JPH11213835A - 高周波リレー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロストリップラインが一面に、面状ア
ース部が他面にそれぞれ形成されたプリント基板に実装
されたとき、高周波特性を向上できる高周波リレーを提
供する。 【解決手段】 コイルを有した電磁石部によって駆動さ
れて高周波信号を開閉制御する接点部を設けたリレー本
体１と、略有底箱形に形成されて接点部を外囲してシー
ルドする金属製のシールドブロック２と、シールドブロ
ック２の底部２ａから導出されて接点部と接続された接
点端子３とを備え、接点端子３がプリント基板５の一面
５ａに形成されて高周波信号を伝達するマイクロストリ
ップライン５１に、シールドブロック２が他面５ｂに形
成された面状アース部５２にそれぞれ接続される高周波
リレーにおいて、シールドブロック２は、底部２ａに対
向したマイクロストリップライン５１と絶縁する絶縁ス
ペース２１ａを有した切り欠き溝２１が接点端子３の対
応位置に設けられた構成にしてある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、接点部が電磁石部
によって駆動されて高周波信号を開閉する高周波リレー
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の高周波リレーとして、図
５乃至図８に示す構成のものが存在する。このものは、
コイルを有した電磁石部によって駆動されて高周波信号
を開閉制御する接点部を設けたリレー本体Ａと、底部Ｂ
1を有した有底箱形に形成されて接点部を外囲してシー
ルドする金属製のシールドブロックＢと、接点部及びシ
ールドブロックＢとそれぞれ接続された接点端子Ｃ及び
アース端子Ｄとを備えている。そして、シールドブロッ
クＢは底部が平面状の底面Ｂ1を有して形成されるとと
もに、接点端子Ｃ及びアース端子Ｄがその底面Ｂ1から
導出される。

【０００３】さらに詳しくは、図８に示すように、プリ
ント基板Ｅは高周波信号を伝達するマイクロストリップ
ラインが一面Ｅ1に、面状アース部が他面Ｅ2にそれぞれ
形成される。そして、接点端子Ｃがプリント基板Ｅに設
けられた挿入孔に挿入されて一面Ｅ1のマイクロストリ
ップラインに、シールドブロックＢの底面Ｂ1が他面Ｅ2
の面状アース部にそれぞれ半田付けによって接続され
る。

【０００４】このとき、金属製のシールドブロックＢは
底面Ｂ1がプリント基板Ｅの他面Ｅ2に当接するが、底部
がマイクロストリップラインに隣接するよう一面Ｅ1に
当接させると、マイクロストリップライン間を短絡す
る。したがって、シールドブロックＢは底面Ｂ1がプリ
ント基板Ｅの他面Ｅ2に、すなわち面状アース部に対面
するよう配置される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の高周波
リレーでは、接点端子Ｃがプリント基板Ｅの一面Ｅ1に
形成されたマイクロストリップラインに、アース端子Ｄ
が他面Ｅ2に形成された面状アース部にそれぞれ接続さ
れて、接点部がプリント基板Ｅから伝達された高周波信
号を開閉できる。

【０００６】しかしながら、接点端子Ｃは、シールドブ
ロックＢが当接した他面Ｅ2の反対面である一面Ｅ1に形
成されたマイクロストリップラインに接続される。した
がって、マイクロストリップラインまでの距離がプリン
ト基板Ｅの板厚分だけ長くなって、リレー本体Ａとのイ
ンピーダンスの整合をとりにくく、さらに不整合部分が
長くなるとともに導体抵抗が増加して、オン時に高周波
信号が減衰するインサーションロスが増加して、高周波
特性を劣化させるという問題があった。

【０００７】さらに、ケース等の他の部品はプリント基
板Ｅの一面Ｅ1側へ配置されたとき、高周波信号が伝達
されるマイクロストリップラインと隣接するので、オフ
状態で高周波信号が漏洩するアイソレーション特性（絶
縁特性）が劣化するという別の問題があった。

