JPH11214711A - ショットキバリアダイオードの製造方法 - Google Patents
ショットキバリアダイオードの製造方法Info
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- JPH11214711A JPH11214711A JP1668098A JP1668098A JPH11214711A JP H11214711 A JPH11214711 A JP H11214711A JP 1668098 A JP1668098 A JP 1668098A JP 1668098 A JP1668098 A JP 1668098A JP H11214711 A JPH11214711 A JP H11214711A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 逆方向電流ＩＲを増大させることなく、順方
向電圧ＶＦを低くすることができるショットキバリアダ
イオードの製造方法を提供すること。 【解決手段】 Ｎ++型のシリコン基板上にＮ型の第１の
エピタキシャル層を形成し、次いで第１のエピタキシャ
ル層表面の中央部にリンを蒸着、拡散し、第１のエピタ
キシャル層内にＮ+型の高濃度領域を形成し、次いで高
濃度領域を含む第１のエピタキシャル層上にＮ型の第２
のエピタキシャル層を形成する。この後、Ｐ型のガード
リング層を形成し、ショットキメタルを第２のエピタキ
シャル層に接合するように形成する。
向電圧ＶＦを低くすることができるショットキバリアダ
イオードの製造方法を提供すること。 【解決手段】 Ｎ++型のシリコン基板上にＮ型の第１の
エピタキシャル層を形成し、次いで第１のエピタキシャ
ル層表面の中央部にリンを蒸着、拡散し、第１のエピタ
キシャル層内にＮ+型の高濃度領域を形成し、次いで高
濃度領域を含む第１のエピタキシャル層上にＮ型の第２
のエピタキシャル層を形成する。この後、Ｐ型のガード
リング層を形成し、ショットキメタルを第２のエピタキ
シャル層に接合するように形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、逆方向電流ＩＲを
増大させることなく、順方向電圧ＶＦを低くすることが
できるショットキバリアダイオードの製造方法に関す
る。
増大させることなく、順方向電圧ＶＦを低くすることが
できるショットキバリアダイオードの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図４は一般的なショットキバリアダイオ
ードのチップ断面図である。Ｎ++型のシリコン基板１上
にＮ型のエピタキシャル層２が形成され、このエピタキ
シャル層２表面には環状にＰ型のガードリング層４が設
けられている。エピタキシャル層２上には環状の酸化膜
５が形成され、ガードリング層４の内側にできた開口部
（図示せず）にショットキメタルであるチタン６がエピ
タキシャル層２と接合するように形成されている。な
お、７はニッケル、８はアルミニウムからなる電極であ
る。
ードのチップ断面図である。Ｎ++型のシリコン基板１上
にＮ型のエピタキシャル層２が形成され、このエピタキ
シャル層２表面には環状にＰ型のガードリング層４が設
けられている。エピタキシャル層２上には環状の酸化膜
５が形成され、ガードリング層４の内側にできた開口部
（図示せず）にショットキメタルであるチタン６がエピ
タキシャル層２と接合するように形成されている。な
お、７はニッケル、８はアルミニウムからなる電極であ
る。
【０００３】ショットキバリアダイオードは金属と半導
体とを面接触させて整流作用をもたせたダイオードであ
り、ＰＮ接合のダイオードと比べると、スイッチング速
度が速い、順方向電圧ＶＦが低いなどの利点がある反
面、逆方向電流ＩＲが一般的に大きい、耐圧が低いなど
の欠点がある。
体とを面接触させて整流作用をもたせたダイオードであ
り、ＰＮ接合のダイオードと比べると、スイッチング速
度が速い、順方向電圧ＶＦが低いなどの利点がある反
面、逆方向電流ＩＲが一般的に大きい、耐圧が低いなど
の欠点がある。
【０００４】近年、消費電力の削減のため、順方向電圧
ＶＦをさらに低くしたショットキバリアダイオードが要
望されている。
