JPH1123397A - 圧力検出装置 - Google Patents
圧力検出装置Info
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- JPH1123397A JPH1123397A JP19200197A JP19200197A JPH1123397A JP H1123397 A JPH1123397 A JP H1123397A JP 19200197 A JP19200197 A JP 19200197A JP 19200197 A JP19200197 A JP 19200197A JP H1123397 A JPH1123397 A JP H1123397A
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- metal diaphragm
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 測定精度およびシール性の向上を図る。
【解決手段】 半導体圧力検出装置は、ハウジング１２
の端面１２ａに凹部１４を備える。凹部１４内には、半
導体圧力センサ素子１６が設けられている。ハウジング
１２の端面１２ａには、上方に突出する環形状の可撓部
３２が形成されている。また、端面１２ａ上には、凹部
１４を塞ぐように金属ダイヤフラム３４が組付けられて
いる。さらに端面１２ａ上には、金属ダイヤフラム３４
の外周を挟んでＯリング３６が組付けられている。可撓
部３２はＯリング３６に沿わして端面１２ａ側へかしめ
られており、これにより、金属ダイヤフラム３４は、圧
縮変形したＯリング３６とハウジング１２の端面１２ａ
との間で固定されている。このとき、金属ダイヤフラム
３４と凹部１４とにより密閉空間が形成され、この密閉
空間内にシリコーンオイルが封止されている。
の端面１２ａに凹部１４を備える。凹部１４内には、半
導体圧力センサ素子１６が設けられている。ハウジング
１２の端面１２ａには、上方に突出する環形状の可撓部
３２が形成されている。また、端面１２ａ上には、凹部
１４を塞ぐように金属ダイヤフラム３４が組付けられて
いる。さらに端面１２ａ上には、金属ダイヤフラム３４
の外周を挟んでＯリング３６が組付けられている。可撓
部３２はＯリング３６に沿わして端面１２ａ側へかしめ
られており、これにより、金属ダイヤフラム３４は、圧
縮変形したＯリング３６とハウジング１２の端面１２ａ
との間で固定されている。このとき、金属ダイヤフラム
３４と凹部１４とにより密閉空間が形成され、この密閉
空間内にシリコーンオイルが封止されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体圧
力センサ素子のような圧力センサ素子を備える圧力検出
装置に関する。
力センサ素子のような圧力センサ素子を備える圧力検出
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体圧力センサ素子自身
や、素子のワイヤボンディングの接合部等の劣化を防止
するものとして、シールダイヤフラム式の半導体圧力検
出装置が知られている。このシールダイヤフラム式の半
導体圧力検出装置は、シールダイヤフラムを隔壁とし
て、半導体圧力センサ素子やその周辺が測定媒体に触れ
るのを防ぐものである。
や、素子のワイヤボンディングの接合部等の劣化を防止
するものとして、シールダイヤフラム式の半導体圧力検
出装置が知られている。このシールダイヤフラム式の半
導体圧力検出装置は、シールダイヤフラムを隔壁とし
て、半導体圧力センサ素子やその周辺が測定媒体に触れ
るのを防ぐものである。
【０００３】さらに、シールダイヤフラム式の半導体圧
力検出装置において、シールダイヤフラムの組付けを容
易とした、特開昭６３−２９８１２９号に示すものが提
案されている。この装置は、図１０に示すように、ハウ
ジング１と、該ハウジング１に挿入固定されるステム２
とを別体とし、該ステム２に凹部３を形成し、さらに、
ステム２には、凹部３を塞ぐようにシールダイヤフラム
５を設け、ハウジング１の端部に形成した環状の可撓部
６をかしめることにより、シールダイヤフラム５の外周
５ａをステム２の角部に巻き込み、シールダイヤフラム
５のシール性を高めつつ、シールダイヤフラム５とステ
ム２とを同時にハウジング１に固定しようとするもので
ある。
