JPH1121643A - Ａｕ３Ｃｕ型結晶構造をとる化合物を含む金属間化合物 - Google Patents
Ａｕ３Ｃｕ型結晶構造をとる化合物を含む金属間化合物Info
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- JPH1121643A JPH1121643A JP9181115A JP18111597A JPH1121643A JP H1121643 A JPH1121643 A JP H1121643A JP 9181115 A JP9181115 A JP 9181115A JP 18111597 A JP18111597 A JP 18111597A JP H1121643 A JPH1121643 A JP H1121643A
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- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 化学組成式が次式
［Ｒ1 Ｃ1 ］m ［Ｍ2 Ｂ2 ］n ［Ｍ3 Ｍ’］
（m は0 又は自然数、n=1、R は、Y、Sc、又は希土類元素
の１種以上を、M はIVb族、Vb族、VIb族、VIIb 族、VIIIb
族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、アクチノイ
ド元素族元素の１種以上を、M'はI 族、II 族、IIIb 族、I
Vb族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIIIb族、Ib 族、IIb族、III
族、IV 族、 希土類元素、 アクチノイド元素の１種又は２
種以上を、M3M'はAu3Cu 型結晶構造をとる化合物）で示
されるホウ素炭素系金属間化合物。 【効果】この発明に係る金属間化合物は希土類−ニッケ
ル−ホウ素炭化物金属間化合物超伝導体の薄膜化におい
ては、基板材料としての実用化が期待され、更に超伝導
薄膜素子としての実用化が期待される。
の１種以上を、M はIVb族、Vb族、VIb族、VIIb 族、VIIIb
族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、アクチノイ
ド元素族元素の１種以上を、M'はI 族、II 族、IIIb 族、I
Vb族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIIIb族、Ib 族、IIb族、III
族、IV 族、 希土類元素、 アクチノイド元素の１種又は２
種以上を、M3M'はAu3Cu 型結晶構造をとる化合物）で示
されるホウ素炭素系金属間化合物。 【効果】この発明に係る金属間化合物は希土類−ニッケ
ル−ホウ素炭化物金属間化合物超伝導体の薄膜化におい
ては、基板材料としての実用化が期待され、更に超伝導
薄膜素子としての実用化が期待される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、超伝導体或は超伝導
性薄膜等の基板材料に適するAu3Cu 型結晶構造をとる化
合物を含む新規な金属間化合物に関するものである。
性薄膜等の基板材料に適するAu3Cu 型結晶構造をとる化
合物を含む新規な金属間化合物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、超伝導現象は超伝導マグネッ
ト、超伝導電力貯蔵等の強電分解からジョセフソン素
子、S.Q.U.I.D 等のクライオエレクトロニクス素子材
料、更には磁気シールド用のシート材料等広範囲な分野
での利用が期待されている。
ト、超伝導電力貯蔵等の強電分解からジョセフソン素
子、S.Q.U.I.D 等のクライオエレクトロニクス素子材
料、更には磁気シールド用のシート材料等広範囲な分野
での利用が期待されている。
【０００３】既に、これまでにもNb-Ti,Nb3Sn,V3Ge等の
金属系の超伝導体が、液体Heを使用した応用に利用され
ており、更に近年ではYBa2Cu3O7+δ、Bi2Sr2CaCu2O10+δ
等のセラミックス系銅酸化物高温超伝導体についてもそ
の実用化に向けて精力的に検討が進められている。
金属系の超伝導体が、液体Heを使用した応用に利用され
ており、更に近年ではYBa2Cu3O7+δ、Bi2Sr2CaCu2O10+δ
等のセラミックス系銅酸化物高温超伝導体についてもそ
の実用化に向けて精力的に検討が進められている。
【０００４】また、希土類−ニッケル−ホウ素炭化物系
金属間化合物超伝導体についても実用化可能なものも見
出されている（特願平8-48708 号) 。
金属間化合物超伝導体についても実用化可能なものも見
出されている（特願平8-48708 号) 。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これまでの報
告されている希土類−ニッケル−ホウ素炭化物系金属間
化合物超伝導体の薄膜技術では、基板材料の適合性が良
好でなかった。
告されている希土類−ニッケル−ホウ素炭化物系金属間
