JPH11260975A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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JPH11260975A
JPH11260975A JP7498098A JP7498098A JPH11260975A JP H11260975 A JPH11260975 A JP H11260975A JP 7498098 A JP7498098 A JP 7498098A JP 7498098 A JP7498098 A JP 7498098A JP H11260975 A JPH11260975 A JP H11260975A
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tab
resin
sealing body
resin sealing
semiconductor device
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Yukihiro Sato
幸弘 佐藤
Toshinori Hirashima
利宣 平島
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Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
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Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂封止体の耐湿性や外観の低下を防止しつ
つ放熱性を高める。 【解決手段】 タブ16に連結された放熱板15に押さ
え部20を切り起こし成形しておき、樹脂封止体25の
成形に際して、押さえ部20をキャビティーの天井面に
よって押してタブ16をキャビティーの底面に押し付け
ることにより、タブ16の下面を樹脂封止体25の下面
において露出させる。樹脂封止体25の上面には押さえ
部20の上端が露出した状態になっている。 【効果】 タブの下面が樹脂封止体の下面において露出
しているため、半導体装置の放熱性能が向上する。押さ
え部は樹脂封止体に樹脂封止されているため、ペレット
に対する耐湿性能の低下および樹脂封止体の外観性能の
低下を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に、樹脂封止パッケージの放熱性能を向上させ
る技術に関し、例えば、表面実装形樹脂封止パッケージ
を備えている半導体集積回路装置(以下、ICとい
う。)に利用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】表面実装形樹脂封止パッケージを備えて
いるICは、半導体素子を含む集積回路が作り込まれた
半導体ペレット(以下、ペレットという。)と、ペレッ
トがボンディングされているタブと、ペレットの各ボン
ディングパッドにボンディングワイヤを介して電気的に
接続されている複数本のインナリードと、各インナリー
ドにそれぞれ連結されているアウタリードと、ペレッ
ト、タブおよび各インナリードを樹脂封止する樹脂封止
体とを備えている。この表面実装形樹脂封止パッケージ
を備えているICにおいて放熱性能を高める手段として
は、タブのペレットボンディング主面と反対側の主面
(以下、下面とする。)を樹脂封止体の下面から露出さ
せることが、一般的に考えられる。ところが、タブの下
面を樹脂封止体の下面において露出させると、樹脂封止
体の樹脂の一部がタブの下面に回り込んでしまうため、
封止不良や外観不良等が発生し、歩留りが低下してしま
うという問題点がある。
【0003】そこで、特開平5−291459号公報に
は、タブに固定部を突設しておき、樹脂封止体の成形に
際して固定部にキャビティーに突設された突起を押し付
けることにより、樹脂封止体の成形のための樹脂がタブ
の下面に回り込むのを防止する技術が、提案されてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た半導体装置の製造方法においては、タブの固定部を押
した突起の痕が樹脂封止体に穴として残るため、樹脂封
止体の耐湿性能や外観性能が低下するという問題点があ
る。
【0005】本発明の目的は、樹脂封止体の耐湿性能や
外観性能の低下を防止しつつ放熱性能を高めることがで
きる半導体装置の製造技術を提供することにある。
