JP2005219424A - 液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出ヘッド並びに液滴吐出記録装置 - Google Patents
液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出ヘッド並びに液滴吐出記録装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005219424A JP2005219424A JP2004031684A JP2004031684A JP2005219424A JP 2005219424 A JP2005219424 A JP 2005219424A JP 2004031684 A JP2004031684 A JP 2004031684A JP 2004031684 A JP2004031684 A JP 2004031684A JP 2005219424 A JP2005219424 A JP 2005219424A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- droplet discharge
- discharge head
- manufacturing
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2002/14411—Groove in the nozzle plate
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
【課題】 陽極接合の際にシリコン基板と電極を確実かつ容易に等電位にすることができる液滴吐出ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 単結晶シリコンからなるキャビティ基板1と、電極11が設けられた電極基板2とを備えた液滴吐出ヘッドの製造方法であって、第1の基板1aを部分的に薄膜化する工程と、第1の基板1aと第2の基板2aを陽極接合する工程とを有し、陽極接合の際に、第1の基板1aと電極11が等電位になるように、第1の基板1aの薄膜化された部分に等電位接点を設けるものである。
【選択図】 図1
【解決手段】 単結晶シリコンからなるキャビティ基板1と、電極11が設けられた電極基板2とを備えた液滴吐出ヘッドの製造方法であって、第1の基板1aを部分的に薄膜化する工程と、第1の基板1aと第2の基板2aを陽極接合する工程とを有し、陽極接合の際に、第1の基板1aと電極11が等電位になるように、第1の基板1aの薄膜化された部分に等電位接点を設けるものである。
【選択図】 図1
Description
本発明は、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出ヘッド並びに液滴吐出記録装置に関し、特に陽極接合の際の放電を防止することのできる液滴吐出ヘッドの製造方法等に関する。
近年、静電駆動方式の液滴吐出ヘッドでは高印字性能を追求するために、液滴を吐出するためのノズル及び吐出室の高密度化が求められている。この液滴吐出ヘッドでは、いわゆるクロストークを防止するために、例えば厚みが200μm以下のシリコン基板を使用する必要があり、製造中にシリコン基板が割れたり、欠けてしまったりして歩留まりが低下するという問題点があった。また、このような薄いシリコン基板では大口径化が難しく、1枚のシリコン基板から取り出すことのできる液滴吐出ヘッドを増加させることができないという問題点があった。
このような問題点を解決するために、シリコン基板を電極基板に陽極接合した後に、シリコン基板に吐出室となる凹部等を形成する製造方法が考えられていた。この陽極接合を行う際には、シリコン基板と電極の間で放電が起こらないように、電極とシリコン基板を等電位にする必要がある。
従来のインクジェットヘッドの製造方法では、上記のようにシリコン基板と電極基板を陽極接合する際に、シリコン基板の一部である振動板と電極基板上に形成された電極との間に放電が起こらないように、振動板の電位と電極の電位を等電位にするようにしていた(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−283579号公報(図24〜図29)
従来のインクジェットヘッドの製造方法では(例えば、特許文献1参照)、陽極接合の際に電極基板上に設けた共通電極に端子を当てて、振動板の電位と電極の電位を等電位にしていた。しかしこのインクジェットヘッドの製造方法では、陽極接合後にシリコン基板をエッチングするときに、エッチング溶液が共通電極の部分から振動板と電極の間の空間に浸入し、インクジェットヘッドが正常に駆動しなくなるという問題点があった。
また上記のような問題点を解決するため、共通電極ではなく、インクジェットヘッド(液滴吐出ヘッド)ごとに接点を設け、シリコン基板と電極を等電位にする方法も考えられる。しかしこの方法では、シリコン基板と電極基板の電極を電気的に接続するために、接点部分の電極の厚み等を高精度に制御する必要があった。このため製造工程における負荷が増大し、接点部分の電極の厚み等にバラツキがあった場合には接合不良を起こすことがあるという問題点があった。
本発明は、陽極接合の際にシリコン基板と電極を確実かつ容易に等電位にすることができ、1枚のシリコン基板から多数の液滴吐出ヘッドを製造することのできる液滴吐出ヘッドの製造方法及びこの液滴吐出ヘッドの製造方法で製造された液滴吐出ヘッド並びにこの液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出記録装置を提供することを目的とする。
本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、所定の加工が施された単結晶シリコンからなるキャビティ基板と、複数の電極が設けられた電極基板とを備えた液滴吐出ヘッドの製造方法であって、キャビティ基板となる第1の基板を部分的に薄膜化する工程と、第1の基板と電極基板となる第2の基板を陽極接合する工程とを有し、陽極接合の際に、第1の基板と複数の電極が等電位になるように、第1の基板の薄膜化された部分に等電位接点を設けるものである。
キャビティ基板となる第1の基板を部分的に薄膜化し、第1の基板の薄膜化された部分に等電位接点を設けるため、例えば、等電位接点の部分の電極が多少厚すぎた場合でも、薄膜化された部分が撓むことにより、第1の基板と第2の基板の間に隙間ができることがない。このため、第2の基板の電極の厚みや第1の基板の絶縁膜(後に詳述)の厚みを高精度に制御する必要がなく、製造工程における負荷を軽減することができる。また等電位接点の接続不良も防止することができ、シリコン基板と電極を確実に等電位にして、陽極接合の際の放電を防止することができる。
