JPH11259621A - Ｉｃモジュールの製造方法及びｉｃモジュール - Google Patents
Ｉｃモジュールの製造方法及びｉｃモジュールInfo
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- JPH11259621A JPH11259621A JP5652498A JP5652498A JPH11259621A JP H11259621 A JPH11259621 A JP H11259621A JP 5652498 A JP5652498 A JP 5652498A JP 5652498 A JP5652498 A JP 5652498A JP H11259621 A JPH11259621 A JP H11259621A
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣチップを被覆する封止樹脂の材料とし
て、低粘度のものを用いた場合であっても、容易かつ安
定的に、所定形状の樹脂封止ができるＩＣモジュールの
製造方法、及び、広範囲な粘度条件の封止樹脂に対し
て、形状精度を含めた高品質のＩＣモジュールを提供す
る。 【解決手段】 絶縁フィルム１１のチップ搭載部に、Ｉ
Ｃチップ１４を搭載し、そのＩＣチップ１４を封止樹脂
１６によって被覆するＩＣモジュールの製造方法におい
て、絶縁フィルム１１の一方の面に、エッチングにより
除去可能な薄膜層１２を形成する薄膜形成工程と、絶縁
フィルム１１の薄膜層１２のチップ搭載部を囲む位置
に、封止樹脂１６の流れ止めとなる枠体１２ａをエッチ
ングにより形成する枠体形成工程とを備えた。
て、低粘度のものを用いた場合であっても、容易かつ安
定的に、所定形状の樹脂封止ができるＩＣモジュールの
製造方法、及び、広範囲な粘度条件の封止樹脂に対し
て、形状精度を含めた高品質のＩＣモジュールを提供す
る。 【解決手段】 絶縁フィルム１１のチップ搭載部に、Ｉ
Ｃチップ１４を搭載し、そのＩＣチップ１４を封止樹脂
１６によって被覆するＩＣモジュールの製造方法におい
て、絶縁フィルム１１の一方の面に、エッチングにより
除去可能な薄膜層１２を形成する薄膜形成工程と、絶縁
フィルム１１の薄膜層１２のチップ搭載部を囲む位置
に、封止樹脂１６の流れ止めとなる枠体１２ａをエッチ
ングにより形成する枠体形成工程とを備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣカードの製造
分野において、搭載したＩＣチップを樹脂封止するＩＣ
モジュールの製造方法及びＩＣモジュールに関するもの
である。
分野において、搭載したＩＣチップを樹脂封止するＩＣ
モジュールの製造方法及びＩＣモジュールに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のＩＣカードの製造方法
は、基板製造工程と、ＩＣモジュール製造工程とを備え
ている。
は、基板製造工程と、ＩＣモジュール製造工程とを備え
ている。
【０００３】（基板製造工程）基板の製造工程は、絶縁
フィルム（ガラスエポキシ，ポリイミド等）に後工程で
ボンディングホール，チップ搭載部となる貫通孔を、あ
らかじめパンチングしておき、片側に銅箔フィルムを貼
り込んで、レジスト塗布後に、所定マスクによるパター
ンエッチングを行い、ニッケル，金などのメッキを施し
て、ベース基板を完成させる。
フィルム（ガラスエポキシ，ポリイミド等）に後工程で
ボンディングホール，チップ搭載部となる貫通孔を、あ
らかじめパンチングしておき、片側に銅箔フィルムを貼
り込んで、レジスト塗布後に、所定マスクによるパター
ンエッチングを行い、ニッケル，金などのメッキを施し
て、ベース基板を完成させる。
【０００４】（ＩＣモジュール製造工程）ＩＣモジュー
ル製造工程は、ダイ（チップ）ボンディング工程，ワイ
ヤボンディング工程，樹脂封止工程，熱硬化工程，（場
合によっては）研磨工程を経て、ＩＣモジュールを完成
