JPH11250756A - 抵抗膜型透明タッチパネル用電極部材及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 抵抗膜型透明タッチパネル用電極部材におい
て、特に透明性とペン（入力摺動）耐久性のより改良し
た該部材とその製造方法の提供。 【解決手段】 該部材は、透明基体１上に、透明導電性
金属酸化物からなる抵抗膜層２、二酸化ケイ素による薄
膜層３、及び前記金属酸化物からなる抵抗膜層４とが、
順次積層されてなる３層構造。これは、例えばＰＥＴフ
ィルム、ポリカーボネート板の片面に、まず、ＩＴＯを
２００〜１０００Åスパッタ蒸着してＩＴＯ抵抗膜層
（下層）を設け、次に該抵抗膜層上にペルヒドロポリシ
ラザンをコーティングした後、化学的分解処理し、二酸
化ケイ素薄膜層（中間層）２００〜１０００Å形成し、
更に該薄膜層上に該ＩＴＯによって同様にスパッタ蒸着
して、膜厚５０〜４００ÅのＩＴＯ抵抗膜層（上層）を
形成し、積層して製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は特に透明性とペン慴
動耐久性とが改良された抵抗膜型透明タッチパネル用電
極部材及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】抵抗膜型透明タッチパネル（以下単にタ
ッチパネルと呼ぶ）は、タッチ面をペン（ペン先が円弧
状のポリアセタール樹脂により作製されている入力用ペ
ン）等でタッチし慴動して必要な情報を入力する電子情
報デバイスの一つであるが、これを液晶ディスプレイ等
と組合せてその入力情報を画面に表示して、それを読み
取る手段として多用されてきている。

【０００３】タッチパネルの構成は、タッチ側の透明基
体の一面に透明抵抗膜が設けられた電極部材と、ディス
プレイ側の透明基体の一面に透明抵抗膜が設けられた電
極部材とをその各々の抵抗膜面を絶縁スぺーサ（微細ド
ット）を介して端子と共に対向配置してなる。ここでタ
ッチ側の透明基体は、軽いタッチでもディスプレイ側の
該抵抗膜に容易に忠実に接してスイッチングする必要が
あるので、ディスプレイ側の該基体よりも薄くて、かつ
弾力的なシート（厚さ約０．１〜０．３ｍｍ程度）状物
が使用される。ディスプレイ側の該基体は逆に硬直的で
ある必要があるので、硬くて厚い板状体（厚さ０．５〜
１．５ｍｍ程度）が使用される。

【０００４】タッチパネルに必要な透明性と入力の為の
ペン慴動に対する耐久性の改良は、一つの永遠的なテー
マであり、常に向上が求められている。その改良技術に
は種々あり、特許出願公報でも知ることができる。例え
ば本出願人の出願に係わるものとして特開平８−６４０
６７号公報と、他に特開平８−１３２５５４号公報が挙
げられる。これは基本的には、いずれも透明基体上に酸
化ケイ素薄膜層と透明抵抗膜とを順次積層した２層より
なるタッチパネル用透明電極部材を開示しているもので
ある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記各号公報は、従来
からの透明基体上に直接透明抵抗膜を設けた電極部材と
は、透明性、ペン入力慴動耐久性においてかなり向上す
るものとして評価され、実用もされている。ところが、
最近更なる改良の要求が強くなり、早急に解決すべき大
きなテーマとなってきている。そこで本発明者らはより
改良する為に、その技術開発に鋭意努力し、種々検討し
てきた。その結果ここに新たな手段を見出すことがで
き、本発明に到達した。その手段は下記のとおりであ
り、これによって更に大きく改良することが可能になっ
た。

【０００６】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は請求項１
に記載する抵抗膜型透明タッチパネル用電極部材と、請
求項７に記載するその製造方法との提供によるが、まず
請求項１は透明基体（１）上に、透明導電性金属酸化物
からなる抵抗膜層（２）、二酸化ケイ素よりなる薄膜層
（３）及び透明導電性金属酸化物からなる抵抗膜層
（４）とが順次積層されてなる抵抗膜型透明タッチパネ
ル用電極部材である。また、請求項２〜６は該請求項１
に従属する発明として提供する。

