JPH11216870A - インクジェットヘッドの製造方法 - Google Patents
インクジェットヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH11216870A JPH11216870A JP2055098A JP2055098A JPH11216870A JP H11216870 A JPH11216870 A JP H11216870A JP 2055098 A JP2055098 A JP 2055098A JP 2055098 A JP2055098 A JP 2055098A JP H11216870 A JPH11216870 A JP H11216870A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- groove
- etching
- jet head
- ink jet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 56
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 53
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 73
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 21
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 1
- XJKVPKYVPCWHFO-UHFFFAOYSA-N silicon;hydrate Chemical compound O.[Si] XJKVPKYVPCWHFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 31
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 31
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 31
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 31
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 31
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 15
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000347 anisotropic wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14314—Structure of ink jet print heads with electrostatically actuated membrane
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/162—Manufacturing of the nozzle plates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1628—Manufacturing processes etching dry etching
Abstract
(57)【要約】
【課題】インクノズルの加工精度を低下させることな
く、インクノズルを形成するとともにインクジェットヘ
ッドにＦＰＣを接続する端子を露出するための貫通孔を
同時に形成することのできるインクジェットヘッドのノ
ズルプレートを製造する方法を提供する。 【解決手段】ノズルプレート２を形成するためのシリコ
ンウエハ２００の一方の面にエッチングを施して、イン
クノズル２１となる微細な溝２３１と電極配線用の貫通
孔２３となる溝の一部２２３を形成する。シリコンウエ
ハの他方の面から、インクノズル２１の溝に比べ大きな
溝２４４、２３３Ａを形成して、溝２３１と、溝２４４
を貫通させ、ノズル２１を形成すると共に、溝２３３と
溝２３３Ａを貫通させ貫通孔２３を同時に得る。
く、インクノズルを形成するとともにインクジェットヘ
ッドにＦＰＣを接続する端子を露出するための貫通孔を
同時に形成することのできるインクジェットヘッドのノ
ズルプレートを製造する方法を提供する。 【解決手段】ノズルプレート２を形成するためのシリコ
ンウエハ２００の一方の面にエッチングを施して、イン
クノズル２１となる微細な溝２３１と電極配線用の貫通
孔２３となる溝の一部２２３を形成する。シリコンウエ
ハの他方の面から、インクノズル２１の溝に比べ大きな
溝２４４、２３３Ａを形成して、溝２３１と、溝２４４
を貫通させ、ノズル２１を形成すると共に、溝２３３と
溝２３３Ａを貫通させ貫通孔２３を同時に得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インクジェットプ
リンタのインクジェットヘッドの製造方法に関するもの
である。さらに詳しくは、本発明は、シリコン製の基板
を両面からエッチングを施して、ノズルプレートを形成
する方法に関するものである。
リンタのインクジェットヘッドの製造方法に関するもの
である。さらに詳しくは、本発明は、シリコン製の基板
を両面からエッチングを施して、ノズルプレートを形成
する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】インクジェットプリンタに用いられるイ
ンクジェットヘッドには、インク滴を外部に吐出する複
数のインクノズルと、これらのインクノズルに連通した
インク供給路とが半導体基板上に作り込まれたものが提
案されている。近年、インクジェットヘッドに対して
は、高精細文字を印字可能にするために、より精密でよ
り微細な加工が要求されている。このために、様々なイ
ンクジェットヘッドの製造方法が開発されている。
ンクジェットヘッドには、インク滴を外部に吐出する複
数のインクノズルと、これらのインクノズルに連通した
インク供給路とが半導体基板上に作り込まれたものが提
案されている。近年、インクジェットヘッドに対して
は、高精細文字を印字可能にするために、より精密でよ
り微細な加工が要求されている。このために、様々なイ
ンクジェットヘッドの製造方法が開発されている。
【０００３】例えば、本願人による特開平５−５０６０
１号公報には、静電駆動方式のインクジェットヘッドに
おいて、シリコン単結晶基板にホトリソグラフィー技術
および湿式結晶異方性エッチングを適用することによっ
て、インクノズルおよびインク供給路を高精度に形成す
るためのインクジェットヘッドの製造方法が開示されて
いる。
１号公報には、静電駆動方式のインクジェットヘッドに
おいて、シリコン単結晶基板にホトリソグラフィー技術
および湿式結晶異方性エッチングを適用することによっ
て、インクノズルおよびインク供給路を高精度に形成す
るためのインクジェットヘッドの製造方法が開示されて
いる。
【０００４】同号公報に開示されているインクジェット
ヘッドは、複数個のインクノズルと、各インクノズルに
連通したインクキャビティと、インクキャビティにイン
クを供給する共通のインクリザーバとを備えた構成とな
っている。外部のインク供給源からインクジェットヘッ
ドのインクリザーバに供給されたインクは、インクリザ
ーバから各インク供給口を経由して対応するインクキャ
ビティに供給される。各インクキャビティの底面は振動
板として機能し、当該振動板を静電気力によって振動さ
せることにより変動するインクキャビティの容積変動を
利用して、インクキャビティに連通したインクノズルか
らインク滴を外部に向けて吐出することが可能となって
いる。
ヘッドは、複数個のインクノズルと、各インクノズルに
連通したインクキャビティと、インクキャビティにイン
クを供給する共通のインクリザーバとを備えた構成とな
っている。外部のインク供給源からインクジェットヘッ
ドのインクリザーバに供給されたインクは、インクリザ
ーバから各インク供給口を経由して対応するインクキャ
ビティに供給される。各インクキャビティの底面は振動
板として機能し、当該振動板を静電気力によって振動さ
せることにより変動するインクキャビティの容積変動を
利用して、インクキャビティに連通したインクノズルか
らインク滴を外部に向けて吐出することが可能となって
いる。
【０００５】そして、このインクジェットヘッドは、リ
ザーバ、キャビティ等のインク供給路、振動板が形成さ
れたシリコン単結晶製の流路基板と、インク供給路を覆
う蓋基板と、振動板を静電気力によって撓めるための電
極が形成されたガラス製の電極基板をはりあわせた構造
を採用している。
ザーバ、キャビティ等のインク供給路、振動板が形成さ
れたシリコン単結晶製の流路基板と、インク供給路を覆
う蓋基板と、振動板を静電気力によって撓めるための電
極が形成されたガラス製の電極基板をはりあわせた構造
を採用している。
【０００６】このような構造を採用することにより、個
々のインクジェットヘッドのパターン（ノズル、インク
