JPH11242118A - 偏光分離素子、偏光変換素子および投写型表示装置 - Google Patents
偏光分離素子、偏光変換素子および投写型表示装置Info
- Publication number
- JPH11242118A JPH11242118A JP10062168A JP6216898A JPH11242118A JP H11242118 A JPH11242118 A JP H11242118A JP 10062168 A JP10062168 A JP 10062168A JP 6216898 A JP6216898 A JP 6216898A JP H11242118 A JPH11242118 A JP H11242118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- polarized light
- film
- polarization
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/283—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for beam splitting or combining
Abstract
(57)【要約】
【課題】 偏光分離素子や偏光変換素子の特性を向上さ
せることのできる技術を提供することを目的とする。ま
た、このような偏光分離素子を用いた光利用効率の高い
投写型表示装置を提供することを他の目的とする。 【解決手段】 本発明の偏光分離素子は、ほぼ１．４８
ないし１．５８の屈折率を有する透光性基板と、透光性
基板の上に形成された偏光分離膜を備えている。偏光分
離膜は、ＭｇＦ2層とＭｇＯ層とを交互に積層させた多
層構造部を有している。本発明による偏光分離膜を用い
れば、二種類の偏光光に関する透過特性と反射特性とを
向上させることができる。また、この偏光分離膜を偏光
変換素子や投写型表示装置に利用すれば光利用効率の高
い偏光変換素子や投写型表示装置を提供することが可能
となる。
せることのできる技術を提供することを目的とする。ま
た、このような偏光分離素子を用いた光利用効率の高い
投写型表示装置を提供することを他の目的とする。 【解決手段】 本発明の偏光分離素子は、ほぼ１．４８
ないし１．５８の屈折率を有する透光性基板と、透光性
基板の上に形成された偏光分離膜を備えている。偏光分
離膜は、ＭｇＦ2層とＭｇＯ層とを交互に積層させた多
層構造部を有している。本発明による偏光分離膜を用い
れば、二種類の偏光光に関する透過特性と反射特性とを
向上させることができる。また、この偏光分離膜を偏光
変換素子や投写型表示装置に利用すれば光利用効率の高
い偏光変換素子や投写型表示装置を提供することが可能
となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、入射された光を
二種類の偏光光に分離するための偏光分離素子、この偏
光分離素子を備えた偏光変換素子および投写型表示装置
に関する。
二種類の偏光光に分離するための偏光分離素子、この偏
光分離素子を備えた偏光変換素子および投写型表示装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】投写型表示装置には、画像信号に応じて
光を変調するために、ライトバルブと呼ばれる素子が用
いられる。ライトバルブとしては、透過型液晶パネルや
反射型液晶パネルなどのように、一種類の直線偏光光の
みを利用するタイプのものが使用されることが多い。こ
のように、一種類の直線偏光光を利用する投写型表示装
置においては、光源から出射された無偏光の入射光を、
一種類の直線偏光光（例えば、ｓ偏光光）とするための
偏光変換素子が設けられている。
光を変調するために、ライトバルブと呼ばれる素子が用
いられる。ライトバルブとしては、透過型液晶パネルや
反射型液晶パネルなどのように、一種類の直線偏光光の
みを利用するタイプのものが使用されることが多い。こ
のように、一種類の直線偏光光を利用する投写型表示装
置においては、光源から出射された無偏光の入射光を、
一種類の直線偏光光（例えば、ｓ偏光光）とするための
偏光変換素子が設けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】投写スクリーンに表示
された画像をできるだけ高輝度とするためには、偏光変
換素子に入射された無偏光の光を効率よく、一種類の直
線偏光光に変換することが望ましい。すなわち、偏光変
換素子に備えられた偏光分離膜の透過・反射特性、およ
び反射膜の反射特性をできるだけ向上させることが望ま
れている。また、投写型表示装置以外に用いられる偏光
分離素子や偏光変換素子についても、同様に、透過特性
や反射特性を向上させたいという要望がある。
された画像をできるだけ高輝度とするためには、偏光変
換素子に入射された無偏光の光を効率よく、一種類の直
線偏光光に変換することが望ましい。すなわち、偏光変
換素子に備えられた偏光分離膜の透過・反射特性、およ
び反射膜の反射特性をできるだけ向上させることが望ま
れている。また、投写型表示装置以外に用いられる偏光
分離素子や偏光変換素子についても、同様に、透過特性
や反射特性を向上させたいという要望がある。
【０００４】この発明は、従来技術における上述の課題
を解決するためになされたものであり、偏光分離素子や
偏光変換素子の特性を向上させることのできる技術を提
供することを目的とする。また、このような偏光分離素
子を用いた光利用効率の高い投写型表示装置を提供する
ことを他の目的とする。
を解決するためになされたものであり、偏光分離素子や
偏光変換素子の特性を向上させることのできる技術を提
供することを目的とする。また、このような偏光分離素
子を用いた光利用効率の高い投写型表示装置を提供する
ことを他の目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
述の課題の少なくとも一部を解決するため、本発明の第
１の素子は、入射された光を二種類の偏光光に分離する
ための偏光分離素子であって、ほぼ１．４８ないし１．
５８の屈折率を有する透光性基板と、前記透光性基板の
上に形成された偏光分離膜と、を備え、前記偏光分離膜
は、ＭｇＦ2層とＭｇＯ層とを交互に積層させた多層構
造部を有することを特徴とする。
述の課題の少なくとも一部を解決するため、本発明の第
１の素子は、入射された光を二種類の偏光光に分離する
ための偏光分離素子であって、ほぼ１．４８ないし１．
５８の屈折率を有する透光性基板と、前記透光性基板の
上に形成された偏光分離膜と、を備え、前記偏光分離膜
は、ＭｇＦ2層とＭｇＯ層とを交互に積層させた多層構
造部を有することを特徴とする。
【０００６】この偏光分離素子は、ＭｇＦ2とＭｇＯと
で構成された多層構造部を採用することによって、一方
の偏光光に関する透過特性と他方の偏光光に関する反射
特性とを共に向上させることができる。
で構成された多層構造部を採用することによって、一方
の偏光光に関する透過特性と他方の偏光光に関する反射
特性とを共に向上させることができる。
【０００７】上記偏光分離素子において、前記偏光分離
膜は、さらに、前記多層構造部の上に、ＳｉＯ2で形成
された被覆層を備えることが好ましい。
膜は、さらに、前記多層構造部の上に、ＳｉＯ2で形成
された被覆層を備えることが好ましい。
【０００８】こうすれば、基板上に形成された偏光分離
膜と、他の部材とを光学接着剤により接着する場合に、
偏光分離膜と他の部材との接着性を高めることができ
る。
膜と、他の部材とを光学接着剤により接着する場合に、
偏光分離膜と他の部材との接着性を高めることができ
る。
【０００９】本発明の第２の素子は、入射された光を二
種類の偏光光に分離するための偏光分離素子であって、
ほぼ１．４８ないし１．５８の屈折率を有する透光性基
板と、前記透光性基板の上に形成された偏光分離膜と、
を備え、前記偏光分離膜は、複数の層を積層させた多層
構造部と、前記多層構造部の上に、ＳｉＯ2で形成され
た被覆層と、を備えることを特徴とする。
種類の偏光光に分離するための偏光分離素子であって、
ほぼ１．４８ないし１．５８の屈折率を有する透光性基
板と、前記透光性基板の上に形成された偏光分離膜と、
を備え、前記偏光分離膜は、複数の層を積層させた多層
構造部と、前記多層構造部の上に、ＳｉＯ2で形成され
た被覆層と、を備えることを特徴とする。
【００１０】この偏光分離素子は、多層構造部の上にＳ
ｉＯ2で形成された被覆層を備えているので、基板上の
偏光分離膜と、他の部材とを光学接着剤により接着する
場合に、偏光分離膜と他の部材との接着性を高めること
ができる。
ｉＯ2で形成された被覆層を備えているので、基板上の
偏光分離膜と、他の部材とを光学接着剤により接着する
場合に、偏光分離膜と他の部材との接着性を高めること
ができる。
【００１１】本発明の第３の素子は、入射された光を一
種類の偏光光に変換するための偏光変換素子であって、
入射光を二種類の偏光光に分離するための偏光分離素子
と、前記二種類の偏光光の一方を他方の偏光光に変換す
る選択位相差板と、を備え、前記偏光分離素子は、所定
の方向に沿って配列された複数の透光性基板と、前記複
数の透光性基板の間に交互に配置された複数の偏光分離
膜と複数の反射膜と、を備え、前記透光性基板は、ほぼ
１．４８ないし１．５８の屈折率を有し、前記偏光分離
膜は、ＭｇＦ2層とＭｇＯ層とを交互に積層させた多層
構造部を有することを特徴とする。
種類の偏光光に変換するための偏光変換素子であって、
入射光を二種類の偏光光に分離するための偏光分離素子
と、前記二種類の偏光光の一方を他方の偏光光に変換す
る選択位相差板と、を備え、前記偏光分離素子は、所定
の方向に沿って配列された複数の透光性基板と、前記複
数の透光性基板の間に交互に配置された複数の偏光分離
