JPH11218770A - 液晶セル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 感光性樹脂材料からなる隔壁の形成に伴い形
成される残渣膜の膜厚を、配向膜に悪影響を与えること
なく、最小限に抑制してなる液晶セル及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 電極基板２０の配向膜２６にフォトリソ
グラフィ法により感光性樹脂材料でもって複数の隔壁５
０をストライプ状にパターニング形成する。ついで、各
隔壁５０の形成時に上記樹脂材料によって配向膜２６上
に形成された残渣膜５０ｂの膜厚を薄くするように、Ｉ
ＰＡにより洗浄処理する。そして、各配向膜１６、２６
を各隔壁５０を介し対向させるように両電極基板１０、
２０を重ね合わせ、両電極基板間に反強誘電性液晶４０
を封入する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、両電極基板間に複
数のストライプ状の樹脂製隔壁を介装してなる液晶セル
及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、この種の液晶セルとしては、例え
ば、特開平７−３１８９１２号公報にて示すような隔壁
構造の液晶セルがある。この液晶セルの製造にあたり、
その隔壁構造は次のようにして形成される。即ち、両電
極基板の一方の電極基板の配向膜の内表面に、感光性樹
脂材料、例えば、フォトレジスト材料を塗布して仮焼成
することで、レジスト膜として形成する。ついで、この
レジスト膜に所定パターンのマスクを施し、当該レジス
ト膜をフォトリソグラフィ法によりパターニング処理す
ることで、当該レジスト膜のうち不要な部分を除去し、
複数のストライプ状隔壁を一方の配向膜の内表面に形成
する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記液晶セ
ルは、上述のような隔壁構造を採用することにより、こ
の構造を用いない既存の液晶セルに比べて、耐外圧性に
優れるという特長を有する。また、上述のごとく、各隔
壁をフォトレジスト材料でもってフォトリソグラフィ法
により形成することは、各隔壁の形成精度等を高める点
で必須である。

【０００４】しかし、上述のようにフォトリソグラフィ
法によりレジスト膜のパターニング処理をする場合、当
該レジスト膜のうち除去すべき部分（例えば、液晶セル
の表示画素部に対応する部分）を十分には除去しにくい
ため、当該除去すべき部分が、上記パターニング処理後
も、フォトレジスト材料の残渣膜として、配向膜の内表
面上に残る。

【０００５】このため、その後の配向膜のラビング処理
によっても、配向規制力が、上記残渣膜に邪魔されて、
配向膜に十分に与えられない。従って、このような配向
膜を有する液晶セルでは、液晶に対して配向膜の配向規
制力が十分に発揮されず、液晶の配向が乱れる。その結
果、暗輝度の増大等により、隔壁構造を用いた液晶セル
では、隔壁構造を用いない液晶セルに比べて、表示コン
トラストが低いという不具合が生じる。

【０００６】そこで、本発明者等は、残渣膜の形成根拠
について詳細に検討してみた。上述のようにフォトリソ
グラフィ法によりレジスト膜をパターニング処理する場
合、レジスト膜のうち除去すべき部分に現像液（例え
ば、炭酸水素及びナトリウム）を用いてエッチング処理
を施して、当該除去すべき部分を除去しようとする。

【０００７】しかし、フォトレジスト材料中の有機成分
が配向膜のポリイミドの極性基と結合してしまい、現像
液によっては、当該除去すべき部分を溶かすことができ
ないために、上記残渣膜が配向膜の内表面に形成されて
しまうと考えられる。これに対しては、残渣膜を紫外線
の照射により除去することも考えられる。しかし、紫外
線の残渣膜に対する照射時に、紫外線がこの残渣膜を透
過してその下地である配向膜にも悪影響を与えてしま
う。

【０００８】このため、配向膜の液晶に対する配向規制
力を良好には確保できず、液晶の配向が乱れ、液晶セル
の駆動時に、その表示面にてフリッカ現象が現れ、表示
コントラストの低下を招く。そこで、本発明は、以上述
べたことに鑑み、感光性樹脂材料からなる隔壁の形成に
伴い形成される残渣膜の膜厚を、配向膜に悪影響を与え
ることなく、最小限に抑制してなる液晶セル及びその製
造方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題の解決にあた
り、請求項１の発明によれば、互いに配向膜（１６、２
６）にて対向するように配置された両電極基板（１０、
２０）と、これら両電極基板（１０、２０）の一方の配
向膜に感光性樹脂材料によりストライプ状に形成されて
当該両電極基板間に挟持された複数の隔壁（５０）と、
両電極基板間に封入された液晶（４０）とを備え、各隔
壁（５０）の形成に伴い上記樹脂材料によって一方の配
向膜上に形成される残渣膜（５０ｂ）の膜厚が、有機溶
剤による洗浄処理にて薄くなっている。

