JPH11233814A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH11233814A JPH11233814A JP3012098A JP3012098A JPH11233814A JP H11233814 A JPH11233814 A JP H11233814A JP 3012098 A JP3012098 A JP 3012098A JP 3012098 A JP3012098 A JP 3012098A JP H11233814 A JPH11233814 A JP H11233814A
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- JP
- Japan
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- type
- layer
- light emitting
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 活性層で発生した光を効率よく外部に取り出
すことができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 ｎ型基板２の上に、ｎ型クラッド層３、
ｎ型活性層４、ｎ型クラッド層５、ｐ型キャップ層６、
発光窓９付きのｐ電極８が形成されているとともに、発
光窓９と対応した領域から拡散されたｐ型不純物によっ
て前記ｎ型の層を貫通して活性層４に達するように形成
した電流通路領域７を備え、電流通路領域７の屈折率を
その周囲のｎ型の層の屈折率よりも大きくした。
すことができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 ｎ型基板２の上に、ｎ型クラッド層３、
ｎ型活性層４、ｎ型クラッド層５、ｐ型キャップ層６、
発光窓９付きのｐ電極８が形成されているとともに、発
光窓９と対応した領域から拡散されたｐ型不純物によっ
て前記ｎ型の層を貫通して活性層４に達するように形成
した電流通路領域７を備え、電流通路領域７の屈折率を
その周囲のｎ型の層の屈折率よりも大きくした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電流狭窄構造を備え
る半導体発光素子に関する。
る半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】電流狭窄構造を備える半導体発光素子
は、例えば特開平５−１３８１３号公報等に開示されて
いるように、活性層の上方に少なくとも１つのｐｎ接合
による電流阻止層が形成され、この電流阻止層の一部を
貫通するように拡散によって電流通路領域が設けられた
構造となっている。この公報に開示の技術は、ｐ−Ｚｎ
拡散領域が活性層まで達した場合には、歪みや組成の変
化等によって半導体発光素子の特性が変化したり、寿命
が短くなったりするという問題を指摘した上で、拡散領
域が活性層まで達しないような拡散深さの制御を行うこ
とができる構造、すなわち、電流阻止層の下面に電流阻
止層よりも拡散レートの小さな層を形成することを提案
している。
は、例えば特開平５−１３８１３号公報等に開示されて
いるように、活性層の上方に少なくとも１つのｐｎ接合
による電流阻止層が形成され、この電流阻止層の一部を
貫通するように拡散によって電流通路領域が設けられた
構造となっている。この公報に開示の技術は、ｐ−Ｚｎ
拡散領域が活性層まで達した場合には、歪みや組成の変
化等によって半導体発光素子の特性が変化したり、寿命
が短くなったりするという問題を指摘した上で、拡散領
域が活性層まで達しないような拡散深さの制御を行うこ
とができる構造、すなわち、電流阻止層の下面に電流阻
止層よりも拡散レートの小さな層を形成することを提案
している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記公報に記載のよう
な、ｐ−Ｚｎ拡散領域が活性層まで達したことによる、
