JPH11260446A

JPH11260446A - 積層型コネクターおよび回路装置検査用アダプター装置

Info

Publication number: JPH11260446A
Application number: JP6000998A
Authority: JP
Inventors: Kazumi Hanawa; 一美塙
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 1998-03-11
Filing date: 1998-03-11
Publication date: 1999-09-24

Abstract

(57)【要約】【課題】配線部を大きい自由度で容易に形成すること
ができ、接続信頼性の高い積層型コネクターおよびこの
積層型コネクターを具えた回路基板検査用アダプター装
置を提供すること。【解決手段】積層型コネクターは、下部側基板、絶縁
性接着層および上部側基板が一体的に積層され、下部側
基板は、上面に形成された下部側配線部と、下部側メタ
ルランドと、下部側基板をその厚み方向に貫通して伸び
る下部側短絡部とを有し、上部側基板は、下面に形成さ
れた上部側配線部と、下部側メタルランドに対応して配
置された上部側メタルランドと、上部側基板をその厚み
方向に貫通して伸びる上部側短絡部とを有し、絶縁性接
着層は、弾性基体およびその表面に設けられた導電膜よ
りなる、厚み方向に伸びる弾性短絡部を有し、弾性短絡
部の導電膜によって、下部側メタルランドが上部側メタ
ルランドに電気的に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層型コネクター
およびこの積層型コネクターを具えた回路装置検査用ア
ダプター装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路においては、その
高機能化、高容量化に伴って電極数が増加し、電極の配
列ピッチすなわち隣接する電極の中心間距離が小さくな
って高密度化する傾向にある。また、このような半導体
集積回路を搭載するためのプリント回路基板において
は、図２７に示すように、プリント回路基板９０の中央
部に機能素子が高度の集積度で形成された機能素子領域
９１が設けられると共に、その周縁部に機能素子領域９
１のための多数のリード電極９２が配列されてなるリー
ド電極領域９３が形成される。そして、現在において
は、機能素子領域９１の集積度の増大に伴ってリード電
極領域９３のリード電極数が増加し高密度化する傾向に
ある。

【０００３】このような半導体集積回路やプリント回路
基板などの回路装置の電気的検査においては、検査対象
である回路装置の被検査電極と電気的検査装置との電気
的接続を行うために、絶縁性基板の一面に例えば格子点
位置に配置された端子電極を有し、他面に回路装置の被
検査電極に対応する接続電極を有するアダプターが用い
られており、更に、当該アダプターと回路装置との間に
異方導電性エラストマーシートを介在させることが行わ
れている。この異方導電性エラストマーシートは、厚さ
方向にのみ導電性を示すもの、あるいは加圧されたとき
に厚さ方向にのみ導電性を示す多数の加圧導電性導電部
を有するものであり、種々の構造のものが例えば特公昭
５６−４８９５１号公報、特開昭５１−９３３９３号公
報、特開昭５３−１４７７７２号公報、特開昭５４−１
４６８７３号公報などにより、知られている。

【０００４】然るに、上記の異方導電性エラストマーシ
ートは、それ自体が単独の製品として製造され、また単
独で取り扱われるものであって、電気的接続作業におい
ては回路装置に対して特定の位置関係をもって保持固定
することが必要である。しかしながら、独立した異方導
電性エラストマーシートを利用して回路装置の電気的接
続を達成する手段においては、検査対象である回路装置
における被検査電極の配列ピッチ（以下「電極ピッチ」
という。) 、すなわち互いに隣接する被検査電極の中心
間距離が小さくなるに従って異方導電性シートの位置合
わせおよび保持固定が困難となる、という問題点があ
る。

【０００５】また、一旦は所望の位置合わせおよび保持
固定が実現された場合においても、温度変化による熱履
歴を受けた場合などには、熱膨張および熱収縮による応
力の程度が、検査対象である回路装置を構成する材料と
異方導電性エラストマーシートを構成する材料との間で
異なるため、電気的接続状態が変化して安定な接続状態
が維持されない、という問題点がある。

【０００６】更に、検査対象である回路装置に対して安
定な接続状態が維持され得るとしても、例えば実装密度
の高いプリント回路基板のように、複雑で微細なパター
ンの被検査電極群を有する回路装置に対しては、当該被
検査電極の各々との電気的な接続を確実に達成すること
が困難であるため、所要の検査を十分に行うことができ
ない、という問題点がある。

【０００７】そして、従来、以上のような問題を解決す
るために、下面に規格化された標準格子点上に配置され
た端子電極を有し、上面に検査対象回路装置の被検査電
極に対応するパターンに従って配置された接続用電極を
有するアダプター本体と、このアダプター本体の上面上
に一体的に設けられた異方導電性エラストマー層とより
なる回路装置検査用アダプター装置が提案されている。

【０００８】このような回路装置検査用アダプター装置
によれば、検査対象である回路装置におけるリード電極
などの被検査電極が、電極ピッチが微小であり、かつ微
細で高密度の複雑なパターンのものである場合にも、当
該回路装置について所要の電気的接続を確実に達成する
ことができ、また温度変化による熱履歴などの環境の変
化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、
従って高い接続信頼性が得られる。

【０００９】而して、このような回路装置検査用アダプ
ター装置においては、検査対象である回路装置の被検査
電極に対応したパターンすなわち電極ピッチが微小で複
雑なパターンの接続用電極と、例えば電極ピッチが２．
５４ｍｍまたは１．８ｍｍの標準格子点上に配置された
端子電極とを電気的に接続することが必要であるため、
アダプター本体として積層型コネクターが用いられてい
る。かかる積層型コネクターは、例えば次のようにして
製造される。

【００１０】図２８に示すように、上部側配線部７１お
よび下部側配線部７２が形成された基板７０の上側に、
熱硬化性樹脂シート７３および銅箔７４をこの順に重ね
て配置すると共に、基板７０の下側にも熱硬化性樹脂シ
ート７５および銅箔７６をこの順に重ねて配置し、これ
らの全体を加圧下で加熱して熱硬化性樹脂シート７３お
よび熱硬化性樹脂シート７５を硬化することにより圧着
させ、これにより、図２９に示すように、基板７０の上
面に上部絶縁材層７７を介して銅箔７４による金属薄層
が形成され、かつ下面に下部絶縁材層７８を介して銅箔
７６による金属薄層が形成されてなる圧着積層型基板７
９を形成する。

【００１１】この圧着積層型基板７９に対し、図３０に
示すように、例えば数値制御型ドリリング装置により、
上部側配線部７１および下部側配線部７２の形成位置に
関連した位置において、当該圧着積層型基板７９の厚さ
方向に貫通して伸びるスルーホール用穴８０Ｈが形成さ
れる。次いで、図３１に示すように、無電解銅メッキ
法、電解銅メッキ法などによりスルーホール用穴８０Ｈ
内に銅メッキ層が形成されて、銅箔７４による金属薄層
および銅箔７６による金属薄層、上部側配線部７１およ
び下部側配線部７２に接続された状態で伸びるスルーホ
ールによる短絡部８０が形成される。そして、当該圧着
積層型基板７９の上面の銅箔７４および下面の銅箔７６
による金属薄層を、例えばフォトエッチング法によって
パターニングすることにより、それぞれ接続用電極およ
び端子電極が形成される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな積層型コネクターにおいては、短絡部８０が当該積
層型コネクター全体を貫通するスルーホールによるもの
であるため、基板７０の上部側配線部７１および下部側
配線部７２を大きい自由度で形成することができない。
従って、検査対象である回路装置の被検査電極が極めて
高密度のものである場合において、これに対応する積層
型コネクターを製造するためには、積層数を増やすこと
が必要となり、配線設計に要する時間および費用、積層
型コネクターの製造に要する時間および費用が多大なも
のとなる。そのため、従来においては、上面に接続用電
極を有する基板と、下面に端子電極を有する基板とを用
い、これらの基板の間に異方導電性シートを介在させて
両者を電気的に接続することが行われているが、２つの
基板の間の安定な接続状態を維持することできないた
め、所要の検査を十分に行うことが困難であった。

【００１３】本発明は、以上のような事情に基づいてな
されたものであって、回路装置の検査に用いられる積層
型コネクターであって、検査対象回路装置におけるリー
ド電極などの被検査電極が、電極ピッチが微小であり、
かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである場合に
も、配線部を大きい自由度でかつ容易に形成することが
でき、しかも、所要の電気的接続が確実に達成されて接
続信頼性の高い積層型コネクターを提供することにあ
る。本発明の第２の目的は、検査対象回路装置における
リード電極などの被検査電極が、電極ピッチが微小であ
り、かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである場
合にも、当該回路装置について所要の電気的接続を確実
に達成することができ、また温度変化による熱履歴など
の環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に
維持され、従って接続信頼性の高い回路装置検査用アダ
プター装置を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の積層型コネクタ
ーは、下部側基板と、この下部側基板の上面に絶縁性接
着層を介して一体的に積層された上部側基板とを具えて
なり、前記下部側基板は、その上面に形成された下部側
配線部と、この下部側配線部に接続された下部側メタル
ランドと、前記下部側配線部に接続された、当該下部側
基板をその厚み方向に貫通して伸びる下部側短絡部とを
有してなり、前記上部側基板は、その下面に形成された
上部側配線部と、この上部側配線部に接続された、前記
下部側基板の下部側メタルランドに対応して配置された
上部側メタルランドと、前記上部側配線部に接続され
た、当該上部側基板をその厚み方向に貫通して伸びる上
部側短絡部とを有してなり、前記絶縁性接着層は、前記
下部側基板の下部側メタルランドと前記上部側基板の上
部側メタルランドとの間の位置に、エラストマー材料よ
りなる弾性基体およびその表面に設けられた導電膜によ
り構成された、当該絶縁性接着層の厚み方向に貫通して
伸びる弾性短絡部を有してなり、前記絶縁性接着層の弾
性短絡部の導電膜によって、前記下部側基板の下部側メ
タルランドが前記上部側基板の上部側メタルランドに電
気的に接続されていることを特徴とする。

