JPH11258063A - パワー素子の温度検出方法 - Google Patents

パワー素子の温度検出方法

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JPH11258063A
JPH11258063A JP6121798A JP6121798A JPH11258063A JP H11258063 A JPH11258063 A JP H11258063A JP 6121798 A JP6121798 A JP 6121798A JP 6121798 A JP6121798 A JP 6121798A JP H11258063 A JPH11258063 A JP H11258063A
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JP
Japan
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power element
temperature
detecting
difference
temperature sensor
Prior art date
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Pending
Application number
JP6121798A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Fuse
英昭 布施
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Tamagawa Seiki Co Ltd
Original Assignee
Tamagawa Seiki Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tamagawa Seiki Co Ltd filed Critical Tamagawa Seiki Co Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のパワー素子の温度検出方法は、放熱板
に設けた1個の温度センサの検出信号を用いていたた
め、パワー素子内部の温度と放熱板の温度では温度差が
大きく、正確な温度検出ができず、パワー素子の破損と
なることがあった。 【解決手段】 本発明によるパワー素子の温度検出方法
は、放熱板(1)とパワー素子(2)の端子(2A)に設けた1対
の温度センサ(3,3A)の検出信号(3a,3Aa)の差をパワー素
子(2)の温度上昇分と判断することにより、パワー素子
(2)の温度上昇による破損を防止する方法である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワー素子の温度
検出方法に関し、特に、放熱板とパワー素子の端子とに
温度センサを設け、各温度センサの検出信号の差信号を
用いてパワー素子の温度上昇分と判断し、高精度の温度
検出を達成するための新規な改良に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、用いられていたこの種のパワー素
子の温度検出方法としては、図3に示す方法が採用され
ていた。すなわち、図3において符号1で示されるもの
は放熱板であり、この放熱板1上にはパワートランジス
タ等のパワー素子2及び温度センサ3が設けられ、この
パワー素子2の上方位置には図示しない支持手段を介し
てプリント基板4が設けられている。従って、放熱板1
上の温度センサからの検出信号によりパワー素子2の温
度上昇を検出していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のパワー素子の温
度検出方法は、以上のように構成されていたため、次の
ような課題が存在していた。すなわち、放熱板に設けた
1個の温度センサの検出信号を用いていたため、パワー
素子内部の温度と放熱板の温度では温度時定数すなわち
温度差が大きく、さらに周囲温度の影響を受けることと
なり、パワー素子の正確な温度上昇を判定することは難
しく、パワー素子の破損となることがあった。
【0004】本発明は、以上のような課題を解決するた
めになされたもので、特に、放熱板とパワー素子の端子
とに温度センサを設け、各温度センサの検出信号の差を
用いてパワー素子の温度上昇分と判断し、高精度の温度
検出を達成するようにしたパワー素子の温度検出方法を
提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明によるパワー素子
の温度検出方法は、放熱板に設けられたパワー素子の温
度を温度センサで測定するようにしたパワー素子の温度
検出方法において、前記放熱板に設けた第1温度センサ
と前記パワー素子の電流が流れる端子に設けた第2温度
センサの各検出信号を比較して得た差を前記パワー素子
の温度上昇分と判断する方法であり、さらに、前記温度
センサはサーミスタよりなり、前記温度上昇分が一定値
以上となった時、前記パワー素子に供給する電流を停止
させる方法である。
【0006】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明によるパ
ワー素子の温度検出方法の好適な実施の形態について説
明する。なお、従来例と同一又は同等部分には同一符号
を付して説明する。図1において符号1で示されるもの
は放熱板であり、この放熱板1上にはパワートランジス
タ等のパワー素子2及び第1温度センサ3が設けられ、
このパワー素子2の上方位置には図示しない支持手段を
介してプリント基板4が設けられている。
【0007】さらに、前記パワー素子2の端子2Aに
は、このパワー素子2の温度を直接検出するための第2
温度センサ3Aが設けられており、これらの各温度セン
サ3,3Aはサーミスタより構成されている。前記各温
度センサ3,3Aの検出信号3a,3Aaは、A/D変
換器5でA/D変換された後にCPU6に入力され、各
検出信号3a,3Aaの差をCPU6で判断する。この
差がパワー素子2の実際の温度上昇分に相当する。従っ
て、この検出信号3a,3Aaは電圧で出力されるた
め、この差の電圧値が予め設定された一定値以上であれ
ばパワー素子2への電流の供給を停止してパワー素子の
破損を防止することができる。
【0008】
【発明の効果】本発明によるパワー素子の温度検出方法
は、以上のように構成されているため次のような効果を
得ることができる。すなわち、放熱板とパワー素子の端
子に設けた温度センサからの各検出信号の差を用いてい
るため、周囲温度に左右されないパワー素子自体の温度
上昇分を検出することができ、パワー素子の破損を確実
に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるパワー素子の温度検出方法を適用
した構成図である。
【図2】本発明による温度検出方法を示す回路構成図で
ある。
【図3】従来のパワー素子の温度検出方法を示す構成図
である。
【符号の説明】
1 放熱板 2 パワー素子 3 第1温度素子 2A 端子 3a,3Aa 検出信号

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 放熱板(1)に設けられたパワー素子(2)の
    温度を温度センサで測定するようにしたパワー素子の温
    度検出方法において、前記放熱板(1)に設けた第1温度
    センサ(3)と前記パワー素子(2)の電流が流れる端子(2A)
    に設けた第2温度センサ(3A)の各検出信号(3a,3Aa)を比
    較して得た差を前記パワー素子(2)の温度上昇分と判断
    することを特徴とするパワー素子の温度検出方法。
  2. 【請求項2】 前記温度センサ(3,3A)はサーミスタより
    なり、前記温度上昇分が一定値以上となった時、前記パ
    ワー素子(2)に供給する電流を停止することを特徴とす
    る請求項1記載のパワー素子の温度検出方法。
JP6121798A 1998-03-12 1998-03-12 パワー素子の温度検出方法 Pending JPH11258063A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8602645B2 (en) * 2007-12-25 2013-12-10 Mitsubishi Electric Corporation Temperature detection system
JP2021064707A (ja) * 2019-10-15 2021-04-22 富士電機株式会社 半導体モジュール
CN113030160A (zh) * 2021-02-05 2021-06-25 华荣科技股份有限公司 一种隔爆装置的最高表面温度值获取方法和系统

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JP2021064707A (ja) * 2019-10-15 2021-04-22 富士電機株式会社 半導体モジュール
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