている。そのため、
半導体ウェーハ上の多数の位置を精査できる方法が必要
になっている。さらに、破損することなく、幅広い温度
で、ウェーハを精査できる丈夫なプローブカードが必要
になっている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願発明は、半導体ウェ
ーハの広い面積に亘って該半導体ウェーハを電気的に精
査するためのプローブタイル及びプラットホーム用のシ
ステム及び方法を提供するものである。９つのセラミッ
クタイルが、３×３の平坦なマトリックスに形成されて
おり、プロービングプラットホームによって適所に保持
されている。各セラミックタイルは、Ｘ方向及びＹ方向
に独立して移動できるようになっている。プローブプラ
ットホームは、１つのタイルをＸ方向に移動できるよう
に該プローブプラットホームの側部に設けられた３つの
制御ノブと、１つのタイルをＹ方向に移動できるように
該プローブプラットホームの前部に設けられた３つの制
御ノブとを備えている。前記制御ノブは、伝動シャフト
に取り付けられている。伝動シャフトは、３つのボール
戻り止め位置（ｂａｌｌ ｄｅｔｅｎｔ ｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）内に向けて前後に摺動する。前記ボール戻り止め
位置は、どのタイルが係合され、操作できるかを決定す
る。セラミックタイルは、自己整合タングステンプロー
ブチップを保持して、半導体ウェーハを幅広い温度領域
に亘って試験できるようにしている。
【０００７】本願発明は、添付した図面によって具体的
に図示されており、同様な参照符号は同様な要素を示し
ている。
【０００８】
【発明の実施の形態】好適な実施例の下記の説明におい
ては、添付した図面を参照する。添付図面は、好適な実
施例の一部を形成している。また、添付図面は、本願発
明を実施する具体的な実施例を実例として示している。
他の実施例を用いることもでき、また、本願発明の範囲
を離れることなく、構造的な変更も可能であるというこ
とを理解すべきである。
【０００９】説明の目的のために、本願発明を完全に理
解できるように、多数の特定の細部が下記の説明で示さ
れている。しかしながら、当業者にとっては、これらの
特定の細部なしに本願発明を実施できるということは明
らかである。他の例においては、説明を容易にするため
に、周知の構造や装置が、ブロック線図の形態で示され
ている。
【００１０】本願発明によれば、半導体ウェーハ上の多
数のダイを精査するために必要な時間を著しく削減する
ことができる。本願発明は、半導体の信頼性に関する決
定を支援する上で有用である。また、本願発明は、デバ
イス製造業者が、デバイス開発、研究開発、プロセス開
発、歩どまり強化、デバイス故障分析、及びデバイス試
験をする際にこれを支援するのに有効である。
【００１１】本願発明は、半導体ウェーハ接着パッド
を、半導体ウェーハの広い面積上に亘って電気的に精査
するためのプローブタイル及びプローブプラットホーム
を提供する。９つのセラミックタイルが、３×３の平坦
なマトリックスに形成されている。９つのセラミックタ
イルは、また、プロービングプラットホームによって適
所に保持されている。９つのセラミックタイルは、１．
８インチ（４５．７ｍｍ）の長さと、１．８インチ（４
５．７ｍｍ）の幅と、０．１２５インチ（３．２ｍｍ）
の高さからなる寸法を備えることが好ましい。しかし、
普遍性を失うことなく、他の寸法のタイル、例えば、４
インチタイルや６インチタイルを使用してもよいことは
当業者にとって理解できるであろう。各タイルは、独立
してＸ方向及びＹ方向に移動することができる。プロー
ブプラットホームは、タイルをＸ方向に移動させること
ができるようにその一方の側に設けられた３つのコント
ロールノブ１１０１と、タイルをＹ方向に移動させるこ
とができるように前方側に設けられたコントロールノブ
１１０１とを備えている。コントロールノブ１１０１
は、伝動シャフト１０９、１１１、１２０１、１３０１
に取り付けられている。伝動シャフト１０９、１１１、
１２０１、１３０１は、３つのボール戻り止め位置（ｂ
ａｌｌ ｄｅｔｅｎｔ ｐｏｓｉｔｉｏｎ）１８０３内
で前後に摺動する。ボール戻り止め位置１８０３は、ど
のタイルが係合して操作できるか決定する。コントロー
ルノブ１１０１とボール戻り止め位置１８０３は、手に
よって操作されることが好ましい。しかし、コントロー
ルノブ１１０１とボール戻り止め位置１８０３とは、試
験をしている間に半導体ウェーハやダイを自動的に位置
決めし且つ選択するためのモータや他の運動機構に取り
付けることもできる。セラミックタイルの数、コントロ
ールノブの数、及び伝動シャフトの数を、普遍性を失う
ことなく、増加させたり、減少させたりすることができ
ることを当業者は理解できるであろう。例えば、本願発
明は、１６個のタイルで形成することができる。その１
６個のタイルは、４つのコントロールノブと伝動シャフ
トとをプラットホームの一方の側に備え、４つのコント
ロールノブと伝動シャフトとをプラットホームの前方に
備えている。
【００１２】本願発明の好適な実施例は、図１Ａ、図１
Ｂ、及び図１Ｃに示されている。円形のノブ１０７が、
伝動シャフト１０９、１１１に接続されている。ノブ１
０７によって、ユーザは、回転力を伝動シャフトに伝達
