JPH11234085A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
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- JPH11234085A JPH11234085A JP10035175A JP3517598A JPH11234085A JP H11234085 A JPH11234085 A JP H11234085A JP 10035175 A JP10035175 A JP 10035175A JP 3517598 A JP3517598 A JP 3517598A JP H11234085 A JPH11234085 A JP H11234085A
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- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
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- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02952—Means for compensation or elimination of undesirable effects of parasitic capacitance
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- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 通過帯域と阻止域との間におけるフィルタ特
性の急峻性を高めることができ、製造容易な帯域通過型
ＳＡＷフィルタを得る。 【解決手段】 入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に
直列腕共振子４，６を接続し、並列腕共振子３，５，７
を直列腕と基準電位との間に接続してなる梯子型の回路
構成を有し、並列腕共振子３，５，７の反共振周波数が
直列腕共振子４，６の共振周波数と実質的に一致されて
おり、かつ少なくとも１つの並列腕共振子３，５，７の
ＩＤＴ３ａ，５ａ，７ａの最外側部の電極指幅を当該Ｉ
ＤＴの他の電極指幅と異ならせ、それによって所定の周
波数領域にスプリアスを発生させることにより、通過帯
域から阻止域にかけてのフィルタ特性の急峻化が図られ
ているＳＡＷフィルタ１。
性の急峻性を高めることができ、製造容易な帯域通過型
ＳＡＷフィルタを得る。 【解決手段】 入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に
直列腕共振子４，６を接続し、並列腕共振子３，５，７
を直列腕と基準電位との間に接続してなる梯子型の回路
構成を有し、並列腕共振子３，５，７の反共振周波数が
直列腕共振子４，６の共振周波数と実質的に一致されて
おり、かつ少なくとも１つの並列腕共振子３，５，７の
ＩＤＴ３ａ，５ａ，７ａの最外側部の電極指幅を当該Ｉ
ＤＴの他の電極指幅と異ならせ、それによって所定の周
波数領域にスプリアスを発生させることにより、通過帯
域から阻止域にかけてのフィルタ特性の急峻化が図られ
ているＳＡＷフィルタ１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の弾性表面波
（以下、ＳＡＷ）共振子を用いて構成された帯域通過型
のＳＡＷフィルタに関し、特に、梯子型の回路構成を有
するＳＡＷフィルタに関する。
（以下、ＳＡＷ）共振子を用いて構成された帯域通過型
のＳＡＷフィルタに関し、特に、梯子型の回路構成を有
するＳＡＷフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】帯域通過型フィルタとして、複数のＳＡ
Ｗ共振子を用いて梯子型の回路を構成してなるＳＡＷフ
ィルタが知られている（例えば、特開昭５６−１９７６
５号公報、特開平５−１８３３８０号公報など）。この
種のＳＡＷフィルタでは、通過帯域近傍の阻止域におけ
る減衰量の拡大が強く求められている。近年、例えば、
携帯電話などの通信機器においては、電波利用効率を高
めるために、送信周波数と受信周波数との間の間隔が非
常に狭くなってきている。従って、選択度を高めるため
に、通過帯域と阻止域との間におけるフィルタ特性がよ
り急峻な帯域通過型フィルタの登場が望まれている。
Ｗ共振子を用いて梯子型の回路を構成してなるＳＡＷフ
ィルタが知られている（例えば、特開昭５６−１９７６
５号公報、特開平５−１８３３８０号公報など）。この
種のＳＡＷフィルタでは、通過帯域近傍の阻止域におけ
る減衰量の拡大が強く求められている。近年、例えば、
携帯電話などの通信機器においては、電波利用効率を高
めるために、送信周波数と受信周波数との間の間隔が非
常に狭くなってきている。従って、選択度を高めるため
に、通過帯域と阻止域との間におけるフィルタ特性がよ
り急峻な帯域通過型フィルタの登場が望まれている。
【０００３】特開平９−５５６４０号公報には、上記要
望を満たすＳＡＷフィルタが開示されている。この先行
技術に記載のＳＡＷフィルタを、図２６を参照して説明
する。
望を満たすＳＡＷフィルタが開示されている。この先行
技術に記載のＳＡＷフィルタを、図２６を参照して説明
する。
【０００４】ＳＡＷフィルタ１０１では、表面基板１０
２上に１ポート型ＳＡＷ共振子１０３〜１０７が構成さ
れている。各１ポート型ＳＡＷ共振子１０３〜１０７
は、中央にインターデジタルトランスデューサ（ＩＤ
Ｔ）１０３ａ〜１０７ａを有し、それぞれ、ＩＤＴ１０
３ａ〜１０７ａの両側に、複数本の電極指を有するグレ
ーティング型反射器１０３ｂ，１０３ｃ〜１０７ｂ，１
０７ｃを有する。
２上に１ポート型ＳＡＷ共振子１０３〜１０７が構成さ
れている。各１ポート型ＳＡＷ共振子１０３〜１０７
は、中央にインターデジタルトランスデューサ（ＩＤ
Ｔ）１０３ａ〜１０７ａを有し、それぞれ、ＩＤＴ１０
３ａ〜１０７ａの両側に、複数本の電極指を有するグレ
ーティング型反射器１０３ｂ，１０３ｃ〜１０７ｂ，１
０７ｃを有する。
【０００５】ＳＡＷフィルタ１０１は、入力端子ＩＮ及
び出力端子ＯＵＴに接続される。入力端子ＩＮ及び出力
端子ＯＵＴの間が直列腕を構成しており、該直列腕に、
直列腕共振子として上記ＳＡＷ共振子１０４，１０６が
接続されている。他方、直列腕と基準電位との間には、
３つの並列腕が構成されており、すなわち、ＳＡＷ共振
子１０３，１０５，１０７が、それぞれ、直列腕と基準
電位との間に接続されて並列腕共振子を構成している。
び出力端子ＯＵＴに接続される。入力端子ＩＮ及び出力
端子ＯＵＴの間が直列腕を構成しており、該直列腕に、
直列腕共振子として上記ＳＡＷ共振子１０４，１０６が
接続されている。他方、直列腕と基準電位との間には、
３つの並列腕が構成されており、すなわち、ＳＡＷ共振
子１０３，１０５，１０７が、それぞれ、直列腕と基準
電位との間に接続されて並列腕共振子を構成している。
【０００６】また、並列腕共振子、すなわちＳＡＷ共振
子１０３，１０５，１０７の反共振周波数は、直列腕共
振子、すなわちＳＡＷ共振子１０４，１０６の共振周波
数と一致するように構成されている。
子１０３，１０５，１０７の反共振周波数は、直列腕共
振子、すなわちＳＡＷ共振子１０４，１０６の共振周波
数と一致するように構成されている。
【０００７】ＳＡＷフィルタ１０１では、直列腕共振子
としてのＳＡＷ共振子１０４，１０６における、ＩＤＴ
１０４ａ，１０６ａと、反射器１０４ｂ，１０４ｃある
いは反射器１０６ｂ，１０６ｃとの間のギャップに対
し、並列腕共振子であるＳＡＷ共振子１０３，１０５，
１０７における相当のギャップを大きく、または小さく
している。そのため、並列腕共振子における共振周波数
と反共振周波数との間に発生するスプリアスが、並列腕
共振子１０３，１０５，１０７の共振周波数とＳＡＷフ
ィルタ１０１の通過帯域との間、または通過帯域と直列
腕共振子の反共振周波数との間に設定され、それによっ
て、通過帯域よりも低周波数側または高周波数側の阻止
域における通過帯域近傍の減衰量が大幅に改善される。
としてのＳＡＷ共振子１０４，１０６における、ＩＤＴ
１０４ａ，１０６ａと、反射器１０４ｂ，１０４ｃある
いは反射器１０６ｂ，１０６ｃとの間のギャップに対
し、並列腕共振子であるＳＡＷ共振子１０３，１０５，
１０７における相当のギャップを大きく、または小さく
している。そのため、並列腕共振子における共振周波数
と反共振周波数との間に発生するスプリアスが、並列腕
共振子１０３，１０５，１０７の共振周波数とＳＡＷフ
ィルタ１０１の通過帯域との間、または通過帯域と直列
腕共振子の反共振周波数との間に設定され、それによっ
て、通過帯域よりも低周波数側または高周波数側の阻止
域における通過帯域近傍の減衰量が大幅に改善される。
【０００８】すなわち、並列腕共振子に上記スプリアス
成分を発生させるように、並列腕共振子のＩＤＴと反射
器との間の距離を設定することにより、通過帯域から阻
止域にかけての周波数領域におけるフィルタ特性の急峻
性が高められ、それによって選択度に優れた帯域通過型
フィルタを提供することが可能とされている。
成分を発生させるように、並列腕共振子のＩＤＴと反射
器との間の距離を設定することにより、通過帯域から阻
止域にかけての周波数領域におけるフィルタ特性の急峻
性が高められ、それによって選択度に優れた帯域通過型
フィルタを提供することが可能とされている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、特開
平９−５５６４０号公報に記載のＳＡＷフィルタでは、
上記ギャップすなわち並列腕共振子におけるＩＤＴと反
射器との間の距離を調整することにより、通過帯域近傍
のフィルタ特性の急峻化が図られる。
平９−５５６４０号公報に記載のＳＡＷフィルタでは、
上記ギャップすなわち並列腕共振子におけるＩＤＴと反
射器との間の距離を調整することにより、通過帯域近傍
のフィルタ特性の急峻化が図られる。
【００１０】しかしながら、特開平９−５５６４０号公
報に記載の先行技術では、ＩＤＴと反射器との間のギャ
ップを調整する必要があるため、フィルタ特性の変更時
に、製造工程の変更が煩雑であった。高周波用のフィル
タでは、電極間隔が非常に狭くなり、電極短絡等の多発
により、製造が困難になる場合があった。
報に記載の先行技術では、ＩＤＴと反射器との間のギャ
ップを調整する必要があるため、フィルタ特性の変更時
に、製造工程の変更が煩雑であった。高周波用のフィル
タでは、電極間隔が非常に狭くなり、電極短絡等の多発
により、製造が困難になる場合があった。
【００１１】また、近年、より選択度に優れたＳＡＷフ
ィルタの登場が強く望まれており、従って、通過帯域か
ら阻止域にかけての周波数領域におけるフィルタ特性の
急峻化を果たす様々な手法が強く求められている。
ィルタの登場が強く望まれており、従って、通過帯域か
ら阻止域にかけての周波数領域におけるフィルタ特性の
急峻化を果たす様々な手法が強く求められている。
【００１２】よって、本発明の目的は、ＳＡＷ共振子を
用いた梯子型の回路構成を有するＳＡＷフィルタにおい
て、段数を増大させることなく、通過帯域と阻止域との
境界における減衰特性を急峻とすることができ、かつ製
造容易なＳＡＷフィルタを提供することにある。
用いた梯子型の回路構成を有するＳＡＷフィルタにおい
て、段数を増大させることなく、通過帯域と阻止域との
境界における減衰特性を急峻とすることができ、かつ製
造容易なＳＡＷフィルタを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために成されたものであり、入出力間が直列腕を
構成しており、直列腕と基準電位との間に少なくとも１
つの並列腕が構成されている梯子型回路構成を有するＳ
ＡＷフィルタに関するものである。
成するために成されたものであり、入出力間が直列腕を
構成しており、直列腕と基準電位との間に少なくとも１
つの並列腕が構成されている梯子型回路構成を有するＳ
ＡＷフィルタに関するものである。
【００１４】請求項１に記載の発明に係るＳＡＷフィル
タは、上記直列腕にＩＤＴを有する少なくとも１つの１
ポート型ＳＡＷ共振子よりなる直列腕共振子を、並列腕
に、ＩＤＴと、該ＩＤＴの両側に設けられた反射器とを
有し、かつ反共振周波数が、直列腕共振子の共振周波数
と実質的に一致されている１ポート型ＳＡＷ共振子より
なる並列腕共振子を接続した構成を有する。
タは、上記直列腕にＩＤＴを有する少なくとも１つの１
ポート型ＳＡＷ共振子よりなる直列腕共振子を、並列腕
に、ＩＤＴと、該ＩＤＴの両側に設けられた反射器とを
有し、かつ反共振周波数が、直列腕共振子の共振周波数
と実質的に一致されている１ポート型ＳＡＷ共振子より
なる並列腕共振子を接続した構成を有する。
【００１５】直列腕共振子については、反射器を有する
１ポート型ＳＡＷ共振子であってもよく、反射器を用い
ず、ＩＤＴの対数を非常に多くしたＳＡＷ共振子であっ
てもよい。なお、「実質的に一致されている」なる表現
は、完全に一致されている場合の他、両者が近接してい
る場合も含むものとする。
１ポート型ＳＡＷ共振子であってもよく、反射器を用い
ず、ＩＤＴの対数を非常に多くしたＳＡＷ共振子であっ
てもよい。なお、「実質的に一致されている」なる表現
は、完全に一致されている場合の他、両者が近接してい
る場合も含むものとする。
【００１６】請求項１に記載の発明に係るＳＡＷフィル
タにおいても、上記のような梯子型の回路構成を有する
ため、従来の梯子型回路構成を有するＳＡＷフィルタと
同様に、直列腕共振子の反共振周波数と並列腕共振子の
共振周波数とを減衰極とする帯域通過型のフィルタ特性
が得られる。
タにおいても、上記のような梯子型の回路構成を有する
ため、従来の梯子型回路構成を有するＳＡＷフィルタと
同様に、直列腕共振子の反共振周波数と並列腕共振子の
共振周波数とを減衰極とする帯域通過型のフィルタ特性
が得られる。
【００１７】請求項１に記載の発明に係るＳＡＷフィル
タの特徴は、通過帯域から減衰域にかけての周波数領域
においてスプリアス成分を発生させるように、少なくと
も１個の並列腕共振子において、ＩＤＴの最外側の電極
指幅が、他の電極指幅と異ならされていることにある。
この電極指幅の異ならせ方については、特に限定され
ず、請求項２に記載のように、ＩＤＴの最外側部の電極
指の幅を、ＩＤＴの他の電極指の幅よりも小さくしても
よく、あるいは、請求項３に記載のように、ＩＤＴの最
外側部の電極指の幅を、他の電極指の幅よりも大きくし
てもよい。
タの特徴は、通過帯域から減衰域にかけての周波数領域
においてスプリアス成分を発生させるように、少なくと
も１個の並列腕共振子において、ＩＤＴの最外側の電極
指幅が、他の電極指幅と異ならされていることにある。
この電極指幅の異ならせ方については、特に限定され
ず、請求項２に記載のように、ＩＤＴの最外側部の電極
指の幅を、ＩＤＴの他の電極指の幅よりも小さくしても
よく、あるいは、請求項３に記載のように、ＩＤＴの最
外側部の電極指の幅を、他の電極指の幅よりも大きくし
てもよい。
【００１８】上記電極指の幅の異ならせ方によって、ス
プリアス成分を、通過帯域の帯域側の阻止域と通過帯域
との間、あるいは通過帯域の高域側の阻止域と通過帯域
との間におけるフィルタ特性の急峻化を図ることができ
る。
プリアス成分を、通過帯域の帯域側の阻止域と通過帯域
との間、あるいは通過帯域の高域側の阻止域と通過帯域
との間におけるフィルタ特性の急峻化を図ることができ
る。
【００１９】請求項４に記載の発明に係るＳＡＷフィル
タは、請求項１に記載の発明に係るＳＡＷフィルタと同
様に、梯子型回路構成を有し、並列腕共振子の反共振周
波数が、直列腕共振子の共振周波数と実質的に一致され
ているＳＡＷフィルタにおいて、所定の周波数領域にス
プリアス成分を発生させるように、少なくとも１つの並
列腕共振子において、反射器の電極のうちＩＤＴに最も
