JPH11244259A - 磁気共鳴断層像撮影装置 - Google Patents
磁気共鳴断層像撮影装置Info
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Abstract
片を有するMR画像装置の使用に適合されている。前記
x,y,zコイルはそれぞれアクティブ層(40,3
8,36)及びシールド層(32,30,34)を含ん
でいる。前記xアクティブ層(40)及びシールド層
(32)は前記コイルの周縁部周囲に伸びる複数の垂直
な電気的接続部(44)により相互結合されている。前
記yアクティブ層(38)及びシールド層(30)は同
様に接続されている(42)。前記zアクティブ層(4
0)及びシールド層(34)はそれぞれほぼ螺旋状の導
体パターンを有している。
Description
装置に関し、そこに使用される勾配コイルに関連する特
定の用途を提供するものである。
く診断上の映像方法に使用されているものである。MR
I装置は非常に強い均質な静的磁場を発生させる磁気装
置を含んでいる。いわゆる開放型磁石配列は画像領域の
反対側に配置される1対の磁極片を含んでいる。前記静
的磁場に1列で急速に変化する勾配磁場をかけることが
必要なので、MRIシステムは一般的に前記磁極片と前
記画像領域との間に配置される1組の勾配コイルを含
み、ほぼ直交するx,y,z方向に前記必要な勾配を発
生させる。
動勾配場は前記磁極片の様に前記勾配コイルの付近で導
電性材料に渦電流を誘導する。これらの渦電流は各種有
害な影響をもたらし、最も顕著な影響は前記勾配磁場に
反対の急な変化をもたらすことである。前記勾配磁束と
鉄製磁極片との間の相互作用は前記勾配の変化中に場の
過渡現象を引き起こす。又、前記渦電流は例えば何百ミ
リセコンドのオーダーの比較的長時間一定で減衰する不
均質な磁場を作り出す。これらの影響は画像の質を悪化
させる様に導き、不可能でないならば、比較的急で困難
なシーケンスを使用して画像を作ることができる。
みがなされている。いわゆる受動遮蔽技術では、所望の
磁気特性を有する材料が前記磁極片の表面に配置され、
前記磁極片の全部の鉄に結合された前記磁束を減衰させ
る。然し、特により高い場の強さで適切な特性を有する
材料を見出すことは困難である。前記勾配により発生し
た磁束は前記磁極片に深く浸透する傾向があるので、前
記材料は比較的厚くする必要がある。更に、このアプロ
ーチは前記不必要な影響を減少するがそれらを完全に除
去することはない。
でいる。前記勾配場と前記磁極片間の各種相互作用の複
雑性の為、効果的な補償は困難である。更に、この技術
は前記磁極片の発熱を誘導する勾配を説明していない。
する配列(Arrangement to MinimizeEddy Currents in M
R Imagers)という表題の米国特許No.5,555,251に開示さ
れている。該開示された技術は一連の電気的に絶縁され
た層の使用を含んでいる。一連のスロットは更に前記層
の渦電流を減少する。この技術が渦電流の影響を減少す
るのに有効であると証明されているが、それにも関わら
ず更なる改良が望まれる。
れば、磁気共鳴断層像撮影に使用する装置は検査領域の
反対側に配置された第1及び第2の磁極片と、前記検査
領域内に第1勾配磁場を発生させる一般に平面状の第1
勾配コイルとを含んでいる。前記第1勾配コイルはアク
ティブ層とシールド層とを含んでいる。該シールド層は
前記アクティブ層と第1磁極片との間に配置されてい
る。前記アクティブ層とシールド層は前記勾配コイルの
外周部に沿った複数の場所で電気的に接続されている。
記アクティブ層及びシールド層は電気的に接続され、り
す籠構造を形成している。
配コイルの外周部に沿った前記勾配コイル平面での平均
