JPH112517A - 平行度測定装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の測定ポイントについていちいち一点測
定方式の測定を行わなくとも、所定距離離れた２つの面
の間の平行度が一目瞭然に判別できて、平行度の測定の
作業効率を飛躍的に向上できる平行度測定装置を提供す
る。 【解決手段】 上面２２ｂとその裏側の密着下面２２ｃ
との間の厚さが一定で周部の４箇所に嵌合孔２２ａが形
成され、密着下面２２ｃが反応ガス吹出装置１２の基準
面１２ａに密着した状態に配置される本体板部２２と、
先端から所定の距離の位置に環状溝部２８が形成され、
嵌合孔２２ａの各々に先端から軽く摺動自在に嵌合し、
反応ガス放出装置１２の側部近傍を基準面１２ａと垂直
の方向に伸び、その先端が、反応ガス放出装置１２の基
準面１２ａと反対側の面に対向しかつ離隔して配置され
た第２対象物の、基準面１２ａと同方向に向いた測定面
１４ａに当接するよう配置される測定軸部材２４とを備
えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体製造
装置等において、加工装置と被加工物との間の隙間を一
定に保つ必要がある場合等に用いられる等、所定距離離
れた２つの面の間の平行度を測定するのに有用な平行度
測定装置及び方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】所定距離離れた２つの面の間の平行度を
測定する為に、従来行われていた測定方法の一例につい
て、図６に示す半導体製造装置に基づいて説明する。同
図に示す反応ガス吹出装置１２は、その下面側からプロ
セスガスを吹き出して、その反応ガス吹出装置１２の下
方を通過する半導体ウエーハ１３の上面に所定の生成膜
を形成するものである。

【０００３】このような加工を行うためには、プロセス
ガスを吹き出す反応ガス吹出装置１２の下面と半導体ウ
エーハ１３の上面との間の隙間が一定になっている必要
があり、そのためには反応ガス吹出装置１２の下面と半
導体ウエーハ１３の上面との間には一定の平行度が必要
とされる。

【０００４】このような一定の平行度を出すためには、
反応ガス吹出装置１２の下面と上面（基準面）１２ａと
の間に一定の平行度が出され、その基準面１２ａと、半
導体ウエーハ１３を載置する半導体ウエーハ載置トレー
１４の上面（測定面）１４ａとの間に一定の平行度が出
されることにより、間接的に反応ガス吹出装置１２の下
面と半導体ウエーハ１３の上面との間に一定の平行度が
出されるようになっている。

【０００５】そのため、反応ガス吹出装置１２はその４
隅の調整部Ａ〜Ｄにおいて、反応ガス吹出装置１２に一
体形成された支持板１２ｂの孔を貫いて、ヘッドベース
１０に立設されたネジ棒部材１６と、このネジ棒部材１
６に螺合して支持板１２ｂを上下両側から挾むような一
対のナット１８により、ヘッドベース１０上に支持され
ている。

【０００６】そして、上述のように反応ガス吹出装置１
２の基準面１２ａと半導体ウエーハ載置トレー１４の測
定面１４ａとの間に一定の平行度を出すためには、ま
ず、図中４ヵ所の測定ポイントａ〜ｄにおいて、基準面
１２ａと測定面１４ａとの間の距離を、ノギスのディプ
ス測定部、又はディプスマイクロメータ等の精密測長器
を用いて測定する。

【０００７】そして、測定ポイントａ〜ｄにおける上記
距離の測定値がすべて等しければ、基準面１２ａと測定
面１４ａとの間には一定の平行度が出ていることになる
が、そうでない場合は、調整部Ａ〜Ｄの各々のナット１
８を調整して、測定ポイントａ〜ｄにおける測定値がす
べて等しくなるまで、各支持板１２ｂの高さを上下させ
て調整するようになっている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の平行度測定方法においては、各測定ポイント
ａ〜ｄにおいて一点測定方式が用いられているため、例
えば測定ポイントａの測定値を修正するために、その近
傍の調整部Ａのナット１８を調整して支持板１２ｂの高
さを上下させると、他の測定ポイントｂ〜ｄにおける測
定値のすべてが影響を受けてしまう。

