JPH11243105A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
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- JPH11243105A JPH11243105A JP4497898A JP4497898A JPH11243105A JP H11243105 A JPH11243105 A JP H11243105A JP 4497898 A JP4497898 A JP 4497898A JP 4497898 A JP4497898 A JP 4497898A JP H11243105 A JPH11243105 A JP H11243105A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- bump forming
- semiconductor elements
- suction tool
- bump
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハ上に効率良くバンプ形成材料を搭載す
ることができるバンプ形成方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 ウェハ９に形成された複数個の半導体素
子の外部接続用電極上にバンプを形成するバンプ形成方
法において、複数個の半導体素子分の導電性ボール１１
を吸着保持可能な第１の吸着ツール１２Ａと、これとは
異なる数の半導体素子分のバンプ形成材料を吸着保持可
能な第２の吸着ツール１２Ｂと、によってウェハ９に形
成された複数個の半導体素子に導電性ボール１１を搭載
または圧着する。これにより、複数の半導体素子をまと
まりのよい一括りのブロックとして扱うことができ、ウ
ェハ９に導電性ボール１１を効率良く搭載することがで
きる。
ることができるバンプ形成方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 ウェハ９に形成された複数個の半導体素
子の外部接続用電極上にバンプを形成するバンプ形成方
法において、複数個の半導体素子分の導電性ボール１１
を吸着保持可能な第１の吸着ツール１２Ａと、これとは
異なる数の半導体素子分のバンプ形成材料を吸着保持可
能な第２の吸着ツール１２Ｂと、によってウェハ９に形
成された複数個の半導体素子に導電性ボール１１を搭載
または圧着する。これにより、複数の半導体素子をまと
まりのよい一括りのブロックとして扱うことができ、ウ
ェハ９に導電性ボール１１を効率良く搭載することがで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハの半導体素
子およびウェハ上に載置されたテープなどの基板にバン
プを形成するバンプ形成方法に関するものである。
子およびウェハ上に載置されたテープなどの基板にバン
プを形成するバンプ形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子に突出電極であるバンプを形
成する工程においては、導電性ボールなどのバンプ形成
材料を半導体素子の電極上に搭載することが行われる。
このとき、半導体素子は個片に切り出された状態の半導
体素子である場合と、切り出される前のウェハの状態で
バンプ形成材料を搭載する場合がある。後者の場合には
ウェハ上に直接あるいはウェハ上に載置されたテープな
どの基板上にバンプ形成材料が搭載される。
成する工程においては、導電性ボールなどのバンプ形成
材料を半導体素子の電極上に搭載することが行われる。
このとき、半導体素子は個片に切り出された状態の半導
体素子である場合と、切り出される前のウェハの状態で
バンプ形成材料を搭載する場合がある。後者の場合には
ウェハ上に直接あるいはウェハ上に載置されたテープな
どの基板上にバンプ形成材料が搭載される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ウェハに直
接バンプ形成材料を搭載するに際して、ウェハの形状に
起因して以下に述べるような問題点があった。ウェハは
円柱状のシリコン素材から薄片状に切り出されて製造さ
れるためその形状は円形状である。このウェハから多数
の半導体素子が切り出されるが、半導体素子は一般に矩
形状であるため、半導体素子を切り出す際にはウェハの
外周と半導体素子の切り出し線とは一致せず、外周近傍
では、半導体素子は階段状の切り出し線で切り出され
る。