キャビティ基板となる第1の基板を部分的に薄膜化し、第1の基板の薄膜化された部分に等電位接点を設けるため、例えば、等電位接点の部分の電極が多少厚すぎた場合でも、薄膜化された部分が撓むことにより、第1の基板と第2の基板の間に隙間ができることがない。このため、第2の基板の電極の厚みや第1の基板の絶縁膜(後に詳述)の厚みを高精度に制御する必要がなく、製造工程における負荷を軽減することができる。また等電位接点の接続不良も防止することができ、シリコン基板と電極を確実に等電位にして、陽極接合の際の放電を防止することができる。
また本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、上記の等電位接点を、個々の液滴吐出ヘッドごとに設けるものである。
等電位接点を、個々の液滴吐出ヘッドに対応する部分ごとに設けることにより、エッチング溶液が振動板と電極の間の空間に浸入するのを防止することができ、また等電位接点と電極を繋ぐ配線を減少させることができる。
等電位接点を、個々の液滴吐出ヘッドに対応する部分ごとに設けることにより、エッチング溶液が振動板と電極の間の空間に浸入するのを防止することができ、また等電位接点と電極を繋ぐ配線を減少させることができる。
また本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、上記の複数の電極を、その長手方向が略平行になるように設け、第2の基板の等電位接点を、複数の電極の長手方向に垂直な方向へずらして設け、等電位接点と複数の電極の位置が重ならないようにするものである。
第2の基板の等電位接点を、複数の電極の長手方向に垂直な方向へずらして設け、等電位接点と複数の電極の位置が重ならないようにするため、等電位接点と電極を繋ぐ配線をコンパクトにすることができる。また後に示すように、ダイシングの際に第1の基板と複数の電極の電気的接続を断つことが容易となる。
第2の基板の等電位接点を、複数の電極の長手方向に垂直な方向へずらして設け、等電位接点と複数の電極の位置が重ならないようにするため、等電位接点と電極を繋ぐ配線をコンパクトにすることができる。また後に示すように、ダイシングの際に第1の基板と複数の電極の電気的接続を断つことが容易となる。
また本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、上記の第1の基板の薄膜化された部分が、ボロン・ドープ層であるものである。
ボロン・ドープ層をエッチングストップ層とすることにより、所望の厚さの薄膜を容易に形成することができる。
ボロン・ドープ層をエッチングストップ層とすることにより、所望の厚さの薄膜を容易に形成することができる。
また本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、上記の第1の基板に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜に開口部を設ける工程とを有し、該開口部に等電位接点を設けるものである。
一般的にシリコン基板には、振動板と電極のショートを防止するための絶縁膜が設けられるが、この絶縁膜に開口部を形成しそこに等電位接点を設けるようにすれば、個々の液滴吐出ヘッドごとに容易に等電位接点を設けることができる。
一般的にシリコン基板には、振動板と電極のショートを防止するための絶縁膜が設けられるが、この絶縁膜に開口部を形成しそこに等電位接点を設けるようにすれば、個々の液滴吐出ヘッドごとに容易に等電位接点を設けることができる。
また本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、上記の第1の基板と第2の基板とを陽極接合して接合基板を形成し、該接合基板をダイシングすることにより複数の液滴吐出ヘッドを製造するものである。
第1の基板と第2の基板とを陽極接合して接合基板を形成し、該接合基板をダイシングすることにより複数の液滴吐出ヘッドを製造するため、接合基板から多くの液滴吐出ヘッドを切り出すことができ、製造効率を向上させることができる。
第1の基板と第2の基板とを陽極接合して接合基板を形成し、該接合基板をダイシングすることにより複数の液滴吐出ヘッドを製造するため、接合基板から多くの液滴吐出ヘッドを切り出すことができ、製造効率を向上させることができる。
また本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、ダイシングの際に、上記の第1の基板と複数の電極の電気的接続を断つものである。
陽極接合の際には第1の基板と複数の電極は電気的に接続されているが、ダイシングの際にこれらの電気的接続を断つことにより、液滴吐出ヘッドが駆動可能となる。
陽極接合の際には第1の基板と複数の電極は電気的に接続されているが、ダイシングの際にこれらの電気的接続を断つことにより、液滴吐出ヘッドが駆動可能となる。
また本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、上記の第1の基板と第2の基板とを陽極接合した後に、第1の基板を薄板化するものである。
第1の基板と第2の基板とを陽極接合した後に第1の基板を薄板化するため、第1の基板として比較的厚いシリコン基板を使用することができ、製造中に第1の基板が割れたり、欠けたりするのを防止することができる。また大口径のシリコン基板を使用できるため、1枚のシリコン基板から取り出せる液滴吐出ヘッドの数を増やすことができ、製造効率を向上させることができる。
第1の基板と第2の基板とを陽極接合した後に第1の基板を薄板化するため、第1の基板として比較的厚いシリコン基板を使用することができ、製造中に第1の基板が割れたり、欠けたりするのを防止することができる。また大口径のシリコン基板を使用できるため、1枚のシリコン基板から取り出せる液滴吐出ヘッドの数を増やすことができ、製造効率を向上させることができる。
本発明に係る液滴吐出ヘッドは、上記のいずれかの液滴吐出ヘッドの製造方法で製造されたものである。
上記のように陽極接合の際の放電を確実に防止できる製造方法で液滴吐出ヘッドを製造することにより、駆動不良等の少ない液滴吐出ヘッドを得ることができる。
上記のように陽極接合の際の放電を確実に防止できる製造方法で液滴吐出ヘッドを製造することにより、駆動不良等の少ない液滴吐出ヘッドを得ることができる。
本発明に係る液滴吐出記録装置は、上記の液滴吐出ヘッドを備えたものである。
上記の液滴吐出ヘッドを備えることにより、印字不良等が少ない液滴吐出記録装置を得ることができる。
上記の液滴吐出ヘッドを備えることにより、印字不良等が少ない液滴吐出記録装置を得ることができる。
実施形態1.