する（例えば、特許第１０９３６２０１号等参照）。
ル製造工程は、ダイ（チップ）ボンディング工程，ワイ
ヤボンディング工程，樹脂封止工程，熱硬化工程，（場
合によっては）研磨工程を経て、ＩＣモジュールを完成
する（例えば、特許第１０９３６２０１号等参照）。
【０００５】ここで、樹脂封止工程には、トランスフ
ァーモールド式，ディスペンス式，印刷式などがあ
るが、以下のような問題があった。
ァーモールド式，ディスペンス式，印刷式などがあ
るが、以下のような問題があった。
【０００６】 トランスファーモールド式は、高価な
金型と装置を用い、モールド形状が変わったときの型切
り替えが容易ではなく、生産能力が低く、低コスト，高
生産性，小ロットに対応できないという問題がある。
金型と装置を用い、モールド形状が変わったときの型切
り替えが容易ではなく、生産能力が低く、低コスト，高
生産性，小ロットに対応できないという問題がある。
【０００７】 ディスペンス式は、モールド形状がソ
フト的に容易に変更できる等のメリットがあるが、塗布
量を安定的に制御するために、低粘度のものしか扱え
ず、塗布後の形くずれ等が起きやすく、形状が不安定
で、ばらつきがあるという欠点がある。
フト的に容易に変更できる等のメリットがあるが、塗布
量を安定的に制御するために、低粘度のものしか扱え
ず、塗布後の形くずれ等が起きやすく、形状が不安定
で、ばらつきがあるという欠点がある。
【０００８】 印刷式は、と同様に、モールド形状
がソフト的に容易に変更できる等のメリットがあるが、
低粘度のものは形状不安定となり、高粘度では、安定形
状に封止できるものの、気泡ぬけが悪く、熱硬化時に気
泡が抜けることによる形状の劣化や、気泡が混入したま
ま使用することによる、熱膨張，収縮によるクラック等
の不具合が出る恐れがあった。
がソフト的に容易に変更できる等のメリットがあるが、
低粘度のものは形状不安定となり、高粘度では、安定形
状に封止できるものの、気泡ぬけが悪く、熱硬化時に気
泡が抜けることによる形状の劣化や、気泡が混入したま
ま使用することによる、熱膨張，収縮によるクラック等
の不具合が出る恐れがあった。
【０００９】以上説明したように、低コスト，高生産
性，小ロット対応のためには、又はを選択すること
が好ましい。しかし、低粘度樹脂でも安定してモールド
することができない。そこで、流れ止め枠体を用いた樹
脂封止方法が提案されている。
性，小ロット対応のためには、又はを選択すること
が好ましい。しかし、低粘度樹脂でも安定してモールド
することができない。そこで、流れ止め枠体を用いた樹
脂封止方法が提案されている。
【００１０】図３は、従来の流れ止め枠体を用いた樹脂
封止方法を示す図である。この樹脂封止方法は、 図３（ａ１）〜（ａ３）に示すように、基板３１
に、熱硬化性，ＵＶ硬化性などの液状樹脂をスクリーン
印刷等の印刷方式などによって枠形状に塗布して、流れ
止め枠３２を形成する方法（特開平８−８５０９号等参
照）、 図３（ｂ）に示すように、金属，樹脂等の流れ止め
枠体３４を、接着剤３５によって基板３１に接着する方
法が実施されている。その後に、その流れ止め枠体３
２，３４内に、低粘度の封止樹脂３３を塗布するように
したものである。
封止方法を示す図である。この樹脂封止方法は、 図３（ａ１）〜（ａ３）に示すように、基板３１
に、熱硬化性，ＵＶ硬化性などの液状樹脂をスクリーン
印刷等の印刷方式などによって枠形状に塗布して、流れ
止め枠３２を形成する方法（特開平８−８５０９号等参
照）、 図３（ｂ）に示すように、金属，樹脂等の流れ止め
枠体３４を、接着剤３５によって基板３１に接着する方
法が実施されている。その後に、その流れ止め枠体３
２，３４内に、低粘度の封止樹脂３３を塗布するように
したものである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した従来
の流れ止め枠体を用いた樹脂封止方法にも、以下のよう
な問題点があった。前記の方法は、液状樹脂を硬化さ
