JPH1126428A - 加工寸法モニタパターンを形成した半導体基板およびこの基板のエッチング加工方法 - Google Patents
加工寸法モニタパターンを形成した半導体基板およびこの基板のエッチング加工方法Info
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- JPH1126428A JPH1126428A JP9181478A JP18147897A JPH1126428A JP H1126428 A JPH1126428 A JP H1126428A JP 9181478 A JP9181478 A JP 9181478A JP 18147897 A JP18147897 A JP 18147897A JP H1126428 A JPH1126428 A JP H1126428A
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板をエッチング加工するに際して、
加工寸法を測定することなしに観察することのみにより
加工寸法が目標値に達したことを判断することができる
加工寸法モニタパターンを形成した半導体基板およびこ
の基板のエッチング加工方法を提供する。 【解決手段】 表面に形成されるエッチングマスク１１
に加工寸法モニタパターンを形成した半導体基板におい
て、加工寸法モニタパターンは２個の方形パターンＰＴ
1 、ＰＴ2 をサイドエッチＳの２倍分の間隔Ａを有して
形成したものであり、２個の方形パターンは相隣接する
２辺の長さＬ1 、Ｌ2 を異にするものである半導体基板
およびこの基板のエッチング加工方法。
加工寸法を測定することなしに観察することのみにより
加工寸法が目標値に達したことを判断することができる
加工寸法モニタパターンを形成した半導体基板およびこ
の基板のエッチング加工方法を提供する。 【解決手段】 表面に形成されるエッチングマスク１１
に加工寸法モニタパターンを形成した半導体基板におい
て、加工寸法モニタパターンは２個の方形パターンＰＴ
1 、ＰＴ2 をサイドエッチＳの２倍分の間隔Ａを有して
形成したものであり、２個の方形パターンは相隣接する
２辺の長さＬ1 、Ｌ2 を異にするものである半導体基板
およびこの基板のエッチング加工方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、加工寸法モニタ
パターンを形成した半導体基板およびこの基板のエッチ
ング加工方法に関し、特に、半導体基板をエッチング加
工するに際して、加工寸法を測定することなしに観察す
ることのみにより加工寸法が目標値に達したことを判断
することができる加工寸法モニタパターンを形成した半
導体基板およびこの基板のエッチング加工方法に関す
る。
パターンを形成した半導体基板およびこの基板のエッチ
ング加工方法に関し、特に、半導体基板をエッチング加
工するに際して、加工寸法を測定することなしに観察す
ることのみにより加工寸法が目標値に達したことを判断
することができる加工寸法モニタパターンを形成した半
導体基板およびこの基板のエッチング加工方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図３を参照して、｛１００｝面を表面と
するシリコン基板に高精度に溝加工する従来例を説明す
る。図３（ａ）は半導体基板であるシリコン基板をエッ
チング加工するに際してそのエッチングマスクとなるＳ
ｉＯ2 被膜が表面に形成されたシリコン基板を示す図で
ある。
するシリコン基板に高精度に溝加工する従来例を説明す
る。図３（ａ）は半導体基板であるシリコン基板をエッ
チング加工するに際してそのエッチングマスクとなるＳ
ｉＯ2 被膜が表面に形成されたシリコン基板を示す図で
ある。
【０００３】図３（ｂ）は図３（ａ）のシリコン基板に
半導体フォトリソグラフィ技術を適用してＳｉＯ2 被膜
に窓を形成し、シリコン面を露出させたところを示す図
である。図３（ｃ）は図３（ｂ）のシリコン基板にＫＯ
Ｈ水溶液を使用して異方性エッチング加工を施し、シリ
コン露出面に断面Ｖ字状溝を形成したところを示す図で
ある。
半導体フォトリソグラフィ技術を適用してＳｉＯ2 被膜
に窓を形成し、シリコン面を露出させたところを示す図
である。図３（ｃ）は図３（ｂ）のシリコン基板にＫＯ
Ｈ水溶液を使用して異方性エッチング加工を施し、シリ
コン露出面に断面Ｖ字状溝を形成したところを示す図で
ある。
【０００４】ここで、シリコン基板に高精度に溝加工す