図1は、本発明の実施形態1に係る液滴吐出ヘッドを示した分解斜視図である。本実施形態1に係る液滴吐出ヘッドは、静電駆動方式のものであり、ノズル基板3に対して垂直方向に液滴を吐出するフェイスイジェクトタイプのものであるとする。なお吐出方式は、ノズル基板3に平行に液滴を吐出するサイドイジェクトタイプのものであってもよい。また図1では、ノズル基板3にノズル20が2列設けられており、吐出室5及び電極11も2列設けられているものを示しているが、これらは1列だけ設けるようにしてもよい。
図1は、本発明の実施形態1に係る液滴吐出ヘッドを示した分解斜視図である。本実施形態1に係る液滴吐出ヘッドは、静電駆動方式のものであり、ノズル基板3に対して垂直方向に液滴を吐出するフェイスイジェクトタイプのものであるとする。なお吐出方式は、ノズル基板3に平行に液滴を吐出するサイドイジェクトタイプのものであってもよい。また図1では、ノズル基板3にノズル20が2列設けられており、吐出室5及び電極11も2列設けられているものを示しているが、これらは1列だけ設けるようにしてもよい。
本実施形態1の液滴吐出ヘッドは、主にキャビティ基板1、電極基板2及びノズル基板3が接合されることにより構成されている。キャビティ基板1は、例えば厚さが140μmの単結晶シリコンからなり、以下に示す所定の加工が施されている。なお図1では、キャビティ基板1として(110)面方位の単結晶シリコンを使用している。キャビティ基板1には、単結晶シリコンを異方性ウェットエッチングすることにより、底壁が振動板4となっている複数の吐出室5及び各ノズル20から吐出する液滴を溜めておくためのリザーバ7が形成されている。また、キャビティ基板1の電極基板2側には、振動板4と電極11(後に詳述)の間の空間を封止するための封止剤を流し込む封止溝8が設けられている。
またキャビティ基板1には、略平行に並んだ吐出室5の長手方向に垂直方向にずれた位置に凹部9が設けられている。この凹部9は、底壁がボロン・ドープ層からなる薄膜となっており、後に示すように電極基板2に形成された接続部15と接続されて等電位接点を形成している。なお図1では、凹部9が略平行に並んだ吐出室5の一番端に設けられているが、吐出室5と重ならない位置であればキャビティ基板1の中央部等に設けてもよい。
またキャビティ基板1の電極基板2側には、振動板4と電極11の短絡及び絶縁膜破壊を防止するための絶縁膜が形成されている(図1において図示せず)。この絶縁膜は、例えばTEOS(Tetraethylorthosilicate Tetraethoxysilane、珪酸エチル)膜をCVD(Chemical Vapor Deposition)によって、厚さ0.1μmで形成する。
またキャビティ基板1の電極基板2側には、振動板4と電極11の短絡及び絶縁膜破壊を防止するための絶縁膜が形成されている(図1において図示せず)。この絶縁膜は、例えばTEOS(Tetraethylorthosilicate Tetraethoxysilane、珪酸エチル)膜をCVD(Chemical Vapor Deposition)によって、厚さ0.1μmで形成する。
電極基板2は、例えば厚さが1mmのホウ珪酸ガラスからなり、キャビティ基板1の振動板4側に接合されている。この電極基板2には、キャビティ基板1の振動板4及び吐出室5の位置に合わせて、例えば深さが0.3μmの凹部10がエッチングにより形成されている。この凹部10の内部には電極11が形成されており、リード部12及び端子部13に繋がっている。なお凹部10は、少なくともリード部12の部分まで形成されているものとする。電極11、リード部12及び端子部13は、酸化錫をドープしたITO(Indium Tin Oxide、インジウム錫酸化物)等からなり、凹部10の内部に例えばスパッタにより厚さ0.1μmで形成されている。
複数の電極11はその長手方向がほぼ平行になるように設けられており、電極基板2の電極11の長手方向に垂直な方向にずらした位置に接続部15が設けられている。この接続部15は、例えば電極11と同じITO等から形成されており、キャビティ基板1に形成された凹部9の位置に合わせて形成されている。なお接続部15については、後に詳述する。
また電極基板2には、リザーバ7に液滴を供給するためのインク供給口17及び封止溝8に封止剤を流し込むための封止剤供給口18が設けられている。
また電極基板2には、リザーバ7に液滴を供給するためのインク供給口17及び封止溝8に封止剤を流し込むための封止剤供給口18が設けられている。
ノズル基板3は、例えば厚さ180μmのシリコン基板からなり、キャビティ基板1の電極基板2が接合された面の反対側の面に接合されている。ノズル基板3には、吐出室5と連通するノズル20が形成されており、キャビティ基板1の接合された面の反対側の面から液滴を吐出するようになっている。またノズル基板3のキャビティ基板1の接合された面には、吐出室5とリザーバ7を連通するためのオリフィス21が設けられている。