膜と複数の反射膜と、を備え、前記透光性基板は、ほぼ
１．４８ないし１．５８の屈折率を有し、前記偏光分離
膜は、ＭｇＦ2層とＭｇＯ層とを交互に積層させた多層
構造部を有することを特徴とする。
【００１２】この偏光変換素子は、偏光分離膜としてＭ
ｇＦ2とＭｇＯとで構成された多層構造部を採用してい
るので、入射光を効率よく一種類の偏光光に変換するこ
とができる。
ｇＦ2とＭｇＯとで構成された多層構造部を採用してい
るので、入射光を効率よく一種類の偏光光に変換するこ
とができる。
【００１３】本発明の第４の素子は、入射された光を一
種類の偏光光に変換するための偏光変換素子であって、
入射光を二種類の偏光光に分離するための偏光分離素子
と、前記二種類の偏光光の一方を他方の偏光光に変換す
る選択位相差板と、を備え、前記偏光分離素子は、所定
の方向に沿って配列された複数の透光性基板と、前記複
数の透光性基板の間に交互に配置された複数の偏光分離
膜と複数の反射膜と、を備え、前記透光性基板は、ほぼ
１．４８ないし１．５８の屈折率を有し、前記偏光分離
膜は、複数の層を積層させた多層構造部と、前記多層構
造部の上に、ＳｉＯ2で形成された被覆層と、を備える
ことを特徴とする。
種類の偏光光に変換するための偏光変換素子であって、
入射光を二種類の偏光光に分離するための偏光分離素子
と、前記二種類の偏光光の一方を他方の偏光光に変換す
る選択位相差板と、を備え、前記偏光分離素子は、所定
の方向に沿って配列された複数の透光性基板と、前記複
数の透光性基板の間に交互に配置された複数の偏光分離
膜と複数の反射膜と、を備え、前記透光性基板は、ほぼ
１．４８ないし１．５８の屈折率を有し、前記偏光分離
膜は、複数の層を積層させた多層構造部と、前記多層構
造部の上に、ＳｉＯ2で形成された被覆層と、を備える
ことを特徴とする。
【００１４】この偏光変換素子の偏光分離膜は、多層構
造部の上にＳｉＯ2で形成された被覆層を備えているの
で、基板上の偏光分離膜と、他の部材とを光学接着剤に
より接着する場合に、偏光分離膜と他の部材との接着性
を高めることができる。
造部の上にＳｉＯ2で形成された被覆層を備えているの
で、基板上の偏光分離膜と、他の部材とを光学接着剤に
より接着する場合に、偏光分離膜と他の部材との接着性
を高めることができる。
【００１５】上記第３、第４の偏光変換素子において、
前記反射膜は、前記偏光分離膜と同じ構造を有するよう
にしてもよい。
前記反射膜は、前記偏光分離膜と同じ構造を有するよう
にしてもよい。
【００１６】こうすれば、偏光分離膜と反射膜とを同一
の構造として兼用することができるので、膜の作成が容
易である。
の構造として兼用することができるので、膜の作成が容
易である。
【００１７】上記偏光変換素子において、前記反射膜
は、前記透光性基板の屈折率に比較して、より小さい屈
折率を有する第１の層と、より大きい屈折率を有する第
２の材質とを交互に積層させた多層構造部を有し、前記
反射膜の前記第１の層はＳｉＯ2で形成されており、前
記第２の層はＴａ2Ｏ5またはＴｉＯ2で形成されていて
もよい。
は、前記透光性基板の屈折率に比較して、より小さい屈
折率を有する第１の層と、より大きい屈折率を有する第
２の材質とを交互に積層させた多層構造部を有し、前記
反射膜の前記第１の層はＳｉＯ2で形成されており、前
記第２の層はＴａ2Ｏ5またはＴｉＯ2で形成されていて
もよい。
【００１８】このように反射膜として、ＳｉＯ2とＴａ2
Ｏ5とで構成された多層構造部、あるいはＳｉＯ2とＴｉ
Ｏ2とで構成された多層構造部を有する反射膜を用いれ
ば、上記のように偏光分離膜と反射膜を同一の構造とし
た場合に比べ、少数の層数で、かつ、高い反射率を得る
ことができる。
Ｏ5とで構成された多層構造部、あるいはＳｉＯ2とＴｉ
Ｏ2とで構成された多層構造部を有する反射膜を用いれ
ば、上記のように偏光分離膜と反射膜を同一の構造とし
た場合に比べ、少数の層数で、かつ、高い反射率を得る
ことができる。
【００１９】上記偏光変換素子において、前記第２の層
は、蒸発させてＴｉＯ2をプラズマ雰囲気で成膜された
ＴｉＯ2層であることが好ましい。
は、蒸発させてＴｉＯ2をプラズマ雰囲気で成膜された
ＴｉＯ2層であることが好ましい。
【００２０】こうすれば、緻密な膜を形成することが難
しいＴｉＯ2膜についても、緻密な膜を形成することが
可能となり、良質の反射膜を有する偏光分離素子を得る
ことができる。
しいＴｉＯ2膜についても、緻密な膜を形成することが
可能となり、良質の反射膜を有する偏光分離素子を得る
ことができる。
【００２１】本発明による第１の装置は、光を投写する
ことによって画像を表示する投写型表示装置であって、
ほぼ一種類の偏光光を生成する偏光照明装置と、前記偏
光照明装置からの出射光を、与えられた画像信号に基づ
いて変調する変調手段と、前記変調手段により変調され
た光を投写する投写光学手段と、を備え、前記偏光照明
装置は、光源部と、前記光源部から出射された光をほぼ
一種類の偏光光に変換する偏光変換素子と、を備え、前
記偏光変換素子は、入射光を二種類の偏光光に分離する
ための偏光分離素子と、前記二種類の偏光光の一方を他
方の偏光光に変換する選択位相差板と、を備え、前記偏
光分離素子は、所定の方向に沿って配列された複数の透
光性基板と、前記複数の透光性基板の間に交互に配置さ
れた複数の偏光分離膜と複数の反射膜と、を備え、前記
透光性基板は、ほぼ１．４８ないし１．５８の屈折率を
有し、前記偏光分離膜は、ＭｇＦ2層とＭｇＯ層とを交
互に積層させた多層構造部を有することを特徴とする。
ことによって画像を表示する投写型表示装置であって、
ほぼ一種類の偏光光を生成する偏光照明装置と、前記偏
光照明装置からの出射光を、与えられた画像信号に基づ
いて変調する変調手段と、前記変調手段により変調され
た光を投写する投写光学手段と、を備え、前記偏光照明
装置は、光源部と、前記光源部から出射された光をほぼ
一種類の偏光光に変換する偏光変換素子と、を備え、前
記偏光変換素子は、入射光を二種類の偏光光に分離する
ための偏光分離素子と、前記二種類の偏光光の一方を他
方の偏光光に変換する選択位相差板と、を備え、前記偏
光分離素子は、所定の方向に沿って配列された複数の透
光性基板と、前記複数の透光性基板の間に交互に配置さ
れた複数の偏光分離膜と複数の反射膜と、を備え、前記
透光性基板は、ほぼ１．４８ないし１．５８の屈折率を
有し、前記偏光分離膜は、ＭｇＦ2層とＭｇＯ層とを交
互に積層させた多層構造部を有することを特徴とする。
【００２２】この投写型表示装置に備えられた偏光分離
素子には、上記第１の素子の偏光分離素膜が用いられて
いるので、光源部からの光を高効率で所望の一種類の偏
光光に変換し、変調手段に供給することができる。した
がって、投写型表示装置によってスクリーン上に投写さ
れる画像の輝度を高めることが可能である。
素子には、上記第１の素子の偏光分離素膜が用いられて
いるので、光源部からの光を高効率で所望の一種類の偏
光光に変換し、変調手段に供給することができる。した
がって、投写型表示装置によってスクリーン上に投写さ
れる画像の輝度を高めることが可能である。
【００２３】本発明による第２の装置は、光を投写する
ことによって画像を表示する投写型表示装置であって、
ほぼ一種類の偏光光を生成する偏光照明装置と、前記偏
光照明装置からの出射光を、与えられた画像信号に基づ
いて変調する変調手段と、前記変調手段により変調され
た光を投写する投写光学手段と、を備え、前記偏光照明
装置は、光源部と、前記光源部から出射された光をほぼ
一種類の偏光光に変換する偏光変換素子と、を備え、前
記偏光変換素子は、入射光を二種類の偏光光に分離する
ための偏光分離素子と、前記二種類の偏光光の一方を他
方の偏光光に変換する選択位相差板と、を備え、前記偏
光分離素子は、所定の方向に沿って配列された複数の透
光性基板と、前記複数の透光性基板の間に交互に配置さ
れた複数の偏光分離膜と複数の反射膜と、を備え、前記
透光性基板は、ほぼ１．４８ないし１．５８の屈折率を
有し、前記偏光分離膜は、複数の層を積層させた多層構
造部と、前記多層構造部の上に、ＳｉＯ2で形成された
被覆層と、を備えることを特徴とする。
ことによって画像を表示する投写型表示装置であって、
ほぼ一種類の偏光光を生成する偏光照明装置と、前記偏
光照明装置からの出射光を、与えられた画像信号に基づ
いて変調する変調手段と、前記変調手段により変調され
た光を投写する投写光学手段と、を備え、前記偏光照明
装置は、光源部と、前記光源部から出射された光をほぼ
一種類の偏光光に変換する偏光変換素子と、を備え、前
記偏光変換素子は、入射光を二種類の偏光光に分離する
ための偏光分離素子と、前記二種類の偏光光の一方を他
方の偏光光に変換する選択位相差板と、を備え、前記偏
光分離素子は、所定の方向に沿って配列された複数の透
光性基板と、前記複数の透光性基板の間に交互に配置さ
れた複数の偏光分離膜と複数の反射膜と、を備え、前記
透光性基板は、ほぼ１．４８ないし１．５８の屈折率を
有し、前記偏光分離膜は、複数の層を積層させた多層構
造部と、前記多層構造部の上に、ＳｉＯ2で形成された
被覆層と、を備えることを特徴とする。
【００２４】この投写型表示装置に備えられた偏光分離
素子には、上記第２の素子の偏光分離素膜が用いられて
いるので、基板上の偏光分離膜と、他の部材とを光学接
着剤により接着する場合に、偏光分離膜と他の部材との
接着性を高めることができる。
素子には、上記第２の素子の偏光分離素膜が用いられて
いるので、基板上の偏光分離膜と、他の部材とを光学接
着剤により接着する場合に、偏光分離膜と他の部材との
接着性を高めることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】Ａ．偏光分離膜および偏光変換素
子の構成 次に、本発明の実施の形態を実施例に基づき説明する。
図１は、この発明による偏光変換素子３２０の一例を示