るには、一般的な半導体フォトリソグラフィ技術、およ
び異方性エッチング加工技術を採用する。図３（ａ）を
参照するに、シリコン基板１をエッチング加工するに
は、エッチングマスクとして、先ず、ＳｉＯ2 被膜１１
をシリコン基板１表面に形成する。図３（ｂ）を参照す
るに、次に、エッチングマスクとしてＳｉＯ2 被膜１１
を表面に形成したシリコン基板１に半導体フォトリソグ
ラフィ技術を適用し、ＳｉＯ2 被膜に窓１２を形成して
シリコン面を露出させる。ここで、結晶軸方向である＜
１１０＞方向と窓１２の各辺を正確にアライメントする
ことが重要である。
るには、一般的な半導体フォトリソグラフィ技術、およ
び異方性エッチング加工技術を採用する。図３（ａ）を
参照するに、シリコン基板１をエッチング加工するに
は、エッチングマスクとして、先ず、ＳｉＯ2 被膜１１
をシリコン基板１表面に形成する。図３（ｂ）を参照す
るに、次に、エッチングマスクとしてＳｉＯ2 被膜１１
を表面に形成したシリコン基板１に半導体フォトリソグ
ラフィ技術を適用し、ＳｉＯ2 被膜に窓１２を形成して
シリコン面を露出させる。ここで、結晶軸方向である＜
１１０＞方向と窓１２の各辺を正確にアライメントする
ことが重要である。
【０００５】図３（ｃ）を参照するに、更に、ＳｉＯ2
被膜に窓１２を形成したシリコン基板１にＫＯＨ水溶液
を使用して異方性エッチング加工を施し、シリコン露出
面に断面Ｖ字状溝１３を形成する。この異方性エッチン
グ加工により、ＳｉＯ2 被膜に形成された窓１２に対応
するシリコン露出部分だけが異方性エッチングされ、そ
の異方性により断面がＶ字状の溝１３が形成される。こ
の場合、Ｖ字状溝１３の深さ方向である＜１００＞方向
と共に、｛１１１｝面のエッチングにより結晶軸方向と
交差する横方向である＜１１０＞方向もエッチングが進
行するので、エッチング加工されたＶ字状溝１３の幅
は、ＳｉＯ2 に形成される窓１２の幅よりも広くなる。
この窓１２の幅よりも広い横方向エッチング分をサイド
エッチＳと称する。点線は異方性エッチングにより形成
されたサイドエッチＳを含むＶ字状溝１３の外形を示し
ている。
被膜に窓１２を形成したシリコン基板１にＫＯＨ水溶液
を使用して異方性エッチング加工を施し、シリコン露出
面に断面Ｖ字状溝１３を形成する。この異方性エッチン
グ加工により、ＳｉＯ2 被膜に形成された窓１２に対応
するシリコン露出部分だけが異方性エッチングされ、そ
の異方性により断面がＶ字状の溝１３が形成される。こ
の場合、Ｖ字状溝１３の深さ方向である＜１００＞方向
と共に、｛１１１｝面のエッチングにより結晶軸方向と
交差する横方向である＜１１０＞方向もエッチングが進
行するので、エッチング加工されたＶ字状溝１３の幅
は、ＳｉＯ2 に形成される窓１２の幅よりも広くなる。
この窓１２の幅よりも広い横方向エッチング分をサイド
エッチＳと称する。点線は異方性エッチングにより形成
されたサイドエッチＳを含むＶ字状溝１３の外形を示し
ている。
【０００６】Ｖ字状溝１３を設計溝幅にエッチング加工
するにはＳｉＯ2 被膜に形成する窓１２の幅の寸法をサ
イドエッチＳを考慮して設計溝幅より僅かに狭く設計す
る。もし、サイドエッチレートが正確にかつ再現性が良
ければ、或る一定時間エッチングすることで正確な溝幅
が得られることになる。しかし、実際には、サイドエッ
チレートは、結晶軸方向と溝の辺との間の角度がズレる
ミスオリエンテーションの影響を大きく受け、設計通り
のサイドエッチレートを得るのは困難であり、エッチン
グを設計通りの時間行なっただけでは溝幅を高精度に制
御したことにはならない。
するにはＳｉＯ2 被膜に形成する窓１２の幅の寸法をサ
イドエッチＳを考慮して設計溝幅より僅かに狭く設計す
る。もし、サイドエッチレートが正確にかつ再現性が良
ければ、或る一定時間エッチングすることで正確な溝幅
が得られることになる。しかし、実際には、サイドエッ
チレートは、結晶軸方向と溝の辺との間の角度がズレる
ミスオリエンテーションの影響を大きく受け、設計通り
のサイドエッチレートを得るのは困難であり、エッチン
グを設計通りの時間行なっただけでは溝幅を高精度に制
御したことにはならない。
【０００７】そこで、溝幅のエッチング加工精度を高め
ることを目的として、設計されたエッチング時間の手前
においてエッチングを一時的に停止し、ここで溝幅を測
定してサイドエッチレートと必要な残りエッチング時間
とを算出する。この算出結果に基づいて、再度、規定エ
ッチング時間エッチングを行なう。この作業を繰り返
し、徐々に設計溝幅に追い込んで行くエッチング加工方