【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【0008】すなわち、樹脂封止体の成形に際して、タ
ブに連結された放熱板の押さえ部をキャビティーによっ
て押してタブをキャビティーの底面に押し付けることに
より、タブの下面を樹脂封止体の下面において露出させ
ることを特徴とする。
【0009】前記した手段によれば、タブの下面が樹脂
封止体の下面において露出されるため、半導体装置の放
熱性能が高められることになる。しかも、タブを押さえ
るための押さえ部は樹脂封止体によって樹脂封止される
ため、樹脂封止体に穴が形成されることはない。したが
って、半導体ペレットに対する耐湿性能の低下および樹
脂封止体の外観性能の低下を防止することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態である
半導体装置を示しており、図2以降はその製造方法にお
ける各工程を示している。
【0011】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置は、表面実装形樹脂封止パッケージを備えているI
Cの一例である樹脂封止形SOP・IC(Small
Outline Package・IC。以下、SOP
・ICという。)として構成されている。図1に示され
ているSOP・IC28は、ペレット22と、ペレット
22がボンディングされているタブ16と、タブ16に
連結された連結部材としての放熱板15と、ペレット2
2の各ボンディングパッド22aにボンディングワイヤ
23を介して電気的に接続されている複数本のインナリ
ード18と、各インナリード18にそれぞれ連結されて
いるアウタリード19と、ペレット22、タブ16、放
熱板15の一部および各インナリード18を樹脂封止し
た樹脂封止体25とを備えている。アウタリード19群
および両放熱板15、15に連結された各放熱リード2
7は、樹脂封止体25の長辺側の一対の側面から外部に
突出されてガル・ウイング形状に成形されている。
【0012】樹脂封止体25は平面視が長方形の平盤形
状に形成されており、互いに対向する一対の主面(以
下、上面および下面とする。)のうち下面には、タブ1
6の下面が露出されている。また、樹脂封止体25の上
面における中央部には、左右の放熱板15、15にそれ
ぞれ成形されてタブ16を露出させるのに使用された一
対の押さえ部20、20の上端面がそれぞれ露出されて
いる。
【0013】以下、本発明の一実施形態であるSOP・
ICの製造方法を説明する。この説明により、SOP・
ICについての前記した構成の詳細が共に明らかにされ
る。
【0014】SOP・ICの製造方法には、図2に示さ
れている多連リードフレーム11が使用されており、多
連リードフレーム11は多連リードフレーム成形工程に
よって製作されて準備される。多連リードフレーム11
は鉄−ニッケル合金や燐青銅等の比較的大きい機械的強
度を有するばね材料からなる薄板が用いられて、打ち抜
きプレス加工またはエッチング加工により一体成形され
ている。多連リードフレーム11の表面には銀(Ag)
等を用いためっき被膜(図示せず)が、後述するワイヤ
ボンディングが適正に実施されるように部分的または全
体的に施されている。多連リードフレーム11は複数の
単位リードフレーム12が横方向に一列に並設されてい
る。但し、便宜上、一単位のみが図示されている。
【0015】単位リードフレーム12は位置決め孔13
aが開設されている外枠13を一対備えており、両外枠
13、13は所定の間隔で平行になるように配されて一
連にそれぞれ延設されている。隣り合う単位リードフレ
ーム12、12間には一対のセクション枠14が両外枠
13、13間に互いに平行に配されて一体的に架設され
ており、これら外枠とセクション枠により形成された長
方形の枠体(フレーム)内に単位リードフレーム12が
構成されている。
【0016】両外枠13、13間には一対のダム部材1
7、17が、両セクション枠14、14の内側において
平行に配されてそれぞれ架設されている。両ダム部材1
7、17における外枠13側の端部にはタブに連結され
たタブ連結部材としての一対の放熱板15、15が二等
辺三角形形状に突設されており、両放熱板15、15の
先端間には長方形に形成されたタブ16が一体的に支持
されている。両放熱板15、15はタブ16の付近にお
いてそれぞれ屈曲されており、各放熱板15の屈曲によ
って、タブ16は後記するインナリード群の面よりも、
後記するペレットの厚さ分程度下げられている(所謂タ
ブ下げである。)。
