JPH11233694A - 高熱伝導樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
高熱伝導樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH11233694A JPH11233694A JP10052891A JP5289198A JPH11233694A JP H11233694 A JPH11233694 A JP H11233694A JP 10052891 A JP10052891 A JP 10052891A JP 5289198 A JP5289198 A JP 5289198A JP H11233694 A JPH11233694 A JP H11233694A
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- semiconductor device
- high thermal
- volatile
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱伝導性の良い封止用絶縁樹脂を用いて高電
力消費型の樹脂封止型半導体装置を一段と熱伝導性高く
かつ他の特性にかかる信頼性高く製造する。 【解決手段】 （Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）高熱伝導フ
ィラーおよび（Ｃ）揮発性化合物を必須成分とし、上記
（Ｃ）揮発性化合物の含有量が樹脂分に対して0.3 〜5.
0 重量％である熱硬化性樹脂組成物を用い、半導体もし
くは半導体部品を封止用金型によりモールド成形後に、
その成形樹脂のガラス転移温度以上に加熱するとともに
上記揮発性化合物を揮散させてなる高熱伝導樹脂封止型
半導体装置である。
力消費型の樹脂封止型半導体装置を一段と熱伝導性高く
かつ他の特性にかかる信頼性高く製造する。 【解決手段】 （Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）高熱伝導フ
ィラーおよび（Ｃ）揮発性化合物を必須成分とし、上記
（Ｃ）揮発性化合物の含有量が樹脂分に対して0.3 〜5.
0 重量％である熱硬化性樹脂組成物を用い、半導体もし
くは半導体部品を封止用金型によりモールド成形後に、
その成形樹脂のガラス転移温度以上に加熱するとともに
上記揮発性化合物を揮散させてなる高熱伝導樹脂封止型
半導体装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高熱伝導性の樹脂
封止型半導体装置に関し、特に発熱量が大きく高い熱放
散性を要求される半導体デバイスに好適な樹脂封止型半
導体装置に係るものである。
封止型半導体装置に関し、特に発熱量が大きく高い熱放
散性を要求される半導体デバイスに好適な樹脂封止型半
導体装置に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の信頼性は高温になるほど低
下するので、パワーデバイス、プロセッサなどの高電力
消費の樹脂封止型半導体装置においては、封止用樹脂組
成物の熱伝導性を高めてパッケージの温度の上昇を抑え
ることが肝要となる。
下するので、パワーデバイス、プロセッサなどの高電力
消費の樹脂封止型半導体装置においては、封止用樹脂組
成物の熱伝導性を高めてパッケージの温度の上昇を抑え
ることが肝要となる。
【０００３】従来の封止用樹脂組成物は、熱伝導性を高
めるための無機フィラーとして、結晶性シリカ、溶融シ
リカ、アルミナ、チッ化ケイ素、チッ化アルミニウムな
どの無機粉末が用いられ、破砕状、球状など粉末形状の
組合せにより高充填、最密充填となるように工夫されて
いる。
めるための無機フィラーとして、結晶性シリカ、溶融シ
リカ、アルミナ、チッ化ケイ素、チッ化アルミニウムな
どの無機粉末が用いられ、破砕状、球状など粉末形状の
組合せにより高充填、最密充填となるように工夫されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、封止用樹脂組
成物の技術課題には、ほかに耐湿性、低応力性、耐熱衝
撃性、成形流動性などがあり、熱伝導性を高めるために
