JP3858942B2 - 噴射装置のノズル形成方法 - Google Patents
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Description
前記シリコン単結晶基板の表面にレジスト膜を形成し、前記ノズルの後端側に対応する部分の前記レジスト膜を取り除くことにより第1の開口パターンを形成し、前記第1の開口パターン形成部における前記ノズルの先端側に対応する部分の前記レジスト膜を取り除くことにより、前記第1の開口パターンより小さな第2の開口パターンを形成し、前記第1、第2の開口パターンが形成された部分に対して異方性ドライエッチングを施す。
なお、ドライエッチングは、シリコン基板が置かれた処理槽内に、プラズマ放電によりプラズマ化してシリコンを腐食するガスと、プラズマ化してシリコンの腐食を抑制するガスが交互に注入して行うことができる。
先ず、図2(A)に示すように、厚さが180ミクロンのシリコンウエハ200を用意し、当該シリコンウエハ200を熱酸化させて、その表面にレジスト膜としての厚さが1.2ミクロン以上の SiO2 膜210を形成する。
次に、図2(B)に示すように、シリコンウエハ200の表面200aを覆っているSiO2 膜210の部分にハーフエッチングを施すことにより、ノズル21の大断面ノズル部分21bおよびインク供給口22の浅溝部分22bを形成するためのパターン201bおよび202bを形成する。エッチング液としては、フッ化アンモニウム(HF:NH4F=880ml:5610ml)を使用することができる。また、エッチング深さは、例えば、0.5ミクロンに設定することができる。
この後は、図2(C)に示すように、ノズル21の小断面ノズル部分21aおよびインク供給口22の深溝部分22aを形成するためのパターン201aおよび202aを、SiO2 膜210のハーフエッチング領域であるパターン201b、202bの部分に形成する。すなわち、これらのハーフエッチング領域を完全にエッチングして、シリコンウエハ表面を露出させたパターン201a、202aを形成する。これらのパターンと共に、電極用の貫通孔23を形成するためのパターン203も、SiO2 膜210をフルエッチングすることにより形成する。この場合に使用するエッチング液も上記と同様なフッ化アンモニウムを使用できる。
このようにして、SiO2 膜210に2回のパターニングを施した後は、図3(A)に示すように、ICP放電による異方性ドライエッチングをシリコンウエハ200に施す。これにより、上記のStep3で形成されたパターン201b、202bおよび203に対応した形状で、シリコンウエハ200の表面が垂直にエッチングされて、それぞれ、同一の深さの溝221、222、223が形成される。この場合のエッチングガスとしては、例えば、フッ化炭素(CF、CF4)、6フッ化硫黄(SF6)を使用し、これらのエッチングガスを交互に使用すればよい。ここで、CFは形成される溝の側面にエッチングが進行しないように溝側面を保護するために使用し、SF6はシリコンウエハの垂直方向のエッチングを促進させるために使用する。
次に、図3(C)に示すように、再度、ICP放電による異方性ドライエッチングを行なう。この結果、パターン201b、202bおよび203から露出しているシリコンウエハの表面部分は、その断面形状を保った状態で厚さ方向に向けて垂直にエッチングが進行する。この場合のエッチングガスも上記のStep4と同一であり、エッチング深さを例えば55ミクロンとする。この結果、段状のノズル21に対応する断面形状のノズル溝231、インク供給口22に対応する断面形状の溝232が形成される。また、電極配置用の貫通孔23の半分の深さの溝233も形成される。
この後は、再び、SiO2 膜210の表面を熱酸化して、レジスト膜としてのSiO2 膜240を形成する。この場合においても、SiO2 膜240の厚みは1.2ミクロン以上にすればよい。
次に、図4(B)に示すように、シリコンウエハ200の反対側の表面200bを覆っているSiO2 膜240の部分をエッチングして、ノズル21が開口している凹部24に対応したパターン204、および貫通孔23に対応したターン203Aを形成する。この場合のエッチング液は上記のStep2で使用したものを使用できる。
次に、図4(C)に示すように、シリコンウエハ200をエッチング液に漬けてシリコンウエハ200の露出部分に対して異方性湿式エッチングを施し、凹部24に対応した溝244を形成してノズル21を貫通させる。また、貫通孔23に対応した溝233Aを形成して、貫通孔23を貫通させる。この場合に使用するエッチング液は、水酸化カリウム水溶液であり、その濃度は2wtパーセントで液温80℃のものを使用できる。また、エッチング深さは例えば110ミクロンとする。エッチング終了後は、図4(D)に示すように、SiO2 膜240をフッ酸水溶液で全て剥離する。
最後に、図5に示すように、シリコンウエハの耐インク性とノズル面の撥水処理の密着性を確保するために、再度シリコンウエハを熱酸化して、SiO2 膜を形成する。以上により、ノズルプレート2が得られる。
その他の異方性ドライエッチング方式として、ECR(電子サイクロトロン共鳴)放電、HWP(ヘリコン波プラズマ)放電、RIE(リアクティブイオンエッチング)などを用いても良い。
2 ノズルプレート
21 ノズル
21a 前側ノズル部分
21b 後側ノズル部分
21c 環状の段面
22 インク供給口
22a 深溝部分
22b 浅溝部分
23 貫通孔
3 キャビティプレート
31 キャビティ
32 インクリザーバ
201b ハーフエッチングによる開口パターン
201b フルエッチングによる開口パターン
221 第1の溝
231 第2の溝
Claims (4)
- シリコン単結晶基板にエッチングを施して、ノズルを形成する噴射装置のノズル形成方法において、
前記シリコン単結晶基板の表面にレジスト膜を形成し、
前記ノズルの後端側に対応する部分の前記レジスト膜を取り除くことにより第1の開口パターンを形成し、
前記第1の開口パターン形成部における前記ノズルの先端側に対応する部分の前記レジスト膜を取り除くことにより、前記第1の開口パターンより小さな第2の開口パターンを形成し、
前記第1、第2の開口パターンが形成された部分に対して異方性ドライエッチングを施して、後端側から先端側に向けて階段状に断面が小さくなったノズルを形成することを特徴とする噴射装置のノズル形成方法。 - 請求項1において、前記レジスト膜がシリコン酸化膜であることを特徴とする噴射装置のノズル形成方法。
- 請求項1において、プラズマ放電によりプラズマ化してシリコンを腐食するガスと、プラズマ化してシリコンの腐食を抑制するガスを交互に用いてドライエッチングを行うことを特徴とする噴射装置のノズル形成方法。
- 請求項3において、プラズマ化してシリコンを腐食するガスがフッ化硫黄であり、プラズマ化してシリコンの腐食を抑制するガスがフッ化炭素であることを特徴とする噴射装置のノズル形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006129409A JP3858942B2 (ja) | 1997-05-14 | 2006-05-08 | 噴射装置のノズル形成方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12457397 | 1997-05-14 | ||
JP2006129409A JP3858942B2 (ja) | 1997-05-14 | 2006-05-08 | 噴射装置のノズル形成方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13244798A Division JP3820747B2 (ja) | 1997-05-14 | 1998-05-14 | 噴射装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006205745A JP2006205745A (ja) | 2006-08-10 |
JP3858942B2 true JP3858942B2 (ja) | 2006-12-20 |
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---|---|---|---|
JP2006129409A Expired - Lifetime JP3858942B2 (ja) | 1997-05-14 | 2006-05-08 | 噴射装置のノズル形成方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3858942B2 (ja) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006205745A (ja) | 2006-08-10 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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