JPH11263896A - 制振材組成物 - Google Patents
制振材組成物Info
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- JPH11263896A JPH11263896A JP34329898A JP34329898A JPH11263896A JP H11263896 A JPH11263896 A JP H11263896A JP 34329898 A JP34329898 A JP 34329898A JP 34329898 A JP34329898 A JP 34329898A JP H11263896 A JPH11263896 A JP H11263896A
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- isobutylene
- aromatic vinyl
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のスチレン系熱可塑エラストマーを用い
た制振材組成物に比べ、耐熱性が大幅に改善された制振
材組成物を提供する。 【解決手段】 イソブチレン系重合体ブロック及び芳香
族ビニル系ブロックから構成されるイソブチレン系ブロ
ック共重合体を含有する制振材組成物であって、前記芳
香族ビニル化合物系ブロックを形成する芳香族ビニル化
合物は、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ビ
ニルナフタレン誘導体及びインデン誘導体からなる群よ
り選択される少なくとも１種からなるものであることを
特徴とする制振材組成物。
た制振材組成物に比べ、耐熱性が大幅に改善された制振
材組成物を提供する。 【解決手段】 イソブチレン系重合体ブロック及び芳香
族ビニル系ブロックから構成されるイソブチレン系ブロ
ック共重合体を含有する制振材組成物であって、前記芳
香族ビニル化合物系ブロックを形成する芳香族ビニル化
合物は、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ビ
ニルナフタレン誘導体及びインデン誘導体からなる群よ
り選択される少なくとも１種からなるものであることを
特徴とする制振材組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、広い温度範囲、特
に高温領域で優れた制振減衰性能を示す、制振材組成物
に関する。
に高温領域で優れた制振減衰性能を示す、制振材組成物
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、自動車、船舶、航空機等の輸送分
野、住宅等の建築材料分野、機械分野、あるいは電気、
電子分野で、振動や騒音の低減技術が求められている。
さらに、これらの分野においては、用途によっては、低
温から高温までの広い温度での振動や騒音の低減が求め
られている。特に、最近の高速化、軽量化の動きに伴
い、より高性能な制振材が求められるようになってきて
いる。
野、住宅等の建築材料分野、機械分野、あるいは電気、
電子分野で、振動や騒音の低減技術が求められている。
さらに、これらの分野においては、用途によっては、低
温から高温までの広い温度での振動や騒音の低減が求め
られている。特に、最近の高速化、軽量化の動きに伴
い、より高性能な制振材が求められるようになってきて
いる。
【０００３】これまでに制振材として、アスファルト
系、合成ゴム系、合成樹脂系等の制振材の開発が行われ
ている。しかし、これらの材料では、広い温度範囲での
制振減衰振動の実現が困難であったり、加工性が低い等
の問題があった。
系、合成ゴム系、合成樹脂系等の制振材の開発が行われ
ている。しかし、これらの材料では、広い温度範囲での
制振減衰振動の実現が困難であったり、加工性が低い等
の問題があった。
【０００４】特再平６−８１４１３５号公報（ＷＯ ９
３／１４１３５号公報）では、芳香族ビニル化合物とイ
ソブチレンのブロック共重合体からなる制振材組成物が
開示されている。この組成物では、従来の制振材に比
べ、広い温度範囲で優れた制振減衰性能を示す制振材が
得られるが、特に高温での制振減衰性を要求される場合
には、ブロック共重合体の耐熱性が低いという問題があ
った。これは、例示されている芳香族ビニル化合物単位
がスチレンであるため、１００℃以上の温度領域では、
ブロック体が溶融してしまい、制振減衰性能も低下して
しまうためであった。
３／１４１３５号公報）では、芳香族ビニル化合物とイ
ソブチレンのブロック共重合体からなる制振材組成物が
開示されている。この組成物では、従来の制振材に比
べ、広い温度範囲で優れた制振減衰性能を示す制振材が
得られるが、特に高温での制振減衰性を要求される場合
には、ブロック共重合体の耐熱性が低いという問題があ
った。これは、例示されている芳香族ビニル化合物単位
がスチレンであるため、１００℃以上の温度領域では、
ブロック体が溶融してしまい、制振減衰性能も低下して
しまうためであった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、特定の芳香族ビニ
ル化合物単位を使用することによって、ブロック体の耐
熱性が大幅に向上でき、高温での良好な制振減衰性を示
す制振材を与えることを見いだし、本発明を完成した。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、特定の芳香族ビニ
ル化合物単位を使用することによって、ブロック体の耐
熱性が大幅に向上でき、高温での良好な制振減衰性を示
す制振材を与えることを見いだし、本発明を完成した。
【０００６】すなわち本発明は、イソブチレン系重合体
ブロック及び芳香族ビニル系重合体ブロックから構成さ
れるイソブチレン系ブロック共重合体を含有する制振材
組成物であって、前記芳香族ビニル系重合体ブロックを
形成する芳香族ビニル化合物は、α−メチルスチレン、
ｐ−メチルスチレン、ビニルナフタレン誘導体、インデ
ン誘導体からなる群より選択される少なくとも１種から
なるものであることを特徴とする制振材組成物に関す
る。
ブロック及び芳香族ビニル系重合体ブロックから構成さ
れるイソブチレン系ブロック共重合体を含有する制振材
組成物であって、前記芳香族ビニル系重合体ブロックを
形成する芳香族ビニル化合物は、α−メチルスチレン、
ｐ−メチルスチレン、ビニルナフタレン誘導体、インデ
ン誘導体からなる群より選択される少なくとも１種から
なるものであることを特徴とする制振材組成物に関す
る。
【０００７】また、前記イソブチレン系ブロック共重合
体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１００℃以上であるの
が好ましい。
体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１００℃以上であるの
