JPH11234074A

JPH11234074A - Ｓａｗデバイス及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11234074A
Application number: JP2747398A
Authority: JP
Inventors: Hiromi Yatsuda; 博美谷津田; Hiroaki Iijima; 寛明飯島; Nobuhiro Mineshima; 信浩峰島
Original assignee: Japan Radio Co Ltd
Current assignee: Japan Radio Co Ltd
Priority date: 1998-02-09
Filing date: 1998-02-09
Publication date: 1999-08-27

Abstract

(57)【要約】【課題】製造偏差に起因したばらつきを抑える。【解決手段】ＳＡＷチップ１０がフリップチップ実装
されるパッケージに、ＳＡＷチップ１０の電極形成面１
０ａと向き合うよう窓１２ｅを設けておく。パッケージ
内にＳＡＷチップ１０をフリップチップ実装した後、少
なくとも窓１２ｅがふさがれていない状態で、仕掛品１
６をリアクティブイオンエッチング装置１８内に搬入
し、装置１８内にエッチングガスを導入してＳＡＷチッ
プ１０の基板又は電極をエッチングする。エッチングに
代え、電極形成面１０ａ上に膜を形成するようにしても
よい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ実
装型のＳＡＷ（表面弾性波）デバイス及びその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術及びその問題点】従来のＳＡＷデバイス
は、パッケージの内底面にＳＡＷチップを接着固定し、
パッケージ内に設けたボンディングパッドとＳＡＷチッ
プ表面のボンディングパッドとをワイヤボンディングに
より接続する、という一連の工程にて製造されていた。
このようなワイヤボンディング型のＳＡＷデバイスにお
いては、ＳＡＷチップの接着固定に使用する接着剤によ
り製造後に特性が変動するといった問題があった。これ
に対し、フリップチップ実装型のＳＡＷデバイスは、金
等の金属から形成されたバンプをＳＡＷチップの導体パ
ッド上に載置しておき、バンプを載せた側の面（電極形
成面）をパッケージの内底面（ダイアタッチ面）に向け
た姿勢でＳＡＷチップをダイアタッチ面上に載せ、更に
熱・圧力・超音波等を印加することによりバンプによる
電気的接続及び機械的固定を実現する、という一連の工
程で製造される。従って、フリップチップ実装型のＳＡ
Ｗデバイスでは、接着剤を使用する必要がないため、従
来のワイヤボンディング型のＳＡＷデバイスに比べ製造
後の特性変動が少なくなる。

【０００３】図７に、フリップチップ実装型のＳＡＷデ
バイスの一例構成を示す。この図に示すＳＡＷチップ１
０の電極形成面１０ａには、図示しないが、電気信号の
印加に応じ基板例えば水晶等の圧電性基板を励振するこ
とにより表面弾性波を発生させるための電極や、この表
面弾性波を受波し電気信号に変換するための電極や、表
面弾性波を特定の方向に反射するための電極等、様々な
導体層が設けられている。電極形成面１０ａには、更
に、これらの電極と電気的に接続された導体パッドが、
パッケージ１２側との接続・固定のため、設けられてい
る（図示せず）。他方、パッケージ１２はＳＡＷチップ
１０を収納するための凹部を有しており、その内底面即
ちダイアタッチ面１２ａには、図示しないが、バンプ１
４と相対向するよう導体パッドが形成されている。パッ
ケージ１２には、更に、外部接続用の導体であるフット
プリント１２ｂが設けられており、このフットプリント
１２ｂは、パッケージ１２を貫通する導体（図示せず）
を介してダイアタッチ面１２ａ上の導体パッドと電気的
に接続されている。

【０００４】この図に示すＳＡＷデバイスを製造するに
際しては、まず、金等の金属から形成されているバンプ
１４を電極形成面１０ａ上の導体パッドに載せ、更に、
電極形成面１０ａを図中下方向に向けた姿勢で、ＳＡＷ
チップ１０をパッケージ１２の凹部に収納する。この状
態で、熱、圧力、超音波等を図中上方向から印加するこ
とにより、ＳＡＷチップ１０の導体パッドとダイアタッ
チ面１２ａ上の導体パッドとが、バンプ１４を介し電気
的に接続されかつ機械的に固定された状態となる。この
後、リッド乃至カバー１２ｃによって、ＳＡＷチップ１
０を収納するための凹部開口をふさぐ。図中の封じ部１
２ｄは、熱・圧力等の印加により形成されリッド１２ｃ
とパッケージ１２本体との間に介在する封止部材であ
り、その素材としては例えば金／スズ、樹脂、半田、ガ
ラス等を用いる。