【０００８】本発明は、上記問題点に鑑みてなしたもの
で、その目的とするところは、マイクロストリップライ
ンが一面に、面状アース部が他面にそれぞれ形成された
プリント基板に実装されたとき、高周波特性を向上でき
る高周波リレーを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、請求項１記載のものは、コイルを有した電磁石
部によって駆動されて高周波信号を開閉制御する接点部
を設けたリレー本体と、底部を有した略有底箱形に形成
されて接点部を外囲してシールドする金属製のシールド
ブロックと、シールドブロックの底部から導出されて接
点部と接続された接点端子とを備え、接点端子がプリン
ト基板の一面に形成されて高周波信号を伝達するマイク
ロストリップラインに、シールドブロックが他面に形成
された面状アース部にそれぞれ接続される高周波リレー
において、前記シールドブロックは、前記底部に隣接し
た前記マイクロストリップラインと絶縁する絶縁スペー
スを有した切り欠き溝が、前記接点端子の対応位置に設
けられたことを特徴とする高周波リレー。構成にしてあ
る。

【００１０】請求項２記載のものは、請求項１記載のも
のにおいて、前記シールドブロックは、前記切り欠き溝
によって形成された凸所から導出された前記アース端子
を介して、前記面状アース部と接続された構成にしてあ
る。

【００１１】請求項３記載のものは、請求項１記載のも
のにおいて、前記シールドブロックは、前記底部から突
出して底面を有する凸所が前記切り欠き溝によって形成
されるとともに、その底面が前記プリント基板の一面に
形成されて前記面状アース部と接続した別の面状アース
部と接続された構成にしてある。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態を図１乃至
図４に基づいて以下に説明する。

【００１３】１はリレー本体で、略直方体状に形成さ
れ、ベース（図示せず）に載置されてコイル（図示せ
ず）を設けた電磁石部（図示せず）、及び固定接点及び
可動接点を設けた接点部（図示せず）がケースに収納さ
れた構成を有する。金属からなり棒状に形成された２個
の制御端子１１が、コイルに電気的に接続され、導出さ
れて一側部に並設される。そして、接点部が電磁石部に
よって駆動されて、可動接点が固定接点と接離して負荷
された高周波信号を開閉制御する。

【００１４】２はシールドブロックで、板状の金属によ
り、底部２ａを有した略有底箱形に形成され、底部２ａ
を切り欠いた切り欠き溝２１が、後述する接点端子３の
対応位置にて、中央部及び両側部に合計３個設けられ
る。その切り欠き溝２１が形成されることによって、底
部２ａから突出した２個の凸所２２が、平面状の底面２
２ａを有して形成される。そして、接点部を外囲した状
態でリレー本体１に配設されて、その接点部をシールド
する。

【００１５】３は接点端子で、金属により、棒状に形成
され、リレー本体１の接点部に電気的に接続され、コモ
ン端子３１、常開端子３２、及び常閉端子３３とで構成
されて、切り欠き溝２１が設けられたシールドブロック
２の底部２ａから、絶縁リングを介してシールドブロッ
ク２と絶縁された状態で導出される。そして、接点部が
電磁石部によって駆動されて、高周波信号をコモン端子
３１と常閉端子３３、及びコモン端子３１と常開端子３
２との間で開閉する。

【００１６】４はアース端子で、金属により、棒状に形
成され、シールドブロック２に電気的に接続され、２本
で構成されて、シールドブロック２の凸所２２から導出
される。

【００１７】プリント基板５は、一面５ａ及び他面５ｂ
を有した薄板状に形成され、ガラス繊維にテフロン等の
フッソ樹脂を含浸したガラスフッソ基板により、誘電損
失が小さく高周波特性が良好である。銅からなり線状の
マイクロストリップライン５１が一面５ａに形成され
て、高周波信号を伝達するとともに、薄膜状の銅箔から
なる面状アース部５２が他面５ｂに形成される。

【００１８】このものの取り扱い及び操作を図４に基づ
いて以下に説明する。シールドブロック２は、底部２ａ
がプリント基板５の一面５ａと対面して、マイクロスト
リップライン５１と隣接する。ここで、凸所２２の底面
２２ａが、マイクロストリップライン５１を形成されて
いない領域における一面５ａと当接する。そして、接点
端子３が一面５ａに形成されたマイクロストリップライ
ン５１に、アース端子４が他面５ｂに形成された面状ア
ース部５２に、それぞれ半田付けされて接続される。