近い電極指の幅が、同じ反射器の他の電極指の幅と異な
らされていることを特徴とする。請求項４に記載の発明
においても、上記スプリアス成分を所定の周波数領域に
発生させることにより、通過帯域と、通過帯域の低周波
数側の阻止域との間のフィルタ特性の急峻化、あるいは
通過帯域と、通過帯域よりも高域側の阻止域との間の周
波数領域におけるフィルタ特性の急峻化が図られる。
タは、請求項１に記載の発明に係るＳＡＷフィルタと同
様に、梯子型回路構成を有し、並列腕共振子の反共振周
波数が、直列腕共振子の共振周波数と実質的に一致され
ているＳＡＷフィルタにおいて、所定の周波数領域にス
プリアス成分を発生させるように、少なくとも１つの並
列腕共振子において、反射器の電極のうちＩＤＴに最も
近い電極指の幅が、同じ反射器の他の電極指の幅と異な
らされていることを特徴とする。請求項４に記載の発明
においても、上記スプリアス成分を所定の周波数領域に
発生させることにより、通過帯域と、通過帯域の低周波
数側の阻止域との間のフィルタ特性の急峻化、あるいは
通過帯域と、通過帯域よりも高域側の阻止域との間の周
波数領域におけるフィルタ特性の急峻化が図られる。
【００２０】また、請求項５に記載の発明は、少なくと
も１つの前記並列腕共振子の反共振周波数が、前記反射
器のストップバンド内に入るように設定されており、か
つ発生させるスプリアスが、該並列腕共振子のストップ
バンド外になるように設定されていることを特徴とす
る。
も１つの前記並列腕共振子の反共振周波数が、前記反射
器のストップバンド内に入るように設定されており、か
つ発生させるスプリアスが、該並列腕共振子のストップ
バンド外になるように設定されていることを特徴とす
る。
【００２１】請求項６に記載の発明は、前記スプリアス
が、前記並列腕共振子の共振周波数と弾性表面波フィル
タの通過帯域との間に発生するように構成されており、
かつ前記反射器の電極指の周期がＩＤＴの周期よりも小
さくされており、前記スプリアスの現れる位置が、前記
並列腕共振子のストップバンド周波数よりも低域側であ
ることを特徴とする。
が、前記並列腕共振子の共振周波数と弾性表面波フィル
タの通過帯域との間に発生するように構成されており、
かつ前記反射器の電極指の周期がＩＤＴの周期よりも小
さくされており、前記スプリアスの現れる位置が、前記
並列腕共振子のストップバンド周波数よりも低域側であ
ることを特徴とする。
【００２２】請求項７に記載の発明は、前記弾性表面波
フィルタの通過帯域と、前記直列腕共振子の反共振周波
数との間に前記並列腕共振子のスプリアスが発生される
ように構成されており、かつ前記反射器の電極指周期が
ＩＤＴにおける電極指の周期よりも大きくされており、
前記スプリアスが前記並列腕共振子のストップバンドよ
りも高域側に現れるように構成されていることを特徴と
する。
フィルタの通過帯域と、前記直列腕共振子の反共振周波
数との間に前記並列腕共振子のスプリアスが発生される
ように構成されており、かつ前記反射器の電極指周期が
ＩＤＴにおける電極指の周期よりも大きくされており、
前記スプリアスが前記並列腕共振子のストップバンドよ
りも高域側に現れるように構成されていることを特徴と
する。
【００２３】請求項８に記載の発明は、入出力間が直列
腕を構成しており、前記直列腕と基準電位との間に少な
くとも１つの並列腕が構成されている梯子型回路構成を
有し、前記直列腕にＩＤＴを有する少なくとも１つの１
ポート型ＳＡＷ共振子よりなる直列腕共振子が、前記並
列腕に、ＩＤＴと、該ＩＤＴの両側に設けられた反射器
とを有し、かつ反共振周波数が、直列腕共振子の共振周
波数と実質的に一致されている１ポート型ＳＡＷ共振子
よりなる並列腕共振子が配置されている弾性表面波フィ
ルタにおいて、少なくとも１つの前記並列腕共振子の反
共振周波数が、前記反射器のストップバンド内に入るよ
うに設定されており、かつ発生させる前記スプリアス
が、前記反射器のストップバンド外になるように設定さ
れていることを特徴とする、弾性表面波フィルタであ
る。
腕を構成しており、前記直列腕と基準電位との間に少な
くとも１つの並列腕が構成されている梯子型回路構成を
有し、前記直列腕にＩＤＴを有する少なくとも１つの１
ポート型ＳＡＷ共振子よりなる直列腕共振子が、前記並
列腕に、ＩＤＴと、該ＩＤＴの両側に設けられた反射器
とを有し、かつ反共振周波数が、直列腕共振子の共振周
波数と実質的に一致されている１ポート型ＳＡＷ共振子
よりなる並列腕共振子が配置されている弾性表面波フィ
ルタにおいて、少なくとも１つの前記並列腕共振子の反
共振周波数が、前記反射器のストップバンド内に入るよ
うに設定されており、かつ発生させる前記スプリアス
が、前記反射器のストップバンド外になるように設定さ
れていることを特徴とする、弾性表面波フィルタであ
る。
【００２４】請求項９に記載の発明は、請求項８に記載
の発明に係る弾性表面波フィルタにおいて、前記スプリ
アスが、前記並列腕共振子の共振周波数と弾性表面波フ
ィルタの通過帯域との間に発生するように構成されてお
り、かつ前記反射器の電極指の周期がＩＤＴの周期より
も小さくされており、前記スプリアスの現れる位置が、
前記並列腕共振子のストップバンド周波数よりも低域側
であることを特徴とする。
の発明に係る弾性表面波フィルタにおいて、前記スプリ
アスが、前記並列腕共振子の共振周波数と弾性表面波フ
ィルタの通過帯域との間に発生するように構成されてお
り、かつ前記反射器の電極指の周期がＩＤＴの周期より
も小さくされており、前記スプリアスの現れる位置が、
前記並列腕共振子のストップバンド周波数よりも低域側
であることを特徴とする。
【００２５】請求項１０に記載の発明は、請求項８に記
載の発明に係る弾性表面波フィルタにおいて、前記弾性
表面波フィルタの通過帯域と、前記直列腕共振子の反共
振周波数との間に前記並列腕共振子のスプリアスが発生
されるように構成されており、かつ前記反射器の電極指
周期がＩＤＴにおける電極指の周期よりも大きくされて
おり、前記スプリアスが前記並列腕共振子のストップバ
ンドよりも高域側に現れるように構成されていることを
特徴とする。
載の発明に係る弾性表面波フィルタにおいて、前記弾性
表面波フィルタの通過帯域と、前記直列腕共振子の反共
振周波数との間に前記並列腕共振子のスプリアスが発生
されるように構成されており、かつ前記反射器の電極指
周期がＩＤＴにおける電極指の周期よりも大きくされて
おり、前記スプリアスが前記並列腕共振子のストップバ
ンドよりも高域側に現れるように構成されていることを
特徴とする。
【００２６】請求項１１に記載の発明は、前記スプリア
ス成分が発生される並列腕共振子が、少なくとも２個以
上並列腕に配置されており、少なくとも１つの並列腕共
振子により発生されるスプリアスが、他の並列腕共振子
により発生される前記スプリアスとは異なる周波数領域
に発生されるように構成されていることを特徴とする。
ス成分が発生される並列腕共振子が、少なくとも２個以
上並列腕に配置されており、少なくとも１つの並列腕共
振子により発生されるスプリアスが、他の並列腕共振子
により発生される前記スプリアスとは異なる周波数領域
に発生されるように構成されていることを特徴とする。
【００２７】請求項１２に記載の発明では、少なくとも
２個の並列腕共振子を有し、少なくとも１個の並列腕共
振子により発生されるスプリアスが、弾性表面波フィル
タの通過帯域よりも高域側に現れるように構成されてお
り、他の並列腕共振子のスプリアスが、通過帯域よりも
低域側に現れるように、前記ＩＤＴと前記反射器との間
隔が選ばれている。
２個の並列腕共振子を有し、少なくとも１個の並列腕共
振子により発生されるスプリアスが、弾性表面波フィル
タの通過帯域よりも高域側に現れるように構成されてお
り、他の並列腕共振子のスプリアスが、通過帯域よりも
低域側に現れるように、前記ＩＤＴと前記反射器との間
隔が選ばれている。
【００２８】請求項１３に記載の発明は、請求項１〜１
２のいずれかに記載の弾性表面波フィルタと、該弾性表
面波フィルタが収納されており、かつ気密封止されてい
るパッケージとを備え、少なくとも１つの前記並列腕共
振子におけるアース電位に接続される電極が、複数のボ
ンディングワイアにより、パッケージに設けられたアー
ス電極と電気的に接続されていることを特徴とする弾性
表面波フィルタ装置である。
２のいずれかに記載の弾性表面波フィルタと、該弾性表
面波フィルタが収納されており、かつ気密封止されてい
るパッケージとを備え、少なくとも１つの前記並列腕共
振子におけるアース電位に接続される電極が、複数のボ
ンディングワイアにより、パッケージに設けられたアー
ス電極と電気的に接続されていることを特徴とする弾性
表面波フィルタ装置である。
【００２９】請求項１３に記載の発明に係る弾性表面波
フィルタ装置では、好ましくは、請求項１４に記載のよ
うに、少なくとも１つの前記並列腕共振子におけるアー
ス電位に接続される電極に、複数のボンディングワイア
が接続されており、該複数のボンディングワイアが、パ
ッケージに形成された異なるアース電極に電気的に接続
されている。
フィルタ装置では、好ましくは、請求項１４に記載のよ
うに、少なくとも１つの前記並列腕共振子におけるアー
ス電位に接続される電極に、複数のボンディングワイア
が接続されており、該複数のボンディングワイアが、パ
ッケージに形成された異なるアース電極に電気的に接続
されている。
【００３０】請求項１５に記載の発明は、少なくとも１
つの前記並列腕共振子におけるアース電位に接続される
電極が、複数のボンディングワイアによりパッケージに
設けられた前記アース電極に接続されており、複数のボ
ンディングワイアのうち少なくとも１本のボンディング
ワイアが、パッケージの複数のアース電極のうち入力側
に近いアース電極に接続されており、他のボンディング
ワイアが出力側に近いアース電極に接続されていること
を特徴とする。
つの前記並列腕共振子におけるアース電位に接続される
電極が、複数のボンディングワイアによりパッケージに
設けられた前記アース電極に接続されており、複数のボ
ンディングワイアのうち少なくとも１本のボンディング
ワイアが、パッケージの複数のアース電極のうち入力側
に近いアース電極に接続されており、他のボンディング
ワイアが出力側に近いアース電極に接続されていること
を特徴とする。
【００３１】請求項１６に記載の発明は、外部との接続
のための複数の電極パッドをさらに備える請求項１〜１
５のいずれかに記載の弾性表面波フィルタと、該弾性表
面波フィルタの電極パッド上に形成された導電材料から
なるバンプと、弾性表面波フィルタが接続される複数の
電極とを備え、かつ弾性表面波フィルタを気密封止する
ためのパッケージとを備え、前記弾性表面波フィルタ
が、前記バンプをパッケージに形成された前記電極に接
合することにより電気的に接続されていることを特徴と
する弾性表面波フィルタ装置である。
のための複数の電極パッドをさらに備える請求項１〜１
５のいずれかに記載の弾性表面波フィルタと、該弾性表
面波フィルタの電極パッド上に形成された導電材料から
なるバンプと、弾性表面波フィルタが接続される複数の
電極とを備え、かつ弾性表面波フィルタを気密封止する
ためのパッケージとを備え、前記弾性表面波フィルタ
が、前記バンプをパッケージに形成された前記電極に接
合することにより電気的に接続されていることを特徴と
する弾性表面波フィルタ装置である。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の非限定的な実施例
を挙げることにより、本発明を明らかにする。
を挙げることにより、本発明を明らかにする。
【００３３】（第１の実施例）図１は、本発明の第１の
実施例に係るＳＡＷフィルタを説明するための模式的平
面図である。ＳＡＷフィルタ１は、矩形の表面波基板２
を用いて構成されている。表面波基板２は、本実施例で
は３６°回転ＹカットのＬｉＴａＯ3 圧電基板により構
成されている。もっとも、表面波基板２は、他の圧電単
結晶もしくはＰＺＴなどの圧電セラミックスにより構成
されてもよい。
実施例に係るＳＡＷフィルタを説明するための模式的平
面図である。ＳＡＷフィルタ１は、矩形の表面波基板２
を用いて構成されている。表面波基板２は、本実施例で
は３６°回転ＹカットのＬｉＴａＯ3 圧電基板により構
成されている。もっとも、表面波基板２は、他の圧電単
結晶もしくはＰＺＴなどの圧電セラミックスにより構成
されてもよい。
【００３４】表面波基板２上には、それぞれ、１ポート
型ＳＡＷ共振子よりなる並列腕共振子３，５，７と、同
様に、それぞれ１ポート型ＳＡＷ共振子よりなる直列腕
共振子４，６とが構成されている。各ＳＡＷ共振子３〜
７は、中央にＩＤＴ３ａ〜７ａを有し、それぞれＩＤＴ
３ａ〜７ａの両側に、複数本の電極指を有するグレーテ
ィング型反射器３ｂ，３ｃ〜７ｂ，７ｃを有する。
型ＳＡＷ共振子よりなる並列腕共振子３，５，７と、同
様に、それぞれ１ポート型ＳＡＷ共振子よりなる直列腕
共振子４，６とが構成されている。各ＳＡＷ共振子３〜
７は、中央にＩＤＴ３ａ〜７ａを有し、それぞれＩＤＴ
３ａ〜７ａの両側に、複数本の電極指を有するグレーテ
ィング型反射器３ｂ，３ｃ〜７ｂ，７ｃを有する。
【００３５】ＳＡＷフィルタ１は、入力端子ＩＮ及び出
力端子ＯＵＴに接続される。入力端子ＩＮと、出力端子
ＯＵＴとの間が直列腕を構成しており、該直列腕に、上
記直列腕共振子４，６が挿入されている。他方、上記直
列腕と基準電位との間には３つの並列腕が構成されてい
る。すなわち、上述した並列腕共振子３，５，７が、そ
れぞれ、直列腕と基準電位との間に接続されている。
力端子ＯＵＴに接続される。入力端子ＩＮと、出力端子
ＯＵＴとの間が直列腕を構成しており、該直列腕に、上
記直列腕共振子４，６が挿入されている。他方、上記直
列腕と基準電位との間には３つの並列腕が構成されてい
る。すなわち、上述した並列腕共振子３，５，７が、そ
れぞれ、直列腕と基準電位との間に接続されている。
【００３６】なお、ＳＡＷ共振子３のＩＤＴ３ａの一方
のくし歯電極は接続電極８より、ＳＡＷ共振子４のＩＤ
Ｔ４ａの一方のくし歯電極に接続されている。また、接
続電極９は、ＩＤＴ４ａの他方のくし歯電極を、ＩＤＴ
５ａの一方のくし歯電極及びＩＤＴ６ａの一方のくし歯
電極に接続されている。また、接続電極１０は、ＩＤＴ
６ａの他方のくし歯電極をＩＤＴ７ａの一方のくし歯電
極７ａに電気的に接続している。
のくし歯電極は接続電極８より、ＳＡＷ共振子４のＩＤ
Ｔ４ａの一方のくし歯電極に接続されている。また、接
続電極９は、ＩＤＴ４ａの他方のくし歯電極を、ＩＤＴ
５ａの一方のくし歯電極及びＩＤＴ６ａの一方のくし歯
電極に接続されている。また、接続電極１０は、ＩＤＴ
６ａの他方のくし歯電極をＩＤＴ７ａの一方のくし歯電
極７ａに電気的に接続している。
【００３７】ＩＤＴ３ａ，５ａ，７ａのそれぞれ、他方
のくし歯電極は、基準電位に接続されている。従って、
本実施例のＳＡＷフィルタ１は、従来より公知の梯子型
の回路構成を有する。
のくし歯電極は、基準電位に接続されている。従って、
本実施例のＳＡＷフィルタ１は、従来より公知の梯子型
の回路構成を有する。
【００３８】上記各ＳＡＷ共振子３〜７及び接続電極８
〜１０などの電極は、表面波基板２上にアルミニウムな
どの金属材料を適宜の方法により付与することにより形
成することができる。例えば、アルミニウムを基板２の
全面に形成し、フォトリソグラフィ技術を用い、図１に
示した電極構造を構成することができる。あるいは、表
面波基板２上にマスクを用いてアルミニウムなどの導電
性材料を、蒸着、スパッタリングなどの方法により付与
することによってもこれらの電極を形成することができ
る。
〜１０などの電極は、表面波基板２上にアルミニウムな
どの金属材料を適宜の方法により付与することにより形
成することができる。例えば、アルミニウムを基板２の
全面に形成し、フォトリソグラフィ技術を用い、図１に
示した電極構造を構成することができる。あるいは、表
面波基板２上にマスクを用いてアルミニウムなどの導電