無機フィラーを高充填にすることにも、上記した他の技
術課題とのバランスをとらなければならないので制約が
ある。例えば、熱伝導性を高めるために高充填化すると
成形材料の溶融粘度が上昇して成形流動性が悪くなるな
どの不具合が生じる。特に、今後は、薄型パッケージに
おける成形性、基板への接着性、リフロー実装性などに
ついて苛酷な要求がされる傾向にあるのである。
成物の技術課題には、ほかに耐湿性、低応力性、耐熱衝
撃性、成形流動性などがあり、熱伝導性を高めるために
無機フィラーを高充填にすることにも、上記した他の技
術課題とのバランスをとらなければならないので制約が
ある。例えば、熱伝導性を高めるために高充填化すると
成形材料の溶融粘度が上昇して成形流動性が悪くなるな
どの不具合が生じる。特に、今後は、薄型パッケージに
おける成形性、基板への接着性、リフロー実装性などに
ついて苛酷な要求がされる傾向にあるのである。
【０００５】本発明の目的は、熱伝導性の良い封止用絶
縁樹脂を用いて高電力消費型の樹脂封止型半導体装置を
一段と熱伝導性高くかつ他の特性にかかる信頼性をも高
水準に保って製造することにある。
縁樹脂を用いて高電力消費型の樹脂封止型半導体装置を
一段と熱伝導性高くかつ他の特性にかかる信頼性をも高
水準に保って製造することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、高熱伝導フィ
ラーを高充填した樹脂組成物に揮発性化合物を配合し
て、半導体をモールド封止した後に熱処理等で揮発性物
質を揮散させ、樹脂を熱収縮させることで高熱伝導フィ
ラーの粒子間隔を縮小させ、優れた高熱伝導性の樹脂で
封止された半導体装置を得ることができることを見いだ
し、本発明を完成させたものである。
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、高熱伝導フィ
ラーを高充填した樹脂組成物に揮発性化合物を配合し
て、半導体をモールド封止した後に熱処理等で揮発性物
質を揮散させ、樹脂を熱収縮させることで高熱伝導フィ
ラーの粒子間隔を縮小させ、優れた高熱伝導性の樹脂で
封止された半導体装置を得ることができることを見いだ
し、本発明を完成させたものである。
【０００７】即ち、本発明は、（Ａ）熱硬化性樹脂、
（Ｂ）高熱伝導フィラーおよび（Ｃ）揮発性化合物を必
須成分とし、上記（Ｃ）揮発性化合物の含有量が樹脂分
に対して0.3 〜5.0 重量％である熱硬化性樹脂組成物を
用い、半導体もしくは半導体部品を封止用金型によりモ
ールド成形後に、その成形樹脂のガラス転移温度以上に
加熱するとともに上記揮発性化合物を揮散させてなるこ
とを特徴とする高熱伝導樹脂封止型半導体装置である。
なお、樹脂分とは全組成から（Ｂ）高熱伝導フィラーな
らびに無機フィラー分を除いた量とする。
（Ｂ）高熱伝導フィラーおよび（Ｃ）揮発性化合物を必
須成分とし、上記（Ｃ）揮発性化合物の含有量が樹脂分
に対して0.3 〜5.0 重量％である熱硬化性樹脂組成物を
用い、半導体もしくは半導体部品を封止用金型によりモ
ールド成形後に、その成形樹脂のガラス転移温度以上に
加熱するとともに上記揮発性化合物を揮散させてなるこ
とを特徴とする高熱伝導樹脂封止型半導体装置である。
なお、樹脂分とは全組成から（Ｂ）高熱伝導フィラーな
らびに無機フィラー分を除いた量とする。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】本発明の樹脂封止型半導体装置に用いられ
る熱硬化性樹脂組成物は、（Ａ）熱硬化性樹脂と、
（Ｂ）高熱伝導フィラーと、（Ｃ）揮発性の化合物とを
必須成分とするものである。
る熱硬化性樹脂組成物は、（Ａ）熱硬化性樹脂と、
（Ｂ）高熱伝導フィラーと、（Ｃ）揮発性の化合物とを
必須成分とするものである。
【００１０】本発明に用いる（Ａ）熱硬化性樹脂として
は、半導体封止用樹脂として用いられるものが特に制限
なく使用することができ、例えば、エポキシ樹脂、マレ
イミド樹脂、ＢＴレジン、フェノール樹脂、シリコーン
樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、エポキシ
基を2 個以上有するビスフェノール型エポキシ樹脂、ノ
ボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、
トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン
型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂
などが好適である。また、ブロム化エポキシ樹脂を難燃
剤として用いることもできる。
は、半導体封止用樹脂として用いられるものが特に制限
なく使用することができ、例えば、エポキシ樹脂、マレ
イミド樹脂、ＢＴレジン、フェノール樹脂、シリコーン
樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、エポキシ
基を2 個以上有するビスフェノール型エポキシ樹脂、ノ
ボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、
トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン
型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂
などが好適である。また、ブロム化エポキシ樹脂を難燃
剤として用いることもできる。
【００１１】本発明に用いる（Ｂ）高熱伝導フィラーと
しては、半導体封止用樹脂組成物に用いられるものが特
に制限なく使用することができ、例えば、結晶性シリ
カ、酸化ベリリウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシ
ウム、ダイヤモンド、炭化ケイ素、炭化チタニウム、窒
化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタニウム、窒化アルミニ
ウム、ホウ化ジルコニウム、ケイ化モリブデン、グラフ
ァイト、ホウ化リン、硫化ベリリウム等あるいはそれら
の複合セラミックスの粉末が、単独又は2 種以上混合し
て使用できる。このほかに、金属の粉末、例えば、プラ
スチック絶縁金属粉等も挙げられる。
しては、半導体封止用樹脂組成物に用いられるものが特
に制限なく使用することができ、例えば、結晶性シリ
カ、酸化ベリリウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシ
ウム、ダイヤモンド、炭化ケイ素、炭化チタニウム、窒
化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタニウム、窒化アルミニ
ウム、ホウ化ジルコニウム、ケイ化モリブデン、グラフ
ァイト、ホウ化リン、硫化ベリリウム等あるいはそれら
の複合セラミックスの粉末が、単独又は2 種以上混合し
て使用できる。このほかに、金属の粉末、例えば、プラ
スチック絶縁金属粉等も挙げられる。
【００１２】調製をした成形材料は、2.5 Ｗ／ mＫ以上
の熱伝導率、必要によっては3.0 〜10.0Ｗ／ mＫの熱伝
導率をもつ封止樹脂パッケージを実用的多数個取りの金
型で成形性よく得ることができる。かかる高熱伝導樹脂
組成物は、結晶性シリカ、アルミナ、酸化マグネシウ
ム、窒化ケイ素および窒化アルミニウムから選ばれたも
のを主成分とすることにより得られ、またその場合に溶
融シリカなどを副成分として配合し成形材料特性を調整
することができる。
の熱伝導率、必要によっては3.0 〜10.0Ｗ／ mＫの熱伝
導率をもつ封止樹脂パッケージを実用的多数個取りの金
型で成形性よく得ることができる。かかる高熱伝導樹脂
組成物は、結晶性シリカ、アルミナ、酸化マグネシウ
ム、窒化ケイ素および窒化アルミニウムから選ばれたも
のを主成分とすることにより得られ、またその場合に溶
融シリカなどを副成分として配合し成形材料特性を調整
することができる。
【００１３】本発明に用いる（Ｃ）揮発性化合物として
は、樹脂組成物のガラス転位温度に対応して150 ℃以下
で揮発物を発生する液状化合物が好ましい。例えば揮発
溶剤系のアルコール類で、エチルアルコール、イソプロ
ピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。こ
れら以外に150 ℃以下で分解する液状化合物も使用可能
である。揮発温度は、特に75〜125 ℃が好ましい。