せる必要があるために、粘度の関係で側面が垂直になら
ず、ある程度の傾斜がつき、通常多用されるソルダーレ
ジストを例にとると、底面部の幅ｗ＝０．３ｍｍ以下で
の形成は困難である。そして、結果的に( 枠体を含む)
モールド領域（図３のＭ部参照）が広くなり、カードと
の接着面積が狭くなるので、カードの曲げ等の作用によ
りモジュールが剥離する恐れがあった。
の流れ止め枠体を用いた樹脂封止方法にも、以下のよう
な問題点があった。前記の方法は、液状樹脂を硬化さ
せる必要があるために、粘度の関係で側面が垂直になら
ず、ある程度の傾斜がつき、通常多用されるソルダーレ
ジストを例にとると、底面部の幅ｗ＝０．３ｍｍ以下で
の形成は困難である。そして、結果的に( 枠体を含む)
モールド領域（図３のＭ部参照）が広くなり、カードと
の接着面積が狭くなるので、カードの曲げ等の作用によ
りモジュールが剥離する恐れがあった。
【００１２】また、粘度にもよるが、通常のソルダーレ
ジストレベルでは、流れ止め枠体３２の高さｈ＝３０μ
ｍ程度までしか出ず、ものによっては、矢印Ａのよう
に、はみ出してしまい、十分なダム効果が出ないものも
あった。さらに、液状樹脂を狭幅で形成するために、樹
脂粘度のロット，保管条件等の違いによるばらつきの影
響によって、幅，高さにばらつきが出て、結果として形
状精度が悪くなる恐れがあった。
ジストレベルでは、流れ止め枠体３２の高さｈ＝３０μ
ｍ程度までしか出ず、ものによっては、矢印Ａのよう
に、はみ出してしまい、十分なダム効果が出ないものも
あった。さらに、液状樹脂を狭幅で形成するために、樹
脂粘度のロット，保管条件等の違いによるばらつきの影
響によって、幅，高さにばらつきが出て、結果として形
状精度が悪くなる恐れがあった。
【００１３】前記の方法は、接着剤３５の塗布と、流
れ止め枠体３４の形成，その枠体３４の接着という余分
な工程が増えてしまう。また、モールド面積を狭くする
ために、枠幅を極端に細くすると（０．３ｍｍ以下）、
枠体３４のハンドリングが困難になる等の不都合があ
る。
れ止め枠体３４の形成，その枠体３４の接着という余分
な工程が増えてしまう。また、モールド面積を狭くする
ために、枠幅を極端に細くすると（０．３ｍｍ以下）、
枠体３４のハンドリングが困難になる等の不都合があ
る。
【００１４】さらに、枠体３４又は基板３１側に、液状
又はシート状の接着剤３５を、予め塗布する必要があ
り、接着剤３５の塗布領域と枠体３４の位置ずれ等によ
って差があったり、枠体３４の圧着のために、はみ出し
た接着剤３５が、モールド樹脂３３と基板３１の密着性
を阻害する恐れがあった（矢印Ｂの部分参照）。このた
めに、使用時に剥離する可能性が出てしまい、極端な場
合は、接着剤３５がワイヤボンディングエリアに達し、
ボンディングを阻害する恐れもあった。この問題を解決
するために、接着剤３５の量を減らしてしまうと、逆
に、接着力が弱まり、曲げ等の作用で枠体３５が基板３
１から剥離してしまう恐れがあるという別の問題が発生
する。
又はシート状の接着剤３５を、予め塗布する必要があ
り、接着剤３５の塗布領域と枠体３４の位置ずれ等によ
って差があったり、枠体３４の圧着のために、はみ出し
た接着剤３５が、モールド樹脂３３と基板３１の密着性
を阻害する恐れがあった（矢印Ｂの部分参照）。このた
めに、使用時に剥離する可能性が出てしまい、極端な場
合は、接着剤３５がワイヤボンディングエリアに達し、
ボンディングを阻害する恐れもあった。この問題を解決
するために、接着剤３５の量を減らしてしまうと、逆
に、接着力が弱まり、曲げ等の作用で枠体３５が基板３
１から剥離してしまう恐れがあるという別の問題が発生
する。
【００１５】本発明は、ＩＣチップを被覆する封止樹脂
の材料として、低粘度のものを用いた場合であっても、
容易かつ安定的に、所定形状の樹脂封止ができるＩＣモ
ジュールの製造方法、及び、広範囲な粘度条件の封止樹
脂に対して、形状精度を含めた高品質の樹脂封止ができ
るＩＣモジュールを提供することを課題とする。
の材料として、低粘度のものを用いた場合であっても、
容易かつ安定的に、所定形状の樹脂封止ができるＩＣモ
ジュールの製造方法、及び、広範囲な粘度条件の封止樹
脂に対して、形状精度を含めた高品質の樹脂封止ができ
るＩＣモジュールを提供することを課題とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項１の発明は、絶縁フィルムのチップ搭載部
に、ＩＣチップを搭載し、そのＩＣチップを封止樹脂に
よって被覆するＩＣモジュールの製造方法において、前
記絶縁フィルムの一方の面に、露光及びエッチングによ
り除去可能な薄膜層（レジスト）を形成する薄膜形成工
程と、前記絶縁フィルムの薄膜層の前記チップ搭載部を
囲む位置に、前記封止樹脂の流れ止めとなる枠体を所定
のマスクを介して、露光及びエッチングにより形成する
枠体形成工程と、を備えたことを特徴とするＩＣモジュ
ールの製造方法である。
に、請求項１の発明は、絶縁フィルムのチップ搭載部
に、ＩＣチップを搭載し、そのＩＣチップを封止樹脂に
よって被覆するＩＣモジュールの製造方法において、前
記絶縁フィルムの一方の面に、露光及びエッチングによ
り除去可能な薄膜層（レジスト）を形成する薄膜形成工
程と、前記絶縁フィルムの薄膜層の前記チップ搭載部を
囲む位置に、前記封止樹脂の流れ止めとなる枠体を所定
のマスクを介して、露光及びエッチングにより形成する
枠体形成工程と、を備えたことを特徴とするＩＣモジュ
ールの製造方法である。
【００１７】請求項２の発明は、請求項１に記載のＩＣ
モジュールの製造方法において、前記薄膜形成工程は、
前記基板の両面に前記薄膜層を形成し、前記枠体形成工
程は、前記絶縁フィルムの他方の面に形成される接続端
子部と同時に前記枠体を形成すること、を特徴とするＩ
Ｃモジュールの製造方法である。
モジュールの製造方法において、前記薄膜形成工程は、
前記基板の両面に前記薄膜層を形成し、前記枠体形成工
程は、前記絶縁フィルムの他方の面に形成される接続端
子部と同時に前記枠体を形成すること、を特徴とするＩ
Ｃモジュールの製造方法である。
【００１８】請求項３の発明は、一方の面にチップ搭載
部を囲む封止樹脂の流れ止めとなる枠体を露光及びエッ
チングによって形成した絶縁フィルムと、前記絶縁フィ
ルムのチップ搭載部に搭載されたＩＣチップと、前記絶
縁フィルムの前記枠体内に塗布され、前記ＩＣチップを
被覆する封止樹脂部と、を備えたＩＣモジュールであ
る。
部を囲む封止樹脂の流れ止めとなる枠体を露光及びエッ
チングによって形成した絶縁フィルムと、前記絶縁フィ
ルムのチップ搭載部に搭載されたＩＣチップと、前記絶
縁フィルムの前記枠体内に塗布され、前記ＩＣチップを
被覆する封止樹脂部と、を備えたＩＣモジュールであ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面などを参照しながら、
実施の形態をあげ、本発明をさらに詳細に説明する。 （第１実施形態）図１は、本発明によるＩＣモジュール
の製造方法の第１実施形態を示す工程図である。まず、
図１（ａ）に示すような厚さ０．０３〜０．８ｍｍ程度
のガラスエポキシ，ポリイミド等の絶縁フィルム１１
に、図１（ｂ）に示すように、後工程においてそれぞれ
チップ搭載部，ボンディングホールとなる貫通孔１１
ａ，１１ｂを、あらかじめパンチングする（パンチ工
程）。
実施の形態をあげ、本発明をさらに詳細に説明する。 （第１実施形態）図１は、本発明によるＩＣモジュール
の製造方法の第１実施形態を示す工程図である。まず、
図１（ａ）に示すような厚さ０．０３〜０．８ｍｍ程度
のガラスエポキシ，ポリイミド等の絶縁フィルム１１
に、図１（ｂ）に示すように、後工程においてそれぞれ
チップ搭載部，ボンディングホールとなる貫通孔１１
ａ，１１ｂを、あらかじめパンチングする（パンチ工
程）。
【００２０】次に、図１（ｃ）に示すように、絶縁フィ
ルム１１の両面に、銅箔などの厚さ１５〜５００μｍ
（形成する枠体１２ａの高さにより厚みを選択する）の
金属箔フィルム１２，１３を貼り込む（薄膜形成工
程）。
ルム１１の両面に、銅箔などの厚さ１５〜５００μｍ
（形成する枠体１２ａの高さにより厚みを選択する）の
金属箔フィルム１２，１３を貼り込む（薄膜形成工
程）。
【００２１】ここで、図１（ｄ），（ｅ）に示すよう
に、絶縁フィルム１１の端子面側に、レジスト２１を塗
布した後に、所定形状のマスク２２によるパターンエッ
チングを行って、端子面パターン１３ａを形成する。つ
いで、反対面（チップ搭載面）に、同じく、レジスト２
３を塗布した後に、マスク２４によるパターンエッチン
グを行って、枠形状に金属薄膜部を残して、樹脂封止時
の流れ止め枠体（ダム）１２ａとする（枠体形成工
程）。これにより、端子面のパターン形成工程と同じ工
程を流用して反対面の枠形成を行うことにより、余分な
後からの印刷又は枠体の貼付け作業を省くことができる
とともに、それに伴う、個々の枠体の位置ずれ、形状不
安定（特に、細幅での）の問題を回避し、安定した高精
度の枠体形成を容易に行うことができる。
に、絶縁フィルム１１の端子面側に、レジスト２１を塗
布した後に、所定形状のマスク２２によるパターンエッ
チングを行って、端子面パターン１３ａを形成する。つ
いで、反対面（チップ搭載面）に、同じく、レジスト２
３を塗布した後に、マスク２４によるパターンエッチン
グを行って、枠形状に金属薄膜部を残して、樹脂封止時
の流れ止め枠体（ダム）１２ａとする（枠体形成工
程）。これにより、端子面のパターン形成工程と同じ工
程を流用して反対面の枠形成を行うことにより、余分な
後からの印刷又は枠体の貼付け作業を省くことができる
とともに、それに伴う、個々の枠体の位置ずれ、形状不
安定（特に、細幅での）の問題を回避し、安定した高精
度の枠体形成を容易に行うことができる。
【００２２】さらに、図１（ｆ）に示すように、ＩＣチ
ップ１４（厚さｔ３＝約２５０μｍ程度）を搭載すると
共に、ボンディングワイヤ１５を接続する（チップ搭載
工程）。
ップ１４（厚さｔ３＝約２５０μｍ程度）を搭載すると
共に、ボンディングワイヤ１５を接続する（チップ搭載
工程）。
【００２３】最後に、図１（ｇ）に示すように、流れ止
め枠体１２ａ内に封止樹脂１６を塗布して（ＩＣチップ
１４の上面から最低約１５０μｍ）、ＩＣチップ１４と
ボンディングワイヤ１５を被覆して、熱硬化させる（樹
脂封止工程）。なお、封止樹脂１６は、必要に応じて、
仮想線Ｃまで研磨するようにしてもよい。
め枠体１２ａ内に封止樹脂１６を塗布して（ＩＣチップ
１４の上面から最低約１５０μｍ）、ＩＣチップ１４と
ボンディングワイヤ１５を被覆して、熱硬化させる（樹
脂封止工程）。なお、封止樹脂１６は、必要に応じて、
仮想線Ｃまで研磨するようにしてもよい。
【００２４】本実施形態に係るＩＣモジュール１０は、
以下のような効果がある。 （１）流れ止め枠体（ダム）１２ａの側面がケミカルエ
ッチングの精度が高いため、シャープに仕上がり、ほぼ
垂直に形成される。また、枠体１２ａは、その周囲の接
着剤がエッチング工程で落とされるために、はみ出しは
なく、枠幅も、０．１ｍｍ程度の細幅が可能となる。従
って、ハンドリングによる損傷，接着剤のはみ出し，位
置ずれ等がなく、正確に枠体１２ａを形成でき、効果的
に低粘度樹脂の液だれを防止する。このために、モール
ド面積を最小限に抑え、カード基材との接着面積を大き
く取れるので、物理強度的にも信頼性の高いＩＣカード
を作製することが可能となる。
以下のような効果がある。 （１）流れ止め枠体（ダム）１２ａの側面がケミカルエ
ッチングの精度が高いため、シャープに仕上がり、ほぼ
垂直に形成される。また、枠体１２ａは、その周囲の接
着剤がエッチング工程で落とされるために、はみ出しは
なく、枠幅も、０．１ｍｍ程度の細幅が可能となる。従
って、ハンドリングによる損傷，接着剤のはみ出し，位
置ずれ等がなく、正確に枠体１２ａを形成でき、効果的