性材料を、蒸着、スパッタリングなどの方法により付与
することによってもこれらの電極を形成することができ
る。
【００３９】なお、図１では、各ＳＡＷ共振子３〜７の
電極構造、すなわち電極指の数や長さ等は略図的に示さ
れている。また、並列腕共振子３，５，７の反共振周波
数は、直列腕共振子４，６の共振周波数と一致するよう
に構成されている。従って、ＳＡＷフィルタ１は、帯域
通過型フィルタとして動作する。
電極構造、すなわち電極指の数や長さ等は略図的に示さ
れている。また、並列腕共振子３，５，７の反共振周波
数は、直列腕共振子４，６の共振周波数と一致するよう
に構成されている。従って、ＳＡＷフィルタ１は、帯域
通過型フィルタとして動作する。
【００４０】本実施例の特徴は、並列腕共振子３，５，
７のＩＤＴの最外側部の電極指の幅を、該ＩＤＴにおけ
る他の電極指の幅よりも小さくしたことにある。これ
を、並列腕共振子３を代表して図２を参照して説明す
る。
７のＩＤＴの最外側部の電極指の幅を、該ＩＤＴにおけ
る他の電極指の幅よりも小さくしたことにある。これ
を、並列腕共振子３を代表して図２を参照して説明す
る。
【００４１】図２に示すように、並列腕共振子３では、
中央に配置されているＩＤＴ３ａの複数本の電極指のう
ち、表面波伝搬方向最外側に位置する電極指３ａ1 ，３
ａ2の幅が、ＩＤＴ３ａにおける他の電極指３ａ3 の幅
よりも小さくされている。
中央に配置されているＩＤＴ３ａの複数本の電極指のう
ち、表面波伝搬方向最外側に位置する電極指３ａ1 ，３
ａ2の幅が、ＩＤＴ３ａにおける他の電極指３ａ3 の幅
よりも小さくされている。
【００４２】なお、図２では、ＩＤＴ３ａの一方のバス
バー３ｄが、表面波伝搬方向に延長されており、反射器
３ｂ，３ｃの一方のバスバーと連ねられているが、ＩＤ
Ｔ３ａのバスバーと、反射器３ｂ，３ｃの一方のバスバ
ーとを分離してもよい。
バー３ｄが、表面波伝搬方向に延長されており、反射器
３ｂ，３ｃの一方のバスバーと連ねられているが、ＩＤ
Ｔ３ａのバスバーと、反射器３ｂ，３ｃの一方のバスバ
ーとを分離してもよい。
【００４３】図１では必ずしも明確ではないが、他の並
列腕共振子５，７においても、並列腕共振子３と同様
に、中央のＩＤＴ５ａ，７ａにおいて、表面伝搬方向両
側の電極指の幅が、該ＩＤＴにおける他の電極指の幅よ
りも小さくされている。上記のようにＩＤＴにおける電
極指の幅を異ならせることにより、通過帯域から阻止域
にかけてのフィルタ特性を急峻化させ得ることを説明す
る。
列腕共振子５，７においても、並列腕共振子３と同様
に、中央のＩＤＴ５ａ，７ａにおいて、表面伝搬方向両
側の電極指の幅が、該ＩＤＴにおける他の電極指の幅よ
りも小さくされている。上記のようにＩＤＴにおける電
極指の幅を異ならせることにより、通過帯域から阻止域
にかけてのフィルタ特性を急峻化させ得ることを説明す
る。
【００４４】ＳＡＷ共振子のスプリアス成分は、ＩＤＴ
と、反射器との不連続性によって発生する。通常、ＳＡ
Ｗ共振子は、表面波基板上にアルミニウムなどの金属薄
膜からなる電極をフォトリソグラフィなどの微細加工プ
ロセスにより形成することにより得られる。そのため、
ＩＤＴも反射器も類似の構造を持ち、表面波を反射させ
る。従って、ＩＤＴ中に、部分的に電極指幅が異なる電
極指が存在すると、該電極指における表面波の反射によ
り位相の乱れが生じ、スプリアスが発生する。
と、反射器との不連続性によって発生する。通常、ＳＡ
Ｗ共振子は、表面波基板上にアルミニウムなどの金属薄
膜からなる電極をフォトリソグラフィなどの微細加工プ
ロセスにより形成することにより得られる。そのため、
ＩＤＴも反射器も類似の構造を持ち、表面波を反射させ
る。従って、ＩＤＴ中に、部分的に電極指幅が異なる電
極指が存在すると、該電極指における表面波の反射によ
り位相の乱れが生じ、スプリアスが発生する。
【００４５】本実施例のように、ＩＤＴ３の最外側の電
極指３ａ1 ，３ａ2 の幅を、ＩＤＴ３の他の電極指３ａ
3 の幅よりも小さくした場合、反射波の位相変化が小さ
くなり、ＩＤＴ３ａと、反射器３ｂ，３ｃとのギャップ
を狭くした場合と同様の効果が得られる。すなわち、並
列腕共振子の共振周波数よりも低域側にスプリアスが現
れる。また、このスプリアスの周波数位置は、電極指幅
を変えることにより任意に変えることができる。従っ
て、並列腕共振子の共振周波数と、ＳＡＷフィルタ１の
通過帯域との間に上記スプリアスの周波数位置を設定す
れば、通過帯域低域側におけるフィルタ特性の急峻性を
高めることができる。
極指３ａ1 ，３ａ2 の幅を、ＩＤＴ３の他の電極指３ａ
3 の幅よりも小さくした場合、反射波の位相変化が小さ
くなり、ＩＤＴ３ａと、反射器３ｂ，３ｃとのギャップ
を狭くした場合と同様の効果が得られる。すなわち、並
列腕共振子の共振周波数よりも低域側にスプリアスが現
れる。また、このスプリアスの周波数位置は、電極指幅
を変えることにより任意に変えることができる。従っ
て、並列腕共振子の共振周波数と、ＳＡＷフィルタ１の
通過帯域との間に上記スプリアスの周波数位置を設定す
れば、通過帯域低域側におけるフィルタ特性の急峻性を
高めることができる。
【００４６】また、ＩＤＴ３ａと反射器３ｂ，３ｃとの
ギャップを狭くする必要がないため、製造工程を複雑化
することなく、通過帯域の低域側におけるフィルタ特性
の急峻性を高めることができる。
ギャップを狭くする必要がないため、製造工程を複雑化
することなく、通過帯域の低域側におけるフィルタ特性
の急峻性を高めることができる。
【００４７】（第２の実施例）第２の実施例に係るＳＡ
Ｗフィルタは、並列腕共振子におけるＩＤＴの電極指の
構造が異なることを除いては、第１の実施例と同様であ
る。従って、図１を参照して説明したＳＡＷフィルタの
構造の説明を援用することにより、ＳＡＷフィルタの他
の構造についての説明を省略することとする。
Ｗフィルタは、並列腕共振子におけるＩＤＴの電極指の
構造が異なることを除いては、第１の実施例と同様であ
る。従って、図１を参照して説明したＳＡＷフィルタの
構造の説明を援用することにより、ＳＡＷフィルタの他
の構造についての説明を省略することとする。
【００４８】第２の実施例に係るＳＡＷフィルタでは、
並列腕共振子３は、図３に示す電極構造を有する。図３
に示すように、並列腕共振子３では、ＩＤＴ３ａの複数
本の電極指のうち、表面波伝搬方向最外側に位置する電
極指３ａ4 ，３ａ5 が、ＩＤＴ３ａの残りの電極指３ａ
3 の幅よりも大きくされている。なお、バスバー３ｄに
ついては、ＩＤＴ３ａのバスバーと、反射器３ｂ，３ｃ
のバスバーとを共通した構造とされているが、ＩＤＴ３
ａ及び反射器３ｂ，３ｃのバスバーは分離されていても
よい。
並列腕共振子３は、図３に示す電極構造を有する。図３
に示すように、並列腕共振子３では、ＩＤＴ３ａの複数
本の電極指のうち、表面波伝搬方向最外側に位置する電
極指３ａ4 ，３ａ5 が、ＩＤＴ３ａの残りの電極指３ａ
3 の幅よりも大きくされている。なお、バスバー３ｄに
ついては、ＩＤＴ３ａのバスバーと、反射器３ｂ，３ｃ
のバスバーとを共通した構造とされているが、ＩＤＴ３
ａ及び反射器３ｂ，３ｃのバスバーは分離されていても
よい。
【００４９】また、他の並列腕共振子５，７について
も、中央のＩＤＴ５ａ，７ａが、上記並列腕共振子３の
ＩＤＴ３ａと同様に構成されている。すなわち、ＩＤＴ
５ａ，７ａの最外側の電極指の幅が、該ＩＤＴ中の残り
の電極指の幅よりも大きくされている。
も、中央のＩＤＴ５ａ，７ａが、上記並列腕共振子３の
ＩＤＴ３ａと同様に構成されている。すなわち、ＩＤＴ
５ａ，７ａの最外側の電極指の幅が、該ＩＤＴ中の残り
の電極指の幅よりも大きくされている。
【００５０】本実施例のように、並列腕共振子３におけ
るＩＤＴ３ａの最外側の電極指３ａ 4 ，３ａ5 の幅を、
ＩＤＴ３ａの残りの電極指３ａ3 の幅より大きくする
と、反射波の位相変化が大きくなり、ＩＤＴ３ａと反射
器３ｂ，３ｃとの間隔を広くした場合と同じ効果が得ら
れる。すなわち、直列腕共振子の反共振周波数よりも高
域側にスプリアスが発生する。このスプリアスの発生す
る周波数位置は、上記ＩＤＴ３ａの最外側の電極指３ａ
4 ，３ａ5 の幅により任意に調整することができる。
るＩＤＴ３ａの最外側の電極指３ａ 4 ，３ａ5 の幅を、
ＩＤＴ３ａの残りの電極指３ａ3 の幅より大きくする
と、反射波の位相変化が大きくなり、ＩＤＴ３ａと反射
器３ｂ，３ｃとの間隔を広くした場合と同じ効果が得ら
れる。すなわち、直列腕共振子の反共振周波数よりも高
域側にスプリアスが発生する。このスプリアスの発生す
る周波数位置は、上記ＩＤＴ３ａの最外側の電極指３ａ
4 ，３ａ5 の幅により任意に調整することができる。
【００５１】従って、直列腕共振子４，６（図１参照）
の反共振周波数と、ＳＡＷフィルタ１の通過帯域との間
に上記スプリアスが発生するように、並列腕共振子３，
５，７のＩＤＴ３ａ，５ａ，７ａの最外側部の電極指の
幅を当該ＩＤＴの残りの電極指の幅よりも大きくするこ
とにより、通過帯域高域側におけるフィルタ特性の急峻
性を高めることができる。本実施例のＳＡＷフィルタに
おいても、例えば、ＩＤＴにおける電極指の幅を変更す
るだけで、通過帯域より高域側のフィルタ特性の急峻性
を高め得るため、電極間隔を一定とすることができ、製
造上のバラツキや電極のショート不良を抑えることがで
き、特開平９−５５６４０号公報に記載のＳＡＷフィル
タに比べて製造工程を容易とすることができる。
の反共振周波数と、ＳＡＷフィルタ１の通過帯域との間
に上記スプリアスが発生するように、並列腕共振子３，
５，７のＩＤＴ３ａ，５ａ，７ａの最外側部の電極指の
幅を当該ＩＤＴの残りの電極指の幅よりも大きくするこ
とにより、通過帯域高域側におけるフィルタ特性の急峻
性を高めることができる。本実施例のＳＡＷフィルタに
おいても、例えば、ＩＤＴにおける電極指の幅を変更す
るだけで、通過帯域より高域側のフィルタ特性の急峻性
を高め得るため、電極間隔を一定とすることができ、製
造上のバラツキや電極のショート不良を抑えることがで
き、特開平９−５５６４０号公報に記載のＳＡＷフィル
タに比べて製造工程を容易とすることができる。
【００５２】（第３の実施例）第１，第２の実施例は、
並列腕共振子３，５，７におけるＩＤＴの電極指の幅を
異ならせ、通過帯域から阻止域にかけてのフィルタ特性
の急峻化を図ったが、反射器における電極指の幅を異な
らせることによっても、同様に通過帯域から阻止域にか
けてのフィルタ特性の急峻化を図り得る。
並列腕共振子３，５，７におけるＩＤＴの電極指の幅を
異ならせ、通過帯域から阻止域にかけてのフィルタ特性
の急峻化を図ったが、反射器における電極指の幅を異な
らせることによっても、同様に通過帯域から阻止域にか
けてのフィルタ特性の急峻化を図り得る。
【００５３】第３の実施例に係るＳＡＷフィルタは、並
列腕共振子における反射器の電極指の幅を異ならせるこ
とにより、通過帯域から阻止域にかけてのフィルタ特性
の急峻化を図るものである。
列腕共振子における反射器の電極指の幅を異ならせるこ
とにより、通過帯域から阻止域にかけてのフィルタ特性
の急峻化を図るものである。
【００５４】なお、第３の実施例に係るＳＡＷフィルタ
は、図１に示したＳＡＷフィルタ１と、並列腕共振子の
反射器の構造を除いては同様とされている。従って、並
列腕共振子３，５，７のうち、並列腕共振子３を代表し
て、図４を参照して反射器の構造を説明する。
は、図１に示したＳＡＷフィルタ１と、並列腕共振子の
反射器の構造を除いては同様とされている。従って、並
列腕共振子３，５，７のうち、並列腕共振子３を代表し
て、図４を参照して反射器の構造を説明する。
【００５５】図４に示すように、並列腕共振子３におい
ては、ＩＤＴ３ａの両側にグレーティング反射器３ｂ，
３ｃが配置されているが、各反射器３ｂ，３ｃの複数本
の電極指のうち、ＩＤＴ３ａに最も近い側の電極指３ｂ
1 ，３ｃ1 の幅が、反射器３ｂ，３ｃの残りの電極指３
ｂ2 ，３ｃ2 よりも大きくされている。
ては、ＩＤＴ３ａの両側にグレーティング反射器３ｂ，
３ｃが配置されているが、各反射器３ｂ，３ｃの複数本
の電極指のうち、ＩＤＴ３ａに最も近い側の電極指３ｂ
1 ，３ｃ1 の幅が、反射器３ｂ，３ｃの残りの電極指３
ｂ2 ，３ｃ2 よりも大きくされている。
【００５６】ＩＤＴ３ａ及び反射器３ｂ，３ｃは、上述
した通り、類似の構造を有するため、弾性表面波を反射
させる。従って、反射器中に、部分的に電極指幅が異な
る電極指が存在すると、その電極指における反射により
位相の乱れが生じ、スプリアスが発生する。
した通り、類似の構造を有するため、弾性表面波を反射
させる。従って、反射器中に、部分的に電極指幅が異な
る電極指が存在すると、その電極指における反射により
位相の乱れが生じ、スプリアスが発生する。
【００５７】そして、反射器３ｂ，３ｃの複数本の電極
指のうち、ＩＤＴ３ａに最も近い側の電極指３ｂ1 ，３
ｃ1 の幅を残りの電極指の幅よりも大きくした場合に
は、反射波の位相変化が大きくなり、ＩＤＴにおける電
極指の間隔を広くした場合と同じ効果が得られる。すな
わち、並列腕共振子３により、直列腕共振子の反共振周
波数よりも高域側にスプリアスが発生し、このスプリア
スの周波数位置は、電極指３ｂ1 ，３ｃ1 の幅により任
意に調整することができる。
指のうち、ＩＤＴ３ａに最も近い側の電極指３ｂ1 ，３
ｃ1 の幅を残りの電極指の幅よりも大きくした場合に
は、反射波の位相変化が大きくなり、ＩＤＴにおける電
極指の間隔を広くした場合と同じ効果が得られる。すな
わち、並列腕共振子３により、直列腕共振子の反共振周
波数よりも高域側にスプリアスが発生し、このスプリア
スの周波数位置は、電極指３ｂ1 ，３ｃ1 の幅により任
意に調整することができる。
【００５８】よって、ラダー型フィルタを構成している
直列腕共振子４，６（図１参照）の反共振周波数と、フ
ィルタの通過帯域との間に上記スプリアスが現れるよう
に設定することにより、通過帯域高域側におけるフィル
タ特性の急峻性を高めることができる。
直列腕共振子４，６（図１参照）の反共振周波数と、フ
ィルタの通過帯域との間に上記スプリアスが現れるよう
に設定することにより、通過帯域高域側におけるフィル
タ特性の急峻性を高めることができる。
【００５９】なお、他の並列腕共振子５，７において
も、同様に反射器５ｂ，５ｃ，７ｂ，７ｃのＩＤＴ５
ａ，７ａに最も近い側の電極指の幅が該反射器の残りの
電極指の幅よりも大きくされている。
も、同様に反射器５ｂ，５ｃ，７ｂ，７ｃのＩＤＴ５
ａ，７ａに最も近い側の電極指の幅が該反射器の残りの
電極指の幅よりも大きくされている。
【００６０】本実施例においても、ＩＤＴと反射器との
間のギャップを調整する必要がないため、特開平９−５
５６４０号公報に開示されている方法に比べ、製造工程
を容易にすることができる。
間のギャップを調整する必要がないため、特開平９−５
５６４０号公報に開示されている方法に比べ、製造工程
を容易にすることができる。
【００６１】なお、本実施例では、反射器３ｂ，３ｃの
ＩＤＴ３ａに最も近い側の電極指３ｂ1 ，３ｃ1 の幅
を、反射器の残りの電極指３ｂ2 ，３ｃ2 よりも大きく
したが、逆に小さくし、それによって通過帯域の低域側
におけるフィルタ特性の急峻性を高めてもよい。
ＩＤＴ３ａに最も近い側の電極指３ｂ1 ，３ｃ1 の幅
を、反射器の残りの電極指３ｂ2 ，３ｃ2 よりも大きく
したが、逆に小さくし、それによって通過帯域の低域側
におけるフィルタ特性の急峻性を高めてもよい。
【００６２】（第４，５の実施例）第４の実施例に係る
ＳＡＷフィルタは、並列腕共振子の構造が異なることを
除いては、第１の実施例のＳＡＷフィルタ１と同様であ
るため、並列腕共振子以外の構成については、図１を参
照して説明した第１の実施例の説明を援用することとす
る。
ＳＡＷフィルタは、並列腕共振子の構造が異なることを
除いては、第１の実施例のＳＡＷフィルタ１と同様であ
るため、並列腕共振子以外の構成については、図１を参
照して説明した第１の実施例の説明を援用することとす