図2は、図1に示す液滴吐出ヘッドの縦断面図である。なお図2(a)は吐出室5の長手方向の縦断面図であり、図2(b)は凹部9の長手方向の縦断面図である。また図2では、図1の液滴吐出ヘッドの右半分のみを示している。
まず、図2(a)を用いて本実施形態1の液滴吐出ヘッドの動作について説明する。吐出室5は、ノズル20から吐出するための液滴を溜めており、吐出室5の底壁である振動板4を撓ませることにより吐出室5内の圧力を高め、ノズル20から液滴を吐出させる。 なお、振動板4を撓ませるために、電極11と繋がった端子部13と、キャビティ基板1に発振回路23を接続し、電極11と振動板4の間に電位差を生じさせるようにしている。
まず、図2(a)を用いて本実施形態1の液滴吐出ヘッドの動作について説明する。吐出室5は、ノズル20から吐出するための液滴を溜めており、吐出室5の底壁である振動板4を撓ませることにより吐出室5内の圧力を高め、ノズル20から液滴を吐出させる。 なお、振動板4を撓ませるために、電極11と繋がった端子部13と、キャビティ基板1に発振回路23を接続し、電極11と振動板4の間に電位差を生じさせるようにしている。
本実施形態1の液滴吐出ヘッドの振動板4は、ボロン・ドープ層4aと絶縁膜4bとから構成されている。このボロン・ドープ層4aは、ボロンを高濃度(約5×1019atoms/cm3以上)にドープして形成されており、例えばアルカリ性水溶液で単結晶シリコンをエッチングしたときに、エッチング速度が極端に遅くなるいわゆるエッチングストップ層となっている。ボロン・ドープ層4aがエッチングストップ層として機能するため、振動板4の厚み及び吐出室5の容積を高精度で形成することができる。なお絶縁膜4bは、上述のTEOS膜等からなっている。
また図2(b)に示すように、凹部9の部分は空洞になっており、凹部9の底壁はボロン・ドープ層4aのみの薄膜となっている。なお、凹部9の底壁部分の絶縁膜4bは除去されており、この部分は開口部となっている。またこの開口部には、ITO等からなる接続部15が形成されており、凹部9の底壁部分のボロン・ドープ層4aと接続されて、後に説明する等電位接点を形成している。なお、接続部15の延長線上にも凹部10が形成されており、その内部にはITO等からなる配線が形成されている。また接続部15は、例えばこの凹部10の先端からキャビティ基板1に乗り上げる形で形成されている(図1参照)。
なお本実施形態1では、図1に示すように接続部15の形状を線状にしているが、接続部15の形状はこれ以外の形状でもよい。
なお本実施形態1では、図1に示すように接続部15の形状を線状にしているが、接続部15の形状はこれ以外の形状でもよい。
図3は、等電位を確保する方法を説明するための図である。なお図3(a)は、本実施形態1の等電位を確保する方法を示しており、図3(b)は従来の等電位を確保する方法を示している。また図3では、ウェハ(接合基板)から個々の液滴吐出ヘッドをダイシングにより切り出す前の状態を示している。
本実施形態1では、図3(a)に示すように、陽極接合の際にシリコン基板と電極基板上の電極との等電位を確保するため、個々の液滴吐出ヘッドとなる部分ごとに等電位接点を設けている。
しかし従来の方法では、等電位配線用溝を介して、すべての液滴吐出ヘッドとなる部分が共通電極に接続されていた。そして、共通電極とキャビティ基板を接続することによりすべての液滴吐出ヘッドとなる部分の等電位を確保していた。
本実施形態1では、図3(a)に示すように、陽極接合の際にシリコン基板と電極基板上の電極との等電位を確保するため、個々の液滴吐出ヘッドとなる部分ごとに等電位接点を設けている。
しかし従来の方法では、等電位配線用溝を介して、すべての液滴吐出ヘッドとなる部分が共通電極に接続されていた。そして、共通電極とキャビティ基板を接続することによりすべての液滴吐出ヘッドとなる部分の等電位を確保していた。
図4は、電極基板2をキャビティ基板1の接合される側から見た図である。なお図4では、ウェハからダイシングにより切り出す前の、個々の液滴吐出ヘッドとなる部分の周辺を示している。また図4(a)は本実施形態1の電極基板2を示しており、図4(b)は従来の電極基板を示している。
図4(a)に示すように本実施形態1では、等電位接点を構成する接続部15が個々の液滴吐出ヘッドとなる部分ごとに設けられており、陽極接合のときにキャビティ基板1と電極11を等電位にする。この接続部15と複数の電極11は、図4(a)に示すようにITO等の配線を介して接続されている。なお、等電位接点(接続部15)は、1つの液滴吐出ヘッドとなる部分に2つ以上設けてもよい。
図4(a)に示すように本実施形態1では、等電位接点を構成する接続部15が個々の液滴吐出ヘッドとなる部分ごとに設けられており、陽極接合のときにキャビティ基板1と電極11を等電位にする。この接続部15と複数の電極11は、図4(a)に示すようにITO等の配線を介して接続されている。なお、等電位接点(接続部15)は、1つの液滴吐出ヘッドとなる部分に2つ以上設けてもよい。
ここで上述のように、接続部15の部分には凹部10を形成しないようにする。そして、例えば凹部10の先端部から電極基板2の表面に乗り上げる形でITO等からなる接続部15を形成する。なお接続部15は、電極11と同時に形成するのが望ましく、この場合、接続部15は0.1μm(電極11の厚さ)だけ電極基板2から突出した状態となる。この接続部15は、キャビティ基板1に形成された絶縁膜4bの開口部の部分でボロン・ドープ層4aと接続されて等電位接点を形成する(図2(b)参照)。
なお図4(a)に示すダイシングラインは、図3に示すウェハから個々の液滴吐出ヘッドを切り出す際に切断される部分である。このダイシイングラインに沿ってウェハを切断することにより、接続部15と電極11を接続する配線の部分(図4(a)の右側)を切り落とし、キャビティ基板1と電極11の電気的接続を断つようにする。これにより、ダイシングによって個々の液滴吐出ヘッドが切り出された後に、液滴吐出ヘッドの駆動が可能となる。
なお図4(a)に示すダイシングラインは、図3に示すウェハから個々の液滴吐出ヘッドを切り出す際に切断される部分である。このダイシイングラインに沿ってウェハを切断することにより、接続部15と電極11を接続する配線の部分(図4(a)の右側)を切り落とし、キャビティ基板1と電極11の電気的接続を断つようにする。これにより、ダイシングによって個々の液滴吐出ヘッドが切り出された後に、液滴吐出ヘッドの駆動が可能となる。
一方、従来の方法では図4(b)に示すように、複数の電極から等電位配線を介して共通電極に接続し、共通電極の部分でキャビティ基板1と電極11を等電位にしていた。なお図4では、電極11が5つ設けられた液滴吐出ヘッドを示しているが、実際の液滴吐出ヘッドは多数の電極11が設けられている。
図5及び図6は、本発明の実施形態1に係る液滴吐出ヘッドの製造工程を示す縦断面図である。なお、図5及び図6に示す液滴吐出ヘッドの製造方法では、図1及び図2に示す液滴吐出ヘッドを製造するものとする。また図5及び図6では、キャビティ基板1となる第1の基板1aと電極基板2となる第2の基板2aの、1つの液滴吐出ヘッドとなる部分の周辺部のみを示している。ここで、第1の基板1a及び第2の基板2aとは、図3に示すようなウェハ状のものである。また、図5(a1)〜図5(g1)及び図6(h1)〜(m1)は吐出室5の長手方向の縦断面図であり、図5(a2)〜図5(g2)及び図6(h2)〜図6(m2)は凹部9の長手方向の縦断面図である。
まず、例えば厚さが1mmでホウ珪酸ガラスからなる第2の基板2aに深さ0.3μmの凹部10をエッチングにより形成する。なお、凹部10は接続部15の延長線上にも形成するが、接続部15の部分はエッチングせずに残しておく。そしてスパッタによりITO等を成膜し、例えば厚さ0.1μmの電極11、リード部12及び端子部13を形成する。この際、ITO等からなる接続部15とこれに繋がる凹部10内の配線も形成する。なおITO等からなる配線は、図4(a)に示すように接続部15と電極11が電気的に接続されるように成膜する。
その後、ドリルでインク供給口17となる部分と封止剤供給口18となる部分に穴を形成する。なおこれらの穴は、後のウェットエッチングの際にエッチング溶液が凹部10に入るのを防止するため貫通させないようにする(図5(a1)、図5(a2))。
その後、ドリルでインク供給口17となる部分と封止剤供給口18となる部分に穴を形成する。なおこれらの穴は、後のウェットエッチングの際にエッチング溶液が凹部10に入るのを防止するため貫通させないようにする(図5(a1)、図5(a2))。
一方第1の基板1aは、例えば厚さが525μmの単結晶シリコンからなり、鏡面研磨や洗浄を行った後、片側表面にボロン・ドープ層4aを形成する。このボロン・ドープ層4aは、例えば拡散板を用いて1050℃の窒素雰囲気中で形成する。なお、ボロン・ドープ層4aの形成後、不要なボロン化合物をエッチング等により除去する。
その後、第1の基板1aの両面に、プラズマCVDによってTEOS等からなるエッチングマスク4cを、例えば厚さ2μmで成膜する(図5(b1)、図5(b2))。
その後、第1の基板1aの両面に、プラズマCVDによってTEOS等からなるエッチングマスク4cを、例えば厚さ2μmで成膜する(図5(b1)、図5(b2))。