【０００５】また、バンプ１４による接続固定が済んで
いれば、開口封止前の段階であっても、フットプリント
１２ｂを介しＳＡＷチップ１０の特性を外部の測定器に
より測定することが可能である。本願出願人が特願平８
−２９２６００号において提案した方法（以下、先提案
と呼ぶ）では、バンプ接続・固定を形成した後リッド１
２ｃにてパッケージ１２の開口をふさぐ前の段階で、仕
掛品の特性を計測しながら、ＳＡＷチップ１０の背面
（図７では上側の面）からレーザ等のビームを照射し電
極形成面１０ａ上の導体層や絶縁体層を蒸発させること
により、特性を調整し、製造偏差に起因した特性ばらつ
きを抑制・防止している。

【０００６】

【発明の概要】本発明の目的の一つは、フリップチップ
実装型のＳＡＷデバイスに関し、製造途上で特性調整を
行うことにより、製造偏差に起因した特性ばらつきを抑
えることにある。本発明の目的の一つは、特性調整の方
法に工夫を施すことにより、上記先提案に比べても更に
小さな特性ばらつきに抑えられるようにすることにあ
る。この目的を達成すべく、本発明に係るＳＡＷデバイ
ス製造方法においては、（１）そのダイアタッチ面に特
性調整用の窓が設けられているパッケージ内にＳＡＷチ
ップをフリップチップ実装する実装ステップと、（２）
この窓を介して上記パッケージ内に気体を導入すること
により仕掛品の特性を調整する第１調整ステップとを、
実行することとした。

【０００７】ここでいう気体の導入とは、例えば、ＳＡ
Ｗチップの基板や電極をエッチングするためのガスを導
入することや、表面弾性波伝搬にかかわる膜を形成する
ためのガスをＳＡＷチップの電極形成面上に導入するこ
と等であり、表面弾性波伝搬ひいてはＳＡＷデバイスの
特性に影響する気体の導入全般を包含している。即ち、
本発明においては、ＳＡＷチップの基板の状態を変化さ
せ或いはＳＡＷチップの電極を改質させることができる
ため、中心周波数をはじめとする特性のばらつきを更に
抑えることができる。また、導入する気体の種類を適宜
選択することによって、基板をエッチングするのか、電
極をエッチングするのか、或いは新たな膜を形成するの
かを選択的に決定できる。

【０００８】また、本発明では、ダイアタッチ面に特性
調整用の窓を設けている。ダイアタッチ面上には、ＳＡ
Ｗチップをパッケージ側に接続するための導体パッド等
を設けねばならないから、特性調整用の窓の開口面積
は、パッケージ内にＳＡＷチップを入れるためのチップ
収納用開口の開口面積に比べ、小さくなる。本発明を実
施するに際しては、この開口面積の関係を有効利用する
ことができる。

【０００９】例えば、フッ素系のガスをエッチングガス
として用いたリアクティブイオンエッチングのように、
エッチングレートが比較的高い手法によりＳＡＷチップ
の基板又は電極をエッチングし、それによって本発明の
特徴に係る特性調整を行う場合を考える。また、特性調
整の対象たる仕掛品が、使用される周波数帯域が比較的
高いＳＡＷデバイス言い換えれば電極が小さなＳＡＷデ
バイスの仕掛品であるとする。このとき、チップ収納用
開口と同程度の開口面積の開口を介してＳＡＷチップの
電極形成面へとプラズマ（本願では、説明の簡略化のた
め、イオン、電子、原子、ラジカル等の励起活性種を含
むもの全般をさすものとする）を導入することとするな
らば、エッチングが急速に進行するため、仕掛品の特性
例えば通過域の中心周波数を目標通りにするのが難しく
なる可能性がある（制御の困難性）。