接バンプ形成材料を搭載するに際して、ウェハの形状に
起因して以下に述べるような問題点があった。ウェハは
円柱状のシリコン素材から薄片状に切り出されて製造さ
れるためその形状は円形状である。このウェハから多数
の半導体素子が切り出されるが、半導体素子は一般に矩
形状であるため、半導体素子を切り出す際にはウェハの
外周と半導体素子の切り出し線とは一致せず、外周近傍
では、半導体素子は階段状の切り出し線で切り出され
る。
【０００４】このためバンプ形成材料の搭載時に複数個
の半導体素子をまとまりの良いブロックで括ることがで
きず、１個単位での搭載を余儀されていた。このように
従来のバンプ形成方法は、１つのウェハにバンプ形成材
料を搭載するのに長時間を要し、効率が悪いという問題
点があった。
の半導体素子をまとまりの良いブロックで括ることがで
きず、１個単位での搭載を余儀されていた。このように
従来のバンプ形成方法は、１つのウェハにバンプ形成材
料を搭載するのに長時間を要し、効率が悪いという問題
点があった。
【０００５】そこで本発明は、ウェハ上に効率良くバン
プ形成材料を搭載することができるバンプ形成方法を提
供することを目的とする。
プ形成材料を搭載することができるバンプ形成方法を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のバンプ形
成方法は、ウェハに形成された複数個の半導体素子の外
部接続用電極上に金属の突出電極であるバンプを形成す
るバンプ形成方法であって、少くとも、複数個の半導体
素子分のバンプ形成材料を吸着保持可能な第１の吸着ツ
ールと、第１の吸着ツールとは異なる数の半導体素子分
のバンプ形成材料を吸着保持可能な第２の吸着ツールと
によって前記ウェハに形成された複数個の半導体素子の
外部接続用電極にバンプ形成材料を搭載または圧着する
ようにした。
成方法は、ウェハに形成された複数個の半導体素子の外
部接続用電極上に金属の突出電極であるバンプを形成す
るバンプ形成方法であって、少くとも、複数個の半導体
素子分のバンプ形成材料を吸着保持可能な第１の吸着ツ
ールと、第１の吸着ツールとは異なる数の半導体素子分
のバンプ形成材料を吸着保持可能な第２の吸着ツールと
によって前記ウェハに形成された複数個の半導体素子の
外部接続用電極にバンプ形成材料を搭載または圧着する
ようにした。
【０００７】請求項２記載のバンプ形成方法は、請求項
１記載のバンプ形成方法であって、前記第２の吸着ツー
ルは半導体素子１個分のバンプ形成材料を吸着保持する
ようにした。
１記載のバンプ形成方法であって、前記第２の吸着ツー
ルは半導体素子１個分のバンプ形成材料を吸着保持する
ようにした。
【０００８】請求項３記載のバンプ形成方法は、請求項
２記載のバンプ形成方法であって、予め前記ウェハ上に
前記第１の吸着ツールによる作業エリアと、前記第２の
吸着ツールによる作業エリアとに区画設定しておくよう
にした。
２記載のバンプ形成方法であって、予め前記ウェハ上に
前記第１の吸着ツールによる作業エリアと、前記第２の
吸着ツールによる作業エリアとに区画設定しておくよう
にした。
【０００９】請求項４記載のバンプ形成方法は、請求項
３記載のバンプ形成方法であって、前記区画設定は、吸
着するバンプ形成材料の個数が多い方の吸着ツールの作
業エリアから優先的に設定するようにした。
３記載のバンプ形成方法であって、前記区画設定は、吸
着するバンプ形成材料の個数が多い方の吸着ツールの作
業エリアから優先的に設定するようにした。
【００１０】各請求項記載の発明によれば、複数個のバ
ンプ形成材料を吸着保持可能な第１の吸着ツールと、こ
れと異なる数のバンプ形成材料を吸着保持可能な第２の
吸着ツールとを含む複数の吸着ツールを組合せて搭載を
行うことにより、複数の半導体素子をまとまりのよい一
括りのブロックとして扱うことができ、バンプ形成材料
を効率良く搭載することができる。
ンプ形成材料を吸着保持可能な第１の吸着ツールと、こ
れと異なる数のバンプ形成材料を吸着保持可能な第２の
吸着ツールとを含む複数の吸着ツールを組合せて搭載を
行うことにより、複数の半導体素子をまとまりのよい一
括りのブロックとして扱うことができ、バンプ形成材料
を効率良く搭載することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態のバン
プ形成装置の斜視図、図２、図３は同ウェハの断面図、
図４，図５，図６は同ウェハの平面図である。
参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態のバン