【０００７】一方、請求項７では全光線透過率８０％以
上のシート状熱可塑性樹脂の片面に、まず酸化インジウ
ム又は酸化インジウムを主成分とする二酸化スズ、酸化
亜鉛又は酸化カリウムとの焼結体のいずれかをスパッタ
リング法によって、スパッタ蒸着して、膜厚２００〜１
０００Åの抵抗膜層を形成し、次に該抵抗膜層上に、ペ
ルヒドロポリシラザン溶液、又はアルコキシシランを含
むゾル−ゲル液をコーティングし、これを化学的分解処
理して、膜厚２００〜１０００Åの二酸化ケイ素による
膜厚層を形成し、更に該薄膜層上に、前記酸化インジウ
ム又は焼結体のいずれかをスパッタリング法によって、
スパッタ蒸着して膜厚５０〜４００Åの抵抗膜層を順次
形成し、積層して製造するという製造方法である。勿
論、該製造方法は請求項１の抵抗膜型透明タッチパネル
用電極部材を製造する方法の中で、好ましい方法として
提供するものであるので、これに限定されない。以下に
本発明を詳述する。

【０００８】

【発明の実施の形態】まず、本発明において、図１に示
した透明基体（１）は、タッチ側又はタッチ側とディス
プレイ側の基体を指すが、前記したようにタッチ側で
は、柔軟で弾力的である必要がありこれは一般に厚さ約
０．１〜０．３ｍｍ程度の透明な熱可塑性樹脂シートで
あり、ディスプレイ側では硬直で板状の厚さは約０．５
〜１．５ｍｍ程度の透明な熱可塑性樹脂板、熱硬化性樹
脂板又はガラス板である。ここで透明性は全光線透過率
で１００％に近い程良いがタッチパネルとしては少なく
とも８０％以上であることが望まれる。

【０００９】また、前記熱可塑性樹脂は、透明性の他に
耐熱性、耐薬品性、寸法安定性、耐屈曲性等が優れてい
ることも必要であり、このような観点から見て例示する
と、次のような樹脂が対象になる。ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレンナフタレート、非晶性環状ポリ
オレフィン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルケト
ン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリアクリレ
ート等が挙げられる。

【００１０】また、熱硬化性樹脂は三次元構造を有する
エポキシ系、ポリエステル系、アクリル系、アリルフタ
レート系等の樹脂が例示できる。

【００１１】次に、図１に示したように、前記透明基体
（１）に中間層としての二酸化ケイ素薄膜層（３）の両
サイドに設けられる抵抗膜層（２）と（４）を形成する
透明導電性金属酸化物について説明する。まず、該金属
酸化物が特に選択される理由は次の通りである。まず、
タッチパネルとして必要な電気抵抗として、高抵抗では
電磁誘導の影響が大きく、逆にあまりにも低抵抗では、
消費電力が大きく望ましくない。その点では該金属酸化
物は、他の透明導電体と比較して、最も適性な抵抗値を
有している。そして、重要な透明性に関しても他のもの
より優れており、しかもこれを中間にかつ二酸化ケイ素
による薄膜という構成をとることでこの透明性はより大
きく相乗効果となって発現するということからである。

【００１２】前記、金属酸化物は具体的には、酸化イン
ジウム、二酸化スズ、酸化亜鉛、酸化カドミウム、イン
ジウム酸化カドミウム（Ｃｄ／Ｉｎ₂Ｏ₄）、酸化スズカ
ドミウム（Ｃｄ₂ＳｎＯ₄）、酸化スズ亜鉛（Ｚｎ₂Ｓｎ
Ｏ₄）、酸化インジウムを主成分として二酸化スズ又は
酸化亜鉛または酸化ガリウムをドーピングして焼結した
焼結体が挙げられる。これらの中でも、インジウム元素
を含むものが好ましく、更には後者の３種のドーピング
による焼結体が好ましい。特に、酸化インジウムを主成
分として二酸化スズをドーピングして焼桔したものは、
ＩＴＯとして良く知られている。尚、抵抗膜層（２）と
（４）とは、同種の前記導電性金属酸化物によることが
好ましいが、異種であってもかまわない。

【００１３】本発明は前記３種の各膜層により、かつ該
層（２）（３）（４）の順で積層されるという構成をと
ることによって、透明性（特に波長４５０〜６００ｎｍ
光に対しての反射防止特性）とペン入力摺動耐久性（以
下ペン耐久性と呼ぶ）がより向上する。従って、いずれ
かの膜層が欠けても、またその構成の順序が変わって
も、更なる改良効果は得られない。つまり三者不可避的
に結合し、相乗して効果を発現していることになるが、
個々についての作用については次の通りである。

