JPH11219954A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH11219954A JPH11219954A JP10033672A JP3367298A JPH11219954A JP H11219954 A JPH11219954 A JP H11219954A JP 10033672 A JP10033672 A JP 10033672A JP 3367298 A JP3367298 A JP 3367298A JP H11219954 A JPH11219954 A JP H11219954A
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Abstract
方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板上にホトレジストによりパタ
ーンを形成した後、このパターン開口部の側壁の傾斜角
度が半導体基板面に対して小さくなるような熱処理を行
い、金属を蒸着し、この金属パターンを形成する際、熱
処理後のホトレジストの側壁の傾斜角度が、パターン開
口部全周にわたってほぼ均一となるように、ホトレジス
トパターンを形成する。具体的には、ホトレジストパタ
ーンを、開口部角の平面形状が、半円、半楕円、1/4
円、1/4楕円のような円弧状に形成する。
Description
方法に関し、特に、リフトオフ法により金属パターンを
形成する工程を備えた半導体装置の製造方法に関する。
ず、金属膜で基板全面を被覆した後、金属膜上にホトレ
ジストで所望の形状にマスキングし、ウエットエッチン
グあるいはドライエッチングによりパターニングする方
法がとられている。
い金属の場合は、リフトオフ法と呼ばれる方法がとられ
ている。一般的なリフトオフ法は、次のようになる。ま
ず、半導体基板1上に、ホトレジストを塗布し、プリベ
ーキングを行なう。次に、例えばモノクロロベンゼンの
ような薬品に浸積させた後、露光、現像を行う。その結
果、ホトレジスト2表面側に現像液に対して難溶性の層
が形成され、図3に示すようなヒサシ形状が形成され
る。半導体基板1に対して垂直方向から金属3を真空蒸
着すると、半導体基板1上及びホトレジスト2上に金属
3が積層する(図3A)。その後、ホトレジストを溶解
除去することによって、ホトレジスト2上の金属3が取
り除かれ、半導体基板1上にのみホトレジストの開口パ
ターンに相当する金属3のパターンを形成することがで
きる(図3B)。
クロン以下のパターンを形成する場合、モノクロロベン
ゼンに浸積させても、現像後にヒサシ形状が形成できな
くなる。そのため、図4に示すように、半導体基板1上
に窒化膜等の絶縁膜や別のホトレジストからなるスペー
サー膜4を形成し、通常のホトレジスト2パターンを形
成する。その後、ホトレジスト2をエッチングマスクと
して使用してスペーサー膜4をエッチングし、半導体基
板1を露出させる。スペーサー層4は、ホトレジスト2
の内側までエッチングされ、前述のリフトオフ法同様、
露出した半導体基板1上に金属3を蒸着することができ
る。
壁の傾斜が、図4に実線で示すように垂直に近い場合、
この側壁部分に蒸着した金属3の一部が付着し、半導体
基板1上に堆積した金属とつながってしまい、いわゆる
バリが発生するという問題があった。そのため、ホトレ
ジストをパターニングした後、熱処理を加えることによ
って、図4に点線で示すように、ホトレジスト2の側壁
の傾斜角度を半導体基板面に対して小さくした後、金属
3を蒸着するという方法をとっていた。
レジストパターンによっては、バリが発生する場合があ
った。図5にバリが発生するホトレジストパターン平面
図の一例を示す。ホトレジスト2の開口内に、半導体基
板1が露出するようにパターニングを行う。通常、ホト
レジストパターンの開口部角部は、図5に示すようにほ
ぼ直角に交わる形状となっている。その後、図4で説明
したように、開口部の側壁の傾斜が小さくなるような熱
処理を行い、全面に金属を蒸着し、ホトレジストを溶解
除去する。その結果、図5に斜線で示す開口部角部にバ
リが発生することがあった。このようなバリは、図5左
図のような細長い開口を有する場合であっても、図5右
図にような広い開口を有する場合であっても、開口部角
部に発生することが確認された。そこで、バリが発生し
たホトレジストについて、ホトレジストパターン開口部
の側壁の傾斜をなだらかにするための熱処理を行った
後、この部分の断面形状を観察してみた。その結果、角
部の側壁の傾斜角度は、他の部分に較べて垂直に近いこ
とがわかった。
よって側壁の傾斜をなだらかにする場合、パターンの形
状によって、側壁の傾斜角度にばらつきが生じ、この状
態でリフトオフを行った場合、側壁の傾斜角度が垂直に
近いパターン開口部角部で、バリが発生するという問題
点があった。本発明は上記問題点を解消し、バリが発生
することのない半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。
するため、半導体基板上にホトレジストによりパターン
を形成した後、該パターン開口部の側壁の傾斜角度が該
半導体基板に対して小さくなるような熱処理を行い、金
属を蒸着し、該金属パターンを形成する工程を備えた半
導体装置の製造方法において、前記熱処理後の前記側壁
の傾斜角度が、前記パターン開口部全周にわたって略均