ＶＦをさらに低くしたショットキバリアダイオードが要
望されている。
【０００５】ショットキバリアダイオードの順方向電圧
ＶＦを低くするには、例えばショットキメタル−半導体
界面のバリアハイトΦＢが低くなるようなメタル材料を
選択するといった手段や、エピタキシャル層を薄型化し
たり、エピタキシャル層の不純物濃度を大きくするなど
してエピタキシャル層の抵抗値を下げるといった手段に
より行うことができる。
ＶＦを低くするには、例えばショットキメタル−半導体
界面のバリアハイトΦＢが低くなるようなメタル材料を
選択するといった手段や、エピタキシャル層を薄型化し
たり、エピタキシャル層の不純物濃度を大きくするなど
してエピタキシャル層の抵抗値を下げるといった手段に
より行うことができる。
【０００６】ところが、上記のような手段では順方向電
圧ＶＦを低くできる反面、逆方向電流ＩＲが大きくなっ
てしまうという不都合が起こる。このため、逆方向電流
ＩＲが大きくなることなく順方向電圧ＶＦを低くするこ
とができる理想的なショットキバリアダイオードの開発
が強く望まれている。
圧ＶＦを低くできる反面、逆方向電流ＩＲが大きくなっ
てしまうという不都合が起こる。このため、逆方向電流
ＩＲが大きくなることなく順方向電圧ＶＦを低くするこ
とができる理想的なショットキバリアダイオードの開発
が強く望まれている。
【０００７】これを実現するショトキバリアダイオード
が、例えば特開平８−６４８４５号公報に開示されてい
る。すなわち図５に示すように、Ｎ++型のシリコン基板
１上に形成されたＮ型のエピタキシャル層２内に、この
エピタキシャル層２よりも大きな不純物濃度を有するＮ
+型の高濃度領域３が埋め込まれている。比抵抗の低い
高濃度領域３を設けることにより、ショットキ接合部の
直下のみシリーズ抵抗を下げることができ、順方向電圧
ＶＦを低くすることができる。ただし、高濃度領域３は
エピタキシャル層２の表面にまで達していないため、シ
ョットキ接合付近とガードリング接合まわりのエピタキ
シャル層の比抵抗は、初期のままで維持できるため、逆
方向電流ＩＲが大きくなることがない。なお、高濃度領
域３はエピタキシャル層２の表面から不純物をイオン注
入することにより形成している。
が、例えば特開平８−６４８４５号公報に開示されてい
る。すなわち図５に示すように、Ｎ++型のシリコン基板
１上に形成されたＮ型のエピタキシャル層２内に、この
エピタキシャル層２よりも大きな不純物濃度を有するＮ
+型の高濃度領域３が埋め込まれている。比抵抗の低い
高濃度領域３を設けることにより、ショットキ接合部の
直下のみシリーズ抵抗を下げることができ、順方向電圧
ＶＦを低くすることができる。ただし、高濃度領域３は
エピタキシャル層２の表面にまで達していないため、シ
ョットキ接合付近とガードリング接合まわりのエピタキ
シャル層の比抵抗は、初期のままで維持できるため、逆
方向電流ＩＲが大きくなることがない。なお、高濃度領
域３はエピタキシャル層２の表面から不純物をイオン注
入することにより形成している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、エピタキシ
ャル層の表面からイオン注入によりエピタキシャル層の
内部に高濃度領域を形成するには非常に大きな出力が必
要となる。このため、高濃度領域を形成する際にエピタ
キシャル層の表面に結晶欠陥が生じ、ショットキ接合面
に単結晶でない部分ができる。この部分のショットキ接
合がくずれ、そこからリーク電流が発生し、結果的にシ
ョットキ接合面の逆方向電流ＩＲが大きくなってしま
う。
ャル層の表面からイオン注入によりエピタキシャル層の
内部に高濃度領域を形成するには非常に大きな出力が必
要となる。このため、高濃度領域を形成する際にエピタ
キシャル層の表面に結晶欠陥が生じ、ショットキ接合面
に単結晶でない部分ができる。この部分のショットキ接
合がくずれ、そこからリーク電流が発生し、結果的にシ
ョットキ接合面の逆方向電流ＩＲが大きくなってしま
う。
【０００９】また、「電子材料 １９８５年８月Ｐ１２
１〜１２８ 高耐圧ショットキバリアダイオード」に記
載があるように、エピタキシャル層表面にできた結晶欠
陥が原因となり、エピタキシャル層中およびエピタキシ
ャル層と酸化膜界面に再結合センターが発生し、逆方向