る。
【００６３】第４の実施例に係るＳＡＷフィルタにおけ
る並列腕共振子の構造を、並列腕共振子３を代表して図
５を参照して説明する。なお、並列腕共振子５，７につ
いても、並列腕共振子３と同様に構成されている。
る並列腕共振子の構造を、並列腕共振子３を代表して図
５を参照して説明する。なお、並列腕共振子５，７につ
いても、並列腕共振子３と同様に構成されている。
【００６４】図５に示す並列腕共振子３では、ＩＤＴ３
ａにおける複数本の電極指３ａ3 の電極指ピッチλIDT
が、反射器３ｂ，３ｃにおける電極指３ｂ2 ，３ｃ2 の
ピッチλIDT の１．０２倍とされている。この構造によ
って、弾性表面波の反射によるスプリアスが並列腕共振
子のストップバンドよりも低域側とされ、並列腕共振子
の低域側におけるフィルタ特性の急峻化が図られる。こ
の理由を、特開平９−５５６４０号公報に記載の先行技
術と対比して以下において説明する。
ａにおける複数本の電極指３ａ3 の電極指ピッチλIDT
が、反射器３ｂ，３ｃにおける電極指３ｂ2 ，３ｃ2 の
ピッチλIDT の１．０２倍とされている。この構造によ
って、弾性表面波の反射によるスプリアスが並列腕共振
子のストップバンドよりも低域側とされ、並列腕共振子
の低域側におけるフィルタ特性の急峻化が図られる。こ
の理由を、特開平９−５５６４０号公報に記載の先行技
術と対比して以下において説明する。
【００６５】上述したように、弾性表面波の反射による
スプリアスを通過帯域近傍に発生させて通過帯域近傍の
フィルタ特性の急峻性を高める場合、発生させたスプリ
アス近傍に、利用する主共振とスプリアスとの複合イン
ピーダンスによる並列共振が生じる。この並列共振のイ
ンピーダンス特性は、ＩＤＴと反射器との間の間隔を
０．５λRef （λRef は反射器の電極指ピッチ）以下と
した場合、すなわち、特開平９−５５６４０号公報に記
載の方法に従って並列腕共振子を構成した場合、図７
（ａ）に矢印Ａで示すように、スプリアスの低域側にお
いてインピーダンスがはね上がり、インピーダンスピー
クＡが現れる。逆に、上記ギャップを０．５λRef より
大きくした場合には、図８（ａ）に矢印Ｂで示すよう
に、スプリアスの高域側でインピーダンスピークＢが現
れる。
スプリアスを通過帯域近傍に発生させて通過帯域近傍の
フィルタ特性の急峻性を高める場合、発生させたスプリ
アス近傍に、利用する主共振とスプリアスとの複合イン
ピーダンスによる並列共振が生じる。この並列共振のイ
ンピーダンス特性は、ＩＤＴと反射器との間の間隔を
０．５λRef （λRef は反射器の電極指ピッチ）以下と
した場合、すなわち、特開平９−５５６４０号公報に記
載の方法に従って並列腕共振子を構成した場合、図７
（ａ）に矢印Ａで示すように、スプリアスの低域側にお
いてインピーダンスがはね上がり、インピーダンスピー
クＡが現れる。逆に、上記ギャップを０．５λRef より
大きくした場合には、図８（ａ）に矢印Ｂで示すよう
に、スプリアスの高域側でインピーダンスピークＢが現
れる。
【００６６】上記のように、スプリアスの低域側または
高域側においてインピーダンスが上昇し、高インピーダ
ンスピークＡ，Ｂが現れると、梯子型回路構成を有する
ＳＡＷフィルタ１を構成した場合、阻止帯域内にスパイ
ク状のリップルが現れ、減衰量の悪化を招く。特に、ス
プリアス共振のＱ値が高い場合には、上記高インピーダ
ンスピークＡ，Ｂの影響が大きくなり、十分な減衰量を
得られないことがある。
高域側においてインピーダンスが上昇し、高インピーダ
ンスピークＡ，Ｂが現れると、梯子型回路構成を有する
ＳＡＷフィルタ１を構成した場合、阻止帯域内にスパイ
ク状のリップルが現れ、減衰量の悪化を招く。特に、ス
プリアス共振のＱ値が高い場合には、上記高インピーダ
ンスピークＡ，Ｂの影響が大きくなり、十分な減衰量を
得られないことがある。
【００６７】上記高インピーダンスピークＡ，Ｂは、ス
プリアスの共振のＱ値を小さくすることによって抑制す
ることができる。従って、並列腕共振子に抵抗分を加
え、損失を大きくすれば、Ｑ値を低めることはできる。
しかしながら、その場合には、主共振のＱ値も低くなる
ため、フィルタ特性が悪化することになる。特に、ラダ
ー型フィルタでは、並列腕共振子の反共振点を通過帯域
として使用しているため、Ｑ値の低下により、反共振点
付近のフィルタ特性が悪化すると、挿入損失が大きく悪
化する。
プリアスの共振のＱ値を小さくすることによって抑制す
ることができる。従って、並列腕共振子に抵抗分を加
え、損失を大きくすれば、Ｑ値を低めることはできる。
しかしながら、その場合には、主共振のＱ値も低くなる
ため、フィルタ特性が悪化することになる。特に、ラダ
ー型フィルタでは、並列腕共振子の反共振点を通過帯域
として使用しているため、Ｑ値の低下により、反共振点
付近のフィルタ特性が悪化すると、挿入損失が大きく悪
化する。
【００６８】従って、スプリアス共振付近では、Ｑ値を
低くし、主共振の反共振周波数付近ではＱ値を高める必
要がある。本実施例では、上記の条件を実現するため
に、並列腕共振子におけるＩＤＴと反射器との電極指間
ピッチ比を異ならせることにより上記条件を実現してい
る。すなわち、上述した通り、反射器３ｂ，３ｃの電極
指間ピッチ比べて、ＩＤＴ３ａにおける電極指間ピッチ
を大きくすることにより、スプリアス共振付近でＱ値を
低め、主共振の共振周波数付近でＱ値を高めることを可
能としている。
低くし、主共振の反共振周波数付近ではＱ値を高める必
要がある。本実施例では、上記の条件を実現するため
に、並列腕共振子におけるＩＤＴと反射器との電極指間
ピッチ比を異ならせることにより上記条件を実現してい
る。すなわち、上述した通り、反射器３ｂ，３ｃの電極
指間ピッチ比べて、ＩＤＴ３ａにおける電極指間ピッチ
を大きくすることにより、スプリアス共振付近でＱ値を
低め、主共振の共振周波数付近でＱ値を高めることを可
能としている。
【００６９】キャビティタイプの１ポート型ＳＡＷ共振
子は、本来、ＩＤＴの両側に設けられた反射器により、
表面波エネルギーを共振子内に閉じ込めることにより、
高いＱ値を得ている。反射器の反射率は、ストップバン
ドと呼ばれる有限の周波数範囲内で全反射に近くなる
が、ストップバンド外では、反射率が低く、エネルギー
閉じ込め効率が悪くなる。そのため、主共振の反共振周
波数をストップバンド内に、スプリアス共振をストップ
バンド外に位置するように、上記ストップバンド周波数
を設定することにより、挿入損失を悪化させることな
く、スプリアスの上記の高インピーダンスピークを抑制
することができる。
子は、本来、ＩＤＴの両側に設けられた反射器により、
表面波エネルギーを共振子内に閉じ込めることにより、
高いＱ値を得ている。反射器の反射率は、ストップバン
ドと呼ばれる有限の周波数範囲内で全反射に近くなる
が、ストップバンド外では、反射率が低く、エネルギー
閉じ込め効率が悪くなる。そのため、主共振の反共振周
波数をストップバンド内に、スプリアス共振をストップ
バンド外に位置するように、上記ストップバンド周波数
を設定することにより、挿入損失を悪化させることな
く、スプリアスの上記の高インピーダンスピークを抑制
することができる。
【００７０】他方、ストップバンドの中心周波数は、反
射器の電極指ピッチλRef で決定され、ストップバンド
の帯域幅は、反射器の電極指の反射率及び電極指の幅に
よって決定される。また、並列腕共振子の共振周波数及
び反共振周波数は、ＩＤＴの電極指ピッチλIDT によっ
て決定される。従って、ＩＤＴの電極指ピッチλ
IDTと、反射器の電極指ピッチλRef との比を調整すれ
ば、共振周波数あるいは反共振周波数をストップバンド
に対して任意の位置に設定することができる。
射器の電極指ピッチλRef で決定され、ストップバンド
の帯域幅は、反射器の電極指の反射率及び電極指の幅に
よって決定される。また、並列腕共振子の共振周波数及
び反共振周波数は、ＩＤＴの電極指ピッチλIDT によっ
て決定される。従って、ＩＤＴの電極指ピッチλ
IDTと、反射器の電極指ピッチλRef との比を調整すれ
ば、共振周波数あるいは反共振周波数をストップバンド
に対して任意の位置に設定することができる。
【００７１】本実施例では、上記のように、ＩＤＴ３ａ
の電極指ピッチを反射器３ｂ，３ｃの電極指ピッチより
も大きくしたことにより、並列腕共振子３の共振周波数
がストップバンドよりも低い周波数側（高い周波数側）
に移動され、それによって上記高インピーダンスピーク
Ａが抑制される。すなわち、図７（ｂ）は、本実施例に
おけるインピーダンス−周波数特性を示し、図７（ａ）
に示す特性と比較すると、通過帯域よりも低域側におけ
る高インピーダンスピークＡが抑圧されていることがわ
かる。
の電極指ピッチを反射器３ｂ，３ｃの電極指ピッチより
も大きくしたことにより、並列腕共振子３の共振周波数
がストップバンドよりも低い周波数側（高い周波数側）
に移動され、それによって上記高インピーダンスピーク
Ａが抑制される。すなわち、図７（ｂ）は、本実施例に
おけるインピーダンス−周波数特性を示し、図７（ａ）
に示す特性と比較すると、通過帯域よりも低域側におけ
る高インピーダンスピークＡが抑圧されていることがわ
かる。
【００７２】逆に、図８（ｂ）は、図６に示す第５の実
施例のように、ＩＤＴ３ａの電極指ピッチλIDT を、反
射器３ｂ，３ｃの電極指ピッチλRef よりも狭くした場
合のインピーダンス−周波数特性を示す。この場合にお
いても、共振子の周波数がストップバンドの高い方に移
動し、かつスプリアス共振がストップバンドから外れ、
上記高インピーダンスピークが抑制されることがわか
る。
施例のように、ＩＤＴ３ａの電極指ピッチλIDT を、反
射器３ｂ，３ｃの電極指ピッチλRef よりも狭くした場
合のインピーダンス−周波数特性を示す。この場合にお
いても、共振子の周波数がストップバンドの高い方に移
動し、かつスプリアス共振がストップバンドから外れ、
上記高インピーダンスピークが抑制されることがわか
る。
【００７３】図９は、上記並列腕共振子により発生され
るスプリアス付近のインピーダンス特性をより詳細に説
明する図である。図９は、ＩＤＴ３ａと反射器３ｂ，３
ｃとの間のギャップを小さくし、スプリアスを共振周波
数−反共振周波数間で発生させた場合の特性を示す。な
お、図９において、実線ＣはＩＤＴの電極指ピッチの反
射器の電極指ピッチに対する比を１．０２、反射器とＩ
ＤＴとの間の間隔すなわち上記ギャップが０．３３λ
IDT となるように、ＩＤＴにおける電極指幅の異ならせ
方を設定した場合の特性を、破線Ｄは上記電極指ピッチ
比を１．００、ギャップを０．４０λIDT となるよう
に、ＩＤＴにおける電極指幅の異ならせ方を設定した場
合の特性を、一点鎖線Ｅは、上記電極指ピッチ比＝１．
００、ギャップ＝０．５０λIDT となるように、ＩＤＴ
における電極指幅の異ならせ方を設定した場合の特性を
示す。
るスプリアス付近のインピーダンス特性をより詳細に説
明する図である。図９は、ＩＤＴ３ａと反射器３ｂ，３
ｃとの間のギャップを小さくし、スプリアスを共振周波
数−反共振周波数間で発生させた場合の特性を示す。な
お、図９において、実線ＣはＩＤＴの電極指ピッチの反
射器の電極指ピッチに対する比を１．０２、反射器とＩ
ＤＴとの間の間隔すなわち上記ギャップが０．３３λ
IDT となるように、ＩＤＴにおける電極指幅の異ならせ
方を設定した場合の特性を、破線Ｄは上記電極指ピッチ
比を１．００、ギャップを０．４０λIDT となるよう
に、ＩＤＴにおける電極指幅の異ならせ方を設定した場
合の特性を、一点鎖線Ｅは、上記電極指ピッチ比＝１．
００、ギャップ＝０．５０λIDT となるように、ＩＤＴ
における電極指幅の異ならせ方を設定した場合の特性を
示す。
【００７４】図９から明らかなように、スプリアスを発
生させない一点鎖線Ｅの特性に比べ、実線Ｃ及び破線Ｄ
に示すインピーダンス特性では、反共振周波数から共振
周波数にかけての共振子のインピーダンス変化が大きく
なることがわかる。また、ピッチ比を１．０２とした場
合（実線Ｃ）と、１．０とした場合（破線Ｄ）のインピ
ーダンス変化を比較すると、そのインピーダンス変化の
急峻性にはほとんど差がないことがわかる。
生させない一点鎖線Ｅの特性に比べ、実線Ｃ及び破線Ｄ
に示すインピーダンス特性では、反共振周波数から共振
周波数にかけての共振子のインピーダンス変化が大きく
なることがわかる。また、ピッチ比を１．０２とした場
合（実線Ｃ）と、１．０とした場合（破線Ｄ）のインピ
ーダンス変化を比較すると、そのインピーダンス変化の
急峻性にはほとんど差がないことがわかる。
【００７５】他方、スプリアスの上記高インピーダンス
ピークについては、電極指ピッチ比を１．０２とした実
線Ｃで示す特性の方が、破線Ｄで示す特性よりも小さく
なることがわかる。従って、実線Ｃで示す特性のよう
に、電極指ピッチ比を１より大きくし、上記ギャップを
０．５λより小さくすることにより、高い急峻性を維持
したままスプリアスによる減衰量の悪化を抑制し得るこ
とがわかる。
ピークについては、電極指ピッチ比を１．０２とした実
線Ｃで示す特性の方が、破線Ｄで示す特性よりも小さく
なることがわかる。従って、実線Ｃで示す特性のよう
に、電極指ピッチ比を１より大きくし、上記ギャップを
０．５λより小さくすることにより、高い急峻性を維持
したままスプリアスによる減衰量の悪化を抑制し得るこ
とがわかる。
【００７６】図１０は、上記スプリアスを反共振周波数
よりも高域側に発生させた場合の共振子のインピーダン
ス特性を示す図である。反共振周波数よりも高域側にお
いて急峻性が要求される場合には、並列腕共振子の反共
振周波数の高域側にスプリアス成分が現れるように、Ｉ
ＤＴと反射器とのギャップを０．５λ以上に設定し、ス
トップバンドの上限が反共振周波数とスプリアス周波数
との間に位置するように、上記電極指ピッチ比を１以下
に設定すればよい。
よりも高域側に発生させた場合の共振子のインピーダン
ス特性を示す図である。反共振周波数よりも高域側にお
いて急峻性が要求される場合には、並列腕共振子の反共
振周波数の高域側にスプリアス成分が現れるように、Ｉ
ＤＴと反射器とのギャップを０．５λ以上に設定し、ス
トップバンドの上限が反共振周波数とスプリアス周波数
との間に位置するように、上記電極指ピッチ比を１以下
に設定すればよい。
【００７７】図１０における実線Ｆは、上記電極指ピッ
チ比＝０．９８、ギャップ＝０．６０λIDT 、破線Ｇ
は、電極指ピッチ比＝１．００、ギャップ＝０．６５λ
IDT 、一点鎖線Ｈは、電極比ピッチ比＝１．００、キャ
ップ＝０．５０λIDT の場合の各特性を示す。
チ比＝０．９８、ギャップ＝０．６０λIDT 、破線Ｇ
は、電極指ピッチ比＝１．００、ギャップ＝０．６５λ
IDT 、一点鎖線Ｈは、電極比ピッチ比＝１．００、キャ
ップ＝０．５０λIDT の場合の各特性を示す。
【００７８】図１０から明らかなように、この場合にお
いても、ギャップ＝０．５０λIDTの場合の一点鎖線Ｈ
で示す特性に比べ、ＩＤＴにおける電極指幅を異ならせ
てギャップを大きくし、スプリアスを発生させた実線Ｆ
及び破線Ｇで示すインピーダンス特性では、反共振周波
数から高域側にかけてのインピーダンス変化の急峻性が
高められることがわかる。
いても、ギャップ＝０．５０λIDTの場合の一点鎖線Ｈ
で示す特性に比べ、ＩＤＴにおける電極指幅を異ならせ
てギャップを大きくし、スプリアスを発生させた実線Ｆ
及び破線Ｇで示すインピーダンス特性では、反共振周波
数から高域側にかけてのインピーダンス変化の急峻性が
高められることがわかる。
【００７９】さらに、実線Ｆと、破線Ｇとを比較すれ
ば、電極指ピッチ比を０．９８とした実線Ｆの特性の方
が、上記スプリアスにおける高インピーダンスピークを
小さくし得ることがわかる。
ば、電極指ピッチ比を０．９８とした実線Ｆの特性の方
が、上記スプリアスにおける高インピーダンスピークを
小さくし得ることがわかる。
【００８０】図１１は、図５に示した並列腕共振子３に
おいて、電極指ピッチ比を１．０２とした場合のＳＡＷ