【0017】ダム部材17の内側端辺にはインナリード
18が複数本、長手方向に等間隔に配されてダム部材1
7と直交するように一体的に突設されており、各インナ
リード18の内側端部は先端がタブ16を取り囲むよう
に配置されている。他方、ダム部材17の外側端辺には
インナリード18と同数本のアウタリード19が、イン
ナリード18と対向するように配されてインナリード1
8と一連になるように一体的に突設されている。各アウ
タリード19の外側端部はセクション枠14にそれぞれ
連結されている。ダム部材17における隣合うアウタリ
ード19、19間の部分は、後述する樹脂封止体成形時
にレジンの流れをせき止めるダム17aを実質的に構成
している。
【0018】本実施形態において、各放熱板15の中間
部には押さえ部20が切り起こし成形されている。すな
わち、放熱板15には切り起こし孔20aが凹字形状に
開設されており、切り起こし孔20a内の舌片20bが
上向きに直角に切り起こされている(図3(b)参
照)。押さえ部20である舌片20bの屈曲の略起点に
なる基端部は、前記したタブ下げの屈曲部よりもタブ1
6側に位置されており、押さえ部20は上端が上から押
された状態においてタブ16を押し下げるように設定さ
れている。押さえ部20の切り起こし高さ(タブ16の
下面から押さえ部20の上端面までの高さ)は、後記す
るキャビティー33の高さよりも極僅かに高くなるよう
に設定されている。
【0019】なお、単位リードフレーム12において、
両外枠13、13には樹脂封止体を吊持するための樹脂
封止体吊りリード41が中央にそれぞれ配置されて直角
方向に突設されている。各樹脂封止体吊りリード41は
コ字形状に形成されており、コ字形状の両端が外枠13
に短絡されている。
【0020】多連リードフレーム成形工程において準備
された以上の構成に係る多連リードフレーム11には、
ペレット・ボンディング工程およびワイヤ・ボンディン
グ工程において、ペレット・ボンディング作業、続い
て、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これらボ
ンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ
送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次
実施される。
【0021】まず、ペレット・ボンディング作業によ
り、半導体装置の製造工程における所謂前工程において
半導体素子を含む集積回路を作り込まれた半導体集積回
路構造物としてのペレット22が、図3に示されている
ように、各単位リードフレーム12におけるタブ16上
の略中央部に配されて、タブ16とペレット22との間
に形成されたボンディング層21によって機械的に固着
されることによりボンディングされる。ボンディング層
21の形成手段としては、金−シリコン共晶層、はんだ
付け層および銀ペースト接着層等々によるボンディング
法を用いることが可能である。
【0022】続いて、ワイヤ・ボンディング作業によ
り、図3に示されているように、タブ16の上にボンデ
ィングされたペレット22の各ボンディングパッド22
aと各インナリード18との間にはボンディングワイヤ
23が、超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置等のワ
イヤボンディング装置(図示せず)が使用されることに
より、その両端部をそれぞれボンディングされて橋絡さ
れる。これにより、ペレット22に作り込まれている集
積回路はボンディングパッド22a、ボンディングワイ
ヤ23、インナリード18およびアウタリード19を介
して電気的に外部に引き出されることになる。
【0023】以上のようにしてペレットおよびワイヤ・
ボンディングされた図3に示されている組立体24に
は、各単位リードフレーム毎に樹脂封止する樹脂封止体
25群が、図4に示されているトランスファ成形装置3
0が使用されて単位リードフレーム12群について同時
に成形される。
【0024】図4に示されているトランスファ成形装置
30は、シリンダ装置等(図示せず)によって互いに型
締めされる一対の上型31と下型32とを備えており、
上型31と下型32との合わせ面には上型キャビティー
凹部33aと下型キャビティー凹部33bとが互いに協
働してキャビティー33を形成するようにそれぞれ複数
組没設されている。上型キャビティー凹部33aおよび
下型キャビティー凹部33bは平面から見て略長方形の
穴形状にそれぞれ形成されている。
【0025】上型31の合わせ面にはポット34が開設