力検出装置において、シールダイヤフラムの組付けを容
易とした、特開昭６３−２９８１２９号に示すものが提
案されている。この装置は、図１０に示すように、ハウ
ジング１と、該ハウジング１に挿入固定されるステム２
とを別体とし、該ステム２に凹部３を形成し、さらに、
ステム２には、凹部３を塞ぐようにシールダイヤフラム
５を設け、ハウジング１の端部に形成した環状の可撓部
６をかしめることにより、シールダイヤフラム５の外周
５ａをステム２の角部に巻き込み、シールダイヤフラム
５のシール性を高めつつ、シールダイヤフラム５とステ
ム２とを同時にハウジング１に固定しようとするもので
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術では、
シールダイヤフラム５は、その外周５ａがかしめにより
曲げられていることから、受圧面である中央付近で不慮
の変形やひずみの蓄積等が生じる。このため、シールダ
イヤフラム５における受圧と変形との関係はリニアなも
のとならず、シールダイヤフラム５は外圧を内側に十分
に伝えることができなかった。これは、測定精度の悪化
といった問題を招いた。また、金属と金属によるかしめ
であることや、かしめと共にステム２が押し下げられる
ことから、シール性が十分でないといった問題も招い
た。
シールダイヤフラム５は、その外周５ａがかしめにより
曲げられていることから、受圧面である中央付近で不慮
の変形やひずみの蓄積等が生じる。このため、シールダ
イヤフラム５における受圧と変形との関係はリニアなも
のとならず、シールダイヤフラム５は外圧を内側に十分
に伝えることができなかった。これは、測定精度の悪化
といった問題を招いた。また、金属と金属によるかしめ
であることや、かしめと共にステム２が押し下げられる
ことから、シール性が十分でないといった問題も招い
た。
【０００５】この発明は、こうした問題を解決し、測定
精度およびシール性の向上を図ることを目的としてい
る。
精度およびシール性の向上を図ることを目的としてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】か
かる目的を達成するため、この発明は、以下の構成を採
用した。この発明の圧力検出装置は、端面に液状媒体の
充填用の凹部を備えるハウジングと、該ハウジングの前
記端面から突出し、前記凹部の側壁より薄肉で環形状の
可塑変形部と、前記凹部内に取り付けられる圧力センサ
素子と、前記ハウジングの端面上に配置され、前記凹部
を塞ぐ金属ダイヤフラムと、前記端面上に前記金属ダイ
ヤフラムの外周を挟んで配置される弾性部材とを備え、
前記可塑変形部を、前記弾性部材に沿わして前記端面側
へかしめることにより、前記金属ダイヤフラムを前記弾
性部材と前記端面とで挟持固定することを、その要旨と
している。
かる目的を達成するため、この発明は、以下の構成を採
用した。この発明の圧力検出装置は、端面に液状媒体の
充填用の凹部を備えるハウジングと、該ハウジングの前
記端面から突出し、前記凹部の側壁より薄肉で環形状の
可塑変形部と、前記凹部内に取り付けられる圧力センサ
素子と、前記ハウジングの端面上に配置され、前記凹部
を塞ぐ金属ダイヤフラムと、前記端面上に前記金属ダイ
ヤフラムの外周を挟んで配置される弾性部材とを備え、
前記可塑変形部を、前記弾性部材に沿わして前記端面側
へかしめることにより、前記金属ダイヤフラムを前記弾
性部材と前記端面とで挟持固定することを、その要旨と
している。
【０００７】この構成の圧力検出装置によれば、可塑変
形部を弾性部材に沿わしてハウジングの端面側へかしめ
ることにより、金属ダイヤフラムを外周を曲げることな
しに、弾性部材と端面との間で挟持固定することができ
る。このため、金属ダイヤフラムに固定時のかしめに起
因する不慮の変形やひずみの蓄積等が生じることがな
い。したがって、金属ダイヤフラムは外圧を内側に十分
に伝えることができ、測定精度に優れているといった効
果を奏する。また、弾性部材によってシールが図られて
いることから、シール性に優れている。特に、金属と金
属によるかしめの場合、熱膨張差によりシール性の低下
が顕著となるが、この構成によれば、熱膨張差を弾性部
材の復元力により吸収することができることから、熱膨
張差によってシール性が低下することもない。
形部を弾性部材に沿わしてハウジングの端面側へかしめ
ることにより、金属ダイヤフラムを外周を曲げることな