電流ＩＲが理論値より高い値を示すことがある。
１〜１２８ 高耐圧ショットキバリアダイオード」に記
載があるように、エピタキシャル層表面にできた結晶欠
陥が原因となり、エピタキシャル層中およびエピタキシ
ャル層と酸化膜界面に再結合センターが発生し、逆方向
電流ＩＲが理論値より高い値を示すことがある。
【００１０】本発明は上記問題点を解決するためのもの
であり、逆方向電流ＩＲを増大させることなく順方向電
圧ＶＦを低くすることができるショットキバリアダイオ
ードの製造方法を提供することを目的とする。
であり、逆方向電流ＩＲを増大させることなく順方向電
圧ＶＦを低くすることができるショットキバリアダイオ
ードの製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、半導体基板の表面に第１のエピタキシャル
層を形成する工程と、前記第１のエピタキシャル層内に
前記半導体基板と同じ導電型を有し、かつ前記エピタキ
シャル層よりも大きな不純物濃度を有する高濃度領域を
形成する工程と、前記高濃度領域を含むエピタキシャル
層の表面に第２のエピタキシャル層を形成する工程を含
むショットキバリアダイオードの製造方法である。高濃
度領域は、第１のエピタキシャル層表面の中央部に前記
半導体基板と同じ導電型を有する不純物を蒸着または塗
布した後、半導体基板を越える深さまで拡散すればよ
い。
に本発明は、半導体基板の表面に第１のエピタキシャル
層を形成する工程と、前記第１のエピタキシャル層内に
前記半導体基板と同じ導電型を有し、かつ前記エピタキ
シャル層よりも大きな不純物濃度を有する高濃度領域を
形成する工程と、前記高濃度領域を含むエピタキシャル
層の表面に第２のエピタキシャル層を形成する工程を含
むショットキバリアダイオードの製造方法である。高濃
度領域は、第１のエピタキシャル層表面の中央部に前記
半導体基板と同じ導電型を有する不純物を蒸着または塗
布した後、半導体基板を越える深さまで拡散すればよ
い。
【００１２】ショットキ接合面の直下のエピタキシャル
層に比抵抗が小さい高濃度領域を設けることにより、シ
リーズ抵抗が下がり、この結果、順方向電圧ＶＦを低く
することができる。
層に比抵抗が小さい高濃度領域を設けることにより、シ
リーズ抵抗が下がり、この結果、順方向電圧ＶＦを低く
することができる。
【００１３】また、高濃度領域は第２のエピタキシャル
層で覆われ、ショットキ接合付近とガードリング接合ま
わりのエピタキシャル層の比抵抗は、初期のままで維持
できるため、逆方向電流ＩＲが大きくなることがない。
層で覆われ、ショットキ接合付近とガードリング接合ま
わりのエピタキシャル層の比抵抗は、初期のままで維持
できるため、逆方向電流ＩＲが大きくなることがない。
【００１４】高濃度領域は拡散により形成するため、エ
ピタキシャル層表面に結晶欠陥が生じることがなく良好
なショットキ接合を保つことができ、逆方向電流ＩＲが
増大することがない。
ピタキシャル層表面に結晶欠陥が生じることがなく良好
なショットキ接合を保つことができ、逆方向電流ＩＲが
増大することがない。
【００１５】高濃度領域の形成は、第１のエピタキシャ
ル層の表面に不純物を蒸着または塗布し、導体基板を越
える深さまで拡散する。この方法によれば、不純物の濃
度を大きくすることにより、半導体基板を越える深い部
分でも高濃度領域を容易に形成することができると同時
に、半導体基板を越える深さでも不純物濃度を高濃度に
保つことができる。
ル層の表面に不純物を蒸着または塗布し、導体基板を越
える深さまで拡散する。この方法によれば、不純物の濃
度を大きくすることにより、半導体基板を越える深い部
分でも高濃度領域を容易に形成することができると同時
に、半導体基板を越える深さでも不純物濃度を高濃度に
保つことができる。
【００１６】また、高濃度領域を形成した後、この上に
第２のエピタキシャル層を形成して高濃度領域を埋め込
むため、高濃度領域と第２のエピタキシャル層表面との
距離を容易に制御することができる。
第２のエピタキシャル層を形成して高濃度領域を埋め込
むため、高濃度領域と第２のエピタキシャル層表面との
距離を容易に制御することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は本発明によるショットキバ