【００１０】このように、残渣膜が有機溶剤による洗浄
処理を施されているから、当該残渣膜の膜厚を最小限に
小さくできる。この場合、紫外光に依ることなく、有機
溶剤による洗浄処理を残渣膜に施すから、配向膜に紫外
光を照射した場合に生ずる当該配向膜の配向規制力の低
下を招くことがない。

【００１１】その結果、液晶に対する配向膜の配向規制
力が十分に発揮され、表示画素部等の液晶配向の阻害が
抑制されるので、良好な表示コントラストを実現する液
晶セルを提供することができる。ここで、上記残渣膜の
膜厚は数ナノメータのオーダーであり、当該膜厚を直接
測定することは実用上困難である。このため、Ｘ線光電
子分光法により、上記残渣膜の膜厚の許容範囲を間接的
に求めることができる。

【００１２】また、Ｘ線光電子分光法は、試料の極最表
面（数ｎｍ）の元素および元素の結合状態を分析するも
のである。簡単に述べると、試料表面にＸ線を照射する
と、元素固有のエネルギーを有する光電子が放出され
る。この光電子を所定角度から検出し、そのエネルギー
と量から、試料表面に存在する元素量および元素の結合
状態を明らかにするものである。

【００１３】よって、上記残渣膜の膜厚が厚いほど、当
該残渣膜の下地である配向膜を構成する特定成分がピー
クとして検出されにくくなり、当該膜厚が所定値以上厚
くなると、上記ピークは検出されなくなる。本発明者等
は、上記残渣膜の膜厚を種々変更したものについて、Ｘ
線光電子分光法による分析を行った。その結果、当該残
渣膜は、下地の配向膜の特定元素のピークが検出される
薄いものであれば、液晶セルとして問題のない表示コン
トラストを実現することができ、上記ピークが検出され
ない厚いものであると、表示コントラストが大きく低下
してしまうことを確認した。

【００１４】即ち、請求項２及び請求項３の発明では、
上記残渣膜の膜厚は、当該残渣膜が形成される一方の配
向膜、即ち、残渣膜の下地の配向膜を構成する特定成分
がＸ線光電子分光法分析によりピークとして検出される
厚さ以下であることを特徴としている。これにより、請
求項１に記載の作用効果が得られるが、上記残渣膜の膜
厚は、請求項４に記載の発明のように、３ｎｍ以下が好
ましい。

【００１５】また、請求項５乃至１０に記載の発明によ
れば、両電極基板（１０、２０）の各配向膜（１６、２
６）の一方の配向膜にフォトリソグラフィ法により感光
性樹脂材料でもって複数の隔壁（５０）をストライプ状
にパターニング形成する隔壁形成工程（Ｓ７）と、各配
向膜を各隔壁を介し対向させるように両電極基板を重ね
合わせる重ね合わせ工程（Ｓ１１）と、この重ね合わせ
工程後、両電極基板間に液晶（４０）を封入する液晶封
入工程（Ｓ１３）とを備える液晶セルの製造方法におい
て、隔壁形成工程の後、各隔壁の形成時に上記樹脂材料
によって一方の配向膜上に形成された残渣膜（５０ｂ）
の膜厚を薄くするように、有機溶剤により洗浄処理する
有機溶剤洗浄工程（Ｓ９）を備える。

【００１６】これにより、請求項１に記載の作用効果を
達成し得る液晶セルの製造方法を提供することができ
る。ここで、請求項６に記載の発明のように、有機溶剤
洗浄工程において、残渣膜の膜厚を３ｎｍ以下にすれ
ば、請求項５に記載の発明の作用効果をより一層向上で
きる。

【００１７】また、請求項７に記載の発明によれば、有
機溶剤は、室温以上に加熱して使用する。これにより、
残渣膜の除去をより一層促進しつつ請求項５又は６に記
載の発明の作用効果を達成できる。また、請求項８に記
載の発明によれば、有機溶剤洗浄工程の処理後、各隔壁
を形成した電極基板を水洗いする。

【００１８】これにより、残渣膜の再形成による配向膜
の配向不良を防止しつつ、請求項５乃至７に記載の発明
の作用効果を達成できる。また、請求項９に記載の発明
によれば、有機溶剤は水溶性であるから、この有機溶剤
をその水洗いにより良好に除去できる。また、請求項１
０に記載の発明のように、有機溶剤はイソプロピルアル
コールであってもよい。

【００１９】また、請求項１１乃至１３に記載の発明に
よれば、両電極基板（１０、２０）の各配向膜（１６、
２６）の一方の配向膜にフォトリソグラフィ法により感
光性樹脂材料でもって複数の隔壁（５０）をストライプ
状にパターニング形成する隔壁形成工程（Ｓ７）と、各
配向膜を前記各隔壁を介し対向させるように両電極基板
を重ね合わせる重ね合わせ工程（Ｓ１１）と、この重ね
合わせ工程後、両電極基板間に液晶（４０）を封入する
液晶封入工程（Ｓ１３）とを備える液晶セルの製造方法
において、隔壁形成工程の後、各隔壁の形成時に上記樹
脂材料によって一方の配向膜上に形成された残渣膜（５
０ｂ）を、当該残渣膜を構成する上記樹脂材料を溶解す
る有機溶剤により洗浄処理する有機溶剤洗浄工程（Ｓ
９）を備えることを特徴とする液晶セルの製造方法が提
供される。

【００２０】これによっても、請求項５に記載の発明と
同様の作用効果を達成できる。ここで、請求項１２に記
載の発明のように、残渣膜は、隔壁のパターニング時に
未感光な感光性樹脂材料により構成されていてもよい。
また、請求項１３に記載の発明のように、感光性樹脂材
料は、アクリル系樹脂モノマーであり、かつ、有機溶剤
は、イソプロピルアルコールであってもよい。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
により説明する。図１及び図２は本発明に係る液晶セル
の断面構造を示す。この液晶セルは、対向して重ね合わ
された両電極基板１０、２０を備えており、これら両電
極基板１０、２０の周縁部は環状のシール３０を介し接
着支持されている。なお、シール３０は、例えば、熱硬
化樹脂の接着剤等により構成されている。

【００２２】また、両電極基板１０、２０の間には、反
強誘電性液晶４０が封入されている。なお、両電極基板
１０、２０間の間隔（以下、セルギャップという）は
１．５μｍ程度になっている。電極基板１０は透明基板
１１を有しており、この透明基板１１の内表面には、樹
脂製カラーフィルタ１２、オーバーコート膜１３、複数
のストライプ状透明電極１４、絶縁膜１５、配向膜１６
が順に積層されている。なお、カラーフィルタ１２、絶
縁膜１５及び配向膜１６はシール３０の内周側に設けら
れている。

【００２３】一方、電極基板２０は透明基板２１を有し
ており、この透明基板２１の内表面には、金属製補助電
極２２、複数のストライプ状透明電極２４、絶縁膜２
５、配向膜２６が順に積層されている。なお、配向膜２
６は、シール３０の内周側に設けられている。複数の透
明電極２４は、複数の透明電極１４と直角に対向して位
置し、これら透明電極１４、２４は、カラーフィルタ１
２及び反強誘電性液晶４０と共に複数の格子状画素を形
成する。そして、これら格子状画素のうち、補助電極２
２以外の部位は、液晶セル駆動時に表示が行われる表示
部として機能する。

【００２４】ここで、透明電極１４、２４はＩｎｄｉｕ
ｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（以下、ＩＴＯという）等によ
り形成されており、また、配向膜１６、２６はポリイミ
ド系樹脂により形成されている。なお、カラーフィルタ
１２は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の色彩を有する
画素が、上記の格子状画素内に配置された構成となって
いる。そして、図２に示すように、カラーフィルタ１２
の各画素間においては、ブラックマスク１２ａが設けら
れており、液晶セルのうちブラックマスク１２ａに対向
する部分は遮光されて表示に関与しないようになってい
る。

【００２５】また、複数の隔壁５０が、両電極基板１
０、２０の間のうち表示部（画素）以外の部位に介装さ
れている。各隔壁５０は、補助電極２２上の配向膜２６
上に、補助電極２２に沿って形成されて、ストライプ状
をなしている。また、配向膜２６の上には、隔壁５０の
形成に使用される感光性樹脂材料（本実施形態では、ア
クリル系フォトレジスト）に起因して、残渣膜５０ｂが
残っている。

【００２６】ちなみに、本実施形態では、各隔壁５０の
幅は数１０μｍ程度である。また、各隔壁５０は全ての
補助電極２２上に位置してなくともよく、任意の補助電
極２２上に位置していてもよい。また、表示に関与しな
い透明電極２４の間に位置していてもよい。各隔壁５０
は、上述のごとく、アクリル系フォトレジストにより形
成されており、これら各隔壁５０は、両電極基板１０、
２０の内表面、即ち、両配向膜１６、２６に接着してい
る。

【００２７】換言すれば、両電極基板１０、２０はシー
ル３０の内周側において各隔壁５０にて接着支持されて
いる。そして、各隔壁５０は両電極基板１０、２０を所
定間隔（約１．５μｍ）に設定するスペーサとして機能
するとともに、両電極基板１０、２０に加わる衝撃、振
動に抗するようになっている。次に、このように構成し
た液晶セルの製造方法につき、図３を参照して説明す
る。

【００２８】電極基板１０側原基板形成工程Ｓ１では、
ガラス基板１１の内表面に、カラーフィルタ１２、オー
バーコート膜１３、複数のストライプ状透明電極１４、
絶縁膜１５を順に積層形成する。配向膜形成工程Ｓ２で
は、オフセット印刷によって、配向膜１６を、オーバー
コート膜１３、各透明電極１４及び絶縁膜１５を介して
カラーフィルタ１２上に設け、電極基板１０を形成す
る。

【００２９】ラビング工程Ｓ３では、電極基板１０の配
向膜１６に対して、一定の方向にラビング処理を行う。
続いて、シール印刷工程Ｓ４では、電極基板１０の内表
面の周縁部上に、シール３０をシール剤の印刷により環
状に形成する。なお、このシール３０の一部には、液晶
注入口が形成される。

【００３０】一方、電極基板２０側原基板形成工程Ｓ５
では、ガラス基板２１の内表面に、補助電極２２、透明
電極２４、絶縁膜２５を順に積層形成する。配向膜形成
工程Ｓ６では、配向膜２６を、複数の補助電極２２、複
数のストライプ状透明電極２４及び絶縁膜２５の上に設
け、電極基板２０を形成する。続いて、隔壁形成工程Ｓ
７について図４乃至図６を参照して説明する。図４は、
レジスト（樹脂）膜形成の様子を表すものである。アク
リル系樹脂ネガ型レジスト溶液（富士フィルムオーリン
株式会社製「ＣＴ」）を７ｃｃ、電極基板２０の配向膜
２６上に滴下し、１３００ｒｐｍで１０秒間回転させ
て、フォトレジスト膜５０ａを形成し、ホットプレー上
にて１００℃でもって２７０秒の間プリベーク（仮焼
成）を施し有機溶媒を除去する。この有機溶媒の除去に
より、後述する紫外光による露光時の重合を良好にし得
る。

【００３１】続いて、図５に示すように、補助電極２２
に対応する部分にて開口してなるストライプ状のフォト
マスク６０をフォトレジスト膜５０ａに被せて、１２０
０ｍＪ／ｃｍ² の露光エネルギーで図５の矢印に示す方
向から紫外光を照射した。それによって、必要部分を現
像液に対して不溶にする。その後、電極基板２０を現像
液（富士フィルムオーリン株式会社製「ＣＤ」）に室温
で６０秒間浸積し、さらに別容器で６０秒間追加現像し
た後、２０分間純水で流水洗浄し、スピン方式（８００
ｒｐｍ、８分間）で乾燥する。このように現像液のエッ
チング作用によりパターニングが行われる。

【００３２】すると、図６に示すように、不要部分のフ
ォトレジスト膜５０ａはほぼ除去され、補助電極２２上
の配向膜２６上に複数のストライプ状隔壁５０が形成さ
れる。ここで、配向膜２６上の隔壁５０以外の部位に
は、エッチング残渣としてフォトレジストの残渣膜５０
ｂが残る。なお、この残渣膜５０ｂは、多少のオーバー
エッチングをしても残るが、これは、配向膜２６とレジ
ストとの接着性がよいためではないかと考えられる。

【００３３】その後、有機溶剤洗浄工程Ｓ８において、
隔壁形成後の電極基板２０を、４０℃にて加熱しつつ、
循環する有機溶剤槽（以下、ＩＰＡ槽という）中のイソ
プロピルアルコール（以下、ＩＰＡという）に２分間浸
漬洗浄して残渣膜５０ｂの除去処理を施す。この場合、
上記残渣膜５０ｂは紫外光により高分子化していないこ
とと、当該残渣膜５０ｂを構成するアクリルモノマーが
ＩＰＡに容易に溶ける性質を有することとが相まって、
残渣膜５０ｂが除去される。

【００３４】そして、水洗い・乾燥工程Ｓ９にて、電極
基板２０を純水槽内に移しその純水により水洗いして、
この電極基板２０に付着したＩＰＡを除去した後、当該
電極基板２０を乾燥させる。これにより、ＩＰＡが隔壁
を形成するフォトレジストを溶解する効果を有していて
も、純水槽内の純水によりＩＰＡが電極基板２０から確
実に除去されているので、電極基板２０の乾燥時に隔壁
５０を構成するフォトレジストが溶け出し、再度残渣膜
５０ｂとなることもない。

【００３５】このことにより、本実施形態で使用するＩ
ＰＡは、純粋槽での除去が容易になるように水溶性であ
ることが望ましい。続いて、ラビング工程Ｓ１０では、
電極基板２０の配向膜２５を、一定方向にラビング処理
する。なお、ラビング後の配向膜２６の内表面が現像液
により劣化し、配向規制力の低下を招くおそれがあるこ
とを考慮すれば、ラビング工程Ｓ１０は、隔壁形成工程
Ｓ７の後の方が望ましい。

【００３６】次の重ね合わせ工程Ｓ１１では、電極基板
１０を電極基板２０の上に位置させるようにして、互い
のラビング方向が所定の向き（例えば、パラレル或いは
アンチパラレル）となるようにする。そして、両電極基
板１０、２０をシール３０及び隔壁５０を介して重ね合
わせる。そして、シール硬化工程Ｓ１２において、重ね
合わされた両電極基板１０、２０の外表面全体を、両基
板が密着する方向に加圧しつつ焼成する。その圧力は、
本実施形態では、０．４〜１．０ｋｇ／ｃｍ² 程度であ
り、焼成温度は約１９０℃、焼成時間２０分である。

【００３７】その後、液晶封入工程Ｓ１３において、シ
ール３０の液晶注入口から、反強誘電性液晶４０を、液
相状態にて真空注入し、両電極基板１０、２０間の各隔
壁５０以外の部分に充填する。さらに、シール３０の液
晶注入口を樹脂製接着剤等で封止する。これにより、液
晶セルの製造が終了する。次に、上述のごとく、隔壁形
成工程Ｓ７の処理の後に有機溶剤洗浄工程Ｓ８及び水洗
い・乾燥工程Ｓ９の処理を施した場合の効果について説
明する。

【００３８】残渣膜５０ｂの膜厚は、数ナノメータのオ
ーダーであるため、当該膜厚を直接測定することは事実
上困難である。このため、Ｘ線光電子分光法（以下、Ｅ
ＳＣＡという）による分析によって、残渣膜５０ｂの膜
厚を間接的に求めることとした。ＥＳＣＡによる分析
は、Ｘ線を試料に照射したときこの試料から発生する光
電子を検出し、この検出光電子の結合エネルギー値でも
って元素を同定し、光電子量により存在する元素の量の
多少を明らかにするものである。

【００３９】本実施形態では、ＥＳＣＡによる分析装置
として、アルバック・ファイル社製のＥＳＣＡ５４００
ＭＣ型分析装置を用いた。測定にあたり、隔壁形成工程
Ｓ７の処理後、有機溶剤洗浄工程Ｓ８及び水洗い・乾燥
工程Ｓ９において、加熱したＩＰＡによる洗浄処理を施
した電極基板Ａ１、室温（２５℃）にてＩＰＡによる洗
浄処理を施した電極基板Ａ２、及び有機溶剤洗浄工程Ｓ
８及び水洗い・乾燥工程Ｓ９の処理をしなかった電極基
板Ａ３を作製した。そして、各電極基板Ａ１、Ａ２、Ａ
３の配向膜２６の内表面側にある残渣膜５０ｂの内表面
（反強誘電性液晶側表面）をＥＳＣＡにより分析した。

【００４０】なお、各電極基板Ａ１、Ａ２及びＡ３は、
残渣膜５０ｂを除き、電極基板２０と同様の構成を有し
ており、これら各電極基板Ａ１、Ａ２及びＡ３には、隔
壁形成工程Ｓ７の処理にて各隔壁５０が形成されてい
る。具体的には、各電極基板Ａ１、Ａ２及びＡ３を上記
分析装置の試料室に入れ、真空度１．６×１０^-7Ｐａと
し、マグネシウム１５Ｖ４００ＷをＸ線源として、残渣
膜５０ｂの内表面（液晶側表面）にビーム照射する。そ
して、検出角度４５°で発生する光電子を検出する。こ
こで検出エリアは直径１．１ｍｍの円形スポットであ
る。

【００４１】なお、配向膜形成工程Ｓ６の処理を施した
後の電極基板２０の配向膜の内表面にまったく残渣膜５
０ｂの無いものを基準試料として準備した。ＥＳＣＡに
よる分析結果を図７乃至図１０にて示す。図７は基準試
料のＥＳＣＡチャート図であり、図８は液晶セルＡ１の
ＥＳＣＡチャート図である。また、図９は電極基板Ａ２
のＥＳＣＡチャート図であり、図１０は電極基板Ａ３の
ＥＳＣＡチャート図である。ここで、横軸は結合エネル
ギー（ｅＶ）値を示し、縦軸はＥＳＣＡ装置にて検出さ
れた光電子数（絶対値）を示す。

【００４２】本実施形態においては、残渣膜５０ｂはア
クリル系、配向膜２６はポリイミド系の樹脂であるの
で、配向膜２６を特定するには、ポリイミド特有の構成
元素である窒素に着目することが好ましい。図７乃至図
９において、矢印Ｐで示すピークは配向膜２６の窒素元
素のピークである。無処理では、図７にて示すように、
残渣膜５０ｂにより窒素ピークを検出することはできな
いが、有機溶剤洗浄処理を施すことで、図８乃至図１０
にて示すように、窒素ピークが検出され、残渣膜５０ｂ
の膜厚が薄くなっていることが分かる。

【００４３】また、図８及び図９にて示す窒素のピーク
を比較すると、図８の窒素のピークの方が、図９の窒素
のピークよりも強く、残渣膜５０ｂの膜厚がより一層薄
くなっている。このことから、有機溶剤を加熱すること
により、残渣膜５０ｂの除去効果が高くなることが分か
る。但し、有機溶剤の沸点以上で洗浄処理を実施する場
合には、残渣膜５０ｂの除去効果が悪くなっており、フ
ォトジストによって形成される隔壁５０の接着力が低下
するという問題が生ずることが分かった。従って、有機
溶剤は室温（２５℃）以上で沸点以下とする必要があ
る。

【００４４】上述のＥＳＣＡによる分析の検出角度にお
いては、表面深さ方向の検出可能深さは３ｎｍである。
これにより、残渣膜５０ｂの膜厚は、電極基板Ａ２では
ほぼ３ｎｍになっており、電極基板Ａ１では、３ｎｍよ
りも薄く、電極基板Ａ３では、３ｎｍよりも厚くなって
いるといえる。また、図８乃至図１０には、各電極基板
Ａ１乃至Ａ３と同一条件で作成した電極基板を用いて製
造してなる液晶セルの表示コントラストＣＲをも付記し
てある。