電流は実質上ゼロとなる。更により限定された観点によ
れば、前記アクティブ層は第1及び第2アクティブ層を
含み該各アクティブ層は互いに実質上鏡像となってい
る。更により限定された観点によれば、前記シールド層
は第1及び第2シールド層を含み該各シールド層は互い
に実質上鏡像となっている。本発明の別の更に限定され
た観点によれば、前記アクティブ層とシールド層はそれ
ぞれ複数のほぼ平面状の導体を含んでいる。該導体は延
設するスリットを有し、その結果、磁束により発生した
渦電流は前記勾配コイルの平面に垂直な成分を有し減少
される。
記装置は更に前記主磁場に対して直交方向に第2勾配磁
場を発生させほぼ平面状の第2勾配コイルを含んでい
る。前記第2勾配コイルはアクティブ層とシールド層と
を含んでいる。該アクティブ層及びシールド層は前記勾
配コイルの外周部に沿った複数の場所で電気的に接続さ
れている。
図面に関連して例としてより詳細に今説明されるであろ
う。図1は本発明による磁気共鳴断層像撮影装置を示し
ている。図2は勾配コイル組立部品の各種層を示す側面
図である。図3はz軸遮蔽コイルの組立分解図である。
図4はz軸活動コイルの組立分解図である。図5はx軸
遮蔽コイルの組立分解図である。図6はx軸活動コイル
の組立分解図である。図7は勾配コイル組立部品の層間
の間隔を示す側面図である。図8はx軸勾配コイルの前
記アクティブ層及びシールド層間の垂直相互連結を示し
ている。
成するMRI装置はほぼC型の磁石本体3を含んでい
る。前記患者1は1対の対向する磁極片23間に位置す
る画像領域に置かれる。主磁場制御器5は各極に結合さ
れたドライバーコイル2に活気ある電流を供給し前記z
方向に前記主磁場B0を発生させる。首部4は前記磁石
本体3に前記磁極片23を接続し、その結果前記磁石本
体を通る帰還路を提供する。
する勾配コイル組立部品6は時間変動勾配磁場を好まし
くは3直交方向(例えば、x,y,z)に発生する。下
側の前記勾配コイル組立部品6だけが図1に示されてい
るが、第2勾配コイル組立部品が上側の前記磁極片に関
して同様に配置され、前記各コイルは前記画像領域に関
して対照的に配置されることが認められるであろう。別
の方法で述べると、前記上下側のコイル組立部品はz=
0平面の映像に関して対照的である。
面状であり、x−y平面にある様に配置されている(例
えば、前記主磁場B0に垂直)。前記各勾配コイルは勾
配場制御器9により電圧を加えられ、該勾配場制御器9
は各コイルに関連する勾配場増幅器を有している。前記
勾配制御器9は順番にコンピュータ11により制御さ
れ、所望の磁気共鳴励起及び検出シーケンスを実行する
為に必要な時間変動勾配シーケンスを発生させる。
7を含み該システムは送受信コイル配列を含んでいる。
下側の前記無線周波数コイルシステム7だけが示されて
いるが、第2のセットの無線周波数コイルが前記上側の
磁極片に関して同様に配置され、前記各コイルは前記画
像領域に関して対照的に配置されることが認められるで
あろう。前記コイル7は前記コンピュータ11の制御の
下無線周波数送信機15により電圧が加えられ無線周波
数場をつくる。前記無線周波数コイルシステム7は又配
列された無線周波数受信コイル配列を含み、前記患者1
本体に励起された磁気共鳴から生じる無線周波数信号を
検出する。前記検出信号は受信機19を経て画像装置2
1に渡され、前記コンピュータ11の制御の下、前記信
号を加工して前記患者本体の代表画像を生成する。これ
らの信号は順番にディスプレイ装置24に渡され前記画
像の人間が判読可能な表示を供給する。
れる強磁場は前記患者1本体の磁気配列の平衡軸を定義
する。選択領域、例えば前記本体の横断面スライスの画
像を得る為には、コイルシステム7を使用して無線周波
数パルスが最初に前記患者1に照射され前記選択領域の