化合物超伝導体の薄膜技術では、基板材料の適合性が良
好でなかった。
【０００６】例えば、一般に薄膜基板材料として利用さ
れているMgO では、MgO の格子定数が、a 〜4.21 、 ま
たSrTiO3ではSrTiO3の格子定数がa 〜3.91 である。
れているMgO では、MgO の格子定数が、a 〜4.21 、 ま
たSrTiO3ではSrTiO3の格子定数がa 〜3.91 である。
【０００７】一方、希土類−ニッケル−ホウ素炭化物超
伝導体は正方晶系乃至斜方晶系であり、その格子定数が
a 〜3.55 であることから、希土類−ニッケル−ホウ素
炭化物系金属間化合物超伝導体の薄膜化に当たっては、
基板材料として従来使用されているMgO やSrTiO3を使用
したのでは格子定数のパッキングの違いが大きく異なる
ことから、基板への薄膜積層が困難であった。
伝導体は正方晶系乃至斜方晶系であり、その格子定数が
a 〜3.55 であることから、希土類−ニッケル−ホウ素
炭化物系金属間化合物超伝導体の薄膜化に当たっては、
基板材料として従来使用されているMgO やSrTiO3を使用
したのでは格子定数のパッキングの違いが大きく異なる
ことから、基板への薄膜積層が困難であった。
【０００８】これに対して、これまでに報告されている
希土類−ニッケル−ホウ素系炭化物（正方晶系）と、Au
3Cu 型をとる結晶構造（立方晶系）とはa 軸乃至b 軸が
極めて類似した格子定数を持っており、本願発明者はこ
のことに着目し、Au3Cu 型結晶構造を含む新規な希土類
−ニッケル−ホウ素炭素系金属間化合物を合成すること
を目的として研究の結果、この合成に成功したものであ
る。
希土類−ニッケル−ホウ素系炭化物（正方晶系）と、Au
3Cu 型をとる結晶構造（立方晶系）とはa 軸乃至b 軸が
極めて類似した格子定数を持っており、本願発明者はこ
のことに着目し、Au3Cu 型結晶構造を含む新規な希土類
−ニッケル−ホウ素炭素系金属間化合物を合成すること
を目的として研究の結果、この合成に成功したものであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記知見に
鑑み、下記化学組成式(1)(2)のAu3Cu 型結晶構造をとる
化合物を含む金属間化合物を提案するものである。
鑑み、下記化学組成式(1)(2)のAu3Cu 型結晶構造をとる
化合物を含む金属間化合物を提案するものである。
【００１０】 ［Ｒ1 Ｃ1 ］m ［Ｍ2 Ｂ2 ］n ［Ｍ3 Ｍ’］ (1)
【００１１】（m は0 又は自然数、n=1、R は、Y、Sc、又
は希土類元素の１種又は２種以上を、M はIVb 族、Vb
族、VIb族、VIIb 族、VIIIb族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、
希土類元素、アクチノイド元素の１種以上、M'はI 族、I
I 族、IIIb 族、IVb族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIII b 族、I
b 族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、アクチノイド元
素の１種又は２種以上で、M3M'はAu3Cu 型結晶構造をと
る化合物）
は希土類元素の１種又は２種以上を、M はIVb 族、Vb
族、VIb族、VIIb 族、VIIIb族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、
希土類元素、アクチノイド元素の１種以上、M'はI 族、I
I 族、IIIb 族、IVb族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIII b 族、I
b 族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、アクチノイド元
素の１種又は２種以上で、M3M'はAu3Cu 型結晶構造をと
る化合物）
【００１２】 ［Ｒ1 Ｃ1-z ］m ［Ｍ2-x Ｂ2-y ］n ［Ｍ3-u Ｍ'v］ (2)
【００１３】（m は0 又は自然数、n=1、Rは、Y、Sc、又は
希土類元素の１種又は２種以上を、MはIVb 族、Vb 族、VI
b族、VIIb 族、VIIIb族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、 希土
類元素、アクチノイド元素の１種以上、M'はI 族、II
族、IIIb 族、IVb族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIII b 族、Ib
族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、アクチノイド元素
の１種又は２種以上で、M3-uM'v はAu3Cu 型結晶構造を
とる化合物を表し、0 ≦ x<2,0 ≦ y <2, 0≦ z <1,0
≦ u <3,0 ≦ v <1 ）
希土類元素の１種又は２種以上を、MはIVb 族、Vb 族、VI