フィルタ１の周波数特性を示す。なお、他の並列腕共振
子５，７についても同様の電極指ピッチ比を有するよう
に構成されている。
おいて、電極指ピッチ比を１．０２とした場合のＳＡＷ
フィルタ１の周波数特性を示す。なお、他の並列腕共振
子５，７についても同様の電極指ピッチ比を有するよう
に構成されている。
【００８１】通常の電極指ピッチ比＝１．００の並列腕
共振子を用いた場合には、図１１の破線Ｉで示すよう
に、通過帯域の低域側の減衰域に高インピーダンスピー
クが生じるが、このようにピッチ比を１．０２と大きく
することにより、高インピーダンスピークを抑制するこ
とができ、減衰量を約３ｄＢ改善し得ることがわかる。
共振子を用いた場合には、図１１の破線Ｉで示すよう
に、通過帯域の低域側の減衰域に高インピーダンスピー
クが生じるが、このようにピッチ比を１．０２と大きく
することにより、高インピーダンスピークを抑制するこ
とができ、減衰量を約３ｄＢ改善し得ることがわかる。
【００８２】図１２は、第５の実施例において、図６に
示した並列腕共振子３における電極指ピッチ比を０．９
８とした場合のＳＡＷフィルタ１の周波数特性を示す図
である。なお、他の並列腕共振子５，７においても、電
極指ピッチ比は０．９８とされている。また、図１２の
破線Ｊは、通常の電極ピッチ比＝１．００の並列腕共振
子を用いた場合の特性である。
示した並列腕共振子３における電極指ピッチ比を０．９
８とした場合のＳＡＷフィルタ１の周波数特性を示す図
である。なお、他の並列腕共振子５，７においても、電
極指ピッチ比は０．９８とされている。また、図１２の
破線Ｊは、通常の電極ピッチ比＝１．００の並列腕共振
子を用いた場合の特性である。
【００８３】図１２から明らかなように、電極指ピッチ
比が１．００の場合には、破線Ｊで示されているよう
に、通過帯域よりも高域側の減衰域に高インピーダンス
ピークに基づく不要スプリアスが生じるが、本実施例で
は、ピッチ比を０．９８と小さくすることにより、該高
インピーダンスピークを抑制することができ、減衰量を
約３ｄＢ改善し得ることがわかる。
比が１．００の場合には、破線Ｊで示されているよう
に、通過帯域よりも高域側の減衰域に高インピーダンス
ピークに基づく不要スプリアスが生じるが、本実施例で
は、ピッチ比を０．９８と小さくすることにより、該高
インピーダンスピークを抑制することができ、減衰量を
約３ｄＢ改善し得ることがわかる。
【００８４】従って、上述した第５，第６の実施例から
明らかなように、並列腕共振子におけるＩＤＴと反射器
との電極指ピッチ比を調節することにより、通過帯域の
近傍において高い急峻性を有するフィルタ特性を実現し
得ることがわかる。
明らかなように、並列腕共振子におけるＩＤＴと反射器
との電極指ピッチ比を調節することにより、通過帯域の
近傍において高い急峻性を有するフィルタ特性を実現し
得ることがわかる。
【００８５】（第６の実施例）図１３は本発明の第６の
実施例に係るＳＡＷフィルタを説明するための模式的平
面図である。本実施例のＳＡＷフィルタ２１では、表面
波基板２２上に、５個のＳＡＷ共振子が構成されてい
る。すなわち、３個の並列腕共振子２３，２５，２７
と、２個の直列腕共振子２４，２６とを有する。すなわ
ち、入力端子ＩＮと、出力端子ＯＵＴとの間に、直列腕
共振子として、１ポート型ＳＡＷ共振子２４，２６が、
挿入されている。また、並列腕共振子２３，２５，２７
は、それぞれ、直列腕とアース電位との間に接続されて
いる。なお、２８〜３０は、それぞれ、接続電極を示
し、上記並列腕共振子２３，２５，２７及び直列腕共振
子２４，２６を有する梯子型回路を構成している。
実施例に係るＳＡＷフィルタを説明するための模式的平
面図である。本実施例のＳＡＷフィルタ２１では、表面
波基板２２上に、５個のＳＡＷ共振子が構成されてい
る。すなわち、３個の並列腕共振子２３，２５，２７
と、２個の直列腕共振子２４，２６とを有する。すなわ
ち、入力端子ＩＮと、出力端子ＯＵＴとの間に、直列腕
共振子として、１ポート型ＳＡＷ共振子２４，２６が、
挿入されている。また、並列腕共振子２３，２５，２７
は、それぞれ、直列腕とアース電位との間に接続されて
いる。なお、２８〜３０は、それぞれ、接続電極を示
し、上記並列腕共振子２３，２５，２７及び直列腕共振
子２４，２６を有する梯子型回路を構成している。
【００８６】前述した各実施例では、複数の並列腕共振
子として、全て同じものを用いたが、本実施例のＳＡＷ
フィルタ２１では、並列腕共振子２３，２５，２７にお
いて、ＩＤＴの最外側の電極指幅と他の電極指幅との異
ならせ方が異なっている。すなわち、並列腕共振子２５
におけるＩＤＴ２５と反射器２５ｂ，２５ｃとの間のギ
ャップが０．５６λIDT となるようにＩＤＴにおける電
極指幅が異ならされているのに対し、並列腕共振子２
３，２７では、上記ギャップが０．４２λIDT となるよ
うにＩＤＴにおける電極指幅が異ならされている。な
お、各並列腕共振子２３，２５，２７には、上記ギャッ
プを除いては、それぞれ、第１〜第５の実施例に従って
構成され得る。その他の点については、図１に示したＳ
ＡＷフィルタ１と同様に構成されている。
子として、全て同じものを用いたが、本実施例のＳＡＷ
フィルタ２１では、並列腕共振子２３，２５，２７にお
いて、ＩＤＴの最外側の電極指幅と他の電極指幅との異
ならせ方が異なっている。すなわち、並列腕共振子２５
におけるＩＤＴ２５と反射器２５ｂ，２５ｃとの間のギ
ャップが０．５６λIDT となるようにＩＤＴにおける電
極指幅が異ならされているのに対し、並列腕共振子２
３，２７では、上記ギャップが０．４２λIDT となるよ
うにＩＤＴにおける電極指幅が異ならされている。な
お、各並列腕共振子２３，２５，２７には、上記ギャッ
プを除いては、それぞれ、第１〜第５の実施例に従って
構成され得る。その他の点については、図１に示したＳ
ＡＷフィルタ１と同様に構成されている。
【００８７】ラダー型フィルタでは、複数の並列腕共振
子を用いる場合、各並列腕共振子を個別に設計すること
ができる。従って、前述してきたフィルタ特性の急峻化
を図るために導入するスプリアスについても、各並列腕
共振子において異なる周波数位置に設けることができ
る。よって、複数の並列腕共振子において上記スプリア
スの周波数位置を僅かにずらすことにより、フィルタ特
性の急峻性は若干劣化するものの、前述したスプリアス
に伴う高インピーダンスピークを効果的に抑圧すること
ができ、良好な減衰特性を得ることができる。また、ス
プリアス周波数を並列腕共振子間において異ならせるこ
とにより、製造時のばらつきによる歩留まりの低下を抑
制することもできる。
子を用いる場合、各並列腕共振子を個別に設計すること
ができる。従って、前述してきたフィルタ特性の急峻化
を図るために導入するスプリアスについても、各並列腕
共振子において異なる周波数位置に設けることができ
る。よって、複数の並列腕共振子において上記スプリア
スの周波数位置を僅かにずらすことにより、フィルタ特
性の急峻性は若干劣化するものの、前述したスプリアス
に伴う高インピーダンスピークを効果的に抑圧すること
ができ、良好な減衰特性を得ることができる。また、ス
プリアス周波数を並列腕共振子間において異ならせるこ
とにより、製造時のばらつきによる歩留まりの低下を抑
制することもできる。
【００８８】特に、通過帯域の高域側及び低域側のいず
れにおいても、通過帯域近傍の減衰量を大きくすること
が必要な場合に、本実施例の構成を好適に用いることが
できる。すなわち、並列腕共振子２３，２７の上記ギャ
ップを０．４２λIDT のように０．５λIDT よりも小さ
くなるようにＩＤＴにおける電極指幅を異ならせ、それ
によって通過帯域よりも低域側に上記急峻性を高めるた
めのスプリアスを発生させ、他方、並列腕共振子２５の
上記ギャップを０．５６λIDT のように０．５λIDT よ
りも大きくし、通過帯域の高域側に急峻性を高めるため
のスプリアスを発生させることにより、通過帯域の高域
側及び低域側の両側においてフィルタ特性の急峻性を高
めることができる。
れにおいても、通過帯域近傍の減衰量を大きくすること
が必要な場合に、本実施例の構成を好適に用いることが
できる。すなわち、並列腕共振子２３，２７の上記ギャ
ップを０．４２λIDT のように０．５λIDT よりも小さ
くなるようにＩＤＴにおける電極指幅を異ならせ、それ
によって通過帯域よりも低域側に上記急峻性を高めるた
めのスプリアスを発生させ、他方、並列腕共振子２５の
上記ギャップを０．５６λIDT のように０．５λIDT よ
りも大きくし、通過帯域の高域側に急峻性を高めるため
のスプリアスを発生させることにより、通過帯域の高域
側及び低域側の両側においてフィルタ特性の急峻性を高
めることができる。
【００８９】図１４は、本実施例のＳＡＷフィルタの周
波数特性を示す。比較のために、図１５に、従来のＳＡ
Ｗフィルタの減衰量周波数特性を示す。なお、図１５に
示す特性は、全ての並列腕共振子のギャップ、電極指幅
及びピッチを等しくし、ギャップ＝０．５λIDT とした
場合の特性を示す。図１４及び図１５の比較から明らか
なように、本実施例のＳＡＷフィルタでは、通過帯域近
傍の減衰量約１０ｄＢ改善し得ることがわかる。
波数特性を示す。比較のために、図１５に、従来のＳＡ
Ｗフィルタの減衰量周波数特性を示す。なお、図１５に
示す特性は、全ての並列腕共振子のギャップ、電極指幅
及びピッチを等しくし、ギャップ＝０．５λIDT とした
場合の特性を示す。図１４及び図１５の比較から明らか
なように、本実施例のＳＡＷフィルタでは、通過帯域近
傍の減衰量約１０ｄＢ改善し得ることがわかる。
【００９０】（第７の実施例）第７の実施例は、本発明
に係る弾性表面波フィルタをパッケージ内に収納してな
る弾性表面波フィルタ装置についての実施例である。
に係る弾性表面波フィルタをパッケージ内に収納してな
る弾性表面波フィルタ装置についての実施例である。
【００９１】比較のために、まず図１６を参照して従来
の弾性表面波フィルタ装置を説明する。弾性表面波フィ
ルタ装置３１は、パッケージ３２内に図２６に示した弾
性表面波フィルタ１０１を収納した構造を有する。すな
わち、弾性表面波フィルタ１０１は、パッケージ３２の
底面３２ａに固定されている。パッケージ３２では、底
面３２ａの両側に段部３２ｂ，３２ｃが形成されてい
る。段部３２ｂ上にそれぞれ、電極３３ａ〜３３ｃ，３
４ａ〜３４ｃが形成されている。電極３３ａ〜３３ｃ，
３４ａ〜３４ｃは、パッケージ３２外に引き出されてお
り、外部と電気的接続し得るように構成されている。
の弾性表面波フィルタ装置を説明する。弾性表面波フィ
ルタ装置３１は、パッケージ３２内に図２６に示した弾
性表面波フィルタ１０１を収納した構造を有する。すな
わち、弾性表面波フィルタ１０１は、パッケージ３２の
底面３２ａに固定されている。パッケージ３２では、底
面３２ａの両側に段部３２ｂ，３２ｃが形成されてい
る。段部３２ｂ上にそれぞれ、電極３３ａ〜３３ｃ，３
４ａ〜３４ｃが形成されている。電極３３ａ〜３３ｃ，
３４ａ〜３４ｃは、パッケージ３２外に引き出されてお
り、外部と電気的接続し得るように構成されている。
【００９２】ＳＡＷフィルタ１０１の並列腕共振子１０
３のＩＤＴ１０３ａの一方のくし歯電極すなわち、アー
ス電位に接続されるくし歯電極が、ボンディングワイア
３５ａにより電極３３ａに接続されている。電極３３ａ
は、アース電位に接続される電極である。
３のＩＤＴ１０３ａの一方のくし歯電極すなわち、アー
ス電位に接続されるくし歯電極が、ボンディングワイア
３５ａにより電極３３ａに接続されている。電極３３ａ
は、アース電位に接続される電極である。
【００９３】また、接続電極１０８が、ボンディングワ
イア３５ｂにより電極３３ｂに接続されている。並列腕
共振子１０５のＩＤＴの一方のくし歯電極が、ボンディ
ングワイア３５ｃにより電極３４ａに接続されている。
電極３４ａは、アース電位に接続される電極である。
イア３５ｂにより電極３３ｂに接続されている。並列腕
共振子１０５のＩＤＴの一方のくし歯電極が、ボンディ
ングワイア３５ｃにより電極３４ａに接続されている。
電極３４ａは、アース電位に接続される電極である。
【００９４】また、接続電極１１０がボンディングワイ
ア３５ｄにより電極３４ｂに接続されている。他方、並
列腕共振子１０７のＩＤＴの一方のくし歯電極がボンデ
ィングワイア３５ｅにより電極３４ｃに接続されてい
る。電極３４ｃは、アース電位に接続される電極であ
る。
ア３５ｄにより電極３４ｂに接続されている。他方、並
列腕共振子１０７のＩＤＴの一方のくし歯電極がボンデ
ィングワイア３５ｅにより電極３４ｃに接続されてい
る。電極３４ｃは、アース電位に接続される電極であ
る。
【００９５】なお、電極３３ｂが入力端子に接続される
電極であり、電極３４ｂが出力端子に接続される電極で
ある。従って、ＳＡＷフィルタ装置３１では、５本のボ
ンディングワイア３５ａ〜３５ｅにより、パッケージに
形成された電極３３ａ，３３ｂ，３４ａ〜３４ｃに接続
されている。
電極であり、電極３４ｂが出力端子に接続される電極で
ある。従って、ＳＡＷフィルタ装置３１では、５本のボ
ンディングワイア３５ａ〜３５ｅにより、パッケージに
形成された電極３３ａ，３３ｂ，３４ａ〜３４ｃに接続
されている。
【００９６】他方、図１７は、本発明の第７の実施例に
係るＳＡＷフィルタ装置を説明するための平面図であ
る。本実施例のＳＡＷフィルタ装置４１では、パッケー
ジ４２内に第１の実施例に係るＳＡＷフィルタ１が収納
されている。パッケージ４２は、前述したパッケージ３
２と同様に構成されている。すなわち、底面４２ａの両
側に、底面４２ａよりも高さの高い段部４２ｂ，４２ｃ
が形成されており、段部４２ｂ上に電極４３ａ〜４３ｃ
が段部４２ｃ上に電極４４ａ〜４４ｃがそれぞれ形成さ
れている。
係るＳＡＷフィルタ装置を説明するための平面図であ
る。本実施例のＳＡＷフィルタ装置４１では、パッケー
ジ４２内に第１の実施例に係るＳＡＷフィルタ１が収納
されている。パッケージ４２は、前述したパッケージ３
２と同様に構成されている。すなわち、底面４２ａの両
側に、底面４２ａよりも高さの高い段部４２ｂ，４２ｃ
が形成されており、段部４２ｂ上に電極４３ａ〜４３ｃ
が段部４２ｃ上に電極４４ａ〜４４ｃがそれぞれ形成さ
れている。
【００９７】ＳＡＷフィルタ１の並列腕共振子３のＩＤ
Ｔのアース電位に接続される側のくし歯電極が、ボンデ
ィングワイア４５ａ，４５ｂにより、電極４３ａ，４３
ｃに接続されている。すなわち、このＩＤＴのアース電
位に接続されるくし歯電極は、２本のボンディングワイ
ア４５ａ，４５ｂにより、パッケージ４２側の異なるア
ース電位に接続される電極４３ａ，４３ｃに接続されて
いる。
Ｔのアース電位に接続される側のくし歯電極が、ボンデ
ィングワイア４５ａ，４５ｂにより、電極４３ａ，４３
ｃに接続されている。すなわち、このＩＤＴのアース電
位に接続されるくし歯電極は、２本のボンディングワイ
ア４５ａ，４５ｂにより、パッケージ４２側の異なるア
ース電位に接続される電極４３ａ，４３ｃに接続されて
いる。
【００９８】他方、接続電極８は、ボンディングワイア
４５ｃにより入力電極としての電極４３ｂに接続されて
いる。また、並列腕共振子５のＩＤＴのアース電位に接
続される側のくし歯電極は、ボンディングワイア４５
ｄ，４５ｅにより、それぞれ、アース電位に接続される
異なる電極４４ａ，４４ｃに接続されている。すなわ
ち、２本のボンディングワイア４５ｄ，４５ｅにより、
パッケージ４２側に形成されたアース電位に接続される
異なる電極４４ａ，４４ｃに接続されている。
４５ｃにより入力電極としての電極４３ｂに接続されて
いる。また、並列腕共振子５のＩＤＴのアース電位に接
続される側のくし歯電極は、ボンディングワイア４５
ｄ，４５ｅにより、それぞれ、アース電位に接続される
異なる電極４４ａ，４４ｃに接続されている。すなわ
ち、２本のボンディングワイア４５ｄ，４５ｅにより、
パッケージ４２側に形成されたアース電位に接続される
異なる電極４４ａ，４４ｃに接続されている。