【００１４】まず、中間の二酸化ケイ素薄膜層（３）は
透明性の他にペン耐久性（これはペン入力動作時に起こ
るタッチ側の透明抵抗膜とディスプレイ側の透明抵抗膜
との間のスリップによる該抵抗膜の摩耗とか、クラック
をいう）改良に寄与する。また他に、該薄膜層が電気的
に導通して、下層の抵抗膜層（２）と上層の抵抗膜層
（４）とが短絡する。一般に二酸化ケイ素薄膜（３）は
電気絶縁性を有しているが、本発明において導電性を有
しているということが、新たな事実として確認されたこ
とは驚くべき事である。逆にこの事が確認されたことで
より大きな透明性を得ることが可能にもなったといえ
る。この導電性の発現の理由は明らかではないが、薄膜
形成時に、透明導電性金属酸化物が二酸化ケイ素薄膜層
の内部に拡散侵入し、そこで固定され、導電性が付与さ
れたのではないかと考えられれる。ここでの前記薄膜層
（３）の厚さ範囲は約２００〜１０００Å、好ましくは
４００〜８００Å程度が例示できる。これはこの範囲で
前記にいう導電性を持って透明性とペン慴動性とをより
効果的に向上せしめることができるからである。

【００１５】一方、下層の透明導電性金属酸化物による
抵抗膜層（２）は、勿論、全体の透明性向上に寄与する
が、上層の該酸化物による抵抗膜層（４）の膜厚よりも
厚くして構成すると、次のような別の効果も得られる。
つまりこの抵抗膜層（２）の膜厚を厚くしておけば、タ
ッチパネルとして必要な電気抵抗は、該抵抗膜層で得ら
れているので、仮に抵抗膜層（４）が抵抗膜層（２）よ
りもかなり薄い膜厚でも、また厚み精度が悪くとも、タ
ッチパネルとしての機能は問題なく発揮するという効果
を得ることができる。このような相加的効果も考えて、
該抵抗膜（２）の膜厚は２００〜１０００Åの範囲、好
ましくは４００〜９００Åで成膜されるようにして、上
層の抵抗膜層（４）よりも厚い方が良い。

【００１６】一方、上層の透明導電性金属酸化物による
抵抗膜層（４）は、主として透明性への寄与の他、ペン
等によるタッチ入力動作に対して、軽タッチでも瞬時
に、正確に対向する電極部材の抵抗膜に電流を流す働き
を有している。ここで、該膜層の膜厚範囲は前記したよ
うに、下層の抵抗膜層（２）の膜厚よりも薄くしても良
いことから、５０〜４００Å、好ましくは１００〜３０
０Åに設定すると良い。

【００１７】尚、前記抵抗膜層（４）の５０〜４００Å
の膜厚は、前記した作用効果のより有効な発現のために
望まれるものであるが、その膜厚内での抵抗分布精度に
ついては、下層の抵抗膜層（２）よりも悪くても良い。
つまり、多少のばらつきがあっても、全体の抵抗分布に
は殆ど影響しない。これは、前記するようにタッチパネ
ルとして必要な電気抵抗をあえてこの抵抗膜層（４）で
付与することもないからである。つまり該抵抗膜層
（４）の作用効果は、主として全体の透明性向上にあ
り、入力電気信号は単にタッチ接点で、中間の薄膜層
（３）を経由して、対向する抵抗膜に接して伝われば良
いということになる。

【００１８】次に前記抵抗膜型透明タッチパネル用電極
部材の製造方法について説明する。該製造方法について
は種々の方法があるが、その中で好ましい１つの形態と
して請求項７に記載する製造方法がある。これは、全光
線透過率（以下Ｔｔと略す）８０％以上のシート状熱可
塑性樹脂を透明基体（１）とし、これの片面にまず下層
の抵抗膜層（２）として酸化インジウム又は酸化インジ
ウムを主成分とする二酸化スズ、酸化亜鉛又は酸化ガリ
ウム（Ｇａ₂Ｏ₃）との焼結体のいずれかをターゲットと
して、これをスパッタリング法によって膜厚２００〜１
０００Åになるようにスパッタ蒸着し、薄膜を形成す
る。このスパッタリングに際しては、前記基体種類によ
ってはその片面を前処理する場合もある。その前処理は
一般に行われるグロー放電処理とか、コロナ放電処理等
の物理的方法が利用されるが、これに限定されるという
ものではない。尚、ここで得られる薄膜の電気抵抗は表
面抵抗で約２００〜５００Ω／ｓｑ．であり、これはタ
ッチパネルとして電気的特性を十分に具備している値で
ある。