されており、ポット34にはシリンダ装置(図示せず)
により進退されるプランジャ35が成形材料としての樹
脂(以下、レジンという。)を送給し得るように挿入さ
れている。下型32の合わせ面にはカル36がポット3
4との対向位置に配されて没設されているとともに、複
数条のランナ37がカル36にそれぞれ接続するように
放射状に配されて没設されている。各ランナ37の他端
部は下側キャビティー凹部33bにそれぞれ接続されて
おり、その接続部にはゲート38がレジンをキャビティ
ー33内に注入し得るように形成されている。また、下
型32の合わせ面には逃げ凹所39がリードフレームの
厚みを逃げ得るように、多連リードフレーム11の外形
よりも若干大きめの長方形で、その厚さと略等しい寸法
の一定深さに没設されている。
【0026】トランスファ成形に際して前記構成にかか
る組立体24は、多連リードフレーム11が下型32に
没設されている逃げ凹所39内に収容され、各単位リー
ドフレーム12におけるペレット22が各キャビティー
33内にそれぞれ収容されるように配されてセットされ
る。この状態において、タブ16の下面は下型キャビテ
ィー凹部23bの底面から若干浮いた状態になる。
【0027】続いて、上型31と下型32とが型締めさ
れる。この状態において、上型キャビティー凹部33a
の天井面は組立体24の両押さえ部20、20にそれぞ
れ上側から当接することにより、タブ16の両脇を上か
ら押した状態になる。この際、両押さえ部20、20の
高さはキャビティー33の高さよりも極僅かに高くなる
ように設定されているため、タブ16の下面は下型キャ
ビティー凹部33bの底面に強く押し付けられて密着し
た状態になる。強く押し付けられて下型キャビティー凹
部33bの底面に密着したタブ16はキャビティー33
内において位置規制された状態になる。また、押さえ部
20の高さはキャビティー33の高さよりも極僅かに高
くなるように設定されているため、押さえ部20に発生
する応力が最小限度に抑制される。
【0028】その後、レジン40がポット34からプラ
ンジャ35によってランナ37およびゲート38を通じ
て各キャビティー33に送給されて注入される。キャビ
ティー33に注入されたレジン40によってペレット2
2は横方向への力を付勢される状態になるが、タブ16
が両押さえ部20、20によって下型キャビティー凹部
33bの底面に押し付けられているため、タブ16すな
わちペレット22が遊動することはない。したがって、
タブ16の遊動に伴って発生するタブ16の変位や、ワ
イヤ23の樹脂封止体25からの露出およびワイヤ23
のペレット22との短絡不良等は未然に回避されること
になる。
【0029】また、キャビティー33に注入されたレジ
ン40はタブ16の下面の下側に回り込もうとするが、
タブ16が両押さえ部20、20によって下側キャビテ
ィー凹部33bの下面に強く押し付けられて確実に密着
されているため、レジン40がタブ16の下側に回り込
むことは確実に防止される。したがって、レジン40の
回り込みによる樹脂封止体25の封止不良や外観不良等
の発生を防止することができ、歩留りの低下等の問題点
を未然に回避することができる。
【0030】注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止体
25が成形されると、上型31および下型32は型開き
されるとともに、エジェクタ・ピン(図示せず)により
樹脂封止体25群が離型される。
【0031】以上のようにして組立体24に樹脂封止体
25群が成形されることにより、図5に示されている成
形体26が製造された状態になる。成形体26における
各樹脂封止体25の内部には、タブ16、ペレット2
2、インナリード18、ワイヤ23および押さえ部20
が樹脂封止された状態になっており、タブ16の下面は
樹脂封止体25の下面において露出した状態になってい
る。前述した通り、樹脂のタブ16の下側への回り込み
は確実に防止されているため、樹脂封止体25の下面に
おいてタブ16の下面に均等に露出した状態になってお
り、タブ16の周辺部には薄い樹脂ばり(所謂レジンフ
ラッシュ)も発生していない。
【0032】樹脂封止体25の上面における両方の短辺
の中央部には、各押さえ部20の上面が露出した状態に
なっている。すなわち、樹脂封止体25の上面には押さ
えた痕跡として穴が開設されるのではなく、押さえ部2
0の上面が樹脂封止体25の上面と面一になった状態で
露出しているだけである。したがって、樹脂封止体25
の外観性能や耐湿性は低下されることがない。また、両