が好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明について、詳細に説
明する。本発明は、イソブチレン系重合体ブロック及び
芳香族ビニル系重合体ブロックから構成されるイソブチ
レン系ブロック共重合体を含有する制振材組成物であっ
て、前記芳香族ビニル系重合体ブロックを形成する芳香
族ビニル化合物は、α−メチルスチレン、ｐ−メチルス
チレン、ビニルナフタレン誘導体、インデン誘導体から
なる群（以下本発明の芳香族ビニル化合物という）より
選択される少なくとも１種からんるものであることを特
徴としている。芳香族ビニル化合物が上述した化合物か
らなる群より選択される少なくとも１種を含むものであ
ることにより、上記イソブチレン系ブロック共重合体
は、芳香族ビニル化合物がスチレンであるものよりもガ
ラス転移温度（Ｔｇ）が高くなり、高い温度領域におい
ても溶融しないものとなる。従って、上記イソブチレン
系ブロック共重合体を用いることにより、高い温度領
域、特に１００℃以上の温度領域でも制振減衰性能の低
下しない制振材組成物を得ることができる。
明する。本発明は、イソブチレン系重合体ブロック及び
芳香族ビニル系重合体ブロックから構成されるイソブチ
レン系ブロック共重合体を含有する制振材組成物であっ
て、前記芳香族ビニル系重合体ブロックを形成する芳香
族ビニル化合物は、α−メチルスチレン、ｐ−メチルス
チレン、ビニルナフタレン誘導体、インデン誘導体から
なる群（以下本発明の芳香族ビニル化合物という）より
選択される少なくとも１種からんるものであることを特
徴としている。芳香族ビニル化合物が上述した化合物か
らなる群より選択される少なくとも１種を含むものであ
ることにより、上記イソブチレン系ブロック共重合体
は、芳香族ビニル化合物がスチレンであるものよりもガ
ラス転移温度（Ｔｇ）が高くなり、高い温度領域におい
ても溶融しないものとなる。従って、上記イソブチレン
系ブロック共重合体を用いることにより、高い温度領
域、特に１００℃以上の温度領域でも制振減衰性能の低
下しない制振材組成物を得ることができる。
【０００９】本発明でいうガラス転移温度とは、窒素気
流下、昇温速度２０℃／分の条件にて示差走査熱量分析
（ＤＳＣ）により測定されるものである。このガラス転
移温度は１００℃以上が好ましいが、さらに好ましくは
１２０℃以上である。
流下、昇温速度２０℃／分の条件にて示差走査熱量分析
（ＤＳＣ）により測定されるものである。このガラス転
移温度は１００℃以上が好ましいが、さらに好ましくは
１２０℃以上である。
【００１０】上記の芳香族ビニル化合物（本発明の芳香
族ビニル化合物）の中では、コストと物性、生産性のバ
ランスから、α−メチルスチレン、インデンが好まし
い。
族ビニル化合物）の中では、コストと物性、生産性のバ
ランスから、α−メチルスチレン、インデンが好まし
い。
【００１１】本発明のイソブチレン系重合体ブロック
は、イソブチレンを６０重量％以上、好ましくは８０重
量％以上含有するブロックを意味する。また本発明の芳
香族ビニル系重合体ブロックは、芳香族ビニル化合物を
６０重量％以上、好ましくは８０重量％以上含有するブ
ロックを意味する。
は、イソブチレンを６０重量％以上、好ましくは８０重
量％以上含有するブロックを意味する。また本発明の芳
香族ビニル系重合体ブロックは、芳香族ビニル化合物を
６０重量％以上、好ましくは８０重量％以上含有するブ
ロックを意味する。
【００１２】本発明で使用されるイソブチレン系ブロッ
ク共重合体においては、芳香族ビニル化合物のすべてを
上記の化合物（本発明の芳香族ビニル化合物）としても
よいし、他の芳香族ビニル化合物を含んでいてもよい。
他の芳香族ビニル化合物としては、コストと物性のバラ
ンスから、スチレンが好ましい。
ク共重合体においては、芳香族ビニル化合物のすべてを
上記の化合物（本発明の芳香族ビニル化合物）としても
よいし、他の芳香族ビニル化合物を含んでいてもよい。
他の芳香族ビニル化合物としては、コストと物性のバラ
ンスから、スチレンが好ましい。
【００１３】芳香族ビニル化合物における、上記の化合
物（本発明の芳香族ビニル化合物）の割合については特
に制限はないが、モル比で５％以上が好ましく、１０％
以上がより好ましい。芳香族ビニル化合物における、上
記の化合物（本発明の芳香族ビニル化合物）の割合が５
％未満では、イソブチレン系ブロック共重合体の耐熱性
の向上が十分ではない。
物（本発明の芳香族ビニル化合物）の割合については特
に制限はないが、モル比で５％以上が好ましく、１０％
以上がより好ましい。芳香族ビニル化合物における、上
記の化合物（本発明の芳香族ビニル化合物）の割合が５
％未満では、イソブチレン系ブロック共重合体の耐熱性
の向上が十分ではない。
【００１４】上記芳香族ビニル化合物が、α−メチルス
チレン及びインデンのうち、少なくとも１種である場合
は、更にスチレンを含むものであることにより、上記イ
ソブチレン系ブロック共重合体（ａ）の物性、耐熱性を
調整することができる。この場合、上記芳香族ビニル化
合物は、α−メチルスチレン及びインデンのうち、少な
くとも１種１００〜５モル％、並びに、スチレン０〜９
５モル％からなるものが好ましい。α−メチルスチレン
及びインデンのうち、少なくとも１種のものが５モル％
未満であり、スチレンが９５モル％を越えると、上記イ
ソブチレン系ブロック共重合体（ａ）のガラス転移温度
（Ｔｇ）が低くなり、耐熱性が劣る傾向がある。
チレン及びインデンのうち、少なくとも１種である場合
は、更にスチレンを含むものであることにより、上記イ
ソブチレン系ブロック共重合体（ａ）の物性、耐熱性を
調整することができる。この場合、上記芳香族ビニル化
合物は、α−メチルスチレン及びインデンのうち、少な
くとも１種１００〜５モル％、並びに、スチレン０〜９
５モル％からなるものが好ましい。α−メチルスチレン
及びインデンのうち、少なくとも１種のものが５モル％
未満であり、スチレンが９５モル％を越えると、上記イ
ソブチレン系ブロック共重合体（ａ）のガラス転移温度
（Ｔｇ）が低くなり、耐熱性が劣る傾向がある。
【００１５】本発明で使用されるイソブチレン系ブロッ
ク共重合体は、芳香族ビニル系重合体ブロックとイソブ
チレン系重合体ブロック有しているものであれば、いず
れの構造を有するものも使用可能であるが、物性のバラ
ンスと合成の簡便さから、芳香族ビニル系重合体ブロッ
ク、イソブチレン系重合体ブロック及び芳香族ビニル系
重合体ブロックがこの順に結合してなるトリブロック
体、並びに、芳香族ビニル系重合体ブロック及びイソブ
チレン系重合体ブロックが結合してなるジブロック共重
合体のうち、少なくとも１つからなるものが好ましい。
ク共重合体は、芳香族ビニル系重合体ブロックとイソブ
チレン系重合体ブロック有しているものであれば、いず
れの構造を有するものも使用可能であるが、物性のバラ
ンスと合成の簡便さから、芳香族ビニル系重合体ブロッ
ク、イソブチレン系重合体ブロック及び芳香族ビニル系