歪みや組成の変化等によって半導体発光素子の特性が変
化したり、寿命が短くなったりするという問題について
検討した結果、キャリア濃度が１０19ｃｍ-3以上という
高濃度の場合に、上記のような問題が発生することが分
かった。また、キャリア濃度が上記のような高濃度の場
合には、図３にＡで示すように、拡散領域の屈折率が非
拡散領域の屈折率よりも小さくなり、活性層で発生した
光が拡散領域から非拡散領域にも拡散しやすくなるとい
う問題が生じることも分かった。そこで、本発明は上記
の点を考慮し、活性層で発生した光を効率よく外部に取
り出すことができる半導体発光素子を提供することを課
題の１つとする。また、半導体発光素子の構造の簡素
化、製造工程数の削減を図ること課題の１つとする。
な、ｐ−Ｚｎ拡散領域が活性層まで達したことによる、
歪みや組成の変化等によって半導体発光素子の特性が変
化したり、寿命が短くなったりするという問題について
検討した結果、キャリア濃度が１０19ｃｍ-3以上という
高濃度の場合に、上記のような問題が発生することが分
かった。また、キャリア濃度が上記のような高濃度の場
合には、図３にＡで示すように、拡散領域の屈折率が非
拡散領域の屈折率よりも小さくなり、活性層で発生した
光が拡散領域から非拡散領域にも拡散しやすくなるとい
う問題が生じることも分かった。そこで、本発明は上記
の点を考慮し、活性層で発生した光を効率よく外部に取
り出すことができる半導体発光素子を提供することを課
題の１つとする。また、半導体発光素子の構造の簡素
化、製造工程数の削減を図ること課題の１つとする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光素子
は、活性層の上方に少なくとも１つのｐｎ接合による電
流阻止層が形成され、この電流阻止層の一部を貫通する
ように拡散によって電流通路領域が設けられた半導体発
光素子において、前記電流通路領域を前記活性層に達す
るように形成するとともに、前記電流通路領域の屈折率
をその周囲の屈折率よりも大きくしたことを特徴とす
る。
は、活性層の上方に少なくとも１つのｐｎ接合による電
流阻止層が形成され、この電流阻止層の一部を貫通する
ように拡散によって電流通路領域が設けられた半導体発
光素子において、前記電流通路領域を前記活性層に達す
るように形成するとともに、前記電流通路領域の屈折率
をその周囲の屈折率よりも大きくしたことを特徴とす
る。
【０００５】本発明の半導体発光素子は、ｎ型基板の上
に、ｎ型クラッド層、ｎ型活性層、ｎ型クラッド層、ｐ
型キャップ層、発光窓付きのｐ電極が形成されていると
ともに、前記発光窓と対応した領域から拡散されたｐ型
不純物によって前記ｎ型の層を貫通して前記活性層に達
するように形成した電流通路領域を備え、前記電流通路
領域の屈折率をその周囲のｎ型の層の屈折率よりも大き
くしたことを特徴とする半導体発光素子。
に、ｎ型クラッド層、ｎ型活性層、ｎ型クラッド層、ｐ
型キャップ層、発光窓付きのｐ電極が形成されていると
ともに、前記発光窓と対応した領域から拡散されたｐ型
不純物によって前記ｎ型の層を貫通して前記活性層に達
するように形成した電流通路領域を備え、前記電流通路
領域の屈折率をその周囲のｎ型の層の屈折率よりも大き
くしたことを特徴とする半導体発光素子。
【０００６】本発明の半導体発光素子は、前記電流通路
領域を、前記活性層を貫通するように形成することがで
きる。
領域を、前記活性層を貫通するように形成することがで
きる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を上面出射型でダ
ブルヘテロ構造を備える発光ダイオード１を例にとって
説明する。ここで、図１は発光ダイオード１の断面図、
図２（ａ）〜（ｄ）は、製造工程を示す断面図、図３
は、ＧａＡｌＡｓを含むＧａＡｓ系半導体におけるキャ
リア濃度と屈折率の関係を示す特性図である。以下、図
２（ａ）〜（ｄ）に示す製造工程にしたがって発光ダイ
オード１の構造を説明する。
ブルヘテロ構造を備える発光ダイオード１を例にとって