押さえ部20、20はタブ16の両側端辺からそれぞれ
切り起こされて形成された部材であるため、樹脂封止体
25に樹脂封止された押さえ部20は切り起こし孔20
aと共に、タブ16の両端部においてアンカー(投錨)
した状態になっている。つまり、タブ16は両押さえ部
20、20によって樹脂封止体25にアンカーされてい
るため、タブ16と樹脂封止体25との熱膨張係数差を
起因とする機械的応力によって樹脂封止体25にクラッ
クが発生する現象は防止されることになる。
【0033】その後、リード切断成形工程(図示せず)
において、各単位リードフレーム毎に外枠13、セクシ
ョン枠14およびダム17aが切り落とされるととも
に、各アウタリード19がガル・ウイング形状に屈曲さ
れる。この際、放熱板15の一部は放熱リード27とし
て樹脂封止体25の外部に突出され、各放熱リード27
はアウタリード19に対応するようにガル・ウイング形
状に屈曲される。以上のようにして、図1に示されてい
る前記構成に係るSOP・IC28が製造されたことに
なる。
【0034】以上説明した前記実施の形態によれば、次
の効果が得られる。
【0035】 樹脂封止体の成形に際して、放熱板に
切り起こし成形された押さえ部をキャビティーの天井面
によって押してタブをキャビティーの底面に押し付ける
ことにより、タブの下面を樹脂封止体の下面において露
出させることができるため、SOP・ICの放熱性能が
高めることができる。
【0036】 押さえ部によってタブを下側キャビテ
ィー凹部の底面に強く押し付けて確実に密着させること
により、レジンがタブの下側に回り込むことを防止する
ことができるため、レジンの回り込みによる樹脂封止体
の封止不良や外観不良等の発生を防止することができ、
歩留りの低下等の問題点を未然に回避することができ
る。
【0037】 放熱板に切り起こした押さえ部をキャ
ビティーの天井面によって押してタブを下型キャビティ
ー凹部の底面に押し付けることにより、押さえ部痕が穴
になるのを回避することができるため、押さえ部痕によ
ってタブやペレットの耐湿性能が低下されるのを防止す
ることができる。
【0038】 押さえ部によってタブを樹脂封止体に
アンカーすることにより、タブと樹脂封止体との熱膨張
係数差を起因とする機械的応力によって樹脂封止体にク
ラックが発生する現象は防止することができるため、樹
脂封止体の耐湿性を高めることができる。
【0039】 SOP・ICの樹脂封止体の成形に際
して、タブを下型キャビティー凹部の底面に押し付ける
ことにより、キャビティーに注入されたレジンによって
タブが遊動されるのを防止することができるため、タブ
の遊動に伴って発生するタブの変位や、ワイヤの樹脂封
止体からの露出およびワイヤのペレットとの短絡不良等
を未然に回避することができる。
【0040】 前記により、SOP・ICをさらに
薄形化させることができ、SOP・ICの品質をさらに
一層高めることができる。
【0041】図6は本発明の実施形態2であるQFP・
ICを示している。
【0042】本実施形態2が前記実施形態1と異なる点
は、クワッド・フラット・パッケージを備えているIC
(以下、QFP・ICという。)29として構成されて
おり、四角形のタブ16Aの四隅に押さえ部50がそれ
ぞれ突設されて立ち上がるように屈曲されており、各押
さえ部50の上端面が樹脂封止体25Aの上面における
四隅において露出されている点である。すなわち、樹脂
封止体25Aの樹脂封止成形に際して、タブ16Aの四
隅の各押さえ部50がキャビティーの天井面によって押
されることにより、タブ16Aが樹脂封止体25Aの裏
面において露出されている。
【0043】本実施形態においても、押さえ部50がキ
ャビティーの天井面によって押されることにより、タブ
16Aが樹脂封止体25Aの裏面において露出されてい
るため、前記実施形態と同様の作用効果が得られる。
【0044】図7は本発明の実施形態3であるヒートシ
ンク付きQFP・ICを示している。
【0045】本実施形態3が前記実施形態1と異なる点
は、ヒートシンク付きクワッド・フラット・パッケージ
を備えているIC(以下、HQFP・ICという。)2
9Aとして構成されており、四辺形のタブ16Aの四辺
に連結された各放熱板15Aに押さえ部20がそれぞれ
切り起こし成形され、これら押さえ部20の上端面が樹
脂封止体25Aの上面における四辺において露出されて
いる点である。すなわち、樹脂封止体25Aの樹脂封止
成形に際して、四箇所の放熱板15Aの押さえ部20が
キャビティーの天井面によって押されることにより、タ