プ形成装置の斜視図、図２、図３は同ウェハの断面図、
図４，図５，図６は同ウェハの平面図である。
【００１２】まず図１を参照してバンプ形成装置の構成
を説明する。図１において、バンプ形成装置１は２台の
導電性ボールの搭載装置２Ａ，２Ｂおよびリフロー装置
３より構成されている。導電性ボールの搭載装置２Ａ，
２Ｂについて説明する。基台４Ａ，４Ｂの垂直フレーム
部にはそれぞれ可動テーブル５Ａ，５Ｂが水平方向に固
着されている。可動テーブル５Ａ，５Ｂにはそれぞれ搭
載ヘッド６Ａ，６Ｂが下向きに装着されている。搭載ヘ
ッド６Ａ，６Ｂは図示しない上下動手段により上下動す
る。
を説明する。図１において、バンプ形成装置１は２台の
導電性ボールの搭載装置２Ａ，２Ｂおよびリフロー装置
３より構成されている。導電性ボールの搭載装置２Ａ，
２Ｂについて説明する。基台４Ａ，４Ｂの垂直フレーム
部にはそれぞれ可動テーブル５Ａ，５Ｂが水平方向に固
着されている。可動テーブル５Ａ，５Ｂにはそれぞれ搭
載ヘッド６Ａ，６Ｂが下向きに装着されている。搭載ヘ
ッド６Ａ，６Ｂは図示しない上下動手段により上下動す
る。
【００１３】可動テーブル５Ａ，５Ｂの下方の基台４
Ａ，４Ｂ上には搬送レール７Ａ，７Ｂが配設されてい
る。搬送レール７Ａ，７Ｂ上にはウェハ９が装着された
トレー８が載置され、Ｙ方向に向って搬送される。搬送
レール７Ａ，７Ｂの前方の基台４Ａ，４Ｂ上にはボール
供給部１０Ａ，１０Ｂが配設されている。ボール供給部
１０Ａ，１０Ｂ内には導電性ボール１１が多数貯溜され
ている。
Ａ，４Ｂ上には搬送レール７Ａ，７Ｂが配設されてい
る。搬送レール７Ａ，７Ｂ上にはウェハ９が装着された
トレー８が載置され、Ｙ方向に向って搬送される。搬送
レール７Ａ，７Ｂの前方の基台４Ａ，４Ｂ上にはボール
供給部１０Ａ，１０Ｂが配設されている。ボール供給部
１０Ａ，１０Ｂ内には導電性ボール１１が多数貯溜され
ている。
【００１４】トレー８が搬送レール７Ａ，７Ｂ上の所定
位置に位置決めされた状態で可動テーブル５Ａ，５Ｂお
よび上下動手段を駆動することにより、搭載ヘッド６
Ａ，６Ｂはボール供給部１０Ａ，１０Ｂから導電性ボー
ル１１をピックアップし、トレー８上のウェハ９に搭載
する。ここで、搭載ヘッド６Ａ，６Ｂの下端部にはそれ
ぞれ第１の吸着ツール１２Ａおよび第２の吸着ツール１
２Ｂが装着されており、第１の吸着ツール１２Ａは複数
個（本実施の形態では４個）の半導体子素子分のバンプ
形成材料としての導電性ボール１１を吸着可能となって
おり、第２の吸着ツール１２Ｂは第１の吸着ツール１２
Ａとは異なる数（本実施の形態では１個）の半導体素子
分の導電性ボール１１を吸着可能となっている。
位置に位置決めされた状態で可動テーブル５Ａ，５Ｂお
よび上下動手段を駆動することにより、搭載ヘッド６
Ａ，６Ｂはボール供給部１０Ａ，１０Ｂから導電性ボー
ル１１をピックアップし、トレー８上のウェハ９に搭載
する。ここで、搭載ヘッド６Ａ，６Ｂの下端部にはそれ
ぞれ第１の吸着ツール１２Ａおよび第２の吸着ツール１
２Ｂが装着されており、第１の吸着ツール１２Ａは複数
個（本実施の形態では４個）の半導体子素子分のバンプ
形成材料としての導電性ボール１１を吸着可能となって
おり、第２の吸着ツール１２Ｂは第１の吸着ツール１２
Ａとは異なる数（本実施の形態では１個）の半導体素子
分の導電性ボール１１を吸着可能となっている。
【００１５】導電性ボールの搭載装置２Ｂの下流側には
リフロー装置３が配設されている。リフロー装置３の搬
送レール７Ｃは搬送レール７Ｂと連結されており、導電
性ボールの搭載装置２Ａ，２Ｂによって導電性ボール１
１が搭載されたトレー８上のウェハ９はリフロー装置３
に受け渡される。ウェハ９はリフロー装置３内を所定時
間搬送されることにより加熱され、導電性ボール１１が
溶融して固化することによりウェハ９の各半導体素子上
にバンプが形成される。
リフロー装置３が配設されている。リフロー装置３の搬
送レール７Ｃは搬送レール７Ｂと連結されており、導電
性ボールの搭載装置２Ａ，２Ｂによって導電性ボール１
１が搭載されたトレー８上のウェハ９はリフロー装置３
に受け渡される。ウェハ９はリフロー装置３内を所定時
間搬送されることにより加熱され、導電性ボール１１が
溶融して固化することによりウェハ９の各半導体素子上
にバンプが形成される。
【００１６】このバンプ形成装置は上記のように構成さ
れ、以下バンプ形成方法について各図を参照して説明す
る。まずバンプ形成に先立ってウェハ９上にはフラック
スなどの接合材料が塗布される。このときの塗布方法と