供給路、電極）をそれぞれの基板に形成した後、基板を
接合し、接合した基板を切断し個々のインクジェットヘ
ッドに分離するという製造方法（いわゆる多数個取り）
が採用でき、インクジェットヘッドを安価に製造でき
る。なお、多数個取りの例は、本願人による特開平９−
３００６３０号に開示されている。即ち、下方の基板に
形成された信号もしくは電力をヘッドに供給するための
端子が露出するように、複数の蓋基板を列状に流路基板
に接合する方法が提案されている。
々のインクジェットヘッドのパターン（ノズル、インク
供給路、電極）をそれぞれの基板に形成した後、基板を
接合し、接合した基板を切断し個々のインクジェットヘ
ッドに分離するという製造方法（いわゆる多数個取り）
が採用でき、インクジェットヘッドを安価に製造でき
る。なお、多数個取りの例は、本願人による特開平９−
３００６３０号に開示されている。即ち、下方の基板に
形成された信号もしくは電力をヘッドに供給するための
端子が露出するように、複数の蓋基板を列状に流路基板
に接合する方法が提案されている。
【０００７】ところで、インク供給路を覆う蓋基板にノ
ズルを形成し、蓋基板自体をノズルプレートとして用い
る場合、特開平９−３００６３０号に開示された方法よ
りも１枚のノズルプレートを流路基板に接合した後、個
々のインクジェットヘッドに分離する方が精度上望まし
い。
ズルを形成し、蓋基板自体をノズルプレートとして用い
る場合、特開平９−３００６３０号に開示された方法よ
りも１枚のノズルプレートを流路基板に接合した後、個
々のインクジェットヘッドに分離する方が精度上望まし
い。
【０００８】この場合、これら３枚の基板のうち一番上
の基板であるノズルプレートには、インクノズルの他
に、下部基板に形成された端子を露出させるための貫通
孔を形成する必要がある。
の基板であるノズルプレートには、インクノズルの他
に、下部基板に形成された端子を露出させるための貫通
孔を形成する必要がある。
【０００９】しかしながら、極めて高い精度が要求され
る微少なインクノズル用の孔を形成する工程と、前記貫
通孔を形成する工程は、独立した工程で行われていた。
例えば、貫通孔をエッチングであけた後、ノズル孔をエ
ッチングで形成するか、またはノズルを形成した後、貫
通孔をあけていた。
る微少なインクノズル用の孔を形成する工程と、前記貫
通孔を形成する工程は、独立した工程で行われていた。
例えば、貫通孔をエッチングであけた後、ノズル孔をエ
ッチングで形成するか、またはノズルを形成した後、貫
通孔をあけていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】インクノズル用の孔を
形成する工程と、前記貫通孔を形成する工程は、別々の
エッチング工程で行われていたため、エッチング工程に
関わるレジスト膜の形成、マスキング、レジスト膜の除
去等のパターニング及び、洗浄等全てのサブ工程を２回
行わなければならず、製造工程が複雑になると共に、製
造に時間がかかるという課題を有していた。
形成する工程と、前記貫通孔を形成する工程は、別々の
エッチング工程で行われていたため、エッチング工程に
関わるレジスト膜の形成、マスキング、レジスト膜の除
去等のパターニング及び、洗浄等全てのサブ工程を２回
行わなければならず、製造工程が複雑になると共に、製
造に時間がかかるという課題を有していた。
【００１１】本発明の課題は、このような点に鑑みて、
インクノズルの加工精度を低下させることなく、インク
ノズルを形成するとともに貫通孔を同時に形成すること
のできるインクジェットヘッドの製造方法を提案し、製
造工程を簡略化し、製造にかかる時間を短縮することに
ある。
インクノズルの加工精度を低下させることなく、インク
ノズルを形成するとともに貫通孔を同時に形成すること
のできるインクジェットヘッドの製造方法を提案し、製
造工程を簡略化し、製造にかかる時間を短縮することに
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明は、下側の基板上に、インクジェットヘッ
ドの吐出部の一部となる凹部を列状に配置形成すると共
に、各々の吐出部に付設される圧力発生手段に信号もし
くは、電力を供給するための端子部を配置形成し、下側
の基板の上方に接合される上側の基板に、前記下側の基
板と接合した際に各吐出部と連通するインクノズルと、
前記端子部を露出させるための貫通孔を形成し、前記各
基板を接合してインクジェットヘッドを製造する方法で
あって、前記上側の基板の一方の面から、エッチングに
より所定の深さまで前記インクノズルとなる微細な第１
の溝と、前記貫通孔の一部となる第２の溝を形成した
後、前記上側の基板の他方の面からエッチングにより、
前記第１の溝に比べ大きな第３の溝を形成し、前記第１
の溝と、前記第２の溝を貫通させ、前記インクノズル及
び前記貫通孔を同時に形成することを特徴とする。これ
により、インクノズルと同時に貫通孔を形成することが
できる。
めに、本発明は、下側の基板上に、インクジェットヘッ
ドの吐出部の一部となる凹部を列状に配置形成すると共
に、各々の吐出部に付設される圧力発生手段に信号もし
くは、電力を供給するための端子部を配置形成し、下側
の基板の上方に接合される上側の基板に、前記下側の基
板と接合した際に各吐出部と連通するインクノズルと、
前記端子部を露出させるための貫通孔を形成し、前記各
基板を接合してインクジェットヘッドを製造する方法で
あって、前記上側の基板の一方の面から、エッチングに
より所定の深さまで前記インクノズルとなる微細な第１
の溝と、前記貫通孔の一部となる第２の溝を形成した
後、前記上側の基板の他方の面からエッチングにより、
前記第１の溝に比べ大きな第３の溝を形成し、前記第１
の溝と、前記第２の溝を貫通させ、前記インクノズル及
び前記貫通孔を同時に形成することを特徴とする。これ
により、インクノズルと同時に貫通孔を形成することが
できる。
【００１３】貫通孔が比較的大きい場合、前記第２の溝
を前記貫通孔の外周の輪郭を描く形状にエッチングする
ことで形成することが望ましい。
を前記貫通孔の外周の輪郭を描く形状にエッチングする
ことで形成することが望ましい。
【００１４】これにより、貫通孔部分のエッチング面積
を小さくできるため、エッチング速度の低下を防止する
と共に、ウェハー面内のエッチングによる溝の深さ方向
の精度悪化を防止できる。
を小さくできるため、エッチング速度の低下を防止する
と共に、ウェハー面内のエッチングによる溝の深さ方向
の精度悪化を防止できる。
【００１５】より具体的なエッチング方法として、前記
上側の基板としてシリコン製の基板を用い、該基板の一
方の面から、プラズマ放電を用いたドライエッチングに
より所定の深さまで前記第１の溝と、前記第２の溝を形
成し、前記シリコン製の基板の他方の面からウエットエ
ッチングにより前記第３の溝を形成してもよい。
上側の基板としてシリコン製の基板を用い、該基板の一
方の面から、プラズマ放電を用いたドライエッチングに
より所定の深さまで前記第１の溝と、前記第２の溝を形
成し、前記シリコン製の基板の他方の面からウエットエ
ッチングにより前記第３の溝を形成してもよい。
【００１６】また、前記ドライエッチングを行うために
用いられるレジスト膜がシリコン酸化膜であり、前記シ
リコン酸化膜をエッチングして、前記シリコン製の基板
の表面を露出させ、該露出部分に対してドライエッチン
グを施してもよい。
用いられるレジスト膜がシリコン酸化膜であり、前記シ
リコン酸化膜をエッチングして、前記シリコン製の基板
の表面を露出させ、該露出部分に対してドライエッチン
グを施してもよい。
【００１７】更に、静電アクチュエータを用いたインク
ジェットヘッドを製造する場合、下側の基板を以下のよ
うに２枚用いて、製造しても良い。即ち、前記下側の基
板に、前記吐出部の一部となる前記凹部が列状に配置形
成された第１の基板と、各々の吐出部に付設される圧力
発生手段に信号もしくは、電力を供給するための前記端
子部が配置形成された第２の基板とを用いてもよい。こ
の場合、該第２の基板を、前記第１の基板の底面に接合
する工程を含み、前記第１の基板の各凹部の底面には、
予め振動板が形成され、前記第２の基板上には、両基板
が接合されたときに、前記各振動板に所定の空隙を有し
て対向する位置に、予め対向電極が形成される。
ジェットヘッドを製造する場合、下側の基板を以下のよ
うに２枚用いて、製造しても良い。即ち、前記下側の基
板に、前記吐出部の一部となる前記凹部が列状に配置形
成された第１の基板と、各々の吐出部に付設される圧力
発生手段に信号もしくは、電力を供給するための前記端
子部が配置形成された第２の基板とを用いてもよい。こ
の場合、該第２の基板を、前記第１の基板の底面に接合
する工程を含み、前記第１の基板の各凹部の底面には、
予め振動板が形成され、前記第２の基板上には、両基板
が接合されたときに、前記各振動板に所定の空隙を有し
て対向する位置に、予め対向電極が形成される。
【００１８】また、このようなインクジェットヘッドで
は、前記第１の基板上に、各振動板に共通に接続する共
通端子が形成され、前記共通端子に隣接した位置に配置
されるように、各対向電極に接続する個別端子が前記第