磁気共鳴を励起する。この終わりまで、前記コイルシス
テム7は前記静止場に直交する方向に場を生成し該静止
場の方向から前記選択領域の原子核のスピンを傾ける。
所望領域への励起を制限する為に前記無線周波数場のパ
ルスが前記コイル配列6によりかけられた磁場勾配に関
連して照射され、前記かけられた勾配の振幅及び方向に
関連して前記無線周波数場の周波数が選択され、前記本
体のラーモア(Larmor)周波数の陽子、例えば水
素陽子が前記所望の領域でのみ前記無線周波数場の周波
数に等しくなる。
は公知の方法で1又はそれ以上の勾配磁場の適用により
空間的にエンコードされ、前記無線周波数コイルシステ
ム7により検出され、加工され例えばモニター24に人
間が判読できる画像を生成する。通常、多数の励起及び
信号検出シーケンスが十分なデータを集め満足な画像を
生成するのに要求される。
に勾配を発生させるコイルを含んでいる。図2を参照す
ると、y軸遮蔽コイル30は前記磁極片に最も近接して
配置され、その後x軸遮蔽コイル32、z軸遮蔽コイル
34、z軸活動コイル36、y軸活動コイル38及びx
軸活動コイル40が配置されている。一連の電気的に絶
縁されている誘電層(図示せず)は前記コイル層を分離
している。
に略図的に表された垂直の電気的接続部により前記x軸
活動コイル40の導体に接続され、りす籠構造を形成し
ている。42に略図的に表された同様の垂直の電気的接
続部は前記y軸遮蔽コイル30の各種導体を前記y軸活
動コイル38の導体に接続している。前記勾配コイル組
立部品6を冷却する様に冷却層45が前記z軸遮蔽コイ
ル34とz軸活動コイル36との間に配置されている。
前記z軸遮蔽コイル34とz軸活動コイル36は前記組
立部品6の外部に直列に接続され、それらは前記勾配増
幅器により連続して駆動される。
蔽コイル34及びz軸活動コイル36はそれぞれ2層4
6,48及び60,62を含んでいる。各層は2mm厚の
銅製プレートから製造される。前記プレートにはそれぞ
れそこに螺旋状の間隙35が形成され、各層が平らな螺
旋状の巻き線を形成している。又、前記プレートはスリ
ット37を有し該スリットは約1mm幅で前記銅製プレー
トを貫通している。前記スリットは電流の流れの方向に
伸び、前記コイルの平面に垂直な成分を有する磁束によ
り発生した前記コイル内の渦電流を減少させる。
4は第1層46及び第2層48を含み、該第1層46は
前記磁極片に最も近接して配置されている。非導電性の
誘電層50は前記コイル層46,48を分離している。
前記第1螺旋状コイル層46の内側端部52は前記絶縁
層の開口部を通って前記第2螺旋状層48の内側端部5
4に溶接され、前記層46,48は連続する螺旋状コイ
ルを形成している。前記z軸遮蔽コイルはコネクター5
6,58での電気的接続を介して駆動される。
一であり、該第2シールド層48は前記x軸の周りを前
記第1層46に関してフリップされ、前記層はお互いに
鏡像となっている。この構成の特別の利点は不必要な放
射電流成分が実質上取り消されるということである。電
流は、例えば接続ポイント56で前記第1層46の外縁
部に導入される。
1層46の中心に向かって反時計回り方向に流れ、前記
コイルは前記第2層48に接続される。そこで前記電流
は反時計回り方向に流れ続けるが、前記第2層48の外
縁部及び接続ポイント58に向かう。前記第1層46及
び第2層48の前記電流の放射成分は等しく反対で、前
記不必要な放射電流成分は効果的に取り消される。
1層60及び第2層62を含み、該第1層60は前記磁
極片に最も近接して配置されている。前記遮蔽コイル3
4について、前記第1アクティブ層60と第2アクティ
ブ層62は実質上同一である。該第2アクティブ層62
は前記x軸の周りを前記第1層60に関してフリップさ
れ、該層はお互い鏡像となっている。非導電性の誘電層