そして第1の基板1aのボロン・ドープ層4aを形成した側の面にレジストを塗布し、その反対側の面に凹部9を形成するためのレジストをパターニングする。それから、凹部9の形成される部分9aのエッチングマスク4cをフッ酸水溶液等で剥離する(図5(c2)参照)。その後、第1の基板1aに形成されたレジストを一旦すべて剥離する。そして、ボロン・ドープ層4aの形成された側の反対側の面にレジストを塗布し、ボロン・ドープ層4aの形成された側の面に封止溝8を形成するためのレジストをパターニングする。そして封止溝8の形成される部分8aのエッチングマスク4cをフッ酸によりハーフエッチングする(図5(c1)、図5(c2))。
それから第1の基板1aを例えば35重量%の水酸化カリウム水溶液でエッチングし、凹部9の部分を薄膜化する。この際、凹部9の単結晶シリコンの厚み(ボロン・ドープ層4aを除く)の厚みが10μmになったら、エッチング溶液を3重量%の水酸化カリウム水溶液に切り替えて、ボロン・ドープ層4aによるエッチングストップが効くまでエッチングを行う。なお、水酸化カリウム水溶液によるエッチングの途中で、フッ酸によるハーフエッチングを行い、封止溝8の形成される部分8aのエッチングマスク4cを除去するようにし、例えば深さ100μmの封止溝8が形成されるようにする(図5(d1)、図5(d2))。
その後、第1の基板1aのボロン・ドープ層4aを形成した側の反対側の面にレジストを塗布し、第1の基板1aをフッ酸水溶液でエッチングし、ボロン・ドープ層4aの形成された側の面のエッチングマスク4cを一旦剥離する。この際、レジストをスピンコートで行うと、凹部9の周辺にレジストが付かない場合があるため、ネガレジストを手塗りするようにしてもよい。
そしてボロン・ドープ層4aを形成した側の反対側の面のレジストを剥離し、ボロン・ドープ層4aの形成された側の面に、例えばプラズマCVDによりTEOSからなる絶縁膜4bを形成する。なおこの絶縁膜4bを形成する前に酸素プラズマ等により表面をクリーニングするのが望ましい。このクリーニングによって、絶縁膜4bの耐圧性を均一にすることができる。
それから、ボロン・ドープ層4aの形成された側の面に、等電位接点を形成するための開口部9bの形状にレジストをパターニングする。そしてフッ酸水溶液で第1の基板1aをエッチングすることにより開口部9bの部分の絶縁膜4bを除去する(図5(e1)、図5(e2))。
そしてボロン・ドープ層4aを形成した側の反対側の面のレジストを剥離し、ボロン・ドープ層4aの形成された側の面に、例えばプラズマCVDによりTEOSからなる絶縁膜4bを形成する。なおこの絶縁膜4bを形成する前に酸素プラズマ等により表面をクリーニングするのが望ましい。このクリーニングによって、絶縁膜4bの耐圧性を均一にすることができる。
それから、ボロン・ドープ層4aの形成された側の面に、等電位接点を形成するための開口部9bの形状にレジストをパターニングする。そしてフッ酸水溶液で第1の基板1aをエッチングすることにより開口部9bの部分の絶縁膜4bを除去する(図5(e1)、図5(e2))。
ここで、第1の基板1aと第2の基板2aを陽極接合により接合して接合基板を形成する(図5(f1)、図5(f2))。この陽極接合は、例えば第1の基板1aと第2の基板2aを360℃に加熱した後に、第1の基板1aと第2の基板2aの間に800Vの電圧を印加して行う。なお、陽極接合の際にITO等の損傷を防止するため例えば10mA以上の電流が流れないようにするのが望ましい。
その後、第1の基板1aを例えば厚さが150μmになるまで研削し、第1の基板1aを薄板化する(図5(g1)、図5(g2))。この薄板化の後に加工変質層を除去するため、水酸化カリウム水溶液等で接合基板をエッチングするのが望ましい。
それから、第1の基板1aのボロン・ドープ層4aの形成された面の反対側の面の全面に、TEOS等からなるエッチングマスク25を形成する(図6(h1)、図6(h2))。
それから、第1の基板1aのボロン・ドープ層4aの形成された面の反対側の面の全面に、TEOS等からなるエッチングマスク25を形成する(図6(h1)、図6(h2))。
そしてエッチングマスク25に、吐出室5、リザーバ7、電極取出し部28(後の示す)の周辺部27を形成するためのレジストをパターニングし、これらの部分に対応したエッチングマスク25をフッ酸水溶液等で除去する。
その後、接合基板を例えば35重量%の水酸化カリウム水溶液でエッチングして、吐出室5、リザーバ7、周辺部27を形成する(図6(i1)、図6(i2))。なおこの際、図5(d2)の工程と同様に単結晶シリコンの厚みが約10μmになったら、3重量%の水酸化カリウム水溶液に切り替えてボロン・ドープ層4aのエッチングストップが効くようにする。