【００９９】また、接続電極１０は、ボンディングワイ
ア４５ｆにより、パッケージ４２に形成された出力電極
としての電極４４ｂに接続されている。さらに、並列腕
共振子１０７のＩＤＴのアース電位に接続されるくし歯
電極が、ボンディングワイア４５ｇによりパッケージ４
２側に形成されたアース電位に接続される電極４４ｃに
接続されている。
ア４５ｆにより、パッケージ４２に形成された出力電極
としての電極４４ｂに接続されている。さらに、並列腕
共振子１０７のＩＤＴのアース電位に接続されるくし歯
電極が、ボンディングワイア４５ｇによりパッケージ４
２側に形成されたアース電位に接続される電極４４ｃに
接続されている。
【０１００】前述したとおり、並列腕共振子において前
述したスプリアスを利用して通過帯域から阻止域にかけ
てのフィルタ特性の急峻化を図る場合、スプリアスに伴
う高インピーダンスピークは、スプリアス周波数付近の
減衰量が小さい場合に顕著に現れ、減衰量が大きくなる
に従って抑圧される。通過帯域よりも低域側の減衰量
は、並列腕共振子の共振周波数付近で最大となり、共振
周波数から離れると急速に小さくなる。
述したスプリアスを利用して通過帯域から阻止域にかけ
てのフィルタ特性の急峻化を図る場合、スプリアスに伴
う高インピーダンスピークは、スプリアス周波数付近の
減衰量が小さい場合に顕著に現れ、減衰量が大きくなる
に従って抑圧される。通過帯域よりも低域側の減衰量
は、並列腕共振子の共振周波数付近で最大となり、共振
周波数から離れると急速に小さくなる。
【０１０１】そこで、スプリアス周波数と並列腕共振子
の共振周波数を近づけることにより、上記スプリアスに
伴う高インピーダンスピークを抑圧することができる。
しかしながら、スプリアス周波数を低くしてスプリアス
周波数と並列腕共振子の共振周波数を近づけると、スプ
リアスによるトラップが通過帯域の肩をはずれ、フィル
タ特性を急峻化する効果が得られなくなる。従って、主
共振の共振周波数のみを高くする必要がある。
の共振周波数を近づけることにより、上記スプリアスに
伴う高インピーダンスピークを抑圧することができる。
しかしながら、スプリアス周波数を低くしてスプリアス
周波数と並列腕共振子の共振周波数を近づけると、スプ
リアスによるトラップが通過帯域の肩をはずれ、フィル
タ特性を急峻化する効果が得られなくなる。従って、主
共振の共振周波数のみを高くする必要がある。
【０１０２】他方、１ポート型ＳＡＷ共振子の共振周波
数は、該１ポート型ＳＡＷ共振子に直列にインダクタン
スを挿入することにより低くなることが知られている。
また、ＳＡＷフィルタ装置では、通常、ＡｌやＡｕなど
からなるボンディングワイアによりパッケージとの電気
的接続が図られているが、この配線用ボンディングワイ
アによりインダクタンスが必然的に加わることになる。
数は、該１ポート型ＳＡＷ共振子に直列にインダクタン
スを挿入することにより低くなることが知られている。
また、ＳＡＷフィルタ装置では、通常、ＡｌやＡｕなど
からなるボンディングワイアによりパッケージとの電気
的接続が図られているが、この配線用ボンディングワイ
アによりインダクタンスが必然的に加わることになる。
【０１０３】また、パッケージの内部配線によるインダ
クタンス分や外部回路によるインダクタンス分も存在す
る。従って、共振周波数を高めるには、これらのインダ
クタンスをなるべく小さくする必要がある。
クタンス分や外部回路によるインダクタンス分も存在す
る。従って、共振周波数を高めるには、これらのインダ
クタンスをなるべく小さくする必要がある。
【０１０４】図１７に示した第７の実施例に係るＳＡＷ
フィルタ装置４１は、ボンディングワイアによる接続構
造を工夫することにより、上記インダクタンス分を低下
させたことに特徴を有する。これを、図１９及び図２０
を参照して説明する。
フィルタ装置４１は、ボンディングワイアによる接続構
造を工夫することにより、上記インダクタンス分を低下
させたことに特徴を有する。これを、図１９及び図２０
を参照して説明する。
【０１０５】図１９は、図１６に示した従来のＳＡＷフ
ィルタ装置のインダクタンス分を含めた等価回路を示す
回路図である。ここでは、並列腕共振子には、ボンディ
ングワイアのインダクタンスＬ１、パッケージ３２の残
留インダクタンスＬ２、外部回路のアース電極の残留イ
ンダクタンスＬ３が直列に接続されるため、共振子に加
わるインダクタンスＬａは、次の式で表される。
ィルタ装置のインダクタンス分を含めた等価回路を示す
回路図である。ここでは、並列腕共振子には、ボンディ
ングワイアのインダクタンスＬ１、パッケージ３２の残
留インダクタンスＬ２、外部回路のアース電極の残留イ
ンダクタンスＬ３が直列に接続されるため、共振子に加
わるインダクタンスＬａは、次の式で表される。
【０１０６】Ｌａ＝Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３・・・（１） 他方、図２０は、図１７に示した実施例のＳＡＷフィル
タ装置のインダクタンス分を含めた等価回路を示す回路
図である。
タ装置のインダクタンス分を含めた等価回路を示す回路
図である。
【０１０７】ここでは、並列腕共振子３，５において、
それぞれ、２本のボンディングワイア４５ａ，４５ｂ及
び４５ｄ，４５ｅを用いてアース電位との電気的接続が
図られているため、ボンディングワイアのインダクタン
スＬ１と、パッケージの残留インダクタンスＬ２とが並
列に挿入されることになる。従って、この場合の並列腕
共振子に加わるインダクタンスＬｂは次の式で表され
る。
それぞれ、２本のボンディングワイア４５ａ，４５ｂ及
び４５ｄ，４５ｅを用いてアース電位との電気的接続が
図られているため、ボンディングワイアのインダクタン
スＬ１と、パッケージの残留インダクタンスＬ２とが並
列に挿入されることになる。従って、この場合の並列腕
共振子に加わるインダクタンスＬｂは次の式で表され
る。
【０１０８】 Ｌｂ＝（Ｌ１＋Ｌ２）／２＋Ｌ３・・・（２） よって、式（１）と式（２）とを比較すれば明らかなよ
うに、図１７に示した実施例では、インダクタンス分を
低減することができる。
うに、図１７に示した実施例では、インダクタンス分を
低減することができる。
【０１０９】図２２は、図１６に示した従来のＳＡＷフ
ィルタ装置の周波数特性を示し、図２３は図１７に示し
た第７の実施例に係るＳＡＷフィルタ装置４１の周波数
特性を示す図である。図２２から明らかなように、従来
のＳＡＷフィルタ装置３１では、スプリアス成分の発生
により通過帯域から阻止域にかけての急峻性は高められ
るものの、上記スプリアスに伴う高インピーダンスピー
ク点の影響により減衰量は１６ｄＢにとどまっている。
ィルタ装置の周波数特性を示し、図２３は図１７に示し
た第７の実施例に係るＳＡＷフィルタ装置４１の周波数
特性を示す図である。図２２から明らかなように、従来
のＳＡＷフィルタ装置３１では、スプリアス成分の発生
により通過帯域から阻止域にかけての急峻性は高められ
るものの、上記スプリアスに伴う高インピーダンスピー
ク点の影響により減衰量は１６ｄＢにとどまっている。
【０１１０】これに対して、図２３から明らかなよう
に、第７の実施例に係るＳＡＷフィルタ装置では、低域
側の主共振によるトラップ周波数が高くなることによ
り、スプリアスレベルが全体的に小さくなり、阻止域に
おける減衰量が約６ｄＢ改善されることがわかる。
に、第７の実施例に係るＳＡＷフィルタ装置では、低域
側の主共振によるトラップ周波数が高くなることによ
り、スプリアスレベルが全体的に小さくなり、阻止域に
おける減衰量が約６ｄＢ改善されることがわかる。
【０１１１】（第８の実施例）図１８は、第８の実施例
に係るＳＡＷフィルタ装置の変形例を示す模式的平面図
である。このＳＡＷフィルタ装置５１では、パッケージ
４２の底面４２ａにＳＡＷフィルタ１が固定されてい
る。並列腕共振子３のＩＤＴのアース電位に接続される
くし歯電極が、ボンディングワイア５５ａ，５５ｂによ
り、パッケージ４２側に形成されたアース電位に接続さ
れる電極４３ａ，４４ａに接続されている。また、並列
腕共振子５のＩＤＴのアース電位に接続されるくし歯電
極が、ボンディングワイア５５ｃ，５５ｄにより、パッ
ケージ４２に形成されたアース電位に接続される電極４
３ｃ，４４ａにそれぞれ接続されている。さらに、並列
腕共振子７のＩＤＴのアース電位に接続されるくし歯電
極が、ボンディングワイア５５ｅ，５５ｆにより、パッ
ケージ４２に形成されたアース電位に接続される電極４
３ｃ，４４ｃにそれぞれ接続されている。他の構成につ
いては、ＳＡＷフィルタ装置４１と同様である。
に係るＳＡＷフィルタ装置の変形例を示す模式的平面図
である。このＳＡＷフィルタ装置５１では、パッケージ
４２の底面４２ａにＳＡＷフィルタ１が固定されてい
る。並列腕共振子３のＩＤＴのアース電位に接続される
くし歯電極が、ボンディングワイア５５ａ，５５ｂによ
り、パッケージ４２側に形成されたアース電位に接続さ
れる電極４３ａ，４４ａに接続されている。また、並列
腕共振子５のＩＤＴのアース電位に接続されるくし歯電
極が、ボンディングワイア５５ｃ，５５ｄにより、パッ
ケージ４２に形成されたアース電位に接続される電極４
３ｃ，４４ａにそれぞれ接続されている。さらに、並列
腕共振子７のＩＤＴのアース電位に接続されるくし歯電
極が、ボンディングワイア５５ｅ，５５ｆにより、パッ
ケージ４２に形成されたアース電位に接続される電極４
３ｃ，４４ｃにそれぞれ接続されている。他の構成につ
いては、ＳＡＷフィルタ装置４１と同様である。
【０１１２】本実施例では、並列腕共振子３，５，７の
ＩＤＴのアース電位に接続されるくし歯電極が、いずれ
も２本のボンディングワイア５５ａ，５５ｂ、５５ｃ，
５５ｄ及び５５ｅ，５５ｆにより、パッケージ４２側に
形成されたアース電位に接続されるべき異なる電極に電
気的に接続されている。
ＩＤＴのアース電位に接続されるくし歯電極が、いずれ
も２本のボンディングワイア５５ａ，５５ｂ、５５ｃ，
５５ｄ及び５５ｅ，５５ｆにより、パッケージ４２側に
形成されたアース電位に接続されるべき異なる電極に電
気的に接続されている。
【０１１３】ＳＡＷフィルタ装置５１のインダクタンス
分を含めた等価回路を図２１に示す。ＳＡＷフィルタ装
置２１では、上記ボンディングワイアによる配線によ
り、並列腕共振子のインダクタンス分が低減される。す
なわち、並列腕共振子のＩＤＴのアース電位に接続され
るくし歯電極に対して上記のように２本のボンディング
ワイアを用い、かつ各ボンディングワイア２本を異なる
パッケージ側アース電位に接続することにより、各並列
腕共振子には、Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３のインダクタンスが並
列に挿入されることになる。従って、並列腕共振子に加
わるインダクタンスＬｃは、Ｌｃ＝（Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ
３）／２で表されることになる。よって、図１６に示し
た従来のＳＡＷフィルタ装置３１に比べ、インダクタン
スを半減することができる。
分を含めた等価回路を図２１に示す。ＳＡＷフィルタ装
置２１では、上記ボンディングワイアによる配線によ
り、並列腕共振子のインダクタンス分が低減される。す
なわち、並列腕共振子のＩＤＴのアース電位に接続され
るくし歯電極に対して上記のように２本のボンディング
ワイアを用い、かつ各ボンディングワイア２本を異なる
パッケージ側アース電位に接続することにより、各並列
腕共振子には、Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ３のインダクタンスが並
列に挿入されることになる。従って、並列腕共振子に加
わるインダクタンスＬｃは、Ｌｃ＝（Ｌ１＋Ｌ２＋Ｌ
３）／２で表されることになる。よって、図１６に示し
た従来のＳＡＷフィルタ装置３１に比べ、インダクタン
スを半減することができる。
【０１１４】図１８に示したＳＡＷフィルタ装置５１の
減衰量周波数特性を図２４に示す。図２４から明らかな
ように、図２３に示した第７の実施例の周波数特性に比
べ、低域側の主共振によるトラップ周波数がさらに高く
なり、通過帯域の低域側におけるスプリアスのレベルは
全体的に小さくなり、素子帯域における減衰量は、図２
２に示した従来のＳＡＷフィルタ装置３１の特性に比
べ、約１０ｄｂ改善され得ることがわかる。
減衰量周波数特性を図２４に示す。図２４から明らかな
ように、図２３に示した第７の実施例の周波数特性に比
べ、低域側の主共振によるトラップ周波数がさらに高く
なり、通過帯域の低域側におけるスプリアスのレベルは
全体的に小さくなり、素子帯域における減衰量は、図２
２に示した従来のＳＡＷフィルタ装置３１の特性に比
べ、約１０ｄｂ改善され得ることがわかる。
【０１１５】（第９の実施例）図２５は、本発明の第９
の実施例に係るＳＡＷフィルタ装置を説明するための断
面図である。
の実施例に係るＳＡＷフィルタ装置を説明するための断
面図である。
【０１１６】ＳＡＷフィルタ装置６１では、パッケージ
基板６２と、キャップ６３とによりパッケージが構成さ
れている。すなわち、ＳＡＷフィルタ１が、パッケージ
基板６２及びキャップ６３で構成された内部空間６４に
収納されている。また、ＳＡＷフィルタ１が、フェイス
ダウン方式と称されている取付け方法によりパッケージ
基板６２に固定されている。すなわち、ＳＡＷフィルタ
１の外部と接続するための電極パッド１ａ，１ｂ上に半
田などよりなるバンプ６５ａ，６５ｂが形成されてお
り、該バンプ６５ａ，６５ｂを下方に向くようにＳＡＷ
フィルタ１を配置し、バンプ６５ａ，６５ｂをパッケー
ジ基板６２に形成された電極６６ａ，６６ｂに接合する
ことにより、ＳＡＷフィルタ１がパッケージ基板６２に
電気的に接続されている。なお、電極パッド１ａ，１ｂ
は、ＳＡＷフィルタ装置１の外部と接続される電極部分
を示し、例えば、並列腕共振子のアース電位に接続され
るくし歯電極や前述した接続電極８〜１０に相当するも
のである。なお、図２５では、第１の実施例に係るＳＡ
Ｗフィルタ１を代表例として示したが、本発明の他の実
施例に係るＳＡＷフィルタについても、同様にフェイス
ダウン方式でパッケージ基板６２に固定することができ
る。
基板６２と、キャップ６３とによりパッケージが構成さ
れている。すなわち、ＳＡＷフィルタ１が、パッケージ
基板６２及びキャップ６３で構成された内部空間６４に
収納されている。また、ＳＡＷフィルタ１が、フェイス
ダウン方式と称されている取付け方法によりパッケージ
基板６２に固定されている。すなわち、ＳＡＷフィルタ
１の外部と接続するための電極パッド１ａ，１ｂ上に半
田などよりなるバンプ６５ａ，６５ｂが形成されてお
り、該バンプ６５ａ，６５ｂを下方に向くようにＳＡＷ
フィルタ１を配置し、バンプ６５ａ，６５ｂをパッケー
ジ基板６２に形成された電極６６ａ，６６ｂに接合する
ことにより、ＳＡＷフィルタ１がパッケージ基板６２に
電気的に接続されている。なお、電極パッド１ａ，１ｂ
は、ＳＡＷフィルタ装置１の外部と接続される電極部分
を示し、例えば、並列腕共振子のアース電位に接続され
るくし歯電極や前述した接続電極８〜１０に相当するも
のである。なお、図２５では、第１の実施例に係るＳＡ
Ｗフィルタ１を代表例として示したが、本発明の他の実
施例に係るＳＡＷフィルタについても、同様にフェイス
ダウン方式でパッケージ基板６２に固定することができ
る。
【０１１７】本発明のＳＡＷフィルタ６１では、ボンデ
ィングワイアを用いることなく、上記フェイスダウン方
式によりバンプ６５ａ，６５ｂを介してパッケージとＳ
ＡＷフィルタ１との電気的接続が図られているため、並
列腕共振子のアース側に加わるインダクタンスを極めて
小さくすることができ、それによって並列腕共振子の共
振周波数を高めることができる。よって、スプリアスに
よる通過帯域から阻止域にかけての周波数領域における
フィルタ特性の急峻性を高めた場合に伴う高インピーダ
ンスピークをより効果的に抑制することができ、より一