重合体ブロックがこの順に結合してなるトリブロック
体、並びに、芳香族ビニル系重合体ブロック及びイソブ
チレン系重合体ブロックが結合してなるジブロック共重
合体のうち、少なくとも１つからなるものが好ましい。
【００１６】イソブチレン系ブロック共重合体の芳香族
ビニル系重合体ブロックとイソブチレン系重合体ブロッ
クの割合に特に制限はないが、物性のバランスから、芳
香族ビニル化合物を主成分とする単量体成分５〜８０重
量部、及び、イソブチレンを主成分とする単量体成分９
５〜２０重量部からなるイソブチレン系ブロック共重合
体が好ましく、芳香族ビニル化合物を主成分とする単量
体成分１５〜４０重量部とイソブチレンを主成分とする
単量体成分８５〜６０重量部からなるイソブチレン系ブ
ロック共重合体がさらに好ましい。
ビニル系重合体ブロックとイソブチレン系重合体ブロッ
クの割合に特に制限はないが、物性のバランスから、芳
香族ビニル化合物を主成分とする単量体成分５〜８０重
量部、及び、イソブチレンを主成分とする単量体成分９
５〜２０重量部からなるイソブチレン系ブロック共重合
体が好ましく、芳香族ビニル化合物を主成分とする単量
体成分１５〜４０重量部とイソブチレンを主成分とする
単量体成分８５〜６０重量部からなるイソブチレン系ブ
ロック共重合体がさらに好ましい。
【００１７】また、イソブチレン系ブロック共重合体の
数平均分子量に特に制限はないが、数平均分子量は３０
０００から５０００００が好ましく、５００００から４
０００００が特に好ましい。数平均分子量が３００００
以下の場合、機械的な特性等が十分に発現されず、ま
た、５０００００以上の場合、成形性等の低下が大き
い。
数平均分子量に特に制限はないが、数平均分子量は３０
０００から５０００００が好ましく、５００００から４
０００００が特に好ましい。数平均分子量が３００００
以下の場合、機械的な特性等が十分に発現されず、ま
た、５０００００以上の場合、成形性等の低下が大き
い。
【００１８】イソブチレン系ブロック共重合体の製造方
法については、特に制限はないが、例えば、下記一般式
（１）で表される化合物の存在下に、イソブチレン単位
を主成分とする単量体成分および、芳香族ビニル化合物
単位を主成分とする単量体成分を重合させることにより
得ることができる。
法については、特に制限はないが、例えば、下記一般式
（１）で表される化合物の存在下に、イソブチレン単位
を主成分とする単量体成分および、芳香族ビニル化合物
単位を主成分とする単量体成分を重合させることにより
得ることができる。
【００１９】
【化１】 （式中、Ｒ1は、同一又は異なって、水素原子又は炭素
数１〜６の１価の炭化水素基を表す。Ｒ2は、多価芳香
族炭化水素基又は多価脂肪族炭化水素基を表す。Ｘは、
ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシル基又は炭素
数１〜６のアシルオキシル基を表す。ｎは、１〜６の整
数を表す。） 上記一般式（１）の炭素数１〜６のアルコキシル基また
はアシルオキシル基としては特に限定されず、例えば、
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−又はイソプロポキシ基、
アセトオキシル基等が挙げられる。
数１〜６の１価の炭化水素基を表す。Ｒ2は、多価芳香
族炭化水素基又は多価脂肪族炭化水素基を表す。Ｘは、
ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシル基又は炭素
数１〜６のアシルオキシル基を表す。ｎは、１〜６の整
数を表す。） 上記一般式（１）の炭素数１〜６のアルコキシル基また
はアシルオキシル基としては特に限定されず、例えば、
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−又はイソプロポキシ基、
アセトオキシル基等が挙げられる。
【００２０】上記一般式（１）で表される化合物の具体
例としては、（１−クロロ−１−メチルエチル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（１−クロロ−１−メチルエチル）ベ
ンゼン、１，３−ビス（１−クロロ−１−メチルエチ
ル）ベンゼン、１，３，５−トリス（１−クロロ−１−
メチルエチル）ベンゼン、１，３−ビス（１−クロロ−
１−メチルエチル）−５−（ｔｅｒｔ−ブチル）ベンゼ
ン等が挙げられる。ビス（１−クロロ−１−メチルエチ
ル）ベンゼンは、ビス（α−クロロイソプロピル）ベン
ゼン、ビス（２−クロロ−２−プロピル）ベンゼン、あ
るいはジクミルクロライドとも呼ばれる。
例としては、（１−クロロ−１−メチルエチル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（１−クロロ−１−メチルエチル）ベ
ンゼン、１，３−ビス（１−クロロ−１−メチルエチ
ル）ベンゼン、１，３，５−トリス（１−クロロ−１−
メチルエチル）ベンゼン、１，３−ビス（１−クロロ−
１−メチルエチル）−５−（ｔｅｒｔ−ブチル）ベンゼ
ン等が挙げられる。ビス（１−クロロ−１−メチルエチ
ル）ベンゼンは、ビス（α−クロロイソプロピル）ベン
ゼン、ビス（２−クロロ−２−プロピル）ベンゼン、あ
るいはジクミルクロライドとも呼ばれる。
【００２１】これらの中では、反応性と入手性の点で、
１，４−ビス（１−クロロ−１−メチルエチル）ベンゼ
ンが特に好ましい。
１，４−ビス（１−クロロ−１−メチルエチル）ベンゼ
ンが特に好ましい。
【００２２】また、本発明においては、まず、一般式
（１）で表される化合物の存在下にイソブチレンを主成
分とする単量体成分を重合して、末端に置換基（Ｘ）を
有するイソブチレン系重合体を合成し、これを単離精製
した後に、芳香族ビニル化合物を主成分とする単量体成
分を重合し、イソブチレン系ブロック共重合体を合成す
ることもできる。
（１）で表される化合物の存在下にイソブチレンを主成
分とする単量体成分を重合して、末端に置換基（Ｘ）を
有するイソブチレン系重合体を合成し、これを単離精製
した後に、芳香族ビニル化合物を主成分とする単量体成
分を重合し、イソブチレン系ブロック共重合体を合成す
ることもできる。
【００２３】さらに重合反応の際に、必要に応じてルイ
ス酸触媒を共存させることもできる。このようなルイス
酸としてはカチオン重合に使用できるものであれば良
く、ＴｉＣｌ4、ＴｉＢｒ4、ＢＣｌ3、ＢＦ3、ＢＦ3・ＯＥｔ
2、ＳｎＣｌ4、ＳｂＣｌ5、ＳｂＦ 5、ＷＣｌ6、ＴａＣｌ5、Ｖ
Ｃｌ5、ＦｅＣｌ3、ＺｎＢｒ2、ＡｌＣｌ3、ＡｌＢｒ3等の
金属ハロゲン化物；Ｅｔ2ＡｌＣｌ、ＥｔＡｌＣｌ2等の
有機金属ハロゲン化物を好適に使用することができる。
中でも触媒としての能力、工業的な入手の容易さを考え
た場合、ＴｉＣｌ4、ＢＣｌ3、ＳｎＣｌ4が好ましい。ま
た、本発明において、ルイス酸は、通常上記の一般式
（１）で表される化合物に対して０．１〜１００倍モル
