JPH11238441A - ハイブリッドリレー装置 - Google Patents
ハイブリッドリレー装置Info
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- JPH11238441A JPH11238441A JP3899498A JP3899498A JPH11238441A JP H11238441 A JPH11238441 A JP H11238441A JP 3899498 A JP3899498 A JP 3899498A JP 3899498 A JP3899498 A JP 3899498A JP H11238441 A JPH11238441 A JP H11238441A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体スイッチ部を保護するとともにアーク
発生を防止して高容量で且つ長寿命化の図れるものにす
る。 【解決手段】 励磁コイル20に流れる励磁電流によって
オン／オフされる接点スイッチ部21を有する接点スイッ
チ機構2 と、ゲート電流によってオン／オフされる半導
体スイッチ部3Qを有する半導体スイッチ機構3 とを備
え、接点スイッチ部は半導体スイッチ部を並列に含んで
接続されており、負荷電源A から負荷L に対して電力供
給をオン／オフするときに、接点スイッチ部にアークが
生じないように半導体スイッチ部をオン／オフ制御する
ようにしたハイブリッドリレー装置1において、半導体
スイッチ部に負特性サーミスタNTC を直列に接続した第
１の回路4 を形成するとともに、第１の回路に接点スイ
ッチ部を並列に接続した第２の回路5 を形成した。
発生を防止して高容量で且つ長寿命化の図れるものにす
る。 【解決手段】 励磁コイル20に流れる励磁電流によって
オン／オフされる接点スイッチ部21を有する接点スイッ
チ機構2 と、ゲート電流によってオン／オフされる半導
体スイッチ部3Qを有する半導体スイッチ機構3 とを備
え、接点スイッチ部は半導体スイッチ部を並列に含んで
接続されており、負荷電源A から負荷L に対して電力供
給をオン／オフするときに、接点スイッチ部にアークが
生じないように半導体スイッチ部をオン／オフ制御する
ようにしたハイブリッドリレー装置1において、半導体
スイッチ部に負特性サーミスタNTC を直列に接続した第
１の回路4 を形成するとともに、第１の回路に接点スイ
ッチ部を並列に接続した第２の回路5 を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接点スイッチ部に
アークが発生しないように、接点スイッチ部に並列に接
続する半導体スイッチ部を予めオン／オフ制御するよう
にした、ハイブリッドリレー装置に関する。
アークが発生しないように、接点スイッチ部に並列に接
続する半導体スイッチ部を予めオン／オフ制御するよう
にした、ハイブリッドリレー装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、接点スイッチ部を備える電磁リレ
ーと無接点スイッチである半導体スイッチとを、それぞ
れの特質を旨く補完し合うように組み合わせてオン／オ
フ性能に優れるリレー装置を目指した、ハイブリッドリ
レー装置なるものが注目されている。
ーと無接点スイッチである半導体スイッチとを、それぞ
れの特質を旨く補完し合うように組み合わせてオン／オ
フ性能に優れるリレー装置を目指した、ハイブリッドリ
レー装置なるものが注目されている。
【０００３】図５はそのような従来のハイブリッドリレ
ー装置を示す回路図であり、図５を用いて従来のハイブ
リッドリレー装置の動作を説明する。図５において１は
ハイブリッドリレー装置であり、ハイブリッドリレー装
置１は、入力端子Ｔ1,Ｔ2 と出力端子Ｔ3,Ｔ4 とを備え
る。ハイブリッドリレー装置１は、内部に、接点スイッ
チ機構に相当する電磁リレー２と、半導体スイッチ機構
３と、抵抗Ｒ1,…Ｒ4と、コンデンサＣ1 とを備える。
ー装置を示す回路図であり、図５を用いて従来のハイブ
リッドリレー装置の動作を説明する。図５において１は
ハイブリッドリレー装置であり、ハイブリッドリレー装
置１は、入力端子Ｔ1,Ｔ2 と出力端子Ｔ3,Ｔ4 とを備え
る。ハイブリッドリレー装置１は、内部に、接点スイッ
チ機構に相当する電磁リレー２と、半導体スイッチ機構
３と、抵抗Ｒ1,…Ｒ4と、コンデンサＣ1 とを備える。
【０００４】電磁リレー２は、励磁コイル２０と、励磁
コイル２０に流れる励磁電流の有無によってオン／オフ
される接点スイッチ部２１とを含んで構成される。半導
体スイッチ機構３は、半導体スイッチ部に相当するトラ
イアック３Ｑと、フォトカプラ３Ｐとを含んで構成され
る。フォトカプラ３Ｐは、発光ダイオード３Ｐ1 とフォ
トトライアック３Ｐ2 とを含んで構成される。また、抵
抗Ｒ1 とコンデンサＣ 1 との直列回路は充放電回路を構
成する。
コイル２０に流れる励磁電流の有無によってオン／オフ
される接点スイッチ部２１とを含んで構成される。半導
体スイッチ機構３は、半導体スイッチ部に相当するトラ
イアック３Ｑと、フォトカプラ３Ｐとを含んで構成され
る。フォトカプラ３Ｐは、発光ダイオード３Ｐ1 とフォ
トトライアック３Ｐ2 とを含んで構成される。また、抵
抗Ｒ1 とコンデンサＣ 1 との直列回路は充放電回路を構
成する。
【０００５】図５に示すハイブリッドリレー装置１にあ
っては、入力端子Ｔ1,Ｔ2 間には、励磁コイル２０と、
抵抗Ｒ1 とコンデンサＣ1 との直列回路と、抵抗Ｒ2 と
発光ダイオード３Ｐ1 との直列回路とが、それぞれ並列
に接続する。出力端子Ｔ3,Ｔ 4 間には、接点スイッチ部
２１と、トライアック３Ｑと抵抗Ｒ4 との直列回路と
が、それぞれ並列に接続する。トライアック３Ｑのゲー
トは、フォトトライアック３Ｐ2 と抵抗Ｒ3 との直列回
路を介して、出力端子Ｔ3 に接続する。また、外部接続
として、入力端子Ｔ1,Ｔ2 間には駆動用電源Ｅと駆動用
スイッチＳとの直列回路が、出力端子Ｔ3,Ｔ4 間には負
荷電源Ａと負荷Ｌとの直列回路が、それぞれ接続する。
っては、入力端子Ｔ1,Ｔ2 間には、励磁コイル２０と、
抵抗Ｒ1 とコンデンサＣ1 との直列回路と、抵抗Ｒ2 と
発光ダイオード３Ｐ1 との直列回路とが、それぞれ並列
に接続する。出力端子Ｔ3,Ｔ 4 間には、接点スイッチ部
２１と、トライアック３Ｑと抵抗Ｒ4 との直列回路と
が、それぞれ並列に接続する。トライアック３Ｑのゲー
トは、フォトトライアック３Ｐ2 と抵抗Ｒ3 との直列回
路を介して、出力端子Ｔ3 に接続する。また、外部接続
として、入力端子Ｔ1,Ｔ2 間には駆動用電源Ｅと駆動用
スイッチＳとの直列回路が、出力端子Ｔ3,Ｔ4 間には負
荷電源Ａと負荷Ｌとの直列回路が、それぞれ接続する。
【０００６】図５に示すハイブリッドリレー装置１にあ
っては、負荷Ｌへの電力供給を開始するために駆動用ス
イッチＳがオンされると、一方では励磁コイル２０が励
磁されて接点スイッチ部２１がオンするとともに、他方
では抵抗Ｒ2 を介して発光ダイオード３Ｐ1 に電流が流
れて発光ダイオード３Ｐ1 が発光してフォトトライアッ
ク３Ｐ2 をオンにし、最終的にトライアック３Ｑをオン
にする。
っては、負荷Ｌへの電力供給を開始するために駆動用ス
イッチＳがオンされると、一方では励磁コイル２０が励
磁されて接点スイッチ部２１がオンするとともに、他方