しに、弾性部材と端面との間で挟持固定することができ
る。このため、金属ダイヤフラムに固定時のかしめに起
因する不慮の変形やひずみの蓄積等が生じることがな
い。したがって、金属ダイヤフラムは外圧を内側に十分
に伝えることができ、測定精度に優れているといった効
果を奏する。また、弾性部材によってシールが図られて
いることから、シール性に優れている。特に、金属と金
属によるかしめの場合、熱膨張差によりシール性の低下
が顕著となるが、この構成によれば、熱膨張差を弾性部
材の復元力により吸収することができることから、熱膨
張差によってシール性が低下することもない。
【０００８】上述した発明の圧力検出装置において、前
記弾性部材はＯリングである構成とすることができる。
この構成によれば、金属ダイヤフラムの外周の全範囲に
わたって確実にシーリングを行なうことができる。
記弾性部材はＯリングである構成とすることができる。
この構成によれば、金属ダイヤフラムの外周の全範囲に
わたって確実にシーリングを行なうことができる。
【０００９】また、上述した発明の圧力検出装置におい
て、前記金属ダイヤフラムと前記弾性部材とは、予め接
着されて一体となった構成とすることもできる。この構
成によれば、組付けが容易である。
て、前記金属ダイヤフラムと前記弾性部材とは、予め接
着されて一体となった構成とすることもできる。この構
成によれば、組付けが容易である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以上説明した本発明の構成・作用
を一層明らかにするために、以下本発明の実施の形態を
実施例に基づき説明する。
を一層明らかにするために、以下本発明の実施の形態を
実施例に基づき説明する。
【００１１】図１は、本発明の好適な一実施例としての
半導体圧力検出装置１０の組み立て途中の断面図であ
り、図２は、図１で示した状態の半導体圧力検出装置１
０の平面図である。図３は、半導体圧力検出装置１０の
組み立て完了後の断面図であり、図４は、図３で示した
状態の半導体圧力検出装置１０の平面図である。
半導体圧力検出装置１０の組み立て途中の断面図であ
り、図２は、図１で示した状態の半導体圧力検出装置１
０の平面図である。図３は、半導体圧力検出装置１０の
組み立て完了後の断面図であり、図４は、図３で示した
状態の半導体圧力検出装置１０の平面図である。
【００１２】図１および図２に示すように、半導体圧力
検出装置１０は、金属製のハウジング１２を備え、その
ハウジング１２の先端側の端面１２ａに凹部１４を備え
る。凹部１４の底面１４ａには、半導体圧力センサ素子
１６を接合したガラス製の取付台１８がエポキシ系の接
着剤２０により固定されている。半導体圧力センサ素子
１６は、Ｎ型シリコン基板の中央部に、周辺部よりも厚
みの薄い円形部分（ダイヤフラム）を形成し、そのダイ
ヤフラムにＰ型シリコン層のゲージ抵抗を形成した、周
知のものである。
検出装置１０は、金属製のハウジング１２を備え、その
ハウジング１２の先端側の端面１２ａに凹部１４を備え
る。凹部１４の底面１４ａには、半導体圧力センサ素子
１６を接合したガラス製の取付台１８がエポキシ系の接
着剤２０により固定されている。半導体圧力センサ素子
１６は、Ｎ型シリコン基板の中央部に、周辺部よりも厚
みの薄い円形部分（ダイヤフラム）を形成し、そのダイ
ヤフラムにＰ型シリコン層のゲージ抵抗を形成した、周
知のものである。
【００１３】凹部１４の底面１４ａには、信号引き出し
用の一対の端子電極２２，２３がハーメチックシール２
５，２６により、ハウジング１２と電気的に絶縁した状
態で貫通固定されている。半導体圧力センサ素子１６と
両端子電極２２，２３とはそれぞれボンディングワイヤ
２８によって電気的に接続されている。なお、両端子電
極２２，２３は、ハウジング１２の下部側に設けた開口
部３０に突出しており、検出信号の外部への引き出しが
可能となっている。
用の一対の端子電極２２，２３がハーメチックシール２
５，２６により、ハウジング１２と電気的に絶縁した状
態で貫通固定されている。半導体圧力センサ素子１６と
両端子電極２２，２３とはそれぞれボンディングワイヤ
２８によって電気的に接続されている。なお、両端子電
極２２，２３は、ハウジング１２の下部側に設けた開口
部３０に突出しており、検出信号の外部への引き出しが
可能となっている。