【０００９】このため、例えば測定ポイントａ〜ｄを順
番に調整した場合、最終の測定ポイントｄを所望の寸法
に調整した後に、最初に測定値を所望の寸法に調整した
測定ポイントａにおけるその所望の寸法に狂いが生じて
しまう。従って、各測定ポイントａ〜ｄにおける測定値
をすべて所望の寸法に収めるためには、各測定ポイント
ａ〜ｄにおける測定値を順番に調整する作業を繰り返す
必要があり、このために非常に時間がかかって作業効率
を著しく悪化させていた。

【００１０】また、反応ガス吹出装置１２の下方の半導
体ウエーハ載置トレー１４は、半導体ウエーハ１３の加
工処理が終わる毎に後方の隣の半導体ウエーハ載置トレ
ー１４が、新たに反応ガス吹出装置１２の下方に搬送さ
れてきて新たに半導体ウエーハ１３の加工処理を行うよ
うになっているので、新たに反応ガス吹出装置１２の下
方にきた半導体ウエーハ載置トレー１４の測定面１４ａ
について、又最初から上記と同様に反応ガス吹出装置１
２の基準面１２ａとの平行度を調整しなければならない
ので、すべての半導体ウエーハ１３の加工処理にかかる
時間は膨大なものとなってしまう。

【００１１】そこで本発明は、上記問題点に鑑みて、複
数の測定ポイントについていちいち一点測定方式の測定
を行わなくとも、所定距離離れた２つの面の間の平行度
が一目瞭然に判別できて、平行度の測定の作業効率を飛
躍的に向上できる平行度測定装置及び方法を提供するこ
とを課題とするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明による平行度測定装置は、上面とその裏側の
密着下面との間の厚さが一定で周部の３箇所以上に嵌合
孔が形成され、前記密着下面が第１対象物の基準面に密
着した状態に配置される本体板部と、先端から所定の距
離の位置に寸法確認手段が形成され、前記嵌合孔の各々
に先端から軽く摺動自在に嵌合し、前記第１対象物の側
部近傍を前記基準面と垂直の方向に伸び、その先端が、
前記第１対象物の前記基準面と反対側の面に対向しかつ
離隔して配置された第２対象物の、前記基準面と同方向
に向いた測定面に当接するよう配置される測定軸部材と
を備えたことを特徴とするものである。

【００１３】また上記課題を解決するために、本発明に
よる平行度測定方法は、上面とその裏側の密着下面との
間の厚さが一定で周部の３箇所以上に嵌合孔が形成され
た本体板部を、前記密着下面を第１対象物の基準面に密
着した状態に配置し、先端から所定の距離の位置に寸法
確認手段が形成された測定軸部材を前記嵌合孔に先端か
ら軽く摺動自在に嵌合し、前記測定軸部材の先端部が前
記第１対象物の側部近傍を前記基準面と垂直の方向に伸
び、前記測定軸部材の先端を、前記第１対象物の前記基
準面と反対側の面に対向しかつ離隔して配置された第２
対象物の、前記基準面と同方向に向いた測定面に当接さ
せ、前記測定軸部材に形成された寸法確認手段と、前記
本体板部の上面の間の位置関係を判別することにより、
前記基準面と前記測定面との間の平行度を測定すること
を特徴とするものである。

【００１４】このような構成の平行度測定装置及び方法
によれば、上面とその裏側の密着下面との間の厚さが一
定で周部の３箇所以上に嵌合孔が形成された本体板部
を、その密着下面を第１対象物の基準面に密着した状態
に配置し、先端から所定の距離の位置に寸法確認手段が
形成された測定軸部材を本体板部の嵌合孔に先端から軽
く摺動自在に嵌合し、その測定軸部材の先端部が第１対
象物の側部近傍をその基準面と垂直の方向に伸び、その
測定軸部材の先端を、第１対象物の基準面と反対側の面
に対向しかつ離隔して配置された第２対象物の、第１対
象物の基準面と同方向に向いた測定面に当接させ、測定
軸部材に形成された寸法確認手段と、本体板部の上面の
間の位置関係を判別することにより、複数の測定ポイン
トについていちいち一点測定方式の測定を行わなくと
も、所定距離離れた２つの面の間の平行度が一目瞭然に
判別できるため、各測定ポイントのすべての状況を確認
しながら調整することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面に基づいて具体的に説明する。図１ないし図５
は、本発明の第１の実施の形態に係る平行度測定装置及
び方法を説明するために参照する図である。