では抵抗Ｒ2 を介して発光ダイオード３Ｐ1 に電流が流
れて発光ダイオード３Ｐ1 が発光してフォトトライアッ
ク３Ｐ2 をオンにし、最終的にトライアック３Ｑをオン
にする。
【０００７】このとき、半導体スイッチ機構３のフォト
トライアック３Ｐ2 は電気的に動作するが故に、接点ス
イッチ機構に相当する電磁リレー２のオンに比べて、ト
ライアック３Ｑのオンの方が早く実行されて、負荷電源
Ａからトライアック３Ｑを介して負荷Ｌに電力供給され
た後に接点スイッチ部２１がオンされることになり、接
点スイッチ部２１のオン時のアーク発生は防止される。
トライアック３Ｐ2 は電気的に動作するが故に、接点ス
イッチ機構に相当する電磁リレー２のオンに比べて、ト
ライアック３Ｑのオンの方が早く実行されて、負荷電源
Ａからトライアック３Ｑを介して負荷Ｌに電力供給され
た後に接点スイッチ部２１がオンされることになり、接
点スイッチ部２１のオン時のアーク発生は防止される。
【０００８】また、負荷Ｌとして容量性負荷（スイッチ
ング電源を搭載しているインバータ式照明器具やテレビ
ジョン装置など）が接続される場合、負荷電源Ａの投入
時に容量性負荷に電荷を充電するために突入負荷電流が
流れるものの、抵抗Ｒ4 によって突入負荷電流は抑制さ
れて、トライアック３Ｑのチャネル温度が最大定格以下
に抑えられ、トライアック３Ｑは保護される。
ング電源を搭載しているインバータ式照明器具やテレビ
ジョン装置など）が接続される場合、負荷電源Ａの投入
時に容量性負荷に電荷を充電するために突入負荷電流が
流れるものの、抵抗Ｒ4 によって突入負荷電流は抑制さ
れて、トライアック３Ｑのチャネル温度が最大定格以下
に抑えられ、トライアック３Ｑは保護される。
【０００９】これに対し、負荷Ｌへの電力供給を停止す
るために駆動用スイッチＳがオフされるときは、発光ダ
イオード３Ｐ1 の発光動作はコンデンサＣ1 の放電期間
中継続されるので、先ずトライアック３Ｑのオンしてい
る負荷Ｌへの通電状態において接点スイッチ部２１がオ
フし、その後トライアック３Ｑがオフされるので、接点
スイッチ部２１におけるアークの発生が防止できる。
るために駆動用スイッチＳがオフされるときは、発光ダ
イオード３Ｐ1 の発光動作はコンデンサＣ1 の放電期間
中継続されるので、先ずトライアック３Ｑのオンしてい
る負荷Ｌへの通電状態において接点スイッチ部２１がオ
フし、その後トライアック３Ｑがオフされるので、接点
スイッチ部２１におけるアークの発生が防止できる。
【００１０】上述のようにして、接点スイッチ機構に相
当する電磁リレー２の接点スイッチ部２１におけるアー
クの発生を防止することによって、アーク発生による接
点消耗を軽減し、接点寿命の長期化を図るようにしてい
る。また同時に、抵抗Ｒ4 により突入負荷電流を抑制し
て、トライアック３Ｑを保護している。
当する電磁リレー２の接点スイッチ部２１におけるアー
クの発生を防止することによって、アーク発生による接
点消耗を軽減し、接点寿命の長期化を図るようにしてい
る。また同時に、抵抗Ｒ4 により突入負荷電流を抑制し
て、トライアック３Ｑを保護している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来のハイブリッドリレー装置にあっては、駆動
用スイッチＳがオンされると、通常時においては、接点
スイッチ機構に相当する電磁リレー２の接点スイッチ部
２１よりも、半導体スイッチ機構３のトライアック３Ｑ
の方が先にオンになるものの、周囲温度が上昇して発光
ダイオード３Ｐ1に直列に接続する抵抗Ｒ2 の抵抗値が
高くなっていると発光ダイオード３Ｐ1 の発光量が減少
しているので、フォトトライアック３Ｐ2 が所定のタイ
ミングで導通しなくなる。
ような従来のハイブリッドリレー装置にあっては、駆動
用スイッチＳがオンされると、通常時においては、接点
スイッチ機構に相当する電磁リレー２の接点スイッチ部
２１よりも、半導体スイッチ機構３のトライアック３Ｑ
の方が先にオンになるものの、周囲温度が上昇して発光
ダイオード３Ｐ1に直列に接続する抵抗Ｒ2 の抵抗値が
高くなっていると発光ダイオード３Ｐ1 の発光量が減少
しているので、フォトトライアック３Ｐ2 が所定のタイ
ミングで導通しなくなる。
【００１２】そして、その結果として、トライアック３
Ｑのオンと接点スイッチ部２１のオンとのタイミング差
が縮まったり、オンの順序が逆転してしまったりして、
接点スイッチ部２１にアークが生じることになり、アー
クを防止して長寿命化を図るという本来的なハイブリッ
ドリレー装置の機能が損なわれる。
Ｑのオンと接点スイッチ部２１のオンとのタイミング差
が縮まったり、オンの順序が逆転してしまったりして、
接点スイッチ部２１にアークが生じることになり、アー
クを防止して長寿命化を図るという本来的なハイブリッ
ドリレー装置の機能が損なわれる。
【００１３】また、駆動用スイッチＳをオフする場合に
おいても、周囲温度が上昇して発光ダイオード３Ｐ1 に
直列に接続する抵抗Ｒ2 の抵抗値が高くなると、前述し
た駆動用スイッチＳをオンする場合と同様、発光ダイオ
ード３Ｐ1 の発光量が減少してフォトカプラ３Ｐの動作
タイミングが不確実になり、接点スイッチ部２１にアー
クが生じ、本来的なハイブリッドリレー装置の機能が損
なわれる。
おいても、周囲温度が上昇して発光ダイオード３Ｐ1 に
直列に接続する抵抗Ｒ2 の抵抗値が高くなると、前述し
た駆動用スイッチＳをオンする場合と同様、発光ダイオ
ード３Ｐ1 の発光量が減少してフォトカプラ３Ｐの動作
タイミングが不確実になり、接点スイッチ部２１にアー
クが生じ、本来的なハイブリッドリレー装置の機能が損
なわれる。
【００１４】また、フォトカプラ３Ｐの破壊により、発
光ダイオード３Ｐ1 が発光しなくなったり、フォトトラ
イアック３Ｐ2 が導通しなくなったりした場合、トライ
アック３Ｑがオンにならずに、接点スイッチ部２１にア
ークが生じ、本来的なハイブリッドリレー装置の機能が
損なわれる。また、負荷２が容量性負荷などであって、
負荷電源Ａの投入時に電荷を充電するために大きな突入
負荷電流がトライアック３Ｑを介して流れる場合、接点
スイッチ部２１の接点間電圧は抵抗Ｒ4 の電圧降下によ
ってアーク発生電圧以上になり、このときに接点スイッ
チ部２１のオンが行われると、接点スイッチ部２１にア
ークが生じ、本来的なハイブリッドリレー装置の機能が
損なわれるという問題点があった。
光ダイオード３Ｐ1 が発光しなくなったり、フォトトラ
イアック３Ｐ2 が導通しなくなったりした場合、トライ
アック３Ｑがオンにならずに、接点スイッチ部２１にア
ークが生じ、本来的なハイブリッドリレー装置の機能が
損なわれる。また、負荷２が容量性負荷などであって、
負荷電源Ａの投入時に電荷を充電するために大きな突入
負荷電流がトライアック３Ｑを介して流れる場合、接点
スイッチ部２１の接点間電圧は抵抗Ｒ4 の電圧降下によ
ってアーク発生電圧以上になり、このときに接点スイッ
チ部２１のオンが行われると、接点スイッチ部２１にア
ークが生じ、本来的なハイブリッドリレー装置の機能が
損なわれるという問題点があった。
【００１５】本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたもので、その目的とするところは、負荷電源投入
時における突入負荷電流を抑制して半導体スイッチ部を
保護するとともに、接点スイッチ部と半導体スイッチ部