その後、接合基板を例えば35重量%の水酸化カリウム水溶液でエッチングして、吐出室5、リザーバ7、周辺部27を形成する(図6(i1)、図6(i2))。なおこの際、図5(d2)の工程と同様に単結晶シリコンの厚みが約10μmになったら、3重量%の水酸化カリウム水溶液に切り替えてボロン・ドープ層4aのエッチングストップが効くようにする。
エッチング終了後、接合基板をフッ酸水溶液によってエッチングし、第1の基板1aに形成されたエッチングマスク25をすべて剥離する。そして、レーザー加工等によりインク供給口17及び封止剤供給口18を貫通させる。
それから、貫通した封止剤供給口18からエポキシ樹脂等の封止剤を封止溝8の内部に流し込み、振動板4と電極11の間の空間を密封する(図6(j1)、図6(j2))。これにより電極取出し部28の形成後に、振動板4と電極11の間の空間に異物やガスが浸入するのを防止することができる。
それから、貫通した封止剤供給口18からエポキシ樹脂等の封止剤を封止溝8の内部に流し込み、振動板4と電極11の間の空間を密封する(図6(j1)、図6(j2))。これにより電極取出し部28の形成後に、振動板4と電極11の間の空間に異物やガスが浸入するのを防止することができる。
そして、電極取出し部28の周辺部27を、例えばマスクを用いたRIE(Reactive Ion Etching)ドライエッチングにより加工して、電極取出し部28の部分を開口する(図6(k1)、図6(k2))。
それから、リザーバ7の底壁のインク供給口17に対応する部分を機械加工、レーザー加工等により加工し、インク供給口17とリザーバ7を連通させた後、図1に示すような加工を施したノズル基板3となる基板3aをエポキシ系接着剤等で接合基板に接合する(図6(l1)、図6(l2))。なお本実施形態1では、の基板3aはウェハ状のものである。
それから、リザーバ7の底壁のインク供給口17に対応する部分を機械加工、レーザー加工等により加工し、インク供給口17とリザーバ7を連通させた後、図1に示すような加工を施したノズル基板3となる基板3aをエポキシ系接着剤等で接合基板に接合する(図6(l1)、図6(l2))。なお本実施形態1では、の基板3aはウェハ状のものである。
最後に、図4に示すようなダイシングラインに沿ってダイシングを行い、個々の液滴吐出ヘッドを切り出して、液滴吐出ヘッドが完成する(図6(m1)、図6(m2))。なおこのとき、接続部15と電極11を接続する配線の部分(図4(a)の右側)を切り落とし、キャビティ基板1と電極11の電気的接続を断つようにする。
図7は、電極の厚さとキャビティ基板の絶縁膜の厚さの関係において、キャビティ基板となる基板と電極の等電位が確保可能な領域を示した図である。
図7(a)に示すように、従来の、等電位接点の部分が薄膜化されていない構造のものの場合、電極の膜圧より約0.1μm厚い絶縁膜までは等電位が確保できていた。これは電極とキャビティ基板となる基板は接しないが、陽極接合の際に強電界が発生するために電気的接続がなされていたためである。しかし、電極の厚さが絶縁膜の厚さよりも厚い場合には、キャビティ基板となる基板が電極基板となる基板から浮いてしまい、電極と振動板の間の空間の気密性を確保できなかった。
図7(a)に示すように、従来の、等電位接点の部分が薄膜化されていない構造のものの場合、電極の膜圧より約0.1μm厚い絶縁膜までは等電位が確保できていた。これは電極とキャビティ基板となる基板は接しないが、陽極接合の際に強電界が発生するために電気的接続がなされていたためである。しかし、電極の厚さが絶縁膜の厚さよりも厚い場合には、キャビティ基板となる基板が電極基板となる基板から浮いてしまい、電極と振動板の間の空間の気密性を確保できなかった。
しかし図7(b)に示すように、本実施形態1の液滴吐出ヘッドの製造方法では、電極11(接続部15)の厚さが絶縁膜4bの厚さよりも厚い場合でも、凹部9の底壁のボロン・ドープ層からなる薄膜が撓むため、第1の基板1aが浮き上がることなく、電極11とキャビティ基板1の等電位を確保することができる。
本実施形態1では、キャビティ基板となる第1の基板を部分的に薄膜化し、第1の基板の薄膜化された部分に等電位接点を設けるため、例えば、等電位接点の部分の電極が多少厚すぎた場合でも、薄膜化された部分が撓むことにより、第1の基板と第2の基板の間に隙間ができることがない。このため、第2の基板の電極の厚みや第1の基板の絶縁膜の厚みを高精度に制御する必要がなく、製造工程における負荷を軽減することができる。また等電位接点の接続不良も防止することができ、シリコン基板と電極を確実に等電位にして、陽極接合の際の放電を防止することができる。
実施形態2.