２の基板上に形成され、前記上側の基板の貫通孔は、前
記共通端子と個別端子を露出するように形成される。
は、前記第１の基板上に、各振動板に共通に接続する共
通端子が形成され、前記共通端子に隣接した位置に配置
されるように、各対向電極に接続する個別端子が前記第
２の基板上に形成され、前記上側の基板の貫通孔は、前
記共通端子と個別端子を露出するように形成される。
【００１９】
【発明の実施の形態】（本願発明が適用されるインクジ
ェットヘッドの一例）図１には本発明の方法を適用可能
なインクジェットヘッドの分解斜視図、図２に図１のイ
ンクジェットヘッドの概略断面を示してある。
ェットヘッドの一例）図１には本発明の方法を適用可能
なインクジェットヘッドの分解斜視図、図２に図１のイ
ンクジェットヘッドの概略断面を示してある。
【００２０】以下、図１、図２を参照して説明すると、
本例のインクジェットヘッド１は、本願人による特開平
５−５０６０１号公報に開示されているインクジェット
ヘッドと同様の静電駆動方式のインクジェットヘッドで
あり、シリコン単結晶基板からなるノズルプレート２
（上側の基板）と、同じくシリコン単結晶基板からなる
キャビティプレート３（第１の下側の基板）と、ガラス
基板４（第２の下側の基板）とを貼り合わせることによ
り構成されている。
本例のインクジェットヘッド１は、本願人による特開平
５−５０６０１号公報に開示されているインクジェット
ヘッドと同様の静電駆動方式のインクジェットヘッドで
あり、シリコン単結晶基板からなるノズルプレート２
（上側の基板）と、同じくシリコン単結晶基板からなる
キャビティプレート３（第１の下側の基板）と、ガラス
基板４（第２の下側の基板）とを貼り合わせることによ
り構成されている。
【００２１】なお、両図共に、説明を簡単にするために
１個のヘッドをしめしてあるが、いずれの基板２，３，
４共に複数個のインクジェットヘッド用のパターンが形
成されており、基板の接合後、図２に示すＣ−Ｃ面、Ｄ
−Ｄ面をダイシングを用いて切断し、個々のインクジェ
ットヘッドに分離される。
１個のヘッドをしめしてあるが、いずれの基板２，３，
４共に複数個のインクジェットヘッド用のパターンが形
成されており、基板の接合後、図２に示すＣ−Ｃ面、Ｄ
−Ｄ面をダイシングを用いて切断し、個々のインクジェ
ットヘッドに分離される。
【００２２】キャビティプレート３には、複数のインク
キャビティ３１と、各インクキャビティ３１にインクを
供給する共通のインクリザーバ３２が形成されている。
ノズルプレート２の側には、各インクキャビティ３１に
連通した複数のインクノズル２１と、各インクキャビテ
ィ３１を共通のインクリザーバ３２に連通しているイン
ク供給口２２が形成されている。インク供給口２２は一
方の側に深溝部分２２ａが形成され、他方の側には浅溝
部分２２ｂが形成された断面形状となっている。
キャビティ３１と、各インクキャビティ３１にインクを
供給する共通のインクリザーバ３２が形成されている。
ノズルプレート２の側には、各インクキャビティ３１に
連通した複数のインクノズル２１と、各インクキャビテ
ィ３１を共通のインクリザーバ３２に連通しているイン
ク供給口２２が形成されている。インク供給口２２は一
方の側に深溝部分２２ａが形成され、他方の側には浅溝
部分２２ｂが形成された断面形状となっている。
【００２３】キャビティプレート３の裏面に貼り付けた
ガラス基板４において、キャビティ３１の底面を規定し
ている振動板３３に対峙する部分には、凹部４１が形成
され、当該凹部の底面には、振動板３３に対峙した個別
電極４２が形成されている。
ガラス基板４において、キャビティ３１の底面を規定し
ている振動板３３に対峙する部分には、凹部４１が形成
され、当該凹部の底面には、振動板３３に対峙した個別
電極４２が形成されている。
【００２４】この個別電極４２は、溝４４内に設けられ
たリード４２ａを介して、凹部４５に設けられた個別端
子４２ｂに接続されている。
たリード４２ａを介して、凹部４５に設けられた個別端
子４２ｂに接続されている。
【００２５】この個別端子４２ｂが、キャビティプレー
ト３とガラス基板４を接合したときに、露出するよう
に、キャビティプレート３には貫通孔３６が設けられて
おり、この貫通孔３６の近傍に、振動板３３に電荷をチ
ャージするための共通端子３５が設けられている。そし
て、ノズルプレート２には、下側の基板と接合された際
に、個別端子４２ｂと共通端子３５を露出するための貫
通孔２３も形成されている。個々のインクジェットヘッ
ドに分離した後、不図示のＦＰＣがこれらの端子４２
ｂ、３５に接続される。
ト３とガラス基板４を接合したときに、露出するよう
に、キャビティプレート３には貫通孔３６が設けられて
おり、この貫通孔３６の近傍に、振動板３３に電荷をチ
ャージするための共通端子３５が設けられている。そし
て、ノズルプレート２には、下側の基板と接合された際
に、個別端子４２ｂと共通端子３５を露出するための貫
通孔２３も形成されている。個々のインクジェットヘッ
ドに分離した後、不図示のＦＰＣがこれらの端子４２
ｂ、３５に接続される。
【００２６】また、インクリザーバ３２の底面にはイン
ク供給孔３４が形成され、このインク供給孔３４は、ガ
ラス基板４に形成したインク供給路４３に連通してい
る。このインク供給路４３およびインク供給孔３４を介
して、外部のインク供給源からインクがインクリザーバ
３２に供給可能となっている。
ク供給孔３４が形成され、このインク供給孔３４は、ガ
ラス基板４に形成したインク供給路４３に連通してい
る。このインク供給路４３およびインク供給孔３４を介
して、外部のインク供給源からインクがインクリザーバ
３２に供給可能となっている。
【００２７】キャビティプレート３に形成した各キャビ
ティ３１の底面を規定している振動板３３は共通電極と
して機能し、このキャビティプレート３と、各振動板３
３に対峙している個別電極４２との間に電圧を印加する
と、電圧が印加された個別電極４２に対峙している振動
板３３が静電気力によって振動し、これに伴ってキャビ
ティ３１の容積変化が起こり、インクノズル２１からイ
ンク滴の吐出が行われる。
ティ３１の底面を規定している振動板３３は共通電極と
して機能し、このキャビティプレート３と、各振動板３
３に対峙している個別電極４２との間に電圧を印加する
と、電圧が印加された個別電極４２に対峙している振動
板３３が静電気力によって振動し、これに伴ってキャビ
ティ３１の容積変化が起こり、インクノズル２１からイ
ンク滴の吐出が行われる。
【００２８】ここで、インクノズル２１は段状断面をし
たインクノズルである。すなわち、インク滴吐出方向の
前側には円形の小断面ノズル部分２１ａ（小断面側の部
分）が形成され、後側には円形の大断面ノズル部分２１
ｂ（大断面側の部分）が形成されており、これらの境界
部分は環状の段面２１ｃとなっている。従って、インク
ノズル２１の軸線方向に沿って切断した断面形状は先端
側に向けて断面が階段状に小さくなっている。また、イ
ンクノズル２１の先端開口２１ｄは、ノズルプレート２
の反対側の面に形成した凹部２４の底面に開口してい
る。
たインクノズルである。すなわち、インク滴吐出方向の
前側には円形の小断面ノズル部分２１ａ（小断面側の部
分）が形成され、後側には円形の大断面ノズル部分２１
ｂ（大断面側の部分）が形成されており、これらの境界
部分は環状の段面２１ｃとなっている。従って、インク
ノズル２１の軸線方向に沿って切断した断面形状は先端
側に向けて断面が階段状に小さくなっている。また、イ
ンクノズル２１の先端開口２１ｄは、ノズルプレート２
の反対側の面に形成した凹部２４の底面に開口してい
る。
【００２９】（本発明のインクジェットヘッドの製造方
法の実施形態）図３〜図６にはノズルプレート２の製造
工程の比較例を示してある。これらの図を参照してノズ
ルプレート２の製造手順を説明する。
法の実施形態）図３〜図６にはノズルプレート２の製造
工程の比較例を示してある。これらの図を参照してノズ
ルプレート２の製造手順を説明する。
【００３０】（Ｓｔｅｐ１：第１の熱酸化膜形成工程）
先ず、図３（Ａ）に示すように、厚さが１８０ミクロン
のシリコンウエハ２００を用意し、当該シリコンウエハ
２００を熱酸化させて、その表面にレジスト膜としての
厚さが１．２ミクロン以上のＳｉＯ2 膜２１０を形成す
る。
先ず、図３（Ａ）に示すように、厚さが１８０ミクロン
のシリコンウエハ２００を用意し、当該シリコンウエハ
２００を熱酸化させて、その表面にレジスト膜としての
厚さが１．２ミクロン以上のＳｉＯ2 膜２１０を形成す
る。
【００３１】（Ｓｔｅｐ２：ＳｉＯ2 膜の第１のパター
ニング工程）次に、図３（Ｂ）に示すように、シリコン
ウエハ２００の表面２００ａを覆っているＳｉＯ2 膜２
１０の部分にハーフエッチングを施すことにより、イン
クノズル２１の大断面ノズル部分２１ｂおよびインク供
給口２２の浅溝部分２２ｂを形成するためのパターン２
０１ｂおよび２０２ｂを形成する。エッチング液として
は、フッ化アンモニウム（ＨＦ：ＮＨ４Ｆ＝８８０ｍ
ｌ：５６１０ｍｌ）を使用することができる。また、エ
ッチング深さは、例えば、０．５ミクロンに設定するこ