層阻止域における減衰量を高めることができる。
ィングワイアを用いることなく、上記フェイスダウン方
式によりバンプ６５ａ，６５ｂを介してパッケージとＳ
ＡＷフィルタ１との電気的接続が図られているため、並
列腕共振子のアース側に加わるインダクタンスを極めて
小さくすることができ、それによって並列腕共振子の共
振周波数を高めることができる。よって、スプリアスに
よる通過帯域から阻止域にかけての周波数領域における
フィルタ特性の急峻性を高めた場合に伴う高インピーダ
ンスピークをより効果的に抑制することができ、より一
層阻止域における減衰量を高めることができる。
【０１１８】
【発明の効果】請求項１に記載の発明に係るＳＡＷフィ
ルタでは、直列腕共振子及び並列腕共振子を有する梯子
型回路構成のＳＡＷフィルタにおいて、少なくとも１個
の並列腕共振子において、ＩＤＴの最外側の電極指幅
を、他の電極指幅と異ならせることにより、通過帯域か
ら減衰域にかけての周波数領域においてスプリアス成分
が発生され、それによって通過帯域から阻止域にかけて
の周波数領域におけるフィルタ特性の急峻性が高められ
る。よって、通過帯域と阻止域との間の周波数間隔が狭
く、選択度に優れた帯域通過型フィルタを提供すること
ができ、本発明に係るＳＡＷフィルタは、周波数間隔の
狭い携帯電話用フィルタなどに好適に用いることができ
る。
ルタでは、直列腕共振子及び並列腕共振子を有する梯子
型回路構成のＳＡＷフィルタにおいて、少なくとも１個
の並列腕共振子において、ＩＤＴの最外側の電極指幅
を、他の電極指幅と異ならせることにより、通過帯域か
ら減衰域にかけての周波数領域においてスプリアス成分
が発生され、それによって通過帯域から阻止域にかけて
の周波数領域におけるフィルタ特性の急峻性が高められ
る。よって、通過帯域と阻止域との間の周波数間隔が狭
く、選択度に優れた帯域通過型フィルタを提供すること
ができ、本発明に係るＳＡＷフィルタは、周波数間隔の
狭い携帯電話用フィルタなどに好適に用いることができ
る。
【０１１９】しかも、請求項１に記載の発明に係るＳＡ
Ｗフィルタでは、上記のようにＩＤＴの電極指の幅を変
更するだけでよいため、ＩＤＴと反射器との間の間隔を
変更する必要がある従来例に比べて製造も容易である。
Ｗフィルタでは、上記のようにＩＤＴの電極指の幅を変
更するだけでよいため、ＩＤＴと反射器との間の間隔を
変更する必要がある従来例に比べて製造も容易である。
【０１２０】請求項２に記載の発明に係るＳＡＷフィル
タでは、少なくとも並列腕共振子において、ＩＤＴの最
外側部の電極指の幅が、他の電極指の幅よりも小さくさ
れているので、通過帯域から通過帯域の低域側の阻止域
にかけてのフィルタ特性の急峻性が効果的に高められ
る。
タでは、少なくとも並列腕共振子において、ＩＤＴの最
外側部の電極指の幅が、他の電極指の幅よりも小さくさ
れているので、通過帯域から通過帯域の低域側の阻止域
にかけてのフィルタ特性の急峻性が効果的に高められ
る。
【０１２１】請求項３に記載の発明では、少なくとも１
つの並列腕共振子において、ＩＤＴの最外側部の電極指
の幅が、他の電極指の幅よりも小さくされているので、
通過帯域から通過帯域の高域側の阻止域にかけてのフィ
ルタ特性の急峻性を高めることができる。
つの並列腕共振子において、ＩＤＴの最外側部の電極指
の幅が、他の電極指の幅よりも小さくされているので、
通過帯域から通過帯域の高域側の阻止域にかけてのフィ
ルタ特性の急峻性を高めることができる。
【０１２２】請求項４に記載の発明では、少なくとも１
つの並列腕共振子において、反射器の電極指のうちＩＤ
Ｔに最も近い電極指の幅が、同じ反射器の他の電極指の
幅と異ならされているため、通過帯域から阻止域にかけ
てのフィルタ特性の急峻性を高めることができ、請求項
１に記載の発明と同様に、選択度の高い帯域通過型フィ
ルタを提供することが可能となる。よって、請求項４に
記載の発明に係るＳＡＷフィルタも、周波数間隔の狭い
携帯電話用フィルタなどに好適に用いることができる。
つの並列腕共振子において、反射器の電極指のうちＩＤ
Ｔに最も近い電極指の幅が、同じ反射器の他の電極指の
幅と異ならされているため、通過帯域から阻止域にかけ
てのフィルタ特性の急峻性を高めることができ、請求項
１に記載の発明と同様に、選択度の高い帯域通過型フィ
ルタを提供することが可能となる。よって、請求項４に
記載の発明に係るＳＡＷフィルタも、周波数間隔の狭い
携帯電話用フィルタなどに好適に用いることができる。
【０１２３】しかも、請求項４に記載の発明において
も、反射器の電極指の幅を調整するだけでよいため、Ｉ
ＤＴと反射器との間の間隔を変更する必要がある従来技
術に比べて容易に製造し得る。
も、反射器の電極指の幅を調整するだけでよいため、Ｉ
ＤＴと反射器との間の間隔を変更する必要がある従来技
術に比べて容易に製造し得る。
【０１２４】請求項５に記載の発明に係るＳＡＷフィル
タでは、少なくとも１つの並列腕共振子の反共振周波数
が該反射器のストップバンド内に入るように設定されて
おり、かつフィルタ特性の急峻性を高めるために発生さ
せるスプリアスが、並列腕共振子のストップバンド外に
なるように設定されているので、挿入損失を悪化させる
ことなく、フィルタ特性の急峻性を高めるための上記ス
プリアスに起因する高インピーダンスピークの抑圧を図
ることができ、阻止域において十分な減衰量を確保する
ことができる。
タでは、少なくとも１つの並列腕共振子の反共振周波数
が該反射器のストップバンド内に入るように設定されて
おり、かつフィルタ特性の急峻性を高めるために発生さ
せるスプリアスが、並列腕共振子のストップバンド外に
なるように設定されているので、挿入損失を悪化させる
ことなく、フィルタ特性の急峻性を高めるための上記ス
プリアスに起因する高インピーダンスピークの抑圧を図
ることができ、阻止域において十分な減衰量を確保する
ことができる。
【０１２５】請求項６に記載の発明では、スプリアスが
並列腕共振子の共振周波数とＳＡＷフィルタの通過帯域
との間に発生するように構成されており、かつ反射器の
電極指の周期がＩＤＴの周期よりも小さくされており、
上記スプリアスの現れる周波数位置が、並列腕共振子の
ストップバンド周波数よりも低域側とされているため、
フィルタ特性の急峻化を果たすための上記スプリアスに
起因する高インピーダンスピークを確実に抑圧すること
ができ、阻止域において十分な減衰量を確保することが
できる。
並列腕共振子の共振周波数とＳＡＷフィルタの通過帯域
との間に発生するように構成されており、かつ反射器の
電極指の周期がＩＤＴの周期よりも小さくされており、
上記スプリアスの現れる周波数位置が、並列腕共振子の
ストップバンド周波数よりも低域側とされているため、
フィルタ特性の急峻化を果たすための上記スプリアスに
起因する高インピーダンスピークを確実に抑圧すること
ができ、阻止域において十分な減衰量を確保することが
できる。
【０１２６】請求項７に記載の発明においても、ＳＡＷ
フィルタの通過帯域と、直列腕共振子の反共振周波数と
の間に並列腕共振子の上記スプリアスが発生されるよう
に構成されており、かつ反射器の電極指周期がＩＤＴに
おける電極指周期よりも大きくされており、スプリアス
が並列腕共振子のストップバンドよりも高域側に現れる
ように構成されているので、通過帯域の高域側における
フィルタ特性の急峻化を図ることができると共に、該通
過帯域よりも高域側における阻止域において十分な減衰
量を確保することができる。
フィルタの通過帯域と、直列腕共振子の反共振周波数と
の間に並列腕共振子の上記スプリアスが発生されるよう
に構成されており、かつ反射器の電極指周期がＩＤＴに
おける電極指周期よりも大きくされており、スプリアス
が並列腕共振子のストップバンドよりも高域側に現れる
ように構成されているので、通過帯域の高域側における
フィルタ特性の急峻化を図ることができると共に、該通
過帯域よりも高域側における阻止域において十分な減衰
量を確保することができる。
【０１２７】請求項８に記載の発明に係る弾性表面波フ
ィルタでは、少なくとも１つの並列腕共振子の反共振周
波数が該反射器のストップバンド内に入るように設定さ
れており、かつフィルタ特性の急峻性を高めるために発
生させるスプリアスが、並列腕共振子のストップバンド
外になるように設定されているので、挿入損失を悪化さ
せることなく、フィルタ特性の急峻性を高めるための上
記スプリアスに起因する高インピーダンスピークの抑圧
を図ることができ、阻止域において十分な減衰量を確保
することができる。
ィルタでは、少なくとも１つの並列腕共振子の反共振周
波数が該反射器のストップバンド内に入るように設定さ
れており、かつフィルタ特性の急峻性を高めるために発
生させるスプリアスが、並列腕共振子のストップバンド
外になるように設定されているので、挿入損失を悪化さ
せることなく、フィルタ特性の急峻性を高めるための上
記スプリアスに起因する高インピーダンスピークの抑圧
を図ることができ、阻止域において十分な減衰量を確保
することができる。
【０１２８】請求項９に記載の発明では、請求項８に記
載の発明に係るＳＡＷフィルタにおいて、スプリアスが
並列腕共振子の共振周波数とＳＡＷフィルタの通過帯域
との間に発生するように構成されており、かつ反射器の
電極指の周期がＩＤＴの周期よりも小さくされており、
上記スプリアスの現れる周波数位置が、並列腕共振子の
ストップバンド周波数よりも低域側とされているため、
フィルタ特性の急峻化を果たすための上記スプリアスに
起因する高インピーダンスピークを確実に抑圧すること
ができ、阻止域において十分な減衰量を確保することが
できる。
載の発明に係るＳＡＷフィルタにおいて、スプリアスが
並列腕共振子の共振周波数とＳＡＷフィルタの通過帯域
との間に発生するように構成されており、かつ反射器の
電極指の周期がＩＤＴの周期よりも小さくされており、
上記スプリアスの現れる周波数位置が、並列腕共振子の
ストップバンド周波数よりも低域側とされているため、
フィルタ特性の急峻化を果たすための上記スプリアスに
起因する高インピーダンスピークを確実に抑圧すること
ができ、阻止域において十分な減衰量を確保することが
できる。
【０１２９】請求項１０に記載の発明においても、請求
項８に記載の発明に係るＳＡＷフィルタにおいて、ＳＡ
Ｗフィルタの通過帯域と、直列腕共振子の反共振周波数
との間に並列腕共振子の上記スプリアスが発生されるよ
うに構成されており、かつ反射器の電極指周期がＩＤＴ
における電極指周期よりも大きくされており、スプリア
スが並列腕共振子のストップバンドよりも高域側に現れ
るように構成されているので、通過帯域の高域側におけ
るフィルタ特性の急峻化を図ることができると共に、該
通過帯域よりも高域側における阻止域において十分な減
衰量を確保することができる。
項８に記載の発明に係るＳＡＷフィルタにおいて、ＳＡ
Ｗフィルタの通過帯域と、直列腕共振子の反共振周波数
との間に並列腕共振子の上記スプリアスが発生されるよ
うに構成されており、かつ反射器の電極指周期がＩＤＴ
における電極指周期よりも大きくされており、スプリア
スが並列腕共振子のストップバンドよりも高域側に現れ
るように構成されているので、通過帯域の高域側におけ
るフィルタ特性の急峻化を図ることができると共に、該
通過帯域よりも高域側における阻止域において十分な減
衰量を確保することができる。
【０１３０】請求項１１に記載の発明によれば、上記フ
ィルタ特性の急峻化を果たすためのスプリアスが発生さ
れる並列腕共振子が少なくとも２個以上並列腕に配置さ
れており、少なくとも１つの並列腕共振子により発生さ
れるスプリアスが、他の並列腕共振子により発生される
スプリアスとは異なる周波数領域に現れるように構成さ
れているため、スプリアスの発生に伴う高インピーダン
スピークを抑制することができ、かつ製造時のばらつき
による歩留まりの低下を抑制することができる。
ィルタ特性の急峻化を果たすためのスプリアスが発生さ
れる並列腕共振子が少なくとも２個以上並列腕に配置さ
れており、少なくとも１つの並列腕共振子により発生さ
れるスプリアスが、他の並列腕共振子により発生される
スプリアスとは異なる周波数領域に現れるように構成さ
れているため、スプリアスの発生に伴う高インピーダン
スピークを抑制することができ、かつ製造時のばらつき
による歩留まりの低下を抑制することができる。
【０１３１】請求項１２に記載の発明によれば、少なく
とも２個の並列腕共振子を有し、少なくとも１個の並列
腕共振子により発生されるスプリアスが、ＳＡＷフィル
タの通過帯域よりも高域側に現れるように構成されてお
り、他の並列腕共振子により発生されるスプリアスが、
通過帯域よりも低域側に現れるように、ＩＤＴと反射器
との間隔が選ばれているので、通過帯域の低域側及び高
域側の双方において上記スプリアスが現れ、これら双方
の領域においてフィルタ特性の急峻性を高めることがで
きる。
とも２個の並列腕共振子を有し、少なくとも１個の並列
腕共振子により発生されるスプリアスが、ＳＡＷフィル
タの通過帯域よりも高域側に現れるように構成されてお
り、他の並列腕共振子により発生されるスプリアスが、
通過帯域よりも低域側に現れるように、ＩＤＴと反射器
との間隔が選ばれているので、通過帯域の低域側及び高
域側の双方において上記スプリアスが現れ、これら双方
の領域においてフィルタ特性の急峻性を高めることがで
きる。
【０１３２】請求項１３に記載の発明では、ＳＡＷフィ
ルタがパッケージに収納されているＳＡＷフィルタ装置
において、少なくとも１つの並列腕共振子におけるアー
ス電位に接続される電極が、複数のボンディングワイア
により、パッケージに設けられたアース電極と電気的に
接続されているため、並列腕共振子に直列に加わるイン
ダクタンス分を低減することができ、それによって上記
スプリアスの発生に基づく高インピーダンスピークを抑
制することができ、阻止域における減衰量を改善するこ
とができる。
ルタがパッケージに収納されているＳＡＷフィルタ装置
において、少なくとも１つの並列腕共振子におけるアー
ス電位に接続される電極が、複数のボンディングワイア
により、パッケージに設けられたアース電極と電気的に
接続されているため、並列腕共振子に直列に加わるイン
ダクタンス分を低減することができ、それによって上記
スプリアスの発生に基づく高インピーダンスピークを抑
制することができ、阻止域における減衰量を改善するこ
とができる。
【０１３３】請求項１４に記載の発明によれば、少なく
とも１つの並列腕共振子におけるアース電位に接続され
る電極に、複数のボンディングワイアが接続されてお
り、該複数のボンディングワイアが、パッケージに形成
された異なるアース電極に電気的に接続されているの
で、並列腕共振子に直列に加わるインダクタンスをより
一層低減することができ、それによって通過帯域近傍の
フィルタ特性の急峻性を高め得るだけでなく、上記スプ
リアスに伴う高インピーダンスピークをより効果的に抑
圧することができ、阻止域における減衰量をより一層大
きくすることができる。
とも１つの並列腕共振子におけるアース電位に接続され
る電極に、複数のボンディングワイアが接続されてお
り、該複数のボンディングワイアが、パッケージに形成
された異なるアース電極に電気的に接続されているの
で、並列腕共振子に直列に加わるインダクタンスをより
一層低減することができ、それによって通過帯域近傍の
フィルタ特性の急峻性を高め得るだけでなく、上記スプ
リアスに伴う高インピーダンスピークをより効果的に抑
圧することができ、阻止域における減衰量をより一層大
きくすることができる。
【０１３４】請求項１５に記載の発明によれば、少なく
とも１つの並列腕共振子におけるアース電位に接続され
る電極が、複数のボンディングワイアによりパッケージ
に設けられたアース電極に接続されており、該複数のボ
ンディングワイアのうち少なくとも１本のボンディング
ワイアがパッケージの複数のアース電極のうち入力側に
近いアース電極に、他のボンディングワイアが出力側に
近いアース電極に接続されているので、インダクタンス
成分は、従来の約１／２まで低減でき、阻止域における