とのオンあるいはオフの実行順序を確実に守らせてオン
あるいはオフのタイミング差を充分に確保し、接点スイ
ッチ部におけるアーク発生を防止せしめ、高容量で且つ
長寿命化の図れる、優れるハイブリッドリレー装置を提
供することにある。
されたもので、その目的とするところは、負荷電源投入
時における突入負荷電流を抑制して半導体スイッチ部を
保護するとともに、接点スイッチ部と半導体スイッチ部
とのオンあるいはオフの実行順序を確実に守らせてオン
あるいはオフのタイミング差を充分に確保し、接点スイ
ッチ部におけるアーク発生を防止せしめ、高容量で且つ
長寿命化の図れる、優れるハイブリッドリレー装置を提
供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の問題点を
解決するため、請求項１記載の発明にあっては、励磁コ
イルに流れる励磁電流によってオン／オフされる接点ス
イッチ部を有する接点スイッチ機構と、ゲート電流によ
ってオン／オフされる半導体スイッチ部を有する半導体
スイッチ機構とを備え、前記接点スイッチ部は前記半導
体スイッチ部を並列に含んで接続されており、負荷電源
から負荷に対して電力供給をオン／オフするときに、前
記接点スイッチ部にアークが生じないように前記半導体
スイッチ部をオン／オフ制御するようにしたハイブリッ
ドリレー装置において、前記半導体スイッチ部に負特性
サーミスタを直列に接続した第１の回路を形成するとと
もに、該第１の回路に前記接点スイッチ部を並列に接続
した第２の回路を形成したことを特徴とする。
解決するため、請求項１記載の発明にあっては、励磁コ
イルに流れる励磁電流によってオン／オフされる接点ス
イッチ部を有する接点スイッチ機構と、ゲート電流によ
ってオン／オフされる半導体スイッチ部を有する半導体
スイッチ機構とを備え、前記接点スイッチ部は前記半導
体スイッチ部を並列に含んで接続されており、負荷電源
から負荷に対して電力供給をオン／オフするときに、前
記接点スイッチ部にアークが生じないように前記半導体
スイッチ部をオン／オフ制御するようにしたハイブリッ
ドリレー装置において、前記半導体スイッチ部に負特性
サーミスタを直列に接続した第１の回路を形成するとと
もに、該第１の回路に前記接点スイッチ部を並列に接続
した第２の回路を形成したことを特徴とする。
【００１７】請求項２記載の発明にあっては、前記第１
の回路に直列に正特性サーミスタを設けたことを特徴と
する。
の回路に直列に正特性サーミスタを設けたことを特徴と
する。
【００１８】請求項３記載の発明にあっては、前記励磁
コイルに直列に接続する励磁スイッチ部と、前記半導体
スイッチ部をオンせしめるゲート電流が通過していると
きには前記励磁スイッチ部をオンせしめる励磁ゲート部
とを具備する、励磁用カプラを設けたことを特徴とす
る。
コイルに直列に接続する励磁スイッチ部と、前記半導体
スイッチ部をオンせしめるゲート電流が通過していると
きには前記励磁スイッチ部をオンせしめる励磁ゲート部
とを具備する、励磁用カプラを設けたことを特徴とす
る。
【００１９】請求項４記載の発明にあっては、励磁コイ
ルに流れる励磁電流によってオン／オフされる複数の接
点スイッチ部を有する接点スイッチ機構と、ゲート電流
によってオン／オフされる半導体スイッチ部を有する半
導体スイッチ機構とを備え、第１の接点スイッチ部は前
記半導体スイッチ部を並列に含んで接続されており、第
２の接点スイッチ部は前記半導体スイッチ部のゲートと
直列に接続されており、第３の接点スイッチ部はオフし
たときリーク電流なしに負荷を遮断できるように接続さ
れており、負荷電源から負荷に対して電力供給をオン／
オフするときに、前記接点スイッチ部にアークが生じな
いように前記半導体スイッチ部をオン／オフ制御するよ
うにしたハイブリッドリレー装置であって、前記半導体
スイッチ部に負特性サーミスタを直列に接続した第１の
回路と、第１の回路に前記第１の接点スイッチ部を並列
に接続した第２の回路とを形成するとともに、前記励磁
電流をオンしたときの各接点スイッチ部のオン動作遅延
時間を、第１の接点スイッチ部、第２の接点スイッチ
部、第３の接点スイッチ部の順に短くし、前記励磁電流
をオフしたときの各接点スイッチ部のオフ動作遅延時間
を、第１の接点スイッチ部、第２の接点スイッチ部、第
３の接点スイッチ部の順に長くしたことを特徴とする。
ルに流れる励磁電流によってオン／オフされる複数の接
点スイッチ部を有する接点スイッチ機構と、ゲート電流
によってオン／オフされる半導体スイッチ部を有する半
導体スイッチ機構とを備え、第１の接点スイッチ部は前
記半導体スイッチ部を並列に含んで接続されており、第
２の接点スイッチ部は前記半導体スイッチ部のゲートと
直列に接続されており、第３の接点スイッチ部はオフし
たときリーク電流なしに負荷を遮断できるように接続さ
れており、負荷電源から負荷に対して電力供給をオン／
オフするときに、前記接点スイッチ部にアークが生じな
いように前記半導体スイッチ部をオン／オフ制御するよ
うにしたハイブリッドリレー装置であって、前記半導体
スイッチ部に負特性サーミスタを直列に接続した第１の
回路と、第１の回路に前記第１の接点スイッチ部を並列
に接続した第２の回路とを形成するとともに、前記励磁
電流をオンしたときの各接点スイッチ部のオン動作遅延
時間を、第１の接点スイッチ部、第２の接点スイッチ
部、第３の接点スイッチ部の順に短くし、前記励磁電流
をオフしたときの各接点スイッチ部のオフ動作遅延時間
を、第１の接点スイッチ部、第２の接点スイッチ部、第
３の接点スイッチ部の順に長くしたことを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る第１の実施の
形態のハイブリッドリレー装置を図１に基づいて、第２
の実施の形態のハイブリッドリレー装置を図２に基づい
て、第３の実施の形態のハイブリッドリレー装置を図３
に基づいて、第４の実施の形態のハイブリッドリレー装
置を図４に基づいて、それぞれ詳細に説明する。
形態のハイブリッドリレー装置を図１に基づいて、第２
の実施の形態のハイブリッドリレー装置を図２に基づい
て、第３の実施の形態のハイブリッドリレー装置を図３
に基づいて、第４の実施の形態のハイブリッドリレー装
置を図４に基づいて、それぞれ詳細に説明する。
【００２１】〔第１の実施の形態〕図１はハイブリッド
リレー装置を示す回路図である。なお、従来の技術で図
５を用いて説明した従来のハイブリッドリレー装置と同
等の箇所には同じ符号を付してある。
リレー装置を示す回路図である。なお、従来の技術で図
５を用いて説明した従来のハイブリッドリレー装置と同
等の箇所には同じ符号を付してある。
【００２２】図１に示すように、ハイブリッドリレー装
置１は、入力端子Ｔ1,Ｔ2 と出力端子Ｔ3,Ｔ4 とを備え
る。ハイブリッドリレー装置１は、内部に、接点スイッ
チ機構に相当する電磁リレー２と、半導体スイッチ機構
３と、抵抗Ｒ1,…Ｒ3 と、コンデンサＣ1 と、負特性サ
ーミスタＮＴＣとを備える。負特性サーミスタＮＴＣ
は、通常の正特性サーミスタＰＴＣが温度上昇にともな
って抵抗値が上昇するのに対し、温度上昇にともなって
抵抗値が低下する特性を示す。
置１は、入力端子Ｔ1,Ｔ2 と出力端子Ｔ3,Ｔ4 とを備え
る。ハイブリッドリレー装置１は、内部に、接点スイッ
チ機構に相当する電磁リレー２と、半導体スイッチ機構