しては、スプレーノズルを用いる方法、またはウェハ９
を回転させてウェハ９上に接合材料を拡散させるスピン
コート法などを用いることができる。この後ウェハ９が
装着されたトレー８は搬送レール７Ａ上に載置され、搭
載ヘッド６Ａの下方の所定位置に位置決めされる。
れ、以下バンプ形成方法について各図を参照して説明す
る。まずバンプ形成に先立ってウェハ９上にはフラック
スなどの接合材料が塗布される。このときの塗布方法と
しては、スプレーノズルを用いる方法、またはウェハ９
を回転させてウェハ９上に接合材料を拡散させるスピン
コート法などを用いることができる。この後ウェハ９が
装着されたトレー８は搬送レール７Ａ上に載置され、搭
載ヘッド６Ａの下方の所定位置に位置決めされる。
【００１７】このトレー８上のウェハ９に対して導電性
ボール１１が搭載される。図２はウェハ９上に直接導電
性ボール１１が搭載される例を示している。ウェハ９は
各半導体素子２０に分割予定線Ｌによって区分されてお
り、各半導体素子２０上に設けられた外部接続用電極と
してのパッド２０ａに、吸着ツール１２Ａによって導電
性ボール１１が搭載される。また、図３は、ウェハ９の
各半導体素子２０上にテープ状の基板２１が接着層２１
ｂを介して接着された例を示している。この場合では、
基板２１はリードまたはワイヤ２２によって半導体素子
２０のパッド２０ａと接続されており、基板２１上に設
けられた外部接続用電極としてのパッド２１ａ上に導電
性ボール１１が搭載される。２１ｃはリードやワイヤ２
２を保護するための封止剤である。
ボール１１が搭載される。図２はウェハ９上に直接導電
性ボール１１が搭載される例を示している。ウェハ９は
各半導体素子２０に分割予定線Ｌによって区分されてお
り、各半導体素子２０上に設けられた外部接続用電極と
してのパッド２０ａに、吸着ツール１２Ａによって導電
性ボール１１が搭載される。また、図３は、ウェハ９の
各半導体素子２０上にテープ状の基板２１が接着層２１
ｂを介して接着された例を示している。この場合では、
基板２１はリードまたはワイヤ２２によって半導体素子
２０のパッド２０ａと接続されており、基板２１上に設
けられた外部接続用電極としてのパッド２１ａ上に導電
性ボール１１が搭載される。２１ｃはリードやワイヤ２
２を保護するための封止剤である。
【００１８】このときのウェハ９上での導電性ボール２
の搭載順序について説明する。図４に示すように、ウェ
ハ９には２４個の半導体素子２０が配列されている。ウ
ェハ９は円形であるため矩形の半導体素子２０を密に配
列した場合には、ウェハ９の外周近傍近は半導体素子２
０が階段状に切り出される部分が不可避的に生じる。し
たがって、ウェハ９内の半導体素子２０を適切な大きさ
のブロックとして括っても、同一のブロックでウェハ９
の全ての半導体素子２０をカバーすることができず、複
数種類のブロックを準備することが必要となる。なお、
ここでは１個のみの場合も１つのブロックに含めてい
る。
の搭載順序について説明する。図４に示すように、ウェ
ハ９には２４個の半導体素子２０が配列されている。ウ
ェハ９は円形であるため矩形の半導体素子２０を密に配
列した場合には、ウェハ９の外周近傍近は半導体素子２
０が階段状に切り出される部分が不可避的に生じる。し
たがって、ウェハ９内の半導体素子２０を適切な大きさ
のブロックとして括っても、同一のブロックでウェハ９
の全ての半導体素子２０をカバーすることができず、複
数種類のブロックを準備することが必要となる。なお、
ここでは１個のみの場合も１つのブロックに含めてい
る。
【００１９】そこで、ウェハ９上の半導体素子２０を図
５に示すように４個の半導体素子２０より成るブロック
Ａと、残余の単体の半導体素子２０のみのブロックＢと
に区分する。すなわちブロックＡは搭載装置２Ａの第１
の吸着ツール１２Ａによる作業エリアとして、残余の単
体の半導体素子２０のみのブロックＢは搭載装置２Ｂの
第２の吸着ツール１２Ｂによる作業エリアに区画設定さ
れる。そしてバンプ形成材料としての導電性ボール２
は、搭載装置２Ａにより導電性ボール１１の個数が多い
方の吸着ツール、すなわち第１の吸着ツール１２Ａを用
いてまずブロックＡの範囲が搭載される。
５に示すように４個の半導体素子２０より成るブロック
Ａと、残余の単体の半導体素子２０のみのブロックＢと
に区分する。すなわちブロックＡは搭載装置２Ａの第１
の吸着ツール１２Ａによる作業エリアとして、残余の単
体の半導体素子２０のみのブロックＢは搭載装置２Ｂの
第２の吸着ツール１２Ｂによる作業エリアに区画設定さ
れる。そしてバンプ形成材料としての導電性ボール２