図8は、本発明の実施形態2に係る液滴吐出記録装置の例を示した図である。図8に示される液滴吐出記録装置100は、インクジェットプリンタであり、実施形態1に示される液滴吐出ヘッドの製造方法で得られた液滴吐出ヘッドを備えている。実施形態1に示される液滴吐出ヘッドの製造方法で得られた液滴吐出ヘッドは、駆動不良等の少ない液滴吐出ヘッドであるため、本実施形態2の液滴吐出記録装置100は、印字不良等の少ないものである。
図8は、本発明の実施形態2に係る液滴吐出記録装置の例を示した図である。図8に示される液滴吐出記録装置100は、インクジェットプリンタであり、実施形態1に示される液滴吐出ヘッドの製造方法で得られた液滴吐出ヘッドを備えている。実施形態1に示される液滴吐出ヘッドの製造方法で得られた液滴吐出ヘッドは、駆動不良等の少ない液滴吐出ヘッドであるため、本実施形態2の液滴吐出記録装置100は、印字不良等の少ないものである。
本発明の実施形態1に示される液滴吐出ヘッドの製造方法で得られた液滴吐出ヘッドは、図8に示すようなインクジェットプリンタの他に、有機EL表示装置の製造や、液晶表示装置のカラーフィルタの製造、DNAデバイスの製造等にも使用することができる。
1 キャビティ基板、2 電極基板、3 ノズル基板、4 振動板、5 吐出室、7 リザーバ、8 封止溝、9 凹部、10 凹部、11 電極、12 リード部、13 端子部、15 接続部、17 インク供給口、18 封止材供給口、20 ノズル、21 オリフィス、23 発振回路、100 液滴吐出記録装置。
Claims (10)
- 所定の加工が施された単結晶シリコンからなるキャビティ基板と、複数の電極が設けられた電極基板とを備えた液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
前記キャビティ基板となる第1の基板を部分的に薄膜化する工程と、前記第1の基板と前記電極基板となる第2の基板を陽極接合する工程とを有し、
陽極接合の際に、前記第1の基板と前記複数の電極が等電位になるように、前記第1の基板の薄膜化された部分に等電位接点を設けることを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。 - 前記等電位接点を、個々の液滴吐出ヘッドごとに設けることを特徴とする請求項1記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記複数の電極を、その長手方向が略平行になるように設け、前記第2の基板の等電位接点を、前記複数の電極の長手方向に垂直な方向へずらして設け、前記等電位接点と前記複数の電極の位置が重ならないようにすることを特徴とする請求項2記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第1の基板の薄膜化された部分は、ボロン・ドープ層であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第1の基板に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜に開口部を設ける工程とを有し、該開口部に等電位接点を設けることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第1の基板と前記第2の基板とを陽極接合して接合基板を形成し、該接合基板をダイシングすることにより複数の液滴吐出ヘッドを製造する請求項1〜5のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- ダイシングの際に、前記第1の基板と前記複数の電極の電気的接続を断つことを特徴とする請求項6記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第1の基板と前記第2の基板とを陽極接合した後に、前記第1の基板を薄板化することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法で製造されたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
- 請求項9記載の液滴吐出ヘッドを備えたことを特徴とする液滴吐出記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004031684A JP2005219424A (ja) | 2004-02-09 | 2004-02-09 | 液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出ヘッド並びに液滴吐出記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004031684A JP2005219424A (ja) | 2004-02-09 | 2004-02-09 | 液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出ヘッド並びに液滴吐出記録装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005219424A true JP2005219424A (ja) | 2005-08-18 |
Family
ID=34995442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004031684A Withdrawn JP2005219424A (ja) | 2004-02-09 | 2004-02-09 | 液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出ヘッド並びに液滴吐出記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005219424A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007069520A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Seiko Epson Corp | 液滴吐出ヘッドの製造方法 |
-
2004
- 2004-02-09 JP JP2004031684A patent/JP2005219424A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007069520A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Seiko Epson Corp | 液滴吐出ヘッドの製造方法 |
JP4701935B2 (ja) * | 2005-09-08 | 2011-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 液滴吐出ヘッドの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008307838A (ja) | ノズル基板、液滴吐出ヘッド及びそれらの製造方法並びに液滴吐出装置 | |
JP2009184176A (ja) | ノズル基板、ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 | |
JP4660683B2 (ja) | ノズルプレートの製造方法及び液滴吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2007261152A (ja) | ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法 | |
JP2006263933A (ja) | 液滴吐出ヘッド及びその製造方法並びに液滴吐出装置 | |
JP2005219424A (ja) | 液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出ヘッド並びに液滴吐出記録装置 | |
JP2008055647A (ja) | シリコン基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法 | |
JP2009178948A (ja) | ノズル基板、ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 | |
JP2008194915A (ja) | 液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出ヘッド | |
JP2010240854A (ja) | ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2008114462A (ja) | ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出装置の製造方法、ノズル基板、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 | |
JP5929276B2 (ja) | ノズルプレートの製造方法、および液滴吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2007105860A (ja) | 電極基板、静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド及びそれらの製造方法 | |
JP4120317B2 (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 | |
JP2006320121A (ja) | 静電アクチュエータの製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及びデバイスの製造方法並びに液滴吐出装置の製造方法 | |
JP2007106085A (ja) | 陽極接合方法、静電アクチュエータの製造方法、静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 | |
JP2010143189A (ja) | 静電アクチュエーター、液滴吐出ヘッド及びそれらの製造方法並びに液滴吐出装置 | |
JP4701935B2 (ja) | 液滴吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2008000970A (ja) | 液滴吐出ヘッドの製造方法および液滴吐出装置の製造方法 | |
JP2007007940A (ja) | 液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法 | |
JP2007118535A (ja) | 静電アクチュエータの製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法並びに静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 | |
JP2007045110A (ja) | 液滴吐出ヘッドの製造方法および液滴吐出装置の製造方法 | |
JP2007185831A (ja) | 液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置 | |
JP2010046971A (ja) | シリコン製ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、及び液滴吐出装置の製造方法 | |
JP2007008013A (ja) | 静電アクチュエータの製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法並びにデバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070501 |