64は前記コイル層60,62を分離している。螺旋状
コイル層60の内側のタブ66は前記絶縁層の開口部を
通って螺旋状層62の内側でタブ68に溶接され、前記
層60,62は連続する螺旋状コイルを形成している。
前記z軸活動コイル36はタブ70,72での電気的接
続を介して駆動される。前記z軸遮蔽コイル34につい
て、前記不必要な放射電流成分は実質的に取り消され
る。
は第1コイル層74及び第2コイル層76を含み、該第
1層74は前記磁極片にもっとも近接して配置されてい
る。各コイル層は2mm厚の銅製プレートから製造され
複数の導体を形成している。該導体は又スリット33を
有し、該スリットは約1mm幅で前記銅製プレートを通
り電流の流れ方向に伸びている。前記スリットは相対的
に垂直磁束成分を有する領域に位置し、前記コイルの平
面に垂直な成分を有する磁束により発生した前記コイル
内の渦電流を減少させる。
ている。前記第2シールド層76は前記x軸の周りを前
記第1層74に関してフリップされ、前記層は実質的に
お互い鏡像となっている。第1層74のタブ80は前記
絶縁層78の開口部を通って前記第2層76のタブ82
に溶接されている。第1層74のタブ84は同様に前記
第2層76のタブ86に溶接されている。
前記所望の電流の流れに垂直な方向の電流成分が実質上
取り消されることである。電流は、例えば接続ポイント
79で前記第1遮蔽コイル74の螺旋状領域の導体に導
かれる。図5を遠近法で見ると、この電流は前記螺旋状
領域の中心及び接続ポイント80に向かって時計回り方
向に流れ、前記第1シールド層74の導体は接続ポイン
ト82で前記第2シールド層76の導体に接続されてい
る。そこで前記電流は時計回り方向に流れ続けるが、前
記層76の外縁部及び接続ポイント81に向かう。前記
第1層74及び第2層76の不必要な電流成分は等しく
反対であるので、これらの成分は効果的に取り消され
る。これらの相互連結は又前記x軸勾配コイルの4つの
層を1入力端子と1出力端子を有するりす籠として形成
させている。
部88が前記第1層74及び第2層78の外周部回りに
配置されている。以下により詳細に説明する様に、これ
らの接続部88は前記x軸コイルの各種層の導体を直列
接続させている。
は第1層90と第2層92を含み、該第1層90は前記
磁極片に最も近接して配置されている。各層は2mm厚の
銅製プレートから製造され複数の導体を形成している。
該プレートは又約1mm幅で前記導体を貫通するスリット
33を有している。該スリットは電流の流れ方向に伸び
前記コイルの平面に垂直な成分を有する磁束により発生
した前記コイル内の渦電流を減少させる様になってい
る。
りを前記第1層60に関してフリップされ、前記層はお
互い鏡像となっている。非導電性の誘電層94は前記コ
イル層90,92を分離している。第1層90のタブ9
6は前記絶縁層94の開口部を通って前記第2層92の
タブ98に溶接されている。第1層90のタブ100は
同様に前記第2層92のタブ102に溶接されている。
前記遮蔽コイルに同様に接続して、これらの接続は不必
要な電流成分を効果的に取り消させている。
部104が前記第1層90及び第2層92の外周部回り
に配置されている。
イル40の前記各指状突起104及び88はそれぞれ図
2の44で概略的に示されている垂直な電気的接続を供
給する。前記指状突起は、前記勾配コイルが組立部品の
時、対応する指状突起が前記コイルの周辺について同じ
角位置に位置する様に配置されている。前記指状突起は
曲げられ一緒に溶接され前記層間に必要な相互結合を提
供するのが好ましい。一体の電線、導体の様な他の適切
な方法又は同様のものが利用されてもよい。好ましくは
前記コイルの外周部回りのx,y方向の平均電流は実質
的にゼロとすべきである。