とができる。
ニング工程）次に、図３（Ｂ）に示すように、シリコン
ウエハ２００の表面２００ａを覆っているＳｉＯ2 膜２
１０の部分にハーフエッチングを施すことにより、イン
クノズル２１の大断面ノズル部分２１ｂおよびインク供
給口２２の浅溝部分２２ｂを形成するためのパターン２
０１ｂおよび２０２ｂを形成する。エッチング液として
は、フッ化アンモニウム（ＨＦ：ＮＨ４Ｆ＝８８０ｍ
ｌ：５６１０ｍｌ）を使用することができる。また、エ
ッチング深さは、例えば、０．５ミクロンに設定するこ
とができる。
【００３２】（Ｓｔｅｐ３：ＳｉＯ2 膜の第２のパター
ニング工程）この後は、図３（Ｃ）に示すように、イン
クノズル２１の小断面ノズル部分２１ａおよびインク供
給口２２の深溝部分２２ａを形成するためのパターン２
０１ａおよび２０２ａを、ＳｉＯ2 膜２１０のハーフエ
ッチング領域であるパターン２０１ｂ、２０２ｂの部分
に形成する。すなわち、これらのハーフエッチング領域
を完全にエッチングして、シリコンウエハ表面を露出さ
せたパターン２０１ａ、２０２ａを形成する。これらの
パターンと共に、電極用の貫通孔２３を形成するための
パターン２０３も、ＳｉＯ2 膜２１０をフルエッチング
することにより形成する。この場合に使用するエッチン
グ液も上記と同様なフッ化アンモニウムを使用できる。
ニング工程）この後は、図３（Ｃ）に示すように、イン
クノズル２１の小断面ノズル部分２１ａおよびインク供
給口２２の深溝部分２２ａを形成するためのパターン２
０１ａおよび２０２ａを、ＳｉＯ2 膜２１０のハーフエ
ッチング領域であるパターン２０１ｂ、２０２ｂの部分
に形成する。すなわち、これらのハーフエッチング領域
を完全にエッチングして、シリコンウエハ表面を露出さ
せたパターン２０１ａ、２０２ａを形成する。これらの
パターンと共に、電極用の貫通孔２３を形成するための
パターン２０３も、ＳｉＯ2 膜２１０をフルエッチング
することにより形成する。この場合に使用するエッチン
グ液も上記と同様なフッ化アンモニウムを使用できる。
【００３３】（Ｓｔｅｐ４：第１のドライエッチング工
程）このようにして、ＳｉＯ2 膜２１０に２回のパター
ニングを施した後は、図４（Ａ）に示すように、プラズ
マ放電による異方性ドライエッチングをシリコンウエハ
２００に施す。これにより、上記のＳｔｅｐ３で形成さ
れたパターン２０１ｂ、２０２ｂおよび２０３に対応し
た形状で、シリコンウエハ２００の表面が垂直にエッチ
ングされて、それぞれ、同一の深さの溝２２１、２２
２、２２３が形成される。この場合のエッチングガスと
しては、例えば、ＣＦ系ガス、ＳＦ６を使用し、これら
のエッチングガスを交互に使用すればよい。ここで、Ｃ
Ｆ系ガスは形成される溝の側面にエッチングが進行しな
いように溝側面を保護するために使用し、ＳＦ６はシリ
コンウエハの垂直方向のエッチングを促進させるために
使用する。
程）このようにして、ＳｉＯ2 膜２１０に２回のパター
ニングを施した後は、図４（Ａ）に示すように、プラズ
マ放電による異方性ドライエッチングをシリコンウエハ
２００に施す。これにより、上記のＳｔｅｐ３で形成さ
れたパターン２０１ｂ、２０２ｂおよび２０３に対応し
た形状で、シリコンウエハ２００の表面が垂直にエッチ
ングされて、それぞれ、同一の深さの溝２２１、２２
２、２２３が形成される。この場合のエッチングガスと
しては、例えば、ＣＦ系ガス、ＳＦ６を使用し、これら
のエッチングガスを交互に使用すればよい。ここで、Ｃ
Ｆ系ガスは形成される溝の側面にエッチングが進行しな
いように溝側面を保護するために使用し、ＳＦ６はシリ
コンウエハの垂直方向のエッチングを促進させるために
使用する。
【００３４】このようにして、例えば、エッチング深さ
が３５ミクロンの溝２２１、２２２、２２３を形成した
後は、ＳｉＯ2 膜２１０をフッ酸水溶液によって０．７
ミクロンの厚さでエッチ除去する。この結果、図４
（Ｂ）に示すように、Ｓｔｅｐ２で形成したパターン２
０１ｂ、２０２ｂの部分が完全に除去されて、シリコン
ウエハ２００の表面が露出した状態になる。
が３５ミクロンの溝２２１、２２２、２２３を形成した
後は、ＳｉＯ2 膜２１０をフッ酸水溶液によって０．７
ミクロンの厚さでエッチ除去する。この結果、図４
（Ｂ）に示すように、Ｓｔｅｐ２で形成したパターン２
０１ｂ、２０２ｂの部分が完全に除去されて、シリコン
ウエハ２００の表面が露出した状態になる。
【００３５】（Ｓｔｅｐ５：第２のドライエッチング工
程）次に、図４（Ｃ）に示すように、再度、プラズマ放
電による異方性ドライエッチングを行なう。この結果、
パターン２０１ｂ、２０２ｂおよび２０３から露出して
いるシリコンウエハの表面部分は、その断面形状を保っ
た状態で厚さ方向に向けて垂直にエッチングが進行す
る。この場合のエッチングガスも上記のＳｔｅｐ４と同
一であり、エッチング深さを例えば５５ミクロンとす
る。この結果、段状のインクノズル２１に対応する断面
形状のノズル溝２３１、インク供給口２２に対応する断
面形状の溝２３２が形成される。また、電極配置用の貫
通孔２３の半分の深さの溝２３３も形成される。
程）次に、図４（Ｃ）に示すように、再度、プラズマ放
電による異方性ドライエッチングを行なう。この結果、
パターン２０１ｂ、２０２ｂおよび２０３から露出して
いるシリコンウエハの表面部分は、その断面形状を保っ
た状態で厚さ方向に向けて垂直にエッチングが進行す
る。この場合のエッチングガスも上記のＳｔｅｐ４と同
一であり、エッチング深さを例えば５５ミクロンとす
る。この結果、段状のインクノズル２１に対応する断面
形状のノズル溝２３１、インク供給口２２に対応する断
面形状の溝２３２が形成される。また、電極配置用の貫
通孔２３の半分の深さの溝２３３も形成される。
【００３６】この後は、ＳｉＯ2 膜２１０をフッ酸水溶
液（例えば、ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：５ｖｏｌ，２５℃）で
全て剥離する。図４（Ｄ）にはこの状態を示してある。
液（例えば、ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：５ｖｏｌ，２５℃）で
全て剥離する。図４（Ｄ）にはこの状態を示してある。
【００３７】（Ｓｔｅｐ６：第２の熱酸化膜形成工程）
この後は、再び、シリコンウェハ２００の表面を熱酸化
して、レジスト膜としてのＳｉＯ2 膜２４０を形成す
る。この場合においても、ＳｉＯ2 膜２４０の厚みは
１．２ミクロンにすればよい。
この後は、再び、シリコンウェハ２００の表面を熱酸化
して、レジスト膜としてのＳｉＯ2 膜２４０を形成す
る。この場合においても、ＳｉＯ2 膜２４０の厚みは
１．２ミクロンにすればよい。
【００３８】（Ｓｔｅｐ７：ＳｉＯ2 膜の第３のパター
ニング工程）次に、図５（Ｂ）に示すように、シリコン
ウエハ２００の反対側の表面２００ｂを覆っているＳｉ
Ｏ2 膜２４０の部分をエッチングして、インクノズル２
１が開口している凹部２４に対応したパターン２０４、
および貫通孔２３に対応したターン２０３Ａを形成す
る。この場合のエッチング液は上記のＳｔｅｐ２で使用
したものを使用できる。
ニング工程）次に、図５（Ｂ）に示すように、シリコン
ウエハ２００の反対側の表面２００ｂを覆っているＳｉ
Ｏ2 膜２４０の部分をエッチングして、インクノズル２
１が開口している凹部２４に対応したパターン２０４、
および貫通孔２３に対応したターン２０３Ａを形成す
る。この場合のエッチング液は上記のＳｔｅｐ２で使用
したものを使用できる。
【００３９】（Ｓｔｅｐ８：ウエットエッチング工程）
次に、図５（Ｃ）に示すように、シリコンウエハ２００
をエッチング液に漬けてシリコンウエハ２００の露出部
分に対して異方性湿式エッチングを施し、凹部２４に対
応した溝２４４を形成してノズル２１を貫通させる。ま
た、貫通孔２３に対応した溝２３３Ａを形成して、貫通
孔２３を貫通させる。この場合に使用するエッチング液
は、水酸化カリウム水溶液であり、その濃度は２ｗｔパ
ーセントで液温８０℃のものを使用できる。また、エッ
チング深さは例えば１１０ミクロンとする。エッチング
終了後は、図５（Ｄ）に示すように、ＳｉＯ2 膜２４０
をフッ酸水溶液で全て剥離する。
次に、図５（Ｃ）に示すように、シリコンウエハ２００
をエッチング液に漬けてシリコンウエハ２００の露出部
分に対して異方性湿式エッチングを施し、凹部２４に対
応した溝２４４を形成してノズル２１を貫通させる。ま
た、貫通孔２３に対応した溝２３３Ａを形成して、貫通
孔２３を貫通させる。この場合に使用するエッチング液
は、水酸化カリウム水溶液であり、その濃度は２ｗｔパ
ーセントで液温８０℃のものを使用できる。また、エッ
チング深さは例えば１１０ミクロンとする。エッチング
終了後は、図５（Ｄ）に示すように、ＳｉＯ2 膜２４０
をフッ酸水溶液で全て剥離する。
【００４０】（Ｓｔｅｐ９：最終熱酸化工程）最後に、
図６に示すように、シリコンウエハの耐インク性とノズ
ル面の撥水処理の密着性を確保するために、再度シリコ
ンウエハを熱酸化して、ＳｉＯ2 膜を形成する。以上に
より、ノズルプレート２が得られる。
図６に示すように、シリコンウエハの耐インク性とノズ