す説明図である。図１（ａ）は、偏光変換素子３２０の
平面図であり、図１（ｂ）は、偏光変換素子３２０の斜
視図である。この偏光変換素子３２０は、入射光をｐ偏
光光とｓ偏光光とに分離して出射するための偏光分離素
子３３０と、偏光分離素子３３０で分離された２種類の
直線偏光光を１種類の直線偏光光とするためのλ／２位
相差板３８１とが備えられている。なお、λ／２位相差
板３８１が本発明における選択位相差板に相当する。
子の構成 次に、本発明の実施の形態を実施例に基づき説明する。
図１は、この発明による偏光変換素子３２０の一例を示
す説明図である。図１（ａ）は、偏光変換素子３２０の
平面図であり、図１（ｂ）は、偏光変換素子３２０の斜
視図である。この偏光変換素子３２０は、入射光をｐ偏
光光とｓ偏光光とに分離して出射するための偏光分離素
子３３０と、偏光分離素子３３０で分離された２種類の
直線偏光光を１種類の直線偏光光とするためのλ／２位
相差板３８１とが備えられている。なお、λ／２位相差
板３８１が本発明における選択位相差板に相当する。
【００２６】偏光分離素子３３０は、それぞれ断面が平
行四辺形の柱状の第１と第２の透光性基板（以下、「基
板」と呼ぶ）３２１，３２２が交互に貼り合わされた形
状を有している。また、基板３２１と基板３２２との間
には、交互に、偏光分離膜２０と反射膜３０とが備えら
れている。
行四辺形の柱状の第１と第２の透光性基板（以下、「基
板」と呼ぶ）３２１，３２２が交互に貼り合わされた形
状を有している。また、基板３２１と基板３２２との間
には、交互に、偏光分離膜２０と反射膜３０とが備えら
れている。
【００２７】図１（ａ）に示す偏光変換素子３２０の偏
光分離膜２０に、ｓ偏光成分とｐ偏光成分とを含むラン
ダムな偏光方向を有する光が入射すると、この入射光
は、まず、偏光分離膜２０によってｓ偏光光とｐ偏光光
に分離される。ｓ偏光光は、偏光分離膜２０によってほ
ぼ垂直に反射され、反射膜３０によってさらに垂直に反
射されてから出射される。一方、ｐ偏光光は、偏光分離
膜２０をそのまま透過する。偏光分離膜２０を透過した
ｐ偏光光の出射面には、λ／２位相差板３８１が配置さ
れており、このｐ偏光光がｓ偏光光に変換されて出射さ
れる。したがって、偏光変換素子３２０を通過した光
は、そのほとんどがｓ偏光光となって出射される。ま
た、偏光変換素子から出射される光をｐ偏光光としたい
場合には、λ／２位相差板３８１を反射膜３０によって
反射されたｓ偏光光が出射する出射面に配置するように
すればよい。
光分離膜２０に、ｓ偏光成分とｐ偏光成分とを含むラン
ダムな偏光方向を有する光が入射すると、この入射光
は、まず、偏光分離膜２０によってｓ偏光光とｐ偏光光
に分離される。ｓ偏光光は、偏光分離膜２０によってほ
ぼ垂直に反射され、反射膜３０によってさらに垂直に反
射されてから出射される。一方、ｐ偏光光は、偏光分離
膜２０をそのまま透過する。偏光分離膜２０を透過した
ｐ偏光光の出射面には、λ／２位相差板３８１が配置さ
れており、このｐ偏光光がｓ偏光光に変換されて出射さ
れる。したがって、偏光変換素子３２０を通過した光
は、そのほとんどがｓ偏光光となって出射される。ま
た、偏光変換素子から出射される光をｐ偏光光としたい
場合には、λ／２位相差板３８１を反射膜３０によって
反射されたｓ偏光光が出射する出射面に配置するように
すればよい。
【００２８】図２は、偏光分離膜２０の部分を拡大して
示す断面図である。偏光分離膜２０は、透光性の基板３
２１上に積層された誘電体多層膜であり、２種類の材質
が交互に計４９層積層された多層構造部２２と、多層構
造部２２の上に形成された被覆層２４とで構成されてい
る。この偏光分離膜２０は、基板３２１の表面上に一層
ずつ順次積層されて構成されている。偏光分離膜２０が
積層された基板３２１は、光学接着剤１８を介して基板
３２２と接着される。被覆層２４は、偏光分離膜２０と
基板３２２との間の接着性を高める機能を有している。
示す断面図である。偏光分離膜２０は、透光性の基板３
２１上に積層された誘電体多層膜であり、２種類の材質
が交互に計４９層積層された多層構造部２２と、多層構
造部２２の上に形成された被覆層２４とで構成されてい
る。この偏光分離膜２０は、基板３２１の表面上に一層
ずつ順次積層されて構成されている。偏光分離膜２０が
積層された基板３２１は、光学接着剤１８を介して基板
３２２と接着される。被覆層２４は、偏光分離膜２０と
基板３２２との間の接着性を高める機能を有している。
【００２９】この多層構造部２２は、ほぼ１．５の屈折
率を有する基板３２１上に、基板に対し比較的小さい屈
折率を有する層（以下、Ｌ層と呼ぶ）と、比較的大きい
屈折率を有する層（以下、Ｈ層と呼ぶ）とが積層して形
成されている。図２の例では、Ｌ１，Ｈ２，Ｌ３，Ｈ
４，…Ｌ４７，Ｈ４８，Ｌ４９の合計４９層が形成され
ている。被覆層２４は、Ｈ層とＬ層の材質のほぼ中間の
屈折率を有する。基板３２１，３２２の部材としては、
その屈折率がほぼ１．４８ないし１．５８の種々の部材
を用いることができ、屈折率がほぼ１．５２の白板ガラ
スや、ＢＫ７−Ｓなどの光学ガラスを用いることができ
る。偏光分離膜２０のＬ層の材質としては、屈折率がほ
ぼ１．３８であるＭｇＦ2が用いられており、Ｈ層の材
質としては、屈折率がほぼ１．７３であるＭｇＯが用い
られている。また、被覆層２４の材質としては、屈折率
がほぼ１．４４であるＳｉＯ2が用いられている。な
お、各層の屈折率は、大気中の水分の吸収等によって変
化することが知られている。この明細書において、「屈
折率」とは、偏光分離膜２０を長期間、大気中に曝した
状態で保たれる屈折率を意味する。
率を有する基板３２１上に、基板に対し比較的小さい屈
折率を有する層（以下、Ｌ層と呼ぶ）と、比較的大きい
屈折率を有する層（以下、Ｈ層と呼ぶ）とが積層して形
成されている。図２の例では、Ｌ１，Ｈ２，Ｌ３，Ｈ
４，…Ｌ４７，Ｈ４８，Ｌ４９の合計４９層が形成され
ている。被覆層２４は、Ｈ層とＬ層の材質のほぼ中間の
屈折率を有する。基板３２１，３２２の部材としては、
その屈折率がほぼ１．４８ないし１．５８の種々の部材
を用いることができ、屈折率がほぼ１．５２の白板ガラ
スや、ＢＫ７−Ｓなどの光学ガラスを用いることができ
る。偏光分離膜２０のＬ層の材質としては、屈折率がほ
ぼ１．３８であるＭｇＦ2が用いられており、Ｈ層の材
質としては、屈折率がほぼ１．７３であるＭｇＯが用い
られている。また、被覆層２４の材質としては、屈折率
がほぼ１．４４であるＳｉＯ2が用いられている。な
お、各層の屈折率は、大気中の水分の吸収等によって変
化することが知られている。この明細書において、「屈
折率」とは、偏光分離膜２０を長期間、大気中に曝した
状態で保たれる屈折率を意味する。
【００３０】図３は、図２の偏光分離膜２０の各層の膜
厚を示す説明図である。なお、この構造は設計波長λを
６００ｎｍとしたときの構造である。ここで、設計波長
λとは、膜を設計する際の初期設定値であり、この設計
波長において所望の透過・反射特性が得られるように、
各層の厚みが決定される。設計波長λとしては、その光
学素子において利用される主要な光成分の波長が選ばれ
る。本実施例の偏光変換素子３２０は、ＲＧＢの３つの
色光の偏光変換に利用されるものであり、この例では、
赤色光の波長付近（６００ｎｍ）を設計波長として選択
している。図３中、右欄の値Ｄは、各層の光学的厚さ
（実際の膜厚ｄに材質の屈折率ｎを乗じた厚さ）を設計
波長λの１／４で割った値である。したがって、実際の
膜厚ｄは、値Ｄにλ／４を乗じて、ｎで割った値であ
る。なお、このときの屈折率ｎは、Ｌ層についてはＬ層
の屈折率、Ｈ層についてはＨ層の屈折率を用いる。図３
に示すように、多層構造部２２の各層の光学的厚みはλ
／４程度の値となっているが、それぞれ異なる値となっ
ている。また、被覆層２４は、その光学的厚みが３／４
λである。
厚を示す説明図である。なお、この構造は設計波長λを
６００ｎｍとしたときの構造である。ここで、設計波長
λとは、膜を設計する際の初期設定値であり、この設計
波長において所望の透過・反射特性が得られるように、
各層の厚みが決定される。設計波長λとしては、その光
学素子において利用される主要な光成分の波長が選ばれ
る。本実施例の偏光変換素子３２０は、ＲＧＢの３つの
色光の偏光変換に利用されるものであり、この例では、
赤色光の波長付近（６００ｎｍ）を設計波長として選択
している。図３中、右欄の値Ｄは、各層の光学的厚さ
（実際の膜厚ｄに材質の屈折率ｎを乗じた厚さ）を設計
波長λの１／４で割った値である。したがって、実際の
膜厚ｄは、値Ｄにλ／４を乗じて、ｎで割った値であ
る。なお、このときの屈折率ｎは、Ｌ層についてはＬ層
の屈折率、Ｈ層についてはＨ層の屈折率を用いる。図３
に示すように、多層構造部２２の各層の光学的厚みはλ
／４程度の値となっているが、それぞれ異なる値となっ
ている。また、被覆層２４は、その光学的厚みが３／４
λである。
【００３１】図４は、図３の構造を有する偏光分離膜２
０の光学特性のシミュレーション結果を示すグラフであ
る。波長４００〜７００ｎｍの範囲において、各層の屈
折率は０．１程度変化する。図４のシミュレーション結
果は、各層の屈折率の波長特性を考慮して膜の特性マト
リクスを解いて得られた値である。
０の光学特性のシミュレーション結果を示すグラフであ
る。波長４００〜７００ｎｍの範囲において、各層の屈
折率は０．１程度変化する。図４のシミュレーション結
果は、各層の屈折率の波長特性を考慮して膜の特性マト
リクスを解いて得られた値である。
【００３２】図４に示すように、この偏光分離膜２０は
４００〜７００ｎｍの可視領域でｐ偏光光の透過率が９
９．２％以上であり、また、ｓ偏光光の反射率も９９．
３％以上となっている。したがって、この偏光分離膜２
０を用いれば、高効率で可視領域のｐ偏光光を透過しｓ
偏光光を反射する偏光分離素子３３０を作製することが