リアダイオードのチップ断面図である。Ｎ++型のシリコ
ン基板１上にはＮ型の第１のエピタキシャル層２ａが形
成され、第１のエピタキシャル層２ａ内にはＮ+型の高
濃度領域３が設けられている。高濃度領域３は、第１の
エピタキシャル層２ａ表面からシリコン基板１を越える
深さまで拡散されている。高濃度領域３を含む第１のエ
ピタキシャル層２ａ上にはＮ型の第２のエピタキシャル
層２ｂが形成され、高濃度領域３がショットキ接合面に
露出しないように形成されている。第２のエピタキシャ
ル層２ｂ表面から第１のエピタキシャル層２ａにかけて
環状にＰ型のガードリング層４が形成されている。第２
のエピタキシャル層２ｂ表面には環状の酸化膜５が形成
され、その開口部（図示せず）には第２のエピタキシャ
ル層２ｂと接合するようにチタンからなるショットキメ
タル６が形成されている。
リアダイオードのチップ断面図である。Ｎ++型のシリコ
ン基板１上にはＮ型の第１のエピタキシャル層２ａが形
成され、第１のエピタキシャル層２ａ内にはＮ+型の高
濃度領域３が設けられている。高濃度領域３は、第１の
エピタキシャル層２ａ表面からシリコン基板１を越える
深さまで拡散されている。高濃度領域３を含む第１のエ
ピタキシャル層２ａ上にはＮ型の第２のエピタキシャル
層２ｂが形成され、高濃度領域３がショットキ接合面に
露出しないように形成されている。第２のエピタキシャ
ル層２ｂ表面から第１のエピタキシャル層２ａにかけて
環状にＰ型のガードリング層４が形成されている。第２
のエピタキシャル層２ｂ表面には環状の酸化膜５が形成
され、その開口部（図示せず）には第２のエピタキシャ
ル層２ｂと接合するようにチタンからなるショットキメ
タル６が形成されている。
【００１８】本実施の形態では、シリコン基板１は不純
物濃度が３〜４×１０19ｃｍ-3、比抵抗が３ｍΩｃｍ
（好適範囲は１〜４ｍΩｃｍ）、第１および第２のエピ
タキシャル層２ａ、２ｂは不純物濃度が５×１０19ｃｍ
-3で比抵抗が２Ωｃｍとなるように設定した。Ｎ型不純
物の不純物濃度は、第１のエピタキシャル層の不純物濃
度よりも大きく、かつ第２のエピタキシャル層２ｂが単
結晶として形成できる濃度範囲とすればよく、例えば１
×１０19ｃｍ-3と設定した。
物濃度が３〜４×１０19ｃｍ-3、比抵抗が３ｍΩｃｍ
（好適範囲は１〜４ｍΩｃｍ）、第１および第２のエピ
タキシャル層２ａ、２ｂは不純物濃度が５×１０19ｃｍ
-3で比抵抗が２Ωｃｍとなるように設定した。Ｎ型不純
物の不純物濃度は、第１のエピタキシャル層の不純物濃
度よりも大きく、かつ第２のエピタキシャル層２ｂが単
結晶として形成できる濃度範囲とすればよく、例えば１
×１０19ｃｍ-3と設定した。
【００１９】このように、第１のエピタキシャル層内に
高濃度領域を形成したため、ショットキ接合部直下のエ
ピタキシャル層のシリーズ抵抗が下がり、エピタキシャ
ル層の厚さを薄くしたり、エピタキシャル層全体の比抵
抗を下げることなく順方向電圧ＶＦを低くすることがで
きる。高濃度領域は第２のエピタキシャル層で覆われ、
ショットキ接合付近とガードリング接合まわりのエピタ
キシャル層の比抵抗は高いままで保たれるため、逆方向
電流ＩＲが増大することがない。
高濃度領域を形成したため、ショットキ接合部直下のエ
ピタキシャル層のシリーズ抵抗が下がり、エピタキシャ
ル層の厚さを薄くしたり、エピタキシャル層全体の比抵
抗を下げることなく順方向電圧ＶＦを低くすることがで
きる。高濃度領域は第２のエピタキシャル層で覆われ、
ショットキ接合付近とガードリング接合まわりのエピタ
キシャル層の比抵抗は高いままで保たれるため、逆方向
電流ＩＲが増大することがない。
【００２０】次にこのショットキバリアダイオードの製
造方法について図２（ａ）〜（ｅ）を参照しながら説明
する。
造方法について図２（ａ）〜（ｅ）を参照しながら説明
する。
【００２１】まず、砒素をドーピングしたＮ++型のシリ
コン基板１を用意した。そしてこのシリコン基板１の全
面に第１のエピタキシャル層２ａを４μｍ形成した。図
２（ａ）にこの状態を示す。
コン基板１を用意した。そしてこのシリコン基板１の全
面に第１のエピタキシャル層２ａを４μｍ形成した。図
２（ａ）にこの状態を示す。
【００２２】次に第１のエピタキシャル層２ａの中央部