ル面の撥水処理の密着性を確保するために、再度シリコ
ンウエハを熱酸化して、ＳｉＯ2 膜を形成する。以上に
より、ノズルプレート２が得られる。
【００４１】。
【００４２】このように、ノズルプレート２を形成する
ためのシリコンウエハ２００の一方の面にエッチングを
施して、インクノズル２１となる微細な溝２３１と電極
配線用の貫通孔２３となる溝の一部２２３が形成され、
シリコンウエハ２００の他方の面から、インクノズル２
１の溝に比べ大きな溝２４４、２３３Ａを形成すること
により、溝２３１と、溝２４４を貫通させ、ノズル２１
を形成すると共に、溝２３３と溝２３３Ａを貫通させ貫
通孔２３を同時に得ることができる。
ためのシリコンウエハ２００の一方の面にエッチングを
施して、インクノズル２１となる微細な溝２３１と電極
配線用の貫通孔２３となる溝の一部２２３が形成され、
シリコンウエハ２００の他方の面から、インクノズル２
１の溝に比べ大きな溝２４４、２３３Ａを形成すること
により、溝２３１と、溝２４４を貫通させ、ノズル２１
を形成すると共に、溝２３３と溝２３３Ａを貫通させ貫
通孔２３を同時に得ることができる。
【００４３】（本発明のインクジェットヘッドの製造方
法の他の実施形態）上記方法にてノズル及び貫通孔を形
成した場合、Ｓｔｅｐ４及びＳｔｅｐ５のドライエッチ
ング工程において、貫通孔２３のエッチング面積が非常
に大きくなる場合、エッチング速度の低下をもたらすと
同時に、ウェハー面内のエッチング深さのばらつきが大
きくなることがあるが、以下に述べる方法によって、こ
のような問題も解決できる。
法の他の実施形態）上記方法にてノズル及び貫通孔を形
成した場合、Ｓｔｅｐ４及びＳｔｅｐ５のドライエッチ
ング工程において、貫通孔２３のエッチング面積が非常
に大きくなる場合、エッチング速度の低下をもたらすと
同時に、ウェハー面内のエッチング深さのばらつきが大
きくなることがあるが、以下に述べる方法によって、こ
のような問題も解決できる。
【００４４】図７〜図１０には本発明の他の実施形態の
ノズルプレート２の製造工程を示してある。これらの図
を参照してノズルプレート２の製造手順を説明する。
ノズルプレート２の製造工程を示してある。これらの図
を参照してノズルプレート２の製造手順を説明する。
【００４５】（Ｓｔｅｐ１：第１の熱酸化膜形成工程）
先ず、図７（Ａ）に示すように、厚さが１８０ミクロン
のシリコンウエハ３００を用意し、当該シリコンウエハ
３００を熱酸化させて、その表面にレジスト膜としての
厚さが１．２ミクロン以上のＳｉＯ2 膜３１０を形成す
る。
先ず、図７（Ａ）に示すように、厚さが１８０ミクロン
のシリコンウエハ３００を用意し、当該シリコンウエハ
３００を熱酸化させて、その表面にレジスト膜としての
厚さが１．２ミクロン以上のＳｉＯ2 膜３１０を形成す
る。
【００４６】（Ｓｔｅｐ２：ＳｉＯ2 膜の第１のパター
ニング工程）次に、図７（Ｂ）に示すように、シリコン
ウエハ３００の表面３００ａを覆っているＳｉＯ2 膜３
１０の部分にハーフエッチングを施すことにより、イン
クノズル２１の大断面ノズル部分２１ｂおよびインク供
給口２２の浅溝部分２２ｂを形成するためのパターン３
０１ｂおよび３０２ｂを形成する。エッチング液として
は、フッ化アンモニウム（ＨＦ：ＮＨ４Ｆ＝８８０ｍ
ｌ：５６１０ｍｌ）を使用することができる。また、エ
ッチング深さは、例えば、０．５ミクロンに設定するこ
とができる。
ニング工程）次に、図７（Ｂ）に示すように、シリコン
ウエハ３００の表面３００ａを覆っているＳｉＯ2 膜３
１０の部分にハーフエッチングを施すことにより、イン
クノズル２１の大断面ノズル部分２１ｂおよびインク供
給口２２の浅溝部分２２ｂを形成するためのパターン３
０１ｂおよび３０２ｂを形成する。エッチング液として
は、フッ化アンモニウム（ＨＦ：ＮＨ４Ｆ＝８８０ｍ
ｌ：５６１０ｍｌ）を使用することができる。また、エ
ッチング深さは、例えば、０．５ミクロンに設定するこ
とができる。
【００４７】（Ｓｔｅｐ３：ＳｉＯ2 膜の第２のパター
ニング工程）この後は、図７（Ｃ）に示すように、イン
クノズル２１の小断面ノズル部分２１ａおよびインク供
給口２２の深溝部分２２ａを形成するためのパターン３
０１ａおよび３０２ａを、ＳｉＯ2 膜３１０のハーフエ
ッチング領域であるパターン３０１ｂ、３０２ｂの部分
に形成する。すなわち、これらのハーフエッチング領域
を完全にエッチングして、シリコンウエハ表面を露出さ
せたパターン３０１ａ、３０２ａを形成する。これらの
パターンと共に、電極用の貫通孔２３を形成するための
パターン３０３も、ＳｉＯ2 膜３１０をフルエッチング
することにより形成する。この場合に使用するエッチン
グ液も上記と同様なフッ化アンモニウムを使用できる。
ニング工程）この後は、図７（Ｃ）に示すように、イン
クノズル２１の小断面ノズル部分２１ａおよびインク供
給口２２の深溝部分２２ａを形成するためのパターン３
０１ａおよび３０２ａを、ＳｉＯ2 膜３１０のハーフエ
ッチング領域であるパターン３０１ｂ、３０２ｂの部分
に形成する。すなわち、これらのハーフエッチング領域
を完全にエッチングして、シリコンウエハ表面を露出さ
せたパターン３０１ａ、３０２ａを形成する。これらの
パターンと共に、電極用の貫通孔２３を形成するための
パターン３０３も、ＳｉＯ2 膜３１０をフルエッチング
することにより形成する。この場合に使用するエッチン
グ液も上記と同様なフッ化アンモニウムを使用できる。
【００４８】（Ｓｔｅｐ４：第１のドライエッチング工
程）このようにして、ＳｉＯ2 膜３１０に２回のパター
ニングを施した後は、図８（Ａ）に示すように、プラズ
マ放電、例えばＩＣＰ放電による異方性ドライエッチン
グをシリコンウエハ３００に施す。これにより、上記の
Ｓｔｅｐ３で形成されたパターン３０１ｂ、３０２ｂお
よび３０３に対応した形状で、シリコンウエハ３００の
表面が垂直にエッチングされて、それぞれ、同一の深さ
の溝３２１、３２２、３２３が形成される。この際、溝
３２３は貫通孔を形成するための外周溝のみであるため
エッチング面積を大幅に低減することができ、エッチン
グ速度を向上させるとともにウェハー面内のエッチング
深さばらつきを向上させることが可能となる。ここで、
図１１にエッチング速度と開口率の関係の例を示す。こ
こでいう開口率とは、ウェハーの面積に対するエッチン
グ箇所の面積の比率である。図１１に示すように、例え
ば、開口率が３０％の場合、エッチング速度は１分間当
たり１．４μｍであり、開口率が７％の場合、エッチン
グ速度は１分間当たり１．９μｍである。つまり、開口
率を３０％から７％に減少させた場合、約３６％エッチ
ング速度は上昇する。また、ウェハ面内のエッチング深
さばらつきは、開口率が３０％の場合、ウェハ面内の均
一性は６％であったのに対して開口率が７％の場合、ウ
ェハ面内の均一性は４％で均一性は大幅に向上する。こ
の場合のエッチングガスとしては、例えば、ＣＦ系ガ
ス、ＳＦ６を使用し、これらのエッチングガスを交互に
使用すればよい。ここで、ＣＦ系ガスは形成される溝の
側面にエッチングが進行しないように溝側面を保護する
ために使用し、ＳＦ６はシリコンウエハの垂直方向のエ
ッチングを促進させるために使用する。ここで、その他
の異方性ドライエッチング方式として、ＥＣＲ（電子サ
イクロトロン共鳴）放電、ＨＷＰ（ヘリコン波プラズ
マ）放電、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）な
どを用いても良い。このようにして、例えば、エッチン
グ深さが３５ミクロンの溝３２１、３２２、３２３を形
成した後は、ＳｉＯ2 膜３１０をフッ酸水溶液によって
０．７ミクロンの厚さでエッチ除去する。この結果、図
８（Ｂ）に示すように、Ｓｔｅｐ２で形成したパターン
３０１ｂ、３０２ｂの部分が完全に除去されて、シリコ
ンウエハ３００の表面が露出した状態になる。
程）このようにして、ＳｉＯ2 膜３１０に２回のパター
ニングを施した後は、図８（Ａ）に示すように、プラズ
マ放電、例えばＩＣＰ放電による異方性ドライエッチン
グをシリコンウエハ３００に施す。これにより、上記の
Ｓｔｅｐ３で形成されたパターン３０１ｂ、３０２ｂお
よび３０３に対応した形状で、シリコンウエハ３００の
表面が垂直にエッチングされて、それぞれ、同一の深さ
の溝３２１、３２２、３２３が形成される。この際、溝
３２３は貫通孔を形成するための外周溝のみであるため
エッチング面積を大幅に低減することができ、エッチン
グ速度を向上させるとともにウェハー面内のエッチング
深さばらつきを向上させることが可能となる。ここで、
図１１にエッチング速度と開口率の関係の例を示す。こ
こでいう開口率とは、ウェハーの面積に対するエッチン
グ箇所の面積の比率である。図１１に示すように、例え
ば、開口率が３０％の場合、エッチング速度は１分間当
たり１．４μｍであり、開口率が７％の場合、エッチン
グ速度は１分間当たり１．９μｍである。つまり、開口
率を３０％から７％に減少させた場合、約３６％エッチ
ング速度は上昇する。また、ウェハ面内のエッチング深
さばらつきは、開口率が３０％の場合、ウェハ面内の均