【００１４】ハウジング１２の端面１２ａには、その端
面１２ａから上方に突出する環形状の可塑変形部３２が
形成されている。可塑変形部３２は、凹部１４の側壁１
４ｂより薄肉であり、その外周面３２ａは、ハウジング
１２の外周面１２ｂと段差なく連続している。
面１２ａから上方に突出する環形状の可塑変形部３２が
形成されている。可塑変形部３２は、凹部１４の側壁１
４ｂより薄肉であり、その外周面３２ａは、ハウジング
１２の外周面１２ｂと段差なく連続している。
【００１５】ハウジング１２の端面１２ａ上には、凹部
１４を塞ぐように金属ダイヤフラム３４が組付けられて
いる。さらに、その端面１２ａ上には、金属ダイヤフラ
ム３４の外周３４ａを挟んでＯリング３６が組付けられ
ている。なお、Ｏリング３６の外径のサイズは、可塑変
形部３２の内周面３２ｂの径のサイズとほぼ同じで、Ｏ
リング３６は、可塑変形部３２の内周面３２ｂにほぼ接
触した状態となっている。
１４を塞ぐように金属ダイヤフラム３４が組付けられて
いる。さらに、その端面１２ａ上には、金属ダイヤフラ
ム３４の外周３４ａを挟んでＯリング３６が組付けられ
ている。なお、Ｏリング３６の外径のサイズは、可塑変
形部３２の内周面３２ｂの径のサイズとほぼ同じで、Ｏ
リング３６は、可塑変形部３２の内周面３２ｂにほぼ接
触した状態となっている。
【００１６】可塑変形部３２をＯリング３６に沿わして
端面１２ａ側へかしめることにより、図３および図４に
示すように、金属ダイヤフラム３４は、圧縮変形したＯ
リング３６とハウジング１２の端面１２ａとの間で固定
される。このとき、金属ダイヤフラム３４と凹部１４と
により密閉空間Ｓが形成される。この密閉空間Ｓ内に
は、半導体圧力センサ素子１６の劣化防止用としてのシ
リコーンオイルが封止されている。
端面１２ａ側へかしめることにより、図３および図４に
示すように、金属ダイヤフラム３４は、圧縮変形したＯ
リング３６とハウジング１２の端面１２ａとの間で固定
される。このとき、金属ダイヤフラム３４と凹部１４と
により密閉空間Ｓが形成される。この密閉空間Ｓ内に
は、半導体圧力センサ素子１６の劣化防止用としてのシ
リコーンオイルが封止されている。
【００１７】次に、こうした構成の半導体圧力検出装置
１０がどのような手順により組み立てられるかを、図５
のフローチャートに沿って説明する。まず、ハウジング
１２に可塑変形部３２を形成する加工を施す（工程Ｓ１
００）。次いで、ハウジング１２の凹部１４に端子電極
２２，２３およびハーメチックシール２５，２６を取り
付ける（工程Ｓ１１０）。続いて、半導体圧力センサ素
子１６を接合した取付台１８を凹部１４の底面１４ａに
接着する（工程Ｓ１２０）。続いて、半導体圧力センサ
素子１６と端子電極２２，２３との間をワイヤボンディ
ングする（工程Ｓ１３０）。
１０がどのような手順により組み立てられるかを、図５
のフローチャートに沿って説明する。まず、ハウジング
１２に可塑変形部３２を形成する加工を施す（工程Ｓ１
００）。次いで、ハウジング１２の凹部１４に端子電極
２２，２３およびハーメチックシール２５，２６を取り
付ける（工程Ｓ１１０）。続いて、半導体圧力センサ素
子１６を接合した取付台１８を凹部１４の底面１４ａに
接着する（工程Ｓ１２０）。続いて、半導体圧力センサ
素子１６と端子電極２２，２３との間をワイヤボンディ
ングする（工程Ｓ１３０）。
【００１８】その後、ここまで組み立てた半導体圧力検
出装置１０を、脱気済みのシリコーンオイルを貯えたシ
リコーンオイル槽に入れる（工程Ｓ１４０）。続いて、
その槽内で、ハウジング１２に金属ダイヤフラム３４お
よびＯリング３６を組付ける（工程Ｓ１５０）。続い
て、半導体圧力検出装置１０をシリコーンオイル槽から
取り出す（工程Ｓ１６０）。この時点の状態を表わすの
が図１および図２である。その後、可塑変形部３２を、
Ｏリング３６に沿わして端面１２ａ側へかしめる（工程
Ｓ１７０）。この結果、半導体圧力検出装置１０の組み
立てが完了するが、この状態を表わすのが図３および図
４である。なお、工程Ｓ１７０は必ずしも必要なく、シ
リコーンオイル槽内で可塑変形部３２のかしめを行なう
構成としてもよい。
出装置１０を、脱気済みのシリコーンオイルを貯えたシ
リコーンオイル槽に入れる（工程Ｓ１４０）。続いて、
その槽内で、ハウジング１２に金属ダイヤフラム３４お
よびＯリング３６を組付ける（工程Ｓ１５０）。続い