b族、VIIb 族、VIIIb族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、 希土
類元素、アクチノイド元素の１種以上、M'はI 族、II
族、IIIb 族、IVb族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIII b 族、Ib
族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、アクチノイド元素
の１種又は２種以上で、M3-uM'v はAu3Cu 型結晶構造を
とる化合物を表し、0 ≦ x<2,0 ≦ y <2, 0≦ z <1,0
≦ u <3,0 ≦ v <1 ）
【００１４】また、従来の合成例から上記化学組成式
(1)(2)のうちＣ元素をＮ元素に置き換えることも当然可
能である。
(1)(2)のうちＣ元素をＮ元素に置き換えることも当然可
能である。
【００１５】そこで、この発明においては下記化学組成
式(3)(4)のAu3Cu 型結晶構造をとる化合物を含む金属間
化合物を提案するものである。
式(3)(4)のAu3Cu 型結晶構造をとる化合物を含む金属間
化合物を提案するものである。
【００１６】 ［Ｒ1 Ｎ1 ］m ［Ｍ2 Ｂ2 ］n ［Ｍ3 Ｍ’］ （３）
【００１７】（ｍ は0 又は自然数、n=1、R は、Y、Sc、
又は希土類元素の１種又は２種以上を、M はIVb 族、Vb
族、VIb族、VIIb 族、VIIIb族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、
希土類元素、アクチノイド元素の１種以上、M'はI 族、I
I 族、IIIb 族、IVb族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIII b 族、I
b 族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、アクチノイド元
素の１種又は２種以上で、M3M'はAu3Cu 型結晶構造をと
る化合物）
又は希土類元素の１種又は２種以上を、M はIVb 族、Vb
族、VIb族、VIIb 族、VIIIb族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、
希土類元素、アクチノイド元素の１種以上、M'はI 族、I
I 族、IIIb 族、IVb族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIII b 族、I
b 族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、アクチノイド元
素の１種又は２種以上で、M3M'はAu3Cu 型結晶構造をと
る化合物）
【００１８】 ［Ｒ1 Ｎ1-z ］m ［Ｍ2-x Ｂ2-y ］n ［Ｍ3-u Ｍ'v］ (4)
【００１９】（m は0 又は自然数、n=1、Rは、Y、Sc、又は
希土類元素の１種又は２種以上を、MはIVb 族、Vb 族、VI
b族、VIIb 族、VIIIb族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、 希土
類元素、アクチノイド元素の１種以上、M'はI 族、II
族、IIIb 族、IVb族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIII b 族、Ib
族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、アクチノイド元素
の１種又は２種以上で、M3-uM'v はAu3Cu 型結晶構造を
とる化合物を表し、0 ≦ x<2,0 ≦ y <2, 0≦ z <1,0
≦ u <3,0 ≦ v <1 ）
希土類元素の１種又は２種以上を、MはIVb 族、Vb 族、VI
b族、VIIb 族、VIIIb族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、 希土
類元素、アクチノイド元素の１種以上、M'はI 族、II
族、IIIb 族、IVb族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIII b 族、Ib
族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、アクチノイド元素
の１種又は２種以上で、M3-uM'v はAu3Cu 型結晶構造を
とる化合物を表し、0 ≦ x<2,0 ≦ y <2, 0≦ z <1,0
≦ u <3,0 ≦ v <1 ）
【００２０】上記化学組成式で表される金属間化合物の
結晶構造は正方晶系、または斜方晶系であり、結晶構造
の一例を図１に示す。
結晶構造は正方晶系、または斜方晶系であり、結晶構造
の一例を図１に示す。
【００２１】更に、上記化学組成式で表される金属間化
合物の格子定数はm=0,n=1 の時、a=3.4 〜4.0 ,b=3.4
〜4.0 ,c=5.3〜6.5 , m=1,n=1 の時、a=3.4 〜4.0
,b=3.4〜4.0 ,c=13.0 〜15.0 , m=2,n=1 の時、a=
3.4 〜4.0 ,b=3.4〜4.0 ,c=10.5 〜12.0 である。
合物の格子定数はm=0,n=1 の時、a=3.4 〜4.0 ,b=3.4
〜4.0 ,c=5.3〜6.5 , m=1,n=1 の時、a=3.4 〜4.0
,b=3.4〜4.0 ,c=13.0 〜15.0 , m=2,n=1 の時、a=
3.4 〜4.0 ,b=3.4〜4.0 ,c=10.5 〜12.0 である。
【００２２】
【作用】この発明に係る金属間化合物はその化学組成式
から明らかなようにM3M'或はM3 -uM'v のようなAu3Cu 型
結晶構造を取る化合物、例えばn=1,m=1 でM をNi M' を
Alとした Ni3Alの場合）を含んでいるため、格子定数が
a=3.4 〜4.0 となり、従来の希土類−ニッケル−ホウ
素炭化物系金属間化合物超伝導体のそれとほぼ等しくな
る。
から明らかなようにM3M'或はM3 -uM'v のようなAu3Cu 型
結晶構造を取る化合物、例えばn=1,m=1 でM をNi M' を
Alとした Ni3Alの場合）を含んでいるため、格子定数が
a=3.4 〜4.0 となり、従来の希土類−ニッケル−ホウ
素炭化物系金属間化合物超伝導体のそれとほぼ等しくな
る。
【００２３】この発明に係る金属間化合物は例えば希土
類−ニッケル−ホウ素炭化物系金属間化合物超伝導体の
薄膜積層に適した基板材料となる。
類−ニッケル−ホウ素炭化物系金属間化合物超伝導体の
薄膜積層に適した基板材料となる。
【００２４】また、この発明に係る金属間化合物のうち
M が、Ni,Pd,Pt,Rh 又はIrの１種又は２種以上であり、
M'は、Al,Si,Fe, Ge，Gaの１種又は２種以上のものは超
伝導転移温度Tc〜9.0Kを有する超伝導体であった。
M が、Ni,Pd,Pt,Rh 又はIrの１種又は２種以上であり、
M'は、Al,Si,Fe, Ge，Gaの１種又は２種以上のものは超
伝導転移温度Tc〜9.0Kを有する超伝導体であった。
【００２５】したがって、この発明に係る金属間化合物
は希土類−ニッケル−ホウ素炭化物金属間化合物超伝導
体の薄膜化においては、基板材料としての実用化が期待
され、更に超伝導薄膜素子としての実用化が期待され
る。
は希土類−ニッケル−ホウ素炭化物金属間化合物超伝導
体の薄膜化においては、基板材料としての実用化が期待
され、更に超伝導薄膜素子としての実用化が期待され
る。
【００２６】
【実施例】以下、この発明の実施例を示すが、この発明
はこれらの実施例に限定されるものでない。Y,Ni,Al の
メタルの塊、及びB,C 粉末を出発原料とし、これらの出
発原料がY:C:Ni:B:Al=1:1:5:2:1 となるように秤量し
た。
はこれらの実施例に限定されるものでない。Y,Ni,Al の
メタルの塊、及びB,C 粉末を出発原料とし、これらの出
発原料がY:C:Ni:B:Al=1:1:5:2:1 となるように秤量し
た。
【００２７】B,C 粉末を、プレス機を用いて150Kg/cm2
の圧力で、直径1cm,厚さ1mm の円形状ペレットとした。
の圧力で、直径1cm,厚さ1mm の円形状ペレットとした。
【００２８】Y,Ni,Al のメタル塊、B,C の円形状ペレッ
トを銅のハースに乗せ、アルゴン雰囲気下でアークメル
ト溶融させた。この時アークメルトの出力が低いとY1Ni
1B1C1のような化合物が得られるので、やや高めの出力
をした。
トを銅のハースに乗せ、アルゴン雰囲気下でアークメル
ト溶融させた。この時アークメルトの出力が低いとY1Ni
1B1C1のような化合物が得られるので、やや高めの出力
をした。
【００２９】得られた試料はボタン状をしており、この
ボタン状試料から幅約1mm,長さ約6mm 程度の短冊状試料
を切り出し、電気伝導の温度依存性を調べた。図２はas
-cast 試料の電気伝導の温度依存性を示すもので、超伝
導転移温度Tcは約10.5K であった。
ボタン状試料から幅約1mm,長さ約6mm 程度の短冊状試料
を切り出し、電気伝導の温度依存性を調べた。図２はas
-cast 試料の電気伝導の温度依存性を示すもので、超伝
導転移温度Tcは約10.5K であった。
【００３０】また、ボタン状試料の一部を粉末にし、Ｘ
線粉末回折法で試料同定を行った。図３はＸ線粉末回折
パターンを示す。これによれば "[Y1C1][Ni2B2][Ni3Al]
(m=1,n=1)","[Y1C1]2[Ni2B2][Ni3Al](m=2,n=1)" の回折
線が観測されているが、完全な単一相が得られていない
ため、他の化合物として主相の"Y1Ni2B2C1","Y1Ni1B
1C1","[Ni3Al]等が含まれている。
線粉末回折法で試料同定を行った。図３はＸ線粉末回折
パターンを示す。これによれば "[Y1C1][Ni2B2][Ni3Al]
(m=1,n=1)","[Y1C1]2[Ni2B2][Ni3Al](m=2,n=1)" の回折
線が観測されているが、完全な単一相が得られていない
ため、他の化合物として主相の"Y1Ni2B2C1","Y1Ni1B
1C1","[Ni3Al]等が含まれている。
【００３１】更に、ボタン状試料の一部を粉末にし、S.