は、樹脂組成物のガラス転位温度に対応して150 ℃以下
で揮発物を発生する液状化合物が好ましい。例えば揮発
溶剤系のアルコール類で、エチルアルコール、イソプロ
ピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。こ
れら以外に150 ℃以下で分解する液状化合物も使用可能
である。揮発温度は、特に75〜125 ℃が好ましい。
【００１４】本発明の樹脂組成物の配合では、（Ａ）熱
硬化性樹脂、（Ｂ）高熱伝導フィラーおよび（Ｃ）揮発
性化合物を必須成分とするが、本発明の目的に反しない
限度において、また必要に応じて、例えば熱硬化性樹脂
の種類それぞれに対応する硬化触媒や効果促進剤、天然
ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸
アミド、エステル類、パラフィン等の離型剤、三酸化ア
ンチモン等の難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、ゴ
ム系やシリコーン系の低応力付与剤等を適宜添加配合す
ることができる。
硬化性樹脂、（Ｂ）高熱伝導フィラーおよび（Ｃ）揮発
性化合物を必須成分とするが、本発明の目的に反しない
限度において、また必要に応じて、例えば熱硬化性樹脂
の種類それぞれに対応する硬化触媒や効果促進剤、天然
ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸
アミド、エステル類、パラフィン等の離型剤、三酸化ア
ンチモン等の難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、ゴ
ム系やシリコーン系の低応力付与剤等を適宜添加配合す
ることができる。
【００１５】（Ｂ）高熱伝導フィラーの配合は、できる
だけ高充填にすることが熱伝導性を高めるうえで望まし
いが、本発明の加熱による揮発性化合物の揮散による高
熱伝導フィラーの粒子間隔の縮小の原理にとっては、高
熱伝導フィラーの配合量は直接に関係がない。また、
（Ｃ）揮発性化合物もしくは分解性化合物は、半導体も
しくは半導体部品をモールド成形後に、揮発性化合物も
しくは分解性化合物を揮散させる場合に生じる揮発物の
質量が、樹脂組成物固形分の0.3 〜5.0 重量％となるよ
うに配合する。
だけ高充填にすることが熱伝導性を高めるうえで望まし
いが、本発明の加熱による揮発性化合物の揮散による高
熱伝導フィラーの粒子間隔の縮小の原理にとっては、高
熱伝導フィラーの配合量は直接に関係がない。また、
（Ｃ）揮発性化合物もしくは分解性化合物は、半導体も
しくは半導体部品をモールド成形後に、揮発性化合物も
しくは分解性化合物を揮散させる場合に生じる揮発物の
質量が、樹脂組成物固形分の0.3 〜5.0 重量％となるよ
うに配合する。
【００１６】本発明における樹脂組成物の一般的な製造
方法は、まず、乾式混合装置に高熱伝導フィラーを加
え、揮発性液状化合物を流動相状態のフィラーにスプレ
ー方式などで添加しておく。次に、予め粉末状態にした
エポキシ樹脂、硬化剤、その他原料粉末をフィラーに加
えて均一に混合する。混合物は、2 軸のロール混練機も
しくは2 軸の押出し機などで溶融混練する。混練後は、
揮発が進まないように急冷し、固化した組成物を粉砕し
て封止に用いる。
方法は、まず、乾式混合装置に高熱伝導フィラーを加
え、揮発性液状化合物を流動相状態のフィラーにスプレ
ー方式などで添加しておく。次に、予め粉末状態にした
エポキシ樹脂、硬化剤、その他原料粉末をフィラーに加
えて均一に混合する。混合物は、2 軸のロール混練機も
しくは2 軸の押出し機などで溶融混練する。混練後は、
揮発が進まないように急冷し、固化した組成物を粉砕し
て封止に用いる。
【００１７】本発明の半導体装置は、上記の樹脂組成物
を用いて半導体をトランスファー成形、射出成形などに
よりモールド成形した後に、例えば120 ℃で2 時間、次
に150 ℃で2 時間、さらに180 ℃で4 時間というステッ
プ加熱を重ねて、成形樹脂のガラス転移温度以上の温度
にまで加熱処理し、揮発性物質を揮散させて本発明の樹
脂封止型半導体装置を得ることができる。エポキシ樹脂
の封止用樹脂組成物を成形したもののガラス転位温度
は、通常、140 〜180 ℃にあり、フィラー間隔を縮小さ
せるにはこのガラス転移温度以上に加熱する必要があ
る。また、揮発成分を2 重量％以上含む場合の成形後の
加熱工程は、減圧脱気工程で行うことが好ましい。
を用いて半導体をトランスファー成形、射出成形などに
よりモールド成形した後に、例えば120 ℃で2 時間、次
に150 ℃で2 時間、さらに180 ℃で4 時間というステッ
プ加熱を重ねて、成形樹脂のガラス転移温度以上の温度
にまで加熱処理し、揮発性物質を揮散させて本発明の樹
脂封止型半導体装置を得ることができる。エポキシ樹脂
の封止用樹脂組成物を成形したもののガラス転位温度
は、通常、140 〜180 ℃にあり、フィラー間隔を縮小さ
せるにはこのガラス転移温度以上に加熱する必要があ
る。また、揮発成分を2 重量％以上含む場合の成形後の
加熱工程は、減圧脱気工程で行うことが好ましい。
【００１８】
【作用】本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、高熱
伝導フィラーを高充填した熱硬化性樹脂組成物に揮発性
化合物を配合して半導体をモールド封止した後、所定の
熱処理で揮発性物質を揮散させ、樹脂を収縮させること
で高熱伝導フィラーの粒子間隔を縮小させ、優れた高熱
伝導性の樹脂で封止された半導体装置を得ることができ
たものである。
伝導フィラーを高充填した熱硬化性樹脂組成物に揮発性
化合物を配合して半導体をモールド封止した後、所定の
熱処理で揮発性物質を揮散させ、樹脂を収縮させること
で高熱伝導フィラーの粒子間隔を縮小させ、優れた高熱
伝導性の樹脂で封止された半導体装置を得ることができ
たものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、実施例によって説明する
が、本発明は、これら実施例によって限定されるもので
はない。
が、本発明は、これら実施例によって限定されるもので
はない。
【００２０】表１〜４に示した配合によって実施例１〜
１２の封止用樹脂組成物を、また表３〜４に示した配合
によって比較例１〜１０の封止用樹脂組成物を製造し
た。
１２の封止用樹脂組成物を、また表３〜４に示した配合
によって比較例１〜１０の封止用樹脂組成物を製造し
た。
【００２１】実施例１〜１２および比較例１〜１０で製
造した封止用樹脂組成物を用いて半導体を低圧トランス
ファー成形し、その後、120 ℃×2 時間＋150 ℃×2 時
間＋180 ℃×4 時間のステップアフターキュアー工程を
行い、揮発分を抜いて高熱伝導性樹脂封止型の半導体装
置を製造した。また、揮発分を2 ％以上含む実施例８，
９，１２の場合は、減圧脱気工程を実施した。これら実
施例１〜１２および比較例１〜１０で製造された半導体
装置について諸特性の試験を行って、その結果を表５〜
８に示した。それにより本発明の優れた特性が確認でき
た。
造した封止用樹脂組成物を用いて半導体を低圧トランス
ファー成形し、その後、120 ℃×2 時間＋150 ℃×2 時
間＋180 ℃×4 時間のステップアフターキュアー工程を
行い、揮発分を抜いて高熱伝導性樹脂封止型の半導体装
置を製造した。また、揮発分を2 ％以上含む実施例８，
９，１２の場合は、減圧脱気工程を実施した。これら実
施例１〜１２および比較例１〜１０で製造された半導体
装置について諸特性の試験を行って、その結果を表５〜
８に示した。それにより本発明の優れた特性が確認でき
た。
【００２２】なお、表１〜４の組成欄における原料資材
は次の内容のものである。 エポキシ樹脂Ａ：ビフェニル型エポキシ樹脂 エポキシ樹脂Ｂ：ノボラック型エポキシ樹脂 フェノール樹脂Ａ：ノボラック型フェノール樹脂 フェノール樹脂Ｂ：フェノールアラルキル樹脂 触媒Ａ：1,8-ジアザビシクロウンデセン 触媒Ｂ：トリフェニルフォスフィン フィラーＡ：溶融シリカ粉（球状） フィラーＢ：結晶性シリカ粉（破砕状） フィラーＣ：アルミナ粉（破砕−球状混合） フィラーＤ：酸化マグネシウム粉（破砕状） フィラーＥ：窒化ケイ素粉（破砕状） フィラーＦ：窒化アルミニウム粉（破砕状） 添加材Ａ：エポキシシランカップリング剤 添加材Ｂ：ポリエーテル変性シリコーン界面活性剤 ワックスＡ：カルナバワックス ワックスＢ：エステルワックス 揮発成分Ａ：エチルアルコール 揮発成分Ｂ：イソプロピルアルコール 揮発成分Ｃ：ブチルアルコール 顔料：カーボンブラック。
は次の内容のものである。 エポキシ樹脂Ａ：ビフェニル型エポキシ樹脂 エポキシ樹脂Ｂ：ノボラック型エポキシ樹脂 フェノール樹脂Ａ：ノボラック型フェノール樹脂 フェノール樹脂Ｂ：フェノールアラルキル樹脂 触媒Ａ：1,8-ジアザビシクロウンデセン 触媒Ｂ：トリフェニルフォスフィン フィラーＡ：溶融シリカ粉（球状） フィラーＢ：結晶性シリカ粉（破砕状） フィラーＣ：アルミナ粉（破砕−球状混合） フィラーＤ：酸化マグネシウム粉（破砕状） フィラーＥ：窒化ケイ素粉（破砕状） フィラーＦ：窒化アルミニウム粉（破砕状） 添加材Ａ：エポキシシランカップリング剤 添加材Ｂ：ポリエーテル変性シリコーン界面活性剤 ワックスＡ：カルナバワックス ワックスＢ：エステルワックス 揮発成分Ａ：エチルアルコール 揮発成分Ｂ：イソプロピルアルコール 揮発成分Ｃ：ブチルアルコール 顔料：カーボンブラック。
【００２３】なおまた、表１〜４の配合によれば、揮発
性化合物の樹脂分に対する含有率は、実施例１〜６が0.
74％、実施例７が0.4 ％、実施例８が1.5 ％、実施例９
が2.9 ％、実施例１０〜１１が0.7 ％、実施例１２が1.
5 ％、比較例１〜６が0 ％、比較例７が5.7 ％、比較例
８が7.0 ％、比較例９〜１０が0 ％となる。
性化合物の樹脂分に対する含有率は、実施例１〜６が0.
74％、実施例７が0.4 ％、実施例８が1.5 ％、実施例９
が2.9 ％、実施例１０〜１１が0.7 ％、実施例１２が1.
5 ％、比較例１〜６が0 ％、比較例７が5.7 ％、比較例
８が7.0 ％、比較例９〜１０が0 ％となる。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】
【表３】
【００２７】
【表４】
【００２８】
【表５】 ＊1 ：180 ℃で高化式フローテスターにより測定。 ＊2 ：ＰＣＴ（2 気圧）で24時間後の値。 ＊3 ：テスト素子を成形し、アフターキュアー後にＰＣＴに投入して300 時間経 過後のテスト素子数に対する不良数。 ＊4 ：テスト素子を成形し、アフターキュアー後にＴＣＴに投入して300 サイク ル経過後のテスト素子数に対する不良数。テスト温度は−55℃と＋150 ℃。 ＊5 ：テスト素子を成形し、アフターキュアー後に吸湿処理（30℃×60％ＲＨで 192 時間）し、その後でＶＰＳリフロー工程を2 回実施し、クラックの発生を観 察した。
【００２９】
【表６】 ＊1 ：180 ℃で高化式フローテスターにより測定。 ＊2 ：ＰＣＴ（2 気圧）で24時間後の値。 ＊3 ：テスト素子を成形し、アフターキュアー後にＰＣＴに投入して300 時間経 過後のテスト素子数に対する不良数。 ＊4 ：テスト素子を成形し、アフターキュアー後にＴＣＴに投入して300 サイク ル経過後のテスト素子数に対する不良数。テスト温度は−55℃と＋150 ℃。 ＊5 ：テスト素子を成形し、アフターキュアー後に吸湿処理（30℃×60％ＲＨで 192 時間）し、その後でＶＰＳリフロー工程を2 回実施し、クラックの発生を観 察した。
【００３０】
【表７】 ＊1 ：180 ℃で高化式フローテスターにより測定。 ＊2 ：ＰＣＴ（2 気圧）で24時間後の値。 ＊3 ：テスト素子を成形し、アフターキュアー後にＰＣＴに投入して300 時間経 過後のテスト素子数に対する不良数。 ＊4 ：テスト素子を成形し、アフターキュアー後にＴＣＴに投入して300 サイク ル経過後のテスト素子数に対する不良数。テスト温度は−55℃と＋150 ℃。 ＊5 ：テスト素子を成形し、アフターキュアー後に吸湿処理（30℃×60％ＲＨで 192 時間）し、その後でＶＰＳリフロー工程を2 回実施し、クラックの発生を観 察した。
【００３１】
【表８】 ＊1 ：180 ℃で高化式フローテスターにより測定。 ＊2 ：ＰＣＴ（2 気圧）で24時間後の値。 ＊3 ：テスト素子を成形し、アフターキュアー後にＰＣＴに投入して300 時間経 過後のテスト素子数に対する不良数。 ＊4 ：テスト素子を成形し、アフターキュアー後にＴＣＴに投入して300 サイク ル経過後のテスト素子数に対する不良数。テスト温度は−55℃と＋150 ℃。 ＊5 ：テスト素子を成形し、アフターキュアー後に吸湿処理（30℃×60％ＲＨで 192 時間）し、その後でＶＰＳリフロー工程を2 回実施し、クラックの発生を観 察した。
【００３２】
【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置は、従来
にない高熱伝導性を有し、たとえばパワーデバイス、マ
イクロプロセッサ等の高電力消費の半導体装置を樹脂封
止した時に高い信頼性を与えることができる。
にない高熱伝導性を有し、たとえばパワーデバイス、マ
イクロプロセッサ等の高電力消費の半導体装置を樹脂封
止した時に高い信頼性を与えることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/56 //(Ｃ０８Ｋ 13/02 3:36 5:05） (Ｃ０８Ｋ 13/02 3:22 5:05） (Ｃ０８Ｋ 13/02 3:28 5:05）
Claims (5)
- 【請求項１】 （Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）高熱伝導フ
ィラーおよび（Ｃ）揮発性化合物を必須成分とし、上記
（Ｃ）揮発性化合物の含有量が樹脂分に対して0.3 〜5.
0 重量％である熱硬化性樹脂組成物を用い、半導体もし
くは半導体部品を封止用金型によりモールド成形後に、
その成形樹脂のガラス転移温度以上に加熱するとともに
上記揮発性化合物を揮散させてなることを特徴とする高
熱伝導樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 （Ｂ）高熱伝導フィラーが、結晶性シリ
カ粉、アルミナ粉、酸化マグネシゥム粉、窒化ケイ素粉
および窒化アルミニウム粉から選ばれたものを主成分と
する粉末である請求項１記載の高熱伝導樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項３】 （Ａ）熱硬化性樹脂組成物がエポキシ樹
脂であり、（Ｃ）揮発性化合物が150 ℃以下で揮発物を
発生する液状化合物である請求項１記載の高熱伝導樹脂
封止型半導体装置。 - 【請求項４】 （Ｃ）揮発性化合物が、モールド成形後
の加熱により揮発物に分解する分解性化合物である請求
項１記載の高熱伝導樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項５】 （Ｃ）揮発性液状化合物の含有量が樹脂
組成物固形分に対して2.0 〜5.0 重量％であり、モール
ド成形後の加熱を減圧下に行う請求項１記載の高熱伝導
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10052891A JPH11233694A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 高熱伝導樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10052891A JPH11233694A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 高熱伝導樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233694A true JPH11233694A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12927500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10052891A Pending JPH11233694A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 高熱伝導樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233694A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1998
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