３と、抵抗Ｒ1,…Ｒ3 と、コンデンサＣ1 と、負特性サ
ーミスタＮＴＣとを備える。負特性サーミスタＮＴＣ
は、通常の正特性サーミスタＰＴＣが温度上昇にともな
って抵抗値が上昇するのに対し、温度上昇にともなって
抵抗値が低下する特性を示す。
【００２３】電磁リレー２は、励磁コイル２０と、励磁
コイル２０に流れる励磁電流の有無によってオン／オフ
される接点スイッチ部２１とを含んで構成される。半導
体スイッチ機構３は、半導体スイッチ部に相当するトラ
イアック３Ｑと、フォトカプラ３Ｐとを含んで構成され
る。フォトカプラ３Ｐは、発光ダイオード３Ｐ1 とフォ
トトライアック３Ｐ2 とを含んで構成される。抵抗Ｒ1
とコンデンサＣ1 との直列回路は充放電回路を構成す
る。
コイル２０に流れる励磁電流の有無によってオン／オフ
される接点スイッチ部２１とを含んで構成される。半導
体スイッチ機構３は、半導体スイッチ部に相当するトラ
イアック３Ｑと、フォトカプラ３Ｐとを含んで構成され
る。フォトカプラ３Ｐは、発光ダイオード３Ｐ1 とフォ
トトライアック３Ｐ2 とを含んで構成される。抵抗Ｒ1
とコンデンサＣ1 との直列回路は充放電回路を構成す
る。
【００２４】図１に示すハイブリッドリレー装置１にあ
っては、入力端子Ｔ1,Ｔ2 間には、励磁コイル２０と、
抵抗Ｒ1 とコンデンサＣ1 との直列回路と、抵抗Ｒ2 と
発光ダイオード３Ｐ1 との直列回路とが、それぞれ並列
に接続する。出力端子Ｔ3,Ｔ 4 間には、トライアック３
Ｑと負特性サーミスタＮＴＣとの直列回路４に接点スイ
ッチ部２１が並列に接続する並列回路５が接続する。ト
ライアック３Ｑのゲートは、フォトトライアック３Ｐ2
と抵抗Ｒ3 との直列回路を介して、出力端子Ｔ 3 に接続
する。また、外部接続として、入力端子Ｔ1,Ｔ2 間には
駆動用電源Ｅと駆動用スイッチＳとの直列回路が、出力
端子Ｔ3,Ｔ4 間には負荷電源Ａと負荷Ｌとの直列回路
が、それぞれ接続する。
っては、入力端子Ｔ1,Ｔ2 間には、励磁コイル２０と、
抵抗Ｒ1 とコンデンサＣ1 との直列回路と、抵抗Ｒ2 と
発光ダイオード３Ｐ1 との直列回路とが、それぞれ並列
に接続する。出力端子Ｔ3,Ｔ 4 間には、トライアック３
Ｑと負特性サーミスタＮＴＣとの直列回路４に接点スイ
ッチ部２１が並列に接続する並列回路５が接続する。ト
ライアック３Ｑのゲートは、フォトトライアック３Ｐ2
と抵抗Ｒ3 との直列回路を介して、出力端子Ｔ 3 に接続
する。また、外部接続として、入力端子Ｔ1,Ｔ2 間には
駆動用電源Ｅと駆動用スイッチＳとの直列回路が、出力
端子Ｔ3,Ｔ4 間には負荷電源Ａと負荷Ｌとの直列回路
が、それぞれ接続する。
【００２５】上述のように構成されるハイブリッドリレ
ー装置１は次のように動作する。すなわち、負荷Ｌへの
電力供給を開始するために駆動用スイッチＳがオンされ
ると、一方では、励磁コイル２０が励磁されて接点スイ
ッチ部２１がオンするとともに、他方では、抵抗Ｒ2 を
介して発光ダイオード３Ｐ1 に電流が流れて発光ダイオ
ード３Ｐ1 が発光してフォトトライアック３Ｐ2 をオン
にし、最終的にトライアック３Ｑをオンにする。
ー装置１は次のように動作する。すなわち、負荷Ｌへの
電力供給を開始するために駆動用スイッチＳがオンされ
ると、一方では、励磁コイル２０が励磁されて接点スイ
ッチ部２１がオンするとともに、他方では、抵抗Ｒ2 を
介して発光ダイオード３Ｐ1 に電流が流れて発光ダイオ
ード３Ｐ1 が発光してフォトトライアック３Ｐ2 をオン
にし、最終的にトライアック３Ｑをオンにする。
【００２６】このとき、半導体スイッチ機構３のフォト
トライアック３Ｐ2 は電気的に動作するが故に、接点ス
イッチ機構に相当する電磁リレー２のオンに比べて、ト
ライアック３Ｑのオンの方が早く実行されて、負荷電源
Ａからトライアック３Ｑを介して負荷Ｌに電力供給され
た後に接点スイッチ部２１がオンされることになり、接
点スイッチ部２１のオン時のアーク発生は防止される。
トライアック３Ｐ2 は電気的に動作するが故に、接点ス
イッチ機構に相当する電磁リレー２のオンに比べて、ト
ライアック３Ｑのオンの方が早く実行されて、負荷電源
Ａからトライアック３Ｑを介して負荷Ｌに電力供給され
た後に接点スイッチ部２１がオンされることになり、接
点スイッチ部２１のオン時のアーク発生は防止される。
【００２７】しかも、負荷Ｌとして容量性負荷（スイッ
チング電源を搭載しているインバータ式照明器具やテレ
ビジョン装置など）が接続されている場合、負荷電源Ａ
の投入時にコンデンサ負荷に電荷を充電するために突入
負荷電流が流れようとするものの、負荷電源Ａの投入直
後にあっては負特性サーミスタＮＴＣは通電電流による
ジュール熱の影響を殆ど受けておらずに冷えており高抵
抗値になっていて、突入負荷電流は抑制されて、トライ
アック３Ｑのチャネル温度が最大定格以下に抑えられ、
トライアック３Ｑは保護される。
チング電源を搭載しているインバータ式照明器具やテレ
ビジョン装置など）が接続されている場合、負荷電源Ａ
の投入時にコンデンサ負荷に電荷を充電するために突入
負荷電流が流れようとするものの、負荷電源Ａの投入直
後にあっては負特性サーミスタＮＴＣは通電電流による
ジュール熱の影響を殆ど受けておらずに冷えており高抵
抗値になっていて、突入負荷電流は抑制されて、トライ
アック３Ｑのチャネル温度が最大定格以下に抑えられ、
トライアック３Ｑは保護される。
【００２８】その後、負特性サーミスタＮＴＣは、負荷
Ｌに対する負荷電流によるジュール熱の影響によって発
熱し低抵抗値になって、接点スイッチ部２１の接点間電
圧を低下せしめる。そして、接点間電圧がアーク発生電
圧以下に低下した時点で、接点スイッチ部２１がオンさ
れる。従って、接点スイッチ部２１は、アーク発生を生
じることなくオンして、トライアック３Ｑと負特性サー
ミスタＮＴＣとの直列回路４の両端を短絡し、直前まで
負荷Ｌに対する負荷電流を通電していたトライアック３
Ｑに代わって通電を開始する。つまり、接点スイッチ部
２１は、アーク発生なしに負荷Ｌに対する通電を開始で
き、接点スイッチ部２１が負荷電流を流している期間、
負特性サーミスタＮＴＣには殆ど負荷電流は流れること
はなく、負特性サーミスタＮＴＣの抵抗による無駄な電
力損失をなくすことができる。
Ｌに対する負荷電流によるジュール熱の影響によって発
熱し低抵抗値になって、接点スイッチ部２１の接点間電
圧を低下せしめる。そして、接点間電圧がアーク発生電
圧以下に低下した時点で、接点スイッチ部２１がオンさ
れる。従って、接点スイッチ部２１は、アーク発生を生
じることなくオンして、トライアック３Ｑと負特性サー
ミスタＮＴＣとの直列回路４の両端を短絡し、直前まで
負荷Ｌに対する負荷電流を通電していたトライアック３
Ｑに代わって通電を開始する。つまり、接点スイッチ部
２１は、アーク発生なしに負荷Ｌに対する通電を開始で
き、接点スイッチ部２１が負荷電流を流している期間、
負特性サーミスタＮＴＣには殆ど負荷電流は流れること
はなく、負特性サーミスタＮＴＣの抵抗による無駄な電
力損失をなくすことができる。
【００２９】これに対し、負荷Ｌへの電力供給を停止す
るために駆動用スイッチＳがオフされると、発光ダイオ
ード３Ｐ1 の発光動作はコンデンサＣ1 の放電期間中継
続されるので、トライアック３Ｑのオンしている負荷Ｌ
への通電状態において先ず接点スイッチ部２１がオフ
し、直前までスイッチ部２１が負荷Ｌに対して通電して
いた負荷電流をトライアック３Ｑに移し、移し終えた後