【００１９】前記スパッタリング法は一般に知られてい
る薄膜形成手段における物理的方法の中の１つである。
これは他の真空蒸着法とか、イオンプレーティング法に
比較して、低温で且つ迅速に薄膜が形成できる点で有利
である。勿論スパッタリング法に限定されず、他の前記
２方法が使用されないということではない。尚、スパッ
タリング法は一般的条件に従って行えば良いが、低ガス
（ガスはアルゴン等の不活性ガス）圧スパッタ、つまり
１０^-1〜１０^-2トール以下の低圧でのスパッタリングが
薄膜の純度も、形成速度も速いので望ましい。低ガス圧
スパッタは、３極ＤＣグロー放電、２極ＲＦグロー放
電、マグネトロン、イオンビームの各スパッタが相当す
るが、就中より好ましいのは、マグネトロンスパッタで
ある。尚、スパッタリング時の真空構内の温度上昇はせ
いぜい１００℃前後以下である。

【００２０】次に、前記得られた抵抗膜層上に、膜厚２
００〜１０００Åの二酸化ケイ素薄膜層を設ける。この
方法としては、ペルヒドロポリシラザンの溶液又はアル
コキシシランを含むゾル−ゲル液のいずれかをコーティ
ングし、そしてそのコーティング物を分解処理（必要
的）して、該二酸化ケイ素薄膜層を形成し積層する。

【００２１】そこでまずペルヒドロポリシラザンの溶液
による形成方法から説明する。まず、ペルヒドロポリシ
ラザンは、例えば特開平９−１５７５９４号公報でも開
示されているように、基本的には化１にて示すように分
子量が約１００〜５０，０００程度の直鎖状のポリ窒化
シリコーンであるが、これが部分的に又は全部環化し
て、環状ポリ窒化シリコーンであったりもする。いずれ
でも分解処理によって二酸化ケイ素薄膜に変化する。

【００２２】

【化１】

【００２３】前記ペルヒドロポリシラザンのコーティン
グは、例えば次のようにして行われる。まず、コーティ
ングしやすい溶液濃度になるように、ペルヒドロポリシ
ラザンの所定量を有機溶媒に溶解する。有機溶媒として
は一般に脂肪族又は芳香族の炭化水素であるが、この選
択に際しては使用する透明基体自身と親和性のないもの
であることが好ましい。次に、該溶液をコーティングす
るが、精度良く、効率的にコーティングするためには、
スピンコーティング法か、ロールコーティング法が好ま
しい。コーティングしたら予め有機溶媒を蒸発除去し
て、その後に、分解処理するのが良い。蒸発除去された
ら、該ポリシラザンが薄膜状で付着しているので、次に
これを反応促進剤と水分の存在する下に、常温〜４５０
℃で所定時間放置する。分解して、硬質で透明な二酸化
ケイ素薄膜に変化する。

【００２４】反応促進剤は、例えばパラジウム錯体、金
属アルコキシド、有機アミン又は／及び脂肪族モノカル
ボン酸が例示できる。ここで全２者の該促進剤は高湿領
域での加熱が必要であるが、後２者は１００℃以下常温
でも分解するので、後２者による反応促進剤の使用が好
ましい。尚、有機アミンは、例えばＣ₁〜Ｃ₇のアルキル
基を有する第１〜第３級の脂肪族アミン、脂肪族モノカ
ルボン酸は、例えばＣ₁〜Ｃ₇のアルキルモノカルボン酸
の有機酸が挙げられる。