することができる。３つのノブ１０７と、伝動シャフト
１０９、１１１とは、プロービングプラットホームの右
側に設けられており、３つのノブ１０７と、伝動シャフ
ト１０９、１１１とは、プロービングプラットホームの
前方にも設けられている。
【００１３】伝動シャフト１０９、１１１は、３つのギ
ヤ１０１に接続されている。伝動シャフト１０９、１１
１は、回転力をギヤ１０１に伝達する。各円形のノブ１
０７と伝動シャフト１０９、１１１とは、丸められた戻
り止め受座（ｄｅｔｅｎｔｓｔｒｉｋｅ）１２３に接続
されている。戻り止め受座１２３は、ボールプランジャ
ー１３５と一緒になって、３つの戻り止め位置で戻り止
め受座１２３を前後に移動させることにより、一度に、
ユーザの１つのギヤのみへの係合を許容している。ギヤ
１０１は、伝動シャフト１０９、１１１に接続されてい
る。ギヤは、回転入力を、伝動シャフトからスタブシャ
フトギヤ（ｓｔｕｂ ｓｈａｆｔ ｇｅａｒ）１０３に
伝達する。
【００１４】スタブシャフトギヤ１０３は、スタブシャ
フト１１３、１４０１に接続されている。スタブシャフ
トギヤ１０３は、回転入力を、ギヤからスタブシャフト
１１３、１４０１に伝達する。スタブシャフト１１３、
１４０１が回転したとき、ねじにより、Ｘ移送ブロック
１１９がＸ方向において前後に移動し、または、Ｙ移送
ブロック１２１がＹ方向において前後に移動する。
【００１５】スタブシャフト１１３、１４０１と伝動シ
ャフト１０９、１１１、１２０１、１３０１は、角形の
ベアリング１１７、１５０１によって適所に保持されて
いる。１６個の角形のベアリング１１７、１５０１が設
けられていることが好ましい。１つの角形のベアリング
１１７、１５０１が、３×３マトリックスの各コーナに
設けられている。
【００１６】セラミックタイル１２５が、円形のタイル
ブッシュ１０５、１００１及び平頭ねじ２１によって、
Ｘ移送ブロック１１９、１６０１と、Ｙ移送ブロック１
２１、１７０１に固定されている。各タイルで使用され
る３つのねじと３つのタイルブッシュ１０５、１００１
とが設けられていることが好ましい。角形のベアリング
１１７は、取付けプレート１１５によって適所に保持さ
れていることが好ましい。取付けプレート１１５は、前
方隆起部１２７、後方隆起部１２９、左側隆起部１３
１、及び右側隆起部１３３によって、適所に保持されて
いる。前方隆起部１２７、後方隆起部１２９、左側隆起
部１３１、及び右側隆起部１３３は、また、参照符号１
９０１、２００１，及び２１０１によっても示されてい
る。隆起部は、ベースプレート１３７に取り付けられて
いる。
【００１７】取外し可能でクリアなガラスプレート１３
９が、プラットホームに設けられている。取付けプレー
ト１１５の形状に概ね一致する取外し可能な不透明なカ
バーは、図示されていないが、光感知実験の間、ガラス
プレート１３９上に亘って配置するようにしてもよい。
ベースプレート１３７に取り付けられた真空カップリン
グもまた図示されていない。真空カップリングは、真空
引きして、ベースプレート１３７をプローブステーショ
ンに保持できる。
【００１８】ベースプレート１３７は、プラットホーム
のうち他のある部分と共に、全体に亘って、３０３ステ
ンレス鋼から構成されていることが好ましい。これによ
って、高温での試験が可能になり、プラットホームの部
分全体において、等しい熱膨張係数を与えることができ
る。
【００１９】図２に示されているように、セラミックタ
イル２０１が、幅広い温度範囲に亘って半導体ウェーハ
を試験できるように、電気化学的にエッチングされたタ
ングステンプローブチップ２０３を保持している。プロ
ーブ２０５は自己整合しており、高密度の０．０２０イ
ンチ（約０．５０８ｍｍ）の直線ピッチを備えているこ
とが好ましい。図２に示されているように、プローブ
は、プローブプラットホームのタイルパターンに適合で
きるように形成されている。タングステンプローブ２０
５は、高温セラミックエポキシ樹脂で、各セラミックタ
イルに穿孔されたドリル孔（ドリルホール）内に設定さ
れることが好ましい。しかし、当業者は、普遍性を失う
ことなく、他の方法や他の手段によって、プローブを取
付けるようにしてもよいことを理解するであろう。ま
た、プローブ２０５をタングステンから形成してもよい
ことが理解できるであろう。また、プローブ２０５は、
幅広い温度領域に亘って導電性を維持し、そして実質的
に変形しない、ベリリウム銅（ＢｅＣｕ）のような導電
性材料から形成してもよいことが理解できるであろう。
図３に示されているように、セラミックタイル３０１
は、プローブプラットホームへ接続できるように、特別
な取付け用の孔３０３とガイド３０５とを備えている。
ブッシュ３０７、１００１を使用して、タイルをプロー
ブプラットホームに取り付けることができる。
【００２０】図４に示されているように、タングステン
プローブ２０５は、典型的に、半導体ウェーハ２０７上
の接着パッドにプローブを自己整合できるように、セラ
ミックタイル４０１に機械加工されたガイド４０３とド
リル孔４０５に正確に設けられている。半導体ウェーハ
上のプローブの数は、主に、半導体ウェーハのタイプ
と、電気接点の数に依存している。１つのプローブはで
きるだけ小さくすることができ、さもなければ、半導体
ウェーハ１つにつきプローブの数を多くすることができ