説明する。ここで、図１は発光ダイオード１の断面図、
図２（ａ）〜（ｄ）は、製造工程を示す断面図、図３
は、ＧａＡｌＡｓを含むＧａＡｓ系半導体におけるキャ
リア濃度と屈折率の関係を示す特性図である。以下、図
２（ａ）〜（ｄ）に示す製造工程にしたがって発光ダイ
オード１の構造を説明する。
【０００８】まず、基板２（例えばｎ型ＧａＡｓ［厚さ
２５０μｍ前後］）の上に、分子線エピタキシャル成長
法（ＭＢＥ）または有機金属熱分解法（ＭＯＣＶＤ）ま
たは液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ）を用いて、ｎ
型下クラッド層３（例えばｎ型Ｇａ0.6Ａｌ0.4Ａｓ［厚
さ１０μｍ前後］、ｎ型活性層４（例えばｎ型Ｇａ0. 95
Ａｌ0.05Ａｓ［厚さ１μｍ前後］）、ｎ型上クラッド層
５（例えばｎ型Ｇａ0. 6Ａｌ0.4Ａｓ［厚さ１０μｍ前
後］）、ｐ型キャップ層６（例えばｐ型ＧａＡｓ［厚さ
１μｍ前後］）を順次成長させる。
２５０μｍ前後］）の上に、分子線エピタキシャル成長
法（ＭＢＥ）または有機金属熱分解法（ＭＯＣＶＤ）ま
たは液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ）を用いて、ｎ
型下クラッド層３（例えばｎ型Ｇａ0.6Ａｌ0.4Ａｓ［厚
さ１０μｍ前後］、ｎ型活性層４（例えばｎ型Ｇａ0. 95
Ａｌ0.05Ａｓ［厚さ１μｍ前後］）、ｎ型上クラッド層
５（例えばｎ型Ｇａ0. 6Ａｌ0.4Ａｓ［厚さ１０μｍ前
後］）、ｐ型キャップ層６（例えばｐ型ＧａＡｓ［厚さ
１μｍ前後］）を順次成長させる。
【０００９】次に、キャップ層６の任意の位置、例えば
中央部に塗布性の拡散剤（ＯＣＤ）を用いて、または石
英管内のＺｎ拡散工程によって、所望の発光径でｎ型活
性層４に達するまでＺｎを拡散させ、Ｚｎ拡散領域（電
流通路領域）７を形成する。その後、フォトリソグラフ
工程等によってＺｎ拡散領域７上のみにレジストによる
マスクＭを形成し、キャップ層６の上面全体にＡｕを主
体とする薄膜積層体で構成したｐ電極８（全体で２．５
μｍ前後）を蒸着して形成する。その後、リフトオフ法
等によってマスクＭを除去することによって光を取り出
す発光窓９をｐ電極８に形成する。次に、基板２の下面
全体にＡｕを主体とする薄膜積層体で構成しｎ型電極１
０（全体で０．５μｍ前後）を蒸着して形成する。この
ようにして、上面出射型の発光ダイオード１を完成す
る。
中央部に塗布性の拡散剤（ＯＣＤ）を用いて、または石
英管内のＺｎ拡散工程によって、所望の発光径でｎ型活
性層４に達するまでＺｎを拡散させ、Ｚｎ拡散領域（電
流通路領域）７を形成する。その後、フォトリソグラフ
工程等によってＺｎ拡散領域７上のみにレジストによる
マスクＭを形成し、キャップ層６の上面全体にＡｕを主
体とする薄膜積層体で構成したｐ電極８（全体で２．５
μｍ前後）を蒸着して形成する。その後、リフトオフ法
等によってマスクＭを除去することによって光を取り出
す発光窓９をｐ電極８に形成する。次に、基板２の下面
全体にＡｕを主体とする薄膜積層体で構成しｎ型電極１
０（全体で０．５μｍ前後）を蒸着して形成する。この
ようにして、上面出射型の発光ダイオード１を完成す
る。
【００１０】こうして、Ｚｎ拡散させることによって、
ｎ型上クラッド層５、ｎ型活性層４の一部がｎ型からｐ
型に反転し、キャップ層６、及びｎ型上クラッド層５を
貫通してｎ型活性層４に達するＺｎ拡散領域（電流通路
領域）７が形成される。ここで、Ｚｎ拡散領域（電流通
路領域）７は、屈折率がその周囲のｎ型上クラッド層
５、ｎ型活性層４の屈折率よりも大きくなるように、そ
のキャリア濃度が設定されている。すなわち、Ｚｎ拡散
領域（電流通路領域）７のｐ型キャリア濃度が２〜３×
１０18ｃｍ-3程度よりも高くなると、図３に示すよう
に、屈折率が徐々に小さくなり、特にｐ型キャリア濃度
が１×１０19ｃｍ-3よりも高くなると、その周囲のｎ型
上クラッド層５、ｎ型活性層４のキャリア濃度に係わら