にコンデンサＣ1 の放電が終了して発光ダイオード３Ｐ
1 の発光動作は停止し、フォトトライアック３Ｐ 2 がオ
フされてトライアック３Ｑはオフとなる。つまり、この
場合は、接点スイッチ部２１におけるアーク発生なしに
負荷Ｌに対する通電を停止できる。
るために駆動用スイッチＳがオフされると、発光ダイオ
ード３Ｐ1 の発光動作はコンデンサＣ1 の放電期間中継
続されるので、トライアック３Ｑのオンしている負荷Ｌ
への通電状態において先ず接点スイッチ部２１がオフ
し、直前までスイッチ部２１が負荷Ｌに対して通電して
いた負荷電流をトライアック３Ｑに移し、移し終えた後
にコンデンサＣ1 の放電が終了して発光ダイオード３Ｐ
1 の発光動作は停止し、フォトトライアック３Ｐ 2 がオ
フされてトライアック３Ｑはオフとなる。つまり、この
場合は、接点スイッチ部２１におけるアーク発生なしに
負荷Ｌに対する通電を停止できる。
【００３０】従って上述したように図１に示すハイブリ
ッドリレー装置１にあっては、駆動用スイッチＳをオン
／オフすることによって、負荷Ｌに対する負荷電源Ａか
らの電力供給をオン／オフしてもアーク発生はなく、本
来機能が発揮でき、接点スイッチ部２１の長寿命化を図
れるとともに、負特性サーミスタＮＴＣの有する抵抗に
よる無駄な電力損失をなくすことができる。
ッドリレー装置１にあっては、駆動用スイッチＳをオン
／オフすることによって、負荷Ｌに対する負荷電源Ａか
らの電力供給をオン／オフしてもアーク発生はなく、本
来機能が発揮でき、接点スイッチ部２１の長寿命化を図
れるとともに、負特性サーミスタＮＴＣの有する抵抗に
よる無駄な電力損失をなくすことができる。
【００３１】〔第２の実施の形態〕図２はハイブリッド
リレー装置を示す回路図である。なお、前述した第１の
実施の形態のハイブリッドリレー装置と同等の箇所には
同じ符号を付し、同等の箇所の詳細な説明を省略する。
リレー装置を示す回路図である。なお、前述した第１の
実施の形態のハイブリッドリレー装置と同等の箇所には
同じ符号を付し、同等の箇所の詳細な説明を省略する。
【００３２】図２に示すように、このハイブリッドリレ
ー装置１が前述した第１の実施の形態のハイブリッドリ
レー装置と異なり特徴となるのは、負特性サーミスタＮ
ＴＣが直列接続されているトライアック３Ｑに、更に正
特性サーミスタＰＴＣを直列に接続した構成である。正
特性サーミスタＰＴＣは、温度上昇にともなって抵抗値
が上昇する特性を示す。正特性サーミスタＰＴＣは、ト
ライアック３Ｑと負特性サーミスタＮＴＣとの直列回路
４に接点スイッチ部２１を並列接続した並列回路５に対
して直列に接続されており、一端は出力端子Ｔ3 に接続
し、他端は出力端子Ｔ4 に接続する。
ー装置１が前述した第１の実施の形態のハイブリッドリ
レー装置と異なり特徴となるのは、負特性サーミスタＮ
ＴＣが直列接続されているトライアック３Ｑに、更に正
特性サーミスタＰＴＣを直列に接続した構成である。正
特性サーミスタＰＴＣは、温度上昇にともなって抵抗値
が上昇する特性を示す。正特性サーミスタＰＴＣは、ト
ライアック３Ｑと負特性サーミスタＮＴＣとの直列回路
４に接点スイッチ部２１を並列接続した並列回路５に対
して直列に接続されており、一端は出力端子Ｔ3 に接続
し、他端は出力端子Ｔ4 に接続する。
【００３３】次に、上述のように構成されるハイブリッ
ドリレー装置１の動作を説明する。このハイブリッドリ
レー装置１にあっては、駆動用スイッチＳがオン／オフ
されたときの動作順序は、第１の実施の形態のハイブリ
ッドリレー装置の動作順序と同じである。このハイブリ
ッドリレー装置１が第１の実施の形態のものと異なり特
徴となる動作は次の動作である。
ドリレー装置１の動作を説明する。このハイブリッドリ
レー装置１にあっては、駆動用スイッチＳがオン／オフ
されたときの動作順序は、第１の実施の形態のハイブリ
ッドリレー装置の動作順序と同じである。このハイブリ
ッドリレー装置１が第１の実施の形態のものと異なり特
徴となる動作は次の動作である。
【００３４】すなわち、駆動用スイッチＳがオンされる
と、先ずトライアック３Ｑがオンして負荷電源Ａから負
荷Ｌに対して負荷電流を通電した後にスイッチ部２１が
オンするのであるが、負荷Ｌに対する負荷電源Ａの投入
時に、突入負荷電流が比較的長く続く場合、最初は高抵
抗値である負特性サーミスタＮＴＣが突入負荷電流を抑
制するものの時間が経過すると、通電による発熱によっ
て低抵抗値になって電流抑制機能を発揮しなくなる。し
かしながら、正特性サーミスタＰＴＣは、負特性サーミ
スタＮＴＣとは逆に通電による発熱によって高抵抗値に
変化して、突入負荷電流を抑制する。従って、トライア
ック３Ｑは、長引く突入負荷電流による破壊から保護さ
れる。
と、先ずトライアック３Ｑがオンして負荷電源Ａから負
荷Ｌに対して負荷電流を通電した後にスイッチ部２１が
オンするのであるが、負荷Ｌに対する負荷電源Ａの投入
時に、突入負荷電流が比較的長く続く場合、最初は高抵
抗値である負特性サーミスタＮＴＣが突入負荷電流を抑
制するものの時間が経過すると、通電による発熱によっ
て低抵抗値になって電流抑制機能を発揮しなくなる。し
かしながら、正特性サーミスタＰＴＣは、負特性サーミ
スタＮＴＣとは逆に通電による発熱によって高抵抗値に
変化して、突入負荷電流を抑制する。従って、トライア
ック３Ｑは、長引く突入負荷電流による破壊から保護さ
れる。
【００３５】〔第３の実施の形態〕図３はハイブリッド
リレー装置を示す回路図である。なお、前述した第１の
実施の形態のハイブリッドリレー装置と同等の箇所には
同じ符号を付し、同等の箇所の詳細な説明を省略する。
リレー装置を示す回路図である。なお、前述した第１の
実施の形態のハイブリッドリレー装置と同等の箇所には
同じ符号を付し、同等の箇所の詳細な説明を省略する。
【００３６】図３に示すように、このハイブリッドリレ
ー装置１が前述した第１の実施の形態のハイブリッドリ
レー装置と異なり特徴となるのは、励磁用カプラに相当
するフォトカプラ６を設けた構成である。フォトカプラ
６は、励磁スイッチ部に相当するフォトサイリスタ６１
と、励磁ゲート部に相当する発光ダイオード６２とを備
えて構成される。フォトサイリスタ６１は電磁リレー２
の励磁コイル２０に直列接続される。発光ダイオード６
２はフォトトライアック３Ｐ2 と直列接続される。すな
わち、トライアック３Ｑのゲートは、発光ダイオード６
２とフォトトライアック３Ｐ2 と抵抗Ｒ3 との直列回路
を介して出力端子Ｔ3 に接続する。
ー装置１が前述した第１の実施の形態のハイブリッドリ
レー装置と異なり特徴となるのは、励磁用カプラに相当
するフォトカプラ６を設けた構成である。フォトカプラ
６は、励磁スイッチ部に相当するフォトサイリスタ６１
と、励磁ゲート部に相当する発光ダイオード６２とを備
えて構成される。フォトサイリスタ６１は電磁リレー２
の励磁コイル２０に直列接続される。発光ダイオード６
２はフォトトライアック３Ｐ2 と直列接続される。すな
わち、トライアック３Ｑのゲートは、発光ダイオード６
２とフォトトライアック３Ｐ2 と抵抗Ｒ3 との直列回路
を介して出力端子Ｔ3 に接続する。
【００３７】上述のように構成されるハイブリッドリレ
ー装置１は次のように動作する。すなわち、駆動用スイ
ッチＳがオンされると、半導体スイッチ機構３を構成す
る発光ダイオード３Ｐ1 に抵抗Ｒ2 を介して電流が流れ