の範囲で用いるが、好ましい使用量は０．３〜５０倍モ
ルの範囲である。
ス酸触媒を共存させることもできる。このようなルイス
酸としてはカチオン重合に使用できるものであれば良
く、ＴｉＣｌ4、ＴｉＢｒ4、ＢＣｌ3、ＢＦ3、ＢＦ3・ＯＥｔ
2、ＳｎＣｌ4、ＳｂＣｌ5、ＳｂＦ 5、ＷＣｌ6、ＴａＣｌ5、Ｖ
Ｃｌ5、ＦｅＣｌ3、ＺｎＢｒ2、ＡｌＣｌ3、ＡｌＢｒ3等の
金属ハロゲン化物；Ｅｔ2ＡｌＣｌ、ＥｔＡｌＣｌ2等の
有機金属ハロゲン化物を好適に使用することができる。
中でも触媒としての能力、工業的な入手の容易さを考え
た場合、ＴｉＣｌ4、ＢＣｌ3、ＳｎＣｌ4が好ましい。ま
た、本発明において、ルイス酸は、通常上記の一般式
（１）で表される化合物に対して０．１〜１００倍モル
の範囲で用いるが、好ましい使用量は０．３〜５０倍モ
ルの範囲である。
【００２４】さらに重合反応の際に、必要に応じて電子
供与体成分を共存させることもできる。本発明におい
て、電子供与体成分としては、そのドナー数が１５〜６
０のものであれば。従来公知のものを広く利用できる。
好ましい電子供与体成分としては、例えばピリジン類、
アミン類、アミド類、スルホキシド類、または金属原子
に結合した酸素原子を有する金属化合物類を挙げること
ができる。
供与体成分を共存させることもできる。本発明におい
て、電子供与体成分としては、そのドナー数が１５〜６
０のものであれば。従来公知のものを広く利用できる。
好ましい電子供与体成分としては、例えばピリジン類、
アミン類、アミド類、スルホキシド類、または金属原子
に結合した酸素原子を有する金属化合物類を挙げること
ができる。
【００２５】さらに本発明の重合反応は、必要に応じて
溶媒中で行うことができ、このような溶剤としてはカチ
オン重合を本質的に阻害しなければ特に制約はなく、い
ずれの溶媒も使用することができる。具体的には、塩化
メチル、ジクロロメタン、ｎ−プロピルクロライド、ｎ
−ブチルクロライド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭
化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼ
ン、プロピルベンゼン、ブチルベンゼン等のアルキルベ
ンゼン類；エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキ
サン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン等の直鎖式
脂肪族炭化水素類；２−メチルプロパン、２−メチルブ
タン、２，３，３−トリメチルペンタン、２，２，５−
トリメチルヘキサン等の分岐式脂肪族炭化水素類；シク
ロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキ
サン等の環式脂肪族炭化水素類；石油留分を水添精製し
たパラフィン油等を挙げることができる。
溶媒中で行うことができ、このような溶剤としてはカチ
オン重合を本質的に阻害しなければ特に制約はなく、い
ずれの溶媒も使用することができる。具体的には、塩化
メチル、ジクロロメタン、ｎ−プロピルクロライド、ｎ
−ブチルクロライド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭
化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼ
ン、プロピルベンゼン、ブチルベンゼン等のアルキルベ
ンゼン類；エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキ
サン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン等の直鎖式
脂肪族炭化水素類；２−メチルプロパン、２−メチルブ
タン、２，３，３−トリメチルペンタン、２，２，５−
トリメチルヘキサン等の分岐式脂肪族炭化水素類；シク
ロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキ
サン等の環式脂肪族炭化水素類；石油留分を水添精製し
たパラフィン油等を挙げることができる。
【００２６】これらの溶剤は、イソブチレン系ブロック
共重合体を構成する単量体の重合特性及び生成する重合
体の溶解性等のバランスを考慮して単独又は２種以上を
組み合わせて使用される。
共重合体を構成する単量体の重合特性及び生成する重合
体の溶解性等のバランスを考慮して単独又は２種以上を
組み合わせて使用される。
【００２７】各成分の使用量は目的とする重合体の特性
に応じて適宜設計することが可能である。まずイソブチ
レンを主成分とする単量体成分及び芳香族ビニル化合物
を主成分とする単量体成分と一般式（１）で表わされる
化合物のモル当量関係によって、得られる重合体の分子
量が決定できる。通常得られるイソブチレン系ブロック
共重合体の数平均分子量が２０，０００〜５００，００
０程度になるように設定される。
に応じて適宜設計することが可能である。まずイソブチ
レンを主成分とする単量体成分及び芳香族ビニル化合物
を主成分とする単量体成分と一般式（１）で表わされる
化合物のモル当量関係によって、得られる重合体の分子
量が決定できる。通常得られるイソブチレン系ブロック
共重合体の数平均分子量が２０，０００〜５００，００
０程度になるように設定される。
【００２８】本発明の製造方法で実際の重合を行うにあ
たっては、各成分を冷却下、例えば−１００℃以上０℃
未満の温度で混合する。エネルギーコストと重合の安定
性を釣り合わせるために、特に好ましい温度範囲は、−
８０℃〜−３０℃である。
たっては、各成分を冷却下、例えば−１００℃以上０℃
未満の温度で混合する。エネルギーコストと重合の安定
性を釣り合わせるために、特に好ましい温度範囲は、−
８０℃〜−３０℃である。
【００２９】イソブチレン系ブロック共重合体を製造す
る場合、ルイス酸、一般式（１）で表される化合物、電
子供与体成分、単量体成分等の添加方法及び添加順序等
は特に限定されるものではないが、好ましい方法として
は、例えば、（Ａ）一般式（１）で表される化合物とル
イス酸からなる開始剤系と、電子供与体成分の存在下
に、イソブチレンを主成分とする単量体成分を重合する
工程、（Ｂ）次いで反応系に芳香族ビニル化合物を主成
分とする単量体成分を添加して重合する工程からなる方
法が挙げられる。この際、（Ａ）の工程後に一旦ポリマ
ーを単離精製してもよいし、単離せずに続けて（Ｂ）の
工程を行ってもよい。
る場合、ルイス酸、一般式（１）で表される化合物、電
子供与体成分、単量体成分等の添加方法及び添加順序等
は特に限定されるものではないが、好ましい方法として
は、例えば、（Ａ）一般式（１）で表される化合物とル
イス酸からなる開始剤系と、電子供与体成分の存在下
に、イソブチレンを主成分とする単量体成分を重合する
工程、（Ｂ）次いで反応系に芳香族ビニル化合物を主成