【００１９】このとき、金属板からなるシールドブロッ
ク２は、切り欠き溝２１が接点端子３の対応位置に設け
られて、プリント基板５との間に絶縁スペース２１ａを
形成するので、マイクロストリップライン５１と接触す
ることなく絶縁される。すなわち、プリント基板５の一
面５ａと対面した状態で配置されても、マイクロストリ
ップライン５１間を短絡させることがない。

【００２０】このものの動作を説明する。電圧が制御端
子１１を介してコイルに印加されると、接点部が励磁さ
れた電磁石部によって駆動されて、コモン端子３１及び
常開端子３２間を開状態から閉状態に閉成して、高周波
信号をオンさせる。一方、電圧がコイルから除荷される
と、接点部が元の状態に復帰して、コモン端子３１及び
常開端子３２間を閉状態から開状態に開成して、高周波
信号をオフさせる。このようにして、接点部が高周波信
号を開閉制御する。コモン端子３１及び常開端子３２に
ついて説明したが、コモン端子３１及び常閉端子３３に
ついては、開状態及び閉状態、開成及び閉成、並びにオ
ン及びオフが互いに逆になることを除いて同一に動作す
る。

【００２１】ここで、マイクロストリップライン５１ま
での接点端子３の距離が従来と比較して短くなるので、
インピーダンスの不整合部及び導体抵抗が減少して、オ
ン時に高周波信号を減衰させるインサーションロスが低
減する。さらに、高周波信号が伝達されるマイクロスト
リップライン５１がシールドブロック２の底部２ａと対
面するので、ケース等の他の部品がプリント基板５の他
面５ｂ側へ配置されたとき、それらが面状アース部５２
と対面する。したがって、他の部品等をプリント基板５
に近接させても、従来と異なってアイソレーションが劣
化することがない。

【００２２】かかる第一実施形態の高周波リレーにあっ
ては、上記したように、絶縁スペース２１ａを有した切
り欠き溝２１が、シールドブロック２から導出された接
点端子３の対応位置に設けられて、マイクロストリップ
ライン５１とシールドブロック２とを絶縁するから、シ
ールドブロック２がマイクロストリップライン５１を短
絡させることなく、プリント基板５の一面５ａと対面し
て、隣接したマイクロストリップライン５１までの接点
端子３の距離が従来と比較して短くなるので、インピー
ダンスの不整合部及び導体抵抗を減少させて、オン時に
高周波信号が減衰するインサーションロスを減少して、
高周波特性を向上することができる。

【００２３】また、凸所２２が切り欠き溝２１によって
シールドブロック２の底部２ａに形成されるとともに、
シールドブロック２がその凸所２２から導出されたアー
ス端子４を介して面状アース部５２と接続されたから、
面状アース部５２がプリント基板５に対してリレー本体
１の反対側へ位置するので、他の部品等がプリント基板
５の他面５ｂ側へ配置されたとき、マイクロストリップ
ライン５１と隣接した従来と異なって面状アース部５２
と対面して、アイソレーションを確保したうえで、他の
部品を近接させることができる。

【００２４】本発明の第２実施形態を以下に説明する。
なお、第２実施形態では第１実施形態と異なる機能につ
いて述べることとする。第２実施形態では、プリント基
板５は別の面状アース部（図示せず）が一面５ａに形成
されて、他面５ｂに形成された面状アース部５２とスル
ーホールを介して接続されている。そして、シールドブ
ロック２は凸所２２の底面２２ａが別の面状アース部
と、半田付け面積を広くした状態で互いに半田付けされ
接続されて、その別の面状アース部を介して面状アース
部５２と接続される。

【００２５】かかる第２実施形態の高周波リレーにあっ
ては、上記したように、凸所２２の底面２２ａがプリン
ト基板５の一面５ａに形成された別の面状アース部と接
続されたから、シールドブロック２が別の面状アース部
を介して面状アース部５２と接続されて、他の部品等が
プリント基板５の他面５ｂ側へ配置されたとき、マイク
ロストリップライン５１ではなく面状アース部５２と対
面するので、アイソレーションを確保したうえで、他の
部品等を近接できるとともに、底面２２ａと別の面状ア
ース部とを半田付け面積を広くした状態で互いに半田付
けし確実にアースして、高周波特性を向上することがで
きる。