て、半導体圧力検出装置１０をシリコーンオイル槽から
取り出す（工程Ｓ１６０）。この時点の状態を表わすの
が図１および図２である。その後、可塑変形部３２を、
Ｏリング３６に沿わして端面１２ａ側へかしめる（工程
Ｓ１７０）。この結果、半導体圧力検出装置１０の組み
立てが完了するが、この状態を表わすのが図３および図
４である。なお、工程Ｓ１７０は必ずしも必要なく、シ
リコーンオイル槽内で可塑変形部３２のかしめを行なう
構成としてもよい。
【００１９】以上のように組み立てられた半導体圧力検
出装置１０は、金属ダイヤフラム３４を備える側の端面
１２ａを、例えばエンジンのオイルチャンバに挿入し
て、ハウジング１２部分でねじ付け固定することによ
り、オイルプレッシャの測定が可能となる。
出装置１０は、金属ダイヤフラム３４を備える側の端面
１２ａを、例えばエンジンのオイルチャンバに挿入し
て、ハウジング１２部分でねじ付け固定することによ
り、オイルプレッシャの測定が可能となる。
【００２０】上記構成の半導体圧力検出装置１０によれ
ば、可塑変形部３２をＯリング３６に沿わしてハウジン
グ１２の端面１２ａ側へかしめることにより、金属ダイ
ヤフラム３４を外周３４ａを曲げることなしに、Ｏリン
グ３６と端面１２ａの間で挟持固定することができる。
このため、金属ダイヤフラム３４に固定時のかしめに起
因する不慮の変形やひずみの蓄積等が生じることがな
い。したがって、金属ダイヤフラム３４は外圧を内側に
十分に伝えることができ、測定精度に優れているといっ
た効果を奏する。また、Ｏリング３６によってシールが
図られていることから、シール性に優れている。特に、
金属と金属によるかしめの場合、熱膨張差によりシール
性の低下が顕著となるが、この構成によれば、熱膨張差
をＯリング３６の復元力により吸収することができるこ
とから、熱膨張差によってシール性が低下することもな
い。
ば、可塑変形部３２をＯリング３６に沿わしてハウジン
グ１２の端面１２ａ側へかしめることにより、金属ダイ
ヤフラム３４を外周３４ａを曲げることなしに、Ｏリン
グ３６と端面１２ａの間で挟持固定することができる。
このため、金属ダイヤフラム３４に固定時のかしめに起
因する不慮の変形やひずみの蓄積等が生じることがな
い。したがって、金属ダイヤフラム３４は外圧を内側に
十分に伝えることができ、測定精度に優れているといっ
た効果を奏する。また、Ｏリング３６によってシールが
図られていることから、シール性に優れている。特に、
金属と金属によるかしめの場合、熱膨張差によりシール
性の低下が顕著となるが、この構成によれば、熱膨張差
をＯリング３６の復元力により吸収することができるこ
とから、熱膨張差によってシール性が低下することもな
い。
【００２１】また、この実施例では、弾性部材としてＯ
リング３６を用いていることから、金属ダイヤフラム３
４の外周の全範囲にわたって確実にシーリングを行なう
ことができる。
リング３６を用いていることから、金属ダイヤフラム３
４の外周の全範囲にわたって確実にシーリングを行なう
ことができる。
【００２２】なお、前記実施例では、弾性部材としてＯ
リング３６を用いていたが、これに替えて、図６に示す
ように、断面が「Ｃ」の字形のリング、いわゆるＣリン
グ２００を用いた構成としてもよい。あるいは、図７に
示すように、金属板３０２にラバー３０４を貼着してリ
ング形状とした、いわゆるメタルラバーリング３００を
用いた構成としてもよい。なお、このメタルラバーリン
グ３００を採用するときには、図８に示すように、金属
ダイヤフラム３４にメタルラバーリング３００のラバー
３０４側を組付けて、可塑変形部３２のかしめ部分まで
ラバー３０４が回り込む構成とするのがよい。また、ラ
バーだけからなるラバーリングを用いた構成としてもよ
い。
リング３６を用いていたが、これに替えて、図６に示す
ように、断面が「Ｃ」の字形のリング、いわゆるＣリン
グ２００を用いた構成としてもよい。あるいは、図７に
示すように、金属板３０２にラバー３０４を貼着してリ
ング形状とした、いわゆるメタルラバーリング３００を
用いた構成としてもよい。なお、このメタルラバーリン
グ３００を採用するときには、図８に示すように、金属
ダイヤフラム３４にメタルラバーリング３００のラバー
３０４側を組付けて、可塑変形部３２のかしめ部分まで
ラバー３０４が回り込む構成とするのがよい。また、ラ
バーだけからなるラバーリングを用いた構成としてもよ