は、搭載装置２Ａにより導電性ボール１１の個数が多い
方の吸着ツール、すなわち第１の吸着ツール１２Ａを用
いてまずブロックＡの範囲が搭載される。
【００２０】次いでウェハ９はトレー８ごと下流の搭載
装置２Ｂに搬送され、ここで前記の残余の単体の半導体
素子２０上に吸着ツール１２Ｂを用いて導電性ボール１
１が搭載される。これにより、従来単体の半導体素子ご
とに導電性ボール１１を搭載していた場合と比較して、
導電性ボールの総搭載回数を著しく減少させることがで
きる。因みに、本実施の形態で示すように２４個の半導
体素子２０がある場合には、従来の単体の半導体素子ご
とに搭載していた場合には２４回の搭載回数を要してい
たのと比較して、本実施の形態では第１の吸着ツール１
２Ａにて５回その後第２の吸着ツール１２Ｂにて４回計
９回の搭載回数でよい。
装置２Ｂに搬送され、ここで前記の残余の単体の半導体
素子２０上に吸着ツール１２Ｂを用いて導電性ボール１
１が搭載される。これにより、従来単体の半導体素子ご
とに導電性ボール１１を搭載していた場合と比較して、
導電性ボールの総搭載回数を著しく減少させることがで
きる。因みに、本実施の形態で示すように２４個の半導
体素子２０がある場合には、従来の単体の半導体素子ご
とに搭載していた場合には２４回の搭載回数を要してい
たのと比較して、本実施の形態では第１の吸着ツール１
２Ａにて５回その後第２の吸着ツール１２Ｂにて４回計
９回の搭載回数でよい。
【００２１】また、上述と同様の対象において、図６に
示すように４個の半導体素子２０より成るブロックＡ
と、２個の半導体素子２０より成るブロックＣとを組み
合わせるようにすれば、第１の吸着ツール１２Ａにて４
回、第２の吸着ツール１２Ｂにて４回、計８回の搭載回
数でよい。このように対象に応じて最適な組み合わせを
選定することにより、搭載回数を減少させて効率のよい
導電性ボールの搭載を行うことができる。実際のウェハ
では半導体素子の数は更に多く数１０００にも及ぶ場合
があり、このような場合には搭載回数を減少させる効果
は更に大きい。
示すように４個の半導体素子２０より成るブロックＡ
と、２個の半導体素子２０より成るブロックＣとを組み
合わせるようにすれば、第１の吸着ツール１２Ａにて４
回、第２の吸着ツール１２Ｂにて４回、計８回の搭載回
数でよい。このように対象に応じて最適な組み合わせを
選定することにより、搭載回数を減少させて効率のよい
導電性ボールの搭載を行うことができる。実際のウェハ
では半導体素子の数は更に多く数１０００にも及ぶ場合
があり、このような場合には搭載回数を減少させる効果
は更に大きい。
【００２２】この後、全ての半導体素子２０上に導電性
ボール１１が搭載されたウェハ９は下流のリフロー装置
３に搬送され、ここで加熱されることにより導電性ボー
ル１１が半導体素子２０に接合され、バンプが形成され
る。
ボール１１が搭載されたウェハ９は下流のリフロー装置
３に搬送され、ここで加熱されることにより導電性ボー
ル１１が半導体素子２０に接合され、バンプが形成され
る。
【００２３】なお本発明は上記実施の形態には限定され
ないのであって、例えば本実施の形態では２台の導電性
ボールの搭載装置を用い、２つのブロックに区分して区
画設定しているが、ウェハ９に配列される半導体素子の
数が多い場合には、適切な区画設定が行えるよう、ブロ
ックの種類を増やし、それに従って多数台の導電性ボー
ルの搭載装置を連結させるようにしてもよい。
ないのであって、例えば本実施の形態では２台の導電性
ボールの搭載装置を用い、２つのブロックに区分して区
画設定しているが、ウェハ９に配列される半導体素子の
数が多い場合には、適切な区画設定が行えるよう、ブロ
ックの種類を増やし、それに従って多数台の導電性ボー
ルの搭載装置を連結させるようにしてもよい。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、複数個のバンプ形成材料を吸
着保持可能な第１の吸着ツールと、これと異なる数のバ
ンプ形成材料を吸着保持可能な第２の吸着ツールとを含
む複数の吸着ツールを組合せて搭載を行うようにしてい
る。したがってウェハに多数の半導体素子が配列されて
いる場合に、半導体素子を適切なブロックに括って搭載
回数を減少させることができ、バンプ形成を効率的に行
うことができる。
着保持可能な第１の吸着ツールと、これと異なる数のバ
ンプ形成材料を吸着保持可能な第２の吸着ツールとを含
む複数の吸着ツールを組合せて搭載を行うようにしてい
る。したがってウェハに多数の半導体素子が配列されて