る。セラミックタイル４０１のドリル孔４０５とテーパ
付き孔４０３とは、タングステンプローブ２０５を収容
できるように設けられている。半導体ウェーハ２０７
は、セラミックタイル２０１より下で、半導体ウェーハ
チャックに載置されている。それによって、タングステ
ンプローブ２０５は、そのとき、半導体ウェーハ２０７
の接着パッドに電気的に接触できる。
【００２１】目視孔２０９を、セラミックタイルのいく
つかまたは全部に選択的に設けることができる。目視孔
２０９を設けることによって、ある用途で必要な場合、
半導体ウェーハ２０７を目視することができる。セラミ
ックタイル２０１をロープロファイル（低輪郭）に形成
するよって、半導体ウェーハ２０７の近くに、乾燥した
窒素環境を構成することができる。選択的に設けられた
目視孔２０９によって、窒素環境を破壊することなく、
試験（ＤＵＴ）の下で装置を目視できる。乾燥した窒素
環境を維持するために、クリアなガラスプレートがプラ
ットホームに設けられ、これによって、プラットホーム
を密封することができる。正圧の窒素環境が維持される
場合、密封は緩く行うようにしてもよい。あるいは、正
圧の窒素環境を使用しない場合、密封は気密にしてもよ
い。
【００２２】本願発明で使用可能なセラミックタイルの
別の実施例が図５、図６、図７、及び図８に示されてい
る。図５に示されているように、好適な実施例のタイル
は、３つのリテーナスロット５０３を備える６２ｍｍ×
６２ｍｍ平方のタイル５０１とすることができる。リテ
ーナスロット５０３の各々１つは、タイルの４つのコー
ナーのうち３つに設けられている。図６に示されている
ように、別の実施例のタイルは、４つのリテーナスロッ
ト６０３を備える１１０ｍｍ×１１０ｍｍ平方のタイル
６０１とすることができる。リテーナスロット６０３の
各々１つは、タイルの各エッジに沿って設けることがで
き、また、各側に沿って実質的に中心部に位置決めする
ことができる。図７に示されているように、また別の実
施例のタイルは、４つのリテーナスロット７０３を備え
る１６０ｍｍ×１６０ｍｍ平方のタイル７０１とするこ
とができる。リテーナスロット７０３の各々１つは、タ
イルの各エッジに沿って設けることができ、また、各側
に沿って実質的に中心を外して設けることができる。図
８に示されているように、もう一つの別の実施例のタイ
ルは、２００ｍｍ平方の合成半径を備えたパイ形状のタ
イル８０１とすることができる。各タイルは、３つのリ
テーナスロット８０３を備えている。リテーナスロット
８０３の各々１つは、タイル８０１の３つのコーナーの
各々に設けられている。当業者は、タイルの寸法、リテ
ーナスロットの数、及びタイル上へのリテーナスロット
の配置を、普遍性を失うことなく、上述した実施例から
変更することができることを理解できるであろう。
【００２３】好適なギヤホイールが、図９に示されてい
る。ギヤホイール９０１が、図１のギヤ１０１によって
示されているように、行シャフト１０９と列シャフト１
１１に取り付けられている。ギヤホイールは互いに係合
し、行シャフトまたは列シャフトから回転力を伝達し、
Ｘ方向あるいはＹ方向のいずれかの方向にプローブを移
動させることができる。
【００２４】本願発明は、特定のシステム環境における
好適な実施例の点から説明したが、当業者は、本願発明
を、他の異なったハードウェア及びソフトウェア環境に
おいて変形して実施できることを理解するであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１Ａは、本願発明に適合したプローブタイル
及びプローブプラットホームの上面図を示している。図
１Ｂは、本願発明に適合したプローブタイル及びプロー
ブプラットホームの正面図を示している。図１Ｃは、本
願発明に適合したプローブタイル及びプローブプラット
ホームの側面図を示している。
【図２】図２は、本願発明に適合した、セラミックタイ
ル、プローブワイヤ、及び半導体ウェーハの詳細を図示
している。
【図３】図３は、本願発明に適合した、タイルブッシュ
を備えたセラミックタイルの分解図を示している。
【図４】図４は、本願発明に適合した、機械加工した自
己整合孔を示している。
【図５】図５は、本願発明に適合した、小さな四角いセ
ラミックタイルを示している。
【図６】図６は、本願発明に適合した、四角いセラミッ
クタイルを示している。
【図７】図７は、本願発明に適合した、大きな四角いセ
ラミックタイルを示している。
【図８】図８は、本願発明に適合した、パイ状のセラミ
ックタイルを示している。
【図９】図９は、本願発明に適合した、ギヤホイールを
示している。
【図１０】図１０は、本願発明に適合した、円形のタイ
ルブッシュを示している。
【図１１】図１１は、本願発明に適合した、円形のノブ
を示している。
【図１２】図１２は、本願発明に適合した、円形のｘ軸
伝動シャフトを示している。
【図１３】図１３は、本願発明に適合した、円形のｙ軸
伝動シャフトを示している。
【図１４】図１４は、本願発明に適合した、円形のスタ
ブシャフトを示している。
【図１５】図１５は、本願発明に適合した、四角いベア
リングを示している。
【図１６】図１６は、本願発明に適合した、ｘ軸移送ブ
ロックを示している。
【図１７】図１７は、本願発明に適合した、ｙ軸移送ブ
ロックを示している。
【図１８】図１８は、本願発明に適合した、円形の戻り