に低粘度樹脂の液だれを防止する。このために、モール
ド面積を最小限に抑え、カード基材との接着面積を大き
く取れるので、物理強度的にも信頼性の高いＩＣカード
を作製することが可能となる。
【００２５】（２）金属箔（銅箔）は、枠体１２ａの形
成に使用された以外の余分な部分がエッチング工程によ
って除去されてしまうが、後工程で分離，回収すること
によって、再利用が可能であり、コストアップにつなが
らない。
成に使用された以外の余分な部分がエッチング工程によ
って除去されてしまうが、後工程で分離，回収すること
によって、再利用が可能であり、コストアップにつなが
らない。
【００２６】（第２実施形態）図２は、本発明によるＩ
Ｃモジュールの製造方法の第２実施形態を説明する図で
ある。なお、前述した第１実施形態と同様な機能を果た
す部分には、同一の符号を付して、重複する説明を適宜
省略する。第１実施形態は、ガラスエポキシ製の絶縁フ
ィルム１１に貫通孔１１ａ，１１ｂをあけて、ワイヤボ
ンディングホールを形成したが、第２実施形態は、絶縁
フィルム１１の両面に、銅箔フィルム１２，１３を貼り
つけた後に、パンチングでスルーホールＴＨを形成し、
枠体１２ａと、ワイヤボンディングエリア１２ｂとを、
チップ搭載面側の銅箔フィルム１２のエッチングによっ
て形成し、リード線１４とスルーホールを介して、端子
面側に接続させるようにした。このために、金属薄膜
（銅箔）のより一層の有効利用が図れると共に、ボンデ
ィングホール形成箇所の自由度を広げることができる。
Ｃモジュールの製造方法の第２実施形態を説明する図で
ある。なお、前述した第１実施形態と同様な機能を果た
す部分には、同一の符号を付して、重複する説明を適宜
省略する。第１実施形態は、ガラスエポキシ製の絶縁フ
ィルム１１に貫通孔１１ａ，１１ｂをあけて、ワイヤボ
ンディングホールを形成したが、第２実施形態は、絶縁
フィルム１１の両面に、銅箔フィルム１２，１３を貼り
つけた後に、パンチングでスルーホールＴＨを形成し、
枠体１２ａと、ワイヤボンディングエリア１２ｂとを、
チップ搭載面側の銅箔フィルム１２のエッチングによっ
て形成し、リード線１４とスルーホールを介して、端子
面側に接続させるようにした。このために、金属薄膜
（銅箔）のより一層の有効利用が図れると共に、ボンデ
ィングホール形成箇所の自由度を広げることができる。
【００２７】（変形形態）以上説明した実施形態に限定
されることなく、種々の変形や変更が可能であって、そ
れらも本発明の均等の範囲内である。例えば、エッチン
グによって、流れ止め枠体を形成する例で説明したが、
レジストを塗布し、マスキングして、露光することによ
り、枠体を形成するようにしてもよい。従って、枠体
は、必ずしも金属である必要はない。
されることなく、種々の変形や変更が可能であって、そ
れらも本発明の均等の範囲内である。例えば、エッチン
グによって、流れ止め枠体を形成する例で説明したが、
レジストを塗布し、マスキングして、露光することによ
り、枠体を形成するようにしてもよい。従って、枠体
は、必ずしも金属である必要はない。
【００２８】
【実施例】次に、具体的な実施形態をあげて、本発明を
さらに詳しく説明する。まず、厚さｔ１＝０．１２ｍｍ
のガラスエポキシ製の絶縁フィルム１１に、ダイボンデ
ィング及びワイヤボンディング用の貫通孔１１ａ，１１
ｂを、予めパンチングしておき、これに、端子面側に厚
さｔ５＝１８μｍ，チップ搭載面側に厚さｔ２＝５０μ
ｍの銅箔フィルム１３，１２をエポキシ樹脂の接着剤を
介して貼り込み、熱硬化接着させる。ここで、チップ搭
載面側の銅箔フィルム１２は、枠体１２ａの領域分の幅
だけ貼り込めばよい。
さらに詳しく説明する。まず、厚さｔ１＝０．１２ｍｍ
のガラスエポキシ製の絶縁フィルム１１に、ダイボンデ
ィング及びワイヤボンディング用の貫通孔１１ａ，１１
ｂを、予めパンチングしておき、これに、端子面側に厚
さｔ５＝１８μｍ，チップ搭載面側に厚さｔ２＝５０μ
ｍの銅箔フィルム１３，１２をエポキシ樹脂の接着剤を