減衰量をより一層大きくすることが可能となる。
とも１つの並列腕共振子におけるアース電位に接続され
る電極が、複数のボンディングワイアによりパッケージ
に設けられたアース電極に接続されており、該複数のボ
ンディングワイアのうち少なくとも１本のボンディング
ワイアがパッケージの複数のアース電極のうち入力側に
近いアース電極に、他のボンディングワイアが出力側に
近いアース電極に接続されているので、インダクタンス
成分は、従来の約１／２まで低減でき、阻止域における
減衰量をより一層大きくすることが可能となる。
【０１３５】請求項１６に記載の発明に係るＳＡＷフィ
ルタ装置では、ＳＡＷフィルタと、該ＳＡＷフィルタの
電極パッド上に形成された導電材料からなるバンプと、
ＳＡＷフィルタが接続される複数の電極を有し、かつＳ
ＡＷフィルタを気密封止するためのパッケージとを備
え、バンプをパッケージに形成された電極に接合するこ
とによりＳＡＷフィルタが、パッケージの電極に電気的
に接続されているため、すなわち上記ＳＡＷフィルタが
フェイスダウン方式でパッケージの電極に電気的に接続
されているので、ボンディングワイアを必要としない。
従って、並列腕共振子に付加されるインダクタンスを極
めて小さくすることができ、通過帯域よりも低域側の阻
止域における減衰量をより一層改善することができる。
ルタ装置では、ＳＡＷフィルタと、該ＳＡＷフィルタの
電極パッド上に形成された導電材料からなるバンプと、
ＳＡＷフィルタが接続される複数の電極を有し、かつＳ
ＡＷフィルタを気密封止するためのパッケージとを備
え、バンプをパッケージに形成された電極に接合するこ
とによりＳＡＷフィルタが、パッケージの電極に電気的
に接続されているため、すなわち上記ＳＡＷフィルタが
フェイスダウン方式でパッケージの電極に電気的に接続
されているので、ボンディングワイアを必要としない。
従って、並列腕共振子に付加されるインダクタンスを極
めて小さくすることができ、通過帯域よりも低域側の阻
止域における減衰量をより一層改善することができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係るＳＡＷフィルタを
説明するための模式的平面図。
説明するための模式的平面図。
【図２】本発明の第１の実施例で用いられる並列腕共振
子を説明するための平面図。
子を説明するための平面図。
【図３】第２の実施例で用いられる並列腕共振子を説明
するための平面図。
するための平面図。
【図４】第３の実施例で用いられる並列腕共振子を説明
するための平面図。
するための平面図。
【図５】第４の実施例で用いられる並列腕共振子を説明
するための平面図。
するための平面図。
【図６】第５の実施例で用いられる並列腕共振子を説明
するための平面図。
するための平面図。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、比較のために
用意したＳＡＷフィルタのインピーダンス特性及びスト
ップバンド、並びに第４の実施例で用いられる並列腕共
振子のインピーダンス特性及びストップバンドを説明す
るための図。
用意したＳＡＷフィルタのインピーダンス特性及びスト
ップバンド、並びに第４の実施例で用いられる並列腕共
振子のインピーダンス特性及びストップバンドを説明す
るための図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、従来の１ポー
ト型ＳＡＷ共振子及び第５の実施例に係る並列腕共振子
のインピーダンス特性及びストップバンドを説明するた
めの図。
ト型ＳＡＷ共振子及び第５の実施例に係る並列腕共振子
のインピーダンス特性及びストップバンドを説明するた
めの図。
【図９】第４の実施例のＳＡＷフィルタで用いられる並
列腕共振子のインピーダンス−周波数特性を示す図。
列腕共振子のインピーダンス−周波数特性を示す図。
【図１０】第５の実施例のＳＡＷフィルタで用いられる
並列腕共振子のインピーダンス−周波数特性を示す図。
並列腕共振子のインピーダンス−周波数特性を示す図。
【図１１】第４の実施例に係るＳＡＷフィルタの周波数
特性を示す図。
特性を示す図。
【図１２】第５の実施例に係るＳＡＷフィルタの周波数
特性を示す図。
特性を示す図。
【図１３】本発明の第６の実施例に係るＳＡＷフィルタ
の模式的平面図。
の模式的平面図。
【図１４】本発明の第６の実施例に係るＳＡＷフィルタ
の周波数特性を示す図。
の周波数特性を示す図。
【図１５】従来のＳＡＷフィルタの周波数特性を示す
図。
図。
【図１６】従来のＳＡＷフィルタ装置の一例を説明する
ための平面図。
ための平面図。
【図１７】本発明の第７の実施例に係るＳＡＷフィルタ
装置を説明するための平面図。
装置を説明するための平面図。
【図１８】本発明の第８の実施例に係るＳＡＷフィルタ
装置を説明するための平面図。
装置を説明するための平面図。
【図１９】従来のＳＡＷフィルタ装置の等価回路を示す
図。
図。
【図２０】本発明の第７の実施例に係るＳＡＷフィルタ
装置の等価回路を示す図。
装置の等価回路を示す図。
【図２１】本発明の第８の実施例に係るＳＡＷフィルタ
装置の等価回路を示す図。
装置の等価回路を示す図。
【図２２】図１６に示した従来のＳＡＷフィルタ装置の
周波数特性を示す図。
周波数特性を示す図。
【図２３】図１７に示した実施例のＳＡＷフィルタ装置
の周波数特性を示す図。
の周波数特性を示す図。
【図２４】図１８に示した実施例のＳＡＷフィルタ装置
の周波数特性を示す図。
の周波数特性を示す図。
【図２５】本発明の第９の実施例に係るＳＡＷフィルタ
装置の断面図。
装置の断面図。
【図２６】従来のＳＡＷフィルタの一例を示す平面図。
１…ＳＡＷフィルタ １ａ，１ｂ…電極パッド ２…表面波基板 ３，５，７…並列腕共振子 ３ａ，５ａ，７ａ…ＩＤＴ ３ｂ，３ｃ，５ａ，５ｂ，５ｃ，７ａ，７ｃ…反射器 ４，６…直列腕共振子 ４ａ，６ａ…ＩＤＴ ２１…ＳＡＷフィルタ ２２…表面波基板 ２３，２５，２９…並列腕共振子 ２３ａ，２５ａ，２７ａ…ＩＤＴ ２３ｂ，２３ｃ，２５ｂ，２５ｃ，２７ｂ，２７ｃ…反
射器 ２４，２６…直列腕共振子 ２４ａ，２６ａ…ＩＤＴ ４１…ＳＡＷフィルタ装置 ４２…パッケージ ４３ａ〜４３ｃ，４４ａ〜４４ｃ…パッケージの電極 ４５ａ〜４５ｇ…ボンディングワイア ５１…ＳＡＷフィルタ装置 ５５ａ〜５５ｆ…ボンディングワイア ６１…ＳＡＷフィルタ装置 ６２…パッケージ基板 ６３…キャップ ６５ａ，６５ｂ…バンプ ６６ａ，６６ｂ…パッケージに形成された電極
射器 ２４，２６…直列腕共振子 ２４ａ，２６ａ…ＩＤＴ ４１…ＳＡＷフィルタ装置 ４２…パッケージ ４３ａ〜４３ｃ，４４ａ〜４４ｃ…パッケージの電極 ４５ａ〜４５ｇ…ボンディングワイア ５１…ＳＡＷフィルタ装置 ５５ａ〜５５ｆ…ボンディングワイア ６１…ＳＡＷフィルタ装置 ６２…パッケージ基板 ６３…キャップ ６５ａ，６５ｂ…バンプ ６６ａ，６６ｂ…パッケージに形成された電極
Claims (16)
- 【請求項１】 入出力間が直列腕を構成しており、前記
直列腕と基準電位との間に少なくとも１つの並列腕が構
成されている梯子型回路構成を有し、前記直列腕にイン
ターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１つ
の１ポート型ＳＡＷ共振子よりなる直列腕共振子が、前
記並列腕に、インターデジタルトランスデューサと、該
インターデジタルトランスデューサの両側に設けられた
反射器とを有し、かつ反共振周波数が、直列腕共振子の
共振周波数と実質的に一致されている１ポート型ＳＡＷ
共振子よりなる並列腕共振子が配置されている弾性表面
波フィルタにおいて、 通過帯域から阻止域にかけての周波数領域においてスプ
リアス成分を発生させるように、少なくとも１個の前記
並列腕共振子において、前記インターデジタルトランス
デューサの最外側の電極指幅を、他の電極指幅と異なら
されていることを特徴とする、弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２】 前記少なくとも１つの並列腕共振子にお
いて、インターデジタルトランスデューサ最外側部の電
極指の幅が、他の電極指の幅よりも小さくされている、
請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項３】 少なくとも１つの前記並列腕共振子にお
いて、インターデジタルトランスデューサ最外側部の電
極指の幅が、他の電極指の幅よりも大きくされている、
請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項４】 入出力間が直列腕を構成しており、前記
直列腕と基準電位との間に少なくとも１つの並列腕が構
成されている梯子型回路構成を有し、前記直列腕にイン
ターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１つ
の１ポート型ＳＡＷ共振子よりなる直列腕共振子が、前
記並列腕に、インターデジタルトランスデューサと、該
インターデジタルトランスデューサの両側に設けられた
反射器とを有し、かつ反共振周波数が、直列腕共振子の
共振周波数と実質的に一致されている１ポート型ＳＡＷ
共振子よりなる並列腕共振子が配置されている弾性表面
波フィルタにおいて、 所定の周波数領域にスプリアス成分を発生させるよう
に、少なくとも１つの前記並列腕共振子において、反射
器の電極指のうちインターデジタルトランスデューサに
最も近い電極指の幅が、同じ反射器の他の電極指の幅と
異ならされていることを特徴とする、弾性表面波フィル
タ。 - 【請求項５】 少なくとも１つの前記並列腕共振子の反
共振周波数が、前記反射器のストップバンド内に入るよ
うに設定されており、かつ発生させる前記スプリアス
が、前記反射器のストップバンド外になるように設定さ
れていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに
記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項６】 前記スプリアスが、前記並列腕共振子の
共振周波数と弾性表面波フィルタの通過帯域との間に発
生するように構成されており、かつ前記反射器の電極指
の周期がインターデジタルトランスデューサの周期より
も小さくされており、 前記スプリアスの現れる位置が、前記反射器のストップ
バンド周波数よりも低域側であることを特徴とする、請
求項５に記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項７】 前記弾性表面波フィルタの通過帯域と、
前記直列腕共振子の反共振周波数との間に前記並列腕共
振子のスプリアスが発生されるように構成されており、
かつ前記反射器の電極指の周期がインターデジタルトラ
ンスデューサにおける電極指の周期よりも大きくされて
おり、 前記スプリアスが前記反射器のストップバンドよりも高
域側に現れるように構成されていることを特徴とする、
請求項５に記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項８】 入出力間が直列腕を構成しており、前記
直列腕と基準電位との間に少なくとも１つの並列腕が構
成されている梯子型回路構成を有し、前記直列腕にイン
ターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１つ
の１ポート型ＳＡＷ共振子よりなる直列腕共振子が、前
記並列腕に、インターデジタルトランスデューサと、該
インターデジタルトランスデューサの両側に設けられた
反射器とを有し、かつ反共振周波数が、直列腕共振子の
共振周波数と実質的に一致されている１ポート型ＳＡＷ
共振子よりなる並列腕共振子が配置されている弾性表面
波フィルタにおいて、 少なくとも１つの前記並列腕共振子の反共振周波数が、
前記反射器のストップバンド内に入るように設定されて
おり、かつ発生させる前記スプリアスが、前記反射器の
ストップバンド外になるように設定されていることを特
徴とする、弾性表面波フィルタ。 - 【請求項９】 前記スプリアスが、前記並列腕共振子の
共振周波数と弾性表面波フィルタの通過帯域との間に発
生するように構成されており、かつ前記反射器の電極指
の周期がインターデジタルトランスデューサの周期より
も小さくされており、 前記スプリアスの現れる位置が、前記反射器のストップ
バンド周波数よりも低域側であることを特徴とする、請
求項８に記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項１０】 前記弾性表面波フィルタの通過帯域
と、前記直列腕共振子の反共振周波数との間に前記並列
腕共振子のスプリアスが発生されるように構成されてお
り、かつ前記反射器の電極指の周期がインターデジタル
トランスデューサにおける電極指の周期よりも大きくさ
れており、 前記スプリアスが前記反射器のストップバンドよりも高
域側に現れるように構成されていることを特徴とする、
請求項８に記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項１１】 前記スプリアス成分が発生される並列
腕共振子が、少なくとも２個以上並列腕に配置されてお
り、 少なくとも１つの並列腕共振子により発生される前記ス
プリアスが、他の並列腕共振子により発生される前記ス
プリアスとは異なる周波数領域に発生されるように構成
されていることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれ
かに記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項１２】 少なくとも２個の並列腕共振子を有
し、少なくとも１個の並列腕共振子により発生されるス
プリアスが、弾性表面波フィルタの通過帯域よりも高域
側に現れるように構成されており、他の並列腕共振子の
スプリアスが、通過帯域よりも低域側に現れるように構
成されている、請求項１〜１１のいずれかに記載の弾性
表面波フィルタ。 - 【請求項１３】 請求項１〜１２のいずれかに記載の弾
性表面波フィルタと、該弾性表面波フィルタが収納され
ており、かつ気密封止されているパッケージとを備え、 少なくとも１つの前記並列腕共振子におけるアース電位
に接続される電極が、複数のボンディングワイアによ
り、パッケージに設けられたアース電極と電気的に接続
されていることを特徴とする、弾性表面波フィルタ装
置。 - 【請求項１４】 少なくとも１つの前記並列腕共振子に
おけるアース電位に接続される電極に、複数のボンディ
ングワイアが接続されており、該複数のボンディングワ
イアが、パッケージに形成された異なるアース電極に電
気的に接続されていることを特徴とする、請求項１３に
記載の弾性表面波フィルタ装置。 - 【請求項１５】 少なくとも１つの前記並列腕共振子に
おけるアース電位に接続される電極が、複数のボンディ
ングワイアによりパッケージに設けられた前記アース電
極に接続されており、複数のボンディングワイアのうち
少なくとも１本のボンディングワイアが、パッケージの
複数のアース電極のうち入力側に近いアース電極に接続
されており、他のボンディングワイアが出力側に近いア
ース電極に接続されていることを特徴とする、請求項１
３または１４に記載の弾性表面波フィルタ装置。 - 【請求項１６】 外部と接続するための複数の電極パッ
ドをさらに備える請求項１〜１５のいずれかに記載の弾
性表面波フィルタと、 前記電極パッド上に形成された導電材料からなるバンプ
と、 弾性表面波フィルタが接続される複数の電極を有し、か
つ弾性表面波フィルタを気密封止するためのパッケージ
とを備え、 前記弾性表面波フィルタが、前記バンプをパッケージに
形成された前記電極に接合することにより電気的に接続
されていることを特徴とする、弾性表面波フィルタ装
置。
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