止め受座を示している。
【図１９】図１９は、本願発明に適合した、四角い前方
隆起部を示している。
【図２０】図２０は、本願発明に適合した、四角い右側
隆起部を示している。
【図２１】図２１は、本願発明に適合した、四角い後方
隆起部を示している。
【図２２】図２２は、本願発明に適合した、取付けプレ
ートを示している。
【図２３】図２３は、本願発明に適合した、ベースプレ
ートを示している。
【符号の説明】
１０１ ギヤ １０３ スタブシャフ
トギヤ １０５ 円形のタイルブッシュ １０７ ノブ １０９ 伝動シャフト １１１ 伝動シャフト １１３ スタブシャフト １１５ 取付けプレー
ト １１７ 角形のベアリング １１９ Ｘ移送ブロッ
ク １２１ Ｙ移送ブロック １２３ 円形の戻り止
め受座 １２３ 戻り止め受座 １２７ 前方隆起部 １２９ 後方隆起部 １３１ 左側隆起部 １３３ 右側隆起部 １３５ ボールプラン
ジャー １３７ ベースプレート １３９ ガラスプレー
ト １００１ 円形のタイルブッシュ １１０１ コントロールノブ１１０１ １２０１ 伝動シャフト １３０１ 伝動シャフ
ト １４０１ スタブシャフト １５０１ 角形のベア
リング １６０１ Ｘ移送ブロック １７０１ Ｙ移送ブロ
ック １８０３ ボール戻り止め位置 ２１ 平頭ねじ ２０１ セラミックタイル ２０３ タングステンプローブチップ ２０５ プローブ ２０５ タングステンプローブ ２０７ 半導体ウェーハ ２０９ 目視孔 ３０１ セラミックタイル ３０３ 取付け用の孔 ３０５ ガイド ３０７ ブッシュ ４０１ セラミックタイル ４０３ ガイド ４０３ テーパ付き孔 ４０５ ドリル孔 ５０１ ６２ｍｍ×６２ｍｍ平方のタイル ５０３ リテーナスロット ６０１ １１０ｍｍ×１１０ｍｍ平方のタイル ７０１ １６０ｍｍ×１６０ｍｍ平方のタイル ８０１ タイル ８０３ リテーナスロ
ット ９０１ ギヤホイール
フロントページの続き (71)出願人 598046505 13655 Ｄｕｌｕｔｈ Ｄｒｉｖｅ，Ａｐ ｐｌｅ Ｖａｌｌｅｙ，Ｍｉｎｎｅｓｏｔ ａ 55124−9203，Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａ ｔｅｓ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 プローブプラットホームであって、 前記プローブプラットホームに取り付けられた複数の試
    験表面を備えており、前記試験表面は、Ｘ軸線と、これ
    に直交するＹ軸線とを有するマトリックスに形成されて
    おり、前記試験表面の各々は、前記Ｘ軸線及び前記Ｙ軸
    線に対して平行に独立して移動でき、 前記プローブプラットホームは、また、 前記Ｘ軸線に平行な前記複数の試験表面に取り付けられ
    た複数の行伝動シャフトを備えており、前記行伝動シャ
    フトの各々は、前記行伝動シャフトの長手方向の軸線の
    周囲で回転力を前記行伝動シャフトに伝えるための行制
    御面を備えており、前記行伝動シャフトの各々は、前記
    Ｘ軸線に対して平行に複数の行位置内に摺動でき、前記
    行位置の各々は、どの試験表面を前記Ｘ軸線に対して平
    行に移動させることができるかを決定し、 前記プローブプラットホームは、さらに、 前記Ｙ軸線に平行な前記複数の試験表面に取り付けられ
    た複数の列伝動シャフトを備えており、前記列伝動シャ
    フトの各々は、前記列伝動シャフトの長手方向の軸線の
    周囲で回転力を前記列伝動シャフトに伝えるための列制
    御面を備えており、前記列伝動シャフトの各々は、前記
    Ｙ軸線に対して平行に複数の列位置内に摺動でき、前記
    列位置の各々は、どの試験表面を前記Ｙ軸線に対して平
    行に移動させることができるかを決定することを特徴と
    するプローブプラットホーム。
  2. 【請求項２】 プローブプラットホームであって、 前記プローブプラットホームに取り付けられた複数の試
    験表面を備えており、前記試験表面は、Ｘ軸線と、これ
    に直交するＹ軸線とを有するマトリックスに形成されて
    おり、前記試験表面の各々はタイルを備えており、前記
    タイルは、自己整合する導電性のプローブを備えている
    ことを特徴とするプローブプラットホーム。
  3. 【請求項３】 自己整合する導電性のプローブを備えて
    いることを特徴とするタイル。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6586954B2 (en) * 1998-02-10 2003-07-01 Celadon Systems, Inc. Probe tile for probing semiconductor wafer
US6201402B1 (en) 1997-04-08 2001-03-13 Celadon Systems, Inc. Probe tile and platform for large area wafer probing
JP2002365340A (ja) * 2001-06-12 2002-12-18 Mitsubishi Electric Corp 基板検査装置および基板検査方法