可能となる。被覆層２４は、多層構造部２２と基板３２
２との接着性を高めるために積層されており、偏光分離
膜２０の光学特性にはほとんど影響しない。すなわち、
被覆層２４がない場合にも、図４に示すシミュレーショ
ン結果と同様の結果が得られるので、被覆層２４は省略
してもよい。また、図４のシミュレーション結果は、Ｌ
１層側から光を入射した場合の結果であるが、被覆層２
４側から光を入射した場合にも同様の結果が得られる。
４００〜７００ｎｍの可視領域でｐ偏光光の透過率が９
９．２％以上であり、また、ｓ偏光光の反射率も９９．
３％以上となっている。したがって、この偏光分離膜２
０を用いれば、高効率で可視領域のｐ偏光光を透過しｓ
偏光光を反射する偏光分離素子３３０を作製することが
可能となる。被覆層２４は、多層構造部２２と基板３２
２との接着性を高めるために積層されており、偏光分離
膜２０の光学特性にはほとんど影響しない。すなわち、
被覆層２４がない場合にも、図４に示すシミュレーショ
ン結果と同様の結果が得られるので、被覆層２４は省略
してもよい。また、図４のシミュレーション結果は、Ｌ
１層側から光を入射した場合の結果であるが、被覆層２
４側から光を入射した場合にも同様の結果が得られる。
【００３３】図５は、反射膜３０の種々の実施例を示す
説明図である。反射膜３０は、図２に示す偏光分離膜２
０と同じように、基板３２１上に積層された誘電体多層
膜であり、２種類の材質が交互に積層されて形成されて
いる。
説明図である。反射膜３０は、図２に示す偏光分離膜２
０と同じように、基板３２１上に積層された誘電体多層
膜であり、２種類の材質が交互に積層されて形成されて
いる。
【００３４】図５（ａ）の反射膜３０は、Ｌ層の材質と
してＭｇＦ2が、Ｈ層の材質としてＭｇＯが用いられて
おり、図３の偏光分離膜２０と同一の構造を有する多層
膜である。すなわち、基板３２１上に、Ｌ１，Ｈ２，Ｌ
３，Ｈ４，…Ｌ４７，Ｈ４８，Ｌ４９の順に４９層の膜
が積層され、５０層目には被覆層２４が積層されてい
る。なお、前述したように、反射膜３０においても５０
層目の被覆層は積層されていなくともよい。
してＭｇＦ2が、Ｈ層の材質としてＭｇＯが用いられて
おり、図３の偏光分離膜２０と同一の構造を有する多層
膜である。すなわち、基板３２１上に、Ｌ１，Ｈ２，Ｌ
３，Ｈ４，…Ｌ４７，Ｈ４８，Ｌ４９の順に４９層の膜
が積層され、５０層目には被覆層２４が積層されてい
る。なお、前述したように、反射膜３０においても５０
層目の被覆層は積層されていなくともよい。
【００３５】図５（ａ）の構成を有する反射膜を用いた
場合のｓ偏光光の反射特性は、図４に示すｓ偏光光の反
射特性と同じであり、前述したように、４００〜７００
ｎｍの可視領域で９９．３％以上の反射率を得ることが
できる。図４に示すような、ｐ偏光光の透過率とｓ偏光
光の反射率とが共に高い多層膜を用いれば、同じ構造を
有する多層膜を、偏光分離膜および反射膜の双方に利用
することができる。
場合のｓ偏光光の反射特性は、図４に示すｓ偏光光の反
射特性と同じであり、前述したように、４００〜７００
ｎｍの可視領域で９９．３％以上の反射率を得ることが
できる。図４に示すような、ｐ偏光光の透過率とｓ偏光
光の反射率とが共に高い多層膜を用いれば、同じ構造を
有する多層膜を、偏光分離膜および反射膜の双方に利用
することができる。
【００３６】図５（ｂ）の構成では、Ｌ層の材質として
屈折率がほぼ１．４４であるＳｉＯ2が用いられてお
り、Ｈ層の材質として屈折率がほぼ２．２６６であるＴ
ｉＯ2が用いられている。図５（ｂ）の構成を有する反
射膜３０では、基板３２１上に、Ｈ１，Ｌ２，Ｈ３，Ｌ
４，…Ｈ２７，Ｌ２８の順に２８層が積層されている。
図５（ｂ）の反射膜３０は、図５（ａ）の反射膜３０よ
りも層数が少ないので作製が容易であるという利点があ
る。
屈折率がほぼ１．４４であるＳｉＯ2が用いられてお
り、Ｈ層の材質として屈折率がほぼ２．２６６であるＴ
ｉＯ2が用いられている。図５（ｂ）の構成を有する反
射膜３０では、基板３２１上に、Ｈ１，Ｌ２，Ｈ３，Ｌ
４，…Ｈ２７，Ｌ２８の順に２８層が積層されている。
図５（ｂ）の反射膜３０は、図５（ａ）の反射膜３０よ
りも層数が少ないので作製が容易であるという利点があ
る。
【００３７】図６は、図５（ｂ）の構成を有する反射膜
を用いた場合のｓ偏光光の反射特性のシミュレーション
結果を示すグラフである。図６に示すように、図５
（ｂ）の構成を有する反射膜３０を用いた場合には、４
００〜７００ｎｍの可視領域で９９．９７５％以上の高
い反射率を得ることができる。なお、この反射膜３０に
おいても、Ｈ１層側から光を入射した場合でも、Ｌ２８
層側から光を入射した場合でも、同様のシミュレーショ
ン結果が得られる。
を用いた場合のｓ偏光光の反射特性のシミュレーション
結果を示すグラフである。図６に示すように、図５
（ｂ）の構成を有する反射膜３０を用いた場合には、４
００〜７００ｎｍの可視領域で９９．９７５％以上の高
い反射率を得ることができる。なお、この反射膜３０に
おいても、Ｈ１層側から光を入射した場合でも、Ｌ２８
層側から光を入射した場合でも、同様のシミュレーショ
ン結果が得られる。
【００３８】図５（ｃ）の構成では、Ｌ層の材質として
屈折率がほぼ１．４４であるＳｉＯ2が用いられてお
り、Ｈ層の材質として屈折率がほぼ２．１８であるＴａ
2Ｏ5が用いられている。図５（ｃ）の構成を有する反射
膜３０では、基板３２１上に、Ｈ１，Ｌ２，Ｈ３，Ｌ
４，…Ｈ２７，Ｌ２８の順に２８層が積層されている。
この反射膜３０も図５（ａ）の反射膜３０よりも層数が
少ないので作製が容易である。図５（ｃ）に示す反射膜
の構成は、設計波長λを６８０ｎｍとした計算で得られ
たものである。このときの値Ｄは、各層の光学的厚さを
設計波長λ（６８０ｎｍ）で割った値である。したがっ
て、実際の膜厚ｄは、値Ｄにλを乗じて、各層の材質の
屈折率ｎで割った値である。
屈折率がほぼ１．４４であるＳｉＯ2が用いられてお
り、Ｈ層の材質として屈折率がほぼ２．１８であるＴａ
2Ｏ5が用いられている。図５（ｃ）の構成を有する反射
膜３０では、基板３２１上に、Ｈ１，Ｌ２，Ｈ３，Ｌ
４，…Ｈ２７，Ｌ２８の順に２８層が積層されている。
この反射膜３０も図５（ａ）の反射膜３０よりも層数が
少ないので作製が容易である。図５（ｃ）に示す反射膜
の構成は、設計波長λを６８０ｎｍとした計算で得られ
たものである。このときの値Ｄは、各層の光学的厚さを
設計波長λ（６８０ｎｍ）で割った値である。したがっ
て、実際の膜厚ｄは、値Ｄにλを乗じて、各層の材質の
屈折率ｎで割った値である。
【００３９】図７は、図５（ｃ）の構成を有する反射膜
を用いた場合のｓ偏光光の反射特性のシミュレーション
結果を示すグラフである。図７に示すように、図５
（ｃ）の構成を有する反射膜を用いた場合には、４００
〜７００ｎｍの可視領域で９９．８６％以上の高い反射
率を得ることができる。
を用いた場合のｓ偏光光の反射特性のシミュレーション
結果を示すグラフである。図７に示すように、図５
（ｃ）の構成を有する反射膜を用いた場合には、４００
〜７００ｎｍの可視領域で９９．８６％以上の高い反射
率を得ることができる。
【００４０】図５（ｂ），（ｃ）のように、ｓ偏光光の
反射特性を向上させることを目標として反射膜３０を設
計すると、比較的少ない層数で、図６、図７に示すよう
な高い反射率を得ることができる。
反射特性を向上させることを目標として反射膜３０を設
計すると、比較的少ない層数で、図６、図７に示すよう
な高い反射率を得ることができる。
【００４１】以上のような偏光分離膜２０および反射膜
３０を用いた偏光分離素子３３０（図１）は、入射光を
高効率でｓ偏光光とｐ偏光光とに分離して出射すること
ができる。また、この偏光分離素子３３０を備える偏光
変換素子３２０（図１）は、入射光を高効率で一種類の
偏光光（ｓ偏光光あるいはｐ偏光光）に変換して出射す
ることが可能である。
３０を用いた偏光分離素子３３０（図１）は、入射光を
高効率でｓ偏光光とｐ偏光光とに分離して出射すること
ができる。また、この偏光分離素子３３０を備える偏光
変換素子３２０（図１）は、入射光を高効率で一種類の
偏光光（ｓ偏光光あるいはｐ偏光光）に変換して出射す
ることが可能である。
【００４２】ところで、図３、図５に示すような誘電体
多層膜は、通常、ＰＶＤ（真空蒸着）や、プラズマＣＶ
Ｄなどを用いた成膜装置で、各層毎に、順次積層して作
製される。ＰＶＤを用いた成膜装置で成膜する場合に
は、ＭｇＦ2膜やＳｉＯ2膜は、２．６６×１０-3Ｐａ
（２×１０-5Torr）程度の真空度で成膜される。また、
ＭｇＯ膜は、蒸着する際に、酸素を補給しながら成膜さ
れ、３．９９×１０-2Ｐａ（３×１０-4Torr）程度の真
空度で成膜される。また、成膜する際の基板温度は、約
３００℃に設定される。
多層膜は、通常、ＰＶＤ（真空蒸着）や、プラズマＣＶ
Ｄなどを用いた成膜装置で、各層毎に、順次積層して作
製される。ＰＶＤを用いた成膜装置で成膜する場合に
は、ＭｇＦ2膜やＳｉＯ2膜は、２．６６×１０-3Ｐａ
（２×１０-5Torr）程度の真空度で成膜される。また、
ＭｇＯ膜は、蒸着する際に、酸素を補給しながら成膜さ
れ、３．９９×１０-2Ｐａ（３×１０-4Torr）程度の真
空度で成膜される。また、成膜する際の基板温度は、約
３００℃に設定される。
【００４３】一方、図５（ｂ）の反射膜３０を構成する
ＴｉＯ2膜は、ＰＶＤやプラズマＣＶＤなどを用いた成
膜装置では、緻密な膜を形成することは困難な場合があ
る。本発明では、以下に説明するイオンアシスト法によ
りプラズマを生成して膜を蒸着するイオンアシスト成膜
装置を用いてＴｉＯ2膜が成膜される。
ＴｉＯ2膜は、ＰＶＤやプラズマＣＶＤなどを用いた成
膜装置では、緻密な膜を形成することは困難な場合があ
る。本発明では、以下に説明するイオンアシスト法によ
りプラズマを生成して膜を蒸着するイオンアシスト成膜
装置を用いてＴｉＯ2膜が成膜される。
【００４４】図８は、イオンアシスト成膜装置９００を
示す説明図である。この成膜装置９００は、Ａｒガス供
給口９１０と、フィラメント９２０と、プラズマ生成部
９３０と、電子ビーム生成部９４０と、加速用コイル９
４２と、Ａｒガス排気部９２２と、成膜処理部９５０と
を備えている。
示す説明図である。この成膜装置９００は、Ａｒガス供
給口９１０と、フィラメント９２０と、プラズマ生成部
９３０と、電子ビーム生成部９４０と、加速用コイル９
４２と、Ａｒガス排気部９２２と、成膜処理部９５０と
を備えている。
【００４５】Ａｒガス供給口９１０から供給されるＡｒ
ガスは、フィラメント９２０から放出される熱電子によ
り、プラズマ生成部９３０においてＡｒプラズマに変換
される。電子ビーム生成部９４０では、電子ビーム生成
部９４０の周囲に配置された加速用コイル９４２が、Ａ
ｒプラズマから電子を引き出し、さらに、加速すること
により、電子ビームを発生する。この電子ビームは、成
膜処理部９５０に導かれ、成膜処理部９５０内において
プラズマを生成する。
ガスは、フィラメント９２０から放出される熱電子によ
り、プラズマ生成部９３０においてＡｒプラズマに変換
される。電子ビーム生成部９４０では、電子ビーム生成
部９４０の周囲に配置された加速用コイル９４２が、Ａ
ｒプラズマから電子を引き出し、さらに、加速すること
により、電子ビームを発生する。この電子ビームは、成
膜処理部９５０に導かれ、成膜処理部９５０内において
プラズマを生成する。
【００４６】ＴｉＯ2膜を基板３２１上に形成するとき
には、成膜処理部９５０内の図示しない電子銃から出射
される電子ビームが、ハース９５２と呼ばれる容器に予
め収納されたＴｉＯ2を溶かし蒸発させる。蒸発したＴ
ｉＯ2は、成膜処理部９５０内で生成されたプラズマ雰
囲気を通過して基板３２１に到達し、積層される。な
お、このときの真空度は、１．３３×１０-2Ｐａ（１×
１０-4Torr）程度である。また、基板３２１の成膜温度
は約２５０℃に設定される。
には、成膜処理部９５０内の図示しない電子銃から出射
される電子ビームが、ハース９５２と呼ばれる容器に予
め収納されたＴｉＯ2を溶かし蒸発させる。蒸発したＴ
ｉＯ2は、成膜処理部９５０内で生成されたプラズマ雰
囲気を通過して基板３２１に到達し、積層される。な
お、このときの真空度は、１．３３×１０-2Ｐａ（１×
１０-4Torr）程度である。また、基板３２１の成膜温度
は約２５０℃に設定される。
【００４７】このイオンアシスト法を用いて成膜する場
合には、ＰＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜する場合よ
りも緻密なＴｉＯ2膜を成膜することができる。なお、
成膜時の基板温度（約２５０℃）は、ＰＶＤやプラズマ
ＣＶＤにより成膜する場合の基板温度（約３００℃）よ
りも低くてすむという利点もある。なお、このイオンア
シスト法を用いて成膜できるのは、上記のＴｉＯ2膜に
限らず、Ｔａ2Ｏ5膜などの種々の膜を緻密に成膜するこ
とが可能である。
合には、ＰＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜する場合よ
りも緻密なＴｉＯ2膜を成膜することができる。なお、
成膜時の基板温度（約２５０℃）は、ＰＶＤやプラズマ
ＣＶＤにより成膜する場合の基板温度（約３００℃）よ
りも低くてすむという利点もある。なお、このイオンア
シスト法を用いて成膜できるのは、上記のＴｉＯ2膜に
限らず、Ｔａ2Ｏ5膜などの種々の膜を緻密に成膜するこ
とが可能である。
【００４８】Ｂ．投写型表示装置の構成 図９は、図１に示す偏光変換素子を備えた投写型表示装
置８００の要部を示す概略構成図である。この投写型表
示装置８００は、偏光照明装置５０と、ダイクロイック
ミラー８０１，８０４と、反射ミラー８０２，８０７，
８０９と、リレーレンズ８０６，８０８，８１０と、３
つの液晶ライトバルブ８０３，８０５，８１１と、クロ
スダイクロイックプリズム８１３と、投写レンズ８１４
とを備えている。
置８００の要部を示す概略構成図である。この投写型表
示装置８００は、偏光照明装置５０と、ダイクロイック
ミラー８０１，８０４と、反射ミラー８０２，８０７，
８０９と、リレーレンズ８０６，８０８，８１０と、３
つの液晶ライトバルブ８０３，８０５，８１１と、クロ
スダイクロイックプリズム８１３と、投写レンズ８１４
とを備えている。
【００４９】図１０は、図９の偏光照明装置５０の要部
を平面的にみた概略構成図である。この偏光照明装置５
０は、光源部６０と、偏光発生装置７０とを備えてい
る。光源部６０は、ｓ偏光成分とｐ偏光成分とを含むラ
ンダムな偏光方向の光束を出射する。光源部６０から出
射された光束は、偏光発生装置７０によって偏光方向が
ほぼ揃った一種類の直線偏光光（本実施例では、ｓ偏光
光）に変換されて、照明領域８０を照明する。なお、こ
の照明領域８０が図９の投写型表示装置における３つの
液晶ライトバルブ８０３，８０５，８１１に相当する。
を平面的にみた概略構成図である。この偏光照明装置５
０は、光源部６０と、偏光発生装置７０とを備えてい
る。光源部６０は、ｓ偏光成分とｐ偏光成分とを含むラ
ンダムな偏光方向の光束を出射する。光源部６０から出
射された光束は、偏光発生装置７０によって偏光方向が
ほぼ揃った一種類の直線偏光光（本実施例では、ｓ偏光
光）に変換されて、照明領域８０を照明する。なお、こ
の照明領域８０が図９の投写型表示装置における３つの
液晶ライトバルブ８０３，８０５，８１１に相当する。
【００５０】光源部６０は、光源ランプ１０１と、放物
面リフレクター１０２とを備えている。光源ランプ１０
１から放射された光は、放物面リフレクター１０２によ
って一方向に反射され、略平行な光束となって偏光発生
装置７０に入射する。
面リフレクター１０２とを備えている。光源ランプ１０
１から放射された光は、放物面リフレクター１０２によ
って一方向に反射され、略平行な光束となって偏光発生
装置７０に入射する。
【００５１】偏光発生装置７０は、第１の光学要素２０
０と、第２の光学要素４００とを備えている。図１１
は、第１の光学要素２００の斜視図である。第１の光学
要素２００は、矩形状の輪郭を有する微小な光束分割レ
ンズ２０１が、縦方向にＭ行、横方向に２Ｎ列のマトリ
クス状に配列された構成を有している。したがって、レ
ンズ横方向の中心線ＣＬからは、左方向にＮ列、右方向
にＮ列存在する。この例では、Ｍ＝１０，Ｎ＝４であ
る。第１の光学要素２００は、光軸が第１の光学要素２
００の中心に一致するように配置されている。各光束分
割レンズ２０１をＺ方向から見た外形形状は、照明領域
８０（図９の液晶ライトバルブ８０３，８０５，８１
１）の形状と相似形をなすように設定されている。本実
施例では、照明領域８０はｘ方向に長い横長の形状であ
るため、光束分割レンズ２０１のＸＹ平面上における外
形形状も横長である。
０と、第２の光学要素４００とを備えている。図１１
は、第１の光学要素２００の斜視図である。第１の光学
要素２００は、矩形状の輪郭を有する微小な光束分割レ
ンズ２０１が、縦方向にＭ行、横方向に２Ｎ列のマトリ
クス状に配列された構成を有している。したがって、レ
ンズ横方向の中心線ＣＬからは、左方向にＮ列、右方向
にＮ列存在する。この例では、Ｍ＝１０，Ｎ＝４であ
る。第１の光学要素２００は、光軸が第１の光学要素２
００の中心に一致するように配置されている。各光束分
割レンズ２０１をＺ方向から見た外形形状は、照明領域
８０（図９の液晶ライトバルブ８０３，８０５，８１
１）の形状と相似形をなすように設定されている。本実
施例では、照明領域８０はｘ方向に長い横長の形状であ
るため、光束分割レンズ２０１のＸＹ平面上における外
形形状も横長である。
【００５２】第２の光学要素４００（図１０）は、光学
素子３００と出射側レンズ３９０とを備えている。そし
て、光学素子３００および出射側レンズ３９０は、その
中心が光軸と一致するように配置されている。
素子３００と出射側レンズ３９０とを備えている。そし
て、光学素子３００および出射側レンズ３９０は、その
中心が光軸と一致するように配置されている。
【００５３】光学素子３００は、集光レンズアレイ３１
０と、遮光板３１５と、２つの偏光変換素子３２０ａ，
ｂとを備えている。集光レンズアレイ３１０は、第１の
光学要素２００と同じ構成のレンズアレイであり、第１
の光学要素２００と相対する向きに配置される。集光レ
ンズアレイ３１０は、第１の光学要素２００とともに、
各光束分割レンズ２０１で分割された複数の分割光束を
集光し、偏光変換素子３２０ａ，ｂの有効入射領域に導
く。偏光変換素子３２０ａ，ｂは、図１に示すような２
つの偏光変換素子を、それぞれの偏光分離膜および反射
膜が向かい合うように配置したものである。なお、偏光
変換素子３２０ａ，ｂは、前述したように、偏光分離素
子３３０ａ，ｂの出射面に、λ／２位相差板３８１を選
択的に配置したものである。遮光板３１５は、集光レン
ズアレイ３１０により偏光変換素子３２０ａ，ｂの偏光
分離膜に集光しきれなかった光が反射膜に直接入射する
のを防止するために配置される。この偏光変換素子３２
０ａ，ｂには、前述した本発明による偏光分離膜および
反射膜が備えられている。したがって、光源部６０から
出射された光束を高効率で一種類の直線偏光光（本実施
例では、ｓ偏光光）に変換して出射することができる。
０と、遮光板３１５と、２つの偏光変換素子３２０ａ，
ｂとを備えている。集光レンズアレイ３１０は、第１の
光学要素２００と同じ構成のレンズアレイであり、第１
の光学要素２００と相対する向きに配置される。集光レ
ンズアレイ３１０は、第１の光学要素２００とともに、
各光束分割レンズ２０１で分割された複数の分割光束を
集光し、偏光変換素子３２０ａ，ｂの有効入射領域に導
く。偏光変換素子３２０ａ，ｂは、図１に示すような２