【００４５】残渣膜５０ｂが３ｎｍ以下の薄い液晶セル
では、配向膜２６の配向規制力が十分に発揮されるた
め、表示コントラストＣＲは２４、２０と高く実用レベ
ルにあるが、残渣膜５０ｂが３ｎｍよりも厚い液晶セル
では、配向膜２６の配向規制力が十分発揮できず、表示
コントラストＣＲは８と悪くなっている。以上述べたよ
うに、本実施形態では、隔壁形成工程Ｓ７及び有機溶剤
洗浄工程Ｓ８の後に水洗い・乾燥工程Ｓ９の処理にて有
機溶剤洗浄処理を施すことで、残渣膜５０ｂの膜厚を３
ｎｍ以下とすることができる。このため、配向膜２６の
配向規制力が十分に発揮され、表示部の液晶配向を良好
に維持できるとともに、良好な製品に必要な表示コント
ラスト２０を実現する液晶セルが提供できる。

【００４６】また、反強誘電性液晶を用いた液晶セルに
おいては、液晶セルが無電界時に暗表示を行うため、液
晶配向が暗輝度に敏感に影響する。このため、本実施形
態を反強誘電性液晶を用いた液晶セルに適用すること
は、特に有効である。また、本実施形態の製造工程にお
いて、水洗い・乾燥工程Ｓ９後、ラビング工程Ｓ１０の
前にＥＳＣＡによる分析を行うようにすれば、残渣膜厚
が３ｎｍより厚いものを製造工程の途中で排除できる。
そのため、良好なコントラストを有する液晶セルを効率
よく製造することができる。

【００４７】また、本実施形態では、残渣膜５０ｂは、
上記有機溶剤洗浄処理によって完全に除去されて無くな
っていてもよいことは勿論である。また、本発明の実施
にあたり、反強誘電性液晶に限ることなく、強誘電性液
晶等のスメクチック液晶やネマチック液晶等の他の液晶
を用いる液晶セルに対しても、本発明を適用してもよ
い。

【００４８】なお、ＥＳＣＡ分析以外にも、光電子分光
法、オージェ電子分光法等、元素の同定及び定量が可能
な分析装置を用いて、上記実施形態と同様に、残渣膜厚
とコントラストとの関係を調査することにより、残渣膜
厚の許容範囲を求めてもよい。また、本発明の実施にあ
たり、上記水溶性有機溶剤としては、ＩＰＡに限ること
なく、例えば、アセトンや乳酸エチル等のフォトレジス
ト材料のアクリルモノマーを溶かす溶剤を用いることが
できる。

【００４９】また、本発明の実施にあたり、水溶性有機
溶剤に限らず、例えば、エチレングリコモノエチルエー
テルアセテート等の非水溶性有機溶剤を用いてもよい。
また、本発明の実施にあたり、フォトレジスト材料は、
アクリル系樹脂ネガ型レジスト溶液に限定されるもので
はない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る液晶セルの全体構成を
示す断面図である。