いる場合に、半導体素子を適切なブロックに括って搭載
回数を減少させることができ、バンプ形成を効率的に行
うことができる。
【図１】本発明の一実施の形態のバンプ形成装置の斜視
図
図
【図２】本発明の一実施の形態のウェハの断面図
【図３】本発明の一実施の形態のウェハの断面図
【図４】本発明の一実施の形態のウェハの平面図
【図５】本発明の一実施の形態のウェハの平面図
【図６】本発明の一実施の形態のウェハの平面図
１ バンプ形成装置 ２Ａ、２Ｂ 導電性ボールの搭載装置 ３ リフロー装置 ６Ａ、６Ｂ 搭載ヘッド ９ ウェハ １０Ａ、１０Ｂ ボール供給部 １１ 導電性ボール １２Ａ、１２Ｂ 吸着ツール
Claims (4)
- 【請求項１】ウェハに形成された複数個の半導体素子の
外部接続用電極上に金属の突出電極であるバンプを形成
するバンプ形成方法であって、少くとも、複数個の半導
体素子分のバンプ形成材料を吸着保持可能な第１の吸着
ツールと、第１の吸着ツールとは異なる数の半導体素子
分のバンプ形成材料を吸着保持可能な第２の吸着ツール
とによって前記ウェハに形成された複数個の半導体素子
の外部接続用電極にバンプ形成材料を搭載または圧着す
ることを特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項２】前記第２の吸着ツールは、半導体素子１個
分のバンプ形成材料を吸着保持することを特徴とする請
求項１記載のバンプ形成方法。 - 【請求項３】予め前記ウェハ上に前記第１の吸着ツール
による作業エリアと、前記第２の吸着ツールによる作業
エリアとに区画設定しておくことを特徴とする請求項２
記載のバンプ形成方法。 - 【請求項４】前記区画設定は、吸着するバンプ形成材料
の個数が多い方の吸着ツールの作業エリアから優先的に
設定することを特徴とする請求項３記載のバンプ形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04497898A JP3399344B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04497898A JP3399344B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | バンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11243105A true JPH11243105A (ja) | 1999-09-07 |
| JP3399344B2 JP3399344B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=12706569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04497898A Expired - Fee Related JP3399344B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3399344B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6959485B2 (en) * | 2002-11-08 | 2005-11-01 | Umc Japan | Bump ball crimping apparatus |
| JP2011077489A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-04-14 | Hioki Ee Corp | 球状体搭載装置、球状体搭載方法、球状体搭載済基板および電子部品搭載済基板 |
-
1998
- 1998-02-26 JP JP04497898A patent/JP3399344B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6959485B2 (en) * | 2002-11-08 | 2005-11-01 | Umc Japan | Bump ball crimping apparatus |
| JP2011077489A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-04-14 | Hioki Ee Corp | 球状体搭載装置、球状体搭載方法、球状体搭載済基板および電子部品搭載済基板 |
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