一性は６％であったのに対して開口率が７％の場合、ウ
ェハ面内の均一性は４％で均一性は大幅に向上する。こ
の場合のエッチングガスとしては、例えば、ＣＦ系ガ
ス、ＳＦ６を使用し、これらのエッチングガスを交互に
使用すればよい。ここで、ＣＦ系ガスは形成される溝の
側面にエッチングが進行しないように溝側面を保護する
ために使用し、ＳＦ６はシリコンウエハの垂直方向のエ
ッチングを促進させるために使用する。ここで、その他
の異方性ドライエッチング方式として、ＥＣＲ（電子サ
イクロトロン共鳴）放電、ＨＷＰ（ヘリコン波プラズ
マ）放電、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）な
どを用いても良い。このようにして、例えば、エッチン
グ深さが３５ミクロンの溝３２１、３２２、３２３を形
成した後は、ＳｉＯ2 膜３１０をフッ酸水溶液によって
０．７ミクロンの厚さでエッチ除去する。この結果、図
８（Ｂ）に示すように、Ｓｔｅｐ２で形成したパターン
３０１ｂ、３０２ｂの部分が完全に除去されて、シリコ
ンウエハ３００の表面が露出した状態になる。
【００４９】（Ｓｔｅｐ５：第２のドライエッチング工
程）次に、図８（Ｃ）に示すように、再度、プラズマ放
電、例えばＩＣＰ放電による異方性ドライエッチングを
行なう。この結果、パターン３０１ｂ、３０２ｂおよび
３０３から露出しているシリコンウエハの表面部分は、
その断面形状を保った状態で厚さ方向に向けて垂直にエ
ッチングが進行する。この場合においても上記のＳｔｅ
ｐ４と同様貫通孔を形成するための外周溝のみであるた
めエッチング面積を大幅に低減することができ、エッチ
ング速度を向上させるとともにウェハー面内のエッチン
グ深さばらつきを向上させることが可能となる。この場
合のエッチングガスも上記のＳｔｅｐ４と同一であり、
エッチング深さを例えば５５ミクロンとする。ここで、
その他の異方性ドライエッチング方式として、上記のＳ
ｔｅｐ４と同様にＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）放
電、ＨＷＰ（ヘリコン波プラズマ）放電、ＲＩＥ（リア
クティブイオンエッチング）などを用いても良い。この
結果、段状のインクノズル２１に対応する断面形状のノ
ズル溝３３１、インク供給口２２に対応する断面形状の
溝３３２が形成される。また、電極配置用の貫通孔２３
の半分の深さの溝３３３も形成される。
程）次に、図８（Ｃ）に示すように、再度、プラズマ放
電、例えばＩＣＰ放電による異方性ドライエッチングを
行なう。この結果、パターン３０１ｂ、３０２ｂおよび
３０３から露出しているシリコンウエハの表面部分は、
その断面形状を保った状態で厚さ方向に向けて垂直にエ
ッチングが進行する。この場合においても上記のＳｔｅ
ｐ４と同様貫通孔を形成するための外周溝のみであるた
めエッチング面積を大幅に低減することができ、エッチ
ング速度を向上させるとともにウェハー面内のエッチン
グ深さばらつきを向上させることが可能となる。この場
合のエッチングガスも上記のＳｔｅｐ４と同一であり、
エッチング深さを例えば５５ミクロンとする。ここで、
その他の異方性ドライエッチング方式として、上記のＳ
ｔｅｐ４と同様にＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）放
電、ＨＷＰ（ヘリコン波プラズマ）放電、ＲＩＥ（リア
クティブイオンエッチング）などを用いても良い。この
結果、段状のインクノズル２１に対応する断面形状のノ
ズル溝３３１、インク供給口２２に対応する断面形状の
溝３３２が形成される。また、電極配置用の貫通孔２３
の半分の深さの溝３３３も形成される。
【００５０】この後は、ＳｉＯ2 膜３１０をフッ酸水溶
液（例えば、ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：５ｖｏｌ，２５℃）で
全て剥離する。図８（Ｄ）にはこの状態を示してある。
液（例えば、ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：５ｖｏｌ，２５℃）で
全て剥離する。図８（Ｄ）にはこの状態を示してある。
【００５１】（Ｓｔｅｐ６：第２の熱酸化膜形成工程）
この後は、再び、シリコンウェハ２００の表面を熱酸化
して、レジスト膜としてのＳｉＯ2 膜３４０を形成す
る。この場合においても、ＳｉＯ2 膜３４０の厚みは
１．２ミクロンにすればよい。
この後は、再び、シリコンウェハ２００の表面を熱酸化
して、レジスト膜としてのＳｉＯ2 膜３４０を形成す
る。この場合においても、ＳｉＯ2 膜３４０の厚みは
１．２ミクロンにすればよい。
【００５２】（Ｓｔｅｐ７：ＳｉＯ2 膜の第３のパター
ニング工程）次に、図９（Ｂ）に示すように、シリコン
ウエハ３００の反対側の表面３００ｂを覆っているＳｉ
Ｏ2 膜３４０の部分をエッチングして、インクノズル２
１が開口している凹部２４に対応したパターン３０４、
および貫通孔２３に対応したパターン３０３Ａを形成す
る。この場合のエッチング液は上記のＳｔｅｐ２で使用
したものを使用できる。
ニング工程）次に、図９（Ｂ）に示すように、シリコン
ウエハ３００の反対側の表面３００ｂを覆っているＳｉ
Ｏ2 膜３４０の部分をエッチングして、インクノズル２
１が開口している凹部２４に対応したパターン３０４、
および貫通孔２３に対応したパターン３０３Ａを形成す
る。この場合のエッチング液は上記のＳｔｅｐ２で使用
したものを使用できる。
【００５３】（Ｓｔｅｐ８：ウエットエッチング工程）
次に、図９（Ｃ）に示すように、シリコンウエハ３００
をエッチング液に漬けてシリコンウエハ３００の露出部
分に対して異方性湿式エッチングを施し、凹部２４に対
応した溝３４４を形成してノズル２１を貫通させる。ま
た、貫通孔２３に対応した溝３３３Ａを形成して、貫通
孔２３を貫通させる。この場合に使用するエッチング液
は、水酸化カリウム水溶液であり、その濃度は２ｗｔパ
ーセントで液温８０℃のものを使用できる。また、エッ
チング深さは例えば１１０ミクロンとする。エッチング
終了後は、図９（Ｄ）に示すように、ＳｉＯ2 膜３４０
をフッ酸水溶液で全て剥離する。
次に、図９（Ｃ）に示すように、シリコンウエハ３００
をエッチング液に漬けてシリコンウエハ３００の露出部
分に対して異方性湿式エッチングを施し、凹部２４に対
応した溝３４４を形成してノズル２１を貫通させる。ま
た、貫通孔２３に対応した溝３３３Ａを形成して、貫通
孔２３を貫通させる。この場合に使用するエッチング液
は、水酸化カリウム水溶液であり、その濃度は２ｗｔパ
ーセントで液温８０℃のものを使用できる。また、エッ
チング深さは例えば１１０ミクロンとする。エッチング
終了後は、図９（Ｄ）に示すように、ＳｉＯ2 膜３４０
をフッ酸水溶液で全て剥離する。
【００５４】（Ｓｔｅｐ９：最終熱酸化工程）最後に、
図１０に示すように、シリコンウエハの耐インク性とノ
ズル面の撥水処理の密着性を確保するために、再度シリ
コンウエハを熱酸化して、ＳｉＯ2 膜を形成する。以上
により、ノズルプレート２が得られる。
図１０に示すように、シリコンウエハの耐インク性とノ
ズル面の撥水処理の密着性を確保するために、再度シリ
コンウエハを熱酸化して、ＳｉＯ2 膜を形成する。以上
により、ノズルプレート２が得られる。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるイン
クジェットヘッドの製造方法によれば、インクノズルの
加工精度を低下させることなく、インクノズルを形成す
るとともに貫通孔を同時に形成することのできるインク
ジェットヘッドの製造方法を提供し、製造工程を簡略化
し、製造にかかる時間を短縮するという効果を奏する。
クジェットヘッドの製造方法によれば、インクノズルの
加工精度を低下させることなく、インクノズルを形成す
るとともに貫通孔を同時に形成することのできるインク
ジェットヘッドの製造方法を提供し、製造工程を簡略化
し、製造にかかる時間を短縮するという効果を奏する。
【図１】本発明の方法を適用可能な静電駆動方式のイン
クジェットヘッドの一例を示す分解斜視図である。
クジェットヘッドの一例を示す分解斜視図である。
【図２】図１に示すインクジェットヘッドの概略断面で
ある。
ある。
【図３】（Ａ）は図１のインクジェットヘッドのノズル
プレートの製造工程における第１の熱酸化膜形成工程を
示す説明図、（Ｂ）は同製造工程におけるＳｉＯ2 膜の
第１のパターニング工程を示す説明図、（Ｃ）は同製造
工程におけるＳｉＯ2 膜の第２のパターニング工程を示
す説明図である。
プレートの製造工程における第１の熱酸化膜形成工程を
示す説明図、（Ｂ）は同製造工程におけるＳｉＯ2 膜の
第１のパターニング工程を示す説明図、（Ｃ）は同製造
工程におけるＳｉＯ2 膜の第２のパターニング工程を示
す説明図である。
【図４】（Ａ）は図１のインクジェットヘッドのノズル
プレートの製造工程におけるシリコンウエハに対する第
１のドライエッチング工程を示す説明図、（Ｂ）は同製
造工程におけるハーフエッチング部分を除去した後の状
態を示す説明図、（Ｃ）は同製造工程におけるシリコン
ウエハに対する第２のドライエッチング工程を示す説明