【００２５】一方、アルコキシシランを含むゾル−ゲル
液による二酸化ケイ素薄膜形成方法は次の通りである。
まずアルコキシシランは、例えばアルコキシ基を２〜４
個結合する多官能アルコキシシランで、具体的にはジメ
トキシジメチルシラン、トリメトキシメチルシラン、テ
トラメトキシシラン、ジエトキシジエチルシラン、トリ
メトキシエチルシラン、テトラエトキシシラン等が挙げ
られる。そしてこれをゾル−ゲル液にするためには、水
とアルコール類と酸触媒（塩酸など）との混合溶液を使
って、該アルコキシシランを所定のモル比でもって混合
して調整する。例えば、使用するアルコキシシランに対
して、水６モル、脂肪族アルコール（Ｃ₂〜Ｃ₄）６モ
ル、塩酸０．０１〜０．０３モルの混合液である。この
ゾル−ゲル液は販売もされている。例えば三菱化学株式
会社製の「ＭＫＣシリケート」、コルコート株式会社製
の「コルコートＮ−１０３Ｘ」がある。

【００２６】前記ゾル−ゲル液のコーティングは、前記
ペルヒドロポリシラザンの場合と同様のコーティング方
法によって行う。コーティングしたら、所定時間、常温
放置して、溶媒を蒸発せしめた後、所定温度（一般に１
００℃前後）で所定時間加熱する。二酸化ケイ素に変化
し、必要な膜厚をもって薄膜層が前記抵抗膜層（２）面
に、強固に密着し形成される。尚、二酸化ケイ素薄膜層
は、二酸化ケイ素などをスパッタリングすることでも形
成できるが、抵抗膜層に対して、抵抗値分布がばらつく
などの悪影響をもたらし、タッチパネル用途として好ま
しく作用しないので十分とはいえない。

【００２７】そして、前記二酸化ケイ素薄膜層の形成が
終ったら、最後にもう一度前記下層の抵抗膜層の形成と
同じ方法で、酸化インジウム又はこれを主成分とする前
記焼結体のいずれかをターゲットにして、スパッタリン
グし、膜厚５０〜４００Åになるように蒸着し、３層の
積層を行う。ここでの抵抗膜は下層の抵抗膜と同じター
ゲットによって形成するのが良いが、異なっていても良
い。また、ここでのスパッタリングに際しては、二酸化
ケイ素薄膜層を何らかの前処理をすることなく、直接に
スパッタ蒸着し形成することができるが何らかの前処理
をする必要はないという意味ではない。

【００２８】尚、本発明における抵抗膜型透明タッチパ
ネル用電極部材は、主としてタッチ側の電極部材として
使用することでより大きな効果を発現するが、ディスプ
レイ側の電極部材にも使用することもできる。この場合
には、特に透明性においてより向上する。

【００２９】次に比較例と共に、実施例によって更に詳
述する。

【００３０】

【実施例】尚、本文中を含め該例でデータとして記載す
る透明性、ペン耐久性、電気抵抗値は次によって求めた
値である。 （ａ）透明性：ＪＩＳ Ｋ ７１０５に基づく、日本電
色工業株式会社製のデジタル濁度計「ＮＤＨ−２０ＤＨ
型」で測定した全光線透過率（％）（以下Ｔｔと略す）
をもっていう。 （ｂ）ペン耐久性：タッチパネルを組み立て、ポリアセ
タール製のペン先（Ｒ＝０．８ｍｍ）へ５００ｇの加重
を行い、タッチ側の同位置を往復摺動する。摺動距離は
５０ｍｍで、片道１回と数え、これを５〜１０〜２０万
回行う。そして、所定回数に達したら、次の方法によっ
て摺動部で発生した電位差ΔＶを測定し、印加電圧（５
Ｖ）で除して、耐久性として％で示す。この値が小さい
ほど、ペン耐久性に優れていることになる。 （ｃ）電気抵抗値：スパッタ蒸着して得られた抵抗膜の
両端に銀ペースト印刷による電極端子を設け、この両端
子にテスタを連結し、その時表示された抵抗値をΩ／ｓ
ｑ．（表面抵抗）に換算して示した。

【００３１】（実施例１）特に全処理は行わない厚さ１
７５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（Ｔｔ
＝８８．８％）（以下ＰＥＴフィルムと呼ぶ）の片面
に、まず次の条件にて酸化インジウムに二酸化スズをド
ーピングして焼結した焼結体（以下ＩＴＯと呼ぶ）をタ
ーゲットとしてスパッタ蒸着し、下層となる抵抗膜層を
形成した。 ・スパッタリング方式：直流マグネトロン方式 ・希ガス ：酸素を８％含有するアルゴンガ
ス ・真空構内の希ガス圧：２×１０^-3Ｔｏｒｒ ・投入電力 ：０．８ｋＷ ・スパッタリング時間：３０ｓｅｃ 前記条件にて形成されたＩＴＯ抵抗膜層の膜厚は６００
Åで、電気抵抗値は３００Ω／ｓｑ．であった。

【００３２】次に前記ＩＴＯ薄膜層に、まずペルヒドロ
ポリシラザン（東燃株式会社製の「東燃ポリシラザンＮ
−Ｖ１１０」）の５重量％をｍ−キシレンに溶解した溶
液をスピンコータにてコーティング（４０００ｒｐｍで
１０秒間）し、次にｍ−キシレンを蒸発除去した。次に
このコーティング面を水蒸気の共存するトリエチルアミ
ン蒸気に接触した後、９５℃、ＲＨ８０％の雰囲気下に
５ｍｉｎ放置した。これによって、ペルヒドロポリシラ
ザンは完全に二酸化ケイ素に変化した。形成された該薄
膜の膜厚は８００Åであり、極めて均一であった。

【００３３】次に、前記二酸化ケイ素薄膜層上に、次の
条件にてＩＴＯをターゲットとしてスパッタ蒸着し、上
層となる抵抗膜層を形成した。 ・スパッタリング方式：直流マグネトロン方式 ・希ガス ：酸素を５％含有するアルゴンガ
ス ・真空構内の希ガス圧：２×１０^-3Ｔｏｒｒ ・投入電力 ：０．８ｋＷ ・スパッタリング時間：８ｓｅｃ スパッタ蒸着されたこの層のＩＴＯ抵抗膜層の膜厚は１
５０Åであり、電気抵抗値は１．５ｋΩ／ｓｑ．であっ
た。そして、この３層からなるＰＥＴ電極フィルム（タ
ッチ側用）は青みを増し、Ｔｔ＝９３．０％であり、高
い透明性を有していた。

【００３４】（実施例２）透明基体として、厚さ０．１
ｍｍの非晶性ポリオレフィンフィルム（日本合成ゴム株
式会社製「アートン」Ｔｔ＝９２．５％）を使用し、こ
れにまず下層となる抵抗膜層を形成するが、ここでのス
パッタリング条件は、実施例１における場合と同一条件
とした。得られたＩＴＯ抵抗膜層の膜厚は７８０Åであ
った。

【００３５】次に、前記抵抗膜層の上にコルコート株式
会社製のゾル−ゲル液「コルコートＮ−１０３Ｘ」（固
形分濃度２％）をロールコーティングし、溶媒を蒸発
後、６０℃で５時間加熱した。その結果、硬質の二酸化
ケイ素膜に変わり、その膜厚は７００Åであり、実施例
１のペルヒドロポリシラザンによる二酸化ケイ素薄膜と
外観上差はなかった。

【００３６】最後に、前記二酸化ケイ素薄膜上に実施例
１と同じ条件でＩＴＯのスパッタリングを行い、膜厚１
８０ÅのＩＴＯ抵抗膜層を形成した。前記による３層か
らなる非晶性ポリオレフィン電極フィルムは、タッチ側
の電極部材として使用するが、これのＴｔは９４．５％
であった。

【００３７】（実施例３）厚さ０．５ｍｍのポリカーボ
ネート板（Ｔｔ＝９０．０％）を透明基体として、この
片面に熱硬化型シリコーン樹脂を５μｍコーティングし
た。そして実施例１に準じて、順次下層の抵抗膜層、中
間の二酸化ケイ素薄膜層、上層の抵抗膜層を形成し、積
層して、ディスプレイ側の電極板を作成した。かくして
得られた３層よりなるポリカーボネート電極板のＴｔは
９４．４％であった。

【００３８】次に前記ポリカーボネート電極板の電極面
に透明なアクリル系感光性樹脂を使って、微細ドット
（直径４０〜５０μｍ、高さ７μｍ、ドット間ピッチ２
ｍｍ）を植設し、そして、これに実施例１で得られたＰ
ＥＴ電極フィルムを電極面をあわせて、周囲に内設した
両面テープ（厚さ１５μｍ、幅３ｍｍ）で接着固定し、
パネル化した該パネルのＴｔは８８．１％であった。
尚、タッチ側からのタッチによる電圧変化を引き出す為
に、両電極から導線を設けておいた。