分とする単量体成分を添加して重合する工程からなる方
法が挙げられる。この際、（Ａ）の工程後に一旦ポリマ
ーを単離精製してもよいし、単離せずに続けて（Ｂ）の
工程を行ってもよい。
【００３０】本発明で、α−メチルスチレン、ｐ−メチ
ルスチレン、ビニルナフタレン誘導体、インデン誘導体
を使用する場合は、単独、あるいは他の芳香族ビニル化
合物を主成分とする単量体成分と混合して、重合系に添
加され得る。
ルスチレン、ビニルナフタレン誘導体、インデン誘導体
を使用する場合は、単独、あるいは他の芳香族ビニル化
合物を主成分とする単量体成分と混合して、重合系に添
加され得る。
【００３１】また、本発明で使用するイソブチレン系ブ
ロック共重合体中には、本発明の制振材組成物の性能を
損なわない範囲で、他のカチオン重合性モノマーを共重
合してもよい。他のカチオン重合性モノマーとしては、
脂肪族オレフィン類、芳香族ビニル類、ジエン類、ビニ
ルエーテル類、シラン類、ビニルカルバゾール、β−ピ
ネン、アセナフチレン等の単量体が例示できる。これら
は１種又は２種以上組み合わせて使用される。
ロック共重合体中には、本発明の制振材組成物の性能を
損なわない範囲で、他のカチオン重合性モノマーを共重
合してもよい。他のカチオン重合性モノマーとしては、
脂肪族オレフィン類、芳香族ビニル類、ジエン類、ビニ
ルエーテル類、シラン類、ビニルカルバゾール、β−ピ
ネン、アセナフチレン等の単量体が例示できる。これら
は１種又は２種以上組み合わせて使用される。
【００３２】本発明の制振材組成物には、性能を損なわ
ない範囲で、必要に応じた添加剤を加えることができ
る。
ない範囲で、必要に応じた添加剤を加えることができ
る。
【００３３】上記添加剤としては、酸化防止剤、紫外線
吸収剤等の安定剤、滑剤、可塑剤、染料、顔料、難燃
剤、充填材、補強材、粘着付与剤、あるいはその他の助
剤が挙げられる。これらの中でも、粘着付与剤と充填材
の添加が有効である。
吸収剤等の安定剤、滑剤、可塑剤、染料、顔料、難燃
剤、充填材、補強材、粘着付与剤、あるいはその他の助
剤が挙げられる。これらの中でも、粘着付与剤と充填材
の添加が有効である。
【００３４】充填剤、補強材としては、ガラス繊維、カ
ーボンブラック、フレークグラファイト、炭素繊維、硫
酸カルシウム、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ア
ルミナ、シリカ、酸化チタン、タルク、マイカ等が挙げ
られる。充填剤は、通常イソブチレン系ブロック共重合
体１００重量部に対し、５〜３００重量部用いられる。
ーボンブラック、フレークグラファイト、炭素繊維、硫
酸カルシウム、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ア
ルミナ、シリカ、酸化チタン、タルク、マイカ等が挙げ
られる。充填剤は、通常イソブチレン系ブロック共重合
体１００重量部に対し、５〜３００重量部用いられる。
【００３５】粘着付与剤としては、ポリブテン系樹脂、
ロジン系樹脂（ロジン、ロジンエステルまたは水添ロジ
ン）、フェノール樹脂、テルペンフェノール樹脂、キシ
レン樹脂、脂肪族系石油樹脂、テルペン樹脂、クマロン
樹脂など公知のものが使用できる。これらの中で、ポリ
ブテン系樹脂、ロジンエステル樹脂、テルペンフェノー
ル樹脂などが好ましい。粘着付与剤は、通常イソブチレ
ン系ブロック共重合体１００重量部に対し、１〜１００
重量部用いられる。
ロジン系樹脂（ロジン、ロジンエステルまたは水添ロジ
ン）、フェノール樹脂、テルペンフェノール樹脂、キシ
レン樹脂、脂肪族系石油樹脂、テルペン樹脂、クマロン
樹脂など公知のものが使用できる。これらの中で、ポリ
ブテン系樹脂、ロジンエステル樹脂、テルペンフェノー
ル樹脂などが好ましい。粘着付与剤は、通常イソブチレ
ン系ブロック共重合体１００重量部に対し、１〜１００
重量部用いられる。
【００３６】安定剤としては、ヒンダードフェノール
系、リン酸エステル系、アミン系等の酸化防止剤、ベン
ソチアゾール系、ベンソトリアゾール系、ベンゾフェノ
ン系等の紫外線吸収剤等が挙げられる。
系、リン酸エステル系、アミン系等の酸化防止剤、ベン
ソチアゾール系、ベンソトリアゾール系、ベンゾフェノ
ン系等の紫外線吸収剤等が挙げられる。
【００３７】本発明の制振材組成物は、公知の方法で調
製できる。例えば、イソブチレン系ブロック共重合体と
各種の配合剤とを、タンブラー、ミキサー、ブレンダー
等で混合したり、スクリュー押出機、ロール等で混練す
ることができる。
製できる。例えば、イソブチレン系ブロック共重合体と
各種の配合剤とを、タンブラー、ミキサー、ブレンダー
等で混合したり、スクリュー押出機、ロール等で混練す
ることができる。
【００３８】本発明で得られた制振材組成物は、公知の
方法、例えば、射出成形、押出成形、圧縮成形、カレン
ダー成形等の方法で、任意の物品に成形できる。
方法、例えば、射出成形、押出成形、圧縮成形、カレン
ダー成形等の方法で、任意の物品に成形できる。
【００３９】また、本発明の制振材組成物は、それ自体
の成形品の形態で、あるいは、金属、プラスチック等の
板に圧着した形態で、あるいは、これらの板の中間層と
して使用することができる。
の成形品の形態で、あるいは、金属、プラスチック等の
板に圧着した形態で、あるいは、これらの板の中間層と
して使用することができる。
【００４０】本発明で得られた制振材組成物は、電気分
野、自動車分野、建材分野等で利用され得るが、これら
に限定されるものではない。
野、自動車分野、建材分野等で利用され得るが、これら
に限定されるものではない。
【００４１】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳し
く説明するが、本発明は下記実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を変更しない範囲において、適宜変更
実施可能なものである。
く説明するが、本発明は下記実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を変更しない範囲において、適宜変更
実施可能なものである。
【００４２】なお、ポリマーの特性は以下に示す方法に
従って測定した。 （１）ポリマーの数平均分子量（Ｍｎ）および分子量分
布（Ｍｗ／Ｍｎ） ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法
により測定した。Ｗａｔｅｒｓ社製５１０型ＧＰＣシス
テムを用いて、クロロホルムを移動相とし、ポリマー濃
度２ｍｇ／ｍｌでカラム温度３５℃にて測定した。ポリ
スチレンを標準試料として用いて、数平均分子量、分子
量分布を算出した。 （２）ポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ） Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ社製ＤＳＣ−７を用いて、窒