ブ16Aが樹脂封止体25Aの裏面において露出されて
いる。なお、放熱板15Aの樹脂封止体25Aから突出
された部分はガル・ウイング形状の放熱フィン27Aと
して形成されている。
【0046】本実施形態においても、押さえ部20がキ
ャビティーの天井面によって押されることにより、タブ
16Aが樹脂封止体25Aの裏面において露出されてい
るため、前記実施形態と同様の作用効果が得られる。
【0047】本実施形態においては、放熱板15Aの樹
脂封止体25Aから外部に突出された部分にはガル・ウ
イング形状に屈曲された放熱フィン27Aが形成されて
いるため、放熱性能はより一層高められる。
【0048】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0049】例えば、押さえ部はタブに対して直角に立
ち上がるに限らず、タブに対して傾斜させてもよい。押
さえ部を傾斜させた場合には、押さえ部がキャビティー
の天井面で押さえられた際に傾斜角度を変更することに
より、過度の押さえ力を逃がすことができるため、押さ
え部の変形やキャビティー面の損傷を防止することがで
きる。
【0050】樹脂封止体の一主面に露出させたタブの一
主面には放熱フィンを付設してもよい。
【0051】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるSOP
・ICおよびQFP・ICに適用した場合について主に
説明したが、それに限定されるものではなく、その他の
表面実装形樹脂封止パッケージICや、挿入形樹脂封止
パッケージIC等の樹脂封止パッケージを備えている半
導体装置全般に適用することができる。特に、本発明は
薄形の樹脂封止パッケージを備えている半導体装置に適
用して優れた効果を得ることができる。
【0052】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【0053】樹脂封止体の成形に際して、タブに連結さ
れた押さえ部をキャビティーによって押してタブをキャ
ビティーの底面に押し付けることにより、タブの下面を
樹脂封止体の下面において露出させることができるた
め、半導体装置の放熱性能を高めることができる。
【0054】放熱板に切り起こした押さえ部をキャビテ
ィーの天井面によって押してタブを下型キャビティー凹
部の底面に押し付けることにより、押さえ部痕が穴にな
るのを回避することができるため、押さえ部痕によって
タブやペレットの耐湿性能が低下されるのを防止するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態であるSOP・ICを示し
ており、(a)は左側半分が一部省略底面図および右側
半分が一部省略平面図、(b)は一部切断正面図 、
(c)は一部切断側面図である。
【図2】そのSOP・ICの製造方法に使用される多連
リードフレームを示す一部省略平面図である。
【図3】ペレットおよびワイヤ・ボンディング工程後を
示しており、(a)は一部省略平面図、(b)は正面断
面図である。
【図4】樹脂封止体の成形工程を示しており、(a)は
一部省略正面断面図、(b)は(a)のb−b線に沿う
断面図、(c)は(a)のc−c線に沿う断面図であ
る。
【図5】樹脂封止体成形後の組立体を示しており、
(a)は左側半分が一部省略底面図および右側半分が一
部省略平面図、(b)は一部切断正面図である。
【図6】本発明の実施形態2であるQFP・ICを示し
ており、(a)は上側半分が一部切断平面図および下側
半分が底面図、(b)は一部切断正面図、(c)は対角
線に沿う一部省略側面断面図である。
【図7】本発明の実施形態3であるヒートシンク付きQ
FP・ICを示しており、(a)は上側半分が平面断面
図および下側半分が底面図、(b)は正面断面図であ
る。
【符号の説明】
11…多連リードフレーム、12…単位リードフレー
ム、13…外枠、14…セクション枠、15、15A…
放熱板、16、16A…タブ、17…ダム部材、17a
…ダム、18…インナリード、19…アウタリード、2
0…押さえ部、20a…切り起こし孔、20b…舌片、
21…ボンディング層、22…ペレット、22a…ボン
ディングパッド、23…ワイヤ、24…組立体、25、
25A…樹脂封止体、26…樹脂封止体成形後の成形
体、27…放熱リード、27A…放熱フィン、28…S
OP・IC(半導体装置)、29…QFP・IC(半導
体装置)、29A…HQFP・IC(半導体装置)、3
0…トランスファ成形装置、31…上型、32…下型、
33…キャビティー、33a…上型キャビティー凹部、
33b…下型キャビティー凹部、34…ポット、35…