Q.U.I.D による磁化率の温度依存性の測定を行った。図
４はas-cast 試料の磁化率の温度依存性を示した。二段
落ちをする混相を示しており、"Y1Ni2B2C1"(Tc〜約11.0
K)" 以外に、〜10.0K で完全反磁性を示す相があった。
Q.U.I.D による磁化率の温度依存性の測定を行った。図
４はas-cast 試料の磁化率の温度依存性を示した。二段
落ちをする混相を示しており、"Y1Ni2B2C1"(Tc〜約11.0
K)" 以外に、〜10.0K で完全反磁性を示す相があった。
【００３２】マイスナー効果の体積百分率より図３のＸ
線粉末回折で述べた "[Y1C1][Ni2B2][Ni3Al](m=1,n=
1)", 若しくは"[Y1C1]2[Ni2B2][Ni3Al](m=2,n=1)"が超
伝導を示していると思われる。
線粉末回折で述べた "[Y1C1][Ni2B2][Ni3Al](m=1,n=
1)", 若しくは"[Y1C1]2[Ni2B2][Ni3Al](m=2,n=1)"が超
伝導を示していると思われる。
【００３３】なお、5Kにおけるマイスナー反磁性はZero
Field Cooling 時には12% 程度であった。
Field Cooling 時には12% 程度であった。
【００３４】
【発明の効果】以上要するに、この発明に係る金属間化
合物は希土類−ニッケル−ホウ素炭化物金属間化合物超
伝導体の薄膜化においては、基板材料としての実用化が
期待され、更に超伝導薄膜素子としての実用化が期待さ
れる。
合物は希土類−ニッケル−ホウ素炭化物金属間化合物超
伝導体の薄膜化においては、基板材料としての実用化が
期待され、更に超伝導薄膜素子としての実用化が期待さ
れる。
【図１】 m=1,n=1 とした"[Y1Ni2B2C1][Ni3Al]"の結晶
構造図
構造図
【図２】 実施例により得られた試料の電気伝導の温度
依存性を示す図
依存性を示す図
【図３】 実施例により得られた試料のＸ線粉末回折パ
ターン
ターン
【図４】 実施例により得られた試料の磁化率の温度依
存性を示す図
存性を示す図
Claims (8)
- 【請求項１】 化学組成式が次式 ［Ｒ1 Ｃ1 ］m ［Ｍ2 Ｂ2 ］n ［Ｍ3 Ｍ’］ （m は0 又は自然数、n=1、R は、Y、Sc、又は希土類元素
の１種又は２種以上を、M はIVb 族、Vb 族、VIb族、VIIb
族、VIIIb族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、ア
クチノイド元素の１種以上、M'はI 族、II 族、IIIb 族、I
Vb族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIII b 族、Ib 族、IIb族、III
族、IV 族、 希土類元素、アクチノイド元素の１種又は２
種以上で、M3M'はAu3Cu 型結晶構造をとる化合物）で示
されるAu3Cu 型結晶構造をとる化合物を含む金属間化合
物。 - 【請求項２】 化学組成式が次式 ［Ｒ1 Ｃ1-z ］m ［Ｍ2-x Ｂ2-y ］n ［Ｍ3-u Ｍ'v］ （m は0 又は自然数、n=1、Rは、Y、Sc、又は希土類元素の
１種又は２種以上を、MはIVb 族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、
VIIIb族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、アク
チノイド元素の１種以上、M'はI 族、II 族、IIIb 族、IVb
族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIII b 族、Ib 族、IIb族、III
族、IV 族、 希土類元素、アクチノイド元素の１種又は２
種以上で、M3-uM'v はAu3Cu 型結晶構造をとる化合物を
表し、0 ≦ x<2,0 ≦ y <2, 0≦ z <1,0 ≦ u <3,0 ≦v
<1）で示されるAu3Cu 型結晶構造をとる化合物を含む
金属間化合物。 - 【請求項３】 化学組成式が次式 ［Ｒ1 Ｎ1 ］m ［Ｍ2 Ｂ2 ］n ［Ｍ3 Ｍ’］ （m は0 又は自然数、n=1、R は、Y、Sc、又は希土類元素
の１種又は２種以上を、M はIVb 族、Vb 族、VIb族、VIIb