【００１０】これに対し、本発明においては、チップ収
納用開口等に比べその開口面積が小さい窓を、特性調整
のための気体の導入に使用している。従って、エッチン
グレートが比較的高い手法によりＳＡＷチップの基板又
は電極をエッチングする際に、ＳＡＷチップの電極形成
面へのプラズマの導入を抑えること即ちエッチングレー
トを抑えることができる。つまり、本発明の好ましい実
施形態においては、リアクティブイオンエッチングにお
ける高いエッチングレートが原因で制御が困難になるこ
とを防ぎ、比較的高周波のＳＡＷデバイスであってもそ
の特性調整を的確且つ容易に行うことができる。特に、
特性調整用の窓を複数の開口の集合として形成しておく
こと、言い換えれば窓を構成する一つ一つの開口の面積
を小さくすべく窓を分割することによって、この効果は
更に高まる。

【００１１】なお、“Frequency Trimming of SAW Devi
ces”,Takehiko Uno,Kanagawa Institute of Technolog
y,1994 IEEE Ultrasonic Symposium Proc.Vol.1,pp.181
-187,Nov.1-4,1994.においては、ＳＡＷデバイスの特性
調整のためドライエッチング技術を使用することが開示
されているので、参照されたい。但し、この文献に開示
されているＳＡＷデバイスがワイヤボンディングによっ
て製造されていること、従ってＳＡＷチップの電極形成
面がチップ収納用開口側を向いていること、エッチング
ガスの導入がこのチップ収納用開口から行われているこ
と等に、留意されたい。即ち、この文献に係る技術に
は、特性調整の困難性があることに、留意されたい。

【００１２】また、本発明の好ましい実施形態では、特
性調整用の窓を特性調整窓用リッドにてふさぐ第１封じ
ステップを第１調整ステップ実行後に実行し、ＳＡＷチ
ップをパッケージ内部に入れるための開口（実装ステッ
プにて利用される）を収納開口用リッドにてふさぐ第２
封じステップを少なくとも実装ステップ実行後に実行す
る。第２封じステップを第１封じステップと同時に実行
するようにすれば、製造工程が簡素になる。そのように
するには、例えば、収納開口用リッドにて開口をふさぐ
ときに封じ部として用いる素材と、特性調整窓用リッド
にて窓をふさぐときに封じ部として用いる素材とを、同
じ素材にする等、工夫する。また、特性調整用リッドを
設けることで、パッケージに部分的な突出が現れるが、
この突出の影響は避けることができる。例えば、窓と同
じ側に外部との電気的接続乃至機械的固定用の脚部を設
け、特性調整用リッドの厚さを脚部の高さより小さくす
ればよい。この様にすれば、パッケージの寸法を小さく
保ちながら、外部との接続・固定に支障なく特性調整窓
用リッドを設けることができる。

【００１３】また、窓からの気体の導入に加え、レーザ
等、光乃至電磁波を、上述の窓を介しＳＡＷチップの電
極形成面に部位選択的に照射し、電極やその周辺の絶縁
体層の膜質を改質することにより、仕掛品の特性を調整
するようにしてもよい。このステップ即ち第２調整ステ
ップは、窓がまだリッドによりふさがれていない段階で
実行することができる。即ち、第１調整ステップと共に
実行することができる。また、特性調整窓用リッドが、
光乃至電磁波を透過可能な材質を有するのであれば、第
２調整ステップを第１封じステップ実行後に実行するこ
ともできる。第１封じステップ実行後に第２調整ステッ
プを実行するようにすれば、第１封じステップの実行に
伴い特性変化が生じたとしても、当該特性変化を補償す
ることができる。更に、仕掛品の特性を測定する測定ス
テップを、少なくとも実装ステップ実行より後に実行す
ることによって、第１及び第２調整ステップ（その双方
又は一方）における仕掛品の特性調整量を決定すること
ができる。

【００１４】また、本発明は、ＳＡＷデバイスに係る発
明としても把握できる。即ち、本発明に係るＳＡＷデバ
イスは、ＳＡＷチップがフリップチップ実装されるダイ
アタッチ面をその内部に有するパッケージと、このダイ
アタッチ面にフリップチップ実装される上記ＳＡＷチッ
プとを備えるＳＡＷデバイスにおいて、ダイアタッチ面
に係る壁に特性調整用の窓が設けられており、この窓は
特性調整窓用リッドによりふさがれており、ＳＡＷチッ
プは窓を特性調整窓用リッドにてふさぐに先立ち当該窓
を介した気体の導入により特性調整を受けていることを
特徴とする。本発明に係るＳＡＷデバイスは、特性ばら
つきが小さいため、従来より品質が高い共振器、フィル
タ、遅延線その他として使用できる。