【００１６】図１は、本実施の形態に係る平行度測定装
置２０が用いられる半導体製造装置を示す図である。同
図に示す反応ガス吹出装置（第１対象物）１２は、下面
側からプロセスガスを吹き出して、その反応ガス吹出装
置１２の下方を通過する半導体ウエーハ１３の上面に所
定の生成膜を形成するものである。この生成膜としては
例えば、ＳｉＯ₂膜中に不純物をドーピングして形成す
る平坦化膜（ＣＶＤ膜）等がある。

【００１７】このような加工処理を行うためには、プロ
セスガスを吹き出す反応ガス吹出装置１２の下面と半導
体ウエーハ１３の上面との間の隙間が一定になっている
必要があり、そのためには反応ガス吹出装置１２の下面
と半導体ウエーハ１３の上面との間には一定の平行度が
必要とされる。

【００１８】このような一定の平行度を出すためには、
反応ガス吹出装置１２の下面と上面（基準面）１２ａと
の間に一定の平行度が出され、その基準面１２ａと、半
導体ウエーハ１３を載置する半導体ウエーハ載置トレー
（第２対象物）１４の上面（測定面）１４ａとの間に一
定の平行度が出されることにより、間接的に反応ガス吹
出装置１２の下面と半導体ウエーハ１３の上面との間に
一定の平行度が出されるようになっている。

【００１９】そのため、反応ガス吹出装置１２はその４
隅の調整部Ａ〜Ｄにおいて、反応ガス吹出装置１２に一
体形成された支持板１２ｂの孔を貫いて、ヘッドベース
１０に立設されたネジ棒部材１６と、このネジ棒部材１
６に螺合して支持板１２ｂを上下両側から挾むような一
対のナット１８により、ヘッドベース１０上に支持され
ている。

【００２０】そして、上述のように反応ガス吹出装置１
２の基準面１２ａと半導体ウエーハ載置トレー１４の測
定面１４ａとの間に一定の平行度を出すためには、図１
に示すような平行度測定装置２０が用いられる。平行度
測定装置２０は、図２に示すように、周部の４隅に嵌合
孔２２ａが形成された本体板部２２と、この本体板部２
２の嵌合孔２２ａに先端から軽く摺動自在に嵌合される
４本の測定軸部材２４とを有している。本体板部２２と
測定軸部材２４はステンレス鋼により形成されるが、他
の材料を用いて形成することも勿論可能である。

【００２１】本体板部２２の上面２２ｂは研削仕上げ等
により高い平面度を有しており、図３に示す本体板部２
２の裏面に形成される密着下面２２ｃも研削仕上げ等に
より高い平面度を有していて、このような本体板部２２
の上面２２ｂと密着下面２２ｃとの間の厚さは一定寸法
Ｓに設定されている。

【００２２】また、半導体ウエーハ載置トレー１４の測
定面１４ａとその下面も、研削仕上げ等により高い平面
度を有していると共に、その測定面１４ａとその下面の
間の厚さも一定寸法に設定されている。

【００２３】図１に示すように平行度測定装置２０は、
本体板部２２の密着下面２２ｃが反応ガス吹出装置１２
の基準面１２ａに密着した状態で、本体板部２２が反応
ガス吹出装置１２の上に載置されている。このため、本
体板部２２の上面２２ｂと反応ガス吹出装置１２の下面
との間には平行度が保たれることになる。

【００２４】図２に示すように、本体板部２２の４隅の
嵌合孔２２ａに嵌合された測定軸部材２４は、図４に示
すように、２つの軸部２４ａと２４ｂとに分かれてい
て、軸部２４ａの図中右端部には雄ネジ部２６が軸方向
に伸びて形成され、軸部２４ｂの軸線部にはその雄ネジ
部２６が螺合する雌ネジ（図示せず）が形成されてい
る。

【００２５】また軸部２４ａの雄ネジ部２６と反対側に
は先端部２４ｃが形成されており、軸部２４ｂの軸部２
４ａと反対側の後端部には頭部２４ｄが形成されてい
る。そして軸部２４ｂの頭部２４ｄ側の途中には、幅が
０．３ｍｍ位の環状溝部（寸法確認手段）２８が赤い線
等のように着色されて円周方向に設けられている。先端
部２４ｃは、材料によっては熱処理することによりその
耐久性を向上させることができる。