い。
【００２３】さらには、図９に示すように、弾性材料と
してラバーリング４００を用いて、このラバーリング４
００を金属ダイヤフラム４０２の外周４０２ａに予め接
着剤等で固着した構成としてもよい。この構成によれ
ば、ラバーリング４００の組付けを、金属ダイヤフラム
４０２の組付けの工程で行なうことができ、装置の組付
けが容易であるといった効果を奏する。
してラバーリング４００を用いて、このラバーリング４
００を金属ダイヤフラム４０２の外周４０２ａに予め接
着剤等で固着した構成としてもよい。この構成によれ
ば、ラバーリング４００の組付けを、金属ダイヤフラム
４０２の組付けの工程で行なうことができ、装置の組付
けが容易であるといった効果を奏する。
【００２４】前記実施例では、圧力センサ素子として半
導体圧力センサ素子１６を用いていたが、これに替え
て、ピエゾセンサ、容量形センサ等の他のセンサ素子を
用いた構成としてもよい。
導体圧力センサ素子１６を用いていたが、これに替え
て、ピエゾセンサ、容量形センサ等の他のセンサ素子を
用いた構成としてもよい。
【００２５】以上本発明の実施例について説明したが、
本発明はこうした実施例に何等限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる
様態で実施し得ることは勿論である。
本発明はこうした実施例に何等限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる
様態で実施し得ることは勿論である。
【図１】本発明の好適な一実施例としての半導体圧力検
出装置１０の組み立て途中の断面図である。
出装置１０の組み立て途中の断面図である。
【図２】図１で示した状態の半導体圧力検出装置１０の
平面図である。
平面図である。
【図３】半導体圧力検出装置１０の組み立て完了後の断
面図である。
面図である。
【図４】図３で示した状態の半導体圧力検出装置１０の
平面図である。
平面図である。
【図５】半導体圧力検出装置１０の組み立て処理の手順
を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
【図６】他の実施態様において用いられるＣリング２０
０の破断斜視図である。
０の破断斜視図である。
【図７】他の実施態様において用いられるメタルラバー
リング３００の破断斜視図である。
リング３００の破断斜視図である。
【図８】メタルラバーリング３００の取り付け状態を示
す部分断面図である。
す部分断面図である。
【図９】他の実施態様において用いられるラバーリング
４００と金属ダイヤフラム４０２の接合体の破断斜視図
である。
４００と金属ダイヤフラム４０２の接合体の破断斜視図
である。
【図１０】従来の半導体圧力検出装置の断面図である。
１０…半導体圧力検出装置 １２…ハウジング １４…凹部 １６…半導体圧力センサ素子 １８…取付台 ２０…接着剤 ２２，２３…端子電極 ２５，２６…ハーメチックシール ２８…ボンディングワイヤ ３０…開口部 ３２…可塑変形部 ３４…金属ダイヤフラム ３４ａ…外周 ３６…Ｏリング Ｓ…密閉空間
Claims (3)
- 【請求項１】 端面に液状媒体の充填用の凹部を備える
ハウジングと、 該ハウジングの前記端面から突出し、前記凹部の側壁よ
り薄肉で環形状の可塑変形部と、 前記凹部内に取り付けられる圧力センサ素子と、 前記ハウジングの端面上に配置され、前記凹部を塞ぐ金
属ダイヤフラムと、 前記端面上に前記金属ダイヤフラムの外周を挟んで配置
される弾性部材とを備え、 前記可塑変形部を、前記弾性部材に沿わして前記端面側
へかしめることにより、前記金属ダイヤフラムを前記弾
性部材と前記端面とで挟持固定することを特徴とする圧
力検出装置。 - 【請求項２】 前記弾性部材は、Ｏリングである請求項
１記載の圧力検出装置。 - 【請求項３】 前記金属ダイヤフラムと前記弾性部材と
は、予め接着されて一体となったものである請求項１記