【００１５】以下、本発明の好適な実施形態に関し図面
に基づき説明する。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１に、本発明の第１実施形態に
係るＳＡＷデバイスの構成を示す。この実施形態の特徴
の一つは、パッケージ１２に窓１２ｅを設けたことにあ
る。この窓１２ｅは、ダイアタッチ面１２ａを介しＳＡ
Ｗチップ１０の電極形成面１０ａに外部から気体を導入
できるよう、形成されている。また、この窓１２ｅの開
口面積は、ＳＡＷチップ１０を収納するため図中上側に
設けられている開口に比べ、狭い。更に、窓１２ｅは、
セラミクス、ガラス等の素材から形成されたリッド（カ
バー）１２ｆによりふさがれており、リッド１２ｆとパ
ッケージ１２本体との間は金／スズ、半田、樹脂、ガラ
ス等により封ぜられている。周波数安定性を考慮する
と、金／スズ、ガラス等がよい。図中、符号１２ｇで表
されているのはその封じ部である。

【００１７】また、この実施形態では、パッケージ１２
として三層構造のパッケージを用いている。ここでいう
三層構造とは、ＳＡＷチップ１０を収納する凹部の側壁
を構成する中空角柱状の（底なし箱状の）部分、ダイア
タッチ面１２ａを有する平板の部分、及びその先端にフ
ットプリント１２ｂを備えた脚部１２ｈを構成する部分
を、図中上から下へと順に積み重ねて相互に固定した構
造である。図中の脚部１２ｈの高さ乃至長さは、少なく
とも、リッド１２ｆの厚さ＋封じ部１２ｇの厚さより
も、大きくしておく。

【００１８】この実施形態に係るＳＡＷデバイスを製造
するに際しては、まず、窓１２ｅを有するパッケージ１
２本体や所定の導体配置を有するＳＡＷチップ１０等を
準備する。この実施形態に適した導体配置を有するＳＡ
Ｗチップ１０の例としては、その電極形成面１０ａ上に
おいて概略図２のように導体が配置されているものを、
示すことができる。

【００１９】図２中、電極形成面１０ａのほぼ中央部分
に設けられている指交差状の電極は表面弾性波の送受波
に係る電極であり、この電極から送波された表面弾性波
を反射すべくその左右両脇に設けられている電極と共
に、いわゆるＩＤＴを構成している。このＩＤＴ部１０
ｂは、電極形成面１０ａの四隅に設けられているパッド
１０ｃと、電極形成面１０ａ上に設けた導体によって電
気的に接続されている。パッド１０ｃは、ダイアタッチ
面１２ａ上のパッド１２ｉ（図３参照）と電気的に接続
され且つ機械的に固定されるべき導体である。図３の例
では、パッド１２ｉはダイアタッチ面１２ａの四隅に形
成されており、かつその面積はパッド１０ｃ（乃至はバ
ンプ１４）との接続に必要な面積よりも大きめに設定さ
れている。

【００２０】次に、ＳＡＷチップ１０のダイアタッチ面
１２ａ上へのフリップチップ実装（フェースダウンボン
ディング）を実行する。即ち、図２に示すようにパッド
１０ｃの上に金等の金属から形成されるバンプ１４を配
置し、電極形成面１０ａを図１中下方向に向けた姿勢で
ＳＡＷチップ１０をパッケージ１２上部の開口から当該
パッケージ１２の凹部に入れ、更に、熱・圧力・超音波
等を印加する。これによって、パッド１０ｃ・１２ｉ間
がバンプ１４を介し接続・固定される。この工程を終え
た段階では、ＳＡＷチップ１０のＩＤＴ部１０ｂがパッ
ド１０ｃ、バンプ１４、パッド１２ｉ及び図示しない導
体を介してフットプリント１２ｂに電気的に接続された
状態になっている。