【００２６】このような測定軸部材２４は、先端部２４
ｃと環状溝部２８との間の寸法Ｍを、ノギス等の測長器
を用いて４本共同じ寸法に設定して用いられるが、その
寸法Ｍは、軸部２４ｂを雄ネジ部２６の回りに回転させ
ることによりネジ移動させて、図中の寸法Ｌの範囲内で
可変調整することが可能となっている。反応ガス吹出装
置１２高さの大小に合わせて、寸法Ｍを自由に調整でき
るようにするためである。

【００２７】次に、このような平行度測定装置２０の動
作について説明する。まず、図１に示すように、反応ガ
ス吹出装置１２の上に平行度測定装置２０の本体板部２
２を載置して、密着下面２２ｃを基準面１２ａに密着さ
せる。そして、４つの嵌合孔２２ａに嵌合させた測定軸
部材２４の各々の先端部２４ｃを、ヘッドベース１０上
の半導体ウエーハ載置トレー１４の測定面１４ａに当接
させる。

【００２８】すると図５に示すように、半導体ウエーハ
載置トレー１４の測定面１４ａが反応ガス吹出装置１２
の基準面１２ａから所望の寸法Ｍの位置にある所では、
図中右側の測定軸部材２４のように、その環状溝部２８
が本体板部２２の上面２２ｂと一致した状態となる。

【００２９】ところが、測定面１４ａが反応ガス吹出装
置１２の基準面１２ａから所望の寸法Ｍより短い（又は
長い）寸法の位置にある所では、図中左側の測定軸部材
２４のように、その環状溝部２８が本体板部２２の上面
２２ｂより寸法Ｄだけ高く浮き上がった（又は沈み込ん
だ）状態となってしまうので、このことにより本体板部
２２の上面２２ｂと半導体ウエーハ載置トレー１４の測
定面１４ａとの間には一定の平行度が出ていないことが
分かる。

【００３０】この場合は、環状溝部２８が本体板部２２
の上面２２ｂより浮き上がって（又は沈み込んで）いる
測定軸部材２４の近傍の調整部（Ａ〜Ｂ）の、支持板１
２ｂの上下のナット１８を調整して環状溝部２８を上面
２２ｂと一致させる。このような調整作業をしていると
きは、すべての測定軸部材２４の環状溝部２８と上面２
２ｂとの上下関係が一目瞭然で分かるので、効率よく調
整を行うことができる。

【００３１】このようにして調整作業を行うことによ
り、すべての測定軸部材２４の環状溝部２８が本体板部
２２の上面２２ｂと一致した状態となったら（目視可
能）、その上面２２ｂと半導体ウエーハ載置トレー１４
の測定面１４ａとの間に一定の平行度が出たことにな
り、そのことが一目瞭然で分かることになる。

【００３２】そしてこのとき、最終目的である反応ガス
吹出装置１２の下面と半導体ウエーハ載置トレー１４の
測定面１４ａ、すなわち反応ガス吹出装置１２の下面と
半導体ウエーハ１３の上面との間に一定の平行度が出た
ことになり、例えばその反応ガス吹出装置１２の下面と
半導体ウエーハ載置トレー１４の測定面１４ａ間の隙間
を４ｍｍ±０．５ｍｍの精度内に収めることが可能とな
り、このことにより反応ガス吹出装置１２により半導体
ウエーハ１３の上面に所定の生成膜を均一に形成するこ
とが可能となる。

【００３３】このように本実施の形態に係る平行度測定
装置２０によれば、測定軸部材２４に形成された環状溝
部２８と、本体板部２２の上面２２ｂの間の位置関係を
判別することにより、複数の測定ポイントａ〜ｄについ
ていちいち一点測定方式の測定を行わなくとも、所定距
離離れた２つの面の間の平行度が一目瞭然に判別できる
ため、各測定ポイントのすべての状況を確認しながら調
整することができる。

【００３４】このため、その平行度の現在の状態を見な
がら調整部のナットの調整を行うことができると共に、
その調整による平行度の向上する全体の状態が一目で分
かるので、効率的に調整を行うことが可能となって、調
整にかかる時間を大幅に短縮でき、平行度の調整の作業
効率を飛躍的に向上できる。