素気流下、昇温速度２０℃／分の条件にて示差走査熱量
分析を行った。 （３）ポリマーの動的粘弾性 プレス成形により作成したサンプルを使用し、アイティ
ー計測制御製動的粘弾性測定装置ＤＶＡ−２００を用い
て、引張モード、周波数１０Ｈｚの条件で測定した。
従って測定した。 （１）ポリマーの数平均分子量（Ｍｎ）および分子量分
布（Ｍｗ／Ｍｎ） ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法
により測定した。Ｗａｔｅｒｓ社製５１０型ＧＰＣシス
テムを用いて、クロロホルムを移動相とし、ポリマー濃
度２ｍｇ／ｍｌでカラム温度３５℃にて測定した。ポリ
スチレンを標準試料として用いて、数平均分子量、分子
量分布を算出した。 （２）ポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ） Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ社製ＤＳＣ−７を用いて、窒
素気流下、昇温速度２０℃／分の条件にて示差走査熱量
分析を行った。 （３）ポリマーの動的粘弾性 プレス成形により作成したサンプルを使用し、アイティ
ー計測制御製動的粘弾性測定装置ＤＶＡ−２００を用い
て、引張モード、周波数１０Ｈｚの条件で測定した。
【００４３】（製造例１）塩素末端ポリイソブチレンの
合成。 １００ｍＬのセパラブルフラスコの重合容器内を窒素置
換した後、注射器を用いて、ｎ−ヘキサン（モレキュラ
ーシーブスで乾燥したもの）１２０ｍＬ及び塩化メチレ
ン（モレキュラーシーブスで乾燥したもの）８０ｍＬ、
ｐ−ジクミルクロライド０．０８７６ｇ（０．３８ｍｍ
ｏｌ）を加えた。重合容器を−７０℃のドライアイス／
メタノールバス中につけて冷却した後、２−メチルピリ
ジン０．０３６ｇ（０．３９ｍｍｏｌ）を加えた。次に
イソブチレンモノマー３３．９ｍＬ（４１９．９ｍｍｏ
ｌ）が入っている三方コック付耐圧ガラス製液化採取管
にテフロン製の送液チューブを接続し、重合容器内にイ
ソブチレンモノマーを窒素圧により送液した。さらに四
塩化チタン１．５０ｍＬ（１３．７ｍｍｏｌ）を加えて
重合を開始した。重合開始から１時間同じ温度で撹拌を
行った後、約１０ｍＬのメタノールを加えて反応を終了
させた。
合成。 １００ｍＬのセパラブルフラスコの重合容器内を窒素置
換した後、注射器を用いて、ｎ−ヘキサン（モレキュラ
ーシーブスで乾燥したもの）１２０ｍＬ及び塩化メチレ
ン（モレキュラーシーブスで乾燥したもの）８０ｍＬ、
ｐ−ジクミルクロライド０．０８７６ｇ（０．３８ｍｍ
ｏｌ）を加えた。重合容器を−７０℃のドライアイス／
メタノールバス中につけて冷却した後、２−メチルピリ
ジン０．０３６ｇ（０．３９ｍｍｏｌ）を加えた。次に
イソブチレンモノマー３３．９ｍＬ（４１９．９ｍｍｏ
ｌ）が入っている三方コック付耐圧ガラス製液化採取管
にテフロン製の送液チューブを接続し、重合容器内にイ
ソブチレンモノマーを窒素圧により送液した。さらに四
塩化チタン１．５０ｍＬ（１３．７ｍｍｏｌ）を加えて
重合を開始した。重合開始から１時間同じ温度で撹拌を
行った後、約１０ｍＬのメタノールを加えて反応を終了
させた。
【００４４】反応溶液から溶剤等を留去した後、ヘキサ
ンに溶解し２回水洗を行った。さらにヘキサン溶液を多
量のメタノールに加えて重合体を沈殿させ、得られた重
合体を６０℃で２４時間真空乾燥することにより塩素末
端ポリイソブチレンを得た。
ンに溶解し２回水洗を行った。さらにヘキサン溶液を多
量のメタノールに加えて重合体を沈殿させ、得られた重
合体を６０℃で２４時間真空乾燥することにより塩素末
端ポリイソブチレンを得た。
【００４５】得られた重合体のＭｎは７０，０００、Ｍ
ｗ／Ｍｎは１．１６であった。
ｗ／Ｍｎは１．１６であった。
【００４６】（製造例２）α−メチルスチレン−イソブ
チレンブロック共重合体の合成。 ５００ｍＬのセパラブルフラスコの重合容器内を窒素置
換した後、製造例１に示す方法で製造した塩素末端ポリ
イソブチレン（２３．６ｇ）を加え、注射器を用いてト
ルエン８０ｍＬ及びｎ−ヘキサン１２０ｍＬを加えた。
重合容器を−７０℃のドライアイス／メタノールバス中
につけて冷却した後、２−メチルピリジン０．０３６ｇ
（０．３９ｍｍｏｌ）を加えた。続いて、あらかじめ冷
−７０℃に却しておいたα−メチルスチレンモノマー１
２．１５ｇ（１０２．８ｍｍｏｌ）、トルエン８ｍＬお
よびｎ−ヘキサン１２ｍＬの混合溶液を重合容器内に添
加した。さらに四塩化チタン１．５０ｍＬ（１３．７ｍ
ｍｏｌ）を加えて重合を開始した。四塩化チタンを添加
してから１０分後に、約１０ｍＬのメタノールを加えて
反応を終了させた。
チレンブロック共重合体の合成。 ５００ｍＬのセパラブルフラスコの重合容器内を窒素置
換した後、製造例１に示す方法で製造した塩素末端ポリ
イソブチレン（２３．６ｇ）を加え、注射器を用いてト
ルエン８０ｍＬ及びｎ−ヘキサン１２０ｍＬを加えた。
重合容器を−７０℃のドライアイス／メタノールバス中
につけて冷却した後、２−メチルピリジン０．０３６ｇ
（０．３９ｍｍｏｌ）を加えた。続いて、あらかじめ冷
−７０℃に却しておいたα−メチルスチレンモノマー１
２．１５ｇ（１０２．８ｍｍｏｌ）、トルエン８ｍＬお
よびｎ−ヘキサン１２ｍＬの混合溶液を重合容器内に添
加した。さらに四塩化チタン１．５０ｍＬ（１３．７ｍ
ｍｏｌ）を加えて重合を開始した。四塩化チタンを添加
してから１０分後に、約１０ｍＬのメタノールを加えて
反応を終了させた。
【００４７】反応溶液から溶剤等を留去した後、トルエ
ンに溶解し２回水洗を行った。さらにトルエン溶液を多
量のメタノールに加えて重合体を沈殿させ、得られた重
合体を６０℃で２４時間真空乾燥することにより目的の
ブロック共重合体を得た。得られた重合体のＭｎは９
６，０００、Ｍｗ／Ｍｎは１．２８であった。
ンに溶解し２回水洗を行った。さらにトルエン溶液を多
量のメタノールに加えて重合体を沈殿させ、得られた重
合体を６０℃で２４時間真空乾燥することにより目的の
ブロック共重合体を得た。得られた重合体のＭｎは９
６，０００、Ｍｗ／Ｍｎは１．２８であった。
【００４８】（製造例３）インデン−イソブチレンブロ
ック共重合体の合成。 ５００ｍＬのセパラブルフラスコの重合容器内を窒素置
換した後、製造例１に示す方法で製造した塩素末端ポリ
イソブチレン（２３．６ｇ）を加え、注射器を用いてト
ルエン１２０ｍＬ及びｎ−ヘキサン８０ｍＬを加えた。
重合容器を−７０℃のドライアイス／メタノールバス中
につけて冷却した後、２−メチルピリジン０．０３６ｇ
（０．３９ｍｍｏｌ）を加えた。続いて、あらかじめ−
７０℃に冷却しておいたインデンモノマー１２．１５ｇ
（１０４．６ｍｍｏｌ）、トルエン１２ｍＬおよびｎ−
ヘキサン８ｍＬの混合溶液を重合容器内に添加した。さ
らに四塩化チタン１．５０ｍＬ（１３．７ｍｍｏｌ）を
加えて重合を開始した。四塩化チタンを添加してから１
０分後に、約１０ｍＬのメタノールを加えて反応を終了
させた。
ック共重合体の合成。 ５００ｍＬのセパラブルフラスコの重合容器内を窒素置
換した後、製造例１に示す方法で製造した塩素末端ポリ
イソブチレン（２３．６ｇ）を加え、注射器を用いてト
ルエン１２０ｍＬ及びｎ−ヘキサン８０ｍＬを加えた。
重合容器を−７０℃のドライアイス／メタノールバス中
につけて冷却した後、２−メチルピリジン０．０３６ｇ
（０．３９ｍｍｏｌ）を加えた。続いて、あらかじめ−
７０℃に冷却しておいたインデンモノマー１２．１５ｇ
（１０４．６ｍｍｏｌ）、トルエン１２ｍＬおよびｎ−
ヘキサン８ｍＬの混合溶液を重合容器内に添加した。さ
らに四塩化チタン１．５０ｍＬ（１３．７ｍｍｏｌ）を
加えて重合を開始した。四塩化チタンを添加してから１
０分後に、約１０ｍＬのメタノールを加えて反応を終了
させた。
【００４９】製造例２と同様の処理の後、得られた重合
体のＭｎは１０２，０００、Ｍｗ／Ｍｎは１．３０であ
った。
体のＭｎは１０２，０００、Ｍｗ／Ｍｎは１．３０であ
った。
【００５０】（製造例４）インデン−スチレン−イソブ
チレンブロック共重合体の合成。 インデンモノマーのかわりに、インデン（２．４３ｇ、
２０．９ｍｍｏｌ）とスチレン（９．７２ｇ、９３．３
ｍｍｏｌ）の混合モノマーを用いた以外は、製造例３と
同様に行った。
チレンブロック共重合体の合成。 インデンモノマーのかわりに、インデン（２．４３ｇ、
２０．９ｍｍｏｌ）とスチレン（９．７２ｇ、９３．３
ｍｍｏｌ）の混合モノマーを用いた以外は、製造例３と
同様に行った。
【００５１】製造例２と同様の処理の後、得られた重合
体のＭｎは１０５，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．２５であ
った。
体のＭｎは１０５，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．２５であ
った。
【００５２】（製造例５）インデン−スチレン−イソブ
チレンブロック共重合体の合成。 インデンモノマーのかわりに、インデン（０．６６ｇ、
５．７ｍｍｏｌ）とスチレン（１１．３ｇ、１０８．５
ｍｍｏｌ）の混合モノマーを用いた以外は、製造例３と
同様に行った。製造例２と同様の処理の後、得られた重
合体のＭｎは９８，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．２８であ
った。
チレンブロック共重合体の合成。 インデンモノマーのかわりに、インデン（０．６６ｇ、
５．７ｍｍｏｌ）とスチレン（１１．３ｇ、１０８．５
ｍｍｏｌ）の混合モノマーを用いた以外は、製造例３と
同様に行った。製造例２と同様の処理の後、得られた重
合体のＭｎは９８，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．２８であ
った。
【００５３】（製造例６）スチレン−イソブチレンブロ
ック共重合体の合成。 ５００ｍＬのセパラブルフラスコの重合容器内を窒素置
換した後、注射器を用いて、ｎ−ヘキサン（モレキュラ
ーシーブスで乾燥したもの）１２０ｍＬ及び塩化メチレ
ン（モレキュラーシーブスで乾燥したもの）８０ｍＬ、
ｐ−ジクミルクロライド）０．０８７６ｇ（０．３８ｍ
ｍｏｌ）を加えた。重合容器を−７０℃のドライアイス
／メタノールバス中につけて冷却した後、２−メチルピ
リジン０．０３６ｇ（０．３９ｍｍｏｌ）を加えた。次
にイソブチレンモノマー３３．９ｍＬ（４１９．９ｍｍ
ｏｌ）が入っている三方コック付耐圧ガラス製液化採取
管にテフロン製の送液チューブを接続し、重合容器内に
イソブチレンモノマーを窒素圧により送液した。さらに
四塩化チタン１．５０ｍＬ（１３．７ｍｍｏｌ）を加え
て重合を開始した。重合開始から１時間同じ温度で撹拌
を行った後、重合溶液からサンプリング用として重合溶
液約１ｍＬを抜き取った。続いて、あらかじめ−７０℃
に冷却しておいたスチレンモノマー１２．１５ｇ（１１
６．７ｍｍｏｌ）、ｎ−ヘキサン１２ｍＬおよび塩化メ
チレン８ｍＬの混合溶液を重合容器内に添加した。該混
合溶液を添加してから１０分後に、約１０ｍＬのメタノ
ールを加えて反応を終了させた。
ック共重合体の合成。 ５００ｍＬのセパラブルフラスコの重合容器内を窒素置
換した後、注射器を用いて、ｎ−ヘキサン（モレキュラ
ーシーブスで乾燥したもの）１２０ｍＬ及び塩化メチレ
ン（モレキュラーシーブスで乾燥したもの）８０ｍＬ、
ｐ−ジクミルクロライド）０．０８７６ｇ（０．３８ｍ
ｍｏｌ）を加えた。重合容器を−７０℃のドライアイス
／メタノールバス中につけて冷却した後、２−メチルピ
リジン０．０３６ｇ（０．３９ｍｍｏｌ）を加えた。次
にイソブチレンモノマー３３．９ｍＬ（４１９．９ｍｍ
ｏｌ）が入っている三方コック付耐圧ガラス製液化採取
管にテフロン製の送液チューブを接続し、重合容器内に
イソブチレンモノマーを窒素圧により送液した。さらに
四塩化チタン１．５０ｍＬ（１３．７ｍｍｏｌ）を加え
て重合を開始した。重合開始から１時間同じ温度で撹拌
を行った後、重合溶液からサンプリング用として重合溶
液約１ｍＬを抜き取った。続いて、あらかじめ−７０℃
に冷却しておいたスチレンモノマー１２．１５ｇ（１１
６．７ｍｍｏｌ）、ｎ−ヘキサン１２ｍＬおよび塩化メ
チレン８ｍＬの混合溶液を重合容器内に添加した。該混
合溶液を添加してから１０分後に、約１０ｍＬのメタノ
ールを加えて反応を終了させた。
【００５４】製造例２と同様の処理の後、スチレン添加
前のイソブチレン重合体のＭｎが７０，０００、Ｍｗ／
Ｍｎは１．１６であり、スチレン重合後のブロック共重
合体のＭｎが１０１，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．２３で
あった。
前のイソブチレン重合体のＭｎが７０，０００、Ｍｗ／
Ｍｎは１．１６であり、スチレン重合後のブロック共重
合体のＭｎが１０１，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．２３で
あった。
【００５５】（実施例１〜４）製造例２〜５で得られた
ポリマーの、ＤＳＣ測定から得られたＴｇおよび、動的
粘弾性測定から得られた損失係数（２５℃）を求めた。
結果を表１に示す。
ポリマーの、ＤＳＣ測定から得られたＴｇおよび、動的
粘弾性測定から得られた損失係数（２５℃）を求めた。
結果を表１に示す。
【００５６】（比較例１）製造例６で得られたポリマー
の、ＤＳＣ測定から得られたＴｇおよび、動的粘弾性測
定から得られた損失係数（２５℃）を求めた。結果を表
１に示す。
の、ＤＳＣ測定から得られたＴｇおよび、動的粘弾性測
定から得られた損失係数（２５℃）を求めた。結果を表
１に示す。
【００５７】（比較例２）市販のスチレン−エチレンブ
チレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ、シェル化学製Ｋｒ
ａｔｏｎＧ１６５０）の、ＤＳＣ測定から得られたＴｇ
および、動的粘弾性測定から得られた損失係数（２５
℃）を求めた。結果を表１に示す。
チレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ、シェル化学製Ｋｒ
ａｔｏｎＧ１６５０）の、ＤＳＣ測定から得られたＴｇ
および、動的粘弾性測定から得られた損失係数（２５
℃）を求めた。結果を表１に示す。
【００５８】
【表１】 表１から明らかなように、実施例で得られた共重合体
は、Ｔｇが高く、かつ損失係数の値が大きいことから、
耐熱性と制振性に優れていることがわかる。
は、Ｔｇが高く、かつ損失係数の値が大きいことから、
耐熱性と制振性に優れていることがわかる。
【００５９】
【発明の効果】本発明によれば、広い温度範囲、特に高
温領域で優れた制振減衰性能を示す制振材組成物を得る
ことが可能である。
温領域で優れた制振減衰性能を示す制振材組成物を得る
ことが可能である。
Claims (11)
- 【請求項１】 イソブチレン系重合体ブロック及び芳香
族ビニル系重合体ブロックから構成されるイソブチレン
系ブロック共重合体を含有する制振材組成物であって、
前記芳香族ビニル系重合体ブロックを形成する芳香族ビ
ニル化合物は、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレ
ン、ビニルナフタレン誘導体及びインデン誘導体からな
る群から選択される少なくとも１種からなるものである
ことを特徴とする制振材組成物。 - 【請求項２】 イソブチレン系ブロック共重合体のガラ
ス転移温度（Ｔｇ）は、１００℃以上である請求項１記
載の制振材組成物。 - 【請求項３】 芳香族ビニル化合物は、α−メチルスチ
レン及びインデンのうち、少なくとも１種である請求項
１記載の制振材組成物。 - 【請求項４】 芳香族ビニル化合物は、α−メチルスチ
レン及びインデンのうち、少なくとも１種、並びに、ス
チレンからなるものである請求項１記載の制振材組成
物。 - 【請求項５】 芳香族ビニル化合物は、α−メチルスチ
レン及びインデンのうち、少なくとも１種１００〜５モ
ル％、並びに、スチレン０〜９５モル％からなる請求項
４記載の制振材組成物。 - 【請求項６】 イソブチレン系ブロック共重合体は、芳
香族ビニル系重合体ブロック、イソブチレン系重合体ブ
ロック及び芳香族ビニル系重合体ブロックがこの順に結
合してなるトリブロック共重合体、並びに、芳香族ビニ
ル系重合体ブロック及びイソブチレン系重合体ブロック
が結合してなるジブロック共重合体のうち、少なくとも
１つからなる請求項１、２、３、４又は５記載の制振材
組成物。 - 【請求項７】 イソブチレン系ブロック共重合体は、芳
香族ビニル化合物を主成分とする単量体成分５〜８０重
量部、及び、イソブチレンを主成分とする単量体成分９
５〜２０重量部がブロック共重合してなるものである請
求項１、２、３、４、５又は６記載の制振材組成物。 - 【請求項８】 イソブチレン系ブロック共重合体は、芳
香族ビニル化合物を主成分とする単量体成分１５〜４０
重量部、及び、イソブチレンを主成分とする単量体成分
８５〜６０重量部がブロック共重合してなるものである
請求項７記載の制振材組成物。 - 【請求項９】 イソブチレン系ブロック共重合体は、数
平均分子量が、３００００〜５０００００である請求項
１、２、３、４、５、６、７又は８記載の制振材組成
物。 - 【請求項１０】 イソブチレン系ブロック共重合体は、
数平均分子量が、５００００〜４０００００である請求
項９記載の制振材組成物。 - 【請求項１１】 粘着付与剤と充填材を更に含有してな
る請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９又は１０
記載の制振材組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34329898A JPH11263896A (ja) | 1997-12-04 | 1998-12-02 | 制振材組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33378397 | 1997-12-04 | ||
| JP9-333783 | 1997-12-04 | ||
| JP34329898A JPH11263896A (ja) | 1997-12-04 | 1998-12-02 | 制振材組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11263896A true JPH11263896A (ja) | 1999-09-28 |
Family
ID=26574634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34329898A Pending JPH11263896A (ja) | 1997-12-04 | 1998-12-02 | 制振材組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11263896A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006061968A1 (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Kaneka Corporation | イソブチレン系ブロック共重合体の製造方法 |
| JP2013014688A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | 高減衰組成物 |
| WO2018062192A1 (ja) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 株式会社クラレ | 樹脂組成物、ペレット、ベール、制振材、遮音材および合わせガラス用中間膜 |
-
1998
- 1998-12-02 JP JP34329898A patent/JPH11263896A/ja active Pending
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| US10913843B2 (en) | 2016-09-27 | 2021-02-09 | Kuraray Co., Ltd. | Resin composition, pellet, veil, damping material, sound insulation material, and intermediate film for laminated glass |
| TWI741036B (zh) * | 2016-09-27 | 2021-10-01 | 日商可樂麗股份有限公司 | 樹脂組成物、丸粒、壓塊、制振材料、隔音材料及層合玻璃用中間膜 |
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