【００２１】本実施形態の特徴の一つは、バンプ接続固
定後に行う特性調整工程にある。図４に、一例として、
リアクティブイオンエッチングにより中心周波数等を調
整する工程の実施環境を示す。この工程を実施する際に
は、まず、仕掛品１６を平行平板型のリアクティブイオ
ンエッチング装置１８の内部に搬入し、ホルダ２０に装
着する。ホルダ２０にＲＦ電源２２から高周波電力を印
加し、装置１８の内部にエッチングガス例えばフッ素系
のガスを導入すると、放電によってプラズマが発生し、
窓１２ｅを介してＳＡＷチップ１０の電極形成面１０ａ
にエッチングが施される。例えばＳＡＷチップ１０が水
晶基板でありこの基板のエッチングを行おうとするので
あれば、エッチングガスとしてＣＦ₄等を用いる。この
エッチングの結果、仕掛品１６の特性例えば中心周波数
が変化する。

【００２２】従って、特性に施すべき調整の量（特性調
整量）や調整後に得るべき特性（目標特性）がわかって
いれば、エッチングに係るソフトウエア（エッチングガ
スの種類・流量、電力、温度、圧力等）を適宜決定又は
制御することによって、仕掛品１６の特性を調整するこ
とができる。具体的には、フリップチップ実装後遅くと
もエッチング開始前に仕掛品１６の特性を図示しない計
測器により計測しておいて、これを目標特性と比べ、そ
の結果に応じてエッチングに係るソフトウエアを適宜決
定又は制御すればよい。なお、エッチングしながら特性
を計測することや、エッチングを一時中断して特性を計
測しその後エッチングを再開することが可能な場合に
は、特性調整量をリアルタイムで又はこれに準ずる形で
決定し、エッチングを行うようにしてもよい。

【００２３】特性調整工程を実施した後は、リッド１２
ｆにより窓１２ｅをふさぐ工程を実施する。その際、同
時に、チップ収納用開口をリッド１２ｃによってふさぐ
ようにしてもよく、そのようにすれば工程の簡素化ひい
ては製造コストの低減が実現される。なお、同時実施の
ためには、リッド１２ｃと１２ｆ、封じ部１２ｄと１２
ｇが互いに同じ又は類似した素材であるのが望ましい。
また、同時実施は必須の措置ではない。例えば、図４に
示される仕掛品１６は、チップ収納用開口をリッド１２
ｃによってふさぐ工程を特性調整工程以前に行った例で
ある。

【００２４】このように、本実施形態においては、窓１
２ｅを介してフッ素系のエッチングガスを導入し、ＳＡ
Ｗチップ１０の電極形成面１０ａにリアクティブイオン
エッチングを施し、これによって特性調整を行ってい
る。従って、製造偏差による特性ばらつきを製造途上で
抑えることができ、品質や歩留まりの向上といった効果
を得ることができる。また、本実施形態で設けている窓
１２ｅは、図３に示したようにチップ収納用開口に比べ
その開口面積が小さい開口であり、従って、比較的エッ
チングレートが高くなるリアクティブイオンエッチング
を行っているにも関わらず、エッチングレートを抑えや
すい。そのため、本実施形態では、仕掛品１６の特性例
えば通過域の中心周波数の調整に関する制御の困難性が
生まれにくく、比較的高周波のＳＡＷデバイスであって
もその特性調整を的確且つ容易に行うことができる。

【００２５】また、本実施形態の特徴に係る窓１２ｅ
は、最終的にはリッド１２ｆによりふさがれる。リッド
１２ｆにより窓１２ｅをふさぐ工程とリッド１２ｃによ
りチップ収納用開口をふさぐ工程とを、前掲の如く同時
に実行するようにすれば、製造工程が簡素になる。ま
た、リッド１２ｆにより窓１２ｅをふさいだ構造を採用
しているため、本実施形態ではパッケージの下面にリッ
ド１２ｆ（＋封じ部１２ｇ）により突出が現れるが、他
方でこの突出より背が高い脚部１２ｈを設けているた
め、外部との接続・固定に支障は生じない。また、リッ
ド１２ｆ自体はさほど厚くないから、脚部１２ｈを設け
たことによる高背化はさほど問題にならない（図では、
図示の便宜のため、リッド１２ｆや封じ部１２ｇ等を厚
めに描いている）。