ず、それらの屈折率よりも小さくなり、発生した光がＺ
ｎ拡散領域（電流通路領域）７の周囲に拡散されて発光
窓９に届く光の量が減少するので、これを防ぐために、
Ｚｎ拡散領域（電流通路領域）７の屈折率が、その周囲
のｐ型キャップ層６、ｎ型上クラッド層５、ｎ型活性層
４、ｎ型下クラッド層３の屈折率よりも大きくなるよう
に、Ｚｎ拡散領域（電流通路領域）７、ｐ型キャップ層
６、ｎ型上クラッド層５、ｎ型活性層４、ｎ型下クラッ
ド層３のキャリア濃度を設定している。尚、キャップ層
６の屈折率は、Ｚｎ拡散領域（電流通路領域）７の屈折
率よりも小さいことが好ましいが、キャップ層６はその
厚みが薄く、この層による光拡散の発生は少ないので、
キャップ層６の屈折率がＺｎ拡散領域（電流通路領域）
７の屈折率よりも多少大きくなっても差し支えない。
ｎ型上クラッド層５、ｎ型活性層４の一部がｎ型からｐ
型に反転し、キャップ層６、及びｎ型上クラッド層５を
貫通してｎ型活性層４に達するＺｎ拡散領域（電流通路
領域）７が形成される。ここで、Ｚｎ拡散領域（電流通
路領域）７は、屈折率がその周囲のｎ型上クラッド層
５、ｎ型活性層４の屈折率よりも大きくなるように、そ
のキャリア濃度が設定されている。すなわち、Ｚｎ拡散
領域（電流通路領域）７のｐ型キャリア濃度が２〜３×
１０18ｃｍ-3程度よりも高くなると、図３に示すよう
に、屈折率が徐々に小さくなり、特にｐ型キャリア濃度
が１×１０19ｃｍ-3よりも高くなると、その周囲のｎ型
上クラッド層５、ｎ型活性層４のキャリア濃度に係わら
ず、それらの屈折率よりも小さくなり、発生した光がＺ
ｎ拡散領域（電流通路領域）７の周囲に拡散されて発光
窓９に届く光の量が減少するので、これを防ぐために、
Ｚｎ拡散領域（電流通路領域）７の屈折率が、その周囲
のｐ型キャップ層６、ｎ型上クラッド層５、ｎ型活性層
４、ｎ型下クラッド層３の屈折率よりも大きくなるよう
に、Ｚｎ拡散領域（電流通路領域）７、ｐ型キャップ層
６、ｎ型上クラッド層５、ｎ型活性層４、ｎ型下クラッ
ド層３のキャリア濃度を設定している。尚、キャップ層
６の屈折率は、Ｚｎ拡散領域（電流通路領域）７の屈折
率よりも小さいことが好ましいが、キャップ層６はその
厚みが薄く、この層による光拡散の発生は少ないので、
キャップ層６の屈折率がＺｎ拡散領域（電流通路領域）
７の屈折率よりも多少大きくなっても差し支えない。
【００１１】上記構成の発光ダイオード１は、電源の正
極をｐ電極８に負極をｎ電極１０に接続して所定の電圧
を加えたとき、ｎ型上クラッド層５とｐ型キャップ層６
との境界面が電流阻止面として機能し、Ｚｎ拡散領域
（電流通路領域）７のみに電流を流すことができるか
ら、電流狭窄構造となっている。このように、ｎ型上ク
ラッド層５とｐ型キャップ層６とのｐｎ接合による境界
面を電流阻止面として機能させることができるので、従
来、上クラッド層とｐ型キャップ層の間に別途設けてい
た電流阻止層を省略することができ、構造の簡素化、製
造工程数の削減を図ることができる。
極をｐ電極８に負極をｎ電極１０に接続して所定の電圧
を加えたとき、ｎ型上クラッド層５とｐ型キャップ層６
との境界面が電流阻止面として機能し、Ｚｎ拡散領域
（電流通路領域）７のみに電流を流すことができるか
ら、電流狭窄構造となっている。このように、ｎ型上ク
ラッド層５とｐ型キャップ層６とのｐｎ接合による境界
面を電流阻止面として機能させることができるので、従
来、上クラッド層とｐ型キャップ層の間に別途設けてい
た電流阻止層を省略することができ、構造の簡素化、製
造工程数の削減を図ることができる。
【００１２】そして、Ｚｎ拡散領域（電流通路領域）７
を通じて流れる電流がｎ型活性層４に注入されることに
よってｎ型活性層４で発生する光は、Ｚｎ拡散領域（電
流通路領域）７を光通路としてｐ電極８の発光窓９まで
効率よく案内され、発光窓９から外部に出射される。す
なわち、Ｚｎ拡散領域（電流通路領域）７は、その屈折
率がその周囲（ｎ型活性層４、ｎ型上クラッド層５、必
要に応じてｐ型キャップ層６）の屈折率よりも高く設定
されているので、これら周囲の層との境界面が光反射面