コイル32の各種層間の各種相互結合を示している。説
明を容易にする為前記コイルは分解組立式に分離して示
されている。106及び107で示された電気的接続部
を介して前記x軸遮蔽コイル組立部品に電流が送られ
る。上述した様に、前記層は相互結合され1組の電気的
接続部106,107を有するりす籠構造を形成してい
る。認識される様に、前記相互結合機構はかなり多数の
導体を有するコイルに応用可能である。
前記x軸シールド層32とアクティブ層40間の好まし
い相互結合をより詳細に述べよう。前記各種接続ポイン
トは下線の引かれた参照番号で示されている(例えば、
1,2,3,4,...)。同じ番号の接続ポイントは
一緒に接続される。従って、例えば、前記第2シールド
層76の接続ポイント2は前記第1アクティブ層90の
接続ポイント2に電気的に接続され、前記第2アクティ
ブ層92の接続ポイント118は前記第1シールド層7
4の接続ポイント118に電気的に接続される等であ
る。
記第2アクティブ層92の接続ポイント0及び129に
都合よく供給されてもよく、前記コイルの制動作用がこ
れらの2点間で電気的接続が直に行われるのを防いでい
ることが理解できる。ポイント0で前記コイルに入る電
流は前記コイルを通してポイント1、ポイント2、ポイ
ント3、等次々に進み、ポイント129で出る様に見ら
れるようになる。
92内で前記中心の導体の電流は同方向に流れる。前記
アクティブ層90,92の中心の導体の電流は同様に同
方向に流れる。同様に、前記シールド層74,76の中
心の導体の電流は同方向に流れるが、この方向は前記ア
クティブ層90,92の方向と反対である。
応するシールド層のりす籠接続への垂直な接続部により
接続されていることが認識されるであろう。従って、例
えば、前記第1アクティブ層90は62を通ってポイン
ト2で前記第2シールド層76に接続される。同様に、
前記第2アクティブ層92は126を通ってポイント6
4で前記第1シールド層74に接続される。
層76との間及び前記第2アクティブ層92と前記第1
シールド層74との間の垂直な接続部の電流は同方向に
流れる。その為、前記電流の垂直成分が取り消される必
要はない。同時に、前記第1アクティブ層90と第2シ
ールド層76との間及び前記第2アクティブ層92と第
1シールド層74との間の垂直な接続部の電流の水平成
分は反対方向にある。その為、前記電流の水平成分は取
り消される。
るが、前記yコイルに対しても同様に適用可能であるこ
とは勿論である。
コイルの縁部を超えて伸びるのを防いでいる。特に、前
記垂直な電線は前記活動及び遮蔽コイルのそれぞれの電
線に接続され、前記コイルの外周部に沿った各場所x,
yでのx,y平面の電流の合計(例えば、前記電流の水
平成分)が可能な限りゼロに近くなる。 pはxアクティブ層及びxシールド層の総数である。
の互いに依存する変数に依存する。特に、前記磁場勾配
の勾配は前記画像領域に亘り一定であることが望まし
い。例えば、前記x勾配場は関係式: に従う。kは前記所望の勾配場強度に一定で等しくな
る。
共に前記勾配スルーレートを最大にする為に前記勾配コ
イルに蓄積されたエネルギーができる限り小さくなるこ
とが又望まれる。別の方法で述べると、前記勾配コイル
のインダクタンスができる限り小さくなることが望まれ
る。
する前記拡散された磁束密度BSができる限り小さくな
ることを要求する。従って、 然し、実質的なコイルはこれらの要求の間の中間値を表
すことが認識されるであろう。例えば、前記遮蔽コイル
は前記帰還磁束を生じるように形成され前記活動コイル
と遮蔽コイルとの間を流れる。勿論、前記遮蔽コイルの
導体の電流は前記画像領域内部の前記勾配場に影響を及
ぼす。この影響は前記アクティブ層の導体の配置により
修正される。これらの修正は順番に前記磁極片に磁束の