つの偏光変換素子を、それぞれの偏光分離膜および反射
膜が向かい合うように配置したものである。なお、偏光
変換素子３２０ａ，ｂは、前述したように、偏光分離素
子３３０ａ，ｂの出射面に、λ／２位相差板３８１を選
択的に配置したものである。遮光板３１５は、集光レン
ズアレイ３１０により偏光変換素子３２０ａ，ｂの偏光
分離膜に集光しきれなかった光が反射膜に直接入射する
のを防止するために配置される。この偏光変換素子３２
０ａ，ｂには、前述した本発明による偏光分離膜および
反射膜が備えられている。したがって、光源部６０から
出射された光束を高効率で一種類の直線偏光光（本実施
例では、ｓ偏光光）に変換して出射することができる。
【００５４】図１０の出射側レンズ３９０は、光学素子
３００から出射される複数の分割光束（偏光変換素子３
２０ａ，ｂによって変換された直線偏光光の分割光束）
の各々を照明領域８０上、すなわち図９の各液晶ライト
バルブ８０３，８０５，８１１上に重畳させる。
３００から出射される複数の分割光束（偏光変換素子３
２０ａ，ｂによって変換された直線偏光光の分割光束）
の各々を照明領域８０上、すなわち図９の各液晶ライト
バルブ８０３，８０５，８１１上に重畳させる。
【００５５】図９のダイクロイックミラー８０１，８０
４は、偏光照明装置５０から出射された光束を赤、青、
緑の３色の色光に分離する色光分離手段としての機能を
有する。３つの液晶ライトバルブ８０３，８０５，８１
１は、与えられた画像情報（画像信号）に従って、３色
の色光をそれぞれ変調して画像を形成する変調手段とし
ての機能を有する。クロスダイクロイックプリズム８１
３は、３色の色光を合成してカラー画像を形成する色光
合成手段としての機能を有する。投写レンズ８１４は、
合成されたカラー画像を表す光をスクリーン８１５上に
投写する投写光学手段としての機能を有する。
４は、偏光照明装置５０から出射された光束を赤、青、
緑の３色の色光に分離する色光分離手段としての機能を
有する。３つの液晶ライトバルブ８０３，８０５，８１
１は、与えられた画像情報（画像信号）に従って、３色
の色光をそれぞれ変調して画像を形成する変調手段とし
ての機能を有する。クロスダイクロイックプリズム８１
３は、３色の色光を合成してカラー画像を形成する色光
合成手段としての機能を有する。投写レンズ８１４は、
合成されたカラー画像を表す光をスクリーン８１５上に
投写する投写光学手段としての機能を有する。
【００５６】青光緑光反射ダイクロイックミラー８０１
は、偏光照明装置５０から出射された光束の赤色光成分
を透過させるとともに、青色光成分と緑色光成分とを反
射する。透過した赤色光は、反射ミラー８０２で反射さ
れて、赤光用液晶ライトバルブ８０３に達する。一方、
第１のダイクロイックミラー８０１で反射された青色光
と緑色光のうち、緑色光は緑光反射ダイクロイックミラ
ー８０４によって反射され、緑光用液晶ライトバルブ８
０５に達する。一方、青色光は、第２のダイクロイック
ミラー８０４も透過する。
は、偏光照明装置５０から出射された光束の赤色光成分
を透過させるとともに、青色光成分と緑色光成分とを反
射する。透過した赤色光は、反射ミラー８０２で反射さ
れて、赤光用液晶ライトバルブ８０３に達する。一方、
第１のダイクロイックミラー８０１で反射された青色光
と緑色光のうち、緑色光は緑光反射ダイクロイックミラ
ー８０４によって反射され、緑光用液晶ライトバルブ８
０５に達する。一方、青色光は、第２のダイクロイック
ミラー８０４も透過する。
【００５７】この実施例では、青色光の光路の長さが３
つの色光のうちで最も長くなる。そこで、青色光に対し
ては、ダイクロイックミラー８０４の後に、入射レンズ
８０６と、中間レンズ８０８と、出射レンズ８１０とを
備えた導光手段８５０が設けられている。すなわち、青
色光は、緑光反射ダイクロイックミラー８０４を透過し
た後に、まず、入射レンズ８０６及び反射ミラー８０７
を経て、中間レンズ８０８に導かれる。さらに、反射ミ
ラー８０９によって反射されて出射レンズ８１０に導か
れ、青光用液晶ライトバルブ８１１に達する。
つの色光のうちで最も長くなる。そこで、青色光に対し
ては、ダイクロイックミラー８０４の後に、入射レンズ
８０６と、中間レンズ８０８と、出射レンズ８１０とを
備えた導光手段８５０が設けられている。すなわち、青
色光は、緑光反射ダイクロイックミラー８０４を透過し
た後に、まず、入射レンズ８０６及び反射ミラー８０７
を経て、中間レンズ８０８に導かれる。さらに、反射ミ
ラー８０９によって反射されて出射レンズ８１０に導か
れ、青光用液晶ライトバルブ８１１に達する。
【００５８】３つの液晶ライトバルブ８０３、８０５、
８１１は、図示しない外部の制御回路から与えられた画
像信号（画像情報）に従って、それぞれの色光を変調
し、それぞれの色成分の画像情報を含む色光を生成す
る。これらの液晶ライトバルブには、通常、入射側と出
射側にそれぞれ偏光板（図示せず）が設けられている。
したがって、所定の偏光光（本実施例では、ｓ偏光光）
のみが液晶ライトバルブの入射側の偏光板を透過し、変
調される。
８１１は、図示しない外部の制御回路から与えられた画
像信号（画像情報）に従って、それぞれの色光を変調
し、それぞれの色成分の画像情報を含む色光を生成す
る。これらの液晶ライトバルブには、通常、入射側と出
射側にそれぞれ偏光板（図示せず）が設けられている。
したがって、所定の偏光光（本実施例では、ｓ偏光光）
のみが液晶ライトバルブの入射側の偏光板を透過し、変
調される。
【００５９】変調された３つの色光は、クロスダイクロ
イックプリズム８１３に入射する。クロスダイクロイッ
クプリズム８１３には、赤光を反射する誘電体多層膜
と、青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成され
ている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合
成されて、カラー映像を表す光が形成される。合成され
た光は、投写光学系である投写レンズ８１４によってス
クリーン８１５上に投写され、映像が拡大されて表示さ
れる。
イックプリズム８１３に入射する。クロスダイクロイッ
クプリズム８１３には、赤光を反射する誘電体多層膜
と、青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成され
ている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合
成されて、カラー映像を表す光が形成される。合成され
た光は、投写光学系である投写レンズ８１４によってス
クリーン８１５上に投写され、映像が拡大されて表示さ
れる。
【００６０】本投写型表示装置８００の偏光照明装置５
０には、前述のように本発明による偏光変換素子３２０
ａ，ｂが用いられているので、偏光照明装置５０に入射
される光源部６０からの光は、高効率で所望の直線偏光
光（本実施例では、ｓ偏光光）に変換されて出射され
る。したがって、このような偏光変換素子３２０ａ，ｂ
を備える投写型表示装置においては、スクリーン８１５
上に投写される画像の輝度を高めることが可能となる。
０には、前述のように本発明による偏光変換素子３２０
ａ，ｂが用いられているので、偏光照明装置５０に入射
される光源部６０からの光は、高効率で所望の直線偏光
光（本実施例では、ｓ偏光光）に変換されて出射され
る。したがって、このような偏光変換素子３２０ａ，ｂ
を備える投写型表示装置においては、スクリーン８１５
上に投写される画像の輝度を高めることが可能となる。
【００６１】なお、この発明は上記の実施例や実施形態
に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲に
おいて種々の態様において実施することが可能であり、
例えば次のような変形も可能である。
に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲に
おいて種々の態様において実施することが可能であり、
例えば次のような変形も可能である。
【００６２】（１）本実施例においては、偏光分離膜２
０および反射膜３０として、双方とも、本発明による誘
電体多層膜を用いているが、どちらか一方のみに本発明
による誘電体多層膜を用いるようにしてもよい。すなわ
ち、偏光分離膜２０のみを本発明による誘電体多層膜と
してもよいし、反射膜３０のみを本発明による誘電体多
層膜としてもよい。
０および反射膜３０として、双方とも、本発明による誘
電体多層膜を用いているが、どちらか一方のみに本発明
による誘電体多層膜を用いるようにしてもよい。すなわ
ち、偏光分離膜２０のみを本発明による誘電体多層膜と
してもよいし、反射膜３０のみを本発明による誘電体多
層膜としてもよい。
【００６３】（２）本実施例においては、偏光分離膜２
０は、偏光分離素子３３０に備えられており、反射膜３
０と共に用いられているが、偏光分離膜２０は、ｓ偏光
光とｐ偏光光とを分離する偏光分離素子として、独立に
用いてもよい。すなわち、透光性の基板の上に本発明の
偏光分離膜を形成すれば、偏光分離特性のよい偏光分離
素子を得ることができる。
０は、偏光分離素子３３０に備えられており、反射膜３
０と共に用いられているが、偏光分離膜２０は、ｓ偏光
光とｐ偏光光とを分離する偏光分離素子として、独立に
用いてもよい。すなわち、透光性の基板の上に本発明の
偏光分離膜を形成すれば、偏光分離特性のよい偏光分離
素子を得ることができる。
【００６４】（３）本実施例においては、反射膜３０
は、偏光分離素子３３０に備えられており、偏光分離膜
２０と共に用いられているが、反射膜３０は、ｓ偏光光
のミラーとして、独立に用いてもよい。すなわち、透光
性の基板の上に本発明の反射膜を形成すれば、反射特性
のよいミラーを得ることができる。
は、偏光分離素子３３０に備えられており、偏光分離膜