として作用することによって、光をロスなく発光窓に案
内する光通路として機能する。
を通じて流れる電流がｎ型活性層４に注入されることに
よってｎ型活性層４で発生する光は、Ｚｎ拡散領域（電
流通路領域）７を光通路としてｐ電極８の発光窓９まで
効率よく案内され、発光窓９から外部に出射される。す
なわち、Ｚｎ拡散領域（電流通路領域）７は、その屈折
率がその周囲（ｎ型活性層４、ｎ型上クラッド層５、必
要に応じてｐ型キャップ層６）の屈折率よりも高く設定
されているので、これら周囲の層との境界面が光反射面
として作用することによって、光をロスなく発光窓に案
内する光通路として機能する。
【００１３】したがって、このＺｎ拡散領域（電流通路
領域）７は、ｎ型活性層４を貫通してｎ型下クラッド層
３に達するように形成しておくのが、ｎ型活性層４内に
おける光拡散を防ぐことができる点で好ましい。すなわ
ち、Ｚｎ拡散領域（電流通路領域）７よりもｎ型活性層
４及びｎ型下クラッド層３の屈折率が小さくなるよう
に、図３の特性（特にＢで示す領域）に基づいて、Ｚｎ
拡散領域（電流通路領域）７、ｎ型活性層４及びｎ型下
クラッド層３のキャリア濃度を設定した上、Ｚｎ拡散領
域（電流通路領域）７を、ｎ型活性層４を貫通してｎ型
下クラッド層３に達するように形成すれば、Ｚｎ拡散領
域（電流通路領域）７とｎ型活性層４並びにｎ型下クラ
ッド層３の境界面における光反射率が向上し、Ｚｎ拡散
領域（電流通路領域）７の光通路としての機能をより高
めることができる。その結果、発光窓９より外部に取り
出す光の量を増加させることができる。
領域）７は、ｎ型活性層４を貫通してｎ型下クラッド層
３に達するように形成しておくのが、ｎ型活性層４内に
おける光拡散を防ぐことができる点で好ましい。すなわ
ち、Ｚｎ拡散領域（電流通路領域）７よりもｎ型活性層
４及びｎ型下クラッド層３の屈折率が小さくなるよう
に、図３の特性（特にＢで示す領域）に基づいて、Ｚｎ
拡散領域（電流通路領域）７、ｎ型活性層４及びｎ型下
クラッド層３のキャリア濃度を設定した上、Ｚｎ拡散領
域（電流通路領域）７を、ｎ型活性層４を貫通してｎ型
下クラッド層３に達するように形成すれば、Ｚｎ拡散領
域（電流通路領域）７とｎ型活性層４並びにｎ型下クラ
ッド層３の境界面における光反射率が向上し、Ｚｎ拡散
領域（電流通路領域）７の光通路としての機能をより高
めることができる。その結果、発光窓９より外部に取り
出す光の量を増加させることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、活性層で
発生した光を効率よく外部に取り出すことができる半導
体発光素子を提供することができる。また、従来、クラ
ッド層とｐ型キャップ層の間に別途設けていた電流阻止
層を省略して、構造の簡素化、製造工程数の削減を図る
ことができる。
発生した光を効率よく外部に取り出すことができる半導
体発光素子を提供することができる。また、従来、クラ
ッド層とｐ型キャップ層の間に別途設けていた電流阻止
層を省略して、構造の簡素化、製造工程数の削減を図る
ことができる。
【図１】本発明の一実施例に係わる発光ダイオードの断
面図である。
面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は同実施例の発光ダイオードの
製造工程を示す断面図である。
製造工程を示す断面図である。
【図３】ＧａＡｓ系半導体におけるキャリア濃度と屈折
率の関係を示す特性図である。
率の関係を示す特性図である。
１ 発光ダイオード ２ 基板 ３ ｎ型下クラッド層 ４ ｎ型活性層 ５ ｎ型上クラッド層 ６ ｐ型キャップ層 ７ Ｚｎ拡散領域（電流通路領域） ８ ｐ電極 ９ 発光窓 １０ ｎ電極
Claims (3)
- 【請求項１】 活性層の上方に少なくとも１つのｐｎ接
合による電流阻止層が形成され、この電流阻止層の一部
を貫通するように拡散によって電流通路領域が設けられ
た半導体発光素子において、前記電流通路領域を前記活
性層に達するように形成するとともに、前記電流通路領