【００１５】本発明の回路装置検査用アダプター装置
は、検査対象回路装置と電気的検査装置との間に介在さ
れて当該回路装置の電極の電気的接続を行う回路装置検
査用アダプター装置であって、上面に検査対象回路装置
の被検査電極に対応して配置された接続用電極を有し、
下面に格子点上に配置された端子電極を有するアダプタ
ー本体と、このアダプター本体の上面に一体的に設けら
れた異方導電性エラストマー層とよりなり、前記アダプ
ター本体は、上記の積層型コネクターを具えてなり、当
該上部側基板の上部側短絡部は、前記接続用電極に電気
的に接続され、当該下部側基板の下部側短絡部は、前記
端子電極に電気的に接続されていることを特徴とする。

【００１６】

【作用】本発明の積層型コネクターによれば、それぞれ
独立して形成される、下部側配線部を有する下部側基板
および上部側配線部を有する上部側基板が、絶縁性接着
層を介して一体的に積層されることにより構成されてい
るため、短絡部の形成は各基板ごとに行うことができ、
従って、当該積層型コネクター全体を貫通するスルーホ
ールによる短絡部を形成することが不要となるので、各
基板における配線部を大きい自由度でかつ容易に形成す
ることができる。しかも、絶縁性接着層には、エラスト
マー材料よりなる弾性基体およびその表面に設けられた
導電膜により構成された、当該絶縁性接着層の厚み方向
に伸びる弾性短絡部が設けられているため、当該弾性短
絡部が下部側基板の下部側メタルランドまたは上部側基
板の上部側メタルランドに弾性的に接触されることによ
り、当該弾性短絡部の導電膜によって下部側基板と上部
側基板との電気的接続が確実に達成されて高い接続信頼
性を得ることができる。

【００１７】そして、このような積層型コネクターは、
下記の工程（イ）、工程（ロ）、工程（ハ）、工程
（ニ）および工程（ホ）を経由して製造することができ
る。工程（イ）：下部側基板の上面に、下部側配線部および
この下部側配線部に接続された下部側メタルランドを形
成すると共に、前記下部側配線部に接続された、当該下
部側基板をその厚み方向に貫通して伸びる下部側短絡部
を形成する工程。工程（ロ）：上部側基板の下面に、上部側配線部および
この上部側配線部に接続された上部側メタルランドを形
成すると共に、前記上部側配線部に接続された、当該上
部側基板をその厚み方向に貫通して伸びる上部側短絡部
を形成する工程。工程（ハ）：導電膜形成用転写板を用意し、この導電膜
形成用転写板の一面に、上部側基板の上部側メタルラン
ドと対掌なパターンに従って配置された有底筒状の導電
膜用金属部材を形成し、この導電膜用金属部材が形成さ
れた導電膜形成用転写板の一面に、硬化されて絶縁性の
弾性高分子物質となる高分子物質用材料を塗布すること
により、当該導電膜用金属部材が埋設された状態の高分
子物質用材料層を形成する工程。工程（ニ）：導電膜形成用転写板の一面上に形成された
導電膜用金属部材および高分子物質用材料層を上部側基
板の下面に転写すると共に、当該高分子物質用材料層の
硬化処理を行うことにより、前記上部側基板の下面に、
エラストマー材料よりなる絶縁性接着層の上層部分を一
体的に形成すると共に、前記上部側メタルランドの表面
に、エラストマー材料よりなる弾性基体と、この弾性基
体の表面に形成され、当該上部側メタルランドに接続さ
れた導電膜とよりなる弾性短絡部を、当該絶縁性接着層
の上層部分の下面から突出するよう形成する工程。工程（ホ）：絶縁性接着層の上層部分の下面に、熱硬化
性樹脂シートを介して、下部側基板をその下部側メタル
ランド上に弾性短絡部が位置されるよう配置し、この状
態で熱圧着処理することにより、前記上層部分および前
記熱硬化性樹脂シートが硬化して当該上層部分に一体的
に形成される下層部分よりなる絶縁性接着層によって前
記下部側基板と上部側基板とを接着すると共に、当該下
部側基板の下部側メタルランドに弾性短絡部を弾性的に
接触させる工程。

【００１８】本発明のアダプター装置によれば、アダプ
ター本体が上記の積層型コネクターを具えてなるもので
あり、その上面に形成された検査対象回路装置の被検査
電極に対応して配置された接続用電極が上部側短絡部に
電気的に接続されると共にその下面に格子点上に配置さ
れた端子電極が下部側短絡部に電気的に接続されてお
り、しかもアダプター本体の配線層部分の表面上には異
方導電性エラストマー層が設けられているため、検査対
象である回路装置の被検査電極が、電極ピッチが微小で
あり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである
場合にも、当該回路装置について所要の電気的接続を確
実に達成することができ、また温度変化による熱履歴な
どの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定
に維持され、従って高い接続信頼性を得ることができ
る。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１は、本発明の積層型コネクターの一例
における構成を示す説明用断面図である。この積層型コ
ネクターは、下部側基板１０と、この下部側基板１０の
上面に絶縁性接着層３０を介して一体的に積層された上
部側基板２０とにより構成されている。下部側基板１０
および上部側基板２０の材質は、寸法安定性の高い耐熱
性材料よりなる板状体であることが好ましく、各種の絶
縁性樹脂を使用することができるが、特にガラス繊維補
強型エポキシ樹脂が最適である。

【００２０】図２にも拡大して示すように、下部側基板
１０の上面には、適宜のパターンに従って下部側配線部
１１が形成され、当該下部側基板１０の上面における適
宜の個所に、下部側メタルランド１２が当該下部側基板
１０の上面から突出する状態に形成されており、当該下
部側メタルランド１２は、下部側配線部１１に接続され
ている。この下部側メタルランド１２の径は、例えば
０．０８〜０．５ｍｍであり、その厚み（下部側基板１
０の上面からの突出高さをいう。）は例えば１０〜５０
μｍである。また、下部側基板１０には、その厚み方向
に貫通して伸びる下部側短絡部１３が形成されており、
この下部側短絡部１３の上端には、下部側配線部１１が
接続されている。また、この例においては、下部側基板
１０の下面に、検査用テスターに適宜の手段によって電
気的に接続される端子電極１４が格子点上に配置されて
設けられており、この端子電極１４は、下部側短絡部１
３の下端に接続されている。端子電極１４に係る格子点
間の距離、すなわち端子電極１４の電極ピッチは、特に
限定されるものではなく、検査の条件に応じて適宜の大
きさとすることができるが、例えば２．５４ｍｍまたは
１．８ｍｍである。

【００２１】上部側基板２０の下面には、適宜のパター
ンに従って上部側配線部２１が形成されると共に、下部
側基板１０の下部側メタルランド１２に対応する位置
に、上部側メタルランド２２が当該上部側基板２０の下
面から突出する状態に形成されており、当該上部側メタ
ルランド２２は、上部側配線部２１に接続されている。
この上部側メタルランド２２の径は、例えば０．０８〜
０．５ｍｍであり、その厚み（上部側基板２０の下面か
らの突出高さをいう。）は例えば１０〜５０μｍであ
る。また、上部側基板２０には、その厚み方向に貫通し
て伸びる上部側短絡部２３が形成されており、この上部
側短絡部２３の下端には、上部側配線部２１が接続され
ている。また、この例においては、上部側基板２０の上
面に、検査対象である回路装置の被検査電極（図示省
略）のパターンに対応した位置に配置された接続用電極
２４が、当該上面から突出する状態に形成されている。
この接続用電極２４は、下部側短絡部２３の上端に直接
または上面配線部２５を介して接続されている。

【００２２】この例における絶縁性接着層３０は、エラ
ストマー材料よりなる弾性を有する上層部分３４と、こ
の上層部分３４の下面に熱圧着によって硬化された熱硬
化性樹脂シートにより一体的に形成された剛性を有する
下層部分３５とにより構成されている。

【００２３】この絶縁性接着層３０には、下部側基板１
０の下部側メタルランド１２と上部側基板２０の上部側
メタルランド２２との間の位置に、当該絶縁性接着層３
０をその厚み方向に貫通して伸びる弾性短絡部３１が形
成されている。この弾性短絡部３１は、エラストマー材
料よりなる円柱状の弾性基体３２と、この弾性基体３２
の表面に設けられた金属製の導電膜３３とにより構成さ
れている。図示の例の導電膜３３は、全体が有底円筒状
の形状を有すると共にその上端に鍔部を有し、その筒孔
内に弾性基体３２が嵌合されて当該弾性基体３２の下面
および側周面を覆うよう設けられており、その鍔部が上
部側基板２０の上部側メタルランド２２に接続されてい
る。そして、絶縁性接着層３０の弾性短絡部３１の下端
面が、下部側基板１０の下部側メタルランド１２に弾性
的に接触されることにより、当該弾性短絡部３１の導電
膜３３によって当該下部側メタルランド１２が上部側メ
タルランド２２に電気的に接続されている。絶縁性接着
層３０の弾性短絡部３１は、下部側基板１０の下部側メ
タルランド１２および上部側基板２０の上部側メタルラ
ンド２２の各々に圧接された状態で、すなわち下部側メ
タルランド１２および上部側メタルランド２２に加圧さ
れることによって当該弾性短絡部３１が厚み方向に圧縮
されるよう変形した状態で接触されていることが好まし
く、これにより、下部側メタルランド１２と上部側メタ
ルランド２２との電気的接続が確実に達成される。な
お、下部側基板１０の下部側配線部１１および上部側基
板２０の上部側配線部２１は、図１または図２におい
て、いずれも紙面と交わる方向に伸びる状態に形成され
得ることは勿論であって、図３にはそのような状態が示
されている。

【００２４】このように、図１に示す積層型コネクター
においては、上部側基板２０の上面に形成された接続用
電極２４の各々が、上部側短絡部２３、上部側配線部２
１、上部側メタルランド２２、弾性短絡部３１、下部側
メタルランド１２、下部側配線部１１および下部側短絡
部１３を介して、下部側基板１０の下面に形成された端
子電極１４と電気的に接続されている。

【００２５】実際の構成において、接続用電極２４と端
子電極１４との電気的な接続は回路装置の検査目的に応
じた態様で達成されればよい。従って、すべての接続用
電極２４と端子電極１４とが必ず１対１の対応関係で接
続される必要はなく、端子電極１４、下部側配線部１
１、下部側メタルランド１２、上部側メタルランド２
２、上部側配線部２１および接続用電極２４について種
々の要請される接続状態を実現することができる。例え
ば、上面配線部２５を利用して接続用電極２４同士を接
続すること、複数の接続用電極２４を１つの上部側配線
部２１に共通に接続すること、その他が可能である。

【００２６】本発明においては、下部側メタルランド１
２および上部側メタルランドの厚みの合計は、絶縁性接
着層３０の厚みの１０〜９０％であることが好ましい。
また、絶縁性接着層３０の弾性短絡部３１の径は、下部
側メタルランド１２および上部側メタルランドの径の５
〜２００％であることが好ましい。このような条件を満
足することにより、絶縁性接着層３０の弾性短絡部３１
が、下部側メタルランド１２または上部側メタルランド
２２に十分に圧接された状態で接触され、その結果、下
部側メタルランド１２と上部側メタルランド２２との電
気的接続が確実に達成される。

【００２７】以上において、絶縁性接着層３０における
弾性短絡部３１の弾性基体３２を構成するエラストマー
材料としては、架橋構造を有する高分子物質が好まし
い。架橋高分子物質を得るために用いることができる硬
化性の高分子物質用材料としては、例えばシリコーンゴ
ム、ポリブタジエン、天然ゴム、ポリイソプレン、スチ
レン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブ
タジエン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン共重合体
ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、クロロプレ
ンゴム、エピクロルヒドリンゴム、軟質液状エポキシ樹
脂などを挙げることができる。

【００２８】具体的には、硬化処理前には液状であっ
て、硬化処理後に導電膜３３を構成する金属材料と密着
状態または接着状態を保持して一体となる高分子物質用
材料が好ましい。このような観点から、本発明に好適な
高分子物質用材料としては、液状シリコーンゴム、液状
ウレタンゴム、軟質液状エポキシ樹脂などを挙げること
ができる。高分子物質用材料には、導電膜３３を構成す
る金属材料に対する接着性を向上させるために、シラン
カップリング剤、チタンカップリング剤などの添加剤を
添加することができる。

【００２９】導電膜３３を構成する金属材料としては、
種々のものを用いることができるが、後述する方法によ
り導電膜３３を形成する場合には、金、銀、パラジウ
ム、ロジウムなどの耐蝕性金属材料が用いられる。ま
た、弾性基体３２との接着性を高めるために、導電膜３
３の裏面（弾性基体３２との接触面）に、弾性基体３２
を構成するエラストマー材料に応じて適宜のプライマー
処理を行うことができる。絶縁性接着層３０の上層部分
３４を構成するエラストマー材料としては、弾性基体３
２を構成するエラストマー材料として例示したものと同
様のものを用いることができる。また、絶縁性接着層３
０の下層部分３５を形成する熱硬化性樹脂シートとして
は、硬化処理によって寸法安定性の高い耐熱性樹脂とな
るものを用いることが好ましく、各種の樹脂シートを使
用することができるが、ガラス繊維補強型エポキシプリ
プレグ樹脂シートやポリイミドプリプレグ樹脂シートが
好ましい。

【００３０】上記のような積層型コネクターによれば、
それぞれ独立して形成される、下部側配線部１１を有す
る下部側基板１０および上部側配線部２１を有する上部
側基板２０が、絶縁性接着層３０を介して一体的に積層
されることにより構成されているため、下部側短絡部１
３および上部側短絡部２３の形成は各基板ごとに行うこ
とができ、従って、当該積層型コネクター全体を貫通す
るスルーホールによる短絡部を形成することが不要とな
るので、下部側配線部１１および上部側配線部２１を大
きい自由度でかつ容易に形成することができる。しか
も、絶縁性接着層３０には、エラストマー材料よりなる
弾性基体３２およびその表面に設けられた導電膜３３に
より構成された、当該絶縁性接着層３０の厚み方向に伸
びる弾性短絡部３１が設けられているため、当該弾性短
絡部３１が下部側基板１０の下部側メタルランド１２ま
たは上部側基板２０の上部側メタルランド２２に弾性的
に接触されることにより、当該弾性短絡部３１の導電膜
３３によって下部側基板１０と上部側基板２０との電気
的接続が確実に達成されて高い接続信頼性を得ることが
できる。

【００３１】次に、本発明の積層型コネクターを製造す
る方法について説明する。この積層型コネクターの製造
方法は、下記の工程（イ）、工程（ロ）、工程（ハ）、
工程（ニ）および工程（ホ）を有する。

【００３２】工程（イ）この工程（イ）は、図４〜図６に示すように、下部側基
板１０の上面に、下部側配線部１１および下部側メタル
ランド１２を形成すると共に、当該下部側基板１０をそ
の厚み方向に貫通して伸びる下部側短絡部１３が形成す
る工程である。具体的に説明すると、図４に示すよう
に、例えば銅などよりなる金属薄層１１Ａおよび１４Ａ
が両面に積層して設けられた硬質樹脂よりなる平板状の
下部側基板１０が用意され、この下部側基板１０に対
し、例えば数値制御型ドリリング装置により、図５に示
すようにスルーホール用穴１３Ｈが形成される。

【００３３】次に、上記下部側基板１０に対し、図６に
示すように、無電解銅メッキ、電解銅メッキを施すこと
により、スルーホール用穴１３Ｈの内部を銅の堆積体に
よって充填し、これにより、下部側基板１０を貫通して
伸びる下部側短絡部１３が形成される。また、下部側基
板１０の上面の金属薄層１１Ａに対してフォトリソグラ
フィーおよびエッチング処理を施してその一部を除去す
ることにより、最終的に得るべき態様に応じたパターン
の下部側配線部１１が形成される。更に、図７にも拡大
して示すように、下部側基板１０の上面の下部側配線部
１１における適宜の個所において、フォトリソグラフィ
ーおよび電解銅メッキの手法により、下部側配線部１１
に接続された薄板状の金属堆積体が形成されて下部側メ
タルランド１２が形成される。

【００３４】一方、下部側基板１０の下面の金属薄層１
４Ａに対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処
理を施してその一部を除去することにより、格子点上に
配置された端子電極１４が各々下部短絡部１３に連結さ
れた状態で形成される。この端子電極１４の電極ピッチ
は、例えば２．５４ｍｍまたは１．８ｍｍである。

【００３５】工程（ロ）この工程（ロ）は、図８〜図１２に示すように、上部側
基板２０の下面に、上部側配線部２１および上部側メタ
ルランド２２を形成すると共に、当該上部側基板２０を
その厚み方向に貫通して伸びる上部側短絡部２３を形成
する工程である。具体的に説明すると、図８に示すよう
に、例えば銅などよりなる金属薄層２１Ａおよび２４Ａ
が両面に積層して設けられた硬質樹脂よりなる平板状の
上部側基板２０が用意され、この上部側基板２０に対
し、例えば数値制御型ドリリング装置により、図９に示
すようにスルーホール用穴２３Ｈが形成される。