２０と共に用いられているが、反射膜３０は、ｓ偏光光
のミラーとして、独立に用いてもよい。すなわち、透光
性の基板の上に本発明の反射膜を形成すれば、反射特性
のよいミラーを得ることができる。
【００６５】（４）本発明による偏光照明装置は、図９
に示す投写型表示装置に限らず、これ以外の種々の装置
に適用することが可能である。例えば、カラー画像でな
く、白黒画像を投写する投写型表示装置にも本発明によ
る偏光照明装置を適用することができる。この場合に
は、図９の装置において、液晶ライトバルブが１枚で済
み、また、光束を３色に分離する色光分離手段と、３色
の光束を合成する色光合成手段とを省略できる。さら
に、ライトバルブを１つしか用いない投写型カラー表示
装置にも本発明を適用することができる。また、反射型
のライトバルブを用いる投写型表示装置やリア型表示装
置等の偏光照明光を利用する画像表示装置にも適用可能
である。
に示す投写型表示装置に限らず、これ以外の種々の装置
に適用することが可能である。例えば、カラー画像でな
く、白黒画像を投写する投写型表示装置にも本発明によ
る偏光照明装置を適用することができる。この場合に
は、図９の装置において、液晶ライトバルブが１枚で済
み、また、光束を３色に分離する色光分離手段と、３色
の光束を合成する色光合成手段とを省略できる。さら
に、ライトバルブを１つしか用いない投写型カラー表示
装置にも本発明を適用することができる。また、反射型
のライトバルブを用いる投写型表示装置やリア型表示装
置等の偏光照明光を利用する画像表示装置にも適用可能
である。
【図１】この発明による偏光変換素子３２０の一例を示
す説明図。
す説明図。
【図２】偏光分離膜２０の部分を拡大して示す断面図。
【図３】図２の偏光分離膜２０の各層の膜厚を示す説明
図。
図。
【図４】図３の構造を有する偏光分離膜２０の光学特性
のシミュレーション結果を示すグラフ。
のシミュレーション結果を示すグラフ。
【図５】反射膜３０の種々の実施例を示す説明図。
【図６】図５（ｂ）の反射膜を用いた場合のｓ偏光光の
反射特性のシミュレーション結果を示すグラフ。
反射特性のシミュレーション結果を示すグラフ。
【図７】図５（ｃ）の反射膜を用いた場合のｓ偏光光の
反射特性のシミュレーション結果を示すグラフ。
反射特性のシミュレーション結果を示すグラフ。
【図８】イオンアシスト法を用いたイオンアシスト成膜
装置９００を示す説明図。
装置９００を示す説明図。
【図９】図１に示す偏光変換素子を備えた投写型表示装
置８００の要部を示す概略構成図。
置８００の要部を示す概略構成図。
【図１０】図９の偏光照明装置５０の要部を平面的にみ
た概略構成図。
た概略構成図。
【図１１】第１の光学要素２００の斜視図。
１８…光学接着剤 ２０…偏光分離膜 ２２…多層構造部 ２４…被覆層 ３０…反射膜 ５０…偏光照明装置 ６０…光源部 ７０…偏光発生装置 ８０…照明領域 １０１…光源ランプ １０２…放物面リフレクター ２００，４００…光学要素 ２０１…光束分割レンズ ３００…光学素子 ３１０…集光レンズアレイ ３１５…遮光板 ３２０，３２０ａ，３２０ｂ…偏光変換素子 ３２１，３２２…基板 ３３０，３３０ａ，３３０ｂ…偏光分離素子 ３８１…λ／２位相差板 ３９０…出射側レンズ ８００…投写型表示装置 ８０１，８０４…ダイクロイックミラー ８０２，８０７，８０９…反射ミラー ８０３，８０５，８１１…液晶ライトバルブ ８０６，８０８，８１０…リレーレンズ ８１３…クロスダイクロイックプリズム ８１４…投写レンズ ８１５…スクリーン ８５０…導光手段 ９００…イオンアシスト成膜装置 ９１０…Ａｒガス供給口 ９２０…フィラメント ９２２…Ａｒガス排気部 ９３０…プラズマ生成部 ９４０…電子ビーム生成部 ９４２…加速用コイル ９５０…成膜処理部 ９５２…ハース
Claims (15)
- 【請求項１】 入射された光を二種類の偏光光に分離す
るための偏光分離素子であって、 ほぼ１．４８ないし１．５８の屈折率を有する透光性基
板と、 前記透光性基板の上に形成された偏光分離膜と、を備
え、 前記偏光分離膜は、 ＭｇＦ2層とＭｇＯ層とを交互に積層させた多層構造部
を有することを特徴とする偏光分離素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の偏光分離素子であって、 前記偏光分離膜は、さらに、 前記多層構造部の上に、ＳｉＯ2で形成された被覆層を
備える、偏光分離素子。 - 【請求項３】 入射された光を二種類の偏光光に分離す
るための偏光分離素子であって、 ほぼ１．４８ないし１．５８の屈折率を有する透光性基
板と、 前記透光性基板の上に形成された偏光分離膜と、を備
え、 前記偏光分離膜は、 複数の層を積層させた多層構造部と、 前記多層構造部の上に、ＳｉＯ2で形成された被覆層
と、を備えることを特徴とする偏光分離素子。 - 【請求項４】 入射された光を一種類の偏光光に変換す
るための偏光変換素子であって、 入射光を二種類の偏光光に分離するための偏光分離素子
と、 前記二種類の偏光光の一方を他方の偏光光に変換する選
択位相差板と、を備え、 前記偏光分離素子は、 所定の方向に沿って配列された複数の透光性基板と、 前記複数の透光性基板の間に交互に配置された複数の偏
光分離膜と複数の反射膜と、を備え、 前記透光性基板は、ほぼ１．４８ないし１．５８の屈折
率を有し、 前記偏光分離膜は、 ＭｇＦ2層とＭｇＯ層とを交互に積層させた多層構造部
を有することを特徴とする偏光変換素子。 - 【請求項５】 請求項４記載の偏光変換素子であって、 前記偏光分離膜は、さらに、 前記多層構造部の上に、ＳｉＯ2で構成された被覆層を
備える、偏光変換素子。 - 【請求項６】 入射された光を一種類の偏光光に変換す
るための偏光変換素子であって、 入射光を二種類の偏光光に分離するための偏光分離素子
と、 前記二種類の偏光光の一方を他方の偏光光に変換する選
択位相差板と、を備え、 前記偏光分離素子は、 所定の方向に沿って配列された複数の透光性基板と、 前記複数の透光性基板の間に交互に配置された複数の偏
光分離膜と複数の反射膜と、を備え、 前記透光性基板は、ほぼ１．４８ないし１．５８の屈折
率を有し、 前記偏光分離膜は、 複数の層を積層させた多層構造部と、 前記多層構造部の上に、ＳｉＯ2で形成された被覆層
と、を備えることを特徴とする偏光変換素子。 - 【請求項７】 請求項４ないし６のいずれかに記載の偏
光変換素子であって、 前記反射膜は、 前記偏光分離膜と同じ構造を有する、偏光変換素子。 - 【請求項８】 請求項４ないし６のいずれかに記載の偏
光変換素子であって、 前記反射膜は、 前記透光性基板の屈折率に比較して、より小さい屈折率
を有する第１の層と、より大きい屈折率を有する第２の
材質とを交互に積層させた多層構造部を有し、 前記反射膜の前記第１の層はＳｉＯ2で形成されてお
り、前記第２の層はＴａ2Ｏ5またはＴｉＯ2で形成され
ている、偏光変換素子。 - 【請求項９】 請求項８記載の偏光変換素子であって、 前記第２の層は、蒸発させたＴｉＯ2をプラズマ雰囲気
で成膜したＴｉＯ2層である、偏光変換素子。 - 【請求項１０】 光を投写することによって画像を表示
する投写型表示装置であって、 ほぼ一種類の偏光光を生成する偏光照明装置と、 前記偏光照明装置からの出射光を、与えられた画像信号
に基づいて変調する変調手段と、 前記変調手段により変調された光を投写する投写光学手
段と、を備え、 前記偏光照明装置は、 光源部と、 前記光源部から出射された光をほぼ一種類の偏光光に変
換する偏光変換素子と、を備え、 前記偏光変換素子は、 入射光を二種類の偏光光に分離するための偏光分離素子
と、 前記二種類の偏光光の一方を他方の偏光光に変換する選
択位相差板と、を備え、 前記偏光分離素子は、 所定の方向に沿って配列された複数の透光性基板と、 前記複数の透光性基板の間に交互に配置された複数の偏
光分離膜と複数の反射膜と、を備え、 前記透光性基板は、ほぼ１．４８ないし１．５８の屈折
率を有し、 前記偏光分離膜は、 ＭｇＦ2層とＭｇＯ層とを交互に積層させた多層構造部
を有することを特徴とする投写型表示装置。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の投写型表示装置であ
って、 前記偏光分離膜は、さらに、 前記多層構造部の上に、ＳｉＯ2で構成された被覆層を
備える、投写型表示装置。 - 【請求項１２】 光を投写することによって画像を表示
する投写型表示装置であって、 ほぼ一種類の偏光光を生成する偏光照明装置と、 前記偏光照明装置からの出射光を、与えられた画像信号
に基づいて変調する変調手段と、 前記変調手段により変調された光を投写する投写光学手
段と、を備え、 前記偏光照明装置は、 光源部と、 前記光源部から出射された光をほぼ一種類の偏光光に変
換する偏光変換素子と、を備え、 前記偏光変換素子は、 入射光を二種類の偏光光に分離するための偏光分離素子
と、 前記二種類の偏光光の一方を他方の偏光光に変換する選
択位相差板と、を備え、 前記偏光分離素子は、 所定の方向に沿って配列された複数の透光性基板と、 前記複数の透光性基板の間に交互に配置された複数の偏
光分離膜と複数の反射膜と、を備え、 前記透光性基板は、ほぼ１．４８ないし１．５８の屈折
率を有し、 前記偏光分離膜は、 複数の層を積層させた多層構造部と、 前記多層構造部の上に、ＳｉＯ2で形成された被覆層
と、を備えることを特徴とする投写型表示装置。 - 【請求項１３】 請求項１０ないし１２のいずれかに記
載の投写型表示装置であって、 前記反射膜は、 前記偏光分離膜の構造と同じである、投写型表示装置。 - 【請求項１４】 請求項１０ないし１２のいずれかに記
載の投写型表示装置であって、 前記反射膜は、 前記透光性基板の屈折率に比較して、より小さい屈折率
を有する第１の層と、より大きい屈折率を有する第２の
材質とを交互に積層させた多層構造部を有し、 前記反射膜の前記第１の層はＳｉＯ2で形成されてお