介して貼り込み、熱硬化接着させる。ここで、チップ搭
載面側の銅箔フィルム１２は、枠体１２ａの領域分の幅
だけ貼り込めばよい。
【００２９】その後に、絶縁フィルム１１の両面（銅箔
フィルム１２，１３の表面）について、レジスト塗布、
パターンの焼き付け，エッチングにより、端子面側に
は、所定の端子パターン１３ａが、チップ搭載面側に
は、高さｔ２＝５０μｍの流れ止め枠体１２ａが形成さ
れる［図１（ｅ）］。この枠体１２ａは、側面がシャー
プに仕上がり、ほぼ垂直に形成されていた。また、枠体
１２ａは、その周囲の接着剤がエッチング工程で除去さ
れているので、はみ出しはなかった。
フィルム１２，１３の表面）について、レジスト塗布、
パターンの焼き付け，エッチングにより、端子面側に
は、所定の端子パターン１３ａが、チップ搭載面側に
は、高さｔ２＝５０μｍの流れ止め枠体１２ａが形成さ
れる［図１（ｅ）］。この枠体１２ａは、側面がシャー
プに仕上がり、ほぼ垂直に形成されていた。また、枠体
１２ａは、その周囲の接着剤がエッチング工程で除去さ
れているので、はみ出しはなかった。
【００３０】その後の工程は、通常と同じであり、銅箔
部に厚さ約２．０μｍのＮｉメッキ層１２ｂ、ついで、
厚さ０．３μｍのＡｕメッキ層１２ｃを形成し［図２
（ｃ）参照］、完成した基板フィルムにダイボンディン
グ，ワイヤボンディング［図１（ｆ）］，ディスペンス
又は印刷方式による樹脂封止［図１（ｇ）］，熱硬化，
（場合によっては）研磨により、ＩＣモジュールテープ
が完成する。
部に厚さ約２．０μｍのＮｉメッキ層１２ｂ、ついで、
厚さ０．３μｍのＡｕメッキ層１２ｃを形成し［図２
（ｃ）参照］、完成した基板フィルムにダイボンディン
グ，ワイヤボンディング［図１（ｆ）］，ディスペンス
又は印刷方式による樹脂封止［図１（ｇ）］，熱硬化，
（場合によっては）研磨により、ＩＣモジュールテープ
が完成する。
【００３１】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明によ
れば、別工程での流れ止め用の枠体の印刷又は枠体の貼
付けを実施する必要がなく、高精度、高品質の枠体を容
易に形成することができる、という効果がある。
れば、別工程での流れ止め用の枠体の印刷又は枠体の貼
付けを実施する必要がなく、高精度、高品質の枠体を容
易に形成することができる、という効果がある。
【図１】本発明によるＩＣモジュールの製造方法の第１
実施形態の工程図である。
実施形態の工程図である。
【図２】本発明によるＩＣモジュールの製造方法の第２
実施形態の説明図である。
実施形態の説明図である。
【図３】従来の流れ止め枠体を用いた樹脂封止方法を示
す図である。
す図である。
１１ 絶縁フィルム １２，１３ 金属薄膜フィルム １２ａ 枠体（ダム） １４ 配線 １５ ＩＣチップ １６ 封止樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁フィルムのチップ搭載部に、ＩＣチ
ップを搭載し、そのＩＣチップを封止樹脂によって被覆
するＩＣモジュールの製造方法において、 前記絶縁フィルムの一方の面に、露光及びエッチングに
より除去可能な薄膜層を形成する薄膜形成工程と、 前記絶縁フィルムの薄膜層の前記チップ搭載部を囲む位
置に、前記封止樹脂の流れ止めとなる枠体を所定のマス
クを介して露光及びエッチングにより形成する枠体形成
工程と、を備えたことを特徴とするＩＣモジュールの製
造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＩＣモジュールの製造
方法において、 前記薄膜形成工程は、前記基板の両面に前記薄膜層を形
成し、 前記枠体形成工程は、前記絶縁フィルムの他方の面に形
成される接続端子部と同時に前記枠体を形成すること、
を特徴とするＩＣモジュールの製造方法。 - 【請求項３】 一方の面にチップ搭載部を囲む封止樹脂
の流れ止めとなる枠体を露光及びエッチングによって形