て発光ダイオード３Ｐ1 が発光してフォトトライアック
３Ｐ2 をオンにする。フォトトライアック３Ｐ2 がオン
すると、抵抗Ｒ3 とフォトトライアック３Ｐ2 と発光ダ
イオード６２との直列回路を介してトライアック３Ｑの
ゲートにゲート電流が流れ、トライアック３Ｑがオン
し、突入負荷電流がトライアック３Ｑと負特性サーミス
タＮＴＣとの直列回路４を流れるとともに、発光ダイオ
ード６２が発光してフォトサイリスタ６１がオンなり、
励磁コイル２０に励磁電流が流れて接点スイッチ部２１
がオンし、直前にオンしたトライアック３Ｑと突入負荷
電流によって低抵抗値になった負特性サーミスタＮＴＣ
との直列回路４の両端が、接点スイッチ部２１によって
短絡され、今まで直列回路４を流れていた負荷電流はア
ークを発生することなく接点スイッチ部２１を通って流
れるようになる。
ー装置１は次のように動作する。すなわち、駆動用スイ
ッチＳがオンされると、半導体スイッチ機構３を構成す
る発光ダイオード３Ｐ1 に抵抗Ｒ2 を介して電流が流れ
て発光ダイオード３Ｐ1 が発光してフォトトライアック
３Ｐ2 をオンにする。フォトトライアック３Ｐ2 がオン
すると、抵抗Ｒ3 とフォトトライアック３Ｐ2 と発光ダ
イオード６２との直列回路を介してトライアック３Ｑの
ゲートにゲート電流が流れ、トライアック３Ｑがオン
し、突入負荷電流がトライアック３Ｑと負特性サーミス
タＮＴＣとの直列回路４を流れるとともに、発光ダイオ
ード６２が発光してフォトサイリスタ６１がオンなり、
励磁コイル２０に励磁電流が流れて接点スイッチ部２１
がオンし、直前にオンしたトライアック３Ｑと突入負荷
電流によって低抵抗値になった負特性サーミスタＮＴＣ
との直列回路４の両端が、接点スイッチ部２１によって
短絡され、今まで直列回路４を流れていた負荷電流はア
ークを発生することなく接点スイッチ部２１を通って流
れるようになる。
【００３８】上述の動作説明から明らかなように、上記
のように構成されるハイブリッドリレー装置１にあって
は、フォトカプラ６を構成するフォトサイリスタ６１と
発光ダイオード６２との作用によって、トライアック３
Ｑと接点スイッチ部２１とのオン順序が確実に守られる
とともに、負特性サーミスタＮＴＣにより突入負荷電流
を抑制できる。
のように構成されるハイブリッドリレー装置１にあって
は、フォトカプラ６を構成するフォトサイリスタ６１と
発光ダイオード６２との作用によって、トライアック３
Ｑと接点スイッチ部２１とのオン順序が確実に守られる
とともに、負特性サーミスタＮＴＣにより突入負荷電流
を抑制できる。
【００３９】従って、例えば周囲温度の上昇などで抵抗
Ｒ2 の抵抗値が高くなって発光ダイオード３Ｐ1 の発光
量が減少したり不安定になったりしても、トライアック
３Ｑと接点スイッチ部２１とのオン順序は決して逆転す
ることはなく、接点スイッチ部２１におけるアーク発生
を確実に防止できるとともに、トライアック３Ｑを突入
負荷電流による破壊から保護できる。
Ｒ2 の抵抗値が高くなって発光ダイオード３Ｐ1 の発光
量が減少したり不安定になったりしても、トライアック
３Ｑと接点スイッチ部２１とのオン順序は決して逆転す
ることはなく、接点スイッチ部２１におけるアーク発生
を確実に防止できるとともに、トライアック３Ｑを突入
負荷電流による破壊から保護できる。
【００４０】なお、上記の実施の形態のハイブリッドリ
レー装置１にあっては、励磁用カプラとしてフォトカプ
ラを例示したが、電磁リレーなどであっても良く、この
場合、励磁スイッチ部は電磁リレーの接点になり、励磁
ゲートは電磁リレーの励磁コイルになる。
レー装置１にあっては、励磁用カプラとしてフォトカプ
ラを例示したが、電磁リレーなどであっても良く、この
場合、励磁スイッチ部は電磁リレーの接点になり、励磁
ゲートは電磁リレーの励磁コイルになる。
【００４１】〔第４の実施の形態〕図４はハイブリッド
リレー装置を示す回路図である。なお、前述した第１の
実施の形態のハイブリッドリレー装置と同等の箇所には
同じ符号を付し、同等の箇所の詳細な説明を省略する。
リレー装置を示す回路図である。なお、前述した第１の
実施の形態のハイブリッドリレー装置と同等の箇所には
同じ符号を付し、同等の箇所の詳細な説明を省略する。
【００４２】図４に示すように、ハイブリッドリレー装
置１は、入力端子Ｔ1,Ｔ2 と出力端子Ｔ3,Ｔ4 とを備え
る。ハイブリッドリレー装置１は、内部に、接点スイッ
チ機構に相当する電磁リレー２と、半導体スイッチ機構
に相当するトライアック３Ｑと、抵抗Ｒ3 と、負特性サ
ーミスタＮＴＣとを備える。
置１は、入力端子Ｔ1,Ｔ2 と出力端子Ｔ3,Ｔ4 とを備え
る。ハイブリッドリレー装置１は、内部に、接点スイッ
チ機構に相当する電磁リレー２と、半導体スイッチ機構
に相当するトライアック３Ｑと、抵抗Ｒ3 と、負特性サ
ーミスタＮＴＣとを備える。
【００４３】電磁リレー２は、励磁コイル２０と、励磁
コイル２０に流れる励磁電流の有無によってオン／オフ
される、第１の接点スイッチ部２１と、第２の接点スイ
ッチ部２２と、第３の接点スイッチ部２３とを含んで構
成される。電磁リレー２は、励磁コイル２０に流れる励
磁電流をオンした場合、第３の接点スイッチ部２３、第
２の接点スイッチ部２２、第１の接点スイッチ部２１の
順序でオンされ、励磁コイル２０に流れる励磁電流をオ
フした場合、第１の接点スイッチ部２１、第２の接点ス
イッチ部２２、第３の接点スイッチ部２３の順序でオフ
される。
コイル２０に流れる励磁電流の有無によってオン／オフ
される、第１の接点スイッチ部２１と、第２の接点スイ
ッチ部２２と、第３の接点スイッチ部２３とを含んで構
成される。電磁リレー２は、励磁コイル２０に流れる励
磁電流をオンした場合、第３の接点スイッチ部２３、第
２の接点スイッチ部２２、第１の接点スイッチ部２１の
順序でオンされ、励磁コイル２０に流れる励磁電流をオ
フした場合、第１の接点スイッチ部２１、第２の接点ス
イッチ部２２、第３の接点スイッチ部２３の順序でオフ
される。
【００４４】図４に示すハイブリッドリレー装置１にあ
っては、入力端子Ｔ1,Ｔ2 間には、励磁コイル２０が接
続する。出力端子Ｔ3,Ｔ4 間には、トライアック３Ｑと
負特性サーミスタＮＴＣとの直列回路４と接点スイッチ
部２１とが並列に接続する並列回路５と、接点スイッチ
部２３とが直列に接続する。トライアック３Ｑのゲート
は、接点スイッチ部２２と抵抗Ｒ3 との直列回路と接点
スイッチ部２３とを介して、出力端子Ｔ3 に接続する。
また、外部接続として、入力端子Ｔ1,Ｔ2 間には駆動用
電源Ｅと駆動用スイッチＳとの直列回路が、出力端子Ｔ
3,Ｔ4 間には負荷電源Ａと負荷Ｌとの直列回路が、それ
ぞれ接続する。
っては、入力端子Ｔ1,Ｔ2 間には、励磁コイル２０が接
続する。出力端子Ｔ3,Ｔ4 間には、トライアック３Ｑと
負特性サーミスタＮＴＣとの直列回路４と接点スイッチ
部２１とが並列に接続する並列回路５と、接点スイッチ
部２３とが直列に接続する。トライアック３Ｑのゲート
は、接点スイッチ部２２と抵抗Ｒ3 との直列回路と接点
スイッチ部２３とを介して、出力端子Ｔ3 に接続する。
また、外部接続として、入力端子Ｔ1,Ｔ2 間には駆動用
電源Ｅと駆動用スイッチＳとの直列回路が、出力端子Ｔ
3,Ｔ4 間には負荷電源Ａと負荷Ｌとの直列回路が、それ
ぞれ接続する。
【００４５】上述のように構成されるハイブリッドリレ
ー装置１は次のように動作する。すなわち、駆動用スイ