り、前記第２の層はＴａ2Ｏ5またはＴｉＯ2で形成され
ている、投写型表示装置。 - 【請求項１５】 請求項１４記載の投写型表示装置であ
って、 前記第２の層は、蒸発させたＴｉＯ2をプラズマ雰囲気
で成膜したＴｉＯ2層である、投写型表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10062168A JPH11242118A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | 偏光分離素子、偏光変換素子および投写型表示装置 |
| US09/253,519 US6250764B1 (en) | 1998-02-25 | 1999-02-19 | Polarization beam splitter, polarization converter, and projector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10062168A JPH11242118A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | 偏光分離素子、偏光変換素子および投写型表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11242118A true JPH11242118A (ja) | 1999-09-07 |
Family
ID=13192338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10062168A Withdrawn JPH11242118A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | 偏光分離素子、偏光変換素子および投写型表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6250764B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11242118A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007171926A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Seiko Epson Corp | 偏光変換装置及びプロジェクタ |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1065559B1 (en) * | 1999-07-01 | 2008-04-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Rear projection display device |
| JP3065081B1 (ja) * | 1999-09-08 | 2000-07-12 | セイコーエプソン株式会社 | 投写型表示装置 |
| FR2847988B1 (fr) * | 2002-12-03 | 2005-02-25 | Essilor Int | Separateur de polarisation, procede pour sa fabrication et lentille ophtalmique presentant des inserts de projection le contenant |
| JP2012226208A (ja) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Canon Inc | 偏光分離素子、及びそれを用いた偏光変換素子及び画像投射装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4380372A (en) * | 1980-08-20 | 1983-04-19 | Kabushiki Kaisha Daini Seikosha | Phase transition mode liquid crystal display device |
| US4536063A (en) * | 1982-12-14 | 1985-08-20 | Rockwell International Corporation | Transmissive phase retarder |
| US4803402A (en) * | 1984-08-22 | 1989-02-07 | United Technologies Corporation | Reflection-enhanced flat panel display |
| JP2703930B2 (ja) * | 1988-06-29 | 1998-01-26 | 日本電気株式会社 | 複屈折回折格子型偏光子 |
| CH685138A5 (de) * | 1993-04-15 | 1995-03-31 | Balzers Hochvakuum | Hochreflektierender Silberspiegel. |
| US5795047A (en) * | 1994-12-09 | 1998-08-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Projection lens and projection display apparatus |
| JP3473335B2 (ja) * | 1996-08-19 | 2003-12-02 | セイコーエプソン株式会社 | 投写型表示装置 |
-
1998
- 1998-02-25 JP JP10062168A patent/JPH11242118A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-02-19 US US09/253,519 patent/US6250764B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007171926A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Seiko Epson Corp | 偏光変換装置及びプロジェクタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6250764B1 (en) | 2001-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3309845B2 (ja) | 偏光分離装置、偏光変換装置及び投写型表示装置 | |
| JPH06138413A (ja) | プレート型偏光分離装置及び該偏光分離装置を用いた偏光照明装置 | |
| JP2001502068A (ja) | 色を分解し再結合する傾斜プリズム | |
| JPH08211207A (ja) | プリズム装置および液晶プロジェクション装置 | |
| WO2000002084A1 (fr) | Projecteur a cristaux liquides | |
| JP6507575B2 (ja) | 光学装置および表示装置 | |
| JPH068985B2 (ja) | 投写型表示装置 | |
| JPH11242118A (ja) | 偏光分離素子、偏光変換素子および投写型表示装置 | |
| JPH11211916A (ja) | 偏光ビームスプリッター | |
| JP2006514319A (ja) | 光学コアおよび光学コアを備える投影システム | |
| WO2005036256A1 (ja) | 照明装置及びプロジェクタ | |
| JP2001021719A (ja) | 偏光分離素子、偏光変換素子および投写型表示装置 | |
| JP4946342B2 (ja) | 偏光変換装置及びプロジェクタ | |
| WO2016051704A1 (ja) | 偏光変換素子及びプロジェクター | |
| JP2001183524A (ja) | 投射型表示装置 | |
| JP2004029168A (ja) | 偏光変換素子、照明装置及びプロジェクタ | |
| JP2009020139A (ja) | 偏光変換素子および液晶プロジェクタ | |
| JP2828451B2 (ja) | 液晶プロジェクタ装置，それに用いる偏光子及びその偏光子を用いる偏光顕微鏡 | |
| JP3797100B2 (ja) | プロジェクタ | |
| JP2000111730A (ja) | 偏光分離素子、偏光変換素子及び投写型表示装置 | |
| JP2005189824A (ja) | 光源装置及び表示装置 | |
| JP3131874B2 (ja) | ダイクロイックプリズムおよびこれを用いた投写型カラー表示装置 | |
| JP2006317965A (ja) | 偏光変換素子及び投写型表示装置 | |
| JP2002071951A (ja) | 偏光分離素子、偏光変換素子及び投写型表示装置 | |
| JP3646525B2 (ja) | 照明光学系、及びこれを用いた投写型表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040812 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040824 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041021 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050906 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20051101 |