図、（Ｄ）は同製造工程におけるＳｉＯ2 膜を除去した
後の状態を示す説明図である。
プレートの製造工程におけるシリコンウエハに対する第
１のドライエッチング工程を示す説明図、（Ｂ）は同製
造工程におけるハーフエッチング部分を除去した後の状
態を示す説明図、（Ｃ）は同製造工程におけるシリコン
ウエハに対する第２のドライエッチング工程を示す説明
図、（Ｄ）は同製造工程におけるＳｉＯ2 膜を除去した
後の状態を示す説明図である。
【図５】（Ａ）は 図１のインクジェットヘッドのノズ
ルプレートの製造工程における第２の熱酸化膜形成工程
を示す説明図、（Ｂ）は同製造工程におけるＳｉＯ2 膜
の第３のパターニング工程を示す説明図、（Ｃ）は同製
造工程におけるシリコンウエハに対するウエットエッチ
ング工程を示す説明図、（Ｄ）は同製造工程におけるＳ
ｉＯ2 膜を除去した後の状態を示す説明図である。
ルプレートの製造工程における第２の熱酸化膜形成工程
を示す説明図、（Ｂ）は同製造工程におけるＳｉＯ2 膜
の第３のパターニング工程を示す説明図、（Ｃ）は同製
造工程におけるシリコンウエハに対するウエットエッチ
ング工程を示す説明図、（Ｄ）は同製造工程におけるＳ
ｉＯ2 膜を除去した後の状態を示す説明図である。
【図６】図１のインクジェットヘッドのノズルプレート
の製造工程における最終の熱酸化膜形成工程を示す説明
図である。
の製造工程における最終の熱酸化膜形成工程を示す説明
図である。
【図７】（Ａ）は図１のインクジェットヘッドのノズル
プレートの他の実施形態の製造工程における第１の熱酸
化膜形成工程を示す説明図、（Ｂ）は同製造工程におけ
るＳｉＯ2 膜の第１のパターニング工程を示す説明図、
（Ｃ）は同製造工程におけるＳｉＯ2 膜の第２のパター
ニング工程を示す説明図である。
プレートの他の実施形態の製造工程における第１の熱酸
化膜形成工程を示す説明図、（Ｂ）は同製造工程におけ
るＳｉＯ2 膜の第１のパターニング工程を示す説明図、
（Ｃ）は同製造工程におけるＳｉＯ2 膜の第２のパター
ニング工程を示す説明図である。
【図８】（Ａ）は図１のインクジェットヘッドのノズル
プレートの他の実施形態での製造工程におけるシリコン
ウエハに対する第１のドライエッチング工程を示す説明
図、（Ｂ）は同製造工程におけるハーフエッチング部分
を除去した後の状態を示す説明図、（Ｃ）は同製造工程
におけるシリコンウエハに対する第２のドライエッチン
グ工程を示す説明図、（Ｄ）は同製造工程におけるＳｉ
Ｏ2 膜を除去した後の状態を示す説明図である。
プレートの他の実施形態での製造工程におけるシリコン
ウエハに対する第１のドライエッチング工程を示す説明
図、（Ｂ）は同製造工程におけるハーフエッチング部分
を除去した後の状態を示す説明図、（Ｃ）は同製造工程
におけるシリコンウエハに対する第２のドライエッチン
グ工程を示す説明図、（Ｄ）は同製造工程におけるＳｉ
Ｏ2 膜を除去した後の状態を示す説明図である。
【図９】（Ａ）は 図１のインクジェットヘッドのノズ
ルプレートの他の実施形態での製造工程における第２の
熱酸化膜形成工程を示す説明図、（Ｂ）は同製造工程に
おけるＳｉＯ2 膜の第３のパターニング工程を示す説明
図、（Ｃ）は同製造工程におけるシリコンウエハに対す
るウエットエッチング工程を示す説明図、（Ｄ）は同製
造工程におけるＳｉＯ2 膜を除去した後の状態を示す説
明図である。
ルプレートの他の実施形態での製造工程における第２の
熱酸化膜形成工程を示す説明図、（Ｂ）は同製造工程に
おけるＳｉＯ2 膜の第３のパターニング工程を示す説明
図、（Ｃ）は同製造工程におけるシリコンウエハに対す
るウエットエッチング工程を示す説明図、（Ｄ）は同製
造工程におけるＳｉＯ2 膜を除去した後の状態を示す説
明図である。
【図１０】図１のインクジェットヘッドのノズルプレー
トの他の実施形態での製造工程における最終の熱酸化膜
形成工程を示す説明図である。
トの他の実施形態での製造工程における最終の熱酸化膜
形成工程を示す説明図である。
【図１１】シリコンウエハのドライエッチング工程にお
いて、シリコンウェハの開口率とエッチング速度の関係
を示すグラフである。
いて、シリコンウェハの開口率とエッチング速度の関係
を示すグラフである。
１ インクジェットヘッド ２ ノズルプレート ３ キャビティプレート ４ ガラス基板 ２１ インクノズル ２１ａ 前側ノズル部分 ２１ｂ 後側ノズル部分 ２１ｃ 環状の段面 ２２ インク供給口 ２２ａ 深溝部分 ２２ｂ 浅溝部分 ２３ 貫通孔 ２４ ノズル面溝 ３１ キャビティ ３２ インクリザーバ ３３ 振動板 ３４ インク供給口 ４１ ガラス溝 ４２ 個別電極 ４３ インク供給路 ２００ シリコンウェハ ２０１ｂ ハーフエッチングによる開口パターン ２０２ｂ ハーフエッチングによる開口パターン ２０１ａ フルエッチングによる開口パターン ２０２ａ フルエッチングによる開口パターン ２０３ フルエッチングによる開口パターン ２０４ フルエッチングによる開口パターン ２１０ ＳｉＯ２膜 ２２１ 第１の溝 ２２２ 第１の溝 ２２３ 第１の貫通孔外周溝 ２３１ 第２の溝 ２３２ 第２の溝 ２３３ 第２の貫通孔外周溝 ２４０ ＳｉＯ２膜 ２４４ ノズル面溝 ３００ シリコンウェハ ３０１ｂ ハーフエッチングによる開口パターン ３０２ｂ ハーフエッチングによる開口パターン ３０１ａ フルエッチングによる開口パターン ３０２ａ フルエッチングによる開口パターン ３０３ フルエッチングによる開口パターン ３０４ フルエッチングによる開口パターン ３１０ ＳｉＯ２膜 ３２１ 第１の溝 ３２２ 第１の溝 ３２３ 第１の貫通孔外周溝 ３３１ 第２の溝 ３３２ 第２の溝 ３３３ 第２の貫通孔外周溝 ３４０ ＳｉＯ２膜 ３４４ ノズル面溝
Claims (7)
- 【請求項１】 下側の基板上に、インクジェットヘッド
の吐出部の一部となる凹部を列状に配置形成すると共
に、各々の吐出部に付設される圧力発生手段に信号もし
くは、電力を供給するための端子部を配置形成し、 下側の基板の上方に接合される上側の基板に、前記下側
の基板と接合した際に各吐出部と連通するインクノズル
と、前記端子部を露出させるための貫通孔を形成し、 前記各基板を接合してインクジェットヘッドを製造する
方法であって、 前記上側の基板の一方の面から、エッチングにより所定
の深さまで前記インクノズルとなる微細な第１の溝と、
前記貫通孔の一部となる第２の溝を形成した後、前記シ
リコン製の基板の他方の面からエッチングにより、前記
第１の溝に比べ大きな第３の溝を形成し、前記第１の溝
と、前記第２の溝を貫通させ、前記インクノズル及び前
記貫通孔を同時に形成することを特徴とするインクジェ
ットヘッドの製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記第２の溝を前記貫
通孔の外周の輪郭を描く形状にエッチングすることで形
成することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方
法。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記上側の基
板はシリコン製の基板で、該基板の一方の面から、プラ
ズマ放電を用いたドライエッチングにより所定の深さま
で前記第１の溝と、前記第２の溝を形成し、前記シリコ
ン製の基板の他方の面からウエットエッチングにより前
記第３の溝を形成することを特徴とするインクジェット
ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】請求項３において、前記ドライエッチング
を行うために用いられるレジスト膜がシリコン酸化膜で
あり、前記シリコン酸化膜をエッチングして、前記シリ
コン製の基板の表面を露出させ、該露出部分に対してド
ライエッチングを施すことを特徴とするインクジェット
ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至４記載のインクジェットヘ
ッドの製造方法において、前記下側の基板は、前記吐出
部の一部となる前記凹部が列状に配置形成された第１の
基板と、各々の吐出部に付設される圧力発生手段に信号
もしくは、電力を供給するための前記端子部が配置形成
された第２の基板からなり、 該第２の基板を、前記第１の基板の底面に接合する工程
を含み、 前記第１の基板の各凹部の底面には、予め振動板を形成
し、 前記第２の基板上には、両基板が接合されたときに、前
記各振動板に所定の空隙を有して対向する位置に、予め
対向電極を形成することを特徴とするインクジェットヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載のインクジェットヘッドの
製造方法において、前記第１の基板上に、各振動板に共
通に接続する共通端子を形成することを特徴とするイン
クジェットヘッドの製造方法。 - 【請求項７】 請求項５記載のインクジェットヘッドの
製造方法において、前記共通端子に隣接した位置に配置
されるように、各対向電極に接続する個別端子を前記第
２の基板上に形成することを特徴とするインクジェット