【００２６】更に、リッド１２ｆの素材として、ガラス
等、光乃至電磁波を透過可能な素材を用いた場合には、
リッド１２ｆにて窓１２ｅをふさいだ後でも、特性を調
整することができる。即ち、リッド１２ｆを介してＳＡ
Ｗチップ１０の電極形成面１０ａ上に光乃至電磁波のビ
ームを部位選択的に照射し、電極形成面１０ａ上の導体
又は絶縁体の膜を部分的に温度上昇させ改質することに
より、特性を調整できる。即ち、リッド１２ｆによる封
じに伴い特性変化が生じたとしても、当該特性変化を補
償することができる。また、リッド１２ｆにて窓１２ｅ
をふさぐ前の段階でも、ＳＡＷチップ１０の電極形成面
１０ａ上に光乃至電磁波のビームを部位選択的に照射
し、電極形成面１０ａ上の導体又は絶縁体の膜を部分的
に温度上昇させ改質することにより、特性を調整でき
る。なお、ビームによる膜質改質の手法の詳細に関して
は、前掲の先提案を参照されたい。

【００２７】図５に、本発明の第２実施形態における窓
１２ｅを示す。図３に示したものに比べ、この実施形態
における窓１２ｅは小さく、複数個（図中５個）に分割
されている。このような形状・寸法とすることで、エッ
チングレートを抑える効果をより高めることができる。

【００２８】図６に、本発明の第３実施形態に係るＳＡ
Ｗデバイスの構成を示す。この実施形態では、チップ収
納用開口やリッド１２ｃと同じ側に脚部１２ｈを設けて
いる。この構成でも、第１実施形態と同様の効果を得る
ことができる。

【００２９】

【補遺】実施形態に関する説明では、平行平板型リアク
ティブエッチング装置１８を用いている。しかしなが
ら、本発明は、平行平板型以外のタイプの装置や、リア
クティブイオンエッチング以外のエッチング手法によっ
ても実施できる。また、基板をエッチングするのかそれ
とも電極をエッチングするのかは、エッチングガスその
他のソフトウエアの選択・決定により、適宜決められ
る。また、本発明は、エッチング以外の手法によっても
実施可能である。例えば、表面弾性波伝搬にかかわる膜
を形成するためのガスをＳＡＷチップの電極形成面上に
導入することによっても、本発明の特徴に係る特性調整
を実施できる。その際に、先提案にて使用していたビー
ム照射を行うようにしてもよい。更に、パッケージ１２
の一部表面即ちリッド１２ｆを以て封じる窓１２ｅ周辺
の部位に、他の部位よりややくぼんだ部分を設け、この
くぼみにてリッド１２ｆ（及び封じ部１２ｇ）を受容
し、リッド１２ｆがパッケージ１２の表面から（あま
り）突出しないようにする等、パッケージ１２の形状や
リッド１２ｆの配置には様々な変形を施すことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態にかかるＳＡＷデバイ
スの構成を示す断面図である。