漏れを生じさせる。この漏れを補償する為に、前記遮蔽
コイルの配置が変更されたりする。
の画像領域側と同様に前記層間の若干の領域に磁束密度
の増加を引き起こす。これはコイルインダクタンスを増
加させる。前記画像領域内の前記勾配場の直線性の向上
は前記コイルインダクタンスを増加させるその様な方法
で(特に前記アクティブ層で)前記導体の形状の変更を
必要とする。
値最適化手続きを使用して最適化される。前記最適化の
複雑さを減少させ不必要な球面調和関数を前記勾配場分
解より除去する為に、前記アクティブ層又はシールド層
の全導体の形状は電流分配関数V(r)を介して表され、
rは層の点の半径である。
している。2つの隣接する導体間の境界は複数の点であ
り、式 を満足する。前記zコイル及びxコイルに対してm=0
であり、 は前記x,y平面に対しての角位置である。
は前記アクティブ層の電流分配関数であり、VSは前記
シールド層の電流分配関数である。
の非直線性に関係したコスト関数成分であり、CS(Va,V
S)は前記磁極片に接触する前記拡散磁束に関係したコス
ト関数成分であり、E(Va,VS)は全磁気エネルギーであ
る。係数aL,aS,aEは前記コスト関数の各項相互の
重要性を定義している。
て定義される。 前記z勾配に対して で、前記x勾配に対して で、Gz及びGxは必要な勾配強度であり、Rは前記画像
領域の半径であり、αiは0とπ/2間の1組のm角度
であり均等に又はほぼ均等に分配されている。
義される。 ρiは前記x軸に沿った前記磁極片の表面に位置した1
組のnポイントである。これらのポイントは均等に又は
ほぼ均等に分配されている。
の計算方法を使用して前記計算がなされる。同じソフト
ウェアは又前記全磁気エネルギーを計算する為に使用さ
れる。CL(Va,VS)及びCS(Va,VS)の値は、関数Va及び
VSにより説明される電流分配により作られたn+mポ
イントでの磁束密度を直接計算することにより評価され
る。前記係数aL,aS,aEの適切な値は例えば以下の
様になる。 x及びy勾配コイル z勾配コイル aL 1 1 aS 0.03 0.6 aE 0.807×10-8 2.75×10-8
集中している。前記y軸遮蔽コイル30及び活動コイル
38は前記z軸に対して90度(90°)回転され前記y軸
方向に勾配を与えるが、実質的には前記対応するx軸コ
イルに対する構造において同一であることが認識される
であろう。
結合する前記勾配組立部品6の各種層間をミリメーター
の間隔で表す側面図であり、これらの間隔は又前記下側
の勾配組立部品の間隔を表していることがわかる。
点は前記各種コイルの感度がほぼ等しく、等しい駆動電
流に対して各コイルがほぼ等しい勾配場をつくるという
ことである。アクティブ層とシールド層間に与えられた
間隔の為前記z軸コイルは前記x軸コイル及びy軸コイ
ルの感度より高い感度を有している。その為、前記z軸
層は前記x軸層とy軸層内に配置されるのが好都合であ
る。この方法においては前記x軸とy軸間の間隔は前記
z軸層間の間隔より比較的大きい。同様に、前記x軸コ
イル及びy軸コイルは等しく間隔があけられ各々実質的
に等しい効率を有している。
明され前記極間の総間隙が500mmで画像領域が半径360mm
の球であるシステムに勾配場を与える。前記勾配セット
の総直径は890mmであり、各勾配組立部品6の厚みは50m
mである。他の顕著な特性は以下に列挙する。 パラメータ x及びyコイル zコイル 電流 @ 10mT/M 142.5 A 119.2 A (理論上の)300Vでのスルーレート 25.4 T/m/S 59.2 T/m/S 蓄積エネルギー@10mT/m 8.414 J 3.018 J (理論上の)電力 @ 10mT/M 1.99 kW 2.03 kW (理論上の)コイル抵抗 0.098 Ohms 0.143 Ohms 漏れ磁束密度 @ 10mT/M 極中心 < 0.2 mT < 0.2 mT コイルの縁部 < 6.3 mT < 1.1 mT 勾配直線性 空気中 4.98 % 4.85% 鉄 5.3 % 5.3 % 巻数 アクティブ層 44 35 シールド層 36 30