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2055098A JPH11216870A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | インクジェットヘッドの製造方法 |
| PCT/JP1998/002108 WO1998051506A1 (fr) | 1997-05-14 | 1998-05-13 | Procede de formation d'ajutage pour injecteurs et procede de fabrication d'une tete a jet d'encre |
| EP98919579A EP0985534A4 (en) | 1997-05-14 | 1998-05-13 | NOZZLE FORMING METHOD FOR INJECTORS AND MANUFACTURING METHOD OF INK JET HEAD |
| KR10-1999-7010457A KR100514711B1 (ko) | 1997-05-14 | 1998-05-13 | 분사 장치의 노즐 형성 방법 및 잉크 젯 헤드의 제조 방법 |
| US09/423,788 US6375858B1 (en) | 1997-05-14 | 1998-05-13 | Method of forming nozzle for injection device and method of manufacturing inkjet head |
| US10/026,315 US6863375B2 (en) | 1997-05-14 | 2001-12-20 | Ejection device and inkjet head with silicon nozzle plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2055098A JPH11216870A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | インクジェットヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11216870A true JPH11216870A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12030270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2055098A Pending JPH11216870A (ja) | 1997-05-14 | 1998-02-02 | インクジェットヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11216870A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007055241A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-03-08 | Seiko Epson Corp | ノズルプレート及びその製造方法、並びに液滴吐出ヘッド及びその製造方法 |
| JP2014076564A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Ricoh Co Ltd | 液滴吐出ヘッドの製造方法及びその製造方法によって製造された液滴吐出ヘッドを有する画像形成装置 |
-
1998
- 1998-02-02 JP JP2055098A patent/JPH11216870A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007055241A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-03-08 | Seiko Epson Corp | ノズルプレート及びその製造方法、並びに液滴吐出ヘッド及びその製造方法 |
| JP4660683B2 (ja) * | 2005-07-28 | 2011-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | ノズルプレートの製造方法及び液滴吐出ヘッドの製造方法 |
| JP2014076564A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Ricoh Co Ltd | 液滴吐出ヘッドの製造方法及びその製造方法によって製造された液滴吐出ヘッドを有する画像形成装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6375858B1 (en) | Method of forming nozzle for injection device and method of manufacturing inkjet head | |
| JP3820747B2 (ja) | 噴射装置の製造方法 | |
| JP5356706B2 (ja) | 高密度プリントヘッドのためのリリースフリー薄膜製造法を用いた高度集積ウェハ結合ｍｅｍｓデバイス | |
| JPH0280252A (ja) | インクジェットヘッド | |
| JPH11115179A (ja) | インクジェットヘッド | |
| JPH11216870A (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 | |
| JP3728906B2 (ja) | インクジェットヘッドの貫通孔形成方法 | |
| JP2001260355A (ja) | インクジェットヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2011037053A (ja) | ノズルプレートの製造方法 | |
| JP3972932B2 (ja) | インクジェットヘッドの製造方法並びにインクジェット装置 | |
| JP2006263933A (ja) | 液滴吐出ヘッド及びその製造方法並びに液滴吐出装置 | |
| JP2009073072A (ja) | 液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法 | |
| JPH10315461A (ja) | インクジェットヘッドおよびその製造方法 | |
| JP4074784B2 (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 | |
| JP2010240854A (ja) | ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法 | |
| JP2003311972A (ja) | シリコン基板を利用したノズル形成方法及びインクジェットヘッドの製造方法 | |
| JP3484956B2 (ja) | 圧電体素子の製造方法 | |
| JP3858942B2 (ja) | 噴射装置のノズル形成方法 | |
| JP2001063072A (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 | |
| JP2002145643A (ja) | Ｃｒ膜を利用したガラス基板の溝形成方法及びインクジェットヘッドの製造方法 | |
| JP2001187454A (ja) | ガラス基板の溝形成方法及びインクジェットヘッドの製造方法 | |
| JP2005219424A (ja) | 液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出ヘッド並びに液滴吐出記録装置 | |
| JP2005081620A (ja) | インクジェットヘッドの製造方法及びインクジェットヘッド並びにインクジェット記録装置 | |
| JP2003011359A (ja) | インクジェットヘッド及びその製造方法 | |
| JP2007118535A (ja) | 静電アクチュエータの製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法並びに静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20050111 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071211 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20080124 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20080318 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20080428 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080729 |