域の屈折率をその周囲の屈折率よりも大きくしたことを
特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 ｎ型基板の上に、ｎ型クラッド層、ｎ型
活性層、ｎ型クラッド層、ｐ型キャップ層、発光窓付き
のｐ電極が形成されているとともに、前記発光窓と対応
した領域から拡散されたｐ型不純物によって前記ｎ型の
層を貫通して前記活性層に達するように形成した電流通
路領域を備え、前記電流通路領域の屈折率をその周囲の
ｎ型の層の屈折率よりも大きくしたことを特徴とする半
導体発光素子。 - 【請求項３】 前記電流通路領域は、前記活性層を貫通
するように形成されていることを特徴とする請求項１あ
るいは２記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3012098A JPH11233814A (ja) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3012098A JPH11233814A (ja) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233814A true JPH11233814A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12294931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3012098A Pending JPH11233814A (ja) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233814A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246639A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| CN107681026A (zh) * | 2017-09-25 | 2018-02-09 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种发光二极管及其制备方法 |
| JP2019165236A (ja) * | 2015-03-26 | 2019-09-26 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス半導体エレメントとオプトエレクトロニクス半導体エレメントを製造する方法 |
-
1998
- 1998-02-12 JP JP3012098A patent/JPH11233814A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246639A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2019165236A (ja) * | 2015-03-26 | 2019-09-26 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス半導体エレメントとオプトエレクトロニクス半導体エレメントを製造する方法 |
| US10910516B2 (en) | 2015-03-26 | 2021-02-02 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic semiconductor body and method for producing an optoelectronic semiconductor body |
| CN107681026A (zh) * | 2017-09-25 | 2018-02-09 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种发光二极管及其制备方法 |
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