法を取っていた。
ることを目的として、設計されたエッチング時間の手前
においてエッチングを一時的に停止し、ここで溝幅を測
定してサイドエッチレートと必要な残りエッチング時間
とを算出する。この算出結果に基づいて、再度、規定エ
ッチング時間エッチングを行なう。この作業を繰り返
し、徐々に設計溝幅に追い込んで行くエッチング加工方
法を取っていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上のエッチング加工
方法によると、エッチング進行状況の測定、エッチング
加工を交互に何回も繰り返して実施しなければならず、
特に、測定は高精度に測定しようとすればする程多くの
時間を要する。これにより、設計溝幅にするまでの作業
に非常に多くの時間を費やすことになる。
方法によると、エッチング進行状況の測定、エッチング
加工を交互に何回も繰り返して実施しなければならず、
特に、測定は高精度に測定しようとすればする程多くの
時間を要する。これにより、設計溝幅にするまでの作業
に非常に多くの時間を費やすことになる。
【０００９】この発明は、半導体基板をエッチング加工
するに際して、加工寸法を測定することなしに、顕微鏡
で観察することのみにより加工寸法が目標値に達したこ
とを判断することができる上述の問題を解消した加工寸
法モニタパターンを形成した半導体基板およびこの基板
のエッチング加工方法を提供するものである。
するに際して、加工寸法を測定することなしに、顕微鏡
で観察することのみにより加工寸法が目標値に達したこ
とを判断することができる上述の問題を解消した加工寸
法モニタパターンを形成した半導体基板およびこの基板
のエッチング加工方法を提供するものである。
【００１０】
請求項１：表面に形成されるエッチングマスクに加工寸
法モニタパターン２を形成した半導体基板を構成した。
そして、請求項２：請求項１に記載される半導体基板に
おいて、加工寸法モニタパターン２は２個の方形パター
ンＰＴ1 、ＰＴ2 をサイドエッチＳの２倍分の間隔Ａを
有して形成したものである半導体基板を構成した。
法モニタパターン２を形成した半導体基板を構成した。
そして、請求項２：請求項１に記載される半導体基板に
おいて、加工寸法モニタパターン２は２個の方形パター
ンＰＴ1 、ＰＴ2 をサイドエッチＳの２倍分の間隔Ａを
有して形成したものである半導体基板を構成した。
【００１１】また、請求項３：請求項２に記載される半
導体基板において、２個の方形パターンは相隣接する２
辺の長さを異にするものである半導体基板を構成した。
ここで、請求項４：半導体基板をエッチング加工するに
際して、半導体基板表面に形成されるエッチングマスク
に加工寸法モニタパターンを予め形成しておくエッチン
グ加工方法を構成した。
導体基板において、２個の方形パターンは相隣接する２
辺の長さを異にするものである半導体基板を構成した。
ここで、請求項４：半導体基板をエッチング加工するに
際して、半導体基板表面に形成されるエッチングマスク
に加工寸法モニタパターンを予め形成しておくエッチン
グ加工方法を構成した。
【００１２】そして、請求項５：請求項４に記載される
エッチング加工方法において、加工寸法モニタパターン
は２個の方形パターンをサイドエッチ量の２倍分の間隔
を有して形成したものであるエッチング加工方法を構成
した。また、請求項６：請求項５に記載されるエッチン
グ加工方法において、２個の方形パターンは隣接する２
辺の長さを異にするエッチング加工方法を構成した。
エッチング加工方法において、加工寸法モニタパターン
は２個の方形パターンをサイドエッチ量の２倍分の間隔
を有して形成したものであるエッチング加工方法を構成
した。また、請求項６：請求項５に記載されるエッチン
グ加工方法において、２個の方形パターンは隣接する２
辺の長さを異にするエッチング加工方法を構成した。
【００１３】更に、請求項７：請求項５に記載されるエ
ッチング加工方法において、２個の方形パターンの溝１
３１の縁が接触することを観察するエッチング加工方法
を構成した。また、請求項８：請求項５に記載されるエ
ッチング加工方法において、方形パターンＰＴ1 の角部
が他方の方形パターンＰＴ2 の縁に一致する点Ｐの移行
を観察するエッチング加工方法を構成した。
ッチング加工方法において、２個の方形パターンの溝１
３１の縁が接触することを観察するエッチング加工方法
を構成した。また、請求項８：請求項５に記載されるエ
ッチング加工方法において、方形パターンＰＴ1 の角部
が他方の方形パターンＰＴ2 の縁に一致する点Ｐの移行
を観察するエッチング加工方法を構成した。
【００１４】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１およ
び図２を参照して説明する。図１はこの発明による加工
寸法モニタパターンを示す図であり、図２は加工寸法モ
ニタパターンを使用して目標加工寸法到達確認の仕方を
詳細に説明する図である。
び図２を参照して説明する。図１はこの発明による加工
寸法モニタパターンを示す図であり、図２は加工寸法モ
ニタパターンを使用して目標加工寸法到達確認の仕方を
詳細に説明する図である。
【００１５】図１においては、従来例と同様に、エッチ
ングマスクとしてＳｉＯ2 被膜１１を表面に形成したシ
リコン基板１に半導体フォトリソグラフィ技術を適用
し、ＳｉＯ2 被膜に窓１２を形成する。この発明は、更
に、図１（ａ）に示される如くＳｉＯ2 被膜１１の余白
に加工寸法モニタパターン２を形成する。図１（ｂ）は
加工寸法モニタパターン２を拡大して示した図である。
ングマスクとしてＳｉＯ2 被膜１１を表面に形成したシ
リコン基板１に半導体フォトリソグラフィ技術を適用
し、ＳｉＯ2 被膜に窓１２を形成する。この発明は、更
に、図１（ａ）に示される如くＳｉＯ2 被膜１１の余白
に加工寸法モニタパターン２を形成する。図１（ｂ）は
加工寸法モニタパターン２を拡大して示した図である。
【００１６】以下において、設計溝幅：ＷG ^、サイドエ
ッチ：Ｓ、窓寸法：ＷS とし、これらの関係を ＷG ^＝ＷS＋２Ｓ として説明する。そして、加工寸法モニタパターン２は
方形パターンＰＴ1 および方形パターンＰＴ2 の２個よ
り成り、方形パターンＰＴ1 と方形パターンＰＴ 2 の間
の配置間隔：Ａ、方形パターンＰＴ1 の長さ：Ｌ1 、方
形パターンＰＴ2の長さ：Ｌ2 として、 Ａ＝２Ｓ Ｌ1 ≠Ｌ2 とする。なお、両方形パターンの幅については任意であ
るが、Ｌ1 およびＬ2 と共に顕微鏡観察に都合の良い幅
に設定する。
ッチ：Ｓ、窓寸法：ＷS とし、これらの関係を ＷG ^＝ＷS＋２Ｓ として説明する。そして、加工寸法モニタパターン２は
方形パターンＰＴ1 および方形パターンＰＴ2 の２個よ
り成り、方形パターンＰＴ1 と方形パターンＰＴ 2 の間
の配置間隔：Ａ、方形パターンＰＴ1 の長さ：Ｌ1 、方
形パターンＰＴ2の長さ：Ｌ2 として、 Ａ＝２Ｓ Ｌ1 ≠Ｌ2 とする。なお、両方形パターンの幅については任意であ
るが、Ｌ1 およびＬ2 と共に顕微鏡観察に都合の良い幅
に設定する。
【００１７】図２を参照して加工寸法モニタパターン２
がエッチングされて行く過程を説明する。図２（ａ）を
参照するに、ＳｉＯ2 被膜に窓２１および窓２２を形成
し、エッチングを開始する。図２（ｂ）を参照するに、
エッチングの途中において、エッチングは深さ方向に進
行すると共にサイドエッチも進行するが、方形パターン
ＰＴ1 の溝１３１と方形パターンＰＴ2 の溝１３２の平
行な隣接する縁同志が接触するには到らないので、未だ
に設計溝幅ＷG ^には到達していない状態を示している。
点線はエッチングマスクであるＳｉＯ2 被膜を透してみ
た異方性エッチングにより形成された溝の外形を示して
いる。
がエッチングされて行く過程を説明する。図２（ａ）を
参照するに、ＳｉＯ2 被膜に窓２１および窓２２を形成
し、エッチングを開始する。図２（ｂ）を参照するに、
エッチングの途中において、エッチングは深さ方向に進
行すると共にサイドエッチも進行するが、方形パターン
ＰＴ1 の溝１３１と方形パターンＰＴ2 の溝１３２の平
行な隣接する縁同志が接触するには到らないので、未だ
に設計溝幅ＷG ^には到達していない状態を示している。
点線はエッチングマスクであるＳｉＯ2 被膜を透してみ
た異方性エッチングにより形成された溝の外形を示して
いる。
【００１８】図２（ｃ）を参照するに、更にエッチング
が進行すると、２個の方形パターンＰＴ1 の溝１３１お
よびＰＴ2 の溝１３２の縁が接触するに到る。方形パタ
ーンＰＴ1 の溝１３１およびＰＴ2 の溝１３２の縁が接
触したと言うことは、両溝のサイドエッチがＳづつ進行
して方形パターンＰＴ1 と方形パターンＰＴ2 の間の配
置間隔：Ａが０となったことを意味する。このエッチン
グ形状を顕微鏡により観察して設計溝幅ＷG ^設計寸法に
到達したことを判断することができる。
が進行すると、２個の方形パターンＰＴ1 の溝１３１お
よびＰＴ2 の溝１３２の縁が接触するに到る。方形パタ
ーンＰＴ1 の溝１３１およびＰＴ2 の溝１３２の縁が接
触したと言うことは、両溝のサイドエッチがＳづつ進行
して方形パターンＰＴ1 と方形パターンＰＴ2 の間の配
置間隔：Ａが０となったことを意味する。このエッチン
グ形状を顕微鏡により観察して設計溝幅ＷG ^設計寸法に
到達したことを判断することができる。
【００１９】ところで、方形パターンＰＴ1 の長さＬ1
と方形パターンＰＴ2 の長さＬ2 は相違しているので、
方形パターンＰＴ1 の角部が他方の方形パターンＰＴ2
の縁に一致する点Ｐが出現する。図２（ｄ）を参照する
に、更にエッチングが進行すると、点Ｐは矢印方向に移
行するので、このエッチング形状を顕微鏡で観察するこ
とにより、設計溝幅ＷG ^が設計寸法に到達したことをよ
り正確に判断することができる。この場合、点Ｐのとこ
ろに｛２２１｝面、｛３３１｝面その他の高次の面が出
現してエッチングが進行するのであるが、高次の面のエ
ッチングレートは｛１１１｝面のエッチングレートと比
較して桁違いに大きので、点Ｐが矢印方向に移行を開始
しても、溝幅は変化しないに等しいので、点Ｐが矢印方
向に移行を開始したことを顕微鏡により余裕をもって観
察して設計溝幅ＷG ^が設計寸法に到達したことを判断す
ることができる。
と方形パターンＰＴ2 の長さＬ2 は相違しているので、
方形パターンＰＴ1 の角部が他方の方形パターンＰＴ2
の縁に一致する点Ｐが出現する。図２（ｄ）を参照する
に、更にエッチングが進行すると、点Ｐは矢印方向に移
行するので、このエッチング形状を顕微鏡で観察するこ
とにより、設計溝幅ＷG ^が設計寸法に到達したことをよ
り正確に判断することができる。この場合、点Ｐのとこ
ろに｛２２１｝面、｛３３１｝面その他の高次の面が出
現してエッチングが進行するのであるが、高次の面のエ
ッチングレートは｛１１１｝面のエッチングレートと比
較して桁違いに大きので、点Ｐが矢印方向に移行を開始
しても、溝幅は変化しないに等しいので、点Ｐが矢印方
向に移行を開始したことを顕微鏡により余裕をもって観
察して設計溝幅ＷG ^が設計寸法に到達したことを判断す
ることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明により、
高精度なエッチング加工を容易に実施することができ、
異方性エッチング加工のコストの低減、量産性を向上す
ることができる。即ち、この発明により、単結晶半導体
の異方性エッチング加工を実施するに際して、特に、そ
の加工寸法にばサブミクロンのオーダーの高精度が要求
される場合に、時間を要する加工寸法の測定をすること
なしに顕微鏡により観察するだけで目標加工寸法に到達
したものと判断することができ、結果として短時間に高
精度なエッチング加工を行なうことができる。
高精度なエッチング加工を容易に実施することができ、
異方性エッチング加工のコストの低減、量産性を向上す
ることができる。即ち、この発明により、単結晶半導体
の異方性エッチング加工を実施するに際して、特に、そ
の加工寸法にばサブミクロンのオーダーの高精度が要求
される場合に、時間を要する加工寸法の測定をすること
なしに顕微鏡により観察するだけで目標加工寸法に到達
したものと判断することができ、結果として短時間に高
精度なエッチング加工を行なうことができる。
【００２１】そして、点Ｐが矢印方向に移行を開始した
ことを顕微鏡により余裕をもって観察して設計溝幅ＷG ^
が設計寸法に到達したことを判断することができる。
ことを顕微鏡により余裕をもって観察して設計溝幅ＷG ^
が設計寸法に到達したことを判断することができる。
【図１】この発明による加工寸法モニタパターンを説明
する図。
する図。
【図２】加工寸法モニタパターンがエッチングされて行
く過程を説明する図。
く過程を説明する図。
【図３】従来例を説明する図。
１ シリコン基板 １１ ＳｉＯ2 被膜 １２ 窓 １３ Ｖ字状溝 １３１、１３２ Ｖ字状溝 ２ 加工寸法モニタパターン ２１、２２ 窓 Ａ 配置間隔 Ｌ1 方形パターンの長さ Ｌ2 他方の方形パターンの長さ Ｐ 方形パターンの角部が他方の方形パターンの縁に一
致する点 ＰＴ1 方形パターン ＰＴ2 他方の方形パターン Ｓ サイドエッチ ＷG ^設計溝幅 ＷS 窓寸法
致する点 ＰＴ1 方形パターン ＰＴ2 他方の方形パターン Ｓ サイドエッチ ＷG ^設計溝幅 ＷS 窓寸法
Claims (8)
- 【請求項１】 表面に形成されるエッチングマスクに加
工寸法モニタパターンを形成したことを特徴とする半導
体基板。 - 【請求項２】 請求項１に記載される半導体基板におい
て、 加工寸法モニタパターンは２個の方形パターンをサイド
エッチ量の２倍分の間隔を有して形成したものであるこ
とを特徴とする半導体基板。 - 【請求項３】 請求項２に記載される半導体基板におい
て、 ２個の方形パターンは相隣接する２辺の長さを異にする
ものであることを特徴とする半導体基板。 - 【請求項４】 半導体基板をエッチング加工するに際し
て、半導体基板表面に形成されるエッチングマスクに加
工寸法モニタパターンを予め形成しておくことを特徴と
するエッチング加工方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載されるエッチング加工方
法において、 加工寸法モニタパターンは２個の方形パターンをサイド
エッチ量の２倍分の間隔を有して形成したものであるこ
とを特徴とするエッチング加工方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載されるエッチング加工方
法において、 ２個の方形パターンは相隣接する２辺の長さを異にする
ことを特徴とするエッチング加工方法。 - 【請求項７】 請求項５に記載されるエッチング加工方
法において、 ２個の方形パターンの溝の縁が接触することを観察する
ことを特徴とするエッチング加工方法。 - 【請求項８】 請求項５に記載されるエッチング加工方
法において、 方形パターンの角部が他方の方形パターンの縁に一致す
る点の移行を観察することを特徴とするエッチング加工
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9181478A JPH1126428A (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 加工寸法モニタパターンを形成した半導体基板およびこの基板のエッチング加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9181478A JPH1126428A (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 加工寸法モニタパターンを形成した半導体基板およびこの基板のエッチング加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126428A true JPH1126428A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16101467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9181478A Withdrawn JPH1126428A (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 加工寸法モニタパターンを形成した半導体基板およびこの基板のエッチング加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126428A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013086920A1 (zh) * | 2011-12-13 | 2013-06-20 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 一种硅湿法腐蚀深度的监控结构及监控方法 |
-
1997
- 1997-07-07 JP JP9181478A patent/JPH1126428A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013086920A1 (zh) * | 2011-12-13 | 2013-06-20 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 一种硅湿法腐蚀深度的监控结构及监控方法 |
| US9006867B2 (en) | 2011-12-13 | 2015-04-14 | Csmc Technologies Fabi Co., Ltd. | Monitoring structure and monitoring method for silicon wet etching depth |
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