【００３９】そして、前記タッチパネルについて、ペン
耐久性を調べた結果、２０万回時点でも摺動部で発生し
た電位差は０．０２５Ｖ（印加電圧の０．５％）で、こ
の時点でペン摺動試験は中止したが、ペン耐久性は更に
高耐久性を有していることになる。また、このタッチパ
ネルを使って、タッチ入力できるようにして液晶ディス
プレイと組合せて、ペンにて入力動作を試したところ、
軽タッチでもまったく問題はなく、その入力情報が瞬時
に、正確に、鮮明に画面に映し出された。このことは二
酸化ケイ素薄膜層が接点で容易に電気的に導通している
ことを証明していることにもなる。

【００４０】（実施例４）厚さ０．７ｍｍのガラス板
（Ｔｔ＝９２．５％）に、実施例１でスパッタリング時
間を１５ｓｅｃとし、それ以外は同一条件にてＩＴＯを
スパッタリングして、ＩＴＯ抵抗膜層を設けた。該膜層
の膜厚は３００Åであった。そして該抵抗膜面に、実施
例３と同じ微細ドットを植設した。そしてこれに実施例
２で得られた非晶性環状ポリオレフィン電極フィルムを
電極面をあわせて、周囲に内設した両面テープ（厚さ１
５μｍ、幅３ｍｍ）で接着固定して、ガラス板をディス
プレイ側電極板とするタッチパネルに組立てた。該パネ
ルのＴｔは８６．５％であった。尚、タッチ側からのタ
ッチによる電流変化を引き出す為に、両電極に端子を設
けておいた。

【００４１】そして、前記タッチパネルについてペン耐
久性を調べた結果、５００ｇ負荷で２０万回時点でも、
摺動部で発生した電位差は０．３Ｖ（印加電圧の０．６
％）であった。実施例３と同様にペン耐久性は更に高い
レベルにあることがわかる。また、このタッチパネルを
使って、実施例３と同様に液晶ディスプレイと組合せて
ペン入力動作を行ったが、同様に問題なく機能すること
も確認した。

【００４２】（比較例１）実施例１においてまず１７５
μｍのＰＥＴフィルムの片面に次の条件で二酸化ケイ素
をターゲットとしてスパッタ蒸着した。 ・スパッタリング方式：高周波スパッタリング方式 ・希ガス ：酸素を２％含有するアルゴンガ
ス ・真空構内の希ガス圧：５×１０^-3Ｔｏｒｒ ・投入電力 ：２．０ｋＷ ・スパッタリング時間：２０ｍｉｎ これにより、蒸着された二酸化ケイ素を主体とする酸化
ケイ素薄膜の厚さは５００Åであった。

【００４３】次に前記酸化ケイ素薄膜層上に次の条件で
ＩＴＯをスパッタ蒸着した。（実施例１の下層形成条件
と同じ） ・スパッタリング方式：直流マグネトロン方式 ・希ガス ：酸素を５％含有するアルゴンガ
ス ・真空構内の希ガス圧：２×１０^-3Ｔｏｒｒ ・投入電力 ：０．８ｋＷ ・スパッタリング時間：１６ｓｅｃ これによって得られたＩＴＯ抵抗膜層の膜厚は３２０Å
であった。また、この２層によりなるＰＥＴ電極フィル
ムのＴｔは８８．５％であった。

【００４４】一方、実施例３において作製したと同じ条
件にて、まずポリカーボネート電極板を作製し、同様に
微細ドットを植設し、これに前記ＰＥＴ電極フィルムの
電極面をあわせて、周囲に内設した両面テープで接着固
定してタッチパネルを作製した。該パネルのＴｔは８
４．２％であった。尚、同様に両電極には電流引き出し
の為の端子を設けておいた。

【００４５】そして、前記タッチパネルについてペン耐
久性を調べた結果、２０万回での電位差は０．１２Ｖ
（印加電圧の２．４％）であった。なお、１．０％を超
えたのは、１２万回であった。

【００４６】（比較例２）実施例１におけるＰＥＴフィ
ルムと同じ該フィルムを使って、まずこの片面をグロー
放電処理（前処理）した後、この面に実施例１で行った
と同じ条件でペルヒドロポリシラザンのコーティング、
二酸化ケイ素への化学変化を行って、二酸化ケイ素薄膜
層を形成した。該薄膜の膜厚は４９０Åであった。