TWI327226B (en) * 2002-06-28 2010-07-11 Celadon Systems Inc Shielded probe apparatus
US7170305B2 (en) 2005-02-24 2007-01-30 Celadon Systems, Inc. Apparatus and method for terminating probe apparatus of semiconductor wafer
US6963207B2 (en) * 2003-03-06 2005-11-08 Celadon Systems, Inc. Apparatus and method for terminating probe apparatus of semiconductor wafer
US6975128B1 (en) 2003-03-28 2005-12-13 Celadon Systems, Inc. Electrical, high temperature test probe with conductive driven guard
US20050162177A1 (en) * 2004-01-28 2005-07-28 Chou Arlen L. Multi-signal single beam probe
US7626404B2 (en) * 2004-09-03 2009-12-01 Celadon Systems, Inc. Replaceable probe apparatus for probing semiconductor wafer
US7728609B2 (en) * 2007-05-25 2010-06-01 Celadon Systems, Inc. Replaceable probe apparatus for probing semiconductor wafer
US8674715B2 (en) * 2010-01-20 2014-03-18 Celadon Systems, Inc. Test apparatus having a probe core with a twist lock mechanism
US8698515B2 (en) 2010-08-16 2014-04-15 Celadon Systems, Inc. Probe test equipment for testing a semiconductor device
TWI570417B (zh) 2011-07-06 2017-02-11 色拉頓系統公司 具有一探針卡之測試設備及連接器機構
US8994390B2 (en) 2011-07-06 2015-03-31 Celadon Systems, Inc. Test systems with a probe apparatus and index mechanism
WO2019046419A1 (en) 2017-08-30 2019-03-07 Formfactor, Inc. VERTICAL PROBE ARRANGEMENT COMPRISING A SPACE TRANSFORMER WITH MEMBRANE JUXTAPOSÉ
KR102581387B1 (ko) * 2018-09-11 2023-09-21 삼성전자주식회사 프로브 및 이를 포함하는 프로브 카드
US10739382B2 (en) 2018-09-18 2020-08-11 Keysight Technologies, Inc. Testing apparatus having a configurable probe fixture

Family Cites Families (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2589368A (en) 1947-06-20 1952-03-18 Thomas & Betts Corp Pigtail electric connector
US3560907A (en) 1968-05-17 1971-02-02 Peter V N Heller Test connector for microminiature circuits
US3597528A (en) 1969-10-27 1971-08-03 Plastic Irrigation Products Co Electrical connector for insulating an electrical wire joint
CA944435A (en) * 1970-12-25 1974-03-26 Tadashi Kubota Inspection apparatus for printed circuit boards
US4001685A (en) 1974-03-04 1977-01-04 Electroglas, Inc. Micro-circuit test probe
US3963986A (en) 1975-02-10 1976-06-15 International Business Machines Corporation Programmable interface contactor structure
US4365109A (en) 1980-01-25 1982-12-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Coaxial cable design
US4480223A (en) 1981-11-25 1984-10-30 Seiichiro Aigo Unitary probe assembly
US4491686A (en) 1982-12-21 1985-01-01 Imperial Underground Sprinkler Co. Electrical connector
US4626775A (en) 1984-05-04 1986-12-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Radio frequency probing apparatus for surface acoustic wave devices
JPS6177286A (ja) 1984-09-21 1986-04-19 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 同軸ケーブル用インターフェース装置
US4667523A (en) 1986-03-07 1987-05-26 Orion Research Inc. Electrode friction chuck
JPS63124384A (ja) 1986-11-12 1988-05-27 矢崎総業株式会社 電線の結合部に保護被覆層を形成する方法
US4731577A (en) 1987-03-05 1988-03-15 Logan John K Coaxial probe card
US4845426A (en) 1987-05-20 1989-07-04 Signatone Corporation Temperature conditioner for tests of unpackaged semiconductors
US4768973A (en) 1987-07-02 1988-09-06 Amp Incorporated Removable retaining plate
US4849689A (en) 1988-11-04 1989-07-18 Cascade Microtech, Inc. Microwave wafer probe having replaceable probe tip
US5003254A (en) * 1989-11-02 1991-03-26 Huntron, Inc. Multi-axis universal circuit board test fixture
JP2769015B2 (ja) 1990-03-08 1998-06-25 株式会社神戸製鋼所 電子回路基板検査用プローバーピンヘッド及びその製造方法
US5015947A (en) 1990-03-19 1991-05-14 Tektronix, Inc. Low capacitance probe tip
US5168218A (en) 1990-06-01 1992-12-01 Rich Donald S Tray-to-tray circuit package handler
US6037785A (en) 1990-09-20 2000-03-14 Higgins; H. Dan Probe card apparatus
EP0477821A2 (en) 1990-09-25 1992-04-01 S.P.E.A. S.r.l. Electronic module handling device for an automatic test apparatus
US5150040A (en) 1990-10-22 1992-09-22 International Business Machines Corporation Dual-mode z-stage
US5148103A (en) 1990-10-31 1992-09-15 Hughes Aircraft Company Apparatus for testing integrated circuits
US5325052A (en) * 1990-11-30 1994-06-28 Tokyo Electron Yamanashi Limited Probe apparatus
US5196789A (en) 1991-01-28 1993-03-23 Golden Joseph R Coaxial spring contact probe
DE69222304T2 (de) 1991-06-06 1998-04-09 Raychem Sa Nv Einrichtung für den aufbau eines abgedichteten elektrischen spleisses
US5214243A (en) 1991-10-11 1993-05-25 Endevco Corporation High-temperature, low-noise coaxial cable assembly with high strength reinforcement braid
US5281764A (en) * 1992-05-18 1994-01-25 Cooper Industries, Inc. Method of manufacturing color coded twisted pairs
US5345170A (en) 1992-06-11 1994-09-06 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems
US5477160A (en) 1992-08-12 1995-12-19 Fujitsu Limited Module test card
JP3088048B2 (ja) 1992-09-08 2000-09-18 日石三菱株式会社 カラーフィルターの製造法
US5316035A (en) 1993-02-19 1994-05-31 Fluoroware, Inc. Capacitive proximity monitoring device for corrosive atmosphere environment
US5397996A (en) 1993-03-01 1995-03-14 Keezer; David A. Continuity tester using a brush tipped probe
JPH0792479B2 (ja) 1993-03-18 1995-10-09 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置の平行度調整方法
KR0138618B1 (ko) 1993-08-04 1998-06-15 이노우에 아끼라 프로브카드, 프로브카드용 동축 프로브빔 및 그 제조방법
US5488292A (en) * 1993-10-04 1996-01-30 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer inspecting system
US5486770A (en) 1994-06-27 1996-01-23 Motorola, Inc. High frequency wafer probe apparatus and method
US5473254A (en) * 1994-08-12 1995-12-05 At&T Corp. Test probe assembly provides precise and repeatable contact forces
TW273635B (ja) 1994-09-01 1996-04-01 Aesop
US5561377A (en) 1995-04-14 1996-10-01 Cascade Microtech, Inc. System for evaluating probing networks
US5742174A (en) 1995-11-03 1998-04-21 Probe Technology Membrane for holding a probe tip in proper location
US6075376A (en) 1997-12-01 2000-06-13 Schwindt; Randy J. Low-current probe card
US5729150A (en) 1995-12-01 1998-03-17 Cascade Microtech, Inc. Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables
KR100471341B1 (ko) 1996-05-23 2005-07-21 제네시스 테크놀로지 가부시키가이샤 콘택트프로브및그것을구비한프로브장치
US6050829A (en) 1996-08-28 2000-04-18 Formfactor, Inc. Making discrete power connections to a space transformer of a probe card assembly
US6603322B1 (en) 1996-12-12 2003-08-05 Ggb Industries, Inc. Probe card for high speed testing
US6690185B1 (en) 1997-01-15 2004-02-10 Formfactor, Inc. Large contactor with multiple, aligned contactor units
US6586954B2 (en) 1998-02-10 2003-07-01 Celadon Systems, Inc. Probe tile for probing semiconductor wafer
US6201402B1 (en) 1997-04-08 2001-03-13 Celadon Systems, Inc. Probe tile and platform for large area wafer probing
US6020750A (en) 1997-06-26 2000-02-01 International Business Machines Corporation Wafer test and burn-in platform using ceramic tile supports
WO1999004273A1 (en) 1997-07-15 1999-01-28 Wentworth Laboratories, Inc. Probe station with multiple adjustable probe supports
US6014032A (en) 1997-09-30 2000-01-11 International Business Machines Corporation Micro probe ring assembly and method of fabrication
JP3188876B2 (ja) 1997-12-29 2001-07-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション プロダクト・チップをテストする方法、テスト・ヘッド及びテスト装置
US5952843A (en) 1998-03-24 1999-09-14 Vinh; Nguyen T. Variable contact pressure probe
US6124723A (en) 1998-08-31 2000-09-26 Wentworth Laboratories, Inc. Probe holder for low voltage, low current measurements in a water probe station
JP2000199780A (ja) 1998-12-29 2000-07-18 I C T:Kk プリント基板の検査装置
US6276956B1 (en) 1999-04-12 2001-08-21 Sencore, Inc. Dual point test probe for surface mount type circuit board connections
US6799976B1 (en) 1999-07-28 2004-10-05 Nanonexus, Inc. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies
US6377062B1 (en) 2000-03-17 2002-04-23 Credence Systems Corporation Floating interface for integrated circuit test head
US6420888B1 (en) 2000-09-29 2002-07-16 Schlumberger Technologies, Inc. Test system and associated interface module
JP2002110751A (ja) 2000-10-03 2002-04-12 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の検査装置および製造方法
JP4476467B2 (ja) 2000-11-06 2010-06-09 東京エレクトロン株式会社 コンタクタの組立装置及び組立方法
TWI327226B (en) 2002-06-28 2010-07-11 Celadon Systems Inc Shielded probe apparatus
US6744267B2 (en) 2002-07-16 2004-06-01 Nptest, Llc Test system and methodology
US20040051541A1 (en) 2002-09-04 2004-03-18 Yu Zhou Contact structure with flexible cable and probe contact assembly using same
US6847219B1 (en) 2002-11-08 2005-01-25 Cascade Microtech, Inc. Probe station with low noise characteristics
US6727726B1 (en) 2002-11-12 2004-04-27 Actel Corporation Field programmable gate array architecture including a buffer module and a method of distributing buffer modules in a field programmable gate array
US6963207B2 (en) 2003-03-06 2005-11-08 Celadon Systems, Inc. Apparatus and method for terminating probe apparatus of semiconductor wafer
US6975128B1 (en) 2003-03-28 2005-12-13 Celadon Systems, Inc. Electrical, high temperature test probe with conductive driven guard
US6798227B1 (en) 2003-06-24 2004-09-28 Agilent Technologies, Inc. Two axis self-centering probe block assembly with two axis float and self-alignment
US6958449B1 (en) 2004-09-17 2005-10-25 Actuant Corporation Waterproof twist-on connector for electrical wires

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JP3287800B2 (ja) 2002-06-04
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