族、VIIIb族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、ア
クチノイド元素の１種以上、M'はI 族、II 族、IIIb 族、I
Vb族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIII b 族、Ib 族、IIb族、III
族、IV 族、 希土類元素、アクチノイド元素の１種又は２
種以上で、M3M'はAu3Cu 型結晶構造をとる化合物）で示
されるAu3Cu 型結晶構造をとる化合物を含む金属間化合
物。 - 【請求項４】 化学組成式が次式 ［Ｒ1 Ｎ1-z ］m ［Ｍ2-x Ｂ2-y ］n ［Ｍ3-u Ｍ'v］ （m は0 又は自然数、n=1、Rは、Y、Sc、又は希土類元素の
１種以上を、M はIVb 族、Vb 族、VIb族、VIIb 族、VIIIb
族、Ib 族、IIb族、III族、IV 族、 希土類元素、アクチノイ
ド元素の１種以上、M'はI 族、II 族、IIIb 族、IVb族、Vb
族、VIb族、VIIb 族、VIII b 族、Ib 族、IIb族、III族、IV
族、 希土類元素、アクチノイド元素の１種又は２種以上
で、M3-uM'v はAu3Cu 型結晶構造をとる化合物を表し、
0 ≦ x <2,0 ≦y <2, 0≦ z <1,0 ≦ u <3,0 ≦v <1）
で示されるAu3Cu 型結晶構造をとる化合物を含む金属間
化合物。 - 【請求項５】 M が、Ni,Pd,Pt,Rh 又はIrの１種又は２
種以上であり、M'は、Al,Si,Fe, Ge，Gaの１種又は２種
以上である請求項１乃至４に記載の金属間化合物。 - 【請求項６】 金属間化合物の結晶構造が正方晶系、又
は斜方晶系である請求項１乃至４に記載の金属間化合
物。 - 【請求項７】 格子定数が、m=0,n=1 の時、a=3.4 〜4.
0 ,b=3.4〜4.0 ,c=5.3〜6.5 , m=1,n=1 の時、a=3.
4 〜4.0 ,b=3.4〜4.0 ,c=13.0 〜15.0, m=2,n=1 の
時、a=3.4 〜4.0 ,b=3.4〜4.0 ,c=10.5 〜12.0 で
ある請求項１乃至４に記載の金属間化合物。 - 【請求項８】 請求項１乃至７に記載の金属間化合物を
含む超伝導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18111597A JP3731038B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | Ａｕ３Ｃｕ結晶構造をとる化合物を含む金属間化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18111597A JP3731038B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | Ａｕ３Ｃｕ結晶構造をとる化合物を含む金属間化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1121643A true JPH1121643A (ja) | 1999-01-26 |
| JP3731038B2 JP3731038B2 (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=16095118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18111597A Expired - Lifetime JP3731038B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | Ａｕ３Ｃｕ結晶構造をとる化合物を含む金属間化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3731038B2 (ja) |
-
1997
- 1997-07-07 JP JP18111597A patent/JP3731038B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3731038B2 (ja) | 2006-01-05 |
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