【００３６】次に、上記上部側基板２０に対し、図１０
に示すように、無電解銅メッキ、電解銅メッキを施すこ
とにより、スルーホール用穴２３Ｈの内部を銅の堆積体
によって充填し、これにより、上部側基板２０を貫通し
て伸びる上部側短絡部２３が形成される。また、上部側
基板２０の下面の金属薄層２１Ａに対してフォトリソグ
ラフィーおよびエッチング処理を施してその一部を除去
することにより、最終的に得るべき態様に応じたパター
ンの上部側配線部２１が形成される。更に、上部側基板
２０の下面における下部側基板１０の下部側メタルラン
ド１２に対応する個所において、フォトリソグラフィー
および電解銅メッキの手法により、上部配線部２１に接
続された薄板状の金属堆積体が形成されて上部側メタル
ランド２２が形成される。

【００３７】一方、上部側基板２０の上面の金属薄層２
４Ａに対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処
理を施してその一部が除去されることにより、検査対象
である回路装置の被検査電極に対応したパターンの接続
用電極基層２４Ｂおよび所望の態様の上面配線部２５が
形成される。この接続用電極基層２４Ｂは、上部側短絡
部２３に直接または上面配線部２５を介して接続された
状態である。そして、図１２に示すように、上記の接続
用電極基層の上面に、例えばメッキ法により金属を堆積
させることにより、金属層としての厚みを大きくして所
要の接続用電極２４が形成される。

【００３８】工程（ハ）この工程（ハ）は、図１３〜図１６に示すように、導電
膜形成用転写板３６の一面に、上部側基板２０の上部側
メタルランド２２と対掌なパターンに従って配置された
有底筒状の導電膜用金属部材３３Ａを形成すると共に、
この導電膜用金属部材３３Ａが形成された導電膜形成用
転写板３６の一面に、硬化されて絶縁性の弾性高分子物
質となる高分子物質用材料を塗布することにより、当該
導電膜用金属部材３３Ａが埋設された状態の高分子物質
用材料層３０Ａを形成する工程である。

【００３９】具体的に説明すると、図１３に示すよう
に、金属製の導電膜形成用転写板３６の一面に、フォト
リソグラフィーおよびエッチング処理によって、上部側
基板２０の上部側メタルランド２２と対掌なパターンに
従って形成すべき弾性短絡部３１の輪郭形状に適合する
形状（図示の例では円柱状）の凹所３７が形成される。
そして、この導電膜形成用転写板３６の一面に対してフ
ォトリソグラフィーおよびメッキ処理を施すことによ
り、図１４に示すように、導電膜形成用転写板３６にお
ける凹所３７の内面および凹所３７周辺に、導電膜用金
属部材３３Ａが形成される。その後、導電膜形成用転写
板３６の一面に対してエッチング処理を施すことによっ
てその表面層部分を除去することにより、図１５に示す
ように、導電膜用金属部材３３Ａの上部が導電膜形成用
転写板３６の一面から突出した状態とされる。次いで、
導電膜形成用転写板３６の一面に、硬化されて絶縁性の
弾性高分子物質となる高分子物質用材料を塗布すること
により、当該導電膜用金属部材３３Ａが埋設された状態
の高分子物質用材料層３０Ａが形成される。

【００４０】以上において、導電膜形成用転写板３６を
構成する金属材料としては、エッチング処理に用いられ
るエッチング液に溶解し得るものであれば種々のものを
用いることができ、その具体例としては、銅、燐青銅、
真鍮、ニッケル、ステンレス（ＳＵＳ）などが挙げられ
る。また、導電膜形成用転写板３６の厚みは、例えば３
５〜３００μｍであることが好ましい。導電膜用金属部
材３３Ａにおける導電膜形成用転写板３６の一面からの
突出高さは、導電膜用金属部材３３Ａ全体の高さの８０
％以下であって５μｍ以上であることが好ましい。

【００４１】工程（ニ）：この工程（ニ）は、図１７〜
図１９に示すように、導電膜形成用転写板３６の一面上
に形成された導電膜用金属部材３３Ａおよび高分子物質
用材料層３０Ａを上部側基板２０の下面に転写すると共
に、当該高分子物質用材料層３０Ａの硬化処理を行うこ
とにより、前記上部側基板の下面に、エラストマー材料
よりなる絶縁性接着層の上層部分３４を一体的に形成す
ると共に、上部側メタルランド２２の表面に、エラスト
マー材料よりなる弾性基体３２と、この弾性基体３２の
表面に形成され、上部側メタルランド２２に接続された
導電膜３３とよりなる弾性短絡部３１を、当該絶縁性接
着層の上層部分３４の下面から突出するよう形成する工
程である。

【００４２】具体的に説明すると、図１７に示すよう
に、導電膜形成用転写板３６の一面上に形成された高分
子物質用材料層３０Ａの上面に、上部側基板２０をその
上部側メタルランド２２が導電膜用金属部材３３Ａ上に
位置されるよう配置する。そして、この状態で高分子物
質用材料層３０Ａの硬化処理を行うことにより、図１８
に示すように、上部側基板２０の下面に、エラストマー
材料よりなる絶縁性接着層の上層部分３４が形成され
て、導電膜形成用転写板３６、絶縁性接着層の上層部分
３４および上部側基板２０がこの順で積層されてなる中
間積層体が形成されると共に、当該上部側基板２０の上
部側メタルランド２２の表面に接着された、エラストマ
ー材料よりなる弾性基体３２と、この弾性基体３２の表
面に形成され、上部側メタルランド２２に接続された導
電膜３３とよりなる弾性短絡部３１が、当該絶縁性接着
層の上層部分３４の下面から突出するよう形成される。
その後、中間積層体における導電膜形成用転写板３６に
対してエッチング処理を施すことにより、図１９に示す
ように、当該中間積層体から導電膜形成用転写板３６が
除去されて絶縁性接着層の上層部分３４の下面および弾
性短絡部３１の下部における導電膜３３が露出される。

【００４３】以上において、高分子物質用材料層３０Ａ
の硬化処理は、使用される材料によって適宜選定される
が、通常、熱処理によって行われる。具体的な加熱温度
および加熱時間は、高分子物質用材料の種類などを考慮
して適宜選択される。例えば、高分子物質用材料が室温
硬化型シリコーンゴムである場合には、硬化処理は、室
温で２４時間程度、４０℃で２時間程度、８０℃で３０
分間程度で行われる。

【００４４】工程（ホ）：この工程（ホ）は、図２１に
示すように、絶縁性接着層３０の上層部分３４の下面
に、熱硬化性樹脂シート３０Ｂを介して、下部側基板１
０をその下部側メタルランド１２上に弾性短絡部３１が
位置されるよう配置し、この状態で熱圧着処理すること
により、上層部分３４および熱硬化性樹脂シート３０Ｂ
が硬化して当該上層部分３４に一体的に形成される下層
部分３５よりなる絶縁性接着層３０によって下部側基板
１０と上部側基板２０とを接着すると共に、当該下部側
基板１０の下部側メタルランド１２に弾性短絡部３１を
弾性的に接触させる工程である。

【００４５】具体的に説明すると、図２０に示すよう
に、絶縁性接着層の上層部分３４の下面に、予め弾性短
絡部３１に対応する位置に貫通孔３１Ｈを形成した熱硬
化性樹脂シート３０Ｂが位置決めされて重ねられること
により、絶縁性接着層の上層部分３４の下面から突出す
る弾性短絡部３１の下部が、熱硬化性樹脂シート３０Ｂ
の貫通孔３１Ｈ内に挿入された状態とされ、更に、この
熱硬化性樹脂シート３０Ｂの下面に、下部側基板１０が
位置決めされて重ねられることにより、弾性短絡部３１
が下部側基板１０の下部側メタルランド１２上に位置さ
れた状態とされる。そして、図２１に示すように、下部
側基板１０、熱硬化性樹脂シート３０Ａおよび上部側基
板２０の下面に形成された絶縁性接着層の上層部分３４
に対して熱圧着処理を行うことにより、熱硬化性樹脂シ
ート３０Ｂが硬化し、これにより得られる絶縁性接着層
３０の下層部分３５および絶縁性接着層３０の上層部分
３４によって下部側基板１０と上部側基板２０とが接着
される。これと共に、弾性短絡部３１が、下部側基板１
０の下部側メタルランド１２によって圧接された状態、
すなわち下部側メタルランド１２に加圧されることによ
って圧縮されるよう変形した状態で、当該下部側メタル
ランド１２に接触される。このようにして、図１に示す
構成の積層型コネクターが製造される。

【００４６】このような方法によれば、下部側配線部１
１および下部側短絡部１３を有する下部側基板１０と、
上部側配線部２１および上部側短絡部２３を有する上部
側基板２０とが、それぞれ独立した工程により製造され
るため、各々の工程において、下部側配線部１１および
上部側配線部２１を大きい自由度で容易に形成すること
ができる。また、下部側基板１０、熱硬化性樹脂シート
３０Ａおよび下面に絶縁性接着層の上層部分３４が形成
された上部側基板２０を熱圧着処理することにより、上
層部分３４および熱硬化性樹脂シート３０Ａが硬化して
当該上層部分３４に一体的に形成される下層部分３５よ
りなる絶縁性接着層３０を介して、下部側基板１０と上
部側基板２０とが接着されると共に、上部側メタルラン
ド２２に接続された弾性短絡部３１が下部側メタルラン
ド１２に弾性的に接触されるので、下部側基板１０と上
部側基板２０との電気的接続が確実に達成されて接続信
頼性の高い積層型コネクターを製造することができる。

【００４７】以上において、下部側基板１０の下部側メ
タルランド１２および上部側基板２０の上部側メタルラ
ンド２２の各々の表面には、例えば金などの貴金属、ま
たはスズ−鉛−ビスマス合金、スズ−鉛合金などの比較
的軟質な合金よりなるメッキが施されていることが好ま
しく、これにより、下部側メタルランド１２および上部
側メタルランド２２と弾性短絡部３１との密着性が向上
する結果、下部側メタルランド１２および上部側メタル
ランド２２の間に高い電気的導通性が得られる。また、
メッキ層の厚みは０．０２〜２μｍであることが好まし
い。

【００４８】下部側基板１０、絶縁性接着層形成材３０
Ａおよび上部側基板２０の熱圧着処理としては、例えば
真空プレス法を利用することができる。また、絶縁性接
着層形成材３０Ａの厚みは、２０〜１００μｍであるこ
とが好ましく、これにより、例えば真空プレス法によっ
て確実にかつ高い効率で下部側基板１０と上部側基板２
０とを接着させることができる。また、下部側基板１
０、絶縁性接着層形成材３０Ａおよび上部側基板２０の
位置決めは、例えばこれらの各々に位置決め用のガイド
孔を形成して共通のガイドピンを挿通させることにより
行うことができる。

【００４９】下部側基板１０の端子電極１４、上部側基
板２０の接続用電極２４および上面配線部２５は、それ
ぞれ上記の工程（イ）および工程（ロ）において形成さ
れる必要はなく、工程（ホ）における熱圧着処理後に形
成することもできる。

【００５０】下部側メタルランド１２、上部側メタルラ
ンド２２または接続用電極２４の形成は、下部側基板１
０の上面、上部側基板２０の下面または上部側基板２０
の上面にフォトレジスト膜を形成してパターニングを行
うことにより、当該フォトレジスト膜における下部側メ
タルランド１２、上部側メタルランド２２または接続用
電極２４を形成する個所に穴部を形成し、この穴部内に
金属をメッキ法などによって充填し、然る後にフォトレ
ジスト膜を除去することにより行うこともできる。

【００５１】次に、本発明の回路装置検査用アダプター
装置について説明する。図２２は、本発明の回路装置検
査用アダプター装置の一例における構成を示す説明用断
面図である。この回路装置検査用アダプター装置は、ア
ダプター本体１と、このアダプター本体１の上面上に設
けられた異方導電性エラストマー層（以下単に「エラス
トマー層」という。）４０とにより構成されている。

【００５２】具体的に説明すると、アダプター本体１
は、図１に示す構成の積層型コネクターよりなり、この
アダプター本体１の上面には、エラストマー層４０が一
体的に接着乃至密着した状態で形成されている。このエ
ラストマー層４０は、図２３に示すように、絶縁性の弾
性高分子物質Ｅ中に導電性粒子Ｐが密に充填されてなる
多数の導電部４１がアダプター本体１の接続用電極２４
上に位置された状態で、かつ、隣接する導電部４１が相
互に絶縁部４２によって絶縁された状態とされている。
各導電部４１においては、導電性粒子Ｐが厚さ方向に並
ぶよう配向されており、厚さ方向に伸びる導電路が形成
されている。この導電部４１は、厚さ方向に加圧されて
圧縮されたときに抵抗値が減少して導電路が形成され
る、加圧導電部であってもよい。これに対して、絶縁部
４２は、加圧されたときにも厚さ方向に導電路が形成さ
れないものである。

【００５３】上記エラストマー層４０の導電部４１にお
いては、導電性粒子Ｐの充填率が１０体積％以上、特に
１５体積％以上であることが好ましい。導電部を加圧導
電部とする場合において、導電性粒子の充填率が高いと
きには、加圧力が小さいときにも確実に所期の電気的接
続を達成することができる点では好ましい。しかし、接
続用電極２４の電極ピッチが小さくなると、隣接する導
電部間に十分な絶縁性が確保されなくなるおそれがあ
り、このため、導電部４１における導電性粒子Ｐの充填
率は４０体積％以下であることが好ましい。

【００５４】このような構成の回路装置検査用アダプタ
ー装置においては、アダプター本体１の上面にエラスト
マー層４０が一体的に形成されており、しかもアダプタ
ー本体１の接続用電極２４上にエラストマー層４０の導
電部４１が配置されているため、電気的接続作業時にエ
ラストマー層４０の位置合わせおよび保持固定を行うこ
とが全く不要であり、従ってリード電極領域の電極ピッ
チが微小である場合にも、所要の電気的接続を確実に達
成することができる。

【００５５】また、エラストマー層４０はアダプター本
体１と一体であるため、温度変化による熱履歴などの環
境の変化に対しても、良好な電気的接続状態が安定に維
持され、従って常に高い接続信頼性を得ることができ
る。

【００５６】図示の例においては、エラストマー層４０
の外面において、導電部４１が絶縁部４２の表面から突
出する突出部を形成している。このような例によれば、
加圧による圧縮の程度が絶縁部４２より導電部４１にお
いて大きいために十分に抵抗値の低い導電路が確実に導
電部４１に形成され、これにより、加圧力の変化乃至変
動に対して抵抗値の変化を小さくすることができ、その
結果、エラストマー層４０に作用される加圧力が不均一
であっても、各導電部４１間における導電性のバラツキ
の発生を防止することができる。

【００５７】このように導電部４１が突出部を形成する
場合には、当該突出部の突出高さｈは、エラストマー層
４０の全厚ｔ（ｔ＝ｈ＋ｄ、ｄは絶縁部４２の厚さであ
る。）の８％以上であることが好ましい。また、エラス
トマー層４０の全厚ｔは、接続用電極２４の中心間距離
として定義される電極ピッチｐの３００％以下、すなわ
ちｔ≦３ｐであることが好ましい。このような条件が充
足されることにより、エラストマー層４０に作用される
加圧力が変化した場合にも、それによる導電部４１の導
電性の変化が十分に小さく抑制されるからである。

【００５８】導電部４１が突出部を形成する場合におい
ては、突出部の平面における全体が導電性を有すること
は必ずしも必要ではなく、例えば突出部の周縁には、電
極ピッチの２０％以下の導電路非形成部分が存在してい
てもよい。また、隣接する導電部４１間の離間距離ｒの
最小値は、当該導電部４１の幅Ｒの１０％以上であるこ
とが好ましい。このような条件が満足されることによ
り、加圧されて突出部が変形したときの横方向の変位が
原因となって隣接する導電部４１同士が電気的に接触す
るおそれを十分に回避することができる。以上の例にお
いて、導電部４１の平面形状は接続用電極２４と等しい
幅の矩形状とすることができるが、必要な面積を有する
円形、その他の適宜の形状とすることができる。

【００５９】導電部４１の導電性粒子としては、例えば
ニッケル、鉄、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子も
しくはこれらの合金の粒子、またはこれらの粒子に金、
銀、パラジウム、ロジウムなどのメッキを施したもの、
非磁性金属粒子もしくはガラスビーズなどの無機質粒子
またはポリマー粒子にニッケル、コバルトなどの導電性
磁性体のメッキを施したものなどを挙げることができ
る。

【００６０】後述する方法においては、ニッケル、鉄、
またはこれらの合金などよりなる導電性磁性体粒子が用
いられ、また接触抵抗が小さいなどの電気的特性の点で
金メッキされた粒子を好ましく用いることができる。ま
た、磁気ヒステリシスを示さない点から、導電性超常磁
性体よりなる粒子も好ましく用いることができる。

【００６１】導電性粒子の粒径は、導電部４１の加圧変
形を容易にし、かつ導電部４１において導電性粒子間に
十分な電気的な接触が得られるよう、３〜２００μｍで
あることが好ましく、特に１０〜１００μｍであること
が好ましい。

【００６２】導電部４１を構成する絶縁性で弾性を有す
る高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が
好ましい。架橋高分子物質を得るために用いることがで
きる硬化性の高分子物質用材料としては、例えばシリコ
ーンゴム、ポリブタジエン、天然ゴム、ポリイソプレ
ン、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニト
リル−ブタジエン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン
共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、ク
ロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、軟質液状エ
ポキシ樹脂などを挙げることができる。

【００６３】具体的には、硬化処理前には液状であっ
て、硬化処理後にアダプター本体１の上部側基板２０と
密着状態または接着状態を保持して一体となる高分子物
質用材料が好ましい。このような観点から、本発明に好
適な高分子物質用材料としては、液状シリコーンゴム、
液状ウレタンゴム、軟質液状エポキシ樹脂などを挙げる
ことができる。高分子物質用材料には、アダプター本体
１の上部側基板２０に対する接着性を向上させるため
に、シランカップリング剤、チタンカップリング剤など
の添加剤を添加することができる。

【００６４】絶縁部４２を構成する材料としては、導電
部４１を構成する高分子物質と同一のものまたは異なる
ものを用いることができるが、同様に硬化処理後にアダ
プター本体１の上部側基板２０と密着状態または接着状
態を保持してアダプター本体１と一体となるものが用い
られる。

【００６５】このような絶縁部を形成することにより、
エラストマー層それ自体の一体性並びにそのアダプター
本体に対する一体性が確実に高くなるため、アダプター
装置全体としての強度が大きくなり、従って繰り返し圧
縮に対して優れた耐久性を得ることができる。

【００６６】以上のような構成のアダプター装置は、そ
の上面に検査対象である回路装置が配置されて接続用電
極２４に回路装置の被検査電極が対接されると共に、下
面の端子電極１４が適宜の接続手段を介してテスターに
接続され、更に全体が厚み方向に圧縮するよう加圧され
た状態とされる。この状態においては、アダプター装置
のエラストマー層４０の導電部４１が導電状態となり、
これにより、被検査電極とテスターとの所要の電気的な
接続が達成される。

【００６７】上記の回路装置検査用アダプター装置は、
例えば次のようにしてアダプター本体１の上面にエラス
トマー層４０が設けらて製造される。先ず、硬化処理に
よって絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質用材料
中に導電性磁性体粒子を分散させて流動性の混合物より
なるエラストマー材料が調製され、図２４に示すよう
に、このエラストマー材料がアダプター本体１の上面に
塗布されることによりエラストマー材料層４５が形成さ
れ、これが金型５０のキャビティ内に配置される。

【００６８】この金型５０は、各々電磁石を構成する上
型５１と下型５２とよりなり、上型５１には、接続用電
極２４に対応するパターンの強磁性体部分（斜線を付し
て示す）Ｍと、それ以外の非磁性体部分Ｎとよりなる、
下面が平坦面である磁極板５３が設けられており、当該
磁極板５３の平坦な下面がエラストマー材料層４５の表
面から離間されて間隙Ｇが形成された状態とされる。な
お、図２４および図２５においては、接続用電極２４を
除き、アダプター本体１の詳細は省略されている。

【００６９】この状態で上型５１と下型５２の電磁石を
動作させ、これにより、アダプター本体１の厚さ方向の
平行磁場を作用させる。その結果、エラストマー材料層
４５においては接続用電極２４上に位置する部分におい
て、それ以外の部分より強い平行磁場が厚さ方向に作用
されることとなり、この分布を有する平行磁場により、
図２５に示すように、エラストマー材料層４５内の導電
性磁性体粒子が、強磁性体部分Ｍによる磁力により接続
用電極２４上に位置する部分に集合して更に厚さ方向に
配向する。

【００７０】然るに、このとき、エラストマー材料層４
５の表面側には間隙Ｇが存在するため、導電性磁性体粒
子の移動集合によって高分子物質用材料も同様に移動す
る結果、接続用電極２４上に位置する部分の高分子物質
用材料表面が隆起し、突出した導電部４１が形成され
る。従って、形成される絶縁部４２の厚さｔ１は、初期
のエラストマー材料層４５の厚さｔ０より小さいものと
なる。そして、平行磁場を作用させたまま、あるいは平
行磁場を除いた後、硬化処理を行うことにより、突出部
を形成する導電部４１と絶縁部４２とよりなるエラスト
マー層４０をアダプター本体１上に一体的に設けること
ができ、以てアダプター装置が製造される。

【００７１】磁極板５３の代わりに、図２６に示すよう
に、接続用電極２４に対応するパターンの強磁性体部分
Ｍとそれ以外の非磁性体部分Ｎよりなり、その下面にお
いて強磁性体部分Ｍが非磁性体部分Ｎより下方に突出し
た状態の磁極板５５を使用することもできる。更に、全
体が強磁性体よりなる磁極板であって、接続用電極２４
に対応するパターンの部分が、それ以外の部分より下方
に突出した状態の磁極板を用いることもできる。これら
の場合にも、エラストマー材料層４５に対しては接続用
電極２４の領域において、より強い平行磁場が作用され
ることとなる。

【００７２】また、平行磁場を作用させたままで上型５
１と下型５２の間隔が可変の金型を用い、始めは上型５
１をエラストマー材料層４５のすぐ上に配置し、平行磁
場を作用させながら上型５１と下型５２の間隔を徐々に
広げ、これによってエラストマー材料層４５の隆起を生
じさせ、その後に硬化処理を行うこともできる。

【００７３】本発明においては、エラストマー層４０の
導電部４１が絶縁部４２より突出していることは必須の
ことではなく、平坦な表面を有するものとすることもで
きる。このような場合には、例えば図２４に示した構成
の金型を用い、間隙Ｇを形成せずに処理すればよい。

【００７４】エラストマー材料層４５の厚さは例えば
０．１〜３ｍｍとされる。このエラストマー材料層４５
のための高分子物質用材料は、導電性磁性体粒子の移動
が容易に行われるよう、その温度２５℃における粘度が
１０¹ｓｅｃ^-1の歪速度の条件下において１０⁴〜１０
⁷センチポアズ程度であることが好ましい。エラストマ
ー材料層４５の硬化処理は、平行磁場を作用させたまま
の状態で行うことが好ましいが、平行磁場の作用を停止
させた後に行うこともできる。

【００７５】また、磁極板５３の強磁性体部分Ｍは鉄、
ニッケルなどの強磁性体により、また非磁性体部分Ｎ
は、銅などの非磁性金属、ポリイミドなどの耐熱性樹脂
または空気層などにより形成することができる。エラス
トマー材料層４５に作用される平行磁場の強度は、金型
５０のキャビティの平均で２００〜２０，０００ガウス
となる大きさが好ましい。

【００７６】硬化処理は、使用される材料によって適宜
選定されるが、通常、熱処理によって行われる。具体的
な加熱温度および加熱時間は、エラストマー材料層４５
の高分子物質用材料の種類、導電性磁性体粒子の移動に
要する時間などを考慮して適宜選定される。例えば、高
分子物質用材料が室温硬化型シリコーンゴムである場合
に、硬化処理は、室温で２４時間程度、４０℃で２時間
程度、８０℃で３０分間程度で行われる。

【００７７】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが、本発明
はこれらの実施例に限定されるものではない。

【００７８】〈実施例１〉（１）積層型コネクターの製造工程（イ）：各々の厚みが９μｍの銅よりなる金属薄層
（１１Ａ，１４Ａ）を厚さ０．５ｍｍのガラス繊維補強
型エポキシ樹脂よりなる板材の両面に積層してなる材料
を用意し、これを縦３３０ｍｍ、横５００ｍｍの矩形状
に裁断して下部側基板（１０）としたものにおいて、２
軸ドリリング装置「ＮＤ−１Ｗ−２１２」（日立精工社
製）を用いて、各々の内径が０．１５ｍｍのスルーホー
ル用穴（１３Ｈ）を形成した（図４および図５参照）。

【００７９】次いで、銅メッキにより、スルーホール用
穴（１３Ｈ）内に下部側短絡部（１３）を形成すると共
に、下部側基板（１０）の上面の金属薄層（１１Ａ）に
対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施
すことにより、上面に、下部側短絡部（１３）に接続さ
れた下部側配線部（１１）を形成した。その後、下部側
基板（１０）の上面の下部側配線部（１１）に、フォト
リソグラフィーおよび電解銅メッキの手法により、厚み
が３０μｍで直径が０．２ｍｍの円形薄板状の下部側メ
タルランド（１２）を形成した。一方、下部側基板（１
０）の下面の金属薄層（１４Ａ）に対してフォトリソグ
ラフィーおよびエッチング処理を施すことにより、下部
短絡部（１３）の下端に連結されて格子点上に配置され
た端子電極（１４）を形成した（図６および図７参
照）。

【００８０】工程（ロ）：各々の厚みが９μｍの銅より
なる金属薄層（２１Ａ，２４Ａ）を厚さ０．５ｍｍのガ
ラス繊維補強型エポキシ樹脂よりなる板材の両面に積層
してなる材料を用意し、これを縦３３０ｍｍ、横５００
ｍｍの矩形状に裁断して上部側基板（２０）としたもの
において、２軸ドリリング装置「ＮＤ−１Ｗ−２１２」
（日立精工社製）を用いて、各々の内径が０．１５ｍｍ
のスルーホール用穴（２３Ｈ）を形成した（図８および
図９参照）。

【００８１】次いで、銅メッキにより、スルーホール用
穴（２３Ｈ）内に上部側短絡部（２３）を形成すると共
に、上部側基板（２０）の下面の金属薄層（２１Ａ）に
対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施
すことにより、下面に、上部側短絡部（２３）に接続さ
れた上部側配線部（２１）と、これに接続された、直径
が０．２ｍｍの円形薄板状の上部側メタルランド基層を
形成し、更に、上部側メタルランド基層上に厚みが２μ
ｍの金メッキを施すことにより、厚みが３１μｍの上部
側メタルランド（２２）を形成した。

【００８２】一方、上部側基板（２０）の上面の金属薄
層（２４Ａ）に対してフォトリソグラフィーおよびエッ
チング処理を施すことにより、検査対象回路装置の被検
査電極に対応するパターン状の接続用電極基層（２４
Ｂ）および上面配線部（２５）を形成し、この上部側基
板（２０）の上面上に厚みが５０μｍのフォトレジスト
膜「ＨＫ３５０」（日立化成工業社製）を設け、これを
フォトリソグラフィーの手法により処理して検査対象回
路装置の被検査電極に対応するパターンに従って除去
し、斯くして形成された穴部に銅メッキ法により金属銅
を充填し、その後フォトレジスト膜を剥離することによ
り、突出高さが５０μｍの接続用電極（２４）を形成
し、更に各接続用電極（２４）には厚みが２μｍの金メ
ッキを施した（図１０〜図１２参照）。以上において、
上部側基板（２０）の上面に形成された接続用電極（２
４）は、各電極の直径が０．１５ｍｍの円形で電極ピッ
チが０．２５ｍｍの電極群と、各電極の寸法が幅０．２
ｍｍ、長さ０．５ｍｍの矩形で電極ピッチが０．６ｍｍ
の電極群と、各電極の寸法が１ｍｍ平方で電極ピッチが
２ｍｍの電極群とを有するものであった。

【００８３】工程（ハ）：厚みが２００μｍの銅よりな
る金属薄板材料を用意し、これを縦３３０ｍｍ、横５０
０ｍｍの矩形状に裁断した後、その一面に対してフォト
リソグラフィーおよびエッチング処理を施すことによ
り、各々の内径が０．２５ｍｍで深さが１００μｍの円
柱状の複数の凹所（３７）を有する導電膜形成用転写板
（３６）を作製した（図１３参照）。次いで、この導電
膜形成用転写板（３６）の一面に対してフォトリソグラ
フィーおよび金メッキ処理を施し、次いで銅メッキ処理
を施すことにより、導電膜形成用転写板（３６）の一面
における凹所（３７）の内面および凹所（３７）の周辺
に、導電膜用金属部材（３３Ａ）を形成した（図１４参
照）。この導電膜用金属部材（３３Ａ）の肉厚（メッキ
厚）は１５μｍであった。その後、導電膜形成用転写板
（３６）の一面に対してエッチング処理を施すことによ
ってその表面層部分を除去することにより、導電膜用金
属部材（３３Ａ）の上部を導電膜形成用転写板（３６）
の一面から２０μｍ突出させた（図１５参照）。次い
で、導電膜形成用転写板（３６）の一面に、室温硬化型
シリコーンゴムを塗布することにより、当該導電膜用金
属部材（３３Ａ）が埋設された状態の高分子物質用材料
層（３０Ａ）を形成した（図１６参照）。

【００８４】工程（ニ）：導電膜形成用転写板（３６）
の一面上に形成された高分子物質用材料層（３０Ａ）の
上面に、上部側基板（２０）をその上部側メタルランド
（２２）が導電膜用金属部材３３Ａ上に位置されるよう
配置し、１００℃で１時間の条件で高分子物質用材料層
（３０Ａ）の硬化処理を行うことにより、導電膜形成用
転写板３６、絶縁性接着層の上層部分３４および上部側
基板２０がこの順で積層されてなる中間積層体を形成し
た（図１７および図１８参照）。その後、中間積層体に
おける導電膜形成用転写板（３６）に対してエッチング
処理を施して当該中間積層体から導電膜形成用転写板
（３６）を除去することにより、絶縁性接着層の上層部
分（３４）の下面および弾性短絡部（３１）の下部にお
ける導電膜（３３）を露出させた（図１９参照）。

【００８５】工程（ホ）：厚み６０μｍの熱硬化性樹脂
シートを用意し、この熱硬化性樹脂シート（３０Ｂ）に
おける弾性短絡部（３１）に対応する位置に、ＮＣドリ
ルリング装置により直径０．３５ｍｍの貫通孔（３１
Ｈ）を形成した。この熱硬化性樹脂シート（３０Ｂ）
を、導電膜形成用転写板（３６）が除去された中間積層
体における絶縁性接着層の上層部分（３４）の下面に、
弾性短絡部（３１）の下部が熱硬化性樹脂シート（３０
Ｂ）の貫通孔（３１Ｈ）内に挿入されるよう位置合わせ
て重ねると共に、当該熱硬化性樹脂シート（３０Ｂ）の
下面に、下部側基板（１０）を弾性短絡部（３１）が下
部側メタルランド（１２）上に位置されるよう位置合わ
せして重ね、更に、上部側基板（２０）の上面に厚みが
５０μｍのフッ素樹脂製離型フィルム「アフレックス５
０Ｎ」（旭硝子社製）と、厚みが２．０ｍｍのフッ素ゴ
ム製クッションシート「キンヨーボードＦ−２００」
（金陽社製）をこの順に重ねた後、真空プレス機「ＭＨ
ＰＣＶ−２００−７５０」（名機製作所社製）により、
１０ｔｏｒｒの減圧下において、プレス最高圧力３０Ｋ
ｇ／ｃｍ²、最高温度１７０℃で２時間プレスして熱圧
着処理することにより、本発明の積層型コネクターを製
造した（図２０および図２１参照）。

【００８６】（２）アダプター装置の製造：上記の積層
型コネクターをアダプター本体として用い、このアダプ
ター本体の上面、次のようにしてエラストマー層を形成
した。室温硬化型ウレタンゴムに平均粒径２６μｍのニ
ッケルよりなる導電性磁性体粒子を１５体積％となる割
合で混合してなるエラストマー材料を調製し、これをア
ダプター本体の上面に塗布したものを、基本的に図１９
に示した金型を用いる方法に従って処理した。すなわ
ち、下面において強磁性体部分（Ｍ）が非磁性体部分
（Ｎ）より０．１ｍｍ突出する磁極板（５５）を用い、
強磁性体部分（Ｍ）の下面とエラストマー材料層（４
５）との間に０．０３ｍｍの間隙を形成して平行磁場を
作用させてコネクター用材料層（４５）を隆起させ、こ
の状態で室温で２４時間放置して硬化させ、これによ
り、導電部の厚さｔが０．３ｍｍ、絶縁部の厚さｄが
０．２７ｍｍ、導電部の突出割合（ｔ−ｄ）／ｔが１０
％のエラストマー層を形成し、もって回路装置検査用ア
ダプター装置を製造した。

【００８７】〈実施例２〉実施例１の工程（イ）およひ
工程（ロ）において、下部側メタルランド（１２）およ
び上部側メタルランド（１２）の各々に、厚さ１μｍの
スズ−鉛−ビスマスからなる低融点半田メッキを施した
こと以外は、実施例１と同様にして回路装置検査用アダ
プター装置を製造した。

【００８８】〔実験例１〕以上のアダプター装置につい
て、抵抗測定器「ミリオームハイテスター」（日置電機
社製）を用い、基板の下面側に共通の導電板を配置して
すべての端子電極を短絡状態とし、この導電板と各接続
用電極との間の電気抵抗値をプローブピンを利用して測
定した。その結果、すべての接続用電極について、電気
抵抗値は５００ｍΩ以下と非常に小さく、接続されるべ
き端子電極と接続用電極との間の電気的な接続が十分に
達成されていることが確認された。

【００８９】〔実験例２〕当該アダプター装置につい
て、上記と同様の抵抗測定器を用い、互いに絶縁状態と
されるべき隣接する接続用電極の間の電気抵抗値をプロ
ーブピンを利用して測定したところ、電気抵抗値はいず
れも２ＭΩ以上と非常に大きく、十分な絶縁状態が達成
されていることが確認された。

【００９０】〔実験例３〕当該アダプター装置を太陽工
業社の検査機「ＴＹ−ＣＨＥＣＫＥＲＨＶ４０９６」
に取り付け、予め断線箇所、ショート箇所が明らかな実
基板を用い、ゲージ圧２．５〜３．５ｋｇ／ｃｍ²の推
力で基板の検査テストを行ったところ、断線箇所、ショ
ート箇所が従来の方法で検査したデータと相違がないこ
とが確認された。また、アダプター装置の接触不安定に
由来する検査の不安定さが改良され、従来の異方導電シ
ートを層間に介在させたアダプター装置と比較して、検
査のやり直しが少なくなり、これにより、検査時間が３
０％短縮されることが確認された。更に、上記の試験
を、同一の基板に対して３万回以上繰り返して行ったと
ころ、安定した検査結果が得られることが確認された。

【００９１】

【発明の効果】本発明の積層型コネクターによれば、そ
れぞれ独立して形成される、下部側配線部を有する下部
側基板および上部側配線部を有する上部側基板が、絶縁
性接着層を介して一体的に積層されることにより構成さ
れているため、短絡部の形成は各基板ごとに行うことが
でき、従って、当該積層型コネクター全体を貫通するス
ルーホールによる短絡部を形成することが不要となるの
で、各基板における配線部を大きい自由度でかつ容易に
形成することができる。しかも、絶縁性接着層には、エ
ラストマー材料よりなる弾性基体およびその表面に設け
られた導電膜により構成された、当該絶縁性接着層の厚
み方向に伸びる弾性短絡部が設けられているため、当該
弾性短絡部が下部側基板の下部側メタルランドまたは上
部側基板の上部側メタルランドに弾性的に接触されるこ
とにより、当該弾性短絡部の導電膜によって下部側基板
と上部側基板との電気的接続が確実に達成されて高い接
続信頼性を得ることができる。

【００９２】そして、本発明によれば、下記の工程
（イ）、工程（ロ）、工程（ハ）、工程（ニ）および工
程（ホ）を有する積層型コネクターの製造方法を提供す
ることができる。工程（イ）：下部側基板の上面に、下部側配線部および
この下部側配線部に接続された下部側メタルランドを形
成すると共に、前記下部側配線部に接続された、当該下
部側基板をその厚み方向に貫通して伸びる下部側短絡部
を形成する工程。工程（ロ）：上部側基板の下面に、上部側配線部および
この上部側配線部に接続された上部側メタルランドを形
成すると共に、前記上部側配線部に接続された、当該上
部側基板をその厚み方向に貫通して伸びる上部側短絡部
を形成する工程。工程（ハ）：導電膜形成用転写板を用意し、この導電膜
形成用転写板の一面に、上部側基板の上部側メタルラン
ドと対掌なパターンに従って配置された有底筒状の導電
膜用金属部材を形成し、この導電膜用金属部材が形成さ
れた導電膜形成用転写板の一面に、硬化されて絶縁性の
弾性高分子物質となる高分子物質用材料を塗布すること
により、当該導電膜用金属部材が埋設された状態の高分
子物質用材料層を形成する工程。工程（ニ）：導電膜形成用転写板の一面上に形成された
導電膜用金属部材および高分子物質用材料層を上部側基
板の下面に転写すると共に、当該高分子物質用材料層の
硬化処理を行うことにより、前記上部側基板の下面に、
エラストマー材料よりなる絶縁性接着層の上層部分を一
体的に形成すると共に、前記上部側メタルランドの表面
に、エラストマー材料よりなる弾性基体と、この弾性基
体の表面に形成され、当該上部側メタルランドに接続さ
れた導電膜とよりなる弾性短絡部を、当該絶縁性接着層
の上層部分の下面から突出するよう形成する工程。工程（ホ）：絶縁性接着層の上層部分の下面に、熱硬化
性樹脂シートを介して、下部側基板をその下部側メタル
ランド上に弾性短絡部が位置されるよう配置し、この状
態で熱圧着処理することにより、前記上層部分および前
記熱硬化性樹脂シートが硬化して当該上層部分に一体的
に形成される下層部分よりなる絶縁性接着層によって前
記下部側基板と上部側基板とを接着すると共に、当該下
部側基板の下部側メタルランドに弾性短絡部を弾性的に
接触させる工程。

【００９３】本発明のアダプター装置によれば、アダプ
ター本体が上記の積層型コネクターを具えてなるもので
あり、その上面に形成された検査対象回路装置の被検査
電極に対応して配置された接続用電極が上部側短絡部に
電気的に接続されると共にその下面に格子点上に配置さ
れた端子電極が下部側短絡部に電気的に接続されてお
り、しかもアダプター本体の配線層部分の表面上には異
方導電性エラストマー層が設けられているため、検査対
象である回路装置の被検査電極が、電極ピッチが微小で
あり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである
場合にも、当該回路装置について所要の電気的接続を確
実に達成することができ、また温度変化による熱履歴な
どの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定
に維持され、従って高い接続信頼性を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の積層型コネクターの一例における構成
を示す説明用断面図である。

【図２】図１における積層型コネクターの一部を拡大し
て示す説明用断面図である。

【図３】図１における積層型コネクターの各部の配置の
状態を示す説明用平面図である。

【図４】図１における積層型コネクターの製造方法に用
いられる下部側基板の説明用断面図である。

【図５】下部側基板にスルーホール用穴が形成された状
態を示す説明用断面図である。

【図６】下部側基板に下部側配線部と下部側短絡部と中
間短絡用メタルランドとが形成された状態を示す説明用
断面図である。

【図７】図６における下部側基板の一部を拡大して示す
説明用断面図である。

【図８】図１における積層型コネクターの製造方法に用
いられる上部側基板の説明用断面図である。

【図９】上部側基板にスルーホール用穴が形成された状
態を示す説明用断面図である。

【図１０】上部側基板に上部側配線部と上部側短絡部と
メタルランドとが形成された状態を示す説明用断面図で
ある。

【図１１】図６における上部側基板の一部を拡大して示
す説明用断面図である。

【図１２】図６における上部側基板の上面に接続用電極
が形成された状態を示す説明用断面図である。

【図１３】導電膜形成用転写板の一例を示す説明用断面
図である。

【図１４】導電膜形成用転写板に導電膜用金属部材が形
成された状態を示す説明用断面図である。

【図１５】導電膜形成用転写板の一面における表面層部
分が除去されて導電膜用金属部材の上部が突出された状
態を示す説明用断面図である。

【図１６】導電膜形成用転写板の一面上に高分子物質用
材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。

【図１７】高分子物質用材料層上に上部側基板が配置さ
れた状態を示す説明用断面図である。

【図１８】高分子物質用材料層が硬化処理されて中間積
層体が形成された状態を示す説明用断面図である。

【図１９】図１８に示す中間積層体から導電膜形成用転
写板が除去された状態を示す説明用断面図である。

【図２０】絶縁性接着層の上層部分の下面に、熱硬化性
シートを介して下部側基板が配置された状態を示す説明
用断面図である。

【図２１】上部側基板、絶縁性接着層の上層部分、熱硬
化性樹脂シートおよび下部側基板が熱圧着処理された状
態を示す説明用断面図である。

【図２２】本発明の回路装置検査用アダプター装置の一
例における構成を示す説明用断面図である。

【図２３】図２２における回路装置検査用アダプター装
置のコネクター層部分の説明用拡大断面図である。

【図２４】エラストマー材料層が形成されたアダプター
本体が金型にセットされた状態を示す説明用断面図であ
る。

【図２５】図２４において平行磁場が作用された状態を
示す説明用断面図である。

【図２６】エラストマー層を形成するために用いられる
金型の他の例を示す説明用断面図である。

【図２７】プリント回路基板の一例の配置を示す説明図
である。

【図２８】従来の積層型コネクターを製造するための部
材の配置状態を示す説明用断面図である。

【図２９】図２５における各部材が熱圧着されて圧着積
層型基板が形成された状態を示す説明用断面図である。

【図３０】圧着積層型基板にスルーホール用穴が形成さ
れた状態を示す説明用断面図である。

【図３１】圧着積層型基板のスルーホール用穴に短絡部
が形成された状態を示す説明用断面図である。

【符号の説明】

１アダプター本体１０下部側基板１１下部側配線部１１Ａ金属薄層１２下部側メタルランド１３下部側短絡部１３Ｈスルーホール用穴１４端子電極１４Ａ金属薄層２０上部側基板２１上部側配線部２１Ａ金属薄層２２上部側メタルランド２３上部側短絡部２３Ｈスルーホール用穴２４接続用電極２４Ａ金属薄層２４Ｂ接続用電極基層２５上面配線部３０絶縁性接着層３０Ａ高分子物質用材料層３０Ｂ熱硬化性樹脂シート３１弾性短絡部３１Ａ弾性短絡部形成材料層３１Ｈ貫通孔３２弾性基体３３導電膜３３Ａ導電膜用金属部材３４上層部分３５下層部分３６導電膜形成用転写板３７凹所４０異方導電性エラストマー層４１導電部４２絶縁部Ｅ弾性高分子物質Ｐ導電性粒子４５エラストマー材料層５０金型５１上型５２下型Ｍ強磁性体部分Ｎ非磁性体部分５３磁極板Ｇ間隙５５磁極板７０基板７１上部側配線部７２下部側配線部７３熱硬化性樹脂シート７４銅箔７５熱硬化性樹脂シート７６銅箔７７上部絶縁材層７８下部絶縁材層７９圧着積層型基板８０短絡部８０Ｈスルーホール用穴９０回路装置９１機能素子領域９２リード電極９３リード電極領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下部側基板と、この下部側基板の上面に
絶縁性接着層を介して一体的に積層された上部側基板と
を具えてなり、前記下部側基板は、その上面に形成された下部側配線部
と、この下部側配線部に接続された下部側メタルランド
と、前記下部側配線部に接続された、当該下部側基板を
その厚み方向に貫通して伸びる下部側短絡部とを有して
なり、前記上部側基板は、その下面に形成された上部側配線部
と、この上部側配線部に接続された、前記下部側基板の
下部側メタルランドに対応して配置された上部側メタル
ランドと、前記上部側配線部に接続された、当該上部側
基板をその厚み方向に貫通して伸びる上部側短絡部とを
有してなり、前記絶縁性接着層は、前記下部側基板の下部側メタルラ
ンドと前記上部側基板の上部側メタルランドとの間の位
置に、エラストマー材料よりなる弾性基体およびその表
面に設けられた導電膜により構成された、当該絶縁性接
着層の厚み方向に貫通して伸びる弾性短絡部を有してな
り、前記絶縁性接着層の弾性短絡部の導電膜によって、前記
下部側基板の下部側メタルランドが前記上部側基板の上
部側メタルランドに電気的に接続されていることを特徴
とする積層型コネクター。
【請求項２】検査対象回路装置と電気的検査装置との
間に介在されて当該回路装置の電極の電気的接続を行う
回路装置検査用アダプター装置であって、上面に検査対象回路装置の被検査電極に対応して配置さ
れた接続用電極を有し、下面に格子点上に配置された端
子電極を有するアダプター本体と、このアダプター本体
の上面に一体的に設けられた異方導電性エラストマー層
とよりなり、前記アダプター本体は、請求項１に記載の積層型コネク
ターを具えてなり、当該上部側基板の上部側短絡部は、
前記接続用電極に電気的に接続され、当該下部側基板の
下部側短絡部は、前記端子電極に電気的に接続されてい
ることを特徴とする回路装置検査用アダプター装置。