成した絶縁フィルムと、 前記絶縁フィルムのチップ搭載部に搭載されたＩＣチッ
プと、 前記絶縁フィルムの前記枠体内に塗布され、前記ＩＣチ
ップを被覆する封止樹脂部と、を備えたＩＣモジュー
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5652498A JP3957862B2 (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | Ｉｃモジュールの製造方法及びｉｃモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5652498A JP3957862B2 (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | Ｉｃモジュールの製造方法及びｉｃモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11259621A true JPH11259621A (ja) | 1999-09-24 |
| JP3957862B2 JP3957862B2 (ja) | 2007-08-15 |
Family
ID=13029513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5652498A Expired - Lifetime JP3957862B2 (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | Ｉｃモジュールの製造方法及びｉｃモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3957862B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002123808A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-04-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 接触型非接触型共用ｉｃモジュール、および、それを用いたｉｃカード |
| JP2007011429A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｃカードモジュール及びそれを用いたｉｃカード |
| JP2011237967A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｉｃモジュール及びこれを使用したｉｃカード |
-
1998
- 1998-03-09 JP JP5652498A patent/JP3957862B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002123808A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-04-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 接触型非接触型共用ｉｃモジュール、および、それを用いたｉｃカード |
| JP2007011429A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｃカードモジュール及びそれを用いたｉｃカード |
| JP2011237967A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｉｃモジュール及びこれを使用したｉｃカード |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3957862B2 (ja) | 2007-08-15 |
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