【図２】この実施形態における電極形成面上の概略導
体配置を示す平面図である。

【図３】この実施形態におけるダイアタッチ面上の概
略導体配置を示す平面図である。

【図４】この実施形態における特性調整工程の実施環
境を示す概略断面図である。

【図５】本発明の第２実施形態におけるダイアタッチ
面上の概略導体配置を示す平面図である。

【図６】本発明の第３実施形態にかかるＳＡＷデバイ
スの構成を示す断面図である。

【図７】フリップチップ実装型ＳＡＷデバイスの概略
構成を示す断面図である。

【符号の説明】

１０ＳＡＷチップ、１０ａ電極形成面、１０ｂＩ
ＤＴ部、１０ｃ，１２ｉパッド、１２パッケージ、
１２ａダイアタッチ面、１２ｂフットプリント、１
２ｃ，１２ｆリッド、１２ｄ，１２ｇ封じ部、１２
ｅ窓、１２ｈ脚部、１４バンプ、１６仕掛品、１
８リアクティブイオンエッチング装置、２０ホル
ダ、２２ＲＦ電源。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】そのダイアタッチ面に特性調整用の窓が
設けられているパッケージ内にＳＡＷチップをフリップ
チップ実装する実装ステップと、上記窓を介して上記パ
ッケージ内に気体を導入することにより仕掛品の特性を
調整する第１調整ステップとを実行することを特徴とす
るＳＡＷデバイス製造方法。
【請求項２】請求項１記載のＳＡＷデバイス製造方法
において、上記第１調整ステップにて上記パッケージ内
に導入される気体が、上記ＳＡＷチップの基板をエッチ
ングするためのガス、上記ＳＡＷチップの電極をエッチ
ングするためのガス、及び上記ＳＡＷチップの表面に当
該ＳＡＷチップにおけるＳＡＷ伝搬に関連する膜を形成
するためのガスのうち、少なくともいずれかを含むこと
を特徴とするＳＡＷデバイス製造方法。
【請求項３】請求項２記載のＳＡＷデバイス製造方法
において、上記窓が、上記実装ステップにて上記パッケ
ージに上記ＳＡＷチップを収納するために上記パッケー
ジに設けられている開口に比べ小さな開口であることを
特徴とするＳＡＷデバイス製造方法。
【請求項４】請求項３記載のＳＡＷデバイス製造方法
において、上記窓が複数個の開口の集合であることを特
徴とするＳＡＷデバイス製造方法。
【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載のＳＡ
Ｗデバイス製造方法において、上記窓を介し上記ＳＡＷ
チップの電極形成面に部位選択的に光乃至電磁波を照射
し温度上昇を惹起させることにより仕掛品の特性を調整
する第２調整ステップを実行することを特徴とするＳＡ
Ｗデバイス製造方法。
【請求項６】請求項１乃至４のいずれかに記載のＳＡ
Ｗデバイス製造方法において、上記第１調整ステップ実
行後上記窓を特性調整窓用リッドによりふさぐ第１封じ
ステップを実行することを特徴とするＳＡＷデバイス製
造方法。
【請求項７】請求項６記載のＳＡＷデバイス製造方法
において、光乃至電磁波を透過可能な素材にて形成して
おいた上記特性調整窓用リッドを介して上記ＳＡＷチッ
プの電極形成面に部位選択的に光乃至電磁波を照射し、
温度上昇を惹起させることにより仕掛品の特性を調整す
る第２調整ステップを、少なくとも上記第１封じステッ
プを実行した後に実行することを特徴とするＳＡＷデバ
イス製造方法。
【請求項８】請求項６又は７記載のＳＡＷデバイス製
造方法において、上記パッケージには上記ＳＡＷチップ
を上記パッケージの内部に入れるための開口が設けられ
ており、上記実装ステップではこの開口を用いて上記Ｓ
ＡＷチップを上記パッケージの内部に入れており、更
に、上記開口を収納開口用リッドによりふさぐ第２封じ
ステップを、上記第１封じステップと同時に実行するこ
とを特徴とするＳＡＷデバイス製造方法。
【請求項９】請求項１乃至８のいずれかに記載のＳＡ
Ｗデバイス製造方法において、仕掛品の特性調整量を決
定すべく仕掛品の特性を測定する測定ステップを、上記
実装ステップ実行後少なくとも第１調整ステップ実行前
に実行することを特徴とするＳＡＷデバイス製造方法。
【請求項１０】請求項１乃至９のいずれかに記載のＳ
ＡＷデバイス製造方法において、上記パッケージとし
て、上記窓と同じ側に外部との電気的接続乃至機械的固
定用の脚部を有するパッケージを用いると共に、上記特
性調整用リッドの厚さを上記脚部の高さより小さくした
ことを特徴とするＳＡＷデバイス製造方法。
【請求項１１】ＳＡＷチップがフリップチップ実装さ
れるダイアタッチ面をその内部に有するパッケージと、
上記ダイアタッチ面にフリップチップ実装される上記Ｓ
ＡＷチップとを備えるＳＡＷデバイスにおいて、上記ダ
イアタッチ面に係る壁に特性調整用の窓が設けられてお
り、上記窓は特性調整窓用リッドによりふさがれてお
り、上記ＳＡＷチップは上記窓を上記特性調整窓用リッ
ドにてふさぐに先立ち当該窓を介した気体の導入により
特性調整を受けていることを特徴とするＳＡＷデバイ
ス。