【００２６】

【発明の効果】請求項１記載のものは、絶縁スペースを
有した切り欠き溝が、シールドブロックから導出された
接点端子の対応位置に設けられて、マイクロストリップ
ラインとシールドブロックとを絶縁するから、シールド
ブロックがマイクロストリップラインを短絡させること
なく、プリント基板の一面と対面して、隣接したマイク
ロストリップラインまでの接点端子の距離が従来と比較
して短くなるので、インピーダンスの不整合部及び導体
抵抗を減少させて、オン時に高周波信号が減衰するイン
サーションロスを減少して、高周波特性を向上すること
ができる。

【００２７】請求項２記載のものは、請求項１記載のも
のの効果に加えて、凸所が切り欠き溝によってシールド
ブロックの底部に形成されるとともに、シールドブロッ
クがその凸所から導出されたアース端子を介して面状ア
ース部と固着されたから、シールドブロックをプリント
基板の他面に形成された面状アース部に接続して、他の
部品等がプリント基板の他面側へ配置されたとき、面状
アース部５２がプリント基板５に対してリレー本体１の
反対側へ位置するので、アイソレーションを確保したう
えで、他の部品を近接させることができる。

【００２８】請求項３記載のものは、請求項１記載のも
のの効果に加えて、凸所の底面がプリント基板の一面に
形成された別の面状アース部と接続されたから、シール
ドブロックが別の面状アース部を介して面状アース部と
接続されて、他の部品等がプリント基板の他面側へ配置
されたとき、マイクロストリップラインではなく面状ア
ース部と対面するので、アイソレーションを確保したう
えで、他の部品等を近接できるとともに、底面と別の面
状アース部とを半田付け面積を広くした状態で互いに半
田付けし確実にアースして、高周波特性を向上すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態を示すプリント基板に接続
状態の斜視図である。

【図２】同上の正面図である。

【図３】同上の側面図である。

【図４】同上の下面図である。

【図５】従来例を示す正面図である。

【図６】同上の側面図である。

【図７】同上の下面図である。

【図８】同上のプリント基板に実装状態の斜視図であ
る。

【符号の説明】

１ リレー本体 ２ シールドブロック ２１ 切り欠き溝 ２１ａ 絶縁スペース ２２ 凸所 ２ａ 底部 ３ 接点端子 ４ アース端子 ５ プリント基板 ５ａ 一面 ５ｂ 他面 ５１ マイクロストリップライン ５２ 面状アース部

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 コイルを有した電磁石部によって駆動さ
   れて高周波信号を開閉制御する接点部を設けたリレー本
   体と、底部を有した略有底箱形に形成されて接点部を外
   囲してシールドする金属製のシールドブロックと、シー
   ルドブロックの底部から導出されて接点部と接続された
   接点端子とを備え、接点端子がプリント基板の一面に形
   成されて高周波信号を伝達するマイクロストリップライ
   ンに、シールドブロックが他面に形成された面状アース
   部にそれぞれ接続される高周波リレーにおいて、 前記シールドブロックは、前記底部に隣接した前記マイ
   クロストリップラインと絶縁する絶縁スペースを有した
   切り欠き溝が、前記接点端子の対応位置に設けられたこ
   とを特徴とする高周波リレー。
2. 【請求項２】 前記シールドブロックは、前記切り欠き
   溝によって形成された凸所から導出された前記アース端
   子を介して、前記面状アース部と接続されたことを特徴
   とする請求項１記載の高周波リレー。
3. 【請求項３】 前記シールドブロックは、前記底部から
   突出して底面を有する凸所が前記切り欠き溝によって形
   成されるとともに、その底面が前記プリント基板の一面
   に形成されて前記面状アース部と接続した別の面状アー
   ス部と接続されたことを特徴とする請求項１記載の高周
   波リレー。