一となるように、ホトレジストパターンを形成すること
を特徴とするものである。特に、前記ホトレジストパタ
ーンの開口部角部の平面形状を円弧状とすることを特徴
とするものである。
て説明する。図1に、従来例で説明した図5右図に相当
するホトレジストパターンの平面図を示す。図1に示す
ように、広く半導体基板1を露出するような開口を有す
るホトレジスト2パターンでは、開口部角部が直角に交
わらず円弧状となるようにする。これは、予めホトマス
クの角部が直角に交わらず円弧状になるように形成して
おくことで、実現できる。あるいは、ホトレジストパタ
ーンを形成する際の、プリベーク条件、露光条件、現像
条件等を適宜設定して、ホトレジストパターンの角部が
直角に交わらないようにすることもできる。具体的にホ
トレジストパターンの開口部角部の平面形状は、半円、
半楕円、1/4円、1/4楕円等、熱処理前の側壁の角
度、使用するホトレジストの種類、熱処理条件等によっ
て決まる熱処理後の側壁の角度、金属の蒸着量等を考慮
し、適宜選択することができる。例えば、熱処理前の側
壁の角度が直角に近い場合、なだらかな角度の場合に較
べて、曲率半径の大きな円弧状にする必要がある。
角度が、パターンの開口部全周にわたって均一となるよ
うに設定することで、従来発生していたバリの発生を防
止できることがわかった。
有する別の実施の形態のホトレジストパターンの一例を
示す。この場合、開口寸法が小さくなり、開口部終端を
曲線状にするだけでは、熱処理後のホトレジストパター
ン開口部全周にわたって均一な角度とならないため、図
に示すように、終端部の開口寸法を広げた上で、円弧状
にする必要がある。この場合もホトレジストパターンの
平面形状は、半円、半楕円、1/4円、1/4楕円等、
熱処理前後の側壁の角度、金属の蒸着量等を考慮し、適
宜その具体的な形状を設定することができる。
上に、基板に対して垂直方向から金属を蒸着すると、開
口部全周にわたって均一な傾斜角度となっており、従来
生じていた部分的なバリの発生がなくなることが確認で
きた。
分的なバリの発生を防ぐことができるため、リフトオフ
法によって形成された金属パターンを備えた半導体装置
を形成する場合、短絡等の不具合が発生することがない
ので、歩留まりの向上と信頼性の向上を図ることができ
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体基板上にホトレジストによりパタ
ーンを形成した後、該パターン開口部の側壁の傾斜角度
が該半導体基板面に対して小さくなるような熱処理を行
い、金属を蒸着し、該金属パターンを形成する工程を備
えた半導体装置の製造方法において、 前記熱処理後の前記側壁の傾斜角度が、前記パターン開
口部全周にわたって略均一となるように、ホトレジスト
パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記ホトレジストパターンは、開口部角部の平
面形状が円弧状であることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03367298A JP3652491B2 (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03367298A JP3652491B2 (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11219954A true JPH11219954A (ja) | 1999-08-10 |
JP3652491B2 JP3652491B2 (ja) | 2005-05-25 |
Family
ID=12392956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03367298A Expired - Fee Related JP3652491B2 (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3652491B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007189158A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Seiko Epson Corp | 光素子およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-01-29 JP JP03367298A patent/JP3652491B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007189158A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Seiko Epson Corp | 光素子およびその製造方法 |
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Publication number | Publication date |
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JP3652491B2 (ja) | 2005-05-25 |
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