【００３５】また、反応ガス吹出装置１２の下方の半導
体ウエーハ載置トレー１４は、半導体ウエーハ１３の加
工処理が終わる毎に後方の隣の半導体ウエーハ載置トレ
ー１４が、新たに反応ガス吹出装置１２の下方にきて新
たに半導体ウエーハ１３の加工処理を行うようになって
いるので、新たに反応ガス吹出装置１２の下方にきた半
導体ウエーハ載置トレー１４の測定面１４ａについて又
最初から反応ガス吹出装置１２の基準面１２ａとの平行
度を調整しなければならないが、本実施の形態に係る平
行度測定装置２０によれば、調整にかかる時間を大幅に
短縮することができるので、半導体ウエーハ１３の加工
処理の効率を大幅に向上させることができる。

【００３６】また、調整する際に本体板部２２を支持す
ることなく行うことが可能なので作業性が良い。また、
調整作業が簡単に行えるので個人差が発生せず、作業環
境が悪い場合（照明が暗い、室温が高い、作業空間が狭
い等）においても短時間で調整を行うことができる。

【００３７】また、１つの測定ポイントについて調整を
行った場合でも全体の平行度のバランスが１目で分か
る。また、調整を各測定ポイントについて同時に（併行
して）行うこともできるので短時間で調整を行うことが
できる。

【００３８】また、反応ガス吹出装置１２の吹き出すプ
ロセスガスにより半導体ウエーハ載置トレー１４上は４
００℃前後の高温となるが、そのような悪条件において
も本実施の形態によれば、容易に短時間で調整を行うこ
とが可能となる。さらに、測定軸部材２４の材料によっ
てはその先端部２４ｃの熱処理を行うことにより、その
先端部２４ｃの耐摩耗性を向上させることができる。

【００３９】なお上記の実施の形態においては、平行度
測定装置２０を、半導体ウエーハ１３の上面に所定の生
成膜を形成する装置に用いた場合について説明したが、
本発明は同じ半導体製造装置であって他の加工を行う装
置に用いてもよい。

【００４０】また、上記の実施の形態においては、平行
度測定装置２０を半導体製造装置の１つに用いた場合に
ついて説明したが、所定距離離れた２つの面の間の平行
度を測定する必要がある装置であれば、半導体製造装置
以外の他のどのような装置にも本発明は適用することが
できる。

【００４１】また、上記の実施の形態においては反応ガ
ス吹出装置の基準面１２ａや半導体ウエーハ載置トレー
１４の測定面１４ａが上方向に向いた装置の場合につい
て説明したが、それらの２つの面は斜め方向や横方向
等、同じ方向に向いたものであればどのような方向に向
くような装置であってもよい。

【００４２】また、上記の実施の形態においては測定軸
部材２４に環状溝部２８を設けたが、環状溝部２８の代
わりに目盛を刻むようにしてもよく、その場合には平行
度の誤差を数値的に読み取ることができるようになる。
また環状溝部２８に蛍光塗料等によりマーキングするよ
うにしてもよく、そのことにより暗い場所でも確認が可
能となる。

【００４３】また各測定ポイント毎に複数の嵌合孔２２
ａを設けてもよく、そのことにより隣合う複数の箇所の
測定、比較が可能となる。また、嵌合孔２２ａの形状を
円から楕円に変更してもよく、このことにより測定軸部
材２４をスライドさせて幅のある測定を行うことが可能
となる。

【００４４】さらに、上記の実施の形態においては本体
板部２２に嵌合孔２２ａを４つ設けた場合について説明
したが、嵌合孔２２ａは３つだけ設けることによっても
平行度の測定は行うことができるので、本体板部２２に
嵌合孔２２ａを３つだけ設けるようにしてもよい。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の測定ポイントについていちいち一点測定方式の測
定を行わなくとも、所定距離離れた２つの面の間の平行
度が一目瞭然に判別できるため、各測定ポイントのすべ
ての状況を確認しながら調整することができる。このた
め、効率的に調整を行うことが可能となって、調整にか
かる時間を大幅に短縮でき、平行度の調整の作業効率を
飛躍的に向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る平行度測定装
置を用いた半導体製造装置を示す斜視図であり、符号１
２は反応ガス吹出装置、１２ａは基準面、１４は半導体
ウエーハ載置トレー、１４ａは測定面、２０は平行度測
定装置、２２は本体板部、２４は測定軸部材を示してい
る。