に４２０〜４８０μｍ角の開口部（図示せず）を残して
酸化膜５を形成し、開口部にＮ型不純物であるリン９を
蒸着した。Ｎ型不純物にはアンチモン、砒素を用いても
よい。また、これらＮ型不純物を塗布してもよい。これ
を示したのが図２（ｂ）である。
に４２０〜４８０μｍ角の開口部（図示せず）を残して
酸化膜５を形成し、開口部にＮ型不純物であるリン９を
蒸着した。Ｎ型不純物にはアンチモン、砒素を用いても
よい。また、これらＮ型不純物を塗布してもよい。これ
を示したのが図２（ｂ）である。
【００２３】次にリン９をシリコン基板１に到達する深
さまで拡散し、第１のエピタキシャル層２ａ内に高濃度
領域３を形成した。高濃度領域は、この上にエピタキシ
ャル層が単結晶として成長できる表面濃度とする必要が
あり、１×１０20ｃｍ-3以下であることが望ましい。こ
の状態を図２（ｃ）に示す。
さまで拡散し、第１のエピタキシャル層２ａ内に高濃度
領域３を形成した。高濃度領域は、この上にエピタキシ
ャル層が単結晶として成長できる表面濃度とする必要が
あり、１×１０20ｃｍ-3以下であることが望ましい。こ
の状態を図２（ｃ）に示す。
【００２４】次いで、高濃度領域３を含む第１のエピタ
キシャル層２ａ上に第２のエピタキシャル層２ｂを２μ
ｍ形成し、高濃度領域３を内部に埋め込んだ。この状態
を図２（ｄ）に示す。
キシャル層２ａ上に第２のエピタキシャル層２ｂを２μ
ｍ形成し、高濃度領域３を内部に埋め込んだ。この状態
を図２（ｄ）に示す。
【００２５】次いで、第２のエピタキシャル層２ｂの表
面からＰ型不純物であるボロンを拡散して、環状のガー
ドリング層４を形成した。この後、ＣＶＤ、コンタクト
窓エッチを行いチタンからなるショットキメタル６、ニ
ッケル７、アルミニウム８の電極を順に形成し、ショッ
トキバリアダイオードを完成した。この状態を図２
（ｅ）に示す。
面からＰ型不純物であるボロンを拡散して、環状のガー
ドリング層４を形成した。この後、ＣＶＤ、コンタクト
窓エッチを行いチタンからなるショットキメタル６、ニ
ッケル７、アルミニウム８の電極を順に形成し、ショッ
トキバリアダイオードを完成した。この状態を図２
（ｅ）に示す。
【００２６】図３（ａ）は本発明によるショットキバリ
アダイオードの濃度プロファイル、（ｂ）はイオン注入
により高濃度領域を形成したショットキバリアダイオー
ドの濃度プロファイルである。本発明によるショットキ
バリアダイオードは、高濃度領域の不純物濃度が第１の
エピタキシャル層から急激に大きくなり、シリコン基板
に近づくに従っても、ほぼ同じ不純物濃度を保っている
ため、比抵抗を低く保つことができるのに対し、イオン
注入による高濃度領域の形成では、シリコン基板に近づ
くに従って濃度が小さくなり、この部分の比抵抗が大き
くなっているのがわかる。この結果、本発明によるショ
ットキバリアダイオードにおいては、順方向電圧ＶＦを
効果的に下げることができる。
アダイオードの濃度プロファイル、（ｂ）はイオン注入
により高濃度領域を形成したショットキバリアダイオー
ドの濃度プロファイルである。本発明によるショットキ
バリアダイオードは、高濃度領域の不純物濃度が第１の
エピタキシャル層から急激に大きくなり、シリコン基板
に近づくに従っても、ほぼ同じ不純物濃度を保っている
ため、比抵抗を低く保つことができるのに対し、イオン
注入による高濃度領域の形成では、シリコン基板に近づ
くに従って濃度が小さくなり、この部分の比抵抗が大き
くなっているのがわかる。この結果、本発明によるショ
ットキバリアダイオードにおいては、順方向電圧ＶＦを
効果的に下げることができる。
【００２７】本実施の形態では、Ｎ型シリコン基板を用
いて説明したが、Ｐ型基板を用いた場合でも同様の効果
を得ることができる。
いて説明したが、Ｐ型基板を用いた場合でも同様の効果
を得ることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、エ
ピタキシャル層の表面に欠陥が生じることがなく高濃度
領域が形成できるため、ショットキバリアダイオードの
逆方向電流ＩＲを増加させることなく順方向電圧ＶＦを
小さくすることができる。
ピタキシャル層の表面に欠陥が生じることがなく高濃度
領域が形成できるため、ショットキバリアダイオードの