【００４７】次に、前記二酸化ケイ素薄膜層上に実施例
１で行った下層のＩＴＯ抵抗膜層形成条件と同一条件に
てＩＴＯをスパッタ蒸着した。このときのＩＴＯ抵抗膜
層の膜厚は２８０Åであった。ここでの２層よりなるＰ
ＥＴ電極フィルムのＴｔは９０．５％であった。

【００４８】一方、実施例４で用いたのと同じ条件で、
ＩＴＯ抵抗膜層を片面に持つガラス電極板を作製し、同
様にして、この電極面に微細ドットを植設した。そして
前記ＰＥＴ電極フィルムをこのガラス電極板とあわせ
て、同様に両面テープにて接着固定して、両電極からの
引出し用端子の結合と共に、タッチパネルとして組立て
た。このタッチパネルのＴｔは８２．１％であった。

【００４９】そして前記タッチパネルについて、ペン耐
久性を調べた結果、２０万回での電位差は０．０９Ｖ
（印加電圧１．８％）の変化があった。なお、１．０％
を超えたのは１３万回であった。

【００５０】

【発明の効果】本発明による透明電極部材が抵抗膜型タ
ッチパネルの少なくともタッチ側電極部材として使用さ
れることによって、従来からのタッチパネルよりも特に
透明性とペン耐久性が改良され、より高品質で高性能の
該タッチパネルを提供することが可能になった。尚、こ
れらの効果発現は、中間層としての二酸化ケイ素薄膜層
が、タッチ接点で電気導通作用をするということが、新
たに見出されたことにもよる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明におけるタッチ側電極部材の構成断面図
である。

【符号の説明】

１．透明基体 ２．抵抗膜層 ３．二酸化ケイ素薄膜層 ４．抵抗膜層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ // Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｎ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基体（１）上に、透明導電性金属酸
   化物からなる抵抗膜層（２）、二酸化ケイ素よりなる薄
   膜層（３）及び透明導電性金属酸化物からなる抵抗膜層
   （４）とが順次積層されてなることを特徴とする抵抗膜
   型透明タッチパネル用電極部材。
2. 【請求項２】 前記透明基体（１）が全光線透過率８０
   ％以上のシート状熱可塑性樹脂よりなる請求項１に記載
   の抵抗膜型透明タッチパネル用電極部材。
3. 【請求項３】 前記抵抗膜層（２）及び（４）を形成す
   る透明導電性金属酸化物が、酸化インジウム又は酸化イ
   ンジウムを主成分とする二酸化スズ、酸化亜鉛又は酸化
   ガリウムとの焼結体のいずれかである請求項１に記載の
   抵抗膜型透明タッチパネル用電極部材。
4. 【請求項４】 前記抵抗膜層（２）の膜厚が２００〜１
   ０００Åである請求項１に記載の抵抗膜型透明タッチパ
   ネル用電極部材。
5. 【請求項５】 前記薄膜層（３）の膜厚が２００〜１０
   ００Åである請求項１に記載の抵抗膜型透明タッチパネ
   ル用電極部材。
6. 【請求項６】 前記抵抗膜層（４）の膜厚が５０〜４０
   ０Åである請求項１に記載の抵抗膜型透明タッチパネル
   用電極部材。
7. 【請求項７】 全光線透過率８０％以上のシート状熱可
   塑性樹脂の片面に、まず酸化インジウム又は酸化インジ
   ウムを主成分とする二酸化スズ、酸化亜鉛又は酸化ガリ
   ウムとの焼結体のいずれかをスパッタリング法によっ
   て、スパッタ蒸着して、膜厚２００〜１０００Åの抵抗
   膜層を形成し、次に該抵抗膜層上にペルヒドロポリシラ
   ザン溶液、又はアルコキシシランを含むゾル−ゲル液を
   コーティングし、これを化学的分解処理して、膜厚２０
   ０〜１０００Åの二酸化ケイ素による薄膜層を形成し、
   更に該薄膜層上に、酸化インジウム又は酸化インジウム
   を主成分とする二酸化スズ、酸化亜鉛又は酸化ガリウム
   との焼結体のいずれかをスパッタリング法によって、ス
   パッタ蒸着して膜厚５０〜４００Åの抵抗膜層を順次形
   成して積層することを特徴とする抵抗膜型透明タッチパ
   ネル用電極部材の製造方法。