【図２】図１のＢ部分の拡大断面図である。

【図３】上記実施形態の液晶セルの製造方法を示す工程
図である。

【図４】図３の製造方法のうち隔壁形成工程におけるレ
ジスト膜形成の様子を示す断面図である。

【図５】上記隔壁形成工程における露光処理の様子を示
す断面図である。

【図６】上記隔壁形成工程における現像処理後の様子を
示す断面図である。

【図７】上記実施形態におけるリファレンス試料のＥＳ
ＣＡチャート図である。

【図８】上記実施形態におけるサンプルＡ１のＥＳＣＡ
チャート図である。

【図９】上記実施形態におけるサンプルＡ２のＥＳＣＡ
チャート図である。

【図１０】上記実施形態におけるサンプルＡ３のＥＳＣ
Ａチャート図である。

【符号の説明】

１０、２０…電極基板、１６、２６…配向膜、４０…反
強誘電性液晶、５０…隔壁、５０ｂ…残渣膜、Ｓ７…隔
壁形成工程、Ｓ８…有機溶剤洗浄工程、Ｓ９…水洗い・
乾燥工程、Ｓ１１…重ね合わせ工程、Ｓ１３…液晶封入
工程。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに配向膜（１６、２６）にて対向す
   るように配置された両電極基板（１０、２０）と、 これら両電極基板（１０、２０）の一方の配向膜に感光
   性樹脂材料によりストライプ状に形成されて当該両電極
   基板間に挟持された複数の隔壁（５０）と、 前記両電極基板間に封入された液晶（４０）とを備え、 前記各隔壁（５０）の形成に伴い前記樹脂材料によって
   前記一方の配向膜上に形成される残渣膜（５０ｂ）の膜
   厚が、有機溶剤による洗浄処理にて薄くなっていること
   を特徴とする液晶セル。
2. 【請求項２】 前記残渣膜の膜厚は、前記一方の配向膜
   を構成する特定成分がＸ線光電子分光法分析によりピー
   クとして検出される厚さ以下であることを特徴とする請
   求項１に記載の液晶セル。
3. 【請求項３】 前記一方の配向膜は窒素元素を有する樹
   脂材料からなるものであり、前記残渣膜の膜厚は、前記
   一方の配向膜を構成する窒素元素がＸ線光電子分光法分
   析によりピークとして検出される厚さ以下であることを
   特徴とする請求項１に記載の液晶セル。
4. 【請求項４】 前記残渣膜の膜厚は３ｎｍ以下であるこ
   とを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
   液晶セル。
5. 【請求項５】 両電極基板（１０、２０）の各配向膜
   （１６、２６）の一方の配向膜にフォトリソグラフィ法
   により感光性樹脂材料でもって複数の隔壁（５０）をス
   トライプ状にパターニング形成する隔壁形成工程（Ｓ
   ７）と、 前記各配向膜を前記各隔壁を介し対向させるように前記
   両電極基板を重ね合わせる重ね合わせ工程（Ｓ１１）
   と、 この重ね合わせ工程後、前記両電極基板間に液晶（４
   ０）を封入する液晶封入工程（Ｓ１３）とを備える液晶
   セルの製造方法において、 前記隔壁形成工程の後、前記各隔壁の形成時に前記樹脂
   材料によって前記一方の配向膜上に形成された残渣膜
   （５０ｂ）の膜厚を薄くするように、有機溶剤により洗
   浄処理する有機溶剤洗浄工程（Ｓ９）を備えることを特
   徴とする液晶セルの製造方法。
6. 【請求項６】 前記有機溶剤洗浄工程において、前記残
   渣膜の膜厚を３ｎｍ以下にすることを特徴とする請求項
   ５に記載の液晶セルの製造方法。
7. 【請求項７】 前記有機溶剤は、室温以上に加熱して使
   用することを特徴とする請求項５又は６に記載の液晶セ
   ルの製造方法。
8. 【請求項８】 前記有機溶剤洗浄工程の処理後、前記各
   隔壁を形成した電極基板を水洗いすることを特徴とする
   請求項５乃至７のいずれか一つに記載の液晶セルの製造
   方法。
9. 【請求項９】 前記有機溶剤は水溶性であることを特徴
   とする請求項８に記載の液晶セルの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記有機溶剤はイソプロピルアルコー
    ルであることを特徴とする請求項５乃至９のいずれか一
    つに記載の液晶セルの製造方法。
11. 【請求項１１】 両電極基板（１０、２０）の各配向膜
    （１６、２６）の一方の配向膜にフォトリソグラフィ法
    により感光性樹脂材料でもって複数の隔壁（５０）をス
    トライプ状にパターニング形成する隔壁形成工程（Ｓ
    ７）と、前記各配向膜を前記各隔壁を介し対向させるよ
    うに前記両電極基板を重ね合わせる重ね合わせ工程（Ｓ
    １１）と、 この重ね合わせ工程後、前記両電極基板間に液晶（４
    ０）を封入する液晶封入工程（Ｓ１３）とを備える液晶
    セルの製造方法において、 前記隔壁形成工程の後、前記各隔壁の形成時に前記樹脂
    材料によって前記一方の配向膜上に形成された残渣膜
    （５０ｂ）を、当該残渣膜を構成する前記樹脂材料を溶
    解する有機溶剤により洗浄処理する有機溶剤洗浄工程
    （Ｓ９）を備えることを特徴とする液晶セルの製造方
    法。
12. 【請求項１２】 前記残渣膜は、前記隔壁のパターニン
    グ時に未感光な前記感光性樹脂材料により構成されてい
    ることを特徴とする請求項１１に記載の液晶セルの製造
    方法。
13. 【請求項１３】 前記感光性樹脂材料は、アクリル系樹
    脂モノマーであり、かつ、前記有機溶剤は、イソプロピ
    ルアルコールであることを特徴とする請求項１２に記載
    の液晶セルの製造方法。