ッチＳがオンされると、励磁コイル２０が励磁され、先
ず接点スイッチ部２３がオンする。この時点では接点ス
イッチ部２２はオフであるのでトライアック３Ｑのゲー
トにはゲート電流は流れずトライアック３Ｑはオフで、
且つ接点スイッチ部２１がオフである。従って、接点ス
イッチ部２３のオンでは負荷電流は流れずアーク発生は
ない。
ー装置１は次のように動作する。すなわち、駆動用スイ
ッチＳがオンされると、励磁コイル２０が励磁され、先
ず接点スイッチ部２３がオンする。この時点では接点ス
イッチ部２２はオフであるのでトライアック３Ｑのゲー
トにはゲート電流は流れずトライアック３Ｑはオフで、
且つ接点スイッチ部２１がオフである。従って、接点ス
イッチ部２３のオンでは負荷電流は流れずアーク発生は
ない。
【００４６】次に、接点スイッチ部２２がオンする。こ
の時点では、接点スイッチ部２３がオンであり且つ接点
スイッチ部２２がオンになるので、トライアック３Ｑの
ゲートにはゲート電流が流れてトライアック３Ｑはオン
する。そして、トライアック３Ｑを介して負荷Ｌに対す
る突入負荷電流の流れが開始されるものの、この時点で
は負特性サーミスタＮＴＣは常温であり高抵抗値にある
ので突入負荷電流は抑制されて、トライアック３Ｑを突
入負荷電流による破壊から保護できる。
の時点では、接点スイッチ部２３がオンであり且つ接点
スイッチ部２２がオンになるので、トライアック３Ｑの
ゲートにはゲート電流が流れてトライアック３Ｑはオン
する。そして、トライアック３Ｑを介して負荷Ｌに対す
る突入負荷電流の流れが開始されるものの、この時点で
は負特性サーミスタＮＴＣは常温であり高抵抗値にある
ので突入負荷電流は抑制されて、トライアック３Ｑを突
入負荷電流による破壊から保護できる。
【００４７】次に、接点スイッチ部２１がオンする。こ
の時点では、接点スイッチ部２３がオンであり且つトラ
イアック３Ｑがオンであり、負特性サーミスタＮＴＣに
は負荷電流が流れているので、負特性サーミスタＮＴＣ
はジュール熱により高温になって低抵抗値になり、オフ
している接点スイッチ部２１の接点間電圧はアーク発生
電圧以下になっている。従って、接点スイッチ部２１の
オンではアーク発生はなく、接点スイッチ部２１のオン
によって、トライアック３Ｑを介して流れている負荷電
流を接点スイッチ部２１へ移すことができる。
の時点では、接点スイッチ部２３がオンであり且つトラ
イアック３Ｑがオンであり、負特性サーミスタＮＴＣに
は負荷電流が流れているので、負特性サーミスタＮＴＣ
はジュール熱により高温になって低抵抗値になり、オフ
している接点スイッチ部２１の接点間電圧はアーク発生
電圧以下になっている。従って、接点スイッチ部２１の
オンではアーク発生はなく、接点スイッチ部２１のオン
によって、トライアック３Ｑを介して流れている負荷電
流を接点スイッチ部２１へ移すことができる。
【００４８】これに対して、駆動用スイッチＳがオフさ
れると、励磁コイル２０の励磁が停止して先ず接点スイ
ッチ部２１がオフする。この時点では、接点スイッチ部
２３がオンであり且つ接点スイッチ部２２がオンでトラ
イアック３Ｑがオンあり、接点スイッチ部２１をアーク
発生なしにオフすることができ、接点スイッチ部２１を
介して流れている負荷電流をトライアック３Ｑへ移すこ
とができる。
れると、励磁コイル２０の励磁が停止して先ず接点スイ
ッチ部２１がオフする。この時点では、接点スイッチ部
２３がオンであり且つ接点スイッチ部２２がオンでトラ
イアック３Ｑがオンあり、接点スイッチ部２１をアーク
発生なしにオフすることができ、接点スイッチ部２１を
介して流れている負荷電流をトライアック３Ｑへ移すこ
とができる。
【００４９】次に、接点スイッチ部２２がオフする。こ
の時点では、接点スイッチ部２３がオンであり、負荷電
流はトライアック３Ｑと負特性サーミスタＮＴＣとの直
列回路４を介して流れているものの、接点スイッチ部２
２がオフするのでゲート電流が遮断され、トライアック
３Ｑは半導体であるのでアーク発生なしにオフし、負荷
電流は遮断される。なお、トライアック３Ｑのゲート電
流は僅かな電流であり、アーク発生なしに接点スイッチ
部２２をオフすることができる。
の時点では、接点スイッチ部２３がオンであり、負荷電
流はトライアック３Ｑと負特性サーミスタＮＴＣとの直
列回路４を介して流れているものの、接点スイッチ部２
２がオフするのでゲート電流が遮断され、トライアック
３Ｑは半導体であるのでアーク発生なしにオフし、負荷
電流は遮断される。なお、トライアック３Ｑのゲート電
流は僅かな電流であり、アーク発生なしに接点スイッチ
部２２をオフすることができる。
【００５０】次に、接点スイッチ部２３がオフする。こ
の時点では、接点スイッチ部２１とトライアック３Ｑと
が共にオフしており、トライアック３Ｑを介して流れる
僅かなリーク電流を除いて負荷電流は遮断されている。
従って、接点スイッチ部２３のオフに際してもアーク発
生はなく、且つ、接点スイッチ部２３のオフによってト
ライアック３Ｑを介して流れる僅かなリーク電流をも全
くなくすことができる。
の時点では、接点スイッチ部２１とトライアック３Ｑと
が共にオフしており、トライアック３Ｑを介して流れる
僅かなリーク電流を除いて負荷電流は遮断されている。
従って、接点スイッチ部２３のオフに際してもアーク発
生はなく、且つ、接点スイッチ部２３のオフによってト
ライアック３Ｑを介して流れる僅かなリーク電流をも全
くなくすことができる。
【００５１】すなわち、上述のようなハイブリッドリレ
ー装置１にあっては、駆動用スイッチＳのオン／オフに
より、アーク発生なしに接点スイッチ部２１，２２，２
３によって負荷電源Ａから負荷Ｌへの電力供給のオン／
オフが可能であり、接点スイッチ部２１，２２，２３に
おけるアーク発生を確実に防止して、接点スイッチ部２
１，２２，２３の長寿命化を図ることができるととも
に、トライアック３Ｑを突入負荷電流による破壊から保
護できる。
ー装置１にあっては、駆動用スイッチＳのオン／オフに
より、アーク発生なしに接点スイッチ部２１，２２，２
３によって負荷電源Ａから負荷Ｌへの電力供給のオン／
オフが可能であり、接点スイッチ部２１，２２，２３に
おけるアーク発生を確実に防止して、接点スイッチ部２
１，２２，２３の長寿命化を図ることができるととも
に、トライアック３Ｑを突入負荷電流による破壊から保
護できる。
【００５２】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、負荷電源
投入時における突入負荷電流を抑制して半導体スイッチ
部を保護でき、高容量で且つ長寿命化の図れる、優れる
ハイブリッドリレー装置を提供できるという効果を奏す
る。
投入時における突入負荷電流を抑制して半導体スイッチ
部を保護でき、高容量で且つ長寿命化の図れる、優れる
ハイブリッドリレー装置を提供できるという効果を奏す
る。
【００５３】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の発明の効果に加えて更に、負荷電源投入時における
突入負荷電流が長引いても、突入負荷電流を抑制して半
導体スイッチ部を保護できる、優れるハイブリッドリレ
ー装置を提供できるという効果を奏する。
載の発明の効果に加えて更に、負荷電源投入時における
突入負荷電流が長引いても、突入負荷電流を抑制して半
導体スイッチ部を保護できる、優れるハイブリッドリレ