プランジャ、36…カル、37…ランナ、38…ゲー
ト、39…逃げ凹所、40…レジン、41…樹脂封止体
吊りリード、50…押さえ部。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ペレットと、半導体ペレットがボ
    ンディングされたタブと、各アウタリードにそれぞれ連
    結されて半導体ペレットに電気的に接続された複数本の
    インナリードと、半導体ペレット、タブおよび各インナ
    リードを樹脂封止した樹脂封止体とを備えている半導体
    装置において、 前記タブに連結された放熱板に押さえ部が形成され、こ
    の押さえ部が前記樹脂封止体の成形に際して前記樹脂封
    止体の厚さ方向に押されて前記タブの一主面が前記樹脂
    封止体の一主面にて露出されていることを特徴とする半
    導体装置。
  2. 【請求項2】 前記押さえ部が前記樹脂封止体のタブ露
    出側と反対側の主面にて露出していることを特徴とする
    請求項1に記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記押さえ部が前記放熱板の中間部に切
    り起こし成形されていることを特徴とする請求項1また
    は2に記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 前記放熱板の一部が前記樹脂封止体の外
    部に突出されており、この突出部分が前記アウタリード
    に対応するように形成されて配列された放熱リードとし
    て構成されていることを特徴とする請求項1、2または
    3に記載の半導体装置。
  5. 【請求項5】 半導体ペレットと、半導体ペレットがボ
    ンディングされたタブと、各アウタリードにそれぞれ連
    結されて半導体ペレットに電気的に接続された複数本の
    インナリードと、半導体ペレット、タブおよび各インナ
    リードを樹脂封止した樹脂封止体とを備えている半導体
    装置において、 前記タブに押さえ部が形成され、この押さえ部が前記樹
    脂封止体の成形に際して前記樹脂封止体の厚さ方向に押
    されて前記タブの一主面が前記樹脂封止体の一主面にて
    露出されていることを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項6】 前記押さえ部が前記樹脂封止体のタブ露
    出側と反対側の主面にて露出していることを特徴とする
    請求項5に記載の半導体装置。
  7. 【請求項7】 前記請求項1に記載の半導体装置の製造
    方法であって、前記樹脂封止体が成形型のキャビティー
    に成形用樹脂を充填されて成形される樹脂封止体成形工
    程において、 前記樹脂封止体の成形に際して、前記押さえ部が前記キ
    ャビティーによって前記樹脂封止体の厚さ方向に押され
    て前記タブをキャビティーの底面に押し付けることを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記タブがタブ下げされていることを特
    徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項9】 前記請求項7に記載の半導体装置の製造
    方法であって、前記樹脂封止体が成形型のキャビティー
    に成形用樹脂を充填されて成形される樹脂封止体成形工
    程において、 前記樹脂封止体の成形に際して、前記押さえ部が前記キ
    ャビティーによって前記樹脂封止体の厚さ方向に押され
    て前記タブをキャビティーの底面に押し付けることを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2005311214A (ja) * 2004-04-26 2005-11-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005311214A (ja) * 2004-04-26 2005-11-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4515810B2 (ja) * 2004-04-26 2010-08-04 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法

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