逆方向電流ＩＲを増加させることなく順方向電圧ＶＦを
小さくすることができる。
【図１】本発明のショットキバリアダイオードを示す断
面図
面図
【図２】本発明のショットキバリアダイオードの製造方
法を説明する図
法を説明する図
【図３】（ａ）本発明によるショットキバリアダイオー
ドの濃度プロファイルを表す図 （ｂ）イオン注入により高濃度領域を形成したショット
キバリアダイオードの濃度プロファイルを表す図
ドの濃度プロファイルを表す図 （ｂ）イオン注入により高濃度領域を形成したショット
キバリアダイオードの濃度プロファイルを表す図
【図４】従来のショットキバリアダイオードを示す断面
図
図
【図５】特開平８−６４８４５号公報に開示されたショ
ットキバリアダイオードを示す断面図
ットキバリアダイオードを示す断面図
１ シリコン基板 ２ エピタキシャル層 ２ａ 第１のエピタキシャル層 ２ｂ 第２のエピタキシャル層 ３ 高濃度領域 ４ ガードリング層 ５ 酸化膜 ６ ショットキメタル（チタン） ７ 電極（ニッケル） ８ 電極（アルミニウム） ９ リン
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板上に第１のエピタキシャル層
を形成する工程と、前記第１のエピタキシャル層内に前
記第１のエピタキシャル層と同じ導電型を有し、かつエ
ピタキシャル層よりも大きな不純物濃度を有する高濃度
領域を形成する工程と、前記高濃度領域を含む前記第１
のエピタキシャル層上に第２のエピタキシャル層を形成
する工程を含むことを特徴とするショットキバリアダイ
オードの製造方法。 - 【請求項２】 前記第２のエピタキシャル層の厚さは、
前記第１のエピタキシャル層の厚さよりも薄く形成する
請求項１記載のショットキバリアダイオードの製造方
法。 - 【請求項３】 Ｎ++型のシリコン基板上にＮ型の第１の
エピタキシャル層を形成する工程と、前記第１のエピタ
キシャル層内にＮ+型の高濃度領域を形成する工程と、
前記高濃度領域を含む前記第１のエピタキシャル層上に
Ｎ型の第２のエピタキシャル層を形成する工程を含む請
求項１記載のショットキバリアダイオードの製造方法。 - 【請求項４】 半導体基板上に第１のエピタキシャル層
を形成する工程と、前記第１のエピタキシャル層表面の
中央部に前記第１のエピタキシャル層と同じ導電型を有
する不純物を蒸着または塗布する工程と、前記不純物を
拡散し、前記第１のエピタキシャル層内に前記エピタキ
シャル層よりも大きな不純物濃度を有する高濃度領域を
形成する工程と、前記高濃度領域を含む前記第１のエピ
タキシャル層上に第２のエピタキシャル層を形成する工
程を含むことを特徴とするショットキバリアダイオード
の製造方法。 - 【請求項５】 前記不純物の拡散は、前記第１のエピタ
キシャル層表面から前記半導体基板を越える深さまで行
う請求項４記載のショットキバリアダイオードの製造方
法。 - 【請求項６】 Ｎ++型のシリコン基板上にＮ型の第１の
エピタキシャル層を形成する工程と、前記第１のエピタ
キシャル層表面の中央部にＮ型不純物を蒸着または塗布
する工程と、前記Ｎ型不純物を拡散し、前記第１のエピ
タキシャル層内にＮ+型の高濃度領域を形成する工程
と、前記高濃度領域を含む前記第１のエピタキシャル層
上にＮ型の第２のエピタキシャル層を形成する工程を含
む請求項４記載のショットキバリアダイオードの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1668098A JP3653969B2 (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | ショットキバリアダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1668098A JP3653969B2 (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | ショットキバリアダイオードの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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