載の圧力検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19200197A JPH1123397A (ja) | 1997-07-01 | 1997-07-01 | 圧力検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19200197A JPH1123397A (ja) | 1997-07-01 | 1997-07-01 | 圧力検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1123397A true JPH1123397A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16283965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19200197A Pending JPH1123397A (ja) | 1997-07-01 | 1997-07-01 | 圧力検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1123397A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003050172A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-21 | Fuji Controls Co Ltd | 圧力検出装置 |
| US8371176B2 (en) | 2011-01-06 | 2013-02-12 | Honeywell International Inc. | Media isolated pressure sensor |
| US8516897B1 (en) | 2012-02-21 | 2013-08-27 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor |
| EP3048434A2 (en) | 2015-01-19 | 2016-07-27 | TGK CO., Ltd. | Pressure sensor module and method for manufacturing the same |
| CN113579085A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-11-02 | 杭州科岛微电子有限公司 | 扩散硅压力传感器的一种充油芯体封装结构制造方法 |
-
1997
- 1997-07-01 JP JP19200197A patent/JPH1123397A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003050172A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-21 | Fuji Controls Co Ltd | 圧力検出装置 |
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| US8516897B1 (en) | 2012-02-21 | 2013-08-27 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor |
| EP3048434A2 (en) | 2015-01-19 | 2016-07-27 | TGK CO., Ltd. | Pressure sensor module and method for manufacturing the same |
| KR20160089282A (ko) | 2015-01-19 | 2016-07-27 | 가부시키가이샤 테지케 | 압력 센서 모듈 및 압력 센서 모듈의 제조 방법 |
| EP3048434A3 (en) * | 2015-01-19 | 2016-11-09 | TGK CO., Ltd. | Pressure sensor module and method for manufacturing the same |
| CN113579085A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-11-02 | 杭州科岛微电子有限公司 | 扩散硅压力传感器的一种充油芯体封装结构制造方法 |
| CN113579085B (zh) * | 2021-07-16 | 2023-03-31 | 杭州科岛微电子有限公司 | 扩散硅压力传感器的一种充油芯体封装结构制造方法 |
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