【図２】図１における平行度測定装置２０のみを示す斜
視図である。

【図３】図２における本体板部２２のＡ矢視図である。

【図４】測定軸部材２４を拡大して詳細に示す側面図で
ある。

【図５】平行度測定装置２０の動作を説明するための模
式図である。

【図６】従来の平行度測定方法を説明するための半導体
製造装置の斜視図である。

【符号の説明】

１０…ヘッドベース、１２…反応ガス吹出装置、１２ａ
…基準面、１２ｂ…支持板、１３…半導体ウエーハ、１
４…半導体ウエーハ載置トレー、１４ａ…測定面、１６
…ネジ棒部材、１８…ナット、２０…平行度測定装置、
２２…本体板部、２２ａ…嵌合孔、２２ｂ…上面、２２
ｃ…密着下面、２４…測定軸部材、２４ａ，２４ｂ…軸
部、２４ｃ…先端部、２４ｄ…頭部、２６…雄ネジ部、
２８…環状溝部、Ａ〜Ｄ…調整部、ａ〜ｄ…測定ポイン
ト、Ｄ，Ｌ，Ｍ，Ｓ…寸法

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上面とその裏側の密着下面との間の厚さ
   が一定で周部の３箇所以上に嵌合孔が形成され、前記密
   着下面が第１対象物の基準面に密着した状態に配置され
   る本体板部と、 先端から所定の距離の位置に寸法確認手段が形成され、
   前記嵌合孔の各々に先端から軽く摺動自在に嵌合し、前
   記第１対象物の側部近傍を前記基準面と垂直の方向に伸
   び、その先端が、前記第１対象物の前記基準面と反対側
   の面に対向しかつ離隔して配置された第２対象物の、前
   記基準面と同方向に向いた測定面に当接するよう配置さ
   れる測定軸部材と、 を備えたことを特徴とする平行度測定装置。
2. 【請求項２】 半導体製造装置に用いたことを特徴とす
   る請求項１に記載の平行度測定装置。
3. 【請求項３】 前記半導体製造装置が半導体ウエーハの
   上面に所定の生成膜を形成する装置であることを特徴と
   する請求項２に記載の平行度測定装置。
4. 【請求項４】 前記第１対象物が前記半導体ウエーハの
   上面に所定の生成膜を形成する反応ガスを吹き出す反応
   ガス吹出装置であり、前記第２対象物が上に半導体ウエ
   ーハを載置する半導体ウエーハ載置トレーであることを
   特徴とする請求項３に記載の平行度測定装置。
5. 【請求項５】 上面とその裏側の密着下面との間の厚さ
   が一定で周部の３箇所以上に嵌合孔が形成された本体板
   部を、前記密着下面を第１対象物の基準面に密着した状
   態に配置し、 先端から所定の距離の位置に寸法確認手段が形成された
   測定軸部材を前記嵌合孔に先端から軽く摺動自在に嵌合
   し、 前記測定軸部材の先端部が前記第１対象物の側部近傍を
   前記基準面と垂直の方向に伸び、 前記測定軸部材の先端を、前記第１対象物の前記基準面
   と反対側の面に対向しかつ離隔して配置された第２対象
   物の、前記基準面と同方向に向いた測定面に当接させ、 前記測定軸部材に形成された寸法確認手段と、前記本体
   板部の上面の間の位置関係を判別することにより、前記
   基準面と前記測定面との間の平行度を測定する、 ことを特徴とする平行度測定方法。
6. 【請求項６】 半導体製造装置に用いたことを特徴とす
   る請求項５に記載の平行度測定方法。
7. 【請求項７】 前記半導体製造装置が半導体ウエーハの
   上面に所定の生成膜を形成する装置であることを特徴と
   する請求項６に記載の平行度測定方法。
8. 【請求項８】 前記第１対象物が前記半導体ウエーハの
   上面に所定の生成膜を形成する反応ガスを吹き出す反応
   ガス吹出装置であり、前記第２対象物が上に半導体ウエ
   ーハを載置する半導体ウエーハ載置トレーであることを
   特徴とする請求項７に記載の平行度測定方法。