いる。明らかに、修正及び変更が前述した説明を読んで
理解して他に生じるであろう。本発明は添付した特許請
求の範囲又はその同等の範囲内にある限りにおいてすべ
てのその様な修正及び変更を含んでいるとして解釈され
ることを意図している。
いる。
る。
である。
ド層間の垂直相互連結を示している。
Claims (10)
- 【請求項1】両側に配置された第1及び第2の磁極片
(23)を含み検査領域内に主磁場を発生させる磁石
(3)と、前記検査領域内に第1の勾配磁場を発生させ
るほぼ平面状の第1勾配コイル(38,40)とを備え
た磁気共鳴断層像形成用装置において、前記第1勾配コ
イルは前記第1磁極片と前記検査領域との間に配置され
且つ外周部を有していると共に、アクティブ層(90,
92)と、該アクティブ層と第1の磁極片との間に配置
されたシールド層(74,76)とを含んでおり、前記
アクティブ層とシールド層とは前記勾配コイルの外周部
に沿った複数の場所(42,44)で電気的に接続され
ていることを特徴とする磁気共鳴断層像形成用装置。 - 【請求項2】前記アクティブ層(90,92)及びシー
ルド層(74,76)が電気的に接続され、りす籠構造
を形成する請求項1に記載された装置。 - 【請求項3】前記勾配コイルの外周部に沿った前記勾配
コイル平面での平均電流が実質上ゼロである請求項1又
は2に記載された装置。 - 【請求項4】前記アクティブ層(90,92)が互いに
実質上鏡像である第1及び第2アクティブ層を含む請求
項1から3のいずれか1つの請求項に記載された装置。 - 【請求項5】前記シールド層(74,76)が互いに実
質上鏡像である第1及び第2シールド層を含む請求項4
に記載された装置。 - 【請求項6】前記アクティブ層(90,92)及びシー
ルド層(74,76)がそれぞれ複数のほぼ平面状の導
体を含んでおり、該導体は延設するスリットを有してお
り、これによって前記勾配コイルの平面に垂直な成分を
有する磁束により発生した渦電流が減少される請求項1
から5のいずれか1つの請求項に記載された装置。 - 【請求項7】前記第1勾配コイル(38,40)が前記
主磁場(z)に直交する方向に第1勾配磁場を発生させ
更に前記装置が前記主磁場に直交する方向に第2勾配磁
場を発生するほぼ平面状の第2勾配コイル(40,3
8)含み、該第2勾配コイルは前記第2磁極片と前記検
査領域との間に配置され且つ外周部を有していると共
に、アクティブ層と、該アクティブ層と前記第1磁極片
との間に配置されたシールド層とを含んでおり、前記ア
クティブ層とシールド層とは前記勾配コイルの外周部に
沿った複数の場所で電気的に接続されたことを特徴とす
る請求項1から6のいずれか1つの請求項に記載された
装置。 - 【請求項8】前記第2勾配コイルのアクティブ層が前記
第1勾配コイルのアクティブ層と前記第1磁極片との間
に配置される請求項7に記載された装置。 - 【請求項9】前記第2勾配コイルのシールド層が前記第
1勾配コイルのシールド層と前記第1磁極片との間に配
置される請求項8に記載された装置。 - 【請求項10】更に前記主磁場(z)に平行な方向に第
3勾配磁場を発生させる第3勾配コイル(36)を含
み、該第3勾配コイルが前記第2勾配コイルのアクティ
ブ層と前記第1勾配コイルのシールド層との間に配置さ
れた請求項9に記載された装置。
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