ー装置を提供できるという効果を奏する。
【００５４】請求項３記載の発明によれば、請求項１ま
たは２記載の発明の効果に加えて更に、接点スイッチ部
と半導体スイッチ部とのオンあるいはオフの実行順序を
確実に守らせてオンあるいはオフのタイミング差を充分
に確保し、接点スイッチ部におけるアーク発生を防止せ
しめ、高容量で且つ長寿命化の図れる、優れるハイブリ
ッドリレー装置を提供できるという効果を奏する。
たは２記載の発明の効果に加えて更に、接点スイッチ部
と半導体スイッチ部とのオンあるいはオフの実行順序を
確実に守らせてオンあるいはオフのタイミング差を充分
に確保し、接点スイッチ部におけるアーク発生を防止せ
しめ、高容量で且つ長寿命化の図れる、優れるハイブリ
ッドリレー装置を提供できるという効果を奏する。
【００５５】請求項４記載の発明によれば、負荷電源投
入時における突入負荷電流を抑制して半導体スイッチ部
を保護できるとともに、接点スイッチ機構の接点のアー
クによる消耗をなくすことができ、高容量で且つ長寿命
化が図れ、且つリーク電流を遮断できる、優れるハイブ
リッドリレー装置を提供できるという効果を奏する。
入時における突入負荷電流を抑制して半導体スイッチ部
を保護できるとともに、接点スイッチ機構の接点のアー
クによる消耗をなくすことができ、高容量で且つ長寿命
化が図れ、且つリーク電流を遮断できる、優れるハイブ
リッドリレー装置を提供できるという効果を奏する。
【図１】本発明に係る第１の実施の形態のハイブリッド
リレー装置を示す回路図である。
リレー装置を示す回路図である。
【図２】本発明に係る第２の実施の形態のハイブリッド
リレー装置を示す回路図である。
リレー装置を示す回路図である。
【図３】本発明に係る第３の実施の形態のハイブリッド
リレー装置を示す回路図である。
リレー装置を示す回路図である。
【図４】本発明に係る第４の実施の形態のハイブリッド
リレー装置を示す回路図である。
リレー装置を示す回路図である。
【図５】従来のハイブリッドリレー装置を示す回路図で
ある。
ある。
１ ハイブリッドリレー装置 ２ 接点スイッチ機構 ２０ 励磁コイル ２１ 接点スイッチ部（第１の接点スイッチ部） ２２ 第２の接点スイッチ部 ２３ 第３の接点スイッチ部 ３ 半導体スイッチ機構 ３Ｑ 半導体スイッチ部 ４ 第１の回路 ５ 第２の回路 ６ 励磁用カプラ ６１ 励磁スイッチ部 ６２ 励磁ゲート部 Ａ 負荷電源 Ｌ 負荷 ＮＴＣ 負特性サーミスタ ＰＴＣ 正特性サーミスタ
Claims (4)
- 【請求項１】 励磁コイルに流れる励磁電流によってオ
ン／オフされる接点スイッチ部を有する接点スイッチ機
構と、ゲート電流によってオン／オフされる半導体スイ
ッチ部を有する半導体スイッチ機構とを備え、前記接点
スイッチ部は前記半導体スイッチ部を並列に含んで接続
されており、負荷電源から負荷に対して電力供給をオン
／オフするときに、前記接点スイッチ部にアークが生じ
ないように前記半導体スイッチ部をオン／オフ制御する
ようにしたハイブリッドリレー装置において、 前記半導体スイッチ部に負特性サーミスタを直列に接続
した第１の回路を形成するとともに、該第１の回路に前
記接点スイッチ部を並列に接続した第２の回路を形成し
たことを特徴とするハイブリッドリレー装置。 - 【請求項２】 前記第１の回路に直列に正特性サーミス
タを設けたことを特徴とする請求項１記載のハイブリッ
ドリレー装置。 - 【請求項３】 前記励磁コイルに直列に接続する励磁ス
イッチ部と、前記半導体スイッチ部をオンせしめるゲー
ト電流が通過しているときには前記励磁スイッチ部をオ
ンせしめる励磁ゲート部とを具備する、励磁用カプラを
設けたことを特徴とする請求項１または２記載のハイブ
リッドリレー装置。 - 【請求項４】 励磁コイルに流れる励磁電流によってオ
ン／オフされる複数の接点スイッチ部を有する接点スイ
ッチ機構と、ゲート電流によってオン／オフされる半導
体スイッチ部を有する半導体スイッチ機構とを備え、第
１の接点スイッチ部は前記半導体スイッチ部を並列に含
んで接続されており、第２の接点スイッチ部は前記半導
体スイッチ部のゲートと直列に接続されており、第３の
接点スイッチ部はオフしたときリーク電流なしに負荷を
遮断できるように接続されており、負荷電源から負荷に
対して電力供給をオン／オフするときに、前記接点スイ
ッチ部にアークが生じないように前記半導体スイッチ部
をオン／オフ制御するようにしたハイブリッドリレー装
置であって、 前記半導体スイッチ部に負特性サーミスタを直列に接続
した第１の回路と、第１の回路に前記第１の接点スイッ
チ部を並列に接続した第２の回路とを形成するととも
に、前記励磁電流をオンしたときの各接点スイッチ部の
オン動作遅延時間を、第１の接点スイッチ部、第２の接
点スイッチ部、第３の接点スイッチ部の順に短くし、前
記励磁電流をオフしたときの各接点スイッチ部のオフ動
作遅延時間を、第１の接点スイッチ部、第２の接点スイ
ッチ部、第３の接点スイッチ部の順に長くしたことを特
徴とするハイブリッドリレー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3899498A JPH11238441A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | ハイブリッドリレー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3899498A JPH11238441A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | ハイブリッドリレー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238441A true JPH11238441A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12540694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3899498A Withdrawn JPH11238441A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | ハイブリッドリレー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11238441A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008123719A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-29 | Matsushita Electric Works Ltd | ハイブリッドリレー |
-
1998
- 1998-02-20 JP JP3899498A patent/JPH11238441A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008123719A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-29 | Matsushita